TWI667081B - 清洗裝置及方法 - Google Patents

Abstract

本揭示提供一種清洗裝置及方法，用於去除一晶片堆疊結構上之殘留物。該清洗裝置包含：一承載台，用於放置該晶片堆疊結構；一供液裝置，用於施加一清洗液體至該晶片堆疊結構之基板上，使得該清洗液體沿著間隙之第一側流入該間隙內；一抽液裝置，用於提供一負壓以將位在該間隙內之該清洗液體經由該間隙之第二側抽出，並且連帶地帶出殘留物；以及一精密驅動裝置，與該抽液裝置連接，具有一垂直升降機構，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動，及一水平移動機構用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一水平方向移動。

Description

清洗裝置及方法

本揭示是關於一種清洗裝置及方法，特別是關於一種用於去除晶片堆疊結構上之殘留物的清洗裝置及方法

一般三維積體電路封裝製程包括：製作導孔(Via Formation)、填充導孔(Via Filling)、晶圓薄化(Wafer Thinning)、及晶圓接合(Wafer Bonding)等四大步驟，並且在每一個步驟前後必須進行晶圓洗淨步驟，以避免在處理過程中晶圓發生污染。進一步言之，晶圓接合的步驟大致上可分成晶片到晶圓(Chip to Wafer，C2W)、晶片到晶片(Chip to Chip，C2C)、晶圓到晶圓(Wafer to Wafer，W2W)等三種型式。然而，無論是晶圓與晶圓或晶圓與晶片接合所形成之間隙通常為20至50μm，因此如何去除此類微小間隙內之殘留物為目前急需克服挑戰之技術瓶頸。

公告號為TW I539515號之台灣專利案已公開一種晶片堆疊結構之洗淨方法及洗淨設備，其可清洗晶圓與晶片接合之微小間隙內的助焊劑或其他雜質。然而，在該專利案中，其是採用在抽液裝置的底端設置滾輪型或毛刷型的滑移結構，如此抽液裝置是藉由滑移結構在基板上滑動以移動至一待清洗位置。也就是說，由於抽液裝置是以水平滑移的方式在晶片堆疊結構上移動，因此容易導致當抽液裝置移動至晶片堆疊結構之相對較高(例如堆疊層數較多的位置，或者是晶片高度相對較高的位置)時， 會對該處施加一額外的橫向撞擊力，以及抽液裝置施加在該處晶片的下壓力也會相對較大，進而導致晶片的損傷。

又，由於在上述專利案中，抽液裝置的底端是採用滾輪型或毛刷型的滑移結構，即滾輪與滾輪之間或毛刷之刷毛之間存在一定的空隙。因此當抽液裝置在運作時，從晶片堆疊結構內部抽出的氣體和液體容易經由滾輪或毛刷之間的空隙逸散出去外部，而無法全部地被抽入抽液裝置的排液管內。另一方面，由於滾輪或毛刷之間存在空隙，故當抽液裝置在運作時，額外的氣體容易經由該等空隙被抽入，導致必須增強抽液裝置的抽取力度，以確保能將晶片堆疊結構之微小間隙內之殘留物抽出，進而增加抽液裝置之動力源的負擔。

有鑑於此，有必要提出一種清洗裝置及方法，以解決習知技術中存在的問題。

為解決上述習知技術之問題，本揭示之目的在於提供一種清洗裝置及方法，藉由在清洗裝置中設置移動機構以精確控制抽液裝置的位置，避免對晶片堆疊結構施加過大的下壓力。又，通過在抽液裝置的底端設置柔性遮蔽罩，其可避免損壞晶片堆疊結構以及避免氣體或液體逸出。

為達成上述目的，本揭示提供一種清洗裝置，用於去除一晶片堆疊結構上之殘留物，該晶片堆疊結構包含一基板和複數個晶片，該晶片與該基板相隔一間隙，以及該殘留物位在該晶片與該基板之間的該間隙中，其中該清洗裝置包含：一承載台，用於放置該晶片堆疊結構；一供液裝置，用於施加一清洗液體至該晶片堆疊結構之該基板上，使得該清洗液 體沿著該間隙之第一側流入該間隙內；以及一抽液裝置，用於提供一負壓以將位在該間隙內之該清洗液體經由該間隙之第二側抽出，並且連帶地帶出該殘留物，其中該抽液裝置包含：一抽出口；以及一柔性遮蔽罩，環繞地設置在該抽出口周圍，用於與該晶片堆疊結構接觸，並且阻擋經由該間隙之該第二側抽出的該清洗液體和氣體外逸，使得該清洗液體和氣體會經由該抽出口被抽出。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該柔性遮蔽罩之材料包含聚乙烯醇海綿。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該清洗裝置還包含：一精密驅動裝置，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動和沿著一水平方向移動。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該精密驅動裝置包含一垂直升降機構用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動，該垂直升降機構包括步進馬達。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該精密驅動裝置包含一水平移動機構用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一水平方向移動，該水平移動機構包括步X-Y軸座標工作桌(X-Y Table)。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該水平移動機構還可用於控制該供液裝置的水平移動。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該清洗裝置還包含：一荷重計，其一端與該抽液裝置接觸以偵測該抽液裝置施加在該晶片堆疊結構上的壓力值。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該清洗裝置還包含：一氣液分離裝置，與該抽液裝置連接，用於將經由該抽出口抽出的該清洗液體和該氣體分離。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該清洗裝置還包含：一負壓感測器，與該抽液裝置連接，用以偵測當該抽液裝置之該柔性遮蔽罩與該晶片堆疊結構接觸時，該抽液裝置與該晶片堆疊結構之間的負壓值。

本揭示還提供一種清洗裝置，用於去除一晶片堆疊結構上之殘留物，該晶片堆疊結構包含一基板和複數個晶片，該晶片與該基板相隔一間隙，以及該殘留物位在該晶片與該基板之間的該間隙中，其中該清洗裝置包含：一承載台，用於放置該晶片堆疊結構；一供液裝置，用於施加一清洗液體至該晶片堆疊結構之該基板上，使得該清洗液體沿著該間隙之第一側流入該間隙內；一抽液裝置，用於提供一負壓以將位在該間隙內之該清洗液體經由該間隙之第二側抽出，並且連帶地帶出該殘留物；以及一精密驅動裝置，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動和沿著一水平方向移動，其中該精密驅動裝置包含：一垂直升降機構，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動，該垂直升降機構包括步進馬達；以及一水平移動機構，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一水平方向移動，該水平移動機構包括步X-Y軸座標工作桌(X-Y Table)。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該水平移動機構還可用於控制該供液裝置的水平移動。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該抽液裝置包含：一抽出口；以及一柔性遮蔽罩，環繞地設置在該抽出口周圍，用於與該晶片堆 疊結構接觸，並且阻擋經由該間隙之該第二側抽出的該清洗液體和氣體外逸，使得該清洗液體和氣體會經由該抽出口被抽出。

本揭示還提供一種清洗方法，由一清洗裝置來執行，該清洗裝置包含一承載台、一供液裝置、一抽液裝置、和一精密驅動裝置，以及該清洗方法用於去除一晶片堆疊結構上之殘留物，該晶片堆疊結構包含一基板和複數個晶片，該晶片與該基板相隔一間隙，以及該殘留物位在該晶片與該基板之間的該間隙中，其中該清洗方法包含：在該承載台上放置該晶片堆疊結構；藉由該精密驅動裝置之一垂直升降機構控制該抽液裝置朝該晶片堆疊結構移動，使得該抽液裝置之一柔性遮蔽罩與該晶片堆疊結構接觸；藉由該供液裝置施加該清洗液體至該晶片堆疊結構之該基板上，使得該清洗液體沿著該間隙之第一側流入該間隙內；以及藉由該抽液裝置提供一負壓以將位在該間隙內之該清洗液體經由該間隙之第二側抽出，並且連帶地帶出該殘留物。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，在藉由該精密驅動裝置控制該抽液裝置朝該晶片堆疊結構移動之後，還包含：藉由一荷重計偵測該抽液裝置施加在該晶片堆疊結構上的壓力值。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，在藉由該抽液裝置提供負壓時，還包含：藉由一負壓感測器偵測當該抽液裝置之該柔性遮蔽罩與該晶片堆疊結構接觸時，該抽液裝置與該晶片堆疊結構之間的負壓值。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，在放置該晶片堆疊結構在該承載台上之後還包含：藉由精密驅動裝置之一水平移動機構控制該供液裝置和該抽液裝置在該承載台上方水平移動，以將該供液裝置對準該間 隙之該第一側，以及將該抽液裝置對準該間隙之該第二側。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，在藉由該抽液裝置提供負壓以抽出該清洗液體、氣體、和該殘留物之後，還包含：藉由一氣液分離裝置將經由該抽出口抽出的該清洗液體和該氣體分離。

相較於先前技術，本揭示藉由在清洗裝置中設置垂直升降機構，以精確控制抽液裝置與晶片堆疊結構間的相對位置，如此可避免抽液裝置對晶片堆疊結構施加不當的下壓力，進而導致晶片損傷的問題。又，通過在抽液裝置的底端設置柔性遮蔽罩，其可與晶片堆疊結構接觸並且環繞地遮罩住晶片堆疊結構之一範圍以避免氣體或液體逸出。

1‧‧‧清洗裝置

110‧‧‧承載台

120‧‧‧供液裝置

121、221、421‧‧‧出液口

130、230、430‧‧‧抽液裝置

131‧‧‧抽出口

132‧‧‧柔性遮蔽罩

140‧‧‧液體供應端

150‧‧‧負壓源

151‧‧‧負壓感測器

160‧‧‧氣液分離裝置

161‧‧‧液體回收槽

162‧‧‧氣體回收槽

170‧‧‧荷重計

180‧‧‧精密驅動裝置

181‧‧‧第一垂直升降機構

182‧‧‧第二垂直升降機構

183‧‧‧水平移動機構

190‧‧‧主控裝置

2‧‧‧晶片堆疊結構

S‧‧‧基板

C‧‧‧晶片

B‧‧‧連接件

G‧‧‧間隙

R‧‧‧殘留物

P1‧‧‧第一側

P2‧‧‧第二側

S10~S40‧‧‧步驟

第1圖顯示本揭示之第一較佳實施例之清洗裝置之示意圖；第2圖顯示第1圖之清洗裝置之移動機構之方塊圖；第3圖顯示本揭示之較佳實施例之清洗方法之流程圖；第4圖顯示本揭示之第二較佳實施例之清洗裝置之示意圖；以及第5圖顯示本揭示之第三較佳實施例之清洗裝置之示意圖。

為了讓本揭示之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本揭示較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參照第1圖，其顯示本揭示之第一較佳實施例之清洗裝置1之示意圖。清洗裝置1是用於去除晶片堆疊結構2上之殘留物。晶片堆疊結構2為一種三維積體電路板，其包含基板S和複數個以陣列排列的晶片C。晶 片C與基板S之間設有複數個連接件B。連接件B可為焊接基板S與晶片C的錫球或任何適當的元件。連接件B用於連接基板S與晶片C且使基板S與晶片C相隔一間隙G，其中清洗裝置1欲去除的物質為位在基板S與晶片C之間的間隙G內的殘留物R。

如第1圖所示，清洗裝置1主要包含承載台110、供液裝置120、抽液裝置130。承載台110是用於放置晶片堆疊結構2。供液裝置120可移動地設置在承載台110上方，用於施加清洗液體至晶片堆疊結構2之基板S上，使得清洗液體沿著晶片堆疊結構2之間隙G之第一側P1流入該間隙內。抽液裝置130可移動地設置在承載台110上方，用於提供一負壓以將位在間隙G內之清洗液體經由間隙G之第二側P2抽出(第1圖中箭頭所指的方向為清洗液體的流動方向)，並且連帶地帶出殘留物R。

如第1圖所示，供液裝置120經由供液管路與液體供應端140連接，其中液體供應端140包含儲存有清洗液體的槽體和驅動液體流動的動力源等。另外，供液管路上設置有至少一閥門，通過閥門的開關來控制清洗液體的流通。又，供液裝置120之靠近承載台110之末端設置有出液口121。在本實施例中出液口121的數量為兩個，且位置分別是對應於相鄰兩晶片C的相對兩端，然而在其他實施例中亦可設置不同數量的出液口121，不侷限於此。

如第1圖所示，抽液裝置130包含抽出口131和柔性遮蔽罩132。抽液裝置130之抽出口131藉由抽出管路與負壓源150(例如抽出器，Aspirator)連接，並且藉由負壓源150的運作能使得抽液裝置130產生負壓，進而將清洗液體、氣體、殘留物R一起抽出。柔性遮蔽罩132為中空的環形 壁，且環形壁是沿著垂直的方向延伸，環繞地設置在抽出口131周圍。抽液裝置130是藉由柔性遮蔽罩132與晶片堆疊結構2接觸。在本揭示中，柔性遮蔽罩132是採用柔軟的密介質材料製成，例如聚乙烯醇(PVA)海綿，因此抽液裝置130與晶片堆疊結構2接觸時，柔性遮蔽罩132藉由本身的柔軟緩衝特性，可避免對晶片C施加的壓力過大而導致晶片C的損傷。另一方面，由於柔性遮蔽罩132的環形壁不具有肉眼明顯可見的空隙，因此當抽液裝置130在運作時，從晶片堆疊結構2內部抽出的氣體和液體不會通過柔性遮蔽罩132的環形壁逸散到外部，反而能被確實地被抽入到抽液裝置130的抽出口131內。並且，當抽液裝置130在運作時，外部的氣體不會經由柔性遮蔽罩132的環形壁而被抽入，故能降低抽液裝置之負壓源150的負擔。

如第1圖所示，清洗裝置1還包含負壓感測器151。負壓感測器151通過負壓源150與抽液裝置130連接，用以偵測當抽液裝置130之柔性遮蔽罩132與晶片堆疊結構接觸2時，抽液裝置130與晶片堆疊結構2之間的負壓值。因此，操作者可根據負壓值的大小來調整負壓源150的抽取力度，以避免損壞晶片堆疊結構2。

如第1圖所示，清洗裝置1還包含氣液分離裝置160。氣液分離裝置160與抽液裝置130連接，用於將經由抽液裝置130之抽出口131抽出的清洗液體和氣體分離。較佳地氣液分離裝置160設置有過濾器，其可將抽取的固體殘留物R先行過濾，接著將清洗液體和氣體分離，最後將清洗液體導入液體回收槽161內，以及將氣體導入氣體回收槽162內。因此，經由氣液分離後回收的液體和氣體可經由適當地處理後再利用。此外，可在液體回收槽161加設流量計用以記錄抽液流量值。

請參照第2圖，其顯示第1圖之清洗裝置1之移動機構之方塊圖。清洗裝置1的移動機構包含一精密驅動裝置180具有第一垂直升降機構181、第二垂直升降機構182、和水平移動機構183。精密驅動置180之第一垂直升降機構181、第二垂直升降機構182、和水平移動機構183分別電性連接至主控裝置190(例如電腦)，進而可通過主控裝置190內的控制程序來設定清洗裝置1之移動機構的作動。

如第2圖所示，第一垂直升降機構181與抽液裝置130連接，第二垂直升降機構182與供液裝置120連接。第一垂直升降機構181具有與抽液裝置130連接之連接件和精密驅動元件(例如步進馬達)，用於控制抽液裝置130相對承載台110沿著垂直方向移動(即遠離或靠近承載台110的方向)。通過精密驅動元件的設置，可精確控制抽液裝置130上下移動位置。較佳地，可搭配座標量測機構，記錄抽液裝置130在垂直方向上的移動位置與速度。清洗裝置1還包含荷重計170。荷重計170一端與抽液裝置130接觸以偵測當第一垂直升降機構181控制抽液裝置130垂直下降時，抽液裝置130施加在晶片堆疊結構2上的壓力值。又，第二垂直升降機構182具有與供液裝置120連接之連接件和精密驅動元件。

如第2圖所示，水平移動機構183是設置在承載台110上方，分別與供液裝置120和抽液裝置130連接，用於控制該供液裝置和該抽液裝置的水平移動。舉例來說，水平移動機構183可採用X-Y軸座標工作桌(X-Y Table)，以精確控制供液裝置120和抽液裝置130之水平移動，進而精確對準至清洗位置。又，X-Y軸座標工作桌可搭配記錄供液裝置120和抽液裝置130移動位置之點位記錄裝置，以利於量產時能快速尋找同一圖案之晶片堆疊 結構2所需要之供液裝置120和抽液裝置130之定位點。

請參照第3圖，其顯示本揭示之較佳實施例之清洗方法之流程圖。本揭示之清洗方法可由上述清洗裝置1來執行。清洗方法包含下述步驟，首先，進行步驟S10，在承載台110上放置晶片堆疊結構2。當晶片堆疊結構2放置完成之後，可藉由水平移動機構183控制供液裝置120和抽液裝置130在承載台110上方水平移動，以將供液裝置120對準間隙G之第一側P1，以及將抽液裝置130對準間隙G之第二側P2。

接著，進行步驟S20，藉由第一垂直升降機構181控制抽液裝置130朝晶片堆疊結構2移動，使得抽液裝置130之柔性遮蔽罩132與晶片堆疊結構2接觸。較佳地，在藉由第一垂直升降機構181控制抽液裝置130垂直下降的同時，可藉由荷重計170偵測抽液裝置130施加在晶片堆疊結構2上的壓力值，進而可避免施加壓力過大而導致晶片C損壞的問題。

接著，進行步驟S30，藉由供液裝置120施加清洗液體至晶片堆疊結構2之基板S上，使得清洗液體沿著間隙G之第一側P1流入間隙G內。

最後，進行步驟S40，藉由抽液裝置130提供負壓以將位在間隙G內之清洗液體經由間隙G之第二側P2抽出，並且連帶地帶出殘留物R。可以理解的是，在藉由抽液裝置130提供負壓的同時，可藉由負壓感測器151偵測在抽液裝置130之柔性遮蔽罩132與晶片堆疊結構2接觸時，抽液裝置130與晶片堆疊結構2之間的負壓值。另一方面，當藉由抽液裝置130提供負壓以抽出清洗液體、氣體、和殘留物R之後，可藉由氣液分離裝置160將經由抽液裝置130之抽出口131抽出的清洗液體和氣體分離。

請參照第4圖，其顯示本揭示之第二較佳實施例之清洗裝置之示意圖。第二較佳實施例之清洗裝置大致相同於第一較佳實施例之清洗裝置1，差別在於，第二較佳實施例之清洗裝置是採用複數個供液裝置和複數個抽液裝置230的設置，如此可一次性地清洗晶片堆疊結構2之晶片C與基板S之間的複數個間隙G。具體來說，複數個抽液裝置230是以一排並列的方式對齊排列，並且每一抽液裝置230橫跨在兩相鄰的晶片C之間。又，兩相鄰的晶片C之相對兩側設置有供液裝置之一對出液口221，如此每一抽液裝置230可用於清洗兩相鄰的晶片C與基板S之間的間隙G。也就是說，通過N排並列的供液裝置和抽液裝置230的設置可一次性地清洗2N個晶片C與基板S之間的間隙G。因此，可有效地縮短晶片堆疊結構2之清洗時間，以提升清洗效能。

請參照第5圖，其顯示本揭示之第三較佳實施例之清洗裝置之示意圖。第三較佳實施例之清洗裝置大致相同於第一較佳實施例之清洗裝置1，差別在於，第三較佳實施例之清洗裝置是採用將抽液裝置430移動放置在同時跨越四個晶片C之間的位置。供液裝置上設置有四排出液口421，並且供液裝置是被移動設置為將四排出液口421對準在四個晶片C之相對的四個外側邊的位置。因此，每次的清洗流程中，可清洗晶片堆疊結構2之上之四個晶片C與基板S之間的間隙G，如此可有效地縮短晶片堆疊結構2之清洗時間，以提升清洗效能。

綜上所述，本揭示藉由在清洗裝置中設置垂直升降機構，以精確控制抽液裝置與晶片堆疊結構間的相對位置，如此可避免抽液裝置對晶片堆疊結構施加不當的下壓力，進而導致晶片損傷的問題。又，通過在 抽液裝置的底端設置柔性遮蔽罩，其可與晶片堆疊結構接觸並且環繞地遮罩住晶片堆疊結構之一範圍以避免氣體或液體逸出。

以上僅是本揭示的較佳實施方式，應當指出，對於所屬領域技術人員，在不脫離本揭示原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本揭示的保護範圍。

Claims (22)

1. 一種清洗裝置，用於去除一晶片堆疊結構上之殘留物，該晶片堆疊結構包含一基板和複數個晶片，該晶片與該基板相隔一間隙，以及該殘留物位在該晶片與該基板之間的該間隙中，其中該清洗裝置包含：一承載台，用於放置該晶片堆疊結構；一供液裝置，用於施加一清洗液體至該晶片堆疊結構之該基板上，使得該清洗液體沿著該間隙之第一側流入該間隙內；以及一抽液裝置，用於提供一負壓以將位在該間隙內之該清洗液體經由該間隙之第二側抽出，並且連帶地帶出該殘留物，其中該抽液裝置包含：一抽出口；以及一柔性遮蔽罩，環繞地設置在該抽出口周圍，用於與該晶片堆疊結構接觸，並且阻擋經由該間隙之該第二側抽出的該清洗液體和氣體外逸，使得該清洗液體和氣體會經由該抽出口被抽出。
2. 如申請專利範圍第1項之清洗裝置，其中該柔性遮蔽罩之材料包含聚乙烯醇海綿。
3. 如申請專利範圍第1項之清洗裝置，其中該清洗裝置還包含：一精密驅動裝置，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動和沿著一水平方向移動。
4. 如申請專利範圍第3項之清洗裝置，其中該精密驅動裝置包含一垂直升降機構用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動，該垂直升降機構包括步進馬達。
5. 如申請專利範圍第3項之清洗裝置，其中該精密驅動裝置包含一水平移動機構用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一水平方向移動，該水平移動機構包括步X-Y軸座標工作桌(X-Y Table)。
6. 如申請專利範圍第5項之清洗裝置，其中該水平移動機構還可用於控制該供液裝置的水平移動。
7. 如申請專利範圍第1項之清洗裝置，其中該清洗裝置還包含：一荷重計，其一端與該抽液裝置接觸以偵測該抽液裝置施加在該晶片堆疊結構上的壓力值。
8. 如申請專利範圍第1項之清洗裝置，其中該清洗裝置還包含：一氣液分離裝置，與該抽液裝置連接，用於將經由該抽出口抽出的該清洗液體和該氣體分離。
9. 如申請專利範圍第1項之清洗裝置，其中該清洗裝置還包含：一負壓感測器，與該抽液裝置連接，用以偵測當該抽液裝置之該柔性遮蔽罩與該晶片堆疊結構接觸時，該抽液裝置與該晶片堆疊結構之間的負壓值。
10. 一種清洗裝置，用於去除一晶片堆疊結構上之殘留物，該晶片堆疊結構包含一基板和複數個晶片，該晶片與該基板相隔一間隙，以及該殘留物位在該晶片與該基板之間的該間隙中，其中該清洗裝置包含：一承載台，用於放置該晶片堆疊結構；一供液裝置，用於施加一清洗液體至該晶片堆疊結構之該基板上，使得該清洗液體沿著該間隙之第一側流入該間隙內；一抽液裝置，用於提供一負壓以將位在該間隙內之該清洗液體經由該間隙之第二側抽出，並且連帶地帶出該殘留物；以及一精密驅動裝置，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動和沿著一水平方向移動，其中該精密驅動裝置包含：一垂直升降機構，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一垂直方向移動，該垂直升降機構包括步進馬達；以及一水平移動機構，用於控制該抽液裝置相對該承載台沿著一水平方向移動，該水平移動機構包括步X-Y軸座標工作桌(X-Y Table)。
11. 如申請專利範圍第10項之清洗裝置，其中該水平移動機構還可用於控制該供液裝置的水平移動。
12. 如申請專利範圍第10項之清洗裝置，其中該抽液裝置包含：一抽出口；以及一柔性遮蔽罩，環繞地設置在該抽出口周圍，用於與該晶片堆疊結構接觸，並且阻擋經由該間隙之該第二側抽出的該清洗液體和氣體外逸，使得該清洗液體和氣體會經由該抽出口被抽出。
13. 如申請專利範圍第12項之清洗裝置，其中該柔性遮蔽罩之材料包含聚乙烯醇海綿。
14. 如申請專利範圍第12項之清洗裝置，其中該清洗裝置還包含：一負壓感測器，與該抽液裝置連接，用以偵測當該抽液裝置之該柔性遮蔽罩與該晶片堆疊結構接觸時，該抽液裝置與該晶片堆疊結構之間的負壓值。
15. 如申請專利範圍第10項之清洗裝置，其中該清洗裝置還包含：一荷重計，其一端與該抽液裝置接觸以偵測該抽液裝置施加在該晶片堆疊結構上的壓力值。
16. 如申請專利範圍第10項之清洗裝置，其中該清洗裝置還包含：一氣液分離裝置，與該抽液裝置連接，用於將經由該抽出口抽出的該清洗液體和氣體分離。
17. 一種清洗方法，由一清洗裝置來執行，該清洗裝置包含一承載台、一供液裝置、一抽液裝置、和一精密驅動裝置，以及該清洗方法用於去除一晶片堆疊結構上之殘留物，該晶片堆疊結構包含一基板和複數個晶片，該晶片與該基板相隔一間隙，以及該殘留物位在該晶片與該基板之間的該間隙中，其中該清洗方法包含：在該承載台上放置該晶片堆疊結構；藉由該精密驅動裝置之一垂直升降機構控制該抽液裝置朝該晶片堆疊結構移動，使得該抽液裝置之一柔性遮蔽罩與該晶片堆疊結構接觸；藉由該供液裝置施加該清洗液體至該晶片堆疊結構之該基板上，使得該清洗液體沿著該間隙之第一側流入該間隙內；以及藉由該抽液裝置提供一負壓以將位在該間隙內之該清洗液體經由該間隙之第二側抽出，並且連帶地帶出該殘留物。
18. 如申請專利範圍第17項之清洗方法，其中在藉由該精密驅動裝置控制該抽液裝置朝該晶片堆疊結構移動之後，還包含：藉由一荷重計偵測該抽液裝置施加在該晶片堆疊結構上的壓力值。
19. 如申請專利範圍第17項之清洗方法，其中在藉由該抽液裝置提供負壓時，還包含：藉由一負壓感測器偵測當該抽液裝置之該柔性遮蔽罩與該晶片堆疊結構接觸時，該抽液裝置與該晶片堆疊結構之間的負壓值。
20. 如申請專利範圍第17項之清洗方法，其中在放置該晶片堆疊結構在該承載台上之後還包含：藉由精密驅動裝置之一水平移動機構控制該供液裝置和該抽液裝置在該承載台上方水平移動，以將該供液裝置對準該間隙之該第一側，以及將該抽液裝置對準該間隙之該第二側。
21. 如申請專利範圍第17項之清洗方法，其中在藉由該抽液裝置提供負壓以抽出該清洗液體、氣體、和該殘留物之後，還包含：藉由一氣液分離裝置將經由該抽出口抽出的該清洗液體和該氣體分離。
22. 如申請專利範圍第17項之清洗方法，其中該抽液裝置之該柔性遮蔽罩之材料包含聚乙烯醇海綿。