TWI667671B

TWI667671B - 電感結構

Info

Publication number: TWI667671B
Application number: TW107131720A
Authority: TW
Inventors: 廖健男; 蘇泊沅; 張睿鈞
Original assignee: 世界先進積體電路股份有限公司
Priority date: 2018-09-10
Filing date: 2018-09-10
Publication date: 2019-08-01
Also published as: TW202011425A

Abstract

本發明提供一種電感結構，包括：一基板；一第一介電層，形成於該基板上；一第一金屬層，形成於該第一介電層中；一第二介電層，形成於該第一介電層上；一第二金屬層，形成於該第二介電層中，其中該第一金屬層與該第二金屬層為連續金屬層；至少一中間介電層，形成於該第一介電層與該第二介電層之間；至少一中間金屬層，形成於該至少一中間介電層中，其中該至少一中間金屬層為圖案化金屬層；以及複數個通孔，連接該第一金屬層與該至少一中間金屬層，以及連接該第二金屬層與該至少一中間金屬層，其中該第一金屬層、該通孔、該至少一中間金屬層、該通孔、該第二金屬層、該通孔、以及該至少一中間金屬層形成一延伸路徑，該延伸路徑以該第一金屬層為一延伸起點，依螺旋方式延伸。

Description

電感結構

本發明係有關於一種電感結構，特別是有關於一種具有大線寬、低佔用面積的垂直式電感結構。

就目前的平面式電感來說，當所需電感值越高時，元件的感應圈數愈多，其於晶片上所佔用的面積就愈大，且為避免電感元件與其他元件間產生額外效應，於電感元件下方，均規劃為淨空區域，即無擺放任何元件或金屬層，且於電感元件周圍的一定距離內，亦須為淨空區域。然而，上述限制已造成晶片在面積使用上的效益相當差。

目前的平面式電感使用單一層金屬層，並以下層金屬層做為與其他元件的聯結線，受限於製程因素，其在設計上須符合最小間距(min metal spacing)的要求，且為增加電感值，均期望能設置較大線寬的金屬導線及增加電感圈數。然而，此製程及設計上的要求，在晶片的面積使用上，始終存在著無法克服的困難。

因此，開發一種具有大線寬、低佔用面積的電感結構是眾所期待的。

根據本發明的一實施例，提供一種電感結構。該電感結構，包括：一基板；一第一介電層，形成於該基板上；一第一金屬層，形成於該第一介電層中；一第二介電層，形成於該第一介電層上；一第二金屬層，形成於該第二介電層中，其中該第一金屬層與該第二金屬層為連續金屬層；至少一中間介電層，形成於該第一介電層與該第二介電層之間；至少一中間金屬層，形成於該至少一中間介電層中，其中該至少一中間金屬層為圖案化金屬層；以及複數個通孔，連接該第一金屬層與該至少一中間金屬層，以及連接該第二金屬層與該至少一中間金屬層，其中該第一金屬層、該通孔、該至少一中間金屬層、該通孔、該第二金屬層、該通孔、以及該至少一中間金屬層形成一延伸路徑，該延伸路徑以該第一金屬層為一延伸起點，依逆時針螺旋方式延伸。

根據部分實施例，上述第一金屬層、上述第二金屬層、與上述至少一中間金屬層的長度介於1um~100um。

根據部分實施例，上述第一金屬層、上述第二金屬層、與上述至少一中間金屬層的厚度介於0.01um~4um。

根據部分實施例，上述第一金屬層、上述第二金屬層、與上述至少一中間金屬層的寬度介於0.01um~100um。

根據部分實施例，上述至少一中間金屬層的圖案化金屬層的間距介於0.01um~10um。

根據部分實施例，上述至少一中間介電層為單層的中間介電層，以及上述至少一中間金屬層為單層的中間金屬層。

根據部分實施例，上述至少一中間介電層為雙層的中間介電層，以及上述至少一中間金屬層為雙層的中間金屬層。根據部分實施例，更包括複數個通孔，連接不同層的上述中間金屬層。

根據部分實施例，上述至少一中間介電層為三層的中間介電層，以及上述至少一中間金屬層為三層的中間金屬層。根據部分實施例，更包括複數個通孔，連接不同層的上述中間金屬層。

根據本發明的一實施例，提供一種電感結構。該電感結構，包括：一基板；一第一介電層，形成於該基板上；一第一金屬層，形成於該第一介電層中；一第二介電層，形成於該第一介電層上；一第二金屬層，形成於該第二介電層中，其中該第一金屬層與該第二金屬層為連續金屬層；至少一中間介電層，形成於該第一介電層與該第二介電層之間；至少一中間金屬層，形成於該至少一中間介電層中，其中該至少一中間金屬層為圖案化金屬層；以及複數個通孔，連接該第一金屬層與該至少一中間金屬層，以及連接該第二金屬層與該至少一中間金屬層，其中該第一金屬層、該通孔、該至少一中間金屬層、該通孔、該第二金屬層、該通孔、以及該至少一中間金屬層形成一延伸路徑，該延伸路徑以該第一金屬層為一延伸起點，依順時針螺旋方式延伸。

本發明利用金屬層與通孔(via)在垂直方向上相互串接的方式製作電感元件(inductor)。當吾人欲增加電感元件的感應圈數時，僅需增加在垂直方向上的金屬層的層數即可，亦即，謀求電感元件圈數的增加並不會造成在平面上佔用面積的增加，且本發明製程的困難度不高，可搭配一般的半導體製程簡易製作。此外，在設計、製作金屬導線的各式線寬時，本發明確實擁有相當大的製程空間(process window)，即在考慮任意增加金屬線寬的情況下，並不須擔心此舉會造成元件在使用面積上的負擔，因此可輕易製作出具有任何適當線寬的電感元件。再者，由於在平面上所使用的面積縮減，本發明電感元件大幅降低了對於鄰近元件區所造成的影響，特別是鄰近元件在面積使用上的限制，也就是，對於其他各式元件的擺放，本發明提供了更多便利性的選擇。

為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附的圖式，作詳細說明如下。

10、100、1000‧‧‧電感結構

12、120、1200‧‧‧基板

14、140、1400‧‧‧第一介電層

14’、140’、1400’‧‧‧第一介電層的底部

16、160、1600‧‧‧第一金屬層

18、180、1800‧‧‧第二介電層

18’、180’、1800’‧‧‧第二介電層的底部

20、200、2000‧‧‧第二金屬層

22‧‧‧中間介電層

22’‧‧‧中間介電層的底部

24‧‧‧中間金屬層

26、28、260、280、300、2600、2800、3000、3100‧‧‧通孔

32、320、3200‧‧‧延伸路徑

34、340、3400‧‧‧第一金屬層的起始點

220、2200‧‧‧第一中間介電層

220’、2200’‧‧‧第一中間介電層的底部

230、2300‧‧‧第二中間介電層

230’、2300’‧‧‧第二中間介電層的底部

240、2400‧‧‧第一中間金屬層

250、2500‧‧‧第二中間金屬層

2350‧‧‧第三中間介電層

2350’‧‧‧第三中間介電層的底部

2550‧‧‧第三中間金屬層

L‧‧‧第一金屬層、第二金屬層、中間金屬層的長度

S‧‧‧中間金屬層的間距

T‧‧‧第一金屬層、第二金屬層、中間金屬層的厚度

W‧‧‧第一金屬層、第二金屬層、中間金屬層的寬度

第1圖係根據本發明的一實施例，一種電感結構的剖面示意圖；第1A圖為第1圖沿A-A’剖面線所得的電感結構的剖面示意圖；第2圖係根據本發明的一實施例，一種電感結構的剖面示意圖；第2A圖為第2圖沿A-A’剖面線所得的電感結構的剖面示意圖；第3圖係根據本發明的一實施例，一種電感結構的剖面示意圖；第3A圖為第3圖沿A-A’剖面線所得的電感結構的剖面示意圖；第4圖係根據本發明的一實施例，一種電感結構的剖面示意圖；第4A圖為第4圖沿A-A’剖面線所得的電感結構的剖面示意圖；第5圖係根據本發明的一實施例，一種電感結構的剖面示意圖；第5A圖為第5圖沿A-A’剖面線所得的電感結構的剖面示意圖；第6圖係根據本發明的一實施例，一種電感結構的剖面示意圖；第6A圖為第6圖沿A-A’剖面線所得的電感結構的剖面示意圖。

請參閱第1圖，根據本發明多個實施例中的其中之一，提供一種電感(inductor)結構10。第1圖為電感結構10的剖面示意圖。

如第1圖所示，在本實施例中，電感結構10包括基板12、第一介電層14、第一金屬層16、第二介電層18、第二金屬層20、中間介電層22、中間金屬層24、以及複數個通孔(26、28)。第一介電層14形成於基板12上。第一金屬層16形成於第一介電層14中，位於第一介電層14的底部14’。第二介電層18形成於第一介電層14上。第二金屬層20形成於第二介電層18中，位於第二介電層18的底部18’。第一金屬層16與第二金屬層20 為連續的金屬層。中間介電層22形成於第一介電層14與第二介電層18之間。中間金屬層24形成於中間介電層22中，位於中間介電層22的底部22’。中間金屬層24為圖案化(patterned)的金屬層。

此外，通孔(26、28)連接第一金屬層16與中間金屬層24，以及連接第二金屬層20與中間金屬層24，例如，通孔26連接第一金屬層16與中間金屬層24，通孔28連接第二金屬層20與中間金屬層24。值得注意的是，第一金屬層16、通孔26、中間金屬層24、通孔28、第二金屬層20、通孔28、以及中間金屬層24形成延伸路徑32。延伸路徑32以第一金屬層16的起始點34作為延伸起點，依逆時針螺旋方式延伸，以如第1圖所示的剖面圖觀之。

在部分實施例中，基板12可包括矽基板或其他適合的基板材料。

在部分實施例中，第一介電層14、第二介電層18、以及中間介電層22可包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或其他適合的低介電常數之介電材料。

在部分實施例中，第一金屬層16、第二金屬層20、以及中間金屬層24可包括例如銅、鋁或其他適合的金屬導電材料。

在部分實施例中，通孔(26、28)可填入例如銅、鎢或其他適合的金屬導電材料。

在部分實施例中，第一金屬層16、第二金屬層20、與中間金屬層24的長度L大約介於1um~100um。

在部分實施例中，第一金屬層16、第二金屬層20、與中間金屬層24的厚度T大約介於0.01um~4um。

在部分實施例中，第一金屬層16、第二金屬層20、與中間金屬層24的寬度W大約介於0.01um~100um，如第1A圖所示。第1A圖為第1圖沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。

在部分實施例中，中間金屬層24的圖案化金屬層的間距S大約介於0.01um~10um。

請參閱第2圖，根據本發明多個實施例中的其中之一，提供一種電感(inductor)結構100。第2圖為電感結構100的剖面示意圖。

如第2圖所示，在本實施例中，電感結構100包括基板120、第一介電層140、第一金屬層160、第二介電層180、第二金屬層200、第一中間介電層220、第二中間介電層230、第一中間金屬層240、第二中間金屬層250、以及複數個通孔(260、280、300)。第一介電層140形成於基板120上。第一金屬層160形成於第一介電層140中，位於第一介電層140的底部140’。第二介電層180形成於第一介電層140上。第二金屬層200形成於第二介電層180中，位於第二介電層180的底部180’。第一金屬層160與第二金屬層200為連續的金屬層。第一中間介電層220形成於第一介電層140上。第一中間金屬層240形成於第一中間介電層220中，位於第一中間介電層220的底部220’。第二中間介電層230形成於第一中間介電層220上。第二中間金屬層250形成於第二中間介電層230中，位於第二中間介電層230的底部230’。第一中間金屬層240與第二中間金屬層250為圖案化的金屬層。

通孔(260、280、300)連接第一金屬層160與第一中間金屬層240，連接第一中間金屬層240與第二中間金屬層250，以及連接第二金屬層200與第二中間金屬層250，例如，通孔260連接第一金屬層160與第一中間金屬層240，通孔280連接第一中間金屬層240與第二中間金屬層250，以及通孔300連接第二金屬層200與第二中間金屬層250。值得注意的是，第一金屬層160、通孔260、第一中間金屬層240、通孔280、第二中間金屬層250、通孔300、第二金屬層200、通孔300、第二中間金屬層250、通孔280、第一中間金屬層240、通孔280、以及第二中間金屬層250形成延伸路徑320。延伸路徑320以第一金屬層160的起始點340作為延伸起點，依逆時針螺旋方式延伸，以如第2圖所示的剖面圖觀之。

在部分實施例中，基板120可包括矽基板或其他適合的基板材料。

在部分實施例中，第一介電層140、第二介電層180、第一中間介電層220、以及第二中間介電層230可包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或其他適合的低介電常數之介電材料。

在部分實施例中，第一金屬層160、第二金屬層200、第一中間金屬層240、以及第二中間金屬層250可包括例如銅、鋁或其他適合的金屬導電材料。

在部分實施例中，通孔(260、280、300)可填入例如銅、鎢或其他適合的金屬導電材料。

在部分實施例中，第一金屬層160、第二金屬層200、第一中間金屬層240、以及第二中間金屬層250的長度L大約介於1um~100um。

在部分實施例中，第一金屬層160、第二金屬層200、第一中間金屬層240、以及第二中間金屬層250的厚度T大約介於0.01um~4um。

在部分實施例中，第一金屬層160、第二金屬層200、第一中間金屬層240、以及第二中間金屬層250的寬度W大約介於0.01um~100um，如第2A圖所示。第2A圖為第2圖沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。

在部分實施例中，第一中間金屬層240以及第二中間金屬層250的圖案化金屬層的間距S大約介於0.01um~10um。

請參閱第3圖，根據本發明多個實施例中的其中之一，提供一種電感(inductor)結構1000。第3圖為電感結構1000的剖面示意圖。

如第3圖所示，在本實施例中，電感結構1000包括基板1200、第一介電層1400、第一金屬層1600、第二介電層1800、第二金屬層2000、第一中間介電層2200、第二中間介電層2300、第三中間介電層2350、第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、第三中間金屬層2550、以及複數個通孔(2600、2800、3000、3100)。第一介電層1400形成於基板1200上。第一金屬層1600形成於第一介電層1400中，位於第一介電層1400的底部1400’。第二介電層1800形成於第一介電層1400上。第二金屬層2000形成於第二介電層1800中，位於第二介電層1800的底部 1800’。第一金屬層1600與第二金屬層2000為連續的金屬層。第一中間介電層2200形成於第一介電層1400上。第一中間金屬層2400形成於第一中間介電層2200中，位於第一中間介電層2200的底部2200’。第二中間介電層2300形成於第一中間介電層2200上。第二中間金屬層2500形成於第二中間介電層2300中，位於第二中間介電層2300的底部2300’。第三中間介電層2350形成於第二中間介電層2300上。第三中間金屬層2550形成於第三中間介電層2350中，位於第三中間介電層2350的底部2350’。第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550為圖案化的金屬層。

通孔(2600、2800、3000、3100)連接第一金屬層1600與第一中間金屬層2400，連接第一中間金屬層2400與第二中間金屬層2500，連接第二中間金屬層2500與第三中間金屬層2550，以及連接第二金屬層2000與第三中間金屬層2550，例如，通孔2600連接第一金屬層1600與第一中間金屬層2400，通孔2800連接第一中間金屬層2400與第二中間金屬層2500，通孔3000連接第二中間金屬層2500與第三中間金屬層2550，以及通孔3100連接第二金屬層2000與第三中間金屬層2550。值得注意的是，第一金屬層1600、通孔2600、第一中間金屬層2400、通孔2800、第二中間金屬層2500、通孔3000、第三中間金屬層2550、通孔3100、第二金屬層2000、通孔3100、第三中間金屬層2550、通孔3000、第二中間金屬層2500、通孔2800、第一中間金屬層2400、通孔2800、第二中間金屬層2500、通孔3000、第三中間金屬層2550、通孔3000、以及第二中間金屬層2500形成延伸路徑3200。延伸路徑3200以第一金屬層1600的起始點3400作為延伸起點，依逆時針螺旋方式延伸，以如第3圖所示的剖面圖觀之。

在部分實施例中，基板1200可包括矽基板或其他適合的基板材料。

在部分實施例中，第一介電層1400、第二介電層1800、第一中間介電層2200、第二中間介電層2300、以及第三中間介電層2350可包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或其他適合的低介電常數之介電材料。

在部分實施例中，第一金屬層1600、第二金屬層2000、第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550可包括例如銅、鋁或其他適合的金屬導電材料。

在部分實施例中，通孔(2600、2800、3000、3100)可填入例如銅、鎢或其他適合的金屬導電材料。

在部分實施例中，第一金屬層1600、第二金屬層2000、第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550的長度L大約介於1um~100um。

在部分實施例中，第一金屬層1600、第二金屬層2000、第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550的厚度T大約介於0.01um~4um。

在部分實施例中，第一金屬層1600、第二金屬層2000、第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550的寬度W大約介於0.01um~100um，如第3A圖所示。第3A圖為第3圖沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。

在部分實施例中，第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550的圖案化金屬層的間距S大約介於0.01um~10um。

請參閱第4圖，根據本發明多個實施例中的其中之一，提供一種電感(inductor)結構10。第4圖為電感結構10的剖面示意圖。

如第4圖所示，在本實施例中，電感結構10包括基板12、第一介電層14、第一金屬層16、第二介電層18、第二金屬層20、中間介電層22、中間金屬層24、以及複數個通孔(26、28)。第一介電層14形成於基板12上。第一金屬層16形成於第一介電層14中，位於第一介電層14的底部14’。第二介電層18形成於第一介電層14上。第二金屬層20形成於第二介電層18中，位於第二介電層18的底部18’。第一金屬層16與第二金屬層20為連續的金屬層。中間介電層22形成於第一介電層14與第二介電層18之間。中間金屬層24形成於中間介電層22中，位於中間介電層22的底部22’。中間金屬層24為圖案化(patterned)的金屬層。

此外，通孔(26、28)連接第一金屬層16與中間金屬層24，以及連接第二金屬層20與中間金屬層24，例如，通孔26連接第一金屬層16與中間金屬層24，通孔28連接第二金屬層20與中間金屬層24。值得注意的是，第一金屬層16、通孔26、中間金屬層24、通孔28、第二金屬層20、通孔28、以及中間金屬層24形成延伸路徑32。延伸路徑32以第一金屬層16的起始點34作為延伸起點，依順時針螺旋方式延伸，以如第4圖所示的剖面圖觀之。

在部分實施例中，第一金屬層16、第二金屬層20、與中間金屬層24的寬度W大約介於0.01um~100um，如第4A圖所示。第4A圖為第4圖沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。

請參閱第5圖，根據本發明多個實施例中的其中之一，提供一種電感(inductor)結構100。第5圖為電感結構100的剖面示意圖。

如第5圖所示，在本實施例中，電感結構100包括基板120、第一介電層140、第一金屬層160、第二介電層180、第二金屬層200、第一中間介電層220、第二中間介電層230、第一中間金屬層240、第二中間金屬層250、以及複數個通孔(260、280、300)。第一介電層140形成於基板120上。第一金屬層160形成於第一介電層140中，位於第一介電層140的底部140’。第二介電層180形成於第一介電層140上。第二金屬層200形成於第二介電層180中，位於第二介電層180的底部180’。第一金屬層160與第二金屬層200為連續的金屬層。第一中間介電層220形成於第一介電層140上。第一中間金屬層240形成於第一中間介電層220中，位於第一中間介電層220的底部220’。第二中間介電層230形成於第一中間介電層220上。第二中間金屬層250形成於第二中間介電層230中，位於第二中間介電層230的底部230’。第一中間金屬層240與第二中間金屬層250為圖案化的金屬層。

通孔(260、280、300)連接第一金屬層160與第一中間金屬層240，連接第一中間金屬層240與第二中間金屬層250，以及連接第二金屬層200與第二中間金屬層250，例如，通孔260連接第一金屬層160與第一中間金屬層240，通孔280連接第一中間金屬層240與第二中間金屬層250，以及通孔300連接第二金屬層200與第二中間金屬層250。值得注意的是，第一金屬層160、通孔260、第一中間金屬層240、通孔280、第二中間金屬層250、通孔300、第二金屬層200、通孔300、第二中間金屬層250、通孔280、第一中間金屬層240、通孔280、以及第二中間金屬層250形成延伸路徑320。延伸路徑320以第一金屬層160的起始點340作為延伸起點，依順時針螺旋方式延伸，以如第5圖所示的剖面圖觀之。

在部分實施例中，第一金屬層160、第二金屬層200、第一中間金屬層240、以及第二中間金屬層250的寬度W大約介於0.01um~100um，如第5A圖所示。第5A圖為第5圖沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。

在部分實施例中，第一中間金屬層240以及第二中間金屬層250的圖案化金屬層的間距S大約介於 0.01um~10um。

請參閱第6圖，根據本發明多個實施例中的其中之一，提供一種電感(inductor)結構1000。第6圖為電感結構1000的剖面示意圖。

如第6圖所示，在本實施例中，電感結構1000包括基板1200、第一介電層1400、第一金屬層1600、第二介電層1800、第二金屬層2000、第一中間介電層2200、第二中間介電層2300、第三中間介電層2350、第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、第三中間金屬層2550、以及複數個通孔(2600、2800、3000、3100)。第一介電層1400形成於基板1200上。第一金屬層1600形成於第一介電層1400中，位於第一介電層1400的底部1400’。第二介電層1800形成於第一介電層1400上。第二金屬層2000形成於第二介電層1800中，位於第二介電層1800的底部1800’。第一金屬層1600與第二金屬層2000為連續的金屬層。第一中間介電層2200形成於第一介電層1400上。第一中間金屬層2400形成於第一中間介電層2200中，位於第一中間介電層2200的底部2200’。第二中間介電層2300形成於第一中間介電層2200上。第二中間金屬層2500形成於第二中間介電層2300中，位於第二中間介電層2300的底部2300’。第三中間介電層2350形成於第二中間介電層2300上。第三中間金屬層2550形成於第三中間介電層2350中，位於第三中間介電層2350的底部2350’。第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550為圖案化的金屬層。

通孔(2600、2800、3000、3100)連接第一金屬層1600 與第一中間金屬層2400，連接第一中間金屬層2400與第二中間金屬層2500，連接第二中間金屬層2500與第三中間金屬層2550，以及連接第二金屬層2000與第三中間金屬層2550，例如，通孔2600連接第一金屬層1600與第一中間金屬層2400，通孔2800連接第一中間金屬層2400與第二中間金屬層2500，通孔3000連接第二中間金屬層2500與第三中間金屬層2550，以及通孔3100連接第二金屬層2000與第三中間金屬層2550。值得注意的是，第一金屬層1600、通孔2600、第一中間金屬層2400、通孔2800、第二中間金屬層2500、通孔3000、第三中間金屬層2550、通孔3100、第二金屬層2000、通孔3100、第三中間金屬層2550、通孔3000、第二中間金屬層2500、通孔2800、第一中間金屬層2400、通孔2800、第二中間金屬層2500、通孔3000、第三中間金屬層2550、通孔3000、以及第二中間金屬層2500形成延伸路徑3200。延伸路徑3200以第一金屬層1600的起始點3400作為延伸起點，依順時針螺旋方式延伸，以如第6圖所示的剖面圖觀之。

在部分實施例中，第一金屬層1600、第二金屬層2000、第一中間金屬層2400、第二中間金屬層2500、以及第三中間金屬層2550的寬度W大約介於0.01um~100um，如第6A圖所示。第6A圖為第6圖沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。

雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種電感結構，包括：一基板；一第一介電層，形成於該基板上；一第一金屬層，形成於該第一介電層中；一第二介電層，形成於該第一介電層上；一第二金屬層，形成於該第二介電層中，其中該第一金屬層與該第二金屬層為連續金屬層；至少一中間介電層，形成於該第一介電層與該第二介電層之間；至少一中間金屬層，形成於該至少一中間介電層中，其中該至少一中間金屬層為圖案化金屬層；以及複數個通孔，連接該第一金屬層與該至少一中間金屬層，以及連接該第二金屬層與該至少一中間金屬層，其中該第一金屬層、該通孔、該至少一中間金屬層、該通孔、該第二金屬層、該通孔、以及該至少一中間金屬層形成一延伸路徑，該延伸路徑以該第一金屬層為一延伸起點，依逆時針螺旋方式延伸，其中該第一金屬層僅其中一端與該至少一中間金屬層電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的電感結構，其中該第一金屬層、該第二金屬層、與該至少一中間金屬層的長度介於1um~100um。
如申請專利範圍第1項所述的電感結構，其中該第一金屬層、該第二金屬層、與該至少一中間金屬層的厚度介於 0.01um~4um。
如申請專利範圍第1項所述的電感結構，其中該第一金屬層、該第二金屬層、與該至少一中間金屬層的寬度介於0.01um~100um。
如申請專利範圍第1項所述的電感結構，其中該至少一中間金屬層的該圖案化金屬層的間距介於0.01um~10um。
如申請專利範圍第1項所述的電感結構，其中該至少一中間介電層為單層中間介電層，以及該至少一中間金屬層為單層中間金屬層。
如申請專利範圍第1項所述的電感結構，其中該至少一中間介電層為雙層中間介電層，以及該至少一中間金屬層為雙層中間金屬層。
如申請專利範圍第7項所述的電感結構，更包括複數個通孔，連接不同層的該等中間金屬層。
如申請專利範圍第1項所述的電感結構，其中該至少一中間介電層為三層中間介電層，以及該至少一中間金屬層為三層中間金屬層。
如申請專利範圍第9項所述的電感結構，更包括複數個通孔，連接不同層的該等中間金屬層。
一種電感結構，包括：一基板；一第一介電層，形成於該基板上；一第一金屬層，形成於該第一介電層中；一第二介電層，形成於該第一介電層上；一第二金屬層，形成於該第二介電層中，其中該第一金屬層與該第二金屬層為連續金屬層；至少一中間介電層，形成於該第一介電層與該第二介電層之間；至少一中間金屬層，形成於該至少一中間介電層中，其中該至少一中間金屬層為圖案化金屬層；以及複數個通孔，連接該第一金屬層與該至少一中間金屬層，以及連接該第二金屬層與該至少一中間金屬層，其中該第一金屬層、該通孔、該至少一中間金屬層、該通孔、該第二金屬層、該通孔、以及該至少一中間金屬層形成一延伸路徑，該延伸路徑以該第一金屬層為一延伸起點，依順時針螺旋方式延伸，其中該第一金屬層僅其中一端與該至少一中間金屬層電性連接。
如申請專利範圍第11項所述的電感結構，其中該第一金屬層、該第二金屬層、與該至少一中間金屬層的長度介於1um~100um。
如申請專利範圍第11項所述的電感結構，其中該第一金屬層、該第二金屬層、與該至少一中間金屬層的厚度介於0.01um~4um。
如申請專利範圍第11項所述的電感結構，其中該第一金屬層、該第二金屬層、與該至少一中間金屬層的寬度介於0.01um~100um。
如申請專利範圍第11項所述的電感結構，其中該至少一中間金屬層的該圖案化金屬層的間距介於0.01um~10um。
如申請專利範圍第11項所述的電感結構，其中該至少一中間介電層為單層中間介電層，以及該至少一中間金屬層為單層中間金屬層。
如申請專利範圍第11項所述的電感結構，其中該至少一中間介電層為雙層中間介電層，以及該至少一中間金屬層為雙層中間金屬層。
如申請專利範圍第17項所述的電感結構，更包括複數個通孔，連接不同層的該等中間金屬層。
如申請專利範圍第11項所述的電感結構，其中該至少一中間介電層為三層中間介電層，以及該至少一中間金屬層為三層中間金屬層。
如申請專利範圍第19項所述的電感結構，更包括複數個通孔，連接不同層的該等中間金屬層。