KR20170048868A - 전도성 구조체, 이를 포함하는 전극 및 디스플레이 장치 - Google Patents

전도성 구조체, 이를 포함하는 전극 및 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 전도성 구조체, 이를 포함하는 전극 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.

Description

전도성 구조체, 이를 포함하는 전극 및 디스플레이 장치{CONDUCTIVE STRUCTURE BODY, ELECTRODE AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 명세서는 전도성 구조체, 이를 포함하는 전극 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이 장치는 최근 멀티 미디어 사회에서 사용되는 가장 중요한 디스플레이 장치로서, 휴대 전화로부터 컴퓨터용 모니터, 노트북, 텔레비전(Television)에 이르기까지 폭 넓게 이용되고 있다. 액정 디스플레이 장치로는 2장의 직교한 편광판 사이에 네마틱(Nematic) 액정을 트위스트(Twist) 배열시킨 액상 결정층을 개재시킨 다음, 전계를 기판에 대하여 수직인 방향에 걸리게 하는 TN 모드가 있다. 이러한 TN 모드 방식에서는 검은색 표시시 액정이 기판에 수직한 방향으로 배향하기 때문에, 경사진 시야각에서 액정 분자에 의한 복굴절이 발생하고 빛 누출이 일어난다.
이러한 TN 모드 방식의 시야각 문제를 해결하기 위해서, 하나의 기판 상에 두개의 전극을 형성하고 두 전극 사이에서 발생하는 횡전계로 액정의 방향자를 조절하는 IPS 모드(In-Plane Switching Mode)가 도입되었다. 즉, IPS 모드 방식은 면상 스위칭 액정 디스플레이 또는 횡전계방식 액정 디스플레이라고도 불리우며, 액정이 배치되는 셀 내에 전극을 같은 면상에 배치함으로써 액정이 수직방향으로 정렬되는 것이 아니라 전극의 횡방향 면에 평행하게 정렬되도록 한다.
다만, IPS 모드 방식의 경우, 화소 전극 및 공통 전극의 높은 광반사율에 의하여 고화질 구현이 곤란한 문제가 발생할 수 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0007605호
본 명세서는 고화질의 디스플레이 구현이 가능한 전도성 구조체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재; 상기 기재 상에 구비된, 단일 금속으로 이루어진 제1 금속층; 상기 제1 금속층의 적어도 일면 상에 구비된, 2종 이상의 금속으로 이루어진 반투명 재질의 제2 금속층; 및 상기 제2 금속층 상에 구비된 반투명 재질의 광반사 저감층을 포함하고,
상기 광반사 저감층은 제2 금속층을 구성하는 금속의 산질화물을 포함하며, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은, 상기 제2 금속층이 구비되지 않는 경우에 비하여 7 % 내지 50 % 저감되는 전도성 구조체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 전극을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전극을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 금속층의 광반사율을 제어하여, 낮은 광반사율을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 미세 선폭의 낮은 광반사율을 갖는 전도성 라인을 구비하여, 높은 시인성을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 제2 금속층을 통하여, 전기 전도성의 저하를 최소화하며, 광반사 저감층에 의한 광반사율 저감을 높이는 역할을 할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가 패턴화된 경우의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 3은 실시예 및 비교예에 따른 전도성 구조체의 광반사율의 시뮬레이션 데이터를 나타낸 것이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 기재; 상기 기재 상에 구비된, 단일 금속으로 이루어진 제1 금속층; 상기 제1 금속층의 적어도 일면 상에 구비된, 2종 이상의 금속으로 이루어진 반투명 재질의 제2 금속층; 및 상기 제2 금속층 상에 구비된 반투명 재질의 광반사 저감층을 포함하고,
상기 광반사 저감층은 제2 금속층을 구성하는 금속의 산질화물을 포함하며, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은, 상기 제2 금속층이 구비되지 않는 경우에 비하여 7 % 내지 50 % 저감되는 전도성 구조체를 제공한다.
상기 반투명 재질이라 함은, 가시광선 영역에서의 투과율이 0 %가 아닌 것을 의미한다. 구체적으로, 상기 반투명 재질이라 함은, 가시광선 영역에서의 광투과율이 1 % 이상 60 % 이하인 것을 의미할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 1은 기재(100), 제1 금속층(200), 제2 금속층(300) 및 광반사 저감층(400)이 순차적으로 구비된 전도성 구조체를 도시한 것이다. 다만, 도 1의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체는 기재; 제1 금속층; 제2 금속층; 광반사 저감층이 순차적으로 구비된 구조일 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체는 기재; 광반사 저감층; 제2 금속층; 제1 금속층이 순차적으로 구비된 구조일 수 있다.
상기 제2 금속층은 상기 광반사 저감층과 함께 하부의 제1 금속층의 광반사를 제어하는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 광설계를 통하여, 상기 광반사 저감층 및 상기 제2 금속층을 통과하여 상기 제1 전극층의 표면에 도달하는 빛의 반사를 최소화하여 상기 전도성 적층체의 눈부심 현상을 억제할 수 있다.
상기 제2 금속층은 반투명 재질로서, 매우 얇은 두께로 형성되어 생산성 저하를 유발하지 않는다. 추가적으로, 상기 제2 금속층은 상기 광반사 저감층의 금속이 하부층으로의 확산(diffusion)되는 것을 방지할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층은 광투과율이 0 %가 되는 두께에서, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서의 평균 광반사율이 60 % 내지 100 %인 금속으로 이루어질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층은 Cu, Al, Mo, Ti, Ag, Ni, Mn, Au, Cr 또는 Co로 이루어진 것일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층은 Cu 또는 Al로 이루어진 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층은 광투과율이 0 %가 되는 두께에서, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서의 평균 광반사율이 40 % 내지 60 %인, 2종 이상의 금속으로 이루어질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층은 Cu, Al, Mo, Ti, Ag, Ni, Mn, Au, Cr 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 2종 이상의 금속으로 이루어진 것일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층은 Cu, Mo, Ti 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 2종 이상의 금속으로 이루어진 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층은 Cu, Al, Mo, Ti, Ag, Ni, Mn, Au, Cr 및 Co 중 2종의 금속으로 이루어진 것일 수 있다. 구체적으로, 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층은 Cu, Mo, Ti 및 Ni 중 2종의 금속으로 이루어진 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층은 MoTi로 이루어진 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 금속층은 Cu, Al, Mo, Ti, Ag, Ni, Mn, Au, Cr 및 Co로 이루어진 군에서 선택되는 2종 이상의 금속의 산질화물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 Cu, Mo, Ti 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 2종 이상의 금속의 산질화물을 포함하는 것일 수 있다. 보다 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 MoTi의 산질화물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층의 두께는 10 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층의 두께는 100 nm 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 150 nm 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층의 두께는 500 nm 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 200 nm 이하일 수 있다. 상기 제1 금속층은 전기 전도도가 두께에 의존하므로 매우 얇으면 연속적인 두께가 형성되지 않아서 비저항 값이 증가하는 문제가 있을 수 있으므로, 상기 제1 금속층의 두께는 100 nm 이상일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층의 두께는 3 ㎚ 이상 35 ㎚ 이하일 수 있다.
구체적으로, 상기 제2 금속층은 상기 두께 범위 내에서, 반투명한 재질로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 금속층은 빛의 투과를 통해 제1 금속층, 제2 금속층, 반사 저감층의 간섭을 통한 반사율 저감을 확보할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 20 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 30 ㎚ 이상 60 ㎚ 이하일 수 있다.
상기 광반사 저감층의 두께가 10 ㎚ 미만인 경우, 상기 제1 금속층에 의한 높은 광반사율를 충분히 낮추지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 광반사 저감층의 두께가 100 ㎚ 초과인 경우, 상기 광반사 저감층을 패턴화하기 곤란한 문제가 발생할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 25 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 20 % 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 15 % 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 1 % 이상일 수 있다.
상기 평균 광반사율은 상기 제2 금속층에 인접하는 광반사 저감층의 반대면에서 측정된 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 평균 광반사율은 상기 전도성 구조체가 시야에 노출되는 면에서 측정된 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 제2 금속층의 소멸계수(k)는 2.9 이상 3.8 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층의 소멸계수(k)는 0.2 이상 1 이하일 수 있다.
상기 소멸계수는 당업계에 알려진 Ellipsometer 측정장비 등을 이용하여 측정할 수 있다.
상기 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 전도성 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도로서, 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 구조체는 상기 기재 상에 구비된 전도성 라인을 포함하고, 상기 전도성 라인은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 광반사 저감층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층은 제1 금속 패턴층일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 금속층은 제2 금속 패턴층일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 광반사 저감 패턴층일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 복수의 개구부와 이를 구획하는 상기 전도성 라인을 포함하는 전도성 패턴을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 제1 금속 패턴층, 제2 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 규칙적 패턴 또는 불규칙적인 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 라인은 패터닝 과정을 통하여 상기 기재 상에서 패턴을 형성하며 구비될 수 있다.
구체적으로, 상기 패턴은 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원, 타원형 또는 무정형의 형태가 될 수 있다. 상기 삼각형은 정삼각형 또는 직각삼각형 등이 될 수 있고, 상기 사각형은 정사각형, 직사각형 또는 사다리꼴 등이 될 수 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴 형태를 불규칙 패턴으로 하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 상기 광반사 저감 패턴층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있고, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 또는 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 전도성 라인의 선폭은 상기 전도성 구조체의 최종 용도에 따라 설계될 수 있다.
상기 전도성 라인의 선폭이 0.1 ㎛ 미만이면 패턴의 구현이 어려울 수 있고, 100 ㎛ 초과이면 시인성이 떨어질 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속 패턴층, 상기 제2 금속 패턴층 및 광반사 저감 패턴층은 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 제1 금속 패턴층, 상기 제2 금속 패턴층 및 상기 광반사 저감 패턴층은 각각 인접하는 패턴층의 선폭과 완전히 동일할 필요는 없으며, 인접하는 패턴층의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 명세서의 범위에 포함된다. 구체적으로, 상기 제2 금속 패턴층의 선폭은 상기 제1 금속 패턴층의 선폭의 80% 이상 120% 이하일 수 있다. 또한, 상기 광반사 저감 패턴층의 선폭은 상기 제2 금속 패턴층의 선폭의 80% 이상 120% 이하일 수 있다. 더욱 구체적으로, 상기 광반사 저감 패턴층의 선폭은 상기 제2 금속 패턴층의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태일 수 있다.
상기 광반사 저감 패턴층이 상기 제2 금속층의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 광반사 저감 패턴층이 제1 또는 제2 금속 패턴층을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 금속층 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 광반사 저감 패턴층의 선폭이 상기 제2 금속 패턴층의 선폭과 동일하여도 광반사 저감의 효과를 달성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 인접하는 상기 전도성 라인 간의 선간격은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 0.1 ㎛ 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 10 ㎛ 이상일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 20 ㎛ 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 100 ㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 30 ㎛ 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 미세 선폭의 패턴으로 구현될 수 있으므로, 이를 포함하는 전극은 우수한 시인성을 구현할 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가 패턴화된 경우의 적층 구조를 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체에 있어서, 전도성 라인의 적층 구조를 도시한 것이다. 도 2에 있어서, 기재(100), 패턴화된 제1 금속층(210), 패턴화된 제2 금속층(310) 및 패턴화된 광반사 저감층(410)이 순차적으로 구비된 것을 나타낸다. 다만, 도 2의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다. 도 2에서 a는 전도성 라인의 선폭을 의미하고, b는 인접하는 전도성 라인간의 선간격을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 투명 기재일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리아미드(PA)일 수 있다. 또는, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 액정 디스플레이 소자의 절연층일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재는 상기 제1 금속층이 구비되는 임의의 부재일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재와 상기 제1 금속층 사이에 투명 전도성층이 더 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층으로는 투명 전도성 산화물층이 사용될 수 있다. 상기 투명 전도성 산화물로는 인듐 산화물, 아연 산화물, 인듐주석 산화물, 인듐아연 산화물, 인듐아연주석 산화물 및 비결정성 투명 전도성 고분자 등을 사용할 수 있으며, 이들 중 1종 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 전도성층은 인듐주석산화물층일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층, 제2 금속층은 각각 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 금속층, 제2 금속층은 각각 인쇄 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 인쇄 방법은 금속을 포함하는 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 금속 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층은 질소 분위기에서 증착공정을 통하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 광반사 저감층의 패터닝을 통하여 형성될 수 있다. 상기 패터닝은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 광반사 저감층을 동시에 패터닝하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패터닝은 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다. 에칭 레지스트는 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 건식 필름 레지스트 방법, 습식 레지스트 방법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이저 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 레지스트 패턴을 형성할 수 있으며, 구체적으로, 건식 필름 레지스트 방법을 이용할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및/또는 광반사 저감층을 에칭하여 패터닝하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 스트립(strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패터닝은 에칭액을 이용하여 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 광반사 저감층을 일괄 에칭하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체를 포함하는 전극을 제공한다.
본 명세성의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 터치 패널용 전극, 액정 디스플레이용 전극, 또는 OLED 디스플레이용 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 전극을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 터치 스크린 패널의 터치 센서용 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 액정 디스플레이 장치의 배선 전극, 공통 전극 및/또는 화소 전극일 수 있다. 구체적으로, 상기 전극은 IPS 액정 디스플레이 장치에서의 배선 전극, 공통 전극 및/또는 화소 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 OLED 디스플레이 장치의 배선 전극, 공통 전극 및/또는 화소 전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전극은 OLED 조명 장치의 화소 전극일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[실시예 및 비교예]
본 발명자들은 Cu로 이루어진 제1 금속층, 상기 제1 금속층 상에 구비된 MoTi 이루어진 제2 전극층 및 상기 제2 전극층 상에 구비된 45 ㎚ 두께의 MoTiON로 이루어진 광반사 저감층의 광반사율을 시뮬레이션하였다.
비교예로서, 상기 제2 금속층의 두께를 0 ㎚ 로 설정한 경우와, 실시예로서 제2 금속층의 두께가 5 ㎚, 10 ㎚, 15 ㎚, 30 ㎚, 30 ㎚ 인 경우의 광반사 저감층 표면에서의 광반사율의 시뮬레이션 자료는 도 3과 같다.
도 3에 따르면, 제2 금속층이 구비되지 않은 비교예에 비하여, 제2 금속층이 구비된 실시예의 광반사율이 전 파장 영역에서 낮은 것을 확인할 수 있다. 이를 통하여, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 광반사 저감층 표면에서의 낮은 광반사도를 유추할 수 있다.
100: 기재
200, 210: 제1 금속층
300, 310: 제2 금속층
400, 410: 광반사 저감층

Claims (16)

  1. 기재;
    상기 기재 상에 구비된, 단일 금속으로 이루어진 제1 금속층;
    상기 제1 금속층의 적어도 일면 상에 구비된, 2종 이상의 금속으로 이루어진 반투명 재질의 제2 금속층; 및
    상기 제2 금속층 상에 구비된 반투명 재질의 광반사 저감층을 포함하고,
    상기 광반사 저감층은 제2 금속층을 구성하는 금속의 산질화물을 포함하며,
    380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은, 상기 제2 금속층이 구비되지 않는 경우에 비하여 7 % 내지 50 % 저감되는 전도성 구조체.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 금속층은 광투과율이 0 %가 되는 두께에서, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서의 평균 광반사율이 60 % 내지 100 %인 금속으로 이루어진 것인 전도성 구조체.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 금속층은 광투과율이 0 %가 되는 두께에서, 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서의 평균 광반사율이 40 % 내지 60 %인, 2종 이상의 금속으로 이루어진 것인 전도성 구조체.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 금속층의 두께는 10 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 금속층의 두께는 3 ㎚ 이상 35 ㎚ 이하인 것인 전도성 구조체.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 광반사 저감층의 두께는 10 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하인 것인 전도성 구조체.
  7. 청구항 1에 있어서,
    380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층 표면에서의 평균 광반사율은 25 % 이하인 것인 전도성 구조체.
  8. 청구항 1에 있어서,
    380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 제2 금속층의 소멸계수(k)는 2.9 이상 3.8 이하인 것인 전도성 구조체.
  9. 청구항 1에 있어서,
    380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장의 빛에서, 상기 광반사 저감층의 소멸계수(k)는 0.2 이상 1 이하인 것인 전도성 구조체.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체는 상기 기재 상에 구비된 전도성 라인을 포함하고,
    상기 전도성 라인은 상기 제1 금속층, 상기 제2 금속층 및 상기 광반사 저감층을 포함하는 것인 전도성 구조체.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 전도성 라인은 복수의 개구부와 이를 구획하는 상기 전도성 라인을 포함하는 전도성 패턴을 포함하는 것인 전도성 구조체.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  13. 청구항 11에 있어서,
    인접하는 상기 전도성 라인 간의 선간격은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것인 전도성 구조체.
  14. 청구항 1 내지 13 중 어느 한 항에 따른 전도성 구조체를 포함하는 전극.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 전극은 터치 패널용 전극, 액정 디스플레이용 전극, 또는 OLED 디스플레이용 전극인 것인 전극.
  16. 청구항 14에 따른 전극을 포함하는 디스플레이 장치.
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