TWI663755B - 發光裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的發光裝置的製造方法包括下述步驟：在發光元件的基材的兩面，設置導電材料，自基材將發光元件與導電材料一併切下，從而獲得發光元件，所述發光元件在第1電極與第2電極上分別設置著與第1電極及第2電極大致相同大小的導電構件；將發光元件混合於具有絕緣性的黏合劑中而獲得塗佈液，將塗佈液塗佈於形成著導電層的第1基板，從而形成塗佈層；在第1基板上，隔著塗佈層而積層形成著導電層的第2基板；以及向第1基板與第2基板的積層方向施加壓力，在施加了壓力的狀態下，以預先設定的溫度保持預先設定的時間。

Description

發光裝置的製造方法
本發明是有關於一種使用塗佈法而設置無機發光元件或有機發光元件等發光元件的發光裝置的製造方法，尤其是有關於一種可容易製造的發光裝置的製造方法。
目前，對薄型顯示器的背光單元及面狀照明裝置等而言，要求薄的背光單元及面狀照明裝置。提出使用了發光二極體(light-Emitting Diode，LED)晶片的發光裝置。
在現有的使用了LED晶片的發光裝置中，利用黏晶(die bond)使電極向上而黏接LED晶片，且利用打線接合(wire bonding)將LED晶片的電極與基板的配線加以連接，從而安裝於基板上。除此以外，使用倒裝晶片(flip chip)方法安裝於基板上，即，將LED晶片的電極朝向下側，利用導電性材料將下側的電極與基板的配線加以連接。該情況下，需要對LED晶片與基板的配線的位置進行調整。
因此，提出一種無須進行定位而安裝LED晶片的方法(例如參照專利文獻1、專利文獻2)。
專利文獻1中記載了如下的發光裝置，即，使用異向性導電性樹脂將LED晶片的上部電極與下部電極分別連接於導電性片材及導電層，LED晶片的周圍充滿了包含絕緣珠粒(beads)的非導電性黏接劑。
專利文獻2中記載了使用大致六角柱狀的二極體(例如參照圖1~圖3)的照明裝置(例如參照圖76~圖79)。且記載：作為二極體，使用寬約為10微米~50微米且高約為5微米~25微米的二極體。
專利文獻2中記載了如下內容：使用塗佈法來塗佈二極體分散於溶劑中所得的二極體油墨，並將二極體設置於導電層。進而記載：可將二極體油墨例如印刷於LED基底的照明裝置或其他可撓性片材上。另外，二極體油墨實質上包含化學惰性的多個粒子。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-10204號公報
[專利文獻2]美國專利申請案公開第2012/0164796號說明書
在製造所述專利文獻1的發光裝置時，需要將異向性導電性樹脂附在每個LED晶片上，從而具有製造步驟變得煩雜的問題。
而且，所述專利文獻2中，需要將二極體加工成大致六角柱狀的特殊形狀，從而存在製造步驟變得煩雜且製造成本高的問題。
本發明的目的在於解決基於所述現有技術的問題，而提供可容易製造的發光裝置的製造方法。
為了達成所述目的，本發明提供一種發光裝置的製造方法，其特徵在於包括下述步驟：在形成著多個具備相向的第1電極與第2電極的發光元件的基材的兩面，設置導電材料，自基材將發光元件與導電材料一併切下，從而獲得發光元件，所述發光元件在第1電極與第2電極上分別設置著與第1電極及第2電極大致相同大小的導電構件；將發光元件混合於具有絕緣性的黏合劑中而獲得塗佈液，將塗佈液塗佈於形成著導電層的第1基板，從而形成塗佈層；在第1基板上，隔著塗佈層而積層形成著導電層的第2基板；以及向第1基板與第2基板的積層方向施加壓力，在施加了壓力的狀態下，以預先設定的溫度保持預先設定的時間。
導電構件較佳為透明。而且，發光元件例如可使用無機發光元件或有機發光元件。
根據本發明，可容易地製造發光裝置。而且，藉由將設置於發光元件的導電構件設為與第1電極及第2電極大致相同的大小，而自發光元件出射的光中的被導電構件所吸收的光量減 小，從而可有效地利用自發光元件出射的光。
10‧‧‧LED晶圓
10a‧‧‧LED晶圓的表面
10b‧‧‧LED晶圓的背面
11‧‧‧導電層
12‧‧‧導電構件
14‧‧‧LED晶片
14B‧‧‧發出藍色光的LED晶片
14G‧‧‧發出綠色光的LED晶片
14R‧‧‧發出紅色光的LED晶片
16a‧‧‧上部電極
16b‧‧‧下部電極
18‧‧‧絕緣性黏接劑
19‧‧‧塗佈液
20‧‧‧塗佈膜
20a‧‧‧塗佈膜的表面
30‧‧‧第1基板
30b‧‧‧第1基板的下表面
32、36、60、62‧‧‧導電層
34‧‧‧第2基板
38‧‧‧樹脂層
39‧‧‧積層體
40‧‧‧製造裝置
42a‧‧‧旋轉軸
42b‧‧‧捲繞軸
44‧‧‧旋轉軸
46‧‧‧塗佈部
48‧‧‧輥對
48a、48b‧‧‧輥
50、50a‧‧‧發光裝置
52‧‧‧電源部
54‧‧‧控制部
61、64‧‧‧導電部
63、65‧‧‧導電部間的區域
66、68‧‧‧配線
70‧‧‧照明裝置
72‧‧‧散射板
74‧‧‧反射板
80‧‧‧顯示裝置
82B‧‧‧藍色畫素
82G‧‧‧綠色畫素
82R‧‧‧紅色畫素
C‧‧‧積層方向
F‧‧‧搬送方向
J‧‧‧交點
K‧‧‧距離
L‧‧‧光
Q‧‧‧區域
S10~S18‧‧‧步驟
T‧‧‧厚度
Y‧‧‧寬度
圖1是表示本發明的實施形態的發光裝置的製造方法的流程圖。
圖2(a)~圖2(c)是按照步驟順序表示本發明的實施形態的發光裝置中使用的LED晶片的製造方法的示意性立體圖。
圖3是表示本發明的實施形態的發光裝置的製造中所利用的製造裝置的示意圖。
圖4(a)~圖4(c)是按照步驟順序表示本發明的實施形態的發光裝置的製造方法的剖面圖。
圖5是表示由本發明的實施形態的發光裝置的製造方法所獲得的發光裝置的剖面圖。
圖6(a)是表示發光元件的配置狀態的一例的示意性平面圖，圖6(b)是表示發光元件的配置狀態的另一例的示意性平面圖。
圖7(a)是表示由本發明的實施形態的發光裝置的製造方法所獲得的發光裝置的另一例的示意性平面圖，圖7(b)是圖7(a)的主要部分放大圖。
圖8(a)是表示使用由本發明的實施形態的發光裝置的製造方法所獲得的發光裝置的照明裝置的剖面圖，圖8(b)是表示使用由本發明的實施形態的發光裝置的製造方法所獲得的發光裝置 的顯示裝置的平面圖。
以下，基於隨附圖式所示的較佳的實施形態，對本發明的發光裝置的製造方法進行詳細說明。
圖1是表示本發明的實施形態的發光裝置的製造方法的流程圖。圖2(a)~圖2(c)是按照步驟順序表示本發明的實施形態的發光裝置中使用的LED晶片的製造方法的示意性立體圖。
本實施形態的發光裝置的製造方法中，發光元件中例如使用包括相向的上部電極與下部電極的LED晶片。在該LED晶片的各電極中，設置著與電極大致相同大小的導電構件。發光裝置中，在形成著導電層的1對基板間設置絕緣性的樹脂層，在該樹脂層中配置LED晶片，各電極與各導電層經由導電構件而電性連接。
以下，對本實施形態的發光裝置的製造方法進行具體說明。
本實施形態的發光裝置的製造方法中，首先，作為發光元件，例如獲取LED晶片(步驟S10)。
步驟S10中，如圖2(a)所示，首先，準備形成著多個LED晶片(圖2(a)中未圖示)的LED晶圓10(基材)。
接下來，在LED晶圓10的表面10a及背面10b的整個面，如圖2(b)所示分別設置導電層11。導電層11的形成方法不作特別限定。例如，導電層11可貼附具有導電性的片材而形成， 亦可塗佈導電性黏接劑而形成。導電層11相當於本發明的導電材料。
導電層11只要具有導電性，則其構成不作特別限定，例如可包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化鋅(zinc oxide，ZnO)、或含有銀(Ag)奈米粒子或Ag奈米線的導電體等。除此以外，導電層11亦可包含異向性導電性黏接劑。另外，導電層11較佳為透明，亦可為表面10a側及背面10b側中的至少一側不透明。
此處，透明是指作為透過率，發光元件的發光波長範圍的平均透過率較佳為50%以上，進而較佳為80%以上，最佳為90%以上。發光波長範圍是指具有峰值強度的10%以上的光量的範圍。另外，以下，即便未對透明進行特別說明，透明亦為所述規定的內容。不透明是指不滿足所述透明的規定。
接下來，如圖2(b)所示，在LED晶圓10上形成導電層11後，自LED晶圓10將LED晶片與導電層11一併切下，從而獲得圖2(c)所示的LED晶片14。在LED晶片14上，與LED晶圓10的表面10a及背面10b對應地形成著電極，LED晶片14具有相向的上部電極16a與下部電極16b。例如，該LED晶片14自上部電極16a側與下部電極16b側出射光。
在圖2(c)所示的LED晶片14上，與各上部電極16a及下部電極16b大致相同的大小地設置著導電構件12。
另外，上部電極16a相當於本發明的第1電極，下部電極16b相當於本發明的第2電極。
接下來，將所獲得的LED晶片14例如投入並混合於絕緣性黏接劑等黏合劑中，從而獲得用以將LED晶片14塗佈於基板的塗佈液(步驟S12)。作為絕緣性黏接劑，例如使用熱硬化性樹脂劑、熱塑性樹脂劑、及合成橡膠等。塗佈液中可適當添加黏度調整劑、溶劑、以及成為間隔件的粒子及用以改善光學特性的粒子等。成為間隔件的粒子及用以改善光學特性的粒子也可分別為填料。
而且，塗佈液中LED晶片14的含量為與LED晶片14的相對於基板的面積率等相應的量。
接下來，例如使用圖3所示的製造裝置40來製造本實施形態的發光裝置。
以下，對製造圖7(a)、圖7(b)所示的發光裝置中所使用的製造裝置40進行說明。
製造裝置40為捲對捲(roll to roll)方式的裝置，且包括：旋轉軸42a，將形成著導電層32的第1基板30回捲成卷狀；旋轉軸44，將形成著導電層36的第2基板34回捲成卷狀；塗佈部46；輥對(roller pair)48，在第1基板30上積層第2基板34，並進行加壓、加熱處理；以及捲繞軸42b，將積層第2基板34與第1基板30並經加壓、加熱處理而得的積層體39捲繞成卷狀。
塗佈部46在第1基板30的導電層32上塗佈所述塗佈液而形成塗佈膜20。在塗佈液19的塗佈中，例如使用狹縫塗佈法(slit coating)、棒塗佈法(bar coating)、或網版印刷(screen print)法。
輥對48具有在內部設置著加熱器的輥48a、輥48b，利用輥48b將第2基板34引入，並積層於形成著塗佈膜20的第1基板30上，且以預先設定壓力及溫度而進行規定時間的加壓、加熱處理，從而獲得積層體39。
輥對48中，在進行加壓、加熱處理時，藉由使輥48b相對於輥48a的壓力自初始階段逐漸增高，而對LED晶片14賦予搬送方向F的力，從而可使LED晶片14的上部電極16a與導電層32、導電層36面對面。
而且，亦藉由使輥48b相對於輥48a的周速(circumferential speed)自初始階段逐漸加快，而對LED晶片14賦予搬送方向F的力，從而可使LED晶片14的上部電極16a與導電層32、導電層36面對面。藉由設置多個加壓與加熱的輥，可進行更高精度的控制。
在已捲繞的狀態下，施加一定程度的壓力，因而藉由進行進一步加熱，亦可進一步提高密著。
製造裝置40中，預先將自旋轉軸42a退繞的第1基板30，經由輥對48而捲繞在捲繞軸42b上。然後，利用捲繞軸42b將第1基板30在搬送方向F上捲繞，並將包含LED晶片14及絕 緣性黏接劑18的塗佈液19自塗佈部46而塗佈於第1基板30的導電層32上(步驟S14)，在第1基板30的導電層32上形成塗佈膜20(參照圖4(a))。藉此，在第1基板30的導電層32上配置LED晶片14。此時，LED晶片14較佳為下部電極16b與導電層32面對面，且電極的方向一致，亦可電極的方向無需一致，而混合存在電極的方向不同者。藉此，只要使用含有LED晶片14的塗佈液19形成塗佈膜20，便可配置LED晶片14。
而且，在形成塗佈膜20時，宜使其表面20a平整(參照圖3)，且使LED晶片14的方向為LED晶片14的下部電極16b與導電層32面對面。藉此，抑制LED晶片14的電極成為不與導電層32、導電層36面對面的狀態。
接下來，將卷狀的第2基板34回繞而掛在輥對48的輥48b上，將第1基板30沿搬送方向F搬送，並如圖4(b)所示將第1基板30與第2基板34在積層方向C上積層(步驟S16)。此時，輥48a、輥48b設為預先設定的溫度，且與積層同時地，如圖4(c)所示，向第1基板30與第2基板34的積層方向C施加壓力，以規定溫度保持規定時間並進行加熱、加壓處理(步驟S18)。加熱、加壓處理例如在溫度150℃且10秒的條件下進行。
藉此，根據LED晶片14的相對於積層方向C的方向而將上部電極16a及下部電極16b與導電層32、導電層36電性連接，且在第2基板34與第1基板30之間形成包圍LED晶片14的周圍 的樹脂層38，從而獲得積層體39。積層體39卷狀捲繞在捲繞軸42b上。
然後，將積層體39切斷為預先設定的大小，且如圖5所示，將電源部52連接於導電層32、導電層36，進而將控制部54連接於電源部52，藉此可獲得發光裝置50。
電源部52經由導電層32、導電層36而對LED晶片14施加電壓，可產生直流電壓或交流電壓。藉由控制部54，而使電源部52中產生直流電壓或交流電壓，並對LED晶片14施加直流電壓或交流電壓。藉此，可自第1基板30及第2基板34出射光L。
本實施形態的發光裝置的製造方法中，在將導電層11形成於LED晶圓10的表面10a及背面10b的整個面後，將LED晶片14與導電層11一併切下，藉此容易獲得設置著與上部電極16a及下部電極16b大致相同大小的導電構件12的LED晶片14。將含有該LED晶片14的塗佈液塗佈於第1基板30，然後，積層第2基板34，並進行加熱、加壓處理，藉此可容易地製造發光裝置50。
並且，藉由使導電構件12成為與上部電極16a及下部電極16b大致相同的大小，而自LED晶片14出射的光中的被導電構件12吸收的光量減小，從而可有效地利用自LED晶片14出射的光。
另外，發光裝置的製造方法並不限定於捲對捲方式，亦可使用單片式。該情況下，加熱、加壓處理中例如使用1對平板， 在所述積層方向C上夾著第1基板30與第2基板34而加壓至預先設定的壓力，並加熱至預先設定的溫度，且保持預先設定的時間後，進行加壓、加熱處理。
而且，本實施形態的製造方法中，設為製作塗佈液並塗佈該塗佈液的方法，但並不限定於此，亦可塗佈絕緣性黏接劑，並在其上散布LED晶片，然後，覆蓋LED晶片14而再次塗佈絕緣性黏接劑。
發光裝置50藉由使第1基板30、第2基板34及導電層32、導電層36具有可撓性，而可作為整體上為柔性的發光裝置50。
而且，LED晶片14中，只要上部電極16a與下部電極16b的極性中的一者為正極，另一者為負極，則不作特別限定。上部電極16a與下部電極16b可為透明亦可不透明。在不透明的情況下，光自LED晶片14的側面側出射。而且，LED晶片14出射的光的波長不作特別限定。
LED晶片14的形狀不作特別限定，如圖5所示，LED晶片14在將厚度設為T(μm)、寬度設為Y(μm)時，較佳為T×1.5≦Y。在為長方體的情況下，將短的寬度設為Y。藉由使LED晶片14成為所述形態，而在塗佈含有LED晶片14的塗佈液時，LED晶片14容易使其上部電極16a、下部電極16b與導電層32、導電層36相向。
LED晶片14的形狀即便不為長方體，只要為六角柱、八角柱 這樣的形狀即可。此時，所謂寬度，是指將最短的對角設為Y。
而且，在將第1基板30與第2基板34之間的距離設為K(μm)時，較佳為K<Y。藉此，當在第1基板30上積層第2基板34時，LED晶片14容易使LED晶片14的上部電極16a、下部電極16b與導電層32、導電層36相向。另外，基板間的距離K為10μm~500μm左右。
在對設置於LED晶片14的導電構件12進行塗佈時，為了容易使LED晶片14的上部電極16a、下部電極16b與導電層32、導電層36相向，亦可使導電構件12的寬度方向的長度比所述寬度Y長。
本實施形態中，作為發光元件，以LED晶片14為例進行了說明，但不限定於此，可使用無機發光元件或有機發光元件，例如可使用無機EL晶片或有機EL晶片。
如所述般，LED晶片14的相對於積層方向C的方向較佳為一致，但亦可混合存在方向不同者。在LED晶片14的相對於積層方向C的方向混合存在的情況下，藉由施加交流電壓，而可使LED晶片14發光。
LED晶片14的配置不作特別限定。例如，較佳為如圖6(a)所示規則地配置，但亦可如圖6(b)所示為無規的配置。即便在該情況下，LED晶片14的相對於積層方向C的方向可如所述般一致，亦可混合存在相對於積層方向C的方向不同者。
例如，LED晶片14相對於第1基板30的面積率例如為0.01%~90%，較佳為0.1%~50%，進而較佳為1%~30%。
本實施形態中，較佳為第1基板30及第2基板34均為透明，但亦可不必為透明，可至少一者不透明。而且，亦可1個為透明而剩餘反射光。
第1基板30及第2基板34，例如可包含三乙醯纖維素(triacetyl cellulose，TAC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、間規聚苯乙烯(syndiotactic polystyrene，SPS)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚芳酯(polyarylate，PAr)、聚碸(polysulfone，PSF)、聚酯碸(polyester sulfones，PES)、聚醚醯亞胺(polyetherimide，PEI)、環狀聚烯烴、或聚醯亞胺(polyimide，PI)等。當如所述般在基板中使用樹脂時，可如所述般成為柔性的構成。另外，第1基板30及第2基板34亦可包含玻璃基板。
導電層32、導電層36例如包含ITO、ZnO、或含有Ag奈米粒子或Ag奈米線的導電體等。較佳為導電層32、導電層36均為透明，但亦可不必為透明，可至少一者不透明。
而且，藉由導電層32、導電層36不覆蓋整個面而露出一部分，亦可使光透過。而且，在LED晶片14具有充分的導電率的情況下，亦可無導電層32、導電層36。
樹脂層38如所述般包含絕緣體，且與塗佈液19的絕緣性黏接劑等黏合劑等的組成相對應。樹脂層38亦可具有成為間隔件的粒子及用以改善光學特性的粒子等。另外，樹脂層38較佳為透明。
本發明中製造的發光裝置不限定為圖5所示的發光裝置50，亦可為圖7(a)、圖7(b)所示的發光裝置50a所示的構成。圖7(b)是圖7(a)的區域Q的放大圖。圖7(a)所示的發光裝置50a中，對與圖5所示的發光裝置50相同的構成物附上相同符號，並省略其詳細說明。
圖7(a)所示的發光裝置50a中，導電層60、導電層62形成為長條狀的圖案，在第1基板30與第2基板34上，在可由導電層60及導電層62構成正交的格子的位置配置著導電層60、導電層62。另外，導電層60對應於發光裝置50的導電層36，導電層62對應於發光裝置50的導電層32。
導電層60的導電部61經由配線66而與電源部52連接，導電層62的導電部64經由配線68而與電源部52連接。
對LED晶片14施加電壓而發光，該LED晶片14位於第1基板30與第2基板34的積層方向C(參照圖5)上的導電層60的導電部61與導電層62的導電部64之間。發光裝置50a中，使用一般被稱作矩陣驅動方式的方式，使任意位置的LED晶片14發光，該LED晶片14位於導電層60的導電部61與導電層62的導電部64之間，即，導電部61與導電部64的交點。
發光裝置50a中，如圖7(b)所示，較佳為在導電部61與導電部64的各交點J具有多個LED晶片14。而且，自抑制短路的觀點而言，較佳為LED晶片14的最長對角線的長度比導電層60間的寬度(導電部61間的區域63的寬度)及導電層62間的寬度(導電部64間的區域65的寬度)短。
發光裝置50a中，LED晶片14只要配置於導電層60、導電層62上，則其配置狀態不作特別限定。亦可在基板的平面方向上的導電層60的導電部61間的區域63及導電層62的導電部64間的區域65上具有LED晶片14。該情況下，不對不位於第1基板30與第2基板34的積層方向上的導電層60與導電層62之間的LED晶片14供給電壓，因而不發光。然而，因未對LED晶片14的配置進行限定，而可降低定位精度，且只要如所述般僅塗佈包含LED晶片14的塗佈液，便可設置LED晶片14。
另外，發光裝置50a中，即便LED晶片14的相對於積層方向C的方向一致，亦可混合存在方向不同者。若LED晶片14的相對於積層方向C的方向全部一致則施加直流電壓，若方向混合存在則施加交流電壓。
所述發光裝置50、發光裝置50a例如可適用於圖8(a)所示的照明裝置。
圖8(a)所示的照明裝置70在發光裝置50的第2基板34上配置著散射板72，在發光裝置50的第1基板30的下表面30b的 下方配置著反射板74。照明裝置70中，藉由使LED晶片14發光，而向第2基板34側出射的光L透過散射板72向外部出射，向第1基板30側出射的光L藉由反射板74而向第2基板34側反射並自散射板72出射至外部。散射板72及反射板74可適當使用公知者。而且，亦可將散射板兼作第2基板34，反射板兼作第1基板30。
另外，照明裝置70中，亦可不使用圖5所示的發光裝置50而使用圖7(a)、圖7(b)所示的發光裝置50a。該情況下，可藉由矩陣驅動方式，使位於某特定的位置的LED晶片14發光。即便在使用了發光裝置50a的情況下，亦可將散射板兼作第2基板34，反射板兼作第1基板30。
此外，在使用發光裝置50a的情況下，如所述般，較佳為在導電部61與導電部64的各交點J具有多個LED晶片14(參照圖7(b))。如所述般自抑制短路的觀點而言，關於LED晶片14的最長對角線的長度，亦較佳為比導電層60間的寬度及導電層62間的寬度短。
而且，藉由使發光裝置50的第1基板30、第2基板34及導電層32、導電層36具有可撓性，而可形成能夠彎曲的柔性的照明裝置70。即便在使用發光裝置50a的情況下，藉由使第1基板30、第2基板34及導電層60、導電層62具有可撓性，而可形成能夠彎曲的柔性的照明裝置70。
而且，關於發光元件，藉由使用紅色、綠色及藍色3原色的發光元件，而可形成圖8(b)所示的顯示裝置80。該情況下，配置多個發出紅色光的LED晶片14R而構成紅色畫素82R，配置多個發出綠色光的LED晶片14G而構成綠色畫素82G，配置多個發出藍色光的LED晶片14B而構成藍色畫素82B。紅色畫素82R、綠色畫素82G及藍色畫素82B分別與電源部52連接，自電源部52施加電壓而LED晶片14R、LED晶片14G及LED晶片14B發出各色光。由電源部52進行的電壓的施加藉由控制部54來控制。控制部54例如根據顯示的內容，而在預先設定的發光時間點使紅色畫素82R、綠色畫素82G及藍色畫素82B以預先設定的時間發光而顯示圖像。較佳為LED晶片14R、LED晶片14G及LED晶片14B的方向一致。
另外，顯示裝置80可與公知的顯示裝置同樣地進行紅色畫素82R、綠色畫素82G及藍色畫素82B的配置，並使用公知的驅動方式來顯示圖像。
若由1個發光元件構成畫素，則若該發光元件變得不良則無法進行畫素顯示，與此相對，顯示裝置80可由多個發光元件構成1個畫素，因此發光元件的不良不會變得明顯。進而，藉由增加發光元件中產生不良的畫素的亮度，而可與周邊畫素成為相同光量。進而，藉由針對各畫素，來配置包含薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)元件等的公知的控制電路，而可進行更高程度 的控制。
本發明基本上如以上般而構成。以上，已對本發明的發光裝置的製造方法進行了詳細說明，但本發明不限定於所述實施形態，在不脫離本發明的主旨的範圍內，當然可進行各種改良或變更。

Claims (3)

  1. 一種發光裝置的製造方法，其特徵在於包括下述步驟：在形成著多個具備相向的第1電極與第2電極的發光元件的基材的兩面，設置導電材料，自所述基材將所述發光元件與所述導電材料一併切下，從而獲得所述發光元件，所述發光元件在所述第1電極與所述第2電極上分別設置著與所述第1電極及所述第2電極大致相同大小的導電構件；將所述發光元件混合於具有絕緣性的黏合劑中而獲得塗佈液，將所述塗佈液塗佈於形成著導電層的第1基板，從而形成塗佈層；在所述第1基板上，隔著所述塗佈層而積層形成著導電層的第2基板；以及向所述第1基板與所述第2基板的積層方向施加壓力，在施加了所述壓力的狀態下，以預先設定的溫度保持預先設定的時間；其中所述發光裝置中，相對於所述積層方向，混合存在方向不同的所述發光元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置的製造方法，其中所述導電構件為透明。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的發光裝置的製造方法，其中所述發光元件為無機發光元件或有機發光元件。
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