TWI664435B - 導電性結構體、電極及包含彼之顯示裝置 - Google Patents

導電性結構體、電極及包含彼之顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI664435B
TWI664435B TW105134560A TW105134560A TWI664435B TW I664435 B TWI664435 B TW I664435B TW 105134560 A TW105134560 A TW 105134560A TW 105134560 A TW105134560 A TW 105134560A TW I664435 B TWI664435 B TW I664435B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal layer
layer
conductive structure
light
light reflection
Prior art date
Application number
TW105134560A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201728919A (zh
Inventor
李�一
章盛晧
閔進赫
金起煥
朴贊亨
Original Assignee
南韓商Ｌｇ化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 filed Critical 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司
Publication of TW201728919A publication Critical patent/TW201728919A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI664435B publication Critical patent/TWI664435B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/38—Anti-reflection arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/01—Function characteristic transmissive

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本說明書關於導電性結構體、及電極和包含彼之顯示裝置。該導電性結構體包含：基材；第一金屬層，其提供於該基材上，且由單一金屬所形成；第二金屬層，其提供於該第一金屬層的至少一表面上，由二或更多種金屬所形成，且由半透明材料所形成；以及光反射減少層，其提供於該第二金屬層上並由半透明材料所形成，其中該光反射減少層包括形成該第二金屬層的金屬之氮氧化物，且相較於未提供該第二金屬層的情況下，該光反射減少層的表面之平均光反射率在具有380nm至780nm波長的光中係下降7%至50%。根據本說明書之導電性結構體可藉由控制該金屬層之光反射率而實現低的光反射率。

Description

導電性結構體、電極及包含彼之顯示裝置
本申請案主張2015年10月27日於韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2015-0149498號之優先權及利益，其全部內容係以引用方式併入本文中。
本說明書關於導電性結構體、及電極和包含彼之顯示裝置。
液晶顯示裝置係近來用於多媒體社會的最重要的顯示裝置，且廣泛用於行動電話、電腦螢幕、筆記型電腦、及電視。液晶顯示裝置具有TN模式(TN mode)，其中液晶層(在其中，向列型液晶係經配置成扭曲形式)係經插置於二個正交偏光片之間，並接著將電場以垂直於基材的方向施加。在該TN模式方案中，由於當展現黑色時液晶係以垂直於基材的方向來排列，所以在傾斜視角下液晶分子招致雙折射及光漏(light leakage)。
為了解決TN模式方案中的視角問題，引入了平面轉 換(IPS)模式，其中二個電極係形成於一個基材上，且液晶分子軸向(director)係以二個電極之間所產生的橫向電場來控制。即，該IPS模式方案亦被稱為平面轉換液晶顯示器或水平電場型液晶顯示器，且電極係於胞(cell)內經放置在相同平面上，其中液晶係經放置以使液晶不會垂直方向排列，而係排列以平行於電極的水平表面。
然而，在IPS模式方案的情況中，會難以藉由畫素電極(pixel electrode)及共電極(common electrode)的高光反射率實現高品質影像。
[相關技術文獻] [專利文件]
韓國專利申請案早期公開第10-2010-0007605號
本說明書提供導電性結構體，其能夠實現高品質影像顯示器。
本說明書之一例示性實施態樣提供導電性結構體，其包括：基材；第一金屬層，其提供於該基材上，且由單一金屬所形成；第二金屬層，其提供於該第一金屬層的至少 一表面上，由二或更多種金屬所形成，且由半透明材料所形成；以及光反射減少層，其提供於該第二金屬層上並由半透明材料所形成，其中該光反射減少層包括形成該第二金屬層的金屬之氮氧化物，且相較於未提供該第二金屬層的情況下，該光反射減少層的表面之平均光反射率在具有380nm至780nm波長的光中係下降7%至50%。
本說明書的另一例示性實施態樣提供包括該導電性結構體之電極。
本說明書的又另一例示性實施態樣提供包括該電極之顯示裝置。
根據本說明書的例示性實施態樣之導電性結構體可藉由控制該金屬層之光反射率而實現低的光反射率。
根據本說明書的例示性實施態樣之導電性結構體包括具有低的光反射率及精細線寬之導線(conductive line)，由此實現高可見度。
在根據本說明書的例示性實施態樣之導電性結構體中，該第二金屬層可將導電性惡化減至最小，且藉由光反射減少層來改善減少光反射率的效果。
100‧‧‧基材
200、210‧‧‧第一金屬層
300、310‧‧‧第二金屬層
400、410‧‧‧光反射減少層
圖1係描繪根據本說明書之一例示性實施態樣的導電性結構體之層狀結構的圖解。
圖2係描繪根據本說明書之例示性實施態樣的導電性結構體係經圖案化的情況之層狀結構的圖解。
圖3係描繪根據實施例及比較例之導電性結構體的光反射率的模擬數據之圖。
在本說明書中，當提到一特定構件係位在另一構件(the other member)「上」時，此包括尚有另一構件存在於二個構件之間的情況，還有該特定構件與另一構件接觸的情況。
在本說明書中，除非明顯描述相反者，否則當提到一特定部分“包含(comprise)”一特定組成分要素時，此意指另一組成分要素可被進一步包括、而非另一組成分元件被排除。
之後，本說明書將詳細予以說明。
本說明書之一例示性實施態樣提供導電性結構體，其包括：基材；第一金屬層，其提供於該基材上，且由單一金屬所形成；第二金屬層，其形成於該第一金屬層的至少一表面上，由二或更多種金屬所形成，且係由半透明材料所形成；以及光反射減少層，其形成於該第二金屬層上並由半透明材料所形成，其中該光反射減少層包括形成該第二金屬層的金屬氮氧化物，且相較於未提供該第二金屬層的情況下，該光反射減少層的表面之平均光反射率在具有380nm至780nm波長的光下係減少7%至50%。
該半透明材料意指一材料，其透射係數在可見射線區域中不為0%。具體而言，該半透明材料可意指一材料，其光透射係數在可見射線區域中係1%或更高且60%或更低。
圖1係描繪根據本說明書之一例示性實施態樣的導電性結構體之層狀結構的圖解。具體而言，圖1描繪該導電性結構體，其中基材100、第一金屬層200、第二金屬層300、及光反射減少層400係依序地提供。然而，本發明並不限於圖1之結構，且額外層可進一步地來提供。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導電性結構體可具有一結構，其中基材、第一金屬層、第二金屬層、及光反射減少層係依序地提供。
進一步地，根據本說明書之例示性實施態樣，該導電性結構體可具有一結構，其中基材、光反射減少層、第二金屬層、及第一金屬層係依序地提供。
該第二金屬層與該光反射減少層一起可用來控制在較低側的該第一金屬層之光反射。具體而言，透過光學設計，可藉由將光反射減至最小以壓抑該導電性層疊體的盲性現象(blinding phenomenon)，該光反射通過該光反射減少層及該第二金屬層並達到該第一電極層之表面。
該第二金屬層係半透明材料，且形成極小厚度並不會造成產出下降。此外，該第二金屬層可預防該光反射減少層之金屬被擴散至較低的層。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層可由 金屬所形成，其在具有380nm至780nm波長的光下、於具有0%的光透射係數之厚度中，平均光反射率係60%至100%。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層可由Cu、Al、Mo、Ti、Ag、Ni、Mn、Au、Cr、或Co所形成。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層可由Cu或Al形成。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層可由二種金屬所形成，其在具有380nm至780nm波長的光下、於具有0%的光透射係數之厚度中，平均光反射率係40%至60%。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層可由二種金屬所形成，該二種金屬係選自由下列所組成之群組：Cu、Al、Mo、Ti、Ag、Ni、Mn、Au、Cr、及Co所形成。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層可包括二或更多種金屬，該二或更多種金屬係選自由Cu、Mo、Ti、及Ni所組成之群組。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層可由Cu、Al、Mo、Ti、Ag、Ni、Mn、Au、Cr、及Co之中的二或更多種金屬所形成。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層可包括Cu、Mo、Ti、及Ni之中的二或更多種金屬。更具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層可由MoTi所形成。
根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層可 包括二或更多種金屬之氮氧化物所形成，該二或更多種金屬係選自由下列所組成之群組：Cu、Al、Mo、Ti、Ag、Ni、Mn、Au、Cr、及Co。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層可包括二或更多種金屬之氮氧化物，該二或更多種金屬係選自由Cu、Mo、Ti、及Ni所組成之群組。更具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層可包括MoTi之氮氧化物。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層之厚度可係10nm或更大及1μm或更小。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層之厚度可係100nm或更大，且更具體而言，係150μm或更大。進一步地，根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層之厚度可係500nm或更小，且更具體而言，係200nm或更大。該第一金屬層之導電性取決於厚度，以使當該第一金屬層過薄時，連續厚度不會形成，而有比電阻值增加的問題，且由此該第一金屬層之厚度可係100nm或更大。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層之厚度可係3nm或更大及35nm或更小。
具體而言，該第二金屬層可由半透明材料於厚度範圍內所形成。具體而言，透過該第一金屬層、該第二金屬層、及該反射減少層之干擾，該第二金屬層可確保光穿過的反射率之下降。
根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層之厚度可係10nm或更大及100nm或更小。具體而言，根 據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層之厚度可係20nm或更大及60nm或更小。更具體言之，根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層之厚度可係30nm或更大及60nm或更小。
當該光反射減少層之厚度係少於10nm時，可能會發生其無法足以減少該第一金屬層之高的光反射率之問題。進一步地，當該光反射減少層之厚度係大於100nm時，可能會發生難以圖案化該光反射減少層之問題。
根據本說明書之例示性實施態樣，在具有380nm至780nm波長的光下，該光反射減少層表面的平均光反射率可係25%或更小。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，在具有380nm至780nm波長的光下，該光反射減少層表面的平均光反射率可係20%或更小。更具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，在具有380nm至780nm波長的光下，該光反射減少層表面的平均光反射率可係15%或更小。根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層表面的平均光反射率可係1%或更大。
平均光反射率可於相鄰該第二金屬層的該光反射減少層表面相反處來測量。具體而言，該平均光反射率可於該導電性結構體暴露於視野的表面來測量。
根據本說明書之例示性實施態樣，在具有380nm至780nm波長的光下，該第二金屬層的消光係數k可係2.9或更大及3.8或更小。
根據本說明書之例示性實施態樣，在具有380nm至 780nm波長的光下，該光反射減少層的消光係數k可係0.2或更大及1或更小。
該消光係數可藉由橢圓偏光計測量裝備來測量，此係本技術領域中所熟知者。
該消光係數k可被稱為吸光係數，且係界定該導電性結構體在預定波長下吸收光有多強之指數，以及判定該導電性結構體透光率之因子。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導電性結構體可包括提供在該基材上之導線，且該導線可包括該第一金屬層、該第二金屬層、及該光反射減少層。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層可係第一金屬圖案層。根據本說明書之例示性實施態樣，該第二金屬層可係第二金屬圖案層。根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層可係光反射減少圖案層。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導線可包括導電性圖案，其包括複數個開口，且該等導線將該等複數個開口分開。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導線可包括該第一金屬圖案層、該第二金屬圖案層、及該光反射減少圖案層。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導線可形成規則圖案或不規則圖案。具體而言，該導線可被提供而同時透過圖案化製程形成圖案於該基材上。
具體而言，該圖案可係多角形狀(諸如三角形及四角 形)、圓形、橢圓形、或不成形形式。三角形可係等邊三角形或直角三角形，且四角形可係正方形、長方形或梯形。
作為規則圖案，可使用本技術領域中之圖案形式，諸如篩目圖案及類似者。不規則圖案未特別受限，但亦可係界限形式之構成沃羅諾伊圖(Voronoi diagram)的圖紋。根據本說明書之例示性實施態樣，圖案形式採用不規則圖案的情況下，由具有指向性之發光的被反射光的繞射圖案可由不規則圖案而移除，且散射光之效果可藉由該光反射減少圖案層而減至最小，而使可見度之問題可減至最小。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導線之線寬可係0.1μm或更大及100μm或更小。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該導線之線寬可係0.1μm或更大及50μm或更小、0.1μm或更大及30μm或更小、或0.1μm或更大及10μm或更小，但不限於此。該導線之線寬可根據該導電性結構體之最終使用而設計。
當該導線之線寬係小於0.1μm時，會難以實現該圖案，且當該導線之線寬係大於100μm時，可見度會劣化。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬圖案層、該第二金屬圖案層、及該光反射減少圖案層可具有含有相同形狀之圖案。然而，該第一金屬圖案層、該第二金屬圖案層、及該光反射減少圖案層之線寬不需完全相同於分別相鄰圖案層之線寬，且在該第一金屬圖案層、該第二 金屬圖案層、及該光反射減少圖案層小於或大於相鄰圖案層之線寬的情況係包括於本說明書之範圍中。具體而言，該第二金屬圖案層之線寬可係該第一金屬圖案層之線寬的80%或更大及120%或更小。進一步地，該光反射減少圖案層之線寬可係該第二金屬圖案層之線寬的80%或更大及120%或更小。更具體而言，該光反射減少圖案層之線寬可相同於或大於該第二金屬圖案層之線寬。
當該光反射減少圖案層之線寬係大於該第二金屬圖案層之線寬時，則當使用者觀視該導電性結構體時，藉由該光反射減少圖案層隱藏該第一或秒金屬圖案層之效果可係較大的，而可有效地阻斷該金屬層本身或該金屬層之反射的光澤度之效果。然而，即使該光反射減少圖案層之線寬係相同於該第二金屬圖案層之線寬，仍可達到減少光反射之效果。
根據本說明書之例示性實施態樣，相鄰的該等導線之間的線距(line interval)可係0.1μm或更大及100μm或更小。
根據本說明書之例示性實施態樣，相鄰的該等導線之間的線距可係0.1μm或更大，具體而言係10μm或更大、且更具體而言係20μm或更大。進一步地，根據本說明書之例示性實施態樣，該等導線之線距可係100μm或更小，具體而言係30μm或更小。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導線可用精細線寬之圖案來實施，且包括該導線之電極可實現優異可見 度。
圖2係描繪根據本說明書之例示性實施態樣的導電性結構體係經圖案化的情況之層狀結構的圖解。具體而言，圖2描繪根據本說明書之例示性實施態樣的導電性結構體中該導線之層狀結構。圖2描繪該層狀結構，其中基材100、第一經圖案化之金屬層210、第二經圖案化之金屬層310、及經圖案化之光反射減少層410係依序地提供。然而，本發明並不限於圖2之結構，且額外層可進一步地來提供。在圖2中，a意指該導線之線寬，且b意指介於相鄰導線之間的線距。
根據本說明書之例示性實施態樣，該基材可係透明基材。具體而言，根據本說明書之例示性實施態樣，該基材可係玻璃或聚對酞酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、或聚醯胺(PA)。或是，根據本說明書之例示性實施態樣，該基材可係液晶顯示器之絕緣層。具體而言，該基材可係預定構件，該第一金屬層係提供於該預定構件中。
根據本說明書之例示性實施態樣，可進一步提供透明導電性層於該基材與該第一金屬層之間。
根據本說明書之例示性實施態樣，可使用透明導電氧化物層作為該透明導電性層。可使用氧化銦、氧化鋅、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鋅錫氧化物、非晶質透明導電性聚合物、及類似者作為該透明導電氧化物，且彼等之一或二個或更多種可一起使用，但該透明導電氧化物不限於此。根據本說明書之例示性實施態樣，該透明導電性層可 係銦錫氧化物層。
根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層及該第二金屬層各可由使用諸如蒸發、濺射、濕式塗覆、汽化、電解電鍍或無電電鍍、及金屬箔層壓之方法而形成。
進一步地，根據本說明書之例示性實施態樣，該第一金屬層及該第二金屬層各可由使用印刷方法而形成。具體而言，該印刷方法可使用油墨或包括金屬之糊劑，且該糊劑除了金屬之外，亦可進一步包括黏合劑樹脂、溶劑、玻璃玻料、及類似者。
根據本說明書之例示性實施態樣，該光反射減少層可係藉由在氮氣氛中的沈積製程而形成。
根據本說明書之例示性實施態樣，該導線可藉由圖案化該第一金屬層、該第二金屬層、及該光反射減少層而形成。該圖案化可在該第一金屬層、該第二金屬層、及該光反射減少層上同時進行。
根據本說明書之例示性實施態樣，該圖案化可使用具有蝕刻光阻(etching resist)特性之材料。該蝕刻光阻可藉由印刷方法、光微影方法、照相法、乾膜光阻法(dry film resist method)、濕式光阻法、使用遮罩之方法、或雷射轉移(例如熱轉移影像)而形成光阻圖案，且具體而言，可使用乾膜光阻法。然而，該蝕刻光阻不限於此。該第一金屬層、該第二金屬層、及/或該光反射減少層係使用該蝕刻光阻圖案而蝕刻及圖案化，且該蝕刻光阻圖案可輕易地藉由剝除製程(strip process)而移除。
根據本說明書之例示性實施態樣，在圖案化中，該第一金屬層、該第二金屬層、及該光反射減少層係藉由使用蝕刻劑而一起蝕刻。
本說明書的例示性實施態樣提供包括該導電性結構體之電極。
根據本說明書之例示性實施態樣，該電極可係用於觸摸面板之電極、用於液晶顯示器之電極、或用於OLED顯示器之電極。
本說明書之一例示性實施態樣提供包括電極之顯示裝置。
在本說明書中，顯示裝置係總括地指涉TV、電腦螢幕或類似者，包括形成影像之顯示裝置，以及支撐該顯示裝置之外殼。
根據本說明書之例示性實施態樣，該電極可係用於觸控螢幕面板的觸感測器之電極。
根據本說明書之例示性實施態樣，該電極可係液晶顯示器裝置之配線電極(wiring electrode)、共電極、及/或畫素電極。具體而言，該電極可係IPS液晶顯示器裝置之配線電極、共電極、及/或畫素電極。
根據本說明書之例示性實施態樣，該電極可係OLED顯示器裝置之配線電極、共電極、及/或畫素電極。
根據本說明書之例示性實施態樣，該電極可係OLED發光裝置之畫素電極。
之後，本說明書將參照實施例詳細予以說明。然而， 根據本說明書之實施例可經修飾成各種形式，且該本說明書之範圍解讀不受限於下列所述之實施例。本說明書的實施例係提供以對熟習本技術領域者更完整說明本案。
<實施例及比較例>
本案發明人進行由Cu所形成的第一金屬層；形成於該第一金屬層之上且由MoTi所形成的第二電極層；以及形成於該第二電極層之上、具有45nm之厚度、且由MoTiON所形成的光反射減少層之光反射率模擬。
在該第二金屬層之厚度設定為0nm作為比較例、且該第二金屬層之厚度設定為5nm、10nm、15nm、30nm、及30nm作為實施例的情況下，該光反射減少層表面的光反射率之模擬數據係呈現於圖3中。
參照圖3，可觀察到，相較於未提供第二金屬層的比較例，提供第二金屬層的實施例，於整個波長區域中，光反射率均係低的。因此，可推論根據本說明書之例示性實施態樣的導電性結構體之光反射減少層表面的低光反射率。

Claims (16)

  1. 一種導電性結構體，其包含：基材；第一金屬層，其提供於該基材上，且由單一金屬所形成；第二金屬層，其提供於該第一金屬層的至少一表面上，由二或更多種金屬所形成，且由半透明材料所形成；以及光反射減少層，其提供於該第二金屬層上並由半透明材料所形成，其中該光反射減少層包括形成該第二金屬層的金屬之氮氧化物，且相較於未提供該第二金屬層的情況下，該光反射減少層的表面之平均光反射率在具有380nm至780nm波長的光中係下降7%至50%。
  2. 如請求項1之導電性結構體，其中該第一金屬層係由金屬所形成，其在具有380nm至780nm波長的光下、於該第一金屬層具有0%的光透射係數之厚度中，平均光反射率係60%至100%。
  3. 如請求項1之導電性結構體，其中該第二金屬層係由二或更多種金屬所形成，其在具有380nm至780nm波長的光下、於該第二金屬層具有0%的光透射係數之厚度中，平均光反射率係40%至60%。
  4. 如請求項1之導電性結構體，其中該第一金屬層之厚度係10nm或更大及1μm或更小。
  5. 如請求項1之導電性結構體，其中該第二金屬層之厚度係3nm或更大及35nm或更小。
  6. 如請求項1之導電性結構體，其中該光反射減少層之厚度係10nm或更大及100nm或更小。
  7. 如請求項1之導電性結構體，其中在具有380nm至780nm波長的光下，該光反射減少層表面的平均光反射率可係25%或更小。
  8. 如請求項1之導電性結構體，其中在具有380nm至780nm波長的光下，該第二金屬層的消光係數(k)係2.9或更大及3.8或更小。
  9. 如請求項1之導電性結構體，其中在具有380nm至780nm波長的光下，該光反射減少層的消光係數(k)係0.2或更大及1或更小。
  10. 如請求項1之導電性結構體，其進一步包含：導線(conductive line)，其提供於該基材上，其中，該導線包括該第一金屬層、該第二金屬層、及該光反射減少層。
  11. 如請求項10之導電性結構體，其中該導線包括導電性圖案，其包括複數個開口，且該等導線將該等複數個開口分開。
  12. 如請求項11之導電性結構體，其中該導線之線寬係0.1μm或更大及100μm或更小。
  13. 如請求項11之導電性結構體，其中相鄰的該等導線之間的線距(line interval)係0.1μm或更大及100μm或更小。
  14. 一種電極，其包含請求項1至13中任一項之導電性結構體。
  15. 如請求項14之電極，其中該電極係用於觸摸面板之電極、用於液晶顯示器之電極、或用於OLED顯示器之電極。
  16. 一種顯示裝置，其包含如請求項14之電極。
TW105134560A 2015-10-27 2016-10-26 導電性結構體、電極及包含彼之顯示裝置 TWI664435B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150149498A KR101997661B1 (ko) 2015-10-27 2015-10-27 전도성 구조체, 이를 포함하는 전극 및 디스플레이 장치
??10-2015-0149498 2015-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201728919A TW201728919A (zh) 2017-08-16
TWI664435B true TWI664435B (zh) 2019-07-01

Family

ID=58631669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105134560A TWI664435B (zh) 2015-10-27 2016-10-26 導電性結構體、電極及包含彼之顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10613393B2 (zh)
KR (1) KR101997661B1 (zh)
CN (1) CN108139638B (zh)
TW (1) TWI664435B (zh)
WO (1) WO2017073969A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102391800B1 (ko) * 2018-06-15 2022-04-29 주식회사 엘지화학 비정질 박막의 제조방법
CN109119452A (zh) * 2018-09-18 2019-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US20200091378A1 (en) * 2018-09-18 2020-03-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display apparatus
CN109917968A (zh) * 2019-03-28 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种导电结构、触控结构及触控显示装置
CN111864105A (zh) * 2020-07-09 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201426767A (zh) * 2012-08-31 2014-07-01 Lg Chemical Ltd 導電結構體及其製造方法
US20150002936A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-01 Lg Display Co., Ltd. Display Device

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006162942A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Ulvac Seimaku Kk ブランクス及びその形成方法、並びに該ブランクスを用いたブラックマトリックス及びその形成方法、
US20080252204A1 (en) * 2005-03-31 2008-10-16 Pioneer Corporation Organic Electroluminescence Device and Manufacturing Method of the Same
EP1826605A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
FR2924863B1 (fr) * 2007-12-07 2017-06-16 Saint Gobain Perfectionnements apportes a des elements capables de collecter de la lumiere.
US8154038B2 (en) * 2008-07-01 2012-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Group-III nitride for reducing stress caused by metal nitride reflector
KR101642511B1 (ko) 2008-07-14 2016-07-25 주식회사 엘지화학 도전성 적층체 및 이의 제조방법
FR2945131B1 (fr) * 2009-04-30 2014-05-16 Fasver Film holographique metallise et son procede de fabrication
CN103180779B (zh) * 2010-10-22 2015-10-21 Lg化学株式会社 包括导电图案的显示设备
KR101224282B1 (ko) * 2011-03-04 2013-01-21 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
JP5765044B2 (ja) * 2011-04-28 2015-08-19 ブラザー工業株式会社 光スキャナ
US8736939B2 (en) * 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
TWI506752B (zh) * 2012-04-18 2015-11-01 Lg Chemical Ltd 導電結構體及其製備方法
US9876189B2 (en) * 2012-04-24 2018-01-23 Konica Minolta, Inc. Transparent electrode, electronic device, and transparent electrode manufacturing method
CN202678397U (zh) * 2012-06-15 2013-01-16 杭州士兰明芯科技有限公司 一种垂直结构的led芯片
KR101543496B1 (ko) * 2012-06-19 2015-08-10 (주)엘지하우시스 저방사 단열 코팅막, 이를 포함하는 건축 자재 및 저방사 단열 코팅막 제조 방법
JP2015533682A (ja) * 2012-08-31 2015-11-26 エルジー・ケム・リミテッド 伝導性構造体およびその製造方法
US20140071139A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Imod pixel architecture for improved fill factor, frame rate and stiction performance
KR101976637B1 (ko) * 2012-10-11 2019-05-10 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 이의 제조방법
US20140176570A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Pixtronix, Inc. Interferometric light absorbing structure for display apparatus
CN104919899B (zh) * 2013-01-15 2017-07-11 柯尼卡美能达株式会社 透明电极、电子器件、及有机电致发光元件
JP2014235115A (ja) * 2013-06-04 2014-12-15 ウシオ電機株式会社 マイクロチップおよびマイクロチップにおける金属薄膜の成膜方法
KR102264472B1 (ko) * 2013-07-01 2021-06-14 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
TW201502892A (zh) * 2013-07-05 2015-01-16 Wintek Corp 觸控面板
CN104656971A (zh) * 2013-11-18 2015-05-27 鼎展电子股份有限公司 具有金属网格的透明导电结构
CN104749830A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 介面光电股份有限公司 电极结构及带有该电极结构的触控面板装置
CN104730603B (zh) * 2015-04-01 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种防反射层叠结构及其制作方法、基板和显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201426767A (zh) * 2012-08-31 2014-07-01 Lg Chemical Ltd 導電結構體及其製造方法
US20150002936A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-01 Lg Display Co., Ltd. Display Device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170048868A (ko) 2017-05-10
CN108139638A (zh) 2018-06-08
WO2017073969A1 (ko) 2017-05-04
US10613393B2 (en) 2020-04-07
US20180252951A1 (en) 2018-09-06
TW201728919A (zh) 2017-08-16
CN108139638B (zh) 2021-03-09
KR101997661B1 (ko) 2019-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI664435B (zh) 導電性結構體、電極及包含彼之顯示裝置
KR101306563B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
TWI584163B (zh) Touch panel sensors, touch panel devices and display devices
US10057979B2 (en) Conductive structure body and method for manufacturing the same
CN107428127B (zh) 导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极
TWI463370B (zh) 導電基板及包含其之觸控螢幕
TWI473147B (zh) 包括導電圖案之觸控面板
TWI537989B (zh) 導電結構體及其製造方法、觸控螢幕面板、顯示裝置與太陽能電池
KR102127545B1 (ko) 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 전도성 구조체를 포함하는 전극
JP5683035B2 (ja) 導電性基板、電子素子及びディスプレイ装置
CN105745610A (zh) 导电结构及其制造方法
US20170285787A1 (en) Touch sensor panel and method for manufacturing same
KR102100534B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR102102017B1 (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법
TWI537653B (zh) 顯示裝置
KR20150134837A (ko) 전도성 구조체 및 이의 제조방법