TWI665321B - 位置檢測裝置、位置檢測方法、及蒸鍍裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可提高基板位置之檢測精度的位置檢測裝置、位置檢測方法、及蒸鍍裝置，影像處理部20從表面拍攝部之各相機11拍攝基板標記Wm的結果，算出表面拍攝部之相機11間的相對位置，並使用該相機11間之相對位置與表面拍攝部之各相機11拍攝處理基板W的結果，算出表面拍攝之處理基板W的位置，且從背面拍攝部之各相機12拍攝基板標記Wm的透過影像之結果算出背面拍攝部之相機12間的相對位置，並使用該相機12間之相對位置與背面拍攝部之各相機12拍攝處理基板W的結果，算出背面拍攝之處理基板W的位置。

Description

位置檢測裝置、位置檢測方法、及蒸鍍裝置
本發明係關於一種檢測基板之位置的位置檢測裝置、位置檢測方法、及具備位置檢測裝置之蒸鍍裝置。
蒸鍍裝置在基板的成膜面與蒸鍍源之間配置蒸鍍遮罩，並將仿效蒸鍍遮罩開口之形狀的圖案形成於基板成膜面。蒸鍍裝置從基板對準標記之基板標記算出基板的位置。蒸鍍裝置以算出之基板的位置與蒸鍍遮罩之位置對準的方式調整基板之位置及蒸鍍遮罩的位置(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-1947號公報
再者，上述之基板標記通常位於基板的成膜面，檢測基板標記之檢測部對成膜面係位於與蒸鍍源相同側。另外，蒸鍍源側對成膜面之空間係供從蒸鍍源蒸發之蒸鍍物質飛行的空間，而在位於該空間之檢測部的光學系統上堆 積不少蒸鍍物質。因為光學系統上堆積了蒸鍍物質之檢測部無法精確檢測基板標記，所以上述之蒸鍍裝置中應具備提高基板與蒸鍍遮罩之對準精度的技術。另外，精確檢測基板位置之要求不限於進行基板與蒸鍍遮罩之對準的蒸鍍裝置，在檢測基板位置之裝置中同樣有需求。
本發明之目的為提供一種可提高基板位置之檢測精度的位置檢測裝置、位置檢測方法、及蒸鍍裝置。
一種樣態之位置檢測裝置，係檢測不透明基板之處理基板的位置。位置檢測裝置使用透明基板之校正用基板。校正用基板表面具備複數個基板標記。前述位置檢測裝置具備：表面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機；及背面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機。前述位置檢測裝置進一步具備影像處理部。影像處理部從前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板的複數個基板標記之結果，算出前述表面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述表面拍攝部之相機間的相對位置、與前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出表面拍攝之前述處理基板的位置。此外，前述影像處理部從前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的透過影像結果，算出前述背面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述背面拍攝部之相機間的相對位置、與前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出背面拍攝之前述處理基板的位置。
其他樣態之位置檢測方法，係檢測不透明基板之處理基板的位置。該位置檢測方法包含使用表面具備複數個基板標記之透明基板的校正用基 板，以包含分別對應於前述複數個基板標記之1個的複數個相機之表面拍攝部，從前述校正用基板之表面側拍攝該複數個基板標記。此外，該位置檢測方法包含以包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機之背面拍攝部，從前述校正用基板之背面側拍攝該複數個基板標記。此外，該位置檢測方法包含從前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的結果，以影像處理部算出前述表面拍攝部之相機間的相對位置。此外，該位置檢測方法包含使用前述表面拍攝部之相機間的相對位置、與前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，以前述影像處理部算出表面拍攝之前述處理基板的位置。此外，該位置檢測方法包含從前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的透過影像之結果，以前述影像處理部算出前述背面拍攝部之相機間的相對位置。此外，該位置檢測方法包含使用前述背面拍攝部之相機間的相對位置、與前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，以前述影像處理部算出背面拍攝之前述處理基板的位置。
又另外之樣態係蒸鍍裝置。蒸鍍裝置具備：蒸鍍室，其係用於對不透明基板之處理基板的表面進行蒸鍍；及位置檢測裝置，其係檢測前述處理基板之位置。透明基板之校正用基板的表面具備複數個基板標記。而後，前述位置檢測裝置具備：表面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機；及背面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機。前述蒸鍍裝置進一步具備影像處理部。影像處理部從前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板的複數個基板標記之結果，算出前述表面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述表面拍攝部之相機間的相對位置、與前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出表面拍攝之前 述處理基板的位置。此外，前述影像處理部從前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的透過影像結果，算出前述背面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述背面拍攝部之相機間的相對位置、與前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出背面拍攝之前述處理基板的位置。
採用上述各構成時，表面拍攝部之複數個相機、與背面拍攝部之複數個相機，拍攝對表面拍攝部與背面拍攝部共用的複數個基板標記。影像處理部從表面與背面拍攝共用之複數個基板標記的結果，算出表面拍攝部之相機間的相對位置、與背面拍攝部之相機間的相對位置。而後，影像處理部使用表面拍攝部拍攝處理基板之結果、與表面拍攝部之相機間的相對位置而算出表面拍攝之處理基板的位置。此外，影像處理部使用背面拍攝部拍攝處理基板之結果、與背面拍攝部之相機間的相對位置算出背面拍攝之處理基板的位置。藉此，可使背面拍攝部對處理基板之位置的檢測精度提高至與表面拍攝部對處理基板之位置的檢測精度，亦即提高至與基板標記之拍攝的檢測精度相同程度。結果，即使是只能獲得背面拍攝結果之處理的環境，例如是進行上述蒸鍍處理之環境，仍可與表面拍攝之位置的檢測精度相同程度地提高基板位置的檢測精度。
上述位置檢測裝置中，就前述處理基板，前述表面拍攝部之複數個相機拍攝的對象，包含位於前述處理基板表面之複數個基板標記，就前述處理基板，前述背面拍攝部之複數個相機拍攝的對象，包含位於前述處理基板之背面的平坦部、及連接該平坦部之坡口部的邊界，前述影像處理部亦可依據前述平坦部與前述坡口部之對比抽出前述背面拍攝部之複數個相機所拍攝的前述平坦部 與前述坡口部之邊界，並使用該抽出之邊界作為前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果。
決定基板輪廓之坡口部，通常係在基板之厚度方向具有指定的曲率之曲面。拍攝坡口部之影像例如係亮度朝向基板輪廓而逐漸降低，且模糊量逐漸升高。從拍攝坡口部之影像檢測基板輪廓的技術仍含有因為模糊量升高等造成在輪廓位置產生重大誤差。另外，坡口部與平坦部之邊界在基板上為面方向大幅改變的邊界，例如從與平坦部相對之方向拍攝，亦有明確檢測其邊界的部分。採用上述位置檢測裝置時，影像處理部係依據對比抽出平坦部與坡口部之邊界，並從該抽出之邊界獲得處理基板的位置。因而，從背面拍攝結果算出處理基板之位置時，可進一步提高其精度。
上述位置檢測方法中，前述背面拍攝部之各相機具備遠心光學系統，並從收容前述處理基板之框體外側拍攝前述處理基板，前述校正用基板亦可具備覆蓋光反射性之各基板標記周圍的防止反射膜。
位於框體外側，且具備遠心光學系統之相機，與通常位於框體內側之相機等比較，會增大校正用基板與對物透鏡的距離，亦即增大相機之工作距離。結果，背面拍攝部具備此種相機之構成時，來自對物面之光以外的光容易入射於對物透鏡。關於這方面，上述之構成係由覆蓋光反射性之各基板標記周圍的防止反射膜抑制對物面的反射。因而，即使是工作距離大之相機，仍可明確地拍攝各基板標記。
上述位置檢測方法中，前述校正用基板之熱膨脹率亦可為3ppm/℃以下。對處理基板進行蒸鍍處理及電漿處理等包含加熱之處理時，通常從提高對處理基板之處理效率的觀點，進行加熱之環境，亦即進行處理基板之處理的環 境係持續保持在比室溫高的高溫。此時，若校正用基板之熱膨脹率為3ppm/℃以下，可將校正用基板上產生之熱膨脹抑制在非常小的範圍，結果，可減少因校正用基板之熱膨脹造成的檢測誤差。
上述蒸鍍裝置中具備：2個前述背面拍攝部；前段模組，其係將對象基板從外部搬入前述蒸鍍裝置；及反轉室，其係使前述前段模組搬入之前述對象基板的表面與背面反轉，並將前述對象基板搬入前述蒸鍍室；前述對象基板係從前述處理基板與前述校正用基板中選擇的一個，一方前述背面拍攝部與前述表面拍攝部一起搭載於前述前段模組，另一方之前述背面拍攝部亦可搭載於前述蒸鍍室。
採用上述構成時，係依據背面拍攝結果謀求整合處理基板在前段模組之位置、與處理基板在蒸鍍室的位置。因而，可使處理基板在蒸鍍室中之位置的檢測精度提高至在前段模組之表面拍攝結果、與使用其之檢測精度相同程度。
1A、2A、4A‧‧‧光軸
1Z、2Z、4Z‧‧‧拍攝區域
10‧‧‧EFEM
10S‧‧‧載台
11‧‧‧標記相機
12‧‧‧負載相機
13、47‧‧‧框體
20‧‧‧影像處理部
30‧‧‧蒸鍍裝置
30C‧‧‧控制裝置
31‧‧‧搬送室
32‧‧‧搬出搬入室
34‧‧‧蒸鍍室
35‧‧‧反轉室
36‧‧‧濺鍍室
41‧‧‧蒸鍍源
42‧‧‧蒸鍍相機
42M‧‧‧蒸鍍材料
43‧‧‧基板固持器
44‧‧‧遮罩固持器
45‧‧‧驅動源
46‧‧‧驅動機構
E‧‧‧輪廓
IM1‧‧‧表面影像
IM2‧‧‧第一背面影像
IM21‧‧‧第一像
IM22‧‧‧第二像
IM4‧‧‧第二背面影像
IMB‧‧‧背景像
M‧‧‧蒸鍍遮罩
MA、WA‧‧‧配置區域
Mm‧‧‧遮罩標記
P1、P2、P3‧‧‧光軸位置
SIG‧‧‧驅動信號
W‧‧‧處理基板
W0‧‧‧校正用基板
WF‧‧‧表面
Wm‧‧‧基板標記
Wp‧‧‧外周部
Wp1‧‧‧平坦部
Wp2‧‧‧坡口部
WR‧‧‧背面
第一圖係顯示EFEM之構成的構成圖。
第二圖係顯示各相機之拍攝區域的俯視圖，且(a)顯示標記相機之拍攝區域，(b)顯示負載相機之拍攝區域。
第三圖係顯示影像處理部進行之校正處理流程的流程圖。
第四圖係與基板一起顯示EFEM之構成的構成圖，且(a)顯示基板之俯視圖與構成，(b)顯示基板剖面圖與相機之拍攝區域的相對位置。
第五圖係顯示負載相機所拍攝之影像的一例圖。
第六圖係顯示蒸鍍裝置之構成的構成圖。
第七圖係顯示蒸鍍室之構成的方塊圖。
第八圖係與蒸鍍相機之拍攝區域一起顯示的基板俯視圖。
第九圖係顯示控制裝置進行之校正處理流程的流程圖。
第十圖係用於說明蒸鍍裝置進行之各種處理的方塊圖。
以下說明位置檢測裝置、位置檢測方法、及蒸鍍裝置的一種實施形態。
[EFEM]
參照第一圖及第二圖說明前段模組之一例的EFEM(裝置前後模組(Equipment Front End Module))10之構成。以下在EFEM10之構成中，主要說明表面拍攝部及背面拍攝部的構成。
如第一圖所示，EFEM10具備：載台10S、構成表面拍攝部之複數個標記相機11、及構成背面拍攝部之複數個負載相機12。複數個負載相機12例如位於收容基板之框體13的外側。以下，就EFEM10係說明具備3台標記相機11、與3台負載相機12之例。
載台10S逐片支撐收容於暫存盒之處理前的基板。載台10S支撐之基板包含：不透明之處理基板W、及透明之校正用基板W0。處理基板W例如係覆蓋於光反射性薄膜之玻璃基板、或是基板其為不透明之矽基板。校正用基板W0例如係石英基板或氧化鋁基板。處理基板W及校正用基板W0分別包含表面WF與背面WR。校正用基板W0具有之熱膨脹率，在抑制高溫下之熱膨脹的觀點 宜為3ppm/℃以下。以下之說明在不區別處理基板W與校正用基板W0時，稱為對象基板或是簡稱為基板(或是基板W、W0)。
EFEM10將表面WF朝向上方配置對象基板。表面WF具有3個基板標記Wm。基板標記Wm例如係在表面WF中具有高度光反射性之薄膜圖案，或是在表面WF中具有高度光吸收性之薄膜圖案。基板標記Wm在與表面WF相對之平面觀察時，例如具有矩形狀或十字狀等。處理基板W之基板標記Wm用於對準表面WF之特定位置與蒸鍍遮罩的開口。校正用基板W0之基板標記Wm用於算出3台標記相機11間之相對位置。再者，校正用基板W0之基板標記Wm用於算出3台負載相機12間之相對位置。
各標記相機11例如係CCD相機，且各基板標記Wm分別對應於1台。各標記相機11比載台10S所支撐之基板W、W0位於上方(表側)。各標記相機11之光軸1A的位置對其他標記相機11之光軸1A的位置固定。各標記相機11與基板W、W0之表面WF相對，來拍攝各個基板標記Wm(表面拍攝)。
各標記相機11所拍攝之影像係表面影像IM1。影像處理部20將校正用基板W0之表面影像IM1用於校正處理。此外，影像處理部20將處理基板W之表面影像IM1用於表面位置的特定處理。
各負載相機12例如係CCD相機，且各基板標記Wm分別對應於1台。各負載相機12比載台10S所支撐之基板W、W0位於下方(背側)。各負載相機12之光軸2A的位置對其他負載相機12之光軸2A的位置固定。各負載相機12與基板W、W0之背面WR相對來拍攝各個部分(背面拍攝)。
各負載相機12拍攝之影像係第一背面影像IM2。校正用基板W0之第一背面影像IM2包含通過校正用基板W0之基板標記Wm的影像之透過影像。影 像處理部20將校正用基板W0之第一背面影像IM2用於校正處理。處理基板W之第一背面影像IM2包含處理基板W的外周部Wp。影像處理部20將處理基板W之第一背面影像IM2用於背面位置的特定處理。
參照第二(a)圖說明標記相機11拍攝之區域，參照第二(b)圖說明負載相機12拍攝之區域。第二(a)(b)圖顯示與各基板W、W0之表面WF相對而平面觀看的基板之平面構造、及各相機11、12拍攝之區域。另外，因為處理基板W與校正用基板W0之形狀、大小、基板標記之排列相同，所以第二(a)(b)圖為了方便說明而例示圓板狀之校正用基板W0，此外，將各標記相機11所拍攝之區域、與各負載相機12所拍攝的區域重疊於校正用基板W0上而顯示。
如第二(a)圖所示，在載台10S上裝載校正用基板W0之機器人決定虛擬之配置區域WA(第二(a)圖中二點鏈線之大圓)。配置區域WA係須配置校正用基板W0之目標區域。在載台10S上裝載校正用基板W0之機器人係以配置區域WA與校正用基板W0之輪廓E(第二(a)圖之實線)大致一致的方式配置校正用基板W0。
校正用基板W0之表面WF具備3個基板標記Wm。3個基板標記Wm在校正用基板W0之周方向排列，且位於比校正用基板W0之外周部Wp靠近基板中心的位置。另外，處理基板W之表面WF也同樣地具備3個基板標記Wm。
各標記相機11決定拍攝影像之區域作為拍攝區域1Z(第二(a)圖中之二點鏈線的小圓)。各拍攝區域1Z在配置區域WA之周方向大致相等配置。標記相機11之光軸1A位於拍攝區域1Z的中心。各拍攝區域1Z各包含1個基板標記Wm。另外，在基板W、W0搬送中，搬送後之位置與其目標位置的差異係搬送精 度，基板W、W0之搬送精度設定於指定的範圍內。標記相機11之拍攝區域1Z遠比此種搬送精度之範圍大。
各負載相機12決定拍攝影像之區域作為拍攝區域2Z(第二(b)圖中之二點鏈線的小圓)。各拍攝區域2Z在配置區域WA之周方向大致相等配置。負載相機12之光軸2A位於拍攝區域2Z的中心。各拍攝區域2Z各包含1個各個基板標記Wm之透過影像(第二(b)圖中虛線的矩形)。此外，各拍攝區域2Z包含在外周部Wp之平坦部Wp1與坡口部Wp2的邊界。
如上述，EFEM10上搭載位置檢測裝置，位置檢測裝置包含：校正表面拍攝部之複數個標記相機11、校正背面拍攝部之複數個負載相機12、及影像處理部20。
[校正處理：EFEM10]
影像處理部20具備：中央運算處理裝置、及記憶體，不限於以軟體處理校正處理、表面位置之特定處理、背面位置之特定處理的全部。例如，影像處理部20亦可具備執行各種處理中之至少一部分處理的專用硬體(針對特定用途之積體電路：ASIC)。換言之，影像處理部20構成1)ASIC等1個以上專用的硬體電路；2)按照電腦程式(軟體)而動作之1個以上的處理器(微電腦)；或是3)包含此等之組合的電路。影像處理部20記憶3個基板標記Wm之位置作為相對座標系統之座標的相對座標。
如第三圖所示，影像處理部20在校正處理中進行對校正用基板W0之表面影像IM1的影像分析(步驟S11)。亦即，影像處理部20對表面影像IM1實施用於檢測基板標記Wm之邊緣檢測等，並在標記相機11之相機座標系統中算 出基板標記Wm對光軸1A的相對位置。另外，影像處理部20例如將相機座標系統中之光軸1A的位置作為表面影像IM1之中心。
其次，影像處理部20對校正用基板W0之第一背面影像IM2進行影像分析(步驟S12)。亦即，影像處理部20對第一背面影像IM2實施邊緣檢測等，並在負載相機12之相機座標系統中算出基板標記Wm對光軸2A的相對位置。另外，影像處理部20例如將相機座標系統之光軸2A的位置作為第一背面影像IM2之中心。
其次，影像處理部20使用標記相機11之相機座標系統上的基板標記Wm位置、及該基板標記Wm之相對座標，在上述相對座標系統中算出標記相機11的光軸位置。此外，影像處理部20使用負載相機12之相機座標系統上的基板標記Wm位置、及該基板標記Wm的相對座標，以上述相對座標系統算出負載相機12的光軸位置(步驟S13)。亦即，影像處理部20算出3個標記相機11在光軸1A間之相對位置、及3個負載相機12在光軸2A間的相對位置。影像處理部20記憶各標記相機11之光軸位置、及各負載相機12的光軸位置，作為相機間之相對位置的一例。影像處理部20在進行校正處理時更新各標記相機11之光軸位置、及各負載相機12的光軸位置。
如此，藉由拍攝共用之基板標記Wm而算出表面拍攝部之相機間的相對位置、與背面拍攝部之相機間的相對位置。另外，此等表面拍攝部之相機間的相對位置、與背面拍攝部之相機間的相對位置亦可由以下形態獲得。亦即，各標記相機11拍攝第一校正用基板之基板標記Wm，各負載相機12拍攝第二校正用基板之基板標記Wm，亦可從此等拍攝結果算出個別的相對位置。但是，拍攝個別校正用基板之形態時，表面與背面拍攝結果會個別含有基板標記Wm在校正 用基板間之位置誤差、及校正用基板間之搬送誤差等。關於這方面，採用在表面與背面拍攝一次共用之基板標記Wm時，可抑制表面拍攝部之相機間的相對位置與背面拍攝部之相機間的相對位置上含有上述誤差。
[表面位置之特定處理：EFEM10]
影像處理部20在表面位置之特定處理中，使用處理基板W之各表面影像IM1算出圖案中心的位置。亦即，影像處理部20對各表面影像IM1實施邊緣檢測等，並在標記相機11之相機座標系統中算出基板標記Wm的位置。其次，影像處理部20從上述各標記相機11之光軸位置與相機座標系統上之基板標記Wm的位置算出基板標記Wm間之相對位置。而後，影像處理部20以圖案中心為中心之虛擬圓通過各基板標記Wm的相對位置之方式，在上述相對座標系統中算出圖案中心的位置。
[背面位置之特定處理：EFEM10]
其次，說明使用處理基板W之背面位置的特定處理。第四(a)圖係從與背面WR相對之方向觀看的處理基板W之俯視圖，第四(b)圖係顯示平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界與光軸2A的相對位置圖。另外，第四(a)(b)圖為了方便說明平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界，而僅圖示3個負載相機12中的1台。
如第四圖所示，處理基板W之外周部Wp具備：平坦部Wp1與坡口部Wp2。平坦部Wp1係沿著處理基板W之表面WF而擴大的平面部分及沿著處理基板W之背面WR而擴大的平面部分。各坡口部Wp2係在沿著處理基板W之厚度方向的剖面(參照第四(b)圖)中，具有曲率中心對坡口部Wp2位於處理基板W之中心側的曲率。
負載相機12之拍攝區域2Z包含：平坦部Wp1之一部分、及連接該一部分之坡口部Wp2。負載相機12之光軸2A例如位於平坦部Wp1與坡口部Wp2的邊界附近。照射於外周部Wp之光從對處理基板W之負載相機12側(背面側)，亦可係沿著負載相機12之光軸2A而行進的平行光，亦可係在與負載相機12之光軸2A不同方向行進的平行光。負載相機12具備照射於外周部Wp之光的光軸與負載相機12的光軸2A一致之遠心光學系統時，負載相機12例如使用遠心光學系統對外周部Wp照射光。照射於處理基板W之外周部Wp的光之光軸與負載相機12的光軸2A不同時，對外周部Wp照射光之照射部與負載相機12不同，且對處理基板W位於與負載相機12相同側。
負載相機12藉由從拍攝區域2Z反射之光而形成影像。負載相機12拍攝之第一背面影像IM2包含：被平坦部Wp1所反射之光而形成的第一像IM21；與被連接於該平坦部Wp1之坡口部Wp2所反射的光而形成之第二像IM22。
例如，沿著與背面WR正交之方向在背面WR照射平行光時，入射於平坦部Wp1之光的入射角大致為0°，從平坦部Wp1射出之正反射光的反射角亦大致為0°。因而，具有與背面WR正交之光軸的負載相機12係以非常高之亮度生成第一像IM21。而坡口部Wp2因為係曲面，所以入射於坡口部Wp2之光的入射角係從0°起朝向處理基板W之輪廓E而連續改變，從坡口部Wp2射出之正反射光的反射角比0°更大幅改變。因而，具有與背面WR正交之光軸的負載相機12係以比第一像IM21非常低的亮度生成第二像IM22。結果，第一背面影像IM2在第一像IM21與第二像IM22之間的對比產生很大差異。
影像處理部20對第一背面影像IM2依據對比進行邊緣檢測，並抽出第一像IM21與第二像IM22之邊界。而後，影像處理部20特定抽出之第一像 IM21與第二像IM22的邊界，亦即平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界作為處理基板W之外形的一部分(邊界部分)。影像處理部20以相對座標系統算出第一像IM21與第二像IM22之邊界位置，藉此特定處理基板W之外形。
第五圖係負載相機12拍攝之影像的一例。
如第五圖所示，第一背面影像IM2包含處理基板W之像IMW、與處理基板W之背景像IMB。處理基板W之像IMW中，亮度相對高之部分係平坦部Wp1之像，亦即係第一像IM21。而處理基板W之像IMW中，亮度相對低之部分係坡口部Wp2之像，亦即係第二像IM22。處理基板W之背景像IMB中的亮度比第一像IM21之亮度低，且比第二像IM22之亮度高。
此處，所謂處理基板W之輪廓E，係在處理基板W中連結位於最外側之點的外形線，也是坡口部Wp2之外形線。如上述，該坡口部Wp2通常係以具有指定曲率之曲面而構成。坡口部Wp2之曲面朝向處理基板W的輪廓E而逐漸降低處理基板W之像IMW的亮度，造成坡口部Wp2之像的第二像IM22與處理基板W之背景像IMB的邊界模糊。而後，從第二像IM22與背景像IMB之邊界檢測處理基板W的輪廓E時，其位置之精度產生很大誤差。特別是處理基板W之位置要求達到數μm精度的檢測時，在上述邊界之模糊部分成為非常大的誤差。
另外，坡口部Wp2與平坦部Wp1之邊界係在處理基板W中面方向改變的邊界，例如從與平坦部Wp1相對之方向拍攝時，可明確檢測第一像IM21與第二像IM22。因此，特定第一像IM21與第二像IM22之邊界作為處理基板W的外形之上述構成時，在使用其外形之處理基板W的位置檢測中可提高檢測精度。
影像處理部20在背面位置之特定處理中，係使用處理基板W之各第一背面影像IM2算出第一背面中心的位置。亦即，影像處理部20係對各第一背 面影像IM2實施邊緣檢測等，並在負載相機12之相機座標系統中算出平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界部分的位置。其次，影像處理部20從各負載相機12之光軸位置與相機座標系統上之邊界部分的位置算出邊界部分間之相對位置。而後，影像處理部20係以將第一背面中心作為中心之虛擬圓通過各邊界部分的方式，在上述相對座標系統中算出第一背面中心之位置。
[蒸鍍裝置]
參照第六圖說明搭載上述EFEM10之蒸鍍裝置30。另外，蒸鍍裝置30具備EFEM10與蒸鍍室34即可。
如第六圖所示，蒸鍍裝置30具備搬送室31，搬送室31經由門閥連接有搬出搬入室32。搬送室31具備搬送基板W、W0之搬送機器人。搬出搬入室32從搬送室31外部將基板W、W0搬入搬送室31，且從搬送室31搬出基板W、W0至搬送室31外部。搬出搬入室32經由門閥連接有EFEM10。EFEM10搬送校正用基板W0至搬出搬入室32，且從搬出搬入室32搬入校正用基板W0。EFEM10將成膜前之處理基板W搬送至搬出搬入室32，且從搬出搬入室32搬入成膜後之處理基板W。
搬送室31連接有2個蒸鍍室34、反轉室35、及濺鍍室36。各處理室經由門閥而連接於搬送室31。蒸鍍室34藉由真空蒸鍍法在處理基板W上形成指定之薄膜。反轉室35使搬入反轉室35之處理基板W反轉。反轉室35之反轉，係將在鉛直方向之處理基板W的表面WF與背面WR位置，在將處理基板W搬入反轉室35時與從反轉室35搬出時之間相反。濺鍍室36藉由濺鍍法在處理基板W上形成指定之薄膜。
蒸鍍裝置30具備控制裝置30C，控制裝置30C包含上述之影像處理部20，而控制蒸鍍裝置30具備之各處理室31、32、34、35、36的驅動。控制裝置 30C例如控制搬送機器人之驅動，使搬送機器人從連接於搬送室31之1個處理室經由搬送室31搬送處理基板W至其他處理室。控制裝置30C例如藉由控制關於各蒸鍍室34中之成膜處理、及濺鍍室36中的成膜處理之機構的驅動，而在各蒸鍍室34及濺鍍室36中形成指定之薄膜。
[蒸鍍室之構成]
參照第七圖至第九圖說明蒸鍍室34之構成。以下，在蒸鍍室34之構成中，主要說明用於校正處理之構成及對處理基板W進行蒸鍍用之機構的蒸鍍機構之構成。
如第七圖所示，蒸鍍室34具備：釋放蒸發之蒸鍍材料的蒸鍍源41；複數個蒸鍍相機42；支撐基板W、W0之基板固持器43；支撐蒸鍍遮罩M之遮罩固持器44；驅動源45、驅動機構46。蒸鍍室34中收容蒸鍍源41、基板固持器43、及遮罩固持器44之框體47連接於排氣系統而減壓至指定的壓力。複數個蒸鍍相機42與上述EFEM10之複數個負載相機12同樣地發揮背面拍攝部的功能。另外，以下說明具備3台蒸鍍相機42之例。
蒸鍍源41藉由將蒸鍍材料加熱而將蒸鍍材料42M之薄膜形成於處理基板W的表面WF。蒸鍍源41例如可使用電阻加熱式之蒸鍍源、感應加熱式之蒸鍍源、及具備電子束之蒸鍍源等。蒸鍍材料42M係藉由蒸鍍源41加熱而蒸發的材料，且係形成於處理基板W之表面WF的薄膜材料。蒸鍍材料42M例如係有機物，不過亦可係無機物。
3台蒸鍍相機42例如係CCD相機，且各基板標記分別對應於1台。各蒸鍍相機42比支撐於基板固持器43之基板W、W0在上方(背側)，且固定於框體47之外側。各蒸鍍相機42之光軸4A的位置對其他蒸鍍相機42之光軸4A的位 置固定。各蒸鍍相機42與基板W、W0之背面WR相對而拍攝各個部分(背面拍攝)。
各蒸鍍相機42所拍攝之影像係第二背面影像IM4。校正用基板W0之第二背面影像IM4包含通過校正用基板W0之基板標記Wm的透過影像。影像處理部20將校正用基板W0之第二背面影像IM4用於校正處理。處理基板W之第二背面影像IM4包含處理基板W的外周部Wp。影像處理部20將處理基板W之第二背面影像IM4用於背面位置的特定處理。
基板固持器43位於3台蒸鍍相機42與蒸鍍源41之間。基板固持器43決定虛擬之配置區域WA。配置區域WA係須配置基板W、W0之目標區域。基板固持器43支撐從反轉室35搬入蒸鍍室34之基板W、W0。基板固持器43可將基板W、W0從蒸鍍室34搬出至反轉室35。基板固持器43將處理基板W之表面WF朝向蒸鍍源41側(第七圖之下側)而支撐表面WF的外周部Wp，使處理基板W之背面WR與3台的蒸鍍相機42相對。
此時，例如因為存在基板固持器43等障礙物，所以位於表面WF之基板標記Wm從與表面WF相對之側拍攝困難。此外，位於表面WF之基板標記Wm因為處理基板W不透明，所以在收容處理基板W狀態下從與背面WR相對之側拍攝也困難。亦即，在基板固持器43支撐處理基板W狀態下，檢測基板標記Wm之位置困難。
遮罩固持器44位於3台蒸鍍相機42與蒸鍍源41之間。遮罩固持器44決定虛擬之配置區域MA。配置區域MA係須配置蒸鍍遮罩M之目標區域。遮罩固持器44支撐蒸鍍遮罩M之外周部，並使基板W、W0之表面WF與蒸鍍遮罩M相對。蒸鍍遮罩M具有用於在基板W之表面WF形成指定圖案的開口。遮罩固持 器44在對基板W、W0之蒸鍍源41側配置蒸鍍遮罩M。蒸鍍遮罩M在處理基板W之整個周方向具有從處理基板W擠出的大小。蒸鍍遮罩M在從處理基板W擠出之部分具有3個遮罩標記Mm。另外，蒸鍍遮罩M具有之遮罩標記Mm可藉由蒸鍍相機42之拍攝而特定蒸鍍遮罩的中心位置。
驅動源45輸出用於驅動驅動機構46之動力。驅動機構46接受驅動源45之動力而使基板固持器43在水平方向移動。此外，驅動機構46接受驅動源45之動力，而使遮罩固持器44與基板固持器43在基板W、W0之周方向旋轉。驅動機構46切換基板固持器43之獨立旋轉、遮罩固持器44之獨立旋轉、與將基板固持器43及遮罩固持器44的一體旋轉。此外，驅動機構46接受驅動源45之動力使遮罩固持器44與基板固持器43升降。驅動機構46切換基板固持器43之獨立升降、遮罩固持器44之獨立升降、與基板固持器43及遮罩固持器44的一體升降。
例如，基板固持器43獨立在水平方向之移動、及基板固持器43之獨立旋轉，係用於整合處理基板W之圖案中心與蒸鍍遮罩M中心的遮罩中心。遮罩固持器44之獨立旋轉用於將蒸鍍遮罩M配置於指定位置。基板固持器43與遮罩固持器44之一體旋轉用於使蒸鍍材料蒸鍍於處理基板W的表面。
例如，基板固持器43之獨立升降係用於搬入及搬出基板W、W0，及對蒸鍍用之指定位置配置處理基板W。遮罩固持器44之獨立升降係用於搬入及搬出蒸鍍遮罩M，及對蒸鍍用之指定位置配置蒸鍍遮罩M。基板固持器43與遮罩固持器44之一體升降係用於使處理基板W及蒸鍍遮罩M一體旋轉時的移動。
第八圖顯示各蒸鍍相機42拍攝之區域。另外，因為處理基板W與校正用基板W0對各蒸鍍相機42拍攝之區域的相對位置概等，所以第八圖為了方便說明而將各蒸鍍相機42拍攝之區域重疊於校正用基板W0來顯示。
如第八圖所示，校正用基板W0配置於配置區域WA，蒸鍍遮罩M配置於配置區域MA。遮罩標記Mm之位置比校正用基板W0之輪廓E位於外側。遮罩標記Mm在與校正用基板W0之背面WR相對的平面觀看時具有矩形狀，不過亦可具有與矩形狀不同之形狀，例如十字狀等。
各蒸鍍相機42將拍攝影像之區域設定為拍攝區域4Z(第八圖中二點鏈線的小圓)。各拍攝區域4Z在配置區域WA之周方向大致相等配置。蒸鍍相機42之光軸4A位於拍攝區域4Z的中心。各拍攝區域4Z包含各個遮罩標記Mm、及各個基板標記Wm之透過影像。此外，拍攝區域4Z包含平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界。
[校正處理：蒸鍍室34]
如第九圖所示，影像處理部20在校正處理中對校正用基板W0之第二背面影像IM4進行影像分析(步驟S21)。亦即，影像處理部20對各第二背面影像IM4實施邊緣檢測等，並在蒸鍍相機42之相機座標系統中算出基板標記Wm對光軸4A的相對位置。另外，影像處理部20將相機座標系統中之光軸4A的位置例如作為第二背面影像IM4之中心。
其次，影像處理部20使用蒸鍍相機42之相機座標系統上的基板標記Wm位置、及該基板標記Wm之相對座標，而在上述相對座標系統上算出蒸鍍相機42之光軸位置(步驟S22)。亦即，影像處理部20算出3個蒸鍍相機42在光軸4A間的相對位置。影像處理部20記憶各蒸鍍相機42之光軸位置作為相機間的相對位置之一例。影像處理部20於進行校正處理時更新各蒸鍍相機42之光軸位置。
[背面位置之特定處理：蒸鍍室34]
影像處理部20在背面位置之特定處理中，使用蒸鍍遮罩M之各第二背面影像IM4算出遮罩中心的位置。亦即，影像處理部20對各第二背面影像IM4實施邊緣檢測等，並在蒸鍍相機42之相機座標系統中算出遮罩標記Mm的位置。其次，影像處理部20從各蒸鍍相機42之光軸位置與相機座標系統上之遮罩標記Mm的位置，算出遮罩標記Mm間之相對位置。而後，影像處理部20以將遮罩中心作為中心之虛擬圓通過各遮罩標記Mm之相對位置的方式，在上述相對座標系統中算出遮罩中心之位置。
影像處理部20在背面位置之特定處理中，使用處理基板W之各第二背面影像IM4算出第二背面中心的位置。亦即，影像處理部20對各第二背面影像IM4實施邊緣檢測等，而在蒸鍍相機42之相機座標系統中算出平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界部分的位置。其次，影像處理部20從各蒸鍍相機42之光軸位置與相機座標系統上之邊界部分的位置算出邊界部分間之相對位置。而後，影像處理部20以將第二背面中心作為中心之虛擬圓通過各邊界部分的方式，在上述相對座標系統中算出第二背面中心之位置。
[作用]
參照第十圖說明控制裝置30C進行之校正處理、表面位置之特定處理、背面位置之特定處理、及對準處理。
[校正處理：控制裝置30C]
控制裝置30C在校正處理中，首先使校正用基板W0配置於EFEM10的配置區域WA。其次，控制裝置30C使各標記相機11拍攝包含基板標記Wm之表面影像IM1。此外，控制裝置30C使各負載相機12拍攝包含基板標記Wm之透過影像的第一背面影像IM2。繼續，控制裝置30C將校正用基板W0搬入蒸鍍室34，並使蒸 鍍相機42拍攝包含基板標記Wm之透過影像與遮罩標記Mm的第二背面影像IM4。
而後，控制裝置30C使用表面影像IM1與基板標記Wm之相對座標，算出相機11間之相對位置的各標記相機11之光軸位置P1。此外，控制裝置30C使用第一背面影像IM2與基板標記Wm之相對座標，算出相機12間之相對位置的各負載相機12之光軸位置P2。控制裝置30C使用第二背面影像IM4與基板標記Wm之相對座標，算出相機42間之相對位置的各蒸鍍相機42之光軸位置P3。
控制裝置30C記憶此等各標記相機11之光軸位置P1、各負載相機12之光軸位置P2、及各蒸鍍相機42之光軸位置P3。另外，控制裝置30C在進行指定數量之處理基板W的處理時進行上述校正處理。
[表面位置之特定處理]
控制裝置30C在表面位置之特定處理中，首先，使處理基板W配置於配置區域WA。其次，控制裝置30C使各標記相機11拍攝包含基板標記Wm之表面WF的表面影像IM1。
而後，控制裝置30C使用表面影像IM1與各標記相機11之光軸位置P1，以將圖案中心作為中心之虛擬圓通過各基板標記Wm的方式，在上述相對座標系統中算出圖案中心之位置。
[背面位置之特定處理]
控制裝置30C在背面位置之特定處理中，首先，使各負載相機12拍攝包含平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界的第一背面影像IM2。其次，控制裝置30C將處理基板W搬入蒸鍍室34，並使各蒸鍍相機42拍攝包含平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界以及遮罩標記Mm的第二背面影像IM4。
而後，控制裝置30C使用第一背面影像IM2與各負載相機12之光軸位置P2，以將第一背面中心作為中心之虛擬圓通過平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界的方式，在上述相對座標系統中算出第一背面中心之位置。此外，控制裝置30C使用第二背面影像IM4與各蒸鍍相機42之光軸位置P3，以將第二背面中心作為中心之虛擬圓通過平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界的方式，在上述相對座標系統中算出第二背面中心之位置。此外，控制裝置30C使用第二背面影像IM4與各蒸鍍相機42之光軸位置P3，以將遮罩中心作為中心之虛擬圓通過各遮罩標記Mm的方式，在上述相對座標系統中算出遮罩中心的位置。
另外，背面位置之特定處理可與上述表面位置的特定處理一起對配置於EFEM10之配置區域WA的處理基板W進行。此時，EFEM10中之各標記相機11對基板標記Wm之拍攝、與各負載相機12對平坦部Wp1及坡口部Wp2之拍攝亦可同時進行，亦可在不同時間進行。在不同時間進行2個拍攝時，亦可使各標記相機11之拍攝比各負載相機12的拍攝提早進行，亦可使各負載相機12之拍攝比各標記相機11的拍攝提早進行。不同時間進行2個拍攝時，亦可在2個拍攝間使處理基板W旋轉。
此外，各標記相機11對基板標記Wm之拍攝亦可同時進行，亦可在不同時間進行，各負載相機12對平坦部Wp1及坡口部Wp2之拍攝亦可同時進行，亦可在不同時間進行。此外，亦可在藉由1個相機進行拍攝時使處理基板W旋轉。特別是，各處理基板W之基板標記Wm位置會不同，此外，在將處理基板W之位置固定在1個位置狀態下，會無法拍攝全部之基板標記Wm。此時，只須在拍攝1個基板標記Wm時使處理基板W旋轉即可。使處理基板W旋轉並且拍攝複數個基板標記時，可藉由基板W之旋轉角度來掌握複數個基板標記間的相對位 置。另外，處理基板W之旋轉角度可藉由檢測旋轉角度之檢測部來檢測，而檢測部例如可使用編碼器。
[對準處理]
控制裝置30C例如使用拍攝第n片(n係1以上之整數)之處理基板W的圖案中心及第一背面中心，算出圖案中心與第一背面中心的偏差量(Δx、Δy、Δθ)。其次，控制裝置30C將第n片之處理基板W搬入蒸鍍室34。而後，控制裝置30C在第n片處理基板W之第二背面中心反映上述偏差量，算出用於使反映後之第二背面中心對準遮罩中心的修正量。控制裝置30C為了以相當於該修正量之驅動量驅動驅動機構46，而輸出用於驅動驅動源45之驅動信號SIG。
如此，採用上述蒸鍍裝置30時，可藉由單一之校正用基板W0來校正標記相機11之相機座標系統、負載相機12之相機座標系統、及蒸鍍相機42之相機座標系統的3個不同相機座標系統。藉此，可在各相機座標系統中相互進行座標轉換。換言之，可抑制在各相機座標系統中相互進行座標之轉換時，隨著座標轉換造成的位置偏差。
如以上之說明，採用上述實施形態時可獲得以下列舉之效果。
(1)可將背面拍攝時對處理基板W之位置檢測精度，提高到與表面拍攝時對處理基板W的位置檢測精度，亦即可提高至與拍攝基板標記Wm之檢測精度相同程度。結果，即使是只獲得背面拍攝結果之處理環境，例如進行上述蒸鍍處理之環境，仍可提高基板W之位置檢測精度至與表面拍攝結果的位置精度相同程度。
(2)特別是亦可在按照圖案位置進行基板搬送的濺鍍成膜、與按照背面位置進行基板搬送的蒸鍍成膜之間，謀求各處理狀態之整合。
(3)在EFEM10進行背面拍攝且蒸鍍室34亦進行背面拍攝，為了使EFEM10之第一背面位置與蒸鍍室34的第二背面位置整合，而將處理基板W搬送至蒸鍍室34。結果，蒸鍍室34可獲得EFEM10獲得之如同上述(1)的效果。
(4)特別是蒸鍍成膜及電漿成膜等伴隨加熱的處理，放置在其處理環境下之相機的光軸會隨時變位。關於這一點，採用上述之構成時，因為在每次校正處理時更新蒸鍍室34中蒸鍍相機42間的相對位置，所以可長時間獲得如同(3)的效果。
(5)因為校正用基板W0之形狀及尺寸與處理基板W大致相等，所以可謀求處理基板W之搬送系統與校正用基板W0之搬送系統的共用化。藉此，例如每次處理指定數量之處理基板W時，不致大幅改變搬送系統之運轉狀態，而可使用校正用基板W0進行校正處理。結果，亦可抑制蒸鍍裝置之運轉效率降低，並可確保以適切之頻率實施校正處理。
(6)校正用基板W0之熱膨脹率為3ppm/℃以下時，可將校正用基板W0上產生之熱膨脹抑制在非常小的範圍，結果，亦可減少因校正用基板W0之熱膨脹造成的檢測誤差。
(7)依據對比檢測第一像IM21與第二像IM22之邊界，並使用檢測出之邊界檢測處理基板W的背面位置。因而，與從處理基板W之輪廓E檢測背面位置的構成比較，可提高背面位置之檢測精度。
(8)特別是處理基板W為不透明之構成時，因為無法從與背面WR相對之側光學性檢測基板標記Wm，所以在上述點之效用提高。
(9)由於可提高處理基板W對蒸鍍遮罩M的位置精度，因此在關於處理基板W與蒸鍍遮罩M之相對位置的處理中可提高其處理精度。
另外，上述實施形態可適切變更而實施如下。
[位置之特定處理]
‧位置檢測裝置用於特定處理基板W之位置的邊界，亦可為處理基板W之外周部Wp中的1處，亦可為1處以上。
例如，平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界形狀，微觀上，坡口部Wp2之各個加工，亦即各處理基板W不同，各處理基板W中有時為固有形狀。從外周部Wp中之1處邊界特定處理基板W之位置的構成時，首先，整個處理基板W預先收集平坦部Wp1與坡口部Wp2之邊界形狀作為全周形狀。而後，藉由特定抽出之平坦部Wp1與坡口部Wp2的邊界形狀是全周形狀中的哪個部位，來特定處理基板W之位置。
另外，算出第一背面中心時，與算出第二背面中心時，宜拍攝外周部Wp中包含概略相同坡口部Wp2的部分。藉此，可進一步提高檢測處理基板W之位置的精度。另外，控制裝置30C可依據處理基板W具備之凹槽等特徵點的位置與處理基板W之旋轉角度，而使包含外周部Wp中之概略相同坡口部Wp2的部分位於負載相機12之拍攝區域2Z與蒸鍍相機42之拍攝區域4Z。
[校正用基板W0]
‧例如亦可具備貫穿校正用基板W0之貫穿孔作為基板標記Wm。即使基板標記Wm為貫穿孔之構成，仍可獲得如上述(1)~(9)的效果。
另外，基板標記Wm係薄膜圖案之構成時，因為基板標記Wm之厚度薄，所以表面觀察基板標記Wm之位置與背面觀察基板標記Wm之透過影像的位置大致一致。因而，基板標記Wm係薄膜圖案之構成比基板標記Wm係貫穿孔 之構成，可提高基板標記Wm在表面與背面之檢測精度，進而提高基板位置之檢測精度。
‧校正用基板W0例如亦可具備光反射性之基板標記Wm、及覆蓋其周圍之防止反射膜。位於框體13、47之外側，且具備遠心光學系統之相機12、42比通常位於框體13、47內側之相機、及不具遠心光學系統之相機，校正用基板W0與對物透鏡之距離，亦即相機之作用距離大，來自對物面之光以外的光容易入射於對物透鏡。
關於這一點，為具備防止反射膜之校正用基板W0時，覆蓋光反射性之各基板標記Wm與其周圍的防止反射膜抑制對物面之反射。結果，即使是作用距離大之相機12、42仍可明確地拍攝各基板標記Wm。
[蒸鍍裝置]
‧蒸鍍裝置亦可EFEM10中僅具備表面拍攝部，而在蒸鍍室34中具備背面拍攝部。即使表面拍攝部與背面拍攝部係搭載於各個框體13、47之構成，仍可獲得如上述(1)之效果。
另外，EFEM10為具備表面拍攝部與背面拍攝部之構成時，表面拍攝部之相機與背面拍攝部的相機可同時拍攝1個基板標記Wm。因而，可抑制基板標記Wm之相對位置因環境變化而變位，進而可進一步提高基板位置之檢測精度。

Claims (7)

  1. 一種位置檢測裝置，係檢測不透明基板之處理基板的位置，且透明基板之校正用基板的表面具備複數個基板標記，前述位置檢測裝置具備：表面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機；背面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機；及影像處理部，其係從前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板的複數個基板標記之結果，算出前述表面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述表面拍攝部之相機間的相對位置、與前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出表面拍攝之前述處理基板的位置，且從前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的透過影像結果，算出前述背面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述背面拍攝部之相機間的相對位置、與前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出背面拍攝之前述處理基板的位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之位置檢測裝置，其中就前述處理基板，前述表面拍攝部之複數個相機拍攝的對象包含位於前述處理基板表面之複數個基板標記，就前述處理基板，前述背面拍攝部之複數個相機拍攝的對象包含位於前述處理基板背面之平坦部、及連接於該平坦部之坡口部的邊界，前述影像處理部依據前述平坦部與前述坡口部之對比抽出前述背面拍攝部之複數個相機所拍攝的前述平坦部與前述坡口部之邊界，並使用該抽出之邊界作為前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果。
  3. 一種位置檢測方法，係檢測不透明基板之處理基板的位置，且具備：使用表面具備複數個基板標記之透明基板的校正用基板，以包含分別對應於前述複數個基板標記之1個的複數個相機之表面拍攝部，從前述校正用基板之表面側拍攝該複數個基板標記；以包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機之背面拍攝部，從前述校正用基板之背面側拍攝該複數個基板標記；從前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的結果，以影像處理部算出前述表面拍攝部之相機間的相對位置；使用前述表面拍攝部之相機間的相對位置、與前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，以前述影像處理部算出表面拍攝之前述處理基板的位置；從前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的透過影像之結果，以前述影像處理部算出前述背面拍攝部之相機間的相對位置；及使用前述背面拍攝部之相機間的相對位置、與前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，以前述影像處理部算出背面拍攝之前述處理基板的位置。
  4. 如申請專利範圍第3項之位置檢測方法，其中前述背面拍攝部之各相機具備遠心光學系統，並從收容前述處理基板之框體的外側拍攝前述處理基板，前述校正用基板具備防止反射膜，其係覆蓋光反射性之各基板標記的周圍。
  5. 如申請專利範圍第4項之位置檢測方法，其中前述校正用基板之熱膨脹率為3ppm/℃以下。
  6. 一種蒸鍍裝置，係具備：蒸鍍室，其係用於對不透明基板之處理基板的表面進行蒸鍍；及位置檢測裝置，其係檢測前述處理基板之位置；透明基板之校正用基板的表面具備複數個基板標記，前述位置檢測裝置具備：表面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機；背面拍攝部，其係包含分別對應於前述複數個基板標記中之1個的複數個相機；及影像處理部，其係從前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板的複數個基板標記之結果，算出前述表面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述表面拍攝部之相機間的相對位置、與前述表面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出表面拍攝之前述處理基板的位置，且從前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述校正用基板之複數個基板標記的透過影像結果，算出前述背面拍攝部之相機間的相對位置，並使用前述背面拍攝部之相機間的相對位置、與前述背面拍攝部之複數個相機拍攝前述處理基板的結果，算出背面拍攝之前述處理基板的位置。
  7. 如申請專利範圍第6項之蒸鍍裝置，其中具備：2個前述背面拍攝部；前段模組，其係將對象基板從外部搬入前述蒸鍍裝置；及反轉室，其係使前述前段模組搬入之前述對象基板的表面與背面反轉，並將前述對象基板搬入前述蒸鍍室；前述對象基板係從前述處理基板與前述校正用基板中選擇的一個，一方前述背面拍攝部與前述表面拍攝部一起搭載於前述前段模組，另一方之前述背面拍攝部搭載於前述蒸鍍室。
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