CN104730603B - 一种防反射层叠结构及其制作方法、基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防反射层叠结构及其制作方法、基板和显示装置，属于显示装置领域。所述防反射层叠结构包括层叠设置的多个吸光层，所述多个吸光层中至少两个吸光层中非金属元素的含量不同。防反射层叠结构由多个吸光层构成，吸光层可以吸收环境光，降低防反射层叠结构对环境光的反射，当防反射层叠结构应用在显示装置中用于遮挡基板时，可以避免反射光拉高屏幕的纯黑亮度，而对比度等于纯白亮度除以纯黑亮度，所以降低反射率可以提高显示对比度，从而保证画面质量。

Description

一种防反射层叠结构及其制作方法、基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置领域，特别涉及一种防反射层叠结构及其制作方法、基板和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(英文Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是平板显示领域中重要的一种，其应用领域非常广泛，如电视、笔记本电脑、监视器、手机等。
在TFT-LCD显示面板中，由于薄膜晶体管、数据线和栅线等多处电场混乱，透光不受控制，不能用于显示，所以需要通过设置黑矩阵对薄膜晶体管、数据线和栅线进行遮挡，使显示面板具有较好的显示效果。
在现有技术中，黑矩阵可以采用金属材料来制作。由于金属材料具有一定的反射率，所以采用金属材料制作的黑矩阵会对光线形成反射，造成显示面板的显示对比度极大下降，影响画面质量。而且，这种显示面板的反射率与黑矩阵的面积大小相关，黑矩阵的面积越大，显示面板的反射率越大，所造成的显示对比度的下降也就越严重。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种防反射层叠结构及其制作方法、基板和显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种防反射层叠结构，包括层叠设置的多个吸光层，所述多个吸光层中至少两个吸光层中非金属元素的含量不同。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述多个吸光层中，非金属元素的含量分布为：从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧逐渐降低，或者从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低。
在本发明实施例的另一种实现方式中，当所述多个吸光层中非金属元素的含量分布为从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低时，所述非金属元素的含量以含量最高的吸光层为中心呈对称分布。
在本发明实施例的另一种实现方式中，每个所述吸光层中非金属元素的含量的范围为大于零小于等于15％。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述吸光层的厚度范围为10～50nm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述吸光层的厚度为20nm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述防反射层叠结构还包括设置在上表面和/或下表面上的透明金属层。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述吸光层的材料包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种或多种。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述金属氧化物为：AlOx、CrOx、CuOx、MoOx、TiOx、AlNdOx、CuMoOx、MoTaOx、MoTiOx中的一种或多种，x为正数；所述金属氮化物为：AlNy、CrNy、CuNy、MoNy、TiOx、AlNdNy、CuMoNy、MoTaNy、MoTiNy中的一种或多种，y为正数；所述金属氮氧化物为：AlNaOb、CrNaOb、CuNaOb、MoNaOb、TiNaOb、AlNdNaOb、CuMoNaOb、MoTaNaOb、MoTiNaOb中的一种或多种，a和b为正数。
第二方面，本发明实施例还提供了一种基板，包括衬底基板及上述的防反射层叠结构，所述防反射层叠结构形成于所述衬底基板上方。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述基板为显示基板，所述防反射层叠结构为所述显示基板上的黑矩阵。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述显示基板为COA基板。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述基板为触摸基板，所述防反射层叠结构为所述触摸基板上用于连接感应电极的桥接结构。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的基板。
第四方面，本发明实施例还提供了一种显示基板制作方法，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上沉积多个吸光层，形成防反射层叠结构，所述防反射层叠结构包括层叠设置的多个吸光层，所述多个吸光层中至少两个吸光层中非金属元素的含量不同。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述多个吸光层中，非金属元素的含量分布为：从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧逐渐降低，或者从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低。
在本发明实施例的另一种实现方式中，当所述多个吸光层中非金属元素的含量分布为从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低时，所述非金属元素的含量以含量最高的吸光层为中心呈对称分布。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述吸光层的厚度范围为10～50nm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述吸光层的厚度为20nm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在所述衬底基板上沉积多个吸光层，形成防反射层叠结构包括：
沉积所述多个吸光层，任意一个所述吸光层采用下述方式沉积得到：以金属或合金为靶材，在Ar和O2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；或者，以金属或合金为靶材，在Ar和N2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；或者，以金属或合金为靶材，在Ar、O2和N2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；
刻蚀所述多个吸光层形成防反射层叠结构。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括：
在所述沉积所述多个吸光层之前和/或之后，控制O2流量为0，沉积一层透明金属层；或者，
在所述沉积所述多个吸光层之前和/或之后，控制N2流量为0，沉积一层透明金属层；或者，
在所述沉积所述多个吸光层之前和/或之后，控制O2和N2流量为0，沉积一层透明金属层。
在本发明实施例的另一种实现方式中，在形成所述防反射层叠结构时，基体温度为25～150℃，沉积功率为5～15kW，沉积压力为0.1～0.5Pa；
当采用所述Ar和O2气氛沉积所述吸光层时，所述Ar和O2气氛中O2的比重为0～20％；当采用所述Ar和N2气氛沉积所述吸光层时，所述Ar和N2气氛中N2的比重为0～20％；当采用所述Ar、O2和N2气氛沉积所述吸光层时，所述Ar、O2和N2气氛中O2和N2的比重之和为0～20％。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述金属为Al、Cr、Cu、Mo或Ti，所述合金为AlNd、CuMo、MoTa或MoTi。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
防反射层叠结构由多个吸光层构成，吸光层可以吸收环境光，降低防反射层叠结构对环境光的反射，当防反射层叠结构应用在显示装置中用于遮挡基板时，可以避免反射光拉高屏幕的纯黑亮度，而对比度等于纯白亮度除以纯黑亮度，所以降低反射率可以提高显示对比度，从而保证画面质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种防反射层叠结构的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种防反射层叠结构的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种防反射层叠结构的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种防反射层叠结构的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种防反射层叠结构的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种基板的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图8是图7提供的显示基板A-A’处剖面结构示意图；
图9是图7提供的显示基板B-B’处剖面结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种触摸基板的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的一种防反射层叠结构制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1提供了一种防反射层叠结构的结构示意图，参见图1，该防反射层叠结构100多个吸光层100a，多个吸光层100a中至少两个吸光层100a中非金属元素的含量不同。
防反射层叠结构由多个吸光层构成，吸光层可以吸收环境光，降低防反射层叠结构对环境光的反射，当防反射层叠结构应用在显示装置中用于遮挡基板时，可以避免反射光拉高屏幕的纯黑亮度，而对比度等于纯白亮度除以纯黑亮度，所以降低反射率可以提高显示对比度，从而保证画面质量。
在本发明实施例中，由于吸光层100a的非金属元素的含量不同，会导致吸光层100a的颜色深浅不同，从而导致吸光层100a的吸光能力有强有弱。为了使防反射层叠结构100吸收环境光的能力最强，可是使多个吸光层100a按照吸光性能逐渐变化排列，即防反射层叠结构100中的多个吸光层100a中非金属元素的含量使渐变的。具体地可以包括下述两种情况：
如图1所示，多个吸光层100a中，非金属元素的含量分布为：从防反射层叠结构100的一侧向另一侧逐渐降低。
图2提供了另一种防反射层叠结构的结构示意图，其提供的防反射层叠结构与图1提供的防反射层叠结构的结构基本相同，区别仅在于多个吸光层100a间的非金属含量变化与图1提供的防反射层叠结构不同。具体地，如图3所示，多个吸光层100a中，非金属元素的含量分布为：从防反射层叠结构100的一侧向另一侧先升高后降低。
具体地，在图1和图2提供的防反射层叠结构中，多个吸光层100a的非金属含量变化时，其可以按照固定的差值进行变化，例如在上述变化趋势前提下，相邻两吸光层中非金属含量差值为1％；当然，也可以按照不固定的差值变化。
其中，图1对应的实现方式适用于对一侧的环境光进行吸收，例如吸收显示装置的内部光线或者外部环境光，当然图1提供的防反射层叠结构对另一侧的环境光也有一定的吸收效果。图2对应的实现方式适用于同时吸收两侧的环境光，即可以同时吸收内部光线和外部环境光。在本发明实施例中，各个吸光层100a的非金属含量变化不限于上述两种情况，例如还可以是无规则变化的，本发明实施例对此不做限制。
另外，从图1至图2中可以看出，在本发明实施例中，每个吸光层100a中的非金属含量为均匀不变的，但仅仅作为举例，每个吸光层100a的非金属含量也可以是变化着的，其变化还可以是渐变或非渐变。
当多个吸光层100a中非金属元素的含量分布为从防反射层叠结构100的一侧向另一侧先升高后降低时，非金属元素的含量以含量最高的吸光层为中心呈对称分布。当然，在本发明是实施例中，当多个吸光层100a中非金属元素的含量分布为从防反射层叠结构100的一侧向另一侧先升高后降低时，非金属元素的含量也可以不以含量最高的吸光层为中心呈对称分布。在实际应用中，各吸光层100a的非金属含量可以根据实际需要进行设计。例如应用在显示装置中的防反射层叠结构100，其各吸光层100a的非金属含量可以根据内部光线和外部环境光的大小进行设计，从而更好的对内部光线和外部环境光进行吸收。
在本发明实施例中，吸光层100a的非金属元素的含量的范围为大于零小于等于15％。吸光层100a中非金属元素的含量在此范围内，可以保证吸光层100a对环境光的吸收性能。
其中，吸光层100a的厚度范围可以为10～50nm。优选地，吸光层100a的厚度可以为20nm。
图3提供了另一种防反射层叠结构的结构示意图，如图3所示，该防反射层叠结构与图1或2提供的防反射层叠结构的结构基本相同，区别仅在于该防反射层叠结构还包括设置在一个表面(上表面或下表面)上的透明金属层100b，即该透明金属层100b设置在图1或2提供的结构的表面。
图4提供了另一种防反射层叠结构的结构示意图，如图4所示，该防反射层叠结构与图1或2提供的防反射层叠结构的结构基本相同，区别仅在于该防反射层叠结构还包括设置在上表面和下表面上的透明金属层100b，即该防反射层叠结构中包括两个透明金属层100b，两个透明金属层100b分别设置在图1或2提供的结构的上、下表面。
透明金属层100b设置在多个吸光层100a的上表面和/或下表面，既不影响防反射层叠结构对于环境光的吸收，又可以提高防反射层叠结构的导电性能。防反射层叠结构导电性能好可以提高所应用的器件的性能。例如，在采用本发明实施例中的防反射层叠结构作为黑矩阵应用在阵列基板中时，由于在很多场景中黑矩阵上通常会覆盖公共电极，即黑矩阵与公共电极电连接，电连接部分的黑矩阵的电阻与公共电极的电阻并联，所以黑矩阵导电性能好，可以使电连接部分的电阻值小于公共电极的电阻，从而使公共电极的电阻所引起的电压差异减小，提高了显示精度；另外，在采用上述防反射层叠结构作为黑矩阵时，由于黑矩阵导电性能好，还可以将黑矩阵同时作为数据线、栅线等布线，降低生产成本。
该透明金属层100b可以是Al、Cr、Cu、Mo、Ti、AlNd、CuMo、MoTa或MoTi等金属构成的金属层，但上述金属种类仅为举例，并不作为本发明的限制。
其中，透明金属层100b的厚度可以为10～50nm，以保证透明金属层100b透明。优选地，透明金属层100b的厚度可以为30nm。
图5提供了另一种防反射层叠结构的结构示意图，如图5所示，该防反射层叠结构与图3提供的防反射层叠结构的结构基本相同，区别仅在于该防反射层叠结构还包括设置在另一表面(下表面或上表面)的缓冲层100c，以加强防反射层叠结构的结合力，例如采用该防反射层叠结构作为黑矩阵时，通过设置缓冲层100c可以加强黑矩阵与衬底基板之间的结合。
进一步地，该缓冲层100c可以是Al、Cr、Cu、Mo、Ti、AlNd、CuMo、MoTa或MoTi等金属构成的金属层，上述金属种类仅为举例，并不作为本发明的限制；更进一步地，该缓冲层100c也可以是常规缓冲层结构，本发明实施例对此并不做限制。
在图1-图5提供的防反射层叠结构中，吸光层100a的材料包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种或多种，当然这里吸光层100a的材料仅为举例，本发明实施例对此并不进行限制。
进一步地，金属氧化物可以为：AlOx、CrOx、CuOx、MoOx、TiOx、AlNdOx、CuMoOx、MoTaOx、MoTiOx中的一种或多种，x为正数；金属氮化物可以为：AlNy、CrNy、CuNy、MoNy、TiOx、AlNdNy、CuMoNy、MoTaNy、MoTiNy中的一种或多种，y为正数；金属氮氧化物为：AlNaOb、CrNaOb、CuNaOb、MoNaOb、TiNaOb、AlNdNaOb、CuMoNaOb、MoTaNaOb、MoTiNaOb中的一种或多种，a和b为正数。其中x、y、a、b既可以是整数也可以是小数。前述金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物仅为举例，本发明实施例对此并不做限制。
图6提供了一种基板的结构示意图，基板200包括衬底基板101及上述防反射层叠结构100，防反射层叠结构100形成于衬底基板101上方。
需要说明的是，本发明实施例中的上方并不限制于与衬底基板101相接触的层，也可以是间隔一层或多层的上方。
在本发明实施例中，基板200可以是但不限于显示基板和触摸基板。当基板200为显示基板，防反射层叠结构为显示基板上的黑矩阵；当基板200为触摸基板时，防反射层叠结构为触摸基板上用于连接感应电极的桥接结构。
图7提供了一种显示基板的结构示意图，参见图7，该显示基板300可以为彩色滤光片与阵列基板集成(英文Color filter On Array，简称COA)基板，该COA基板中黑矩阵210设置在像素电极212周围，用于对薄膜晶体管等结构进行遮挡。图8是图7提供的显示基板A-A’处剖面结构示意图，如图8所示，该COA基板包括衬底基板201、依次形成在衬底基板201上的栅绝缘层203、源漏极结构205、第一钝化层206上的彩色滤光片207、有机膜平坦层208、公共电极209、黑矩阵210、第二钝化层211和像素电极212。图9是图7提供的显示基板B-B’处剖面结构示意图，从图7中可以看出，该COA基板还包括栅极202和有源层204，栅极202、栅绝缘层203、有源层204及源漏极结构205构成薄膜晶体管结构，薄膜晶体管结构形成于衬底基板201上，第一钝化层206覆盖在薄膜晶体管结构上。在该COA基板中，黑矩阵210形成在保护层209上且覆盖源漏极结构205，但需要说明的是，本发明实施例中只是举例说明黑矩阵的位置，并没有限定黑矩阵的位置只能是如此。
图7-图9中的黑矩阵210的具体结构与前述图1-5任一幅所对应的实施例中的防反射层叠结构相同，这里不再赘述。
图10提供了另一种显示基板的结构示意图，如图10所示，该显示基板300可以为阵列基板，该阵列基板包括衬底基板301，形成在衬底基板301上的栅极302，覆盖在栅极302上的栅绝缘层303，形成在栅绝缘层303上的有源层304、n+型层305和源漏极结构306，覆盖在源漏极结构306上的保护层307，对应漏极形成在保护层307上的接触孔308，形成在保护层307上且通过接触孔308与漏极相连的像素电极309，形成在保护层307上且覆盖源漏极结构306的黑矩阵310。需要说明的是，本发明实施例中只是举例说明黑矩阵的位置，并没有限定黑矩阵的位置只能是如此。
图10中的黑矩阵310的具体结构与前述图1-5任一幅所对应的实施例中的防反射层叠结构相同，这里不再赘述。
图11提供了另一种显示基板的结构示意图，如图11所示，该显示基板300可以为彩膜基板，该彩膜基板包括衬底基板401、形成在衬底基板401上的黑矩阵402和彩色滤光片403、及形成在黑矩阵402和彩色滤光片403上的公共电极404。需要说明的是，本发明实施例中只是举例说明黑矩阵的位置，并没有限定黑矩阵的位置只能是如此。
图11中的黑矩阵402的具体结构与前述图1-5任一幅所对应的实施例中的防反射层叠结构相同，这里不再赘述。
图12提供了一种触摸基板的结构示意图，如图12所示，该触摸基板400包括衬底基板501形成在衬底基板501上位于触摸区域的驱动电极502和感应电极503；驱动电极502和感应电极503位于同一层且交叉排列。触摸基板400还包括位于相邻两个感应电极503之间的绝缘层504，以及位于绝缘层504上用于连接相邻两个感应电极503的桥接结构505；触摸基板400还包括位于边框区域的引线506、以及覆盖整个衬底基板501的保护层507；保护层507上设置有过孔，便于引线506露出，与芯片或IC连接。
图12中的桥接结构505的具体结构与前述图1-5任一幅所对应的实施例中的防反射层叠结构相同，这里不再赘述。
图6-图12提供的基板的结构示意图，只是本发明实施例对于基板结构的举例，基板中的膜层顺序可以有很多种变化，基板也可以包括更多或者更少的膜层，只要制作出基板必要的元素，确保基板可以正常工作即可。
图13提供了一种防反射层叠结构制造方法的流程图，如图13所示，本发明实施例提供了一种防反射层叠结构制作方法，该方法包括：
步骤601：提供一衬底基板。
步骤602：在衬底基板上沉积多个吸光层，形成防反射层叠结构。具体地，步骤602中形成的防反射层叠结构与前文中提供的防反射层叠结构相同，这里不再赘述。
防反射层叠结构由多个吸光层构成，吸光层可以吸收环境光，降低防反射层叠结构对环境光的反射，当防反射层叠结构应用在显示装置中用于遮挡基板时，可以避免反射光拉高屏幕的纯黑亮度，而对比度等于纯白亮度除以纯黑亮度，所以降低反射率可以提高显示对比度，从而保证画面质量。
其中，在衬底基板上沉积多个吸光层，形成防反射层叠结构包括：
沉积多个吸光层，任意一个吸光层采用下述方式沉积得到：以金属或合金为靶材，在Ar和O2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；或者，以金属或合金为靶材，在Ar和N2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；或者，以金属或合金为靶材，在Ar、O2和N2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；
刻蚀多个吸光层形成防反射层叠结构。
在形成防反射层叠结构时，基体温度为25～150℃，沉积功率为5～15kW，沉积压力为0.1～0.5Pa；
当采用Ar和O2气氛沉积吸光层时，Ar和O2气氛中O2的比重为0～20％；当采用Ar和N2气氛沉积吸光层时，Ar和N2气氛中N2的比重为0～20％；当采用Ar、O2和N2气氛沉积吸光层时，Ar、O2和N2气氛中O2和N2的比重之和为0～20％。
其中，金属可以为Al、Cr、Cu、Mo或Ti，合金可以为AlNd、CuMo、MoTa或MoTi，上述金属及合金的种类仅为举例，并不作为本发明的限制。
进一步地，该方法还可以包括：
在沉积多个吸光层之前和/或之后，控制O2流量为0，沉积一层透明金属层；或者，
在沉积多个吸光层之前和/或之后，控制N2流量为0，沉积一层透明金属层；或者，
在沉积多个吸光层之前和/或之后，控制O2和N2流量为0，沉积一层透明金属层。
其中，透明金属层的厚度可以为10～50nm，保证金属层透明，既不影响防反射层叠结构对于环境光的吸收，又可以提高防反射层叠结构的导电性能。优选地，透明金属层的厚度可以为30nm。
进一步地，该方法还可以包括：
在沉积多个吸光层之前或之后，沉积一层缓冲层。在多个吸光层的一个表面设置缓冲层，可以加强防反射层叠结构的结合力，例如采用该防反射层叠结构作为黑矩阵时，通过设置缓冲层可以加强黑矩阵与衬底基板之间的结合。在本发明实施例中，该缓冲层可以是Al、Cr、Cu、Mo、Ti、AlNd、CuMo、MoTa或MoTi等金属构成的金属层，上述金属种类仅为举例，并不作为本发明的限制；该缓冲层也可以是常规缓冲层结构，本发明实施例对此并不做限制。
图13提供的防反射层叠结构制作方法的流程图，只是本发明实施例对于防反射层叠结构制作方法的举例，防反射层叠结构制作方法也可以包括更少或更多的工艺步骤。
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种基板，基板中防反射层叠结构由多个吸光层构成，吸光层可以吸收环境光，降低防反射层叠结构对环境光的反射，当防反射层叠结构应用在显示装置中用于遮挡基板时，可以避免反射光拉高屏幕的纯黑亮度，而对比度等于纯白亮度除以纯黑亮度，所以降低反射率可以提高显示对比度，从而保证画面质量。
当然该显示装置也包括常规显示装置的外框等结构。
该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机电致发光器件(英文Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种防反射层叠结构，其特征在于，包括层叠设置的多个吸光层，所述多个吸光层中的每个吸光层均含有金属元素；其中，
所述多个吸光层中至少两个吸光层中非金属元素的含量不同；
所述多个吸光层中，非金属元素的含量分布为：
从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧逐渐降低，或者从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低；
所述防反射层叠结构还包括设置在上表面和/或下表面上的透明金属层。
2.根据权利要求1所述的防反射层叠结构，其特征在于，当所述多个吸光层中非金属元素的含量分布为从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低时，所述非金属元素的含量以含量最高的吸光层为中心呈对称分布。
3.根据权利要求1所述的防反射层叠结构，其特征在于，每个所述吸光层中非金属元素的含量的范围为大于零小于等于15％。
4.根据权利要求1所述的防反射层叠结构，其特征在于，所述吸光层的厚度范围为10～50nm。
5.根据权利要求1所述的防反射层叠结构，其特征在于，所述吸光层的厚度为20nm。
6.根据权利要求1所述的防反射层叠结构，其特征在于，所述吸光层的材料包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的防反射层叠结构，其特征在于，所述金属氧化物为：AlOx、CrOx、CuOx、MoOx、TiOx、AlNdOx、CuMoOx、MoTaOx、MoTiOx中的一种或多种，x为正数；所述金属氮化物为：AlNy、CrNy、CuNy、MoNy、TiNy 、AlNdNy、CuMoNy、MoTaNy、MoTiNy中的一种或多种，y为正数；所述金属氮氧化物为：AlNaOb、CrNaOb、CuNaOb、MoNaOb、TiNaOb、AlNdNaOb、CuMoNaOb、MoTaNaOb、MoTiNaOb中的一种或多种，a和b为正数。
8.一种基板，其特征在于，包括衬底基板及如权利要求1～7任一项所述的防反射层叠结构，所述防反射层叠结构形成于所述衬底基板上方。
9.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，所述基板为显示基板，所述防反射层叠结构为所述显示基板上的黑矩阵。
10.根据权利要求9所述的基板，其特征在于，所述显示基板为COA基板。
11.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，所述基板为触摸基板，所述防反射层叠结构为所述触摸基板上用于连接感应电极的桥接结构。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求8所述的基板。
13.一种防反射层叠结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上沉积多个吸光层，形成防反射层叠结构，所述防反射层叠结构包括层叠设置的多个吸光层，所述多个吸光层中的每个吸光层均含有金属元素；
其中，所述多个吸光层中至少两个吸光层中非金属元素的含量不同；
所述多个吸光层中，非金属元素的含量分布为：
从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧逐渐降低，或者从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低；
所述方法还包括：
在所述沉积所述多个吸光层之前和/或之后，控制O2流量为0，沉积一层透明金属层；或者，
在所述沉积所述多个吸光层之前和/或之后，控制N2流量为0，沉积一层透明金属层；或者，
在所述沉积所述多个吸光层之前和/或之后，控制O2和N2流量为0，沉积一层透明金属层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，当所述多个吸光层中非金属元素的含量分布为从所述防反射层叠结构的一侧向另一侧先升高后降低时，所述非金属元素的含量以含量最高的吸光层为中心呈对称分布。
15.根据权利要求13-14任一项所述的方法，其特征在于，所述吸光层的厚度范围为10～50nm。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述吸光层的厚度为20nm。
17.根据权利要求13-14任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上沉积多个吸光层，形成防反射层叠结构包括：
沉积所述多个吸光层，任意一个所述吸光层采用下述方式沉积得到：以金属或合金为靶材，在Ar和O2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；或者，以金属或合金为靶材，在Ar和N2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；或者，以金属或合金为靶材，在Ar、O2和N2气氛中，采用溅射工艺沉积吸光层；
刻蚀所述多个吸光层形成防反射层叠结构。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在形成所述防反射层叠结构时，基体温度为25～150℃，沉积功率为5～15kW，沉积压力为0.1～0.5Pa；
当采用所述Ar和O2气氛沉积所述吸光层时，所述Ar和O2气氛中O2的比重为0～20％；当采用所述Ar和N2气氛沉积所述吸光层时，所述Ar和N2气氛中N2的比重为0～20％；当采用所述Ar、O2和N2气氛沉积所述吸光层时，所述Ar、O2和N2气氛中O2和N2的比重之和为0～20％。
19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述金属为Al、Cr、Cu、Mo或Ti，所述合金为AlNd、CuMo、MoTa或MoTi。
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