TWI667329B - 電子傳輸層、有機電致發光裝置及顯示器 - Google Patents

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Abstract

一種電子傳輸層，電子傳輸層的原料包括惰性金屬及能夠與惰性金屬發生配位反應的有機化合物，有機化合物具有通式：，其中，L1 和L2 分別獨立選自含有1~12個碳原子的亞烷基及含有6~30個碳原子的亞芳基中的一種；Ar1 、Ar2 及Ar3 分別獨立選自氮氧配位基團、氮硫配位基團、硫氧配位基團、硫硫配位基團、氧氧配位基團及氮氮配位基團中的一種；m為0~10中的任一整數。

Description

電子傳輸層、有機電致發光裝置及顯示器
本發明涉及有機電致發光裝置領域，且特別是有關於一種電子傳輸層、有機電致發光裝置及顯示器。
有機電致發光裝置，例如有機發光二極體（Organic Light-Emitting Diode，簡稱OLED），由於自發光、低功耗、視角大、響應速度快、輕薄等一系列優點，成為下一代顯示器技術的主力軍。
有機電致發光裝置的發光效率不僅取決於發光材料本身的發光效率，而且也和載流子在運輸層和發光層內部的輸運有關。電子和電洞注入的不平衡是影響發光效率的因素之一。相比於電洞注入傳輸能力，有機分子的電子注入傳輸能力很弱，電子和電洞注入的不平衡以及遷移率的差異，使得從兩極注入的載流子不能有效地限制在發光區而形成激子，導致部分多餘載流子到達電極，造成電極處發光的淬滅，而且多餘的載流子也會和發光層中激子的三線態能級碰撞，產生三線態-極化子湮滅（TPA），這些都會引起電致發光裝置發光效率和壽命的降低。
與無機半導體相比，有機半導體材料分子間作用力較低，載流子主要通過跳躍傳輸，導致其傳輸層的遷移率與電導率偏低。目前電子傳輸層的電子遷移率較低（約為10-5 cm2 V-1 s-1 至10-4 cm2 V-1 s-1 數量級），導致有機電致發光裝置的發光效率較低。
基於此，有必要提供一種電子遷移率較高的電子傳輸層。
此外，還提供了一種有機電致發光裝置及顯示。
一種電子傳輸層，電子傳輸層的原料包括惰性金屬和能夠與惰性金屬發生配位元反應的有機化合物，有機化合物具有如下通式：其中，L1 和L2 分別獨立選自含有1~12個碳原子的亞烷基及含有6~30個碳原子的亞芳基中的一種；Ar1 、Ar2 及Ar3 分別獨立選自氮氧配位基團、氮硫配位基團、硫氧配位基團、硫硫配位基團、氧氧配位基團及氮氮配位基團中的一種；m為0~10中的任一整數。
一種有機電致發光裝置，包括上述的電子傳輸層。
一種顯示器，包括上述的有機電致發光裝置。
本發明的一個或多個實施例的細節在下面的附圖和描述中提出。本發明的其它特徵、目的和優點將從說明書、附圖以及申請專利範圍變得明顯。
為了便於理解本發明，下面將參照相關附圖對本申請進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳的實施例。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，並不限於本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹全面。
除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的所屬技術領域具有通常知識者通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體地實施例的目的，不是旨在於限制本發明。
一實施方式的電子傳輸層，電子傳輸層由電子傳輸層的原料製備得到，電子傳輸層的原料包括惰性金屬及能夠與所述惰性金屬發生配位反應的有機化合物，所述有機化合物具有如下通式：， 其中，L1 和L2 分別獨立選自含有1~12個碳原子的亞烷基及含有6~30個碳原子的亞芳基中的一種；Ar1 、Ar2 及Ar3 分別獨立選自氮氧配位基團、氮硫配位基團、硫氧配位基團、硫硫配位基團、氧氧配位基團及氮氮配位基團中的一種；m為0~10中的任一整數。
進一步地，Ar1 、Ar2 及Ar3 分別獨立選自如下結構中的一種： ， 其中，R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 及R10 分別選自氫原子、烷基、芳香基、共軛雜環、甲氧基、氨基、-Cn H2n -NH2 、氰基、鹵原子、鹵代烷基、醛基、酮基、酯基、乙醯丙酮基、-Cn H2n- CN、-Cn H2n -COOR、-Cn H2n -CHO及-Cn H2n -COCH2 COR中的一種；其中，共軛雜環主要是含氮雜環，含硫雜環，含氧雜環；R選自氫原子、含1~10個碳原子的烷基及含6~8個碳原子的芳香基中的一種；進一步地，芳香基為苯基；n為1~30中的任一整數。
其中，上述Ar1 結構中的所有位點均可與L1 進行連接；上述Ar2 結構中的所有位點均可與L1 和L2 進行連接；上述Ar3 結構中的所有位點均可與L2 進行連接。進一步地，上述Ar1 結構中的R1 、R2 、R3 及R4 位點為與L1 進行連接的位點；上述Ar2 結構中的R1 、R2 、R3 及R4 位點為與L1 和L2 進行連接的位點；上述Ar3 結構中的R1 、R2 、R3 及R4 位點為與L2 進行連接的位點。
進一步地，L1 和L2 分別獨立選自如下結構中的一種： ， 其中，R11 、R12 、R13 、R14 、R15 、R16 、R17 及R18 分別獨立選自氫原子、烷基、甲氧基、氨基、-Cn H2n -NH2 、氰基、鹵原子、鹵代烷基、醛基、酮基、酯基及乙醯丙酮基中的一種。
具體地，有機化合物選自如下結構中的一種：、、、、、、、、、、、、 及。
其中，惰性金屬選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅（Cu）、鋅、鋯、鈮、鉬、鍀、釕、銠、鉛、銀（Ag）、鎘、鉭、鎢、錸、鋨、銥、金（Au）、鉑及汞中的至少一種。進一步地，惰性金屬選自鈷、鎳、銅、釕、銀、銥、金及鉑中的至少一種。更進一步地，惰性金屬為銀。
其中，電子傳輸層中的惰性金屬與有機化合物的質量比為5:100~50:100。當惰性金屬與長鏈有機化合物的質量比低於5:100時，會導致電子傳輸層中的惰性金屬含量過低而降低電子遷移率；當惰性金屬與長鏈有機化合物的質量比高於50:100時，則會影響裝置的柔軟性和透光性等其他使用性能。
上述電子傳輸層至少具有以下優點：
（1）上述電子傳輸層中的有機化合物含有氮氧配位基團、氮硫配位基團、硫氧配位基團、硫硫配位基團、氧氧配位基團及氮氮配位基團中的至少一種雜環配位結構，這種配位結構與惰性金屬進行配位後使之前的有機化合物分子間的范德華力（Van der Waals force）變成配位作用力，增加了有機化合物分子間的作用力，拉近了有機化合物分子間的距離，降低載流子的傳遞勢壘，顯著改善電子傳輸層的遷移率。
（2）由於上述有機化合物含有1個或多個雜環配位結構，因此其與惰性金屬配位後能更近一步的拉近分子間距離，同時配體的長鏈結構有利於構築載流子傳輸的通道，進一步提升遷移率。
（3）惰性金屬在配體結構中可以實現很好的n型摻雜效果，可以大大提高載流子濃度，外生載流子填充原來電子傳輸層陷阱態的同時，增強電子傳輸層的電導率。
（4）這種有機無機材料複合的薄膜（電子傳輸層材料），其薄膜的熱穩定性有明顯的改善。有利於電子傳輸層的熱穩定性的提升，在較高溫度蒸鍍時傳輸層不易結晶，能夠保持傳輸層穩定的傳輸效果。
一實施方式的電子傳輸層的製備方法為：將上述惰性金屬及上述有機化合物共蒸鍍。
一實施方式的有機電子裝置，包括上述的電子傳輸層。其中，有機電子裝置選自飛行時間（TOF, Time of flight）裝置、單載流子裝置及有機電致發光裝置中的一種。
其中，電子傳輸層的厚度為1nm~200nm。當電子傳輸層的厚度低於1nm或高於200nm都不利於載流子在發光層的複合。進一步地，電子傳輸層的厚度為5nm~50nm。
如圖1所示，為一實施方式的飛行時間裝置100，包括基板110、第一電極120、電子傳輸層130及第二電極140。其中，第一電極120為ITO層；電子傳輸層130的原料包括上述惰性金屬和上述有機化合物；第二電極140為Ag。
如圖2所示，單載流子裝置200包括基板210、第一電極220、阻擋層230、電子傳輸層240及第二電極250。其中，第一電極220為ITO層；阻擋層230為BCP（2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲）層；電子傳輸層240的原料包括上述惰性金屬和上述有機化合物；第二電極250為Al層。
如圖3所示，為一實施方式的有機電致發光裝置300包括基板310、第一電極320、電洞傳輸層330、發光層340、電子傳輸層350及第二電極360。其中，第一電極320為ITO層；電洞傳輸層330為NPB（N,N’-二（1-萘基）-N,N’-二苯基-1,1’-聯苯-4,4’-二胺）層；發光層340為Alq3（8-羥基喹啉鋁）層；電子傳輸層350的原料包括上述惰性金屬和上述有機化合物；第二電極360為鋁（Al）。
上述有機電致發光裝置使用了上述電子傳輸層，由於上述電子傳輸層具有增強電子傳輸層的電導率、增加電子傳輸層的遷移率的效果，從而使得有機電致發光裝置具有降低電壓，降低效率滾降，增長裝置發光壽命的效果。
一實施方式的顯示器，包括上述的有機電致發光裝置。上述顯示器使用了上述電子傳輸層，由於上述電子傳輸層具有增強電子傳輸層的電導率、增加電子傳輸層的遷移率的效果，從而使得使用該有機電致發光裝置的顯示器具有降低電壓，降低效率滾降，增長裝置發光壽命的效果。
具體實施例與比較例
實施例1
本實施例的飛行時間法（TOF, Time of flight）裝置的結構為：基板/ITO（150nm）/ Ag（5%）：Bphen-2（95%）（1μm）/Ag（150nm），其中，ITO為第一電極，厚度為150nm；Ag（5%） ：（Bphen-2）（1μm）為電子傳輸層，電子傳輸層由電子傳輸層的原料蒸鍍而成，電子傳輸層的原料包括Ag和Bphen-2，Ag和Bphen-2的質量比為5:95，電子傳輸層的厚度為1μm；Ag為第二電極；「/」展示層疊，下同。
其中，Bphen-2的結構式如下：。
實施例2
本實施例的TOF裝置的結構與實施例1大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中Ag和Bphen-2的質量比為20:80。
實施例3
本實施例的TOF裝置的結構與實施例1大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中Ag和Bphen-2的質量比為30:70。
實施例4
本實施例的TOF裝置的結構與實施例1大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的惰性金屬為Cu。
實施例5
本實施例的TOF裝置的結構與實施例1大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的惰性金屬為Au。
實施例6
本實施例的TOF裝置的結構與實施例3大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的有機化合物為上述式4-2所示的化合物，具體式4-2的結構式如下：。
實施例7
本實施例的TOF裝置的結構與實施例3大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的有機化合物為上述式4-7所示的化合物，具體式4-7的結構式如下：。
實施例8
本實施例的TOF裝置的結構與實施例3大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的有機化合物為上述式5-2所示的化合物，具體式5-2的結構式如下：。
實施例9
本實施例的TOF裝置的結構與實施例3大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的有機化合物為上述式5-6所示的化合物，具體式5-6的結構式如下：。
實施例10
本實施例的TOF裝置的結構與實施例3大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的有機化合物為上述式6-1所示的化合物，具體式6-1的結構式如下：。
實施例11
本實施例的TOF裝置的結構與實施例3大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的有機化合物為上述式6-6所示的化合物，具體式6-6的結構式如下：。
比較例1
本比較例的TOF裝置的結構與實施例1大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料為Bphen-2。
比較例2
本比較例的TOF裝置的結構與實施例1大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料為Bphen（4,7-二苯基-1,10-菲羅啉），結構如下：。
比較例3
本比較例的TOF裝置的結構與實施例1大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料包括Ag和Bphen，其中Ag和Bphen的質量比為30:70。
採用飛行時間法對實施例1-11及比較例1-3進行電子遷移率測試，其電子遷移率測試結果如表1所示：
表1
由表1的電子遷移率結果可以看出，將Ag、Cu及Au等惰性金屬摻雜在有機化合物中配位形成電子傳輸層，採用該電子傳輸層製備的TOF裝置的電子遷移率明顯提高，並且隨著惰性金屬在電子傳輸層中的含量的提升，電子傳輸層的遷移率逐漸升高，說明電子傳輸層中含有惰性金屬有利於電子傳輸層載流子遷移率的提升。
從實施例3、6-11及比較例3的電子遷移率結果可以看出，隨著有機化合物的分子鏈長度的增加，電子傳輸層的電子遷移率逐漸提升，說明隨著有機化合物的分子鏈長度的增加，其雜環配位結構也隨之增加，使有機化合物與惰性金屬配位後更近一步的拉近分子間距離，同時有機化合物的長鏈結構又有利於構築載流子傳輸的通道，從而進一步提升電子遷移率。
採用TOF（飛行時間）測試法在不同溫度下測試實施例1和比較例1的載流子遷移率，結果如圖4所示。
從圖4可以看出，在相同溫度下，實施例1的TOF裝置的載流子遷移率高於比較例1的TOF裝置，說明電子傳輸層中惰性金屬Ag的存在導致電子傳遞勢壘降低，有利於電子遷移率的提升。
實施例12
本實施例的單載流子裝置的結構為：ITO（150nm）/BCP（10nm）/Ag（5%）：Bphen-2（95%）（100nm）/Al（150nm），其中，ITO為第一電極，厚度為150nm；BCP（2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲）為阻擋層，厚度為10nm；Ag（5%）:Bphen-2（95%）為電子傳輸層，電子傳輸層由電子傳輸層的原料蒸鍍而成，電子傳輸層的原料包括Ag和Bphen-2（1，4-二-（4,7-二苯基-1,10-菲羅啉基-3-）苯，Ag和Bphen-2的質量比為5:95，電子傳輸層厚度為100 nm；Al為第二電極，厚度為150nm。
實施例13
本實施例的單載流子裝置的結構與實施例12大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中Ag和Bphen-2的質量比為20:80。
實施例14
本實施例的單載流子裝置的結構與實施例12大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中Ag和Bphen-2的質量比為30:70。
實施例15
本實施例的單載流子裝置的結構與實施例12大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中的有機化合物為Bphen（4,7-二苯基-1,10-菲羅啉），Ag和Bphen的質量比為30:70。
比較例4
本比較例的單載流子裝置的結構與實施例12大致相同，其區別在於，電子傳輸層為Bphen-2層。
比較例5
本比較例的單載流子裝置的結構與實施例12大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料為Bphen-2，此外，電子傳輸層中還包含厚度為1nm的電子注入層，電子注入材料為LiF。
採用Keithley K 2400數字源表系統對實施例12-15及比較例4-5中的單載流子裝置進行電流密度-電壓測試，其測試結果如圖5和圖6所示。
從圖5中可以看出，實施例12-14中的單載流子裝置在相同電壓下的電流密度比比較例4-5中的單載流子裝置高，說明實施例12-14中的單載流子裝置的電子傳輸性能較好，在電子傳輸層中摻雜惰性金屬Ag能夠提高電子傳輸層的電子遷移率。同時，比較例5中的單載流子裝置包括電子傳輸層和電子注入層，而實施例12-14中的單載流子裝置的電子傳輸性能仍比比較例5中的單載流子裝置的電子傳輸性能優異，說明電子傳輸層中惰性金屬Ag的存在不僅有利於電子傳輸，而且對電子注入也有提升，其效果甚至強於使用LiF材料的電子注入層。
另外，從圖5中的實施例12-14的電流密度-電壓曲線可以看出，隨著Ag在電子傳輸層中含量的提高，電子傳輸性能也逐漸提升，且Ag的質量含量達到30%時為最優。
從圖6中可以看出，在電子傳輸層中惰性金屬Ag含量相同的前提下，實施例14中的單載流子裝置在相同電壓下的電流密度要大於實施例15中的單載流子裝置，說明在電子傳輸層中以長鏈的有機化合物作為配體與惰性金屬進行配位元有利於載流子遷移率的提升。
實施例16
本實施例的有機電致發光裝置的結構為：ITO（150nm）/NPB（40nm）/Alq3（30nm）/ Ag（5%）：Bphen-2（95%）（30nm）/Al（150nm），其中，ITO為第一電極，厚度為150nm；NPB（N,N’-二（1-萘基）-N,N’-二苯基-1,1’-聯苯-4,4’-二胺）為電洞傳輸層，厚度為40nm；Alq3（8-羥基喹啉鋁）為發光層，厚度為30nm；Ag（5%）:Bphen-2（95%）為電子傳輸層，電子傳輸層由電子傳輸層的原料蒸鍍而成，電子傳輸層的原料包括Ag和Bphen-2（1，4-二-（4,7-二苯基-1,10-菲羅啉基-3-）苯，Ag和Bphen-2的質量比為5:95；Al為第二電極，厚度為150nm。
實施例17
本實施例的有機電致發光裝置的結構與實施例16大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中Ag和Bphen-2的質量比為20:80。
實施例18
本實施例的有機電致發光裝置的結構與實施例16大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料中Ag和Bphen-2的質量比為30:70。
比較例6
本比較例的有機電致發光裝置的結構與實施例16大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料為Bphen-2，同時，電子傳輸層還包含膜厚為1nm的電子注入層，電子注入材料為LiF。
實施例19
本實施例的有機電致發光裝置的結構與實施例16大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料包括鈷和具有如式3-7所示結構的有機化合物，鈷和如式3-7所示結構的有機化合物的質量比為20:80。
實施例20
本實施例的有機電致發光裝置的結構與實施例16大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料包括銅和具有如式3-27所示結構的有機化合物，銅和具有如式3-27所示結構的有機化合物的質量比為10:90。
實施例21
本實施例的有機電致發光裝置的結構與實施例16大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料包括金和具有如式3-31所示結構的有機化合物，金和具有如式3-31所示結構的有機化合物的質量比為20:80。
實施例22
本實施例的有機電致發光裝置的結構與實施例16大致相同，其區別在於，電子傳輸層的原料包括鉑和具有式4-4所示結構的有機化合物，鉑和具有如式4-4所示結構的有機化合物的質量比為15:85。
採用PR 650光譜掃描亮度計和Keithley K 2400數字源表系統對實施例16~22及比較例6中的有機電致發光裝置進行電流、電壓、亮度及發光光譜等特性同步測試，其性能測試結果如表2所示：
表2
從表2可以看出，與比較例6相比，實施例16-18中的有機電致發光裝置在相同亮度（1000cd/m2 ）下的電壓更低，說明電子傳輸層中惰性金屬Ag的摻雜有利於電子傳輸層遷移率的提升和電子的注入，更有利於平衡有機電致發光裝置中的載流子濃度，從而降低有機電子裝置的電壓；同時實施例16-18中的有機電致發光裝置在相同亮度（1000cd/m2 ）下的電流效率更高，說明電子傳輸層中惰性金屬Ag的摻雜有利於電子傳輸層遷移率的提升，而使有機電致發光裝置具有更加平衡的載流子遷移率，使得從兩極注入的載流子有效地在發光區複合而形成激子，提升有機電致發光裝置發光性能。
此外，比較例6中的有機電致發光裝置的電子傳輸層的原料為Bphen-2，同時，電子傳輸層還包括電子注入層，電子注入材料為LiF，而實施例16-18中的有機電致發光裝置的電致發光性能仍比比較例6中的有機電致發光裝置優異，說明電子傳輸層中惰性金屬Ag的存在不僅有利於電子傳輸，而且對電子注入也有提升，惰性金屬Ag的電子注入效果甚至強於使用LiF為原料的電子注入層。
另外，從表2中可以看出，隨著Ag在電子傳輸層中含量的提高，實施例16~18中的有機電致發光裝置在1000cd/m2 下的電壓逐漸降低、電流效率逐漸提升；且當Ag的質量含量達到30%時，有機電致發光裝置的性能最優，這與實施例1~3中的單載流子裝置電子傳輸層遷移率隨惰性金屬摻雜質量的測試變化規律一致。
同時，從實施例19~22中的有機電致發光裝置的測試結果可以看出，隨著有機化合物的分子鏈長度的增加，電致發光裝置在相同亮度下的電壓有所降低，這證明隨著引入化合物分子的分子鏈增加，可配位的位點增加。有利於分子間距離的減少，更近一步的拉近分子間距離，同時配體的長鏈結構有利於構築載流子傳輸的通道，進一步提升遷移率，從而降低裝置的開啟電壓。
以上所述實施例的各技術特徵可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特徵所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特徵的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的範圍。
100‧‧‧飛行時間裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一電極
130‧‧‧電子傳輸層
140‧‧‧第二電極
200‧‧‧單載流子裝置
210‧‧‧基板
220‧‧‧第一電極
230‧‧‧阻擋層
240‧‧‧電子傳輸層
250‧‧‧第二電極
300‧‧‧有機電致發光裝置
310‧‧‧基板
320‧‧‧第一電極
330‧‧‧電洞傳輸層
340‧‧‧發光層
350‧‧‧電子傳輸層
360‧‧‧第二電極
圖1為一實施方式的飛行時間裝置的結構示意圖。 圖2為一實施方式的單載流子裝置的結構示意圖。 圖3為一實施方式的有機電致發光裝置的結構示意圖。 圖4為實施例1與比較例1中的TOF裝置的溫度-載流子遷移率測試曲線圖。 圖5為實施例12~14、比較例4及比較例5中的單載流子裝置的電流密度-電壓測試曲線圖。 圖6為實施例14和實施例15中的單載流子裝置的電流密度-電壓測試曲線圖。

Claims (9)

  1. 一種電子傳輸層，所述電子傳輸層的原料包括惰性金屬及能夠與所述惰性金屬發生配位反應的有機化合物，所述有機化合物具有如下通式：其中，L1和L2分別獨立選自含有1~12個碳原子的亞烷基及含有6~30個碳原子的亞芳基中的一種；m為0~10中的任一整數；Ar1、Ar2及Ar3分別獨立選自如下結構中的一種： 其中，當m為0時，Ar1和Ar3不同時為其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及R10分別選自氫原子、烷基、芳香基、共軛雜環、甲氧基、氨基、-CnH2n-NH2、氰基、鹵原子、鹵代烷基、醛基、酮基、酯基、乙醯丙酮基、-CnH2n-CN、-CnH2n-COOR、-CnH2n-CHO及-CnH2n-COCH2COR中的一種；R選自氫原子、含1~10個碳原子的烷基及含6~18個碳原子的芳香基中的一種；n為1~30中的任一整數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電子傳輸層，其中所述芳香基為苯基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電子傳輸層，其中所述R1、所述R2、所述R3及所述R4所在位點為與所述L1或所述L2進行連接的位點。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電子傳輸層，其中所述L1和所述L2分別獨六選自如下結構中的一種；，其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17及R18分別選自氫原子、烷基、甲氧基、氨基、-CnH2n-NH2、氰基、鹵原子、鹵代烷基、醛基、酮基、酯基及乙醯丙酮基中的一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電子傳輸層，其中所述有機化合物選自如不結構中的一種：
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電子傳輸層，其中所述惰性金屬選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、鋯、鈮、鉬、鍀、釕、銠、鉛、銀、鎘、鉭、鎢、錸、鋨、銥、金、鉑及汞中的至少一種。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的電子傳輸層，其中所述電子傳輸層的原料中所述惰性金屬與所述有機化合物的質量比為5：100~50：100。
  8. 一種有機電致發光裝置，包括如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述的電子傳輸層。
  9. 一種顯示器，包括如申請專利範圍第8項所述的有機電致發光裝置。
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