TWI665453B - 具有導通狀態電阻（ＲＤＳｏｎ）修正的電流感測 - Google Patents

具有導通狀態電阻（ＲＤＳｏｎ）修正的電流感測 Download PDF

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Abstract

本發明揭示具有RDSON修正之電流感測。在一具體實例中，一種方法包含：由一溫度感測器量測一MOS電晶體開關之一大致溫度以產生一所量測溫度；使用一所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以自該所量測溫度計算一經修正溫度；量測用於該MOS電晶體之一閘極驅動電壓；使用一所儲存電壓修正函數來計算一電壓修正因數，其中該所儲存電壓修正函數為該經修正溫度與該閘極驅動電壓的一函數；量測橫越該MOS電晶體開關的一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降；及使用該所量測RDSON電壓降及該電壓修正因數來計算該電流。

Description

具有導通狀態電阻(RDSon)修正的電流感測 【相關申請案的交叉參考】
本申請案主張2014年12月16日申請之名稱為「具有導通狀態電阻(RDSon)修正的電流感測」的美國專利申請案第14/572,361號的優先權，該美國專利申請案主張2014年8月27日申請之名稱為「準確地報告如根據金氧半導體(MOS)導通狀態電阻(RDSON)電壓降量測之電流的方法」的美國臨時專利申請案第62/042,521號的優先權，該美國臨時專利申請案以引用方式併入本文中。
本申請案係關於一種切換式電壓調節器。
DC至DC電壓轉換可由將電壓(例如，12V)轉換至如由一或多個負載裝置需要的不同電壓的切換式電源供應器執行。切換式電源供應器通常包括用於各種用途之電流感測機構，所述用途包括(但不限於)控制迴路輸入(電流模式控制)、過電流偵測、多相轉換器電感器電流平衡、輸出電流報告及輸入電流報告。一種用於判定切換式電源供應器中之電流的技術為量測所述開關之RDSON電壓降，所述開關經接通並關斷以產生切換式電源供應器之輸出電壓。若開關之RDSON為已知且量測出導通狀態電壓降，則通過開關之電流可根據歐姆定律V=I * R來判定。然而，開關之RDSON不易知曉，此係因為RDSON並不恆定；RDSON係裝置特性、閘極驅動電壓及溫度的函數。在許多習知實施中，RDSON可變性並未被考量；且因此通過開 關的電流無法被精確地計算。
本發明提出具有RDSON修正之電流感測以考量到上述RDSON可變性。在一具體實例中，一種方法包含：由一溫度感測器量測一MOS電晶體開關之一大致溫度以產生一所量測溫度；使用一所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以自該所量測溫度計算一經修正溫度；量測用於該MOS電晶體之一閘極驅動電壓；使用一所儲存電壓修正函數來計算一電壓修正因數，其中該所儲存電壓修正函數為該經修正溫度與該閘極驅動電壓的一函數；量測橫越該MOS電晶體開關的一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降；及使用該所量測RDSON電壓降及該電壓修正因數來計算電流。藉由依據一些因素(裝置特性、電壓、溫度等)來校準RDSON，RDSON修正能準確地回報通過MOS電晶體開關的電流。
100‧‧‧系統
102‧‧‧切換式電源供應器
103‧‧‧控制器
104‧‧‧驅動器
106‧‧‧電源
108‧‧‧負載
200‧‧‧切換式電源供應器
202‧‧‧控制器
204‧‧‧驅動器
206‧‧‧MOS電晶體開關
208‧‧‧MOS電晶體開關
210‧‧‧電感器
212‧‧‧電容器
214‧‧‧所要電壓(Vout)
300A‧‧‧驅動器
300B‧‧‧驅動器
301‧‧‧MOS電晶體開關
302‧‧‧晶片上溫度感測器
304‧‧‧類比/數位(A/D)轉換器
305‧‧‧處理裝置
306‧‧‧閘極驅動電壓
308‧‧‧閘極驅動器
310‧‧‧A/D轉換器
312‧‧‧增益放大器
313‧‧‧單一可變增益放大器
314‧‧‧衰減D/A
316‧‧‧緩衝器
318‧‧‧記憶體
320‧‧‧測試及修整介面
322‧‧‧溫度感測器增益及偏移修正函數
324‧‧‧電壓修正函數/衰減值
326‧‧‧導通狀態電阻(RDSON)
328‧‧‧電流
400‧‧‧方法
402‧‧‧方塊
404‧‧‧方塊
406‧‧‧方塊
408‧‧‧方塊
410‧‧‧方塊
412‧‧‧方塊
500‧‧‧方法
502‧‧‧方塊
504‧‧‧方塊
506‧‧‧方塊
508‧‧‧方塊
600‧‧‧方法
602‧‧‧方塊
604‧‧‧方塊
606‧‧‧方塊
608‧‧‧方塊
在理解圖式僅描繪例示性具體實例且因此不應被視為限制範圍的情況下，將經由使用隨附圖式而以額外特定性及細節來描述例示性具體實例，其中：
圖1為包括具有導通狀態電阻(RDSON)修正之驅動器之例示性系統的方塊圖。
圖2為包括具有RDSON修正之驅動器的例示性切換式電源供應器之圖。
圖3A至圖3B為具有RDSON修正之例示性驅動器的圖。
圖4為一種用於判定電流之例示性方法的流程圖。
圖5為用於判定溫度感測器增益及偏移修正函數之例示性方法的流程 圖。
圖6為用於判定電壓修正函數之例示性方法的流程圖。
根據慣例，各種所描述特徵未按比例繪製，而是經繪製以強調與例示性具體實例相關的特定特徵。
在以下詳細描述中，參考形成該描述之一部分且作為說明而展示特定說明性具體實例的隨附圖式。然而，應理解，可利用其他具體實例且可進行邏輯、機械及電氣改變。此外，不應將圖式及本說明書中所呈現之方法視作限制個別步驟可被執行之次序。
包括具有RDS ON 修正之驅動器的系統
圖1為例示性系統100之方塊圖，該例示性系統包括具有RDSON修正之驅動器104及脈寬調變(PWM)控制器103。如下文所解釋，PWM控制器103發送控制信號至具有RDSON修正的驅動器104。在一些具體實例中，PWM控制器103及具有RDSON修正的驅動器104可包括於同一晶片中。在其他具體實例中，PWM控制器103及具有RDSON修正的驅動器104在不同晶片上。
具有RDSON修正的驅動器104可用以準確地報告通過金氧半導體(MOS)電晶體開關的電流，該電晶體開關用於切換式電源供應器102中以控制切換式電源供應器102的輸出電壓。在一些具體實例中，MOS電晶體開關可為n通道MOS(NMOS)電晶體開關、p通道MOS(PMOS)電晶體開關、互補MOS(CMOS)電晶體開關或雙重擴散(DMOS)電晶體開關。具有RDSON修正的驅動器104可實施為以下具體實例中論述之RDSON 修正電路中的一或多者。切換式電源供應器102可包括於使用經調節電力的任何合適電子裝置中，包含(但不限於)桌上型電腦、膝上型電腦或平板電腦、機上盒、電池充電器或其他裝置。
系統100亦包括電源106及負載108。負載108經由切換式電源供應器102自電源106汲取電力。切換式電源供應器102可自電源106接收未經調節電壓(例如，線路功率、電池功率)，調節電壓，並提供經調節供電電壓至負載108。負載108可包括但不限於一或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微控制器、微處理器、場可程式閘陣列(FPGA)、特殊應用積體電路(ASIC)等)、顯示裝置(例如，發光二極體(LED)顯示器、液晶顯示器(LCD)、陰極射線管(CRT)顯示器等)、記憶體裝置(例如，習知硬碟，揮發性媒體或諸如固態硬碟機的非揮發性媒體，包括但不限於同步動態隨機存取記憶體(SDRAM)、雙資料速率(DDR)RAM、RAMBUS動態RAM(RDRAM)、靜態RAM(SRAM)等的隨機存取記憶體(RAM)、電可抹除可程式化ROM(EEPROM)及快閃記憶體等)、其他周邊裝置、內部裝置組件或其他組件。
包括具有RDS ON 修正之驅動器的切換式電源供應器
圖2為包括具有RDSON修正之驅動器204的例示性切換式電源供應器200之圖。雖然僅展示單相切換式電源供應器200，但在一些具體實例中，亦可使用多相切換式電源供應器200。如上文所陳述，切換式電源供應器200包括發送控制信號至具有RDSON修正的驅動器204的脈衝寬度調變(PWM)控制器202。回應於由PWM控制器202發送的控制信號，具有RDSON修正的驅動器204驅動MOS電晶體開關206、208的閘極。MOS電晶 體開關206、208的切換產生方形波。可使用包含電感器210及電容器212之LC電路來使方形波平滑以產生所要電壓Vout214。Vout214亦可經數位化並饋入PWM控制器202中。取決於所要Vout214，PWM控制器202可維持或改變發送至具有RDSON修正的驅動器204的控制脈衝，其驅動MOS電晶體開關206、208。在例示性具體實例中，MOS電晶體開關206為p通道MOS；然而，在其他具體實例中，MOS電晶體開關206可為其他類型之MOS。在展示於圖2中之例示性電源供應器的簡化方塊圖中，MOS電晶體開關206及208的閘極連接一起。在其他具體實例中，具有RDSON修正的驅動器204可包括兩個分別的閘極驅動器以分別且個別地驅動MOS電晶體開關206及208之閘極。
除驅動MOS電晶體開關206、208的閘極外，具有RDSON修正的驅動器204可計算通過每一MOS電晶體開關206、208的電流。如上文所提及，為了準確地進行以上操作，必須計算MOS電晶體開關206、208之RDSON對裝置特性及溫度的相依性。在一個具體實例中，具有RDSON修正的驅動器204實現此情形，如圖3A至圖3B中所解釋。
具有RDS ON 修正的驅動器
圖3A至圖3B為具有RDSON修正之例示性驅動器300A、300B的圖。圖3A不同於圖3B之處僅在於圖3B包括單一可變增益放大器313而非如下文所論述的兩個相異電路元件(增益放大器312及衰減D/A 314)。MOS電晶體開關301並不包括於具有RDSON修正的驅動器300A、300B中；然而，在圖3A及圖3B中展示其以便更好地解釋MOS電晶體開關301的電流如何被量測且MOS電晶體開關如何耦接至具有RDSON修正的驅動器 300A、300B。MOS電晶體開關301可為展示於圖2中之MOS電晶體開關206、208中的任一者。具有RDSON修正之驅動器300A、300B的組件將首先予以論述，繼之以論述具有RDSON修正的驅動器300A、300B如何計算MOS電晶體開關301的導通狀態電阻(RDSON)，自該導通狀態電阻可導出通過MOS電晶體開關301的電流。
具有RDS ON 修正之驅動器的組件
具有RDSON修正的驅動器300A、300B包括晶片上溫度感測器302。晶片上溫度感測器302經組態，使得晶片上溫度感測器302輸出與溫度成比例之類比電壓，該溫度足夠類似於MOS電晶體開關301的溫度。本文中將由晶片上溫度感測器量測之溫度稱作所量測溫度、晶片上溫度感測器讀數或所量測溫度信號。在例示性具體實例中，晶片上溫度感測器302可熱耦合至將被量測電流的MOS電晶體開關301。類比電壓由類比/數位(A/D)轉換器304轉換成數位電壓。
具有RDSON修正的驅動器300A、300B亦包括處理裝置305，且類比電壓之數位表示經發送至處理裝置305。供應至閘極驅動器308之閘極驅動電壓306(其驅動MOS電晶體開關301之閘極)亦使用A/D轉換器310轉換成數位信號並被發送至處理裝置305。驅動MOS電晶體開關301之閘極驅動器308由PWM控制器202控制，如上文在圖2中所解釋。處理裝置305可包括具有用於實行本發明中各種程序任務、計算及控制功能所使用之軟體程式、韌體或其他電腦可讀指令的函數，且可由專門設計的特殊應用積體電路(ASIC)或場可程式化閘陣列(FPGA)增補或併入於特殊應用積體電路(ASIC)或場可程式化閘陣列(FPGA)中。
具有RDSON修正的驅動器300A、300B亦包括用於儲存修正函數322、324的記憶體318，如下文所論述。用於本發明中之記憶體可為用於儲存處理器可讀指令或資料結構之任何適當的有形且非暫時性處理器可讀媒體。合適記憶體可包括但不限於熔絲、齊納衝擊(zap)二極體或者可抹除或非可抹除可程式化唯讀記憶體。
具有RDSON修正的驅動器300A、300B包括用以在外部測試設備(圖中未示)與具有RDSON修正的驅動器300A、300B之內部電路之間進行通信的測試及修整介面320。測試及修整介面320亦可用於習知修整，諸如增益放大器312及緩衝器316的放大器補償。
此外，具有RDSON修正的驅動器300A包括增益放大器312以放大橫越MOS電晶體開關301的所量測RDSON電壓降。增益放大器312之輸出如由處理裝置305及電壓修正函數324所判定以由衰減數位/類比(D/A)轉換器314衰減，以便獲得橫越MOS電晶體開關301的經修正RDSON電壓降，如下文更詳細地解釋。在一些具體實例中，若在具有RDSON修正的驅動器300A、300B外部使用經修正RDSON電壓降，則可使用緩衝器316來緩衝來自衰減D/A轉換器314之信號。此外，在一些具體實例中，若想要在MOS電晶體開關301關斷時記住所量測RDSON電壓降或經修正RDSON電壓降，則可在增益放大器312與衰減D/A轉換器314之間或在D/A 314與緩衝器316之間添加取樣與保持電路元件(圖中未示)。一般熟習此項技術者將瞭解，可使用放大器312及衰減D/A轉換器314之不同佈置；此外，放大器312及衰減D/A轉換器314可合併至增益被設定為正確輸出的單一可變增益放大器313中，如圖3B中所展示。
具有RDS ON 修正之驅動器的校準及操作
如上文所解釋，若知曉導通狀態電阻(RDSON)，則通過MOS電晶體開關301之電流可自其RDSON電壓降準確地判定。然而，RDSON為裝置特性、溫度及閘極驅動電壓(Vgs)306的函數。因此，必須校準作為溫度函數的RDSON。為進行此操作，可如下校準具有RDSON修正之驅動器300A、300B。
溫度感測器增益及偏移修正函數校準
在例示性具體實例中，在兩個或兩個以上溫度T1及T2下測試具有RDSON修正的驅動器300A、300B。在例示性具體實例中，在切換式電源供應器102或正輔助校準之自動化測試設備(ATE)之工作溫度範圍(取範圍較小者)的相反兩端處選擇T1及T2。T1及T2之較大分離可改良具有RDSON修正的驅動器300A、300B之準確性。在T1處，晶片上溫度感測器302經讀取並儲存於記憶體318，其將被稱作Toriginal。此外，如由外部測試設備所量測之實際晶片溫度經由測試及修整介面320儲存於記憶體318。如由外部測試設備量測之實際晶片溫度將被稱作Tactual。在T2處，重複此程序。接著，藉由比較T1及T2兩者下的Toriginal及Tactual，處理裝置305或外部測試設備可藉由使回歸函數擬合至資料而計算用於晶片上溫度感測器302的溫度感測器增益及偏移修正函數322。在一些具體實例中，回歸函數可為線性；或在一些具體實例中，回歸函數可為較高階函數。在判定溫度感測器增益及偏移修正函數322之後，該函數可儲存於記憶體318中。
此外，在一些具體實例中，可在T1及T2外對溫度感測器增益及偏移修正函數322進行外插，使得可判定在T1及T2外的經修正溫度。 因此，在任何溫度下，處理裝置305可自晶片上溫度感測器302讀取所量測溫度，且將溫度增益因數應用至所量測溫度以產生經修正溫度。
修正所量測溫度
對於需要來自晶片上溫度感測器302之準確晶片溫度讀數的任何操作，此溫度感測器增益及偏移修正函數322可被自記憶體318擷取，並由處理裝置305應用至由晶片上溫度感測器302產生的所量測溫度信號，此將產生經修正溫度。在一些例示性具體實例中，處理裝置305藉由使由晶片上溫度感測器302產生之所量測溫度信號乘以溫度增益因數以產生一乘積，並將溫度偏移因數相加至乘積來應用溫度感測器增益及偏移修正函數322以產生經修正溫度，其中溫度增益因數及溫度偏移因數係根據溫度感測器增益及偏移修正函數322以及所量測溫度來判定。在其他例示性具體實例中，處理裝置305藉由將溫度偏移因數相加至所量測溫度以產生總，和並使總和乘以溫度增益因數來應用溫度感測器增益及偏移修正函數322以產生經修正溫度，其中溫度增益因數及溫度偏移因數係根據溫度感測器增益及偏移修正函數322及所量測溫度來判定。即，應用溫度偏移因數及溫度增益因數的次序係根據溫度增益及偏移修正函數322來判定，且可予以反向。作為一實例，假設晶片上溫度感測器302產生為攝氏50度的所量測溫度信號。處理裝置305將自記憶體318擷取溫度感測器增益及偏移修正函數322，並在攝氏50度下判定所量測溫度需要乘以0.98的溫度增益因數以產生一乘積且將4度之溫度偏移因數相加至乘積。在溫度增益因數及溫度偏移因數應用至所量測溫度(攝氏50度)之後，呈現攝氏53度的經修正溫度。
電壓修正函數校準
此外，在T1下，可經由MOS電晶體開關301發送經校準電流，且在緩衝器316處讀取所得電壓。在一些具體實例中，校準電流可由外部測試設備發送。之後，可依據通過MOS電晶體開關301之已知校準電流，藉由比較應在緩衝器316處讀取到的電壓降(被稱作理論RDSON電壓降)與實際上在緩衝器316處讀取到的電壓降(被稱作所量測RDSON電壓降)來計算(由處理裝置305或由外部測試設備)T1下的電壓修正函數324。此所計算電壓修正函數324可儲存於記憶體318中，且可由衰減D/A轉換器314應用，使得在溫度T1下於緩衝器316處量測正確理論電壓。類似地，可在T2下重複此程序，且T2下的電壓修正函數324亦可儲存於記憶體324中。在T1及T2下計算出溫度感測器增益及偏移修正函數322以及電壓修正函數324之後，處理裝置305或外部測試設備可依據溫度藉由使回歸函數擬合至資料點來外插電壓修正函數324，且此電壓修正函數324可儲存於記憶體318中。由於在校準電流正通過MOS電晶體開關301時MOS電晶體開關301於不同溫度下的理論RDSON電壓降與所量測RDSON電壓降之間的差異已知，因此可針對給定溫度使用歐姆定律V=I*R來計算MOS電晶體開關301之RDSON326。MOS電晶體開關301之RDSON326可儲存於記憶體中，且可在將來用以在量測MOS電晶體開關301之RDSON電壓降時根據歐姆定律來判定通過MOS電晶體開關301的電流。
在多數具體實例中，MOS電晶體開關301之RDSON隨著閘極驅動電壓306及溫度而發生變化。因此，衰減值324及RDSON修正326的以上計算亦可使用不同閘極驅動電壓306來進行。在此等具體實例中，四 個或四個以上校準點接著可用於此等具體實例中以判定可自其導出RDSON修正326的衰減值324。舉例而言，第一校準點可在T1處，具有低驅動供電電壓；第二校準點可在T1處，具有高驅動供電電壓；第三校準點可在T2處，具有低驅動供電電壓；且第四校準點可在T2處，具有高驅動供電電壓。處理裝置305或外部測試設備可接著針對兩個條件集合對溫度感測器增益及偏移修正函數322與衰減值324之間的關係進行內插。在一些具體實例中，若電壓相依性足夠小，則對於RDSON對溫度相依的閘極驅動電壓306的線性調整可滿足或被完全忽略。
類似於溫度感測器增益及偏移修正函數322，在一些具體實例中，可在T1及T2外對電壓修正函數324進行外插，使得可判定在T1及T2外的經修正溫度及經修正RDSON電壓降。因此，在任何溫度下，處理裝置305可自晶片上溫度感測器302讀取所量測溫度且應用溫度增益因數至所量測溫度以產生經修正溫度，擷取經修正溫度與閘極驅動電壓之間的所儲存關係，且判定待由衰減D/A轉換器314應用至所量測RDSON電壓降的恰當衰減。
在一些具體實例中，MOS電晶體開關301可具有在RDSON與溫度之間的線性、二階或分段線性關係。可藉由在所要溫度範圍上表徵MOS電晶體開關301的樣本來判定此關係。若MOS電晶體開關301並不具有線性之RDSON對溫度特性，則可由處理裝置305處理二階方程式。在一些具體實例中，MOS電晶體開關301可被發現對其RDSON對溫度曲線具有可變形狀。在此等具體實例中，可進行三階或三階以上的必要RDSON量測，且可使用分段線性或可變二階方程式。
修正所量測RDS ON 電壓降
在自T1至T2的任何溫度下，處理裝置305可自晶片上溫度感測器302接收所量測溫度信號，並使用溫度感測器增益及偏移修正函數322以自所量測溫度信號計算經修正溫度，如上文所描述。接著，處理裝置305可使用經修正溫度，擷取電壓修正函數324並接收閘極驅動電壓306以使用電壓修正函數324來計算電壓修正因數。電壓修正因數為應用至所量測RDSON電壓降以產生修正RDSON電壓降的總修正增益。在例示性具體實例中，可藉由使所量測RDSON電壓降乘以電壓修正因數以產生經修正RDSON電壓降，而自所量測RDSON電壓降計算出經修正RDSON電壓降，其中電壓修正因數係根據電壓修正函數324來判定。衰減D/A轉換器314可用以使由增益放大器312量測之RDSON電壓降乘以電壓修正因數。因此，針對在T1與T2之間的任何溫度在緩衝器316處量測得經修正RDSON電壓降。舉例而言，假設閘極驅動電壓306為5V且經修正溫度為攝氏50度。處理裝置305將自記憶體318擷取電壓修正函數322，並在攝氏50度下且閘極驅動電壓為5V之情況下判定所量測RDSON電壓降需要乘以0.98的電壓修正因數。在將此電壓修正因數應用至50mV之所量測RDSON電壓降之後，提供49mV的經修正RDSON電壓降。使用經修正RDSON電壓降，可判定通過MOS電晶體開關301的電流328，如上文在段落[0011]及[0026]中所描述，從而用於上文提及的各種應用中。
具有RDS ON 修正之用於感測電流的方法
圖4為具有RDSON修正之用於判定電流的例示性方法400之流程圖。方法400包含由溫度感測器量測MOS電晶體開關之大致溫度以產 生所量測溫度(方塊402)。其後，方法400進一步包含使用所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以自所量測溫度計算經修正溫度(方塊404)。在一些例示性具體實例中，自所量測溫度計算經修正溫度包含使所量測溫度乘以溫度增益因數來產生一乘積並將溫度偏移因數相加至該乘積以產生經修正溫度，其中溫度增益因數及溫度偏移因數係使用所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以及該所量測溫度來判定。在其他例示性具體實例中，自所量測溫度計算經修正溫度包含將溫度增益因數相加至所量測溫度以產生一總和，並使該總和乘以溫度增益因數以產生經修正溫度，其中溫度增益因數及溫度偏移因數係使用所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數及所量測溫度來判定。在例示性具體實例中，溫度感測器增益及偏移修正函數可具有一些或全部與上述溫度感測器增益及偏移修正函數322相同的特性。舉例而言，溫度感測器增益及偏移修正函數已在校準程序期間使用回歸擬合函數來判定，如在以下圖5中所解釋。此外，在一些具體實例中，回歸擬合函數為線性回歸擬合函數。
方法400進一步包含量測用於MOS電晶體開關的閘極驅動電壓(方塊406)。如上文所描述，閘極驅動電壓為用於計算MOS之RDSON的因數；因此，量測並知曉MOS的閘極驅動電壓。
方法400進一步包含使用所儲存電壓修正函數來計算電壓修正因數，其中所儲存電壓修正函數為經修正溫度及閘極驅動電壓的函數(方塊408)。在例示性具體實例中，電壓修正函數及電壓修正因數可具有與上文所論述之電壓修正函數324及電壓修正因數的特性相同之一些或全部特性。舉例而言，電壓修正函數可已在校準程序期間使用回歸擬合函數來 判定出，如在以下圖6中所解釋。此外，在一些具體實例中，回歸擬合函數為線性回歸擬合函數。
方法400進一步包含量測橫越MOS電晶體開關之RDSON電壓降以產生所量測電壓降(方塊410)。橫越MOS電晶體開關之RDSON電壓降可使用上述具體實例中的任一者來量測。舉例而言，在一些具體實例中，放大器可耦接至MOS電晶體開關以量測橫越MOS電晶體開關的RDSON電壓降。
方法400進一步包含使用所量測RDSON電壓降及電壓修正函數來計算電流(方塊412)。在例示性具體實例中，可藉由使所量測RDSON電壓降乘以電壓修正函數以產生經修正RDSON電壓降來計算電流。可接著根據V=I*R且如上文在段落[0011]及[0026]中所描述自經修正RDSON電壓降判定電流(方塊412)。如上文所描述，此電流可用於DC至DC電壓轉換中的許多用途，所述用途包含但不限於控制迴路輸入、過電流偵測、多相轉換器電感器電流平衡、輸出電流報告及輸入電流報告。
用於判定溫度感測器增益及偏移修正函數的方法
圖5為用於判定溫度感測器增益及偏移修正函數之例示性方法500的流程圖。方法500包含在第一溫度下比較MOS電晶體開關之第一晶片上溫度感測器讀數與MOS電晶體開關之第一晶片外溫度感測器讀數(方塊502)，及在第二溫度下比較MOS電晶體開關之第二晶片上溫度感測器讀數與MOS電晶體開關之第二晶片外溫度感測器讀數(方塊504)。用以分別量測晶片外溫度及晶片上溫度的裝置及電路元件可具有一些或全部與上文圖3A至3B所描述相同的特性。
方法500進一步包含使用至少第一晶片上溫度感測器讀數與第一晶片外溫度感測器讀數的比較與至少第二晶片上溫度感測器讀數與第二晶片外溫度感測器讀數的比較來擬合對應於溫度感測器增益及偏移修正函數的回歸函數(方塊506)。在一些具體實例中，回歸擬合函數可為線性回歸函數，且在其他具體實例中，回歸函數可為較高階回歸函數。其後，方法500進一步包含將回歸函數儲存於MOS電晶體開關的驅動器晶片的晶片上記憶體中(方塊508)。
用於判定電壓修正函數的方法
圖6為用於判定電壓修正函數之例示性方法的流程圖。方法600包含在第一溫度下比較在校準電流正通過MOS電晶體開關時橫越MOS電晶體開關的第一所量測RDSON電壓降與橫越MOS電晶體開關之第一理論RDSON電壓降(方塊602)，及在第二溫度下比較在校準電流正通過MOS電晶體開關時橫越MOS電晶體開關的第二所量測RDSON電壓降與橫越MOS電晶體開關之第二理論RDSON電壓降(方塊604)。用以分別產生校準電流及量測橫越MOS電晶體開關之RDSON電壓降的裝置及電路元件可具有一些或全部與如上文所描述相同之特性。
方法600進一步包含使用至少第一所量測RDSON電壓降與第一理論RDSON電壓降之比較及至少第二所量測RDSON電壓降與第二理論RDSON電壓降的比較來擬合對應於電壓修正函數的回歸函數(方塊606)。在一些具體實例中，回歸擬合函數可為線性回歸函數，且在其他具體實例中，回歸函數可為較高階回歸函數。
以上量測可在不同溫度下以不同閘極驅動電壓重複進行，以 判定閘極驅動電壓、溫度及所量測RDSON電壓降之間的關係。更確切而言，方法600可包括在第一溫度下比較在校準電流正通過MOS電晶體開關時橫越MOS電晶體開關的第三所量測RDSON電壓降與橫越MOS電晶體開關之第三理論RDSON電壓降，其中第三理論RDSON電壓降不同於第一理論RDSON電壓降。其後，回歸函數可使用第一所量測RDSON電壓降與第一理論RDSON電壓降的比較、第二所量測RDSON電壓降與第二理論RDSON電壓降的比較及第三所量測RDSON電壓降與第三理論RDSON電壓降的比較。雖然在第一溫度下進行此操作，但相同程序可同樣在第二溫度下藉由第四所量測RDSON電壓降與第四理論RDSON電壓降完成。
在擬合電壓修正函數之後，方法600進一步包含將回歸函數儲存於MOS電晶體開關的驅動器晶片的晶片上記憶體中(方塊608)。
本發明之方法可藉由至少一處理器所執行的電腦可執行指令(諸如程式模組或組件)來實施。大體而言，程式模組包括執行特定任務或實施特定抽象資料類型的常式、程式、物件、資料組件、資料結構、演算法及其類似者。
用於實行本文中所描述方法之操作所使用的各種程序任務、計算及其他資料之產生的指令可以軟體、韌體或其他電腦或處理器可讀指令來實施。此等指令典型地儲存於任何適當電腦程式產品上，該電腦程式產品包括用於儲存電腦可讀指令或資料結構的電腦可讀媒體。此類電腦可讀媒體可為可由通用或專用電腦或處理器或任何程式設計邏輯裝置存取的任何可用媒體。
實例具體實例
實施例1包括一種用於感測一電流之方法，該方法包含：由一溫度感測器量測一MOS電晶體開關之一大致溫度以產生一所量測溫度；使用一所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以自該所量測溫度計算一經修正溫度；量測該MOS電晶體之一閘極驅動電壓；使用一所儲存電壓修正函數來計算一電壓修正因數，其中所儲存電壓修正函數為該經修正溫度與該閘極驅動電壓的一函數；量測橫越該MOS電晶體開關的一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降；及使用該所量測RDSON電壓降及該電壓修正因數來計算該電流。
實施例2包括實施例1的方法，其中自該所量測溫度計算一經修正溫度包含使該所量測溫度乘以一溫度增益因數來產生一乘積，並將一溫度偏移因數相加至該乘積以產生該經修正溫度，其中該溫度增益因數及該溫度偏移因數係使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以及該所量測溫度來判定。
實施例3包括實施例1至2中任一項的方法，其中自該所量測溫度計算一經修正溫度包含將一溫度偏移因數相加至該所量測溫度以產生一總和，並使該總和乘以一溫度增益因數以產生該經修正溫度，其中該溫度增益因數及該溫度偏移因數係使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以及該所量測溫度來判定。
實施例4包括實施例1至3中任一項的方法，其中該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數係在一校準程序期間使用一回歸擬合函數來判定。
實施例5包括實施例4之方法，其中該回歸擬合函數為一線 性回歸擬合函數。
實施例6包括實施例1至5中任一項的方法，其中計算該電流包含使該所量測RDSON電壓降乘以該電壓修正因數以產生一經修正RDSON電壓降，並使用歐姆定律自該經修正RDSON電壓降計算該電流。
實施例7包括實施例1至6中任一項之方法，其中該所儲存電壓修正函數係在一校準程序期間使用一回歸擬合函數來判定。
實施例8包括實施例7之方法，其中該回歸擬合函數為一線性回歸擬合函數。
實施例9包括一種用於判定一溫度感測器增益及偏移修正函數的方法，該方法包含：在一第一溫度下比較一MOS電晶體開關之一第一晶片上溫度感測器讀數與該MOS電晶體開關之一第一晶片外溫度感測器讀數；在一第二溫度下比較該MOS電晶體開關之一第二晶片上溫度感測器讀數與該MOS電晶體開關之一第二晶片外溫度感測器讀數；使用至少該第一晶片上溫度感測器讀數與該第一晶片外溫度感測器讀數之該比較及至少該第二晶片上溫度感測器讀數與該第二晶片外溫度感測器讀數之該比較來擬合對應於該溫度感測器增益及偏移修正函數的一回歸函數；及將該回歸函數儲存於該MOS電晶體開關之一驅動器晶片之一晶片上記憶體中。
實施例10包括實施例9之方法，其中該回歸擬合函數為一線性回歸函數。
實施例11包括一種用於判定一電壓修正函數之方法，該方法包含：在一第一溫度下比較在一校準電流正通過一MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關的一第一所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體 開關的一第一理論RDSON電壓降；在一第二溫度下比較在一校準電流正通過該MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關的一第二所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體開關的一第二理論RDSON電壓降；使用至少該第一所量測RDSON電壓降與該第一理論RDSON電壓降之該比較及至少該第二所量測RDSON電壓降與該第二理論RDSON電壓降的該比較擬合對應於該電壓修正函數的一回歸函數；及將該回歸擬合函數儲存於該MOS電晶體開關之一驅動器晶片之一晶片上記憶體中。
實施例12包括實施例11之方法，其中該回歸擬合函數為一線性回歸函數。
實施例13包括實施例11至12中任一項之方法，其進一步包含：在該第一溫度下比較在一校準電流正通過該MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關的一第三所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體開關的一第三理論RDSON電壓降，其中該第三理論RDSON電壓降不同於該第一理論RDSON電壓降；且其中擬合該回歸函數係使用至少該第一所量測RDSON電壓降與該第一理論RDSON電壓降之該比較、至少該第二所量測RDSON電壓降與該第二理論RDSON電壓降的該比較及至少該第三所量測RDSON電壓降與該第三理論RDSON電壓降的該比較。
實施例14包括實施例11至13中任一項的方法，其進一步包含：在該第二溫度下比較在一校準電流正通過該MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關之一第四所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體開關的一第四理論RDSON電壓降，其中該第四理論RDSON電壓降不同於該第二理論RDSON電壓降；且其中擬合該回歸函數係使用至少該第一所量測RDSON 電壓降與該第一理論RDSON電壓降之該比較、至少該第二所量測RDSON電壓降與該第二理論RDSON電壓降的該比較及至少該第四所量測RDSON電壓降與該第四理論RDSON電壓降的該比較。
實施例15包括一種電流感測器，其包含：一處理裝置；一晶片上溫度感測器，其經耦接以提供一MOS電晶體開關之一所量測溫度信號至該處理裝置；至少一電路元件，其耦接至該處理裝置且經組態以：量測橫越該MOS電晶體開關之一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降，回應於該處理裝置而使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數以產生一經修正RDSON電壓降，並輸出該經修正RDSON電壓降；一記憶體裝置，其耦接至該處理裝置並經組態以儲存一溫度感測器增益及偏移修正函數及一電壓修正函數；且其中該處理裝置經組態以：接收用於該MOS電晶體開關之一閘極驅動電壓；接收該所量測溫度信號，並使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數自該所量測溫度信號計算一經修正溫度；及命令該至少一電路元件使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數以產生該經修正RDSON電壓降，其中該電壓修正因數係使用該所儲存之電壓修正函數來判定；及自該經修正RDSON電壓降計算一電流以供該電壓調節器使用以調節該電壓信號。
實施例16包括實施例15之電流感測器，其中該處理裝置經組態以藉由使該所量測溫度信號乘以一溫度增益因數來產生一乘積並將一溫度偏移因數相加至該乘積以產生該經修正溫度，而自該所量測溫度信號計算該經修正溫度，其中該溫度增益因數係使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以及該所量測溫度來判定。
實施例17包括實施例15至16中任一項之電流感測器，其中該處理裝置經組態以藉由將一溫度偏移因數相加至該所量測溫度以產生一總和並使該總和乘以一溫度增益因數以產生該經修正溫度，而自該所量測溫度信號計算該經修正溫度，其中該溫度增益因數及該溫度偏移因數係使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數及該所量測溫度來判定。
實施例18包括實施例15至17中任一項之電流感測器，其中該至少一電路元件包含單一可變增益放大器。
實施例19包括實施例15至18中任一項之電流感測器，其中該至少一電路元件包含：一增益放大器，其耦接至該MOS電晶體開關且經組態以量測橫越該MOS電晶體開關的該RDSON電壓降；及一衰減數位/類比轉換器，其耦接至該增益放大器及該處理裝置，其中該衰減數位/類比轉換器經組態以由該處理裝置所命令，而使該增益放大器之輸出衰減以產生該經修正RDSON電壓降。
實施例20包括實施例19之電流感測器，其進一步包含一緩衝器，該緩衝器耦接至該衰減數位/類比轉換器且經組態以緩衝該經修正RDSON電壓降。
實施例21包括實施例15至20中任一項之電流感測器，其中該電流感測器包括於一電壓調節器中。
實施例22包括一種系統，其包含：一電源，其經組態以提供一電壓信號；一電壓調節器，其經組態以調節來自該電源之該電壓信號並產生一輸出電壓信號，其中該電壓調節器包括在產生該輸出電壓信號時使用的一MOS電晶體開關，且其中該電壓調節器包括用以感測通過該MOS 電晶體開關之電流的一經校準電流感測器；及一負載，其耦接至該電壓調節器以接收該輸出電壓信號；其中該經校準電流感測器包含：一處理裝置；一晶片上溫度感測器，其經耦接以提供一MOS電晶體開關之一所量測溫度信號至該處理裝置；至少一電路元件，其耦接至該處理裝置且經組態以：量測橫越該MOS電晶體開關之一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降，根據該處理裝置之指令使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數以產生一經修正RDSON電壓降，並輸出該經修正RDSON電壓降；一記憶體裝置，其耦接至該處理裝置並經組態以儲存一溫度感測器增益及偏移修正函數及一電壓修正函數；且其中該處理裝置經組態以：接收用於該MOS電晶體開關之一閘極驅動電壓；接收該所量測溫度信號，並使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以自該所量測溫度信號計算一經修正溫度；命令該至少一電路元件使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數以產生該經修正RDSON電壓降，其中該電壓修正因數係使用該所儲存之電壓修正函數來判定；及自該經修正RDSON電壓降計算該電流以供該電壓調節器使用以調節該電壓信號。
實施例23包括實施例22之系統，其中該處理裝置經組態以藉由使該所量測溫度信號乘以一溫度增益因數並相加一溫度偏移因數以產生一經修正溫度，而自該所量測溫度信號計算該經修正溫度，其中該溫度增益因數係使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以及該所量測溫度來判定。
實施例24包括實施例22至23中任一項之系統，其中該至少一電路元件包含單一可變增益放大器。
實施例25包括實施例22至24中任一項之系統，其中該至少一電路元件包含：一增益放大器，其耦接至該MOS電晶體開關且經組態以量測橫越該MOS電晶體開關的該RDSON電壓降；及一衰減數位/類比轉換器，其耦接至該增益放大器及該處理裝置，其中該衰減數位/類比轉換器經組態以由該處理裝置所命令，而使該增益放大器之輸出衰減以產生該經修正RDSON電壓降。
實施例26包括實施例25之系統，其進一步包含一緩衝器，該緩衝器耦接至該衰減數位/類比轉換器且經組態以緩衝該經修正RDSON電壓降。
儘管本文中已說明並描述特定具體實例，但一般熟習此項技術者將瞭解，經計算以達成相同目的之任何佈置可取代所展示之特定具體實例。因此，明顯期望本發明僅由申請專利範圍及其等效物來限制。

Claims (26)

  1. 一種用於感測一電流之方法，該方法包含：由一溫度感測器量測一MOS電晶體開關之一溫度以產生一所量測溫度；使用一所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以自該所量測溫度計算一經修正溫度；量測該MOS電晶體之一閘極驅動電壓；使用一所儲存電壓修正函數來計算一電壓修正因數，其中該所儲存電壓修正函數為該經修正溫度與該閘極驅動電壓的一函數；量測橫越該MOS電晶體開關的一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降；及使用該所量測RDSON電壓降及該電壓修正因數來計算該電流。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中自該所量測溫度計算一經修正溫度包含使該所量測溫度乘以一溫度增益因數來產生一乘積，並將一溫度偏移因數相加至該乘積以產生該經修正溫度，其中該溫度增益因數及該溫度偏移因數係使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以及該所量測溫度來判定。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中自該所量測溫度計算一經修正溫度包含將一溫度偏移因數相加至該所量測溫度以產生一總和，並使該總和乘以一溫度增益因數以產生該經修正溫度，其中該溫度增益因數及該溫度偏移因數係使用該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數以及該所量測溫度來判定。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該所儲存溫度感測器增益及偏移修正函數已在一校準程序期間使用一回歸擬合函數來判定。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該回歸擬合函數為一線性回歸擬合函數。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中計算該電流包含使該所量測RDSON電壓降乘以該電壓修正因數以產生一經修正RDSON電壓降，並使用歐姆定律以自該經修正RDSON電壓降計算該電流。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該所儲存電壓修正函數已在一校準程序期間使用一回歸擬合函數來判定。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該回歸擬合函數為一線性回歸擬合函數。
  9. 一種用於判定一溫度感測器增益及偏移修正函數的方法，該方法包含：在一第一溫度下比較一MOS電晶體開關之一第一晶片上溫度感測器讀數與該MOS電晶體開關之一第一晶片外溫度感測器讀數；在一第二溫度下比較該MOS電晶體開關之一第二晶片上溫度感測器讀數與該MOS電晶體開關之一第二晶片外溫度感測器讀數；使用至少該第一晶片上溫度感測器讀數與該第一晶片外溫度感測器讀數之該比較及至少該第二晶片上溫度感測器讀數與該第二晶片外溫度感測器讀數之該比較來擬合一回歸函數，該回歸函數對應於該溫度感測器增益及偏移修正函數；及將該回歸函數儲存於該MOS電晶體開關之一驅動器晶片之一晶片上記憶體中。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該回歸擬合函數為一線性回歸函數。
  11. 一種用於判定一電壓修正函數之方法，該方法包含：於一第一溫度下比較在一校準電流正通過一MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關的一第一所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體開關的一第一理論RDSON電壓降；於一第二溫度下比較在一校準電流正通過該MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關的一第二所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體開關的一第二理論RDSON電壓降；使用至少該第一所量測RDSON電壓降與該第一理論RDSON電壓降之該比較及至少該第二所量測RDSON電壓降與該第二理論RDSON電壓降的該比較來擬合一回歸函數，該回歸函數對應於該電壓修正函數；及將該回歸擬合函數儲存於該MOS電晶體開關之一驅動器晶片之一晶片上記憶體中。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該回歸擬合函數為一線性回歸函數。
  13. 如申請專利範圍第11項之方法，其進一步包含：於該第一溫度下比較在一校準電流正通過該MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關的一第三所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體開關的一第三理論RDSON電壓降，其中該第三理論RDSON電壓降不同於該第一理論RDSON電壓降；且其中擬合該回歸函數是使用至少該第一所量測RDSON電壓降與該第一理論RDSON電壓降之該比較、至少該第二所量測RDSON電壓降與該第二理論RDSON電壓降的該比較及至少該第三所量測RDSON電壓降與該第三理論RDSON電壓降的該比較。
  14. 如申請專利範圍第11項之方法，其進一步包含：於該第二溫度下比較在一校準電流正通過該MOS電晶體開關時橫越該MOS電晶體開關之一第四所量測RDSON電壓降與橫越該MOS電晶體開關的一第四理論RDSON電壓降，其中該第四理論RDSON電壓降不同於該第二理論RDSON電壓降；且其中擬合該回歸函數係使用至少該第一所量測RDSON電壓降與該第一理論RDSON電壓降之該比較、至少該第二所量測RDSON電壓降與該第二理論RDSON電壓降的該比較及至少該第四所量測RDSON電壓降與該第四理論RDSON電壓降的該比較。
  15. 一種電流感測器，其包含：一處理裝置；一晶片上溫度感測器，其經耦接以提供一MOS電晶體開關之一所量測溫度信號至該處理裝置；至少一電路元件，其耦接至該處理裝置且經組態以：量測橫越該MOS電晶體開關之一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降，回應於該處理裝置而使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數以產生一經修正RDSON電壓降，並輸出該經修正RDSON電壓降；一記憶體裝置，其耦接至該處理裝置並經組態以儲存一溫度感測器增益及偏移修正函數及一電壓修正函數；且其中該處理裝置經組態以：接收用於該MOS電晶體開關之一閘極驅動電壓；接收該所量測溫度信號，並使用所儲存的該溫度感測器增益及偏移修正函數以自該所量測溫度信號計算一經修正溫度；及命令該至少一電路元件使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數以產生該經修正RDSON電壓降，其中該電壓修正因數係使用所儲存的該電壓修正函數來判定；及自該經修正RDSON電壓降計算一電流以供電壓調節器使用來調節該電壓信號。
  16. 如申請專利範圍第15項之電流感測器，其中該處理裝置經組態以藉由使該所量測溫度信號乘以一溫度增益因數來產生一乘積並將一溫度偏移因數相加至該乘積以產生該經修正溫度，而自該所量測溫度信號計算該經修正溫度，其中該溫度增益因數係使用所儲存的該溫度感測器增益及偏移修正函數及該所量測溫度來判定。
  17. 如申請專利範圍第15項之電流感測器，其中該處理裝置經組態以藉由將一溫度偏移因數相加至該所量測溫度以產生一總和並使該總和乘以一溫度增益因數以產生該經修正溫度，而自該所量測溫度信號計算該經修正溫度，其中該溫度增益因數及該溫度偏移因數係使用所儲存的該溫度感測器增益及偏移修正函數及該所量測溫度來判定。
  18. 如申請專利範圍第15項之電流感測器，其中該至少一電路元件包含單一可變增益放大器。
  19. 如申請專利範圍第15項之電流感測器，其中該至少一電路元件包含：一增益放大器，其耦接至該MOS電晶體開關，且經組態以量測橫越該MOS電晶體開關的該RDSON電壓降；及一衰減數位/類比轉換器，其耦接至該增益放大器及該處理裝置，其中該衰減數位/類比轉換器經組態以由該處理裝置所命令，而使該增益放大器之輸出衰減以產生該經修正RDSON電壓降。
  20. 如申請專利範圍第19項之電流感測器，其進一步包含一緩衝器，該緩衝器耦接至該衰減數位/類比轉換器且經組態以緩衝該經修正RDSON電壓降。
  21. 如申請專利範圍第15項之電流感測器，其中該電流感測器包括於一電壓調節器中。
  22. 一種具有RDSON修正之系統，其包含：一電源，其經組態以提供一電壓信號；一電壓調節器，其經組態以調節來自該電源之該電壓信號並產生一輸出電壓信號，其中該電壓調節器包括在產生該輸出電壓信號時所使用的一MOS電晶體開關，且其中該電壓調節器包括用以感測通過該MOS電晶體開關之電流的一經校準電流感測器；及一負載，其耦接至該電壓調節器以接收該輸出電壓信號；其中該經校準電流感測器包含；一處理裝置；一晶片上溫度感測器，其經耦接以提供一MOS電晶體開關之一所量測溫度信號至該處理裝置；至少一電路元件，其耦接至該處理裝置且經組態以：量測橫越該MOS電晶體開關之一RDSON電壓降以產生一所量測RDSON電壓降，根據該處理裝置之指令使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數而產生一經修正RDSON電壓降，並輸出該經修正RDSON電壓降；一記憶體裝置，其耦接至該處理裝置並經組態以儲存一溫度感測器增益及偏移修正函數及一電壓修正函數；且其中該處理裝置經組態以：接收用於該MOS電晶體開關之一閘極驅動電壓；接收該所量測溫度信號，並使用所儲存的該溫度感測器增益及偏移修正函數以自該所量測溫度信號計算一經修正溫度；命令該至少一電路元件使該所量測RDSON電壓降乘以一電壓修正因數而產生該經修正RDSON電壓降，其中該電壓修正因數係使用所儲存的該電壓修正函數來判定；及自該經修正RDSON電壓降計算該電流以供該電壓調節器使用以調節該電壓信號。
  23. 如申請專利範圍第22項之系統，其中該處理裝置經組態以藉由使該所量測溫度信號乘以一溫度增益因數並相加一溫度偏移因數以產生一經修正溫度，而自該所量測溫度信號計算該經修正溫度，其中該溫度增益因數係使用所儲存的該溫度感測器增益及偏移修正函數及該所量測溫度來判定。
  24. 如申請專利範圍第22項之系統，其中該至少一電路元件包含單一可變增益放大器。
  25. 如申請專利範圍第22項之系統，其中該至少一電路元件包含：一增益放大器，其耦接至該MOS電晶體開關且經組態以量測橫越該MOS電晶體開關的該RDSON電壓降；及一衰減數位/類比轉換器，其耦接至該增益放大器及該處理裝置，其中該衰減數位/類比轉換器經組態以由該處理裝置所命令，而使該增益放大器之輸出衰減以產生該經修正RDSON電壓降。
  26. 如申請專利範圍第25項之系統，其進一步包含一緩衝器，該緩衝器耦接至該衰減數位/類比轉換器且經組態以緩衝該經修正RDSON電壓降。
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