TWI663398B - 可產生差異下壓力之模組化壓接裝置及具備該模組化壓接裝置之電子元件檢測設備 - Google Patents
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Abstract
本發明係有關於一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,主要包括固接式壓接模組及替換式壓接模組,固接式壓接模組包括第一下壓力產生單元,且該替換式壓接模組包括第二下壓力產生單元;其中,第一下壓力產生單元係透過替換式壓接模組施加第一下壓力於測試座以及電子元件中至少一者;第二下壓力產生單元係施加第二下壓力於電子元件。據此,本發明之模組化壓接裝置可產生至少二個不同大小之下壓力,以消除下壓力突波;另外,當替換式壓接模組損耗時可快速更換,有效降低成本並提高設備穩定度。
Description
本發明係關於一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,尤指一種適用於壓接電子元件於檢測治具上,俾利進行電子元件良窳之檢測。
傳統的電子元件測試設備的壓接裝置,係採用升降臂直接下壓的方式,然而將電子元件置入測試座內而升降臂再度下壓時,會有下壓力突波的產生。所謂下壓力突波即瞬間突升又陡降下壓力,而此一下壓力突波往往會超過額定下壓力2~3倍,其施予待測電子元件上。
然而,如此高的瞬間下壓力,對於精密型的晶片而言是相當大的挑戰,除了有可能會造成直接碎裂外;更令人擔心的是,形成由外觀或肉眼無法直接觀測的潛在裂痕,而當終端使用者使用過一段時間後,這些潛在裂痕有可能會讓晶片的運作開始出現功能異常,進而影響晶片的效能或使用壽命。
查本案申請人之前期專利,中華民國專利申請第106111558號「具有差異下壓力之電子元件壓接裝置」一案,其順利解決了傳統壓接裝置會產生下壓力突波的問題。不過,當壓接裝置損耗或更換不同的待測電子元件時,需要重新調整並測試欲施加之下壓力後方可上線。因此,一種便於拆解、安裝且可提供不同下壓力之電子元件壓接裝置實為產業上迫切需求者。
本發明之主要目的係在提供一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,俾能提供不同程度之下壓力以解決下壓力突波之問題,且便於拆解、安裝,實為一極賦創新與進步之發明創作。
為達成上述目的,本發明一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,主要包括固接式壓接模組及替換式壓接模組,固接式壓接模組係設置於電子元件檢測設備上,且固接式壓接模組包括第一下壓力產生單元;而替換式壓接模組係組設於固接式壓接模組,且該替換式壓接模組包括一第二下壓力產生單元;其中,第一下壓力產生單元係透過替換式壓接模組施加一第一下壓力於一測試座以及一電子元件中至少一者;第二下壓力產生單元係施加一第二下壓力於電子元件。
據此,本發明透過固接式壓接模組及替換式壓接模組來產生至少二個不同大小之下壓力,以消除下壓力突波;另外,同樣透過固接式壓接模組及替換式壓接模組之設置,當替換式壓接模組損耗時可快速更換,有效降低成本及提高設備穩定度。
較佳的是,本發明之第二下壓力產生單元可包括流體腔室及下壓桿,而下壓桿可包括活塞頭,其容設於流體腔室內,並藉此將流體腔室區隔為第一流體腔室及第二流體腔室;其中,藉由充填流體於第一流體腔室及第二流體腔室中至少一者來驅動活塞頭,俾升降下壓桿。換言之,當第一流體腔室及第二流體腔室受流體充填或排出而擴大或縮小時,可推動活塞頭,以使下壓桿進行升降。
另外,本發明之替換式壓接模組可包括第一流體通道、第二流體通道及第三流體通道;而下壓桿可包括負壓通道及晶片取放孔,且負壓通道之一端可連接至晶片取放孔,負壓通道之另一端可透過第三流體通道而連通至負壓流體源:此外,第一流體通道之一端連通至一正壓流體源,另一端連通至第一流體腔室;第二流體通道之一端連通至正壓流體源,另一端連通至第二流體腔室。據此,本發明可將所有的流體接入處和流體通道均設置於替換式壓接模組上,故流體管路的配置將變的更加簡單。
再者,本發明之固接式壓接模組可更包括一連接頭,其一端連接至第一下壓力產生單元,替換式壓接模組係可拆卸式組設至連接頭之另一端。此外,連接頭可包括第一流道、第二流道及第三流道;且替換式壓接模組可更包括第一流體通道、第二流體通道及第三流體通道;而下壓桿可更包括負壓通道及晶片取放孔,負壓通道之一端可連接至晶片取放孔,負壓通道之另一端
可透過第三流體通道及第三流道而連通至負壓流體源:第一流體通道之一端可透過第一流道連通至一正壓流體源,另一端可連通至第一流體腔室;第二流體通道之一端可透過第二流道連通至該正壓流體源,另一端可連通至第二流體腔室。換言之,連接頭可作為裝配替換式壓接模組之用,且所有之流體接入處可設置於連接頭,再透過連接頭之流體流道以及替換式壓接模組之流體通道將流體充入流體腔室或使晶片取放孔形成負壓來吸附晶片。
為達成前述目的,本發明一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,主要包括固接式壓接模組以及替換式壓接模組;固接式壓接模組包括第一下壓力產生單元及第二下壓力產生單元,而替換式壓接模組組設於固接式壓接模組,且替換式壓接模組包括晶片取放桿,其係連接至第二下壓力產生單元。其中,第一下壓力產生單元係透過替換式壓接模組施加第一下壓力於測試座以及電子元件中至少一者;第二下壓力產生單元係透過晶片取放桿施加第二下壓力於電子元件。
據此,本發明透過固接式壓接模組產生至少二個不同大小之下壓力,以消除下壓力突波,並利用替換式壓接模組之晶片取放桿來傳遞其中一個下壓力;另外,當替換式壓接模組損耗時可快速更換,有效降低成本及提高設備穩定度。
較佳的是,本發明之第二下壓力產生單元可包括流體腔室及下壓桿,下壓桿可包括活塞頭,活塞頭
可容設於流體腔室內,並藉此將流體腔室區隔為第一流體腔室及第二流體腔室;另外,晶片取放桿係連接於下壓桿;藉由充填流體於第一流體腔室及第二流體腔室中至少一者以來驅動活塞頭,以升降下壓桿。換言之,當第一流體腔室及第二流體腔室受流體充填或排出而擴大或縮小時,可推動活塞頭,以使下壓桿帶動晶片取放桿進行升降。
再且,本發明之固接式壓接模組可更包括第一流體通道、第二流體通道及第三流體通道;而替換式壓接模組可更包括負壓連接道,且晶片取放桿可更包括負壓通道及晶片取放孔,負壓通道之一端可連接至晶片取放孔,負壓通道之另一端可以透過負壓連接道及第三流體通道而連通至負壓流體源:又,第一流體通道之一端可連通至正壓流體源,另一端可連通至第一流體腔室;第二流體通道之一端可連通至正壓流體源,另一端可連通至第二流體腔室。據此,本發明可將所有的流體接入處和通道均設置於固接式壓接模組上,僅有連通至負壓流體源之負壓連接道及負壓通道分別設置於替換式壓接模組和晶片取放桿,藉此簡化氣體管路的配置。
又,本發明之替換式壓接模組可包括抵接塊及至少一復位彈性件,抵接塊可開設有貫穿孔,晶片取放桿係穿設於貫穿孔;而貫穿孔可包括至少一徑向凹穴,晶片取放桿可包括至少一徑向凸部,其係容設於至少一徑向凹穴內,且至少一復位彈性件可設置於至少一
徑向凹穴內並抵接晶片取放桿之至少一徑向凸部;當晶片取放桿進行升降位移時,至少一復位彈性件促使該晶片取放桿復位。換言之,固接式壓接模組之第二下壓力產生單元提供予晶片取放桿下壓力並使其向下位移,而復位彈性件則提供了向上的復位彈力予晶片取放桿之徑向凸部,藉以促使晶片取放桿向上復位。
為達成前述目的,本發明一種電子元件檢測設備主要包括移載裝置、如前所述之模組化壓接裝置以及測試座,模組化壓接裝置係設置於移載裝置;其中,移載裝置係使模組化壓接裝置移載一電子元件至測試座,模組化壓接裝置壓抵電子元件使其容置於測試座內,測試座對電子元件進行檢測。
1‧‧‧模組化壓接裝置
2‧‧‧固接式壓接模組
21‧‧‧第一下壓力產生單元
22‧‧‧連接頭
3‧‧‧替換式壓接模組
31‧‧‧第二下壓力產生單元
311‧‧‧流體腔室
312‧‧‧下壓桿
313‧‧‧活塞頭
32‧‧‧晶片取放桿
321‧‧‧徑向凸部
33‧‧‧抵接塊
331‧‧‧貫穿孔
332‧‧‧徑向凹穴
34‧‧‧復位彈性件
35‧‧‧負壓連接道
4‧‧‧移載裝置
As‧‧‧正壓流體源
C‧‧‧電子元件
C1‧‧‧第一流體腔室
C2‧‧‧第二流體腔室
F1‧‧‧第一下壓力
F2‧‧‧第二下壓力
Fc1‧‧‧第一流體通道
Fc2‧‧‧第二流體通道
Fc3‧‧‧第三流體通道
Fh1‧‧‧第一流道
Fh2‧‧‧第二流道
Fh3‧‧‧第三流道
P‧‧‧探針
Ph‧‧‧晶片取放孔
S‧‧‧測試座
Vc‧‧‧負壓通道
Vs‧‧‧負壓流體源
圖1係本發明電子元件檢測設備一較佳實施例之示意剖面圖。
圖2係本發明可產生差異下壓力之模組化壓接裝置第一實施例的示意剖面圖。
圖3係本發明電子元件檢測設備另一實施例之示意剖面圖。
圖4係本發明可產生差異下壓力之模組化壓接裝置第二實施例的示意剖面圖。
圖5係本發明可產生差異下壓力之模組化壓接裝置第三實施例的示意剖面圖。
本發明可產生差異下壓力之模組化壓接裝置及具備該模組化壓接裝置之電子元件檢測設備在本實施例中被詳細描述之前,要特別注意的是,以下的說明中,類似的元件將以相同的元件符號來表示。再者,本發明之圖式僅作為示意說明,其未必按比例繪製,且所有細節也未必全部呈現於圖式中。
請同時參閱圖1及圖2,圖1係本發明電子元件檢測設備一較佳實施例之示意剖面圖,圖2係本發明可產生差異下壓力之模組化壓接裝置第一實施例的示意剖面圖。如圖中所示,本實施例之電子元件檢測設備主要包括一移載裝置4、一模組化壓接裝置1、以及一測試座S;其中,模組化壓接裝置1係設置於移載裝置4上,而移載裝置4可進行三維移動,亦即移載裝置4將帶動模組化壓接裝置1進行三維移動以便於移載、取放待測或已完測之電子元件C。另外,測試座S則用於供置放電子元件C並對其進行檢測。
再者,本實施例之模組化壓接裝置1除了取放電子元件C之外,更用於下壓電子元件C,使其與測試座S的複數探針P電性接觸。然而,本實施例之電子元件檢測設備主要適用的檢測對象為單純未具有印刷電路板之一般晶片,或稱晶粒或半導體積體電路,不過本發明並不以此為限其他未經封裝或經封裝後之晶片亦可適用於本發明。
如圖2中所示,本實施例之模組化壓接裝置1主要包括一固接式壓接模組2及一替換式壓接模組3,固接式壓接模組2係設置於移載裝置4上,且其具備一第一下壓力產生單元21,其為可調整下壓力之氣壓或油壓阻尼裝置,而本實施例之第一下壓力產生單元21的特性是要被壓縮約一半行程才會表現出穩定的力。藉此,本實施例第一下壓力產生單元21所產生之第一下壓力F1係為,當移載裝置4下降而擠壓第一下壓力產生單元21而使阻尼行程壓縮約一半時所輸出之下壓力。
再者,替換式壓接模組3組設於固接式壓接模組2下方,且具備有一第二下壓力產生單元31。本實施例之第二下壓力產生單元31包括一流體腔室311及一下壓桿312,而下壓桿312包括一活塞頭313,且活塞頭313容設於流體腔室311內,並藉此將流體腔室311區隔為一第一流體腔室C1及一第二流體腔室C2。據此,本實施例即係藉由充填流體於第一流體腔室C1及/或第二流體腔室C2內,並使該二流體腔室內產生壓差進而驅動活塞頭313,進而使下壓桿312移動而執行升降、施加下壓力或取消下壓力等作業。
又,本實施例之替換式壓接模組3開設有第一流體通道Fc1、第二流體通道Fc2及第三流體通道Fc3;而下壓桿312開設有負壓通道Vc及晶片取放孔Ph,且負壓通道Vc之一端連接至晶片取放孔Ph,負壓通道Ph之另一端透過第三流體通道Fc3而連通至負壓流體源Vs:第一流體通道Fc1之一端連通至正壓流體源As,另一端連通至第一流體腔室C1;第二流體通道Fc2之一端連通至正壓流體源As,另一端連通至第二流體腔室C2。藉此,正壓流體源As之(正壓)氣流可分別透過第一流體通道Fc1及第二流體通道Fc2充填流體至第一流體腔室C1及第二流體腔室C2,另負壓流體源Vs可透過第三流體通道Fc3和負壓通道Ph讓晶片取放孔Ph形成負壓以取放電子元件C。
此外,本實施例之第二流體腔室C2的橫截面積大於第一流體腔室C1的橫截面積,並藉由充填相同壓力大小(特定壓力)之流體於第二流體腔室C2內,進而使第二流體腔室C2膨脹而產生上升推力,以促使下壓桿312上升;抑或藉由取消第二流體腔室C2內之流體的正壓力,使其低於特定壓力以促使下壓桿312下降。進一步說明,因為一般產線之正壓流體源的壓力是輸出固定的單一壓力(在本實施例即為特定壓力),因本實施例特別將第一流體腔室C1和第二流體腔室C2的橫截面積設為不同大小,故在相同之流體壓力源下即可產生不同的推力效果。
承上,此一作法的主要目的在於,第一流體腔室C1內的流體維持於一特定壓力,故可產生預先設定之工作壓力(下壓力)。據此,在每次檢測作業中,無需再等待第一流體腔室C1內之流體壓力達到特定壓力,因其始終維持於工作壓力,而僅需藉由施加或取消第二流體腔室C2內的正壓,便可迅速地讓下壓桿312上升或下降,故除了可提供穩定下壓力外,升降切換時間極為快
速。當然,為了達成升降作動之目的,在上述的流體通道中可設置洩壓閥、流體分配裝置、流體控制閥、以及其他等效之流體控制組件。
以下簡述本實施例之運作流程。首先,移載裝置4驅使模組化壓接裝置1至一區域或晶片承載盤(圖中未示)吸取一待測試之電子元件C,並移載至測試座S上方,圖中未示。再者,移載裝置4下降,並促使模組化壓接裝置1抵接於測試座S;此時,移載裝置4持續下降,使作為第一下壓力產生單元21之阻尼受到壓縮而產生第一下壓力F1,並施於測試座S上,以確保模組化壓接裝置1與測試座S緊密連接。
接著,下壓桿312下壓電子元件C,且第二下壓力產生單元31係施加第二下壓力F2於電子元件C,以使電子元件C電性接觸測試座S之複數探針P。其中,在此一步驟中係取消第二流體腔室C2內的正壓,即洩壓讓第二流體腔室C2內之流體壓力低於特定壓力,以促使下壓桿312下壓電子元件C,進而讓第二下壓力產生單元31所產生之第二下壓力F2直接地施加於電子元件C上。
緊接著,進行電子元件之檢測,待檢測完畢,驅使下壓桿312上升,而使電子元件C與測試座S脫離。進一步說明,在此步驟中,灌注流體(本實施例採用空氣)於第二流體腔室C2內,使第二流體腔室C2內恢復正壓,即等於或高於特定壓力。然而,因本實施例將第二流體腔室C2之截面積設定為大於第一流體腔室C1之橫
截面積,故此時第二流體腔室C2內的流體將產生推力,而推動活塞頭313上升,進而驅使下壓桿312連同電子元件C上升而與測試座S脫離。
又接著,移載裝置4上升模組化壓接裝置1,以取消第一下壓力F1並使模組化壓接裝置1與測試座S脫離;最後,移載裝置4根據檢測結果而移載電子元件C並置入合格載盤或不合格載盤(圖中未示)。
請再參閱圖3,圖3係本發明電子元件檢測設備另一實施例之示意剖面圖。本實施例與前述實施例不同之處主要在於因應不同的檢測對象,在本實施例中,如圖3中所示,檢測對象之電子元件C為具備有印刷電路板、及晶粒(DIE)之電子元件C,其包括一半導體元件區(晶粒)與一電路板區(印刷電路板);其中,因為該晶粒上的積體電路相當精密且脆弱,故必須控制對該晶粒的下壓力。
然而,在本實施例中,模組化壓接裝置1係抵接於電子元件C之電路板區,而下壓桿312則單純抵接於電子元件C之半導體元件區。換言之,本實施例之第一下壓力產生單元21促使模組化壓接裝置1施加第一下壓力F1於電路板區,以使位於電路板區之所有接點電性接觸測試座S之複數探針P,而第二下壓力產生單元31促使下壓桿312下壓並施加第二下壓力F2於半導體元件區,並確保電子元件C下表面之所有接點電性接觸於測試座S之全部探針P。
請再參閱圖4,圖4係本發明可產生差異下壓力之模組化壓接裝置第二實施例的示意剖面圖。本實施例與前述第一實施例之壓接裝置主要差異在於,本實施例之固接式壓接模組2更包括一連接頭22,其一端連接至第一下壓力產生單元21,而替換式壓接模組3則可拆卸式組設至連接頭22之另一端。易言之,本實施例特別另外設置一連接頭22,其類似一轉接介面之概念,得以讓不同規格之替換式壓接模組3得以輕易地附接至檢測設備上或從設備拆下。
再者,本實施例之連接頭22可包括一第一流道Fh1、一第二流道Fh2及一第三流道Fh3;而替換式壓接模組3更包括一第一流體通道Fc1、一第二流體通道Fc2及一第三流體通道Fc3;且下壓桿312更包括一負壓通道Vc及一晶片取放孔Ph,負壓通道Vc之一端連接至晶片取放孔Ph,負壓通道Ph之另一端透過第三流體通道Fc3及第三流道Fh3而連通至一負壓流體源Vs:第一流體通道Fc1之一端透過第一流道Fh1連通至一正壓流體源As,另一端連通至第一流體腔室C1;第二流體通道Fc2之一端透過第二流道Fh2連通至正壓流體源As,另一端連通至第二流體腔室C2。
簡言之,本實施例之連接頭22可作為裝配替換式壓接模組3之用,且所有之氣體接入處可設置於連接頭22,再透過連接頭22之氣體流道以及替換式壓接模組3之氣體通道將氣體充入流體腔室或使晶片取放孔形成負壓來吸附晶片。
請參閱圖5,圖5係本發明可產生差異下壓力之模組化壓接裝置第三實施例的示意剖面圖。本實施例與前述實施例主要不同之處在於,本實施例之第一下壓力產生單元21及第二下壓力產生單元31均設置於固接式壓接模組2,而替換式壓接模組3主要包括一晶片取放桿32、一抵接塊33及二復位彈性件34。其中,抵接塊33係可拆卸式地組設於固接式壓接模組2;且抵接塊33開設有一貫穿孔331,晶片取放桿32係穿設於貫穿孔331,而晶片取放桿32之一端連接至第二下壓力產生單元31之下壓桿312,另一端則用以壓抵電子元件C。
再且,如圖中所示,貫穿孔331包括二徑向凹穴332,而晶片取放桿32更包括二徑向凸部321,其係分別容設於二徑向凹穴332內。另外,二復位彈性件34亦設置於二徑向凹穴332內並抵接晶片取放桿32之徑向凸部321。據此,當固接式壓接模組2取消第二下壓力F2後,復位彈性件34所提供之彈性復位力便可促使晶片取放桿32上升復位。
又,關於本實施例之流道設計,用於充填正壓流體之流道,即第一流體通道Fc1和一第二流體通道Fc2隨第二下壓力產生單元31而設置於固接式壓接模組2。除此之外,固接式壓接模組2又開設有一第三流體通道Fc3,其主要用於連通至一負壓流體源Vs。另外,負壓通道Vc及晶片取放孔Ph設置於晶片取放桿32,而抵接塊33上又另開設有一負壓連接道35;負壓通道Vc之一端連接至晶片取放孔Ph,負壓通道Ph之另一端透過
負壓連接道35及第三流體通道Fc3而連通至負壓流體源Vs。
據此,本實施例可將所有的氣體接入處和通道均設置於固接式壓接模組2上,僅有連通至負壓流體源Vs之負壓連接道35及負壓通道Ph分別設置於替換式壓接模組3和晶片取放桿32,藉此簡化氣體管路的配置。
需要在特別說明的是,上述實施例中第二下壓力F2均小於第一下壓力F1,惟本發明並不以此為限,第一下壓力F1和第二下壓力F2亦可依實際需求任意調配成第二下壓力F2等於或大於第一下壓力F1。此外,雖然上述實施例中僅示列出可施予二種不同下壓力之手段,惟本發明並不以此為限,本發明之相同手段亦可套用並產生三種或三種以上之差異下壓力。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
Claims (9)
- 一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,包括:一固接式壓接模組,其係設置於一電子元件檢測設備上,該固接式壓接模組包括一第一下壓力產生單元;以及一替換式壓接模組,其係組設於該固接式壓接模組;該替換式壓接模組包括一第二下壓力產生單元;其中,該第一下壓力產生單元係透過該替換式壓接模組施加一第一下壓力於一測試座以及一電子元件中至少一者;該第二下壓力產生單元係施加一第二下壓力於該電子元件;其中,該第二下壓力產生單元包括一流體腔室及一下壓桿,該下壓桿包括一活塞頭,該活塞頭容設於該流體腔室內,並藉此將該流體腔室區隔為一第一流體腔室及一第二流體腔室;藉由充填流體於該第一流體腔室及該第二流體腔室中至少一者來驅動該活塞頭,俾升降該下壓桿。
- 如請求項1之可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,其中,該替換式壓接模組更包括一第一流體通道、一第二流體通道及一第三流體通道;該下壓桿更包括一負壓通道及一晶片取放孔,該負壓通道之一端連接至該晶片取放孔,該負壓通道之另一端透過該第三流體通道而連通至一負壓流體源:該第一流體通道之一端連通至一正壓流體源,另一端連通至該第一流體腔室;該第二流體通道之一端連通至該正壓流體源,另一端連通至該第二流體腔室。
- 一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,包括:一固接式壓接模組,其係設置於一電子元件檢測設備上,該固接式壓接模組包括一第一下壓力產生單元、及一連接頭,該連接頭之一端連接至該第一下壓力產生單元;以及一替換式壓接模組,其係可拆卸式組設於該固接式壓接模組之該連接頭之另一端;該替換式壓接模組包括一第二下壓力產生單元;其中,該第一下壓力產生單元係透過該替換式壓接模組施加一第一下壓力於一測試座以及一電子元件中至少一者;該第二下壓力產生單元係施加一第二下壓力於該電子元件。
- 如請求項3之可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,其中,該連接頭包括一第一流道、一第二流道及一第三流道;該替換式壓接模組更包括一第一流體通道、一第二流體通道及一第三流體通道;該下壓桿更包括一負壓通道及一晶片取放孔,該負壓通道之一端連接至該晶片取放孔,該負壓通道之另一端透過該第三流體通道及該第三流道而連通至一負壓流體源:該第一流體通道之一端透過該第一流道連通至一正壓流體源,另一端連通至該第一流體腔室;該第二流體通道之一端透過該第二流道連通至該正壓流體源,另一端連通至該第二流體腔室。
- 一種可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,包括:一固接式壓接模組,其包括一第一下壓力產生單元及一第二下壓力產生單元;以及一替換式壓接模組,其係組設於該固接式壓接模組;該替換式壓接模組包括一晶片取放桿,該晶片取放桿係連接至該第二下壓力產生單元;其中,該第一下壓力產生單元係透過該替換式壓接模組施加一第一下壓力於一測試座以及一電子元件中至少一者;該第二下壓力產生單元係透過該晶片取放桿施加一第二下壓力於該電子元件。
- 如請求項5之可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,其中,該第二下壓力產生單元包括一流體腔室及一下壓桿,該下壓桿包括一活塞頭,該活塞頭容設於該流體腔室內,並藉此將該流體腔室區隔為一第一流體腔室及一第二流體腔室;該晶片取放桿係連接於該下壓桿;藉由充填流體於該第一流體腔室及該第二流體腔室中至少一者來驅動該活塞頭,以升降該下壓桿。
- 如請求項6之可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,其中,該固接式壓接模組更包括一第一流體通道、一第二流體通道及一第三流體通道;該替換式壓接模組更包括一負壓連接道,該晶片取放桿更包括一負壓通道及一晶片取放孔,該負壓通道之一端連接至該晶片取放孔,該負壓通道之另一端透過該負壓連接道及該第三流體通道而連通至一負壓流體源:該第一流體通道之一端連通至一正壓流體源,另一端連通至該第一流體腔室;該第二流體通道之一端連通至該正壓流體源,另一端連通至該第二流體腔室。
- 如請求項5之可產生差異下壓力之模組化壓接裝置,其中,該替換式壓接模組包括一抵接塊及至少一復位彈性件,該抵接塊開設有一貫穿孔,該晶片取放桿係穿設於該貫穿孔;該貫穿孔包括至少一徑向凹穴,該晶片取放桿更包括至少一徑向凸部,其係容設於該至少一徑向凹穴內,該至少一復位彈性件設置於該至少一徑向凹穴內並抵接該晶片取放桿之該至少一徑向凸部;當該晶片取放桿進行升降位移時,該至少一復位彈性件促使該晶片取放桿復位。
- 一種電子元件檢測設備,包括:一移載裝置;一如請求項1至請求項8中任一項所述之模組化壓接裝置,其係設置於該移載裝置;以及一測試座;其中,該移載裝置係使該模組化壓接裝置移載一電子元件至該測試座,該模組化壓接裝置壓抵該電子元件使其容置於該測試座內,該測試座對該電子元件進行檢測。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106142342A TWI663398B (zh) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | 可產生差異下壓力之模組化壓接裝置及具備該模組化壓接裝置之電子元件檢測設備 |
MYPI2018700649A MY192563A (en) | 2017-12-04 | 2018-02-20 | Modular pressing device capable of generating stage downward forces and electronic device testing apparatus comprising the same |
US15/903,228 US10879097B2 (en) | 2017-12-04 | 2018-02-23 | Modular pressing device capable of generating stage downward forces and electronic device testing apparatus comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106142342A TWI663398B (zh) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | 可產生差異下壓力之模組化壓接裝置及具備該模組化壓接裝置之電子元件檢測設備 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI663398B true TWI663398B (zh) | 2019-06-21 |
TW201925750A TW201925750A (zh) | 2019-07-01 |
Family
ID=66659456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106142342A TWI663398B (zh) | 2017-12-04 | 2017-12-04 | 可產生差異下壓力之模組化壓接裝置及具備該模組化壓接裝置之電子元件檢測設備 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10879097B2 (zh) |
MY (1) | MY192563A (zh) |
TW (1) | TWI663398B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI761752B (zh) * | 2020-01-15 | 2022-04-21 | 鴻勁精密股份有限公司 | 電子元件壓接機構及其應用之壓接裝置、測試分類設備 |
TWI800331B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-04-21 | 鴻勁精密股份有限公司 | 具壓力檢知單元之壓接機構及作業機 |
TWI807896B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-07-01 | 萬潤科技股份有限公司 | 壓合裝置及壓合設備 |
TWI807897B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-07-01 | 萬潤科技股份有限公司 | 壓合裝置及壓合設備 |
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CN103424681A (zh) * | 2013-09-03 | 2013-12-04 | 苏州创瑞机电科技有限公司 | Cmos晶圆自动测试直针自动测试插座 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8613622B2 (en) * | 2011-02-15 | 2013-12-24 | Medallion Technology, Llc | Interconnection interface using twist pins for testing and docking |
-
2017
- 2017-12-04 TW TW106142342A patent/TWI663398B/zh active
-
2018
- 2018-02-20 MY MYPI2018700649A patent/MY192563A/en unknown
- 2018-02-23 US US15/903,228 patent/US10879097B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10879097B2 (en) | 2020-12-29 |
US20190172740A1 (en) | 2019-06-06 |
MY192563A (en) | 2022-08-29 |
TW201925750A (zh) | 2019-07-01 |
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