TWI659656B - 消除麥克風電源供應抑制的3d寄生效應 - Google Patents

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Abstract

本發明闡述一種MEMS麥克風封裝,其包含相對於該麥克風封裝之一前置放大器具有近似相等3D寄生電容之一第一節點及一第二節點,使得該第一節點上產生之任何雜訊等效於該第二節點上產生之任何雜訊。一外部電源供應連接至該第一節點且經由該第一節點將一偏壓電壓信號提供至該MEMS麥克風封裝。一反相放大器連接於該電源供應與該第二節點之間。一第三節點透過一封裝寄生電容器連接至該第一節點,而該第二節點透過一預定寄生電容器或一顯式電容器連接至該第三節點。接著,自該外部電源供應耦合至該第三節點之雜訊藉由將經反相電源供應雜訊總計至該第三節點中而消除。

Description

消除麥克風電源供應抑制的3D寄生效應 [相關申請案]
本申請案主張在2014年2月10日提出申請之美國臨時專利申請案第61/937,711號之權益,該美國臨時專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。
本發明係關於麥克風系統及用於減少由麥克風系統之電源供應造成之信號雜訊之方法。
在一些實施例中,本發明提供一種用於消除由於封裝寄生電容器所致之至高阻抗前置放大器輸入之電源供應雜訊耦合之效應之技術。該技術產生電源供應雜訊之一反相且將其往回耦合至該前置放大器輸入中,此將減少或甚至消除封裝寄生供應雜訊耦合之效應。
在一些實施例中,本發明提供一種麥克風系統,其在由於封裝寄生電容器所致之電源供應抑制比(PSRR)效能方面不受限。在不具有此技術之情況下,一系統中之最佳可達成PSRR將由由該封裝寄生及MEMS感測器設定之電容分壓器判定。因此,藉助此技術,可允許PSRR由電路效能而非封裝環境主導,此應允許大得多之供應雜訊抑制。
在一項實施例中,本發明提供一種麥克風系統,其包含一MEMS 麥克風封裝及在該MEMS麥克風封裝外部之一電源供應。該MEMS麥克風封裝包含相對於該麥克風封裝之一前置放大器具有近似相等3D寄生電容之一第一節點及一第二節點,使得該第一節點上產生之任何雜訊在前置放大器輸入處由該第二節點上產生之任何雜訊減少或消除。該電源供應連接至該第一節點且經由該第一節點將一偏壓電壓信號提供至該MEMS麥克風封裝。該麥克風系統亦包含在該MEMS麥克風封裝內側且位於一特殊應用積體電路(ASIC)上之一反相放大器。該反相放大器連接於該電源供應與該第二節點之間。該反相放大器經由該第二節點將一經反相電壓信號提供至該MEMS麥克風封裝之該前置放大器。位於該MEMS麥克風封裝內側之一第三節點經由寄生電容器連接至該第一節點及該第二節點兩者使得該偏壓電壓信號上之雜訊由該經反相電壓信號上之對應雜訊減少或消除。來自該第三節點之雜訊減少之偏壓電壓信號施加至一麥克風。該麥克風將一輸出信號提供至定位於該MEMS麥克風封裝內之一前置放大器。
藉由考量實施方式及附圖將明瞭本發明之其他態樣。
100‧‧‧晶粒
102A‧‧‧接合線
102B‧‧‧接合線
102C‧‧‧接合線
104A‧‧‧連接墊
104B‧‧‧連接墊
104C‧‧‧連接墊
106‧‧‧寄生電容
108‧‧‧寄生電容
110‧‧‧寄生電容
112‧‧‧金屬路線
200‧‧‧電容性麥克風/麥克風
202‧‧‧前置放大器
204‧‧‧電源供應/電源供應線
206‧‧‧電容性耦合
208‧‧‧電路節點/前置放大器
210‧‧‧墊/節點
300‧‧‧麥克風系統
302‧‧‧電源供應信號/供應電壓信號
304‧‧‧反相放大器
306‧‧‧增益修整模組
308A‧‧‧墊
308B‧‧‧墊
310‧‧‧連接節點
314‧‧‧前置放大器
圖1係根據一項實施例之一麥克風晶粒封裝之一透視圖。
圖2係圖解說明至圖1之麥克風系統中之一放大器中之電源供應雜訊耦合之電子效應之一電路圖。
圖3係用於圖1之麥克風系統之一電源供應雜訊抑制系統之一電路圖。
圖4係圖解說明用於設定增益修整模組以供由圖3之電源供應雜訊抑制系統使用之一方法之一流程圖。
圖5係針對各種麥克風系統封裝之隨增益而變之電源供應抑制比之一圖表。
在詳細解釋本發明之任何實施例之前,應瞭解本發明之應用不受限於以下說明中所陳述或以下圖式中所圖解說明之構造細節及組件配置。本發明適用於其他實施例且能夠以多種方法實踐或執行。
圖1圖解說明存在於含有一麥克風之一積體電路之一晶粒100內及外兩者之3D寄生電容。晶粒100連接至接合線,該等接合線提供電力(接合線102A)、接地(接合線102B)及輸入/輸出信號(接合線102C)。接合線102A、102B、102C彼此之接近在接合線102A、102B、102C之間產生寄生電容106。寄生電容106亦可自將接合線102A、102B、102C分別連接至連接墊104A、104B、104C之焊料接合產生。除接合線102A、102B、102C之間的寄生電容106外,在接合線102A、102B、102C(及連接墊104A、104B、104C)與晶粒100上之金屬路線112之間亦產生寄生電容108。在晶粒100上之各種金屬路線112之間產生額外寄生電容110。
圖2圖解說明3D寄生電容(如圖1中所闡述)對一麥克風輸出信號之品質具有之電子效應。一電容性麥克風200之一第一端子直接連接至一前置放大器202之一輸入。電容性麥克風200之另一端子連接至接地。一電源供應線204將電力(例如,用於電容性麥克風200之一偏壓電壓)供應至節點210。電源供應204之位置產生電路節點208之間的電容性耦合206。在一些實施例中,墊210係連接墊104A、104B、104C中之一或多者且具有將接合線固定至該晶片之一或多個焊料球。電容性耦合206在前置放大器208之輸入處產生非所要雜訊。額外電容性耦合(如由圖1所展示)產生非所要信號以直接耦合至前置放大器208。
藉由設計,連接麥克風200之前置放大器202之輸入為極高阻抗,此意謂來自電源供應線204之非所要雜訊耦合至此節點中且具有由總3D寄生電容判定之一量值。此量值直接影響該電路可達成之總可達成電源供應抑制比或PSRR。為達成不受至此節點中之封裝寄生 電容限制之一高PSRR,需要減輕該電源供應雜訊耦合之效應。
圖3圖解說明改良該可達成PSRR之一麥克風系統300之一實施例。該系統包含產生電源供應信號302之一反相複製之一反相放大器304。一增益修整模組306允許調整該反相信號之量值。電源供應信號302及修整之經反相信號各自由一焊料球耦合至近似位於距前置放大器314輸入相同距離處之單獨墊308A、308B。墊308經由寄生電容器耦合至麥克風封裝之內部上之一連接節點310使得形成一電容分壓器。該耦合電容對於電源供應信號302及來自反相放大器304之經反相信號係幾乎相對的。因此,自電源供應產生之任何雜訊將前置放大器輸入之一近似相等轉移函數視為該前置放大器輸入之反相放大器輸出。因此,在前置放大器314輸入處減少或消除存在於主要信號及經反相信號兩者中之雜訊。供應電壓信號302之雜訊成分在前置放大器輸入處之減少或消除導致麥克風系統300之一較高PSRR。
在其他實施例中,可以其他方式產生匹配該3D寄生電容所需之等效耦合電容。另一方法係路由晶粒上之反相放大器之輸出使得其產生匹配電壓供應信號之寄生電容之一電容。另外,可調整耦合電容器以代替反相放大器或與反相放大器組合而改變經反相信號之振幅。
圖3中之示意圖圖解說明允許在最終裝置測試處調整PSRR之一項實施例之架構。應瞭解,在其他構造中,PSRR可在製造後調整。在此一實施例中,一微處理器及記憶體模組可間歇性地執行增益修整調整,舉例而言,在裝置每次開啟電源時。
在一項實施例中,使用電晶體位準開關手動地調整增益修整模組306。圖4對此方法400進行圖解說明。測試者(一自動測試系統或一使用者)將增益修整模組306設定為最低增益設定(步驟402)。然後測試者藉助一外部裝置量測PSRR(步驟404)。只要存在一較高可用增益設定(步驟406),測試者便繼續將增益設定調整至下一最高增益設定(步 驟408)同時量測每一增益設定處之PSRR(步驟404)。當已量測針對每一增益設定之PSRR值時,測試者將增益修整模組設定為與最高所量測PSRR值相關聯之增益值(步驟410)。
將判定麥克風中之最大PSRR所需之增益設定之參數通常不隨時間明顯改變。因此,在最終裝置測試期間執行一次此測試可係足夠的。在其中僅執行一次校準之實施例中,透過麥克風系統內之電晶體位準開關而設定增益設定。
圖5圖解說明用於使用圖4之方法增加一系列麥克風封裝(HAC22、HAC26、HAC35、HAC42、HAC46、HAC53、HAC54、HAC62、HAC66)之修整增益設定之PSRR值之一實例。在垂直軸上,以分貝顯示PSRR之改變。在水平軸上,自最低至最高地顯示用於反相放大器304之增益修整碼。該等增益修整碼表示電晶體位準開關之連續步驟,其中每一數字表示反相放大器304之增益之一增加。在圖之主體中之曲線各自表示一不同麥克風設計之一特性曲線。此等曲線在不具有任何雜訊消除之情況下正規化為一PSRR零值。在圖之底部處之一平坦線展示不使用圖3中之系統之雜訊消除之一麥克風。
針對該等麥克風裝置中之每一者,識別達成PSRR之最高改變之一單一增益設定(對應圖5所示的8個不同「電源供應抑制比碼」(PSRR碼)的其中之一)。對於HAC66,最佳增益設定為4(對應圖5所示的第4碼:「碼3」)。對於HAC35,最佳增益設定為6(對應圖5所示的第6碼:「碼5」)。對於圖5中所圖解說明之所有其他麥克風系統,用於提供最佳電源供應雜訊消除之最佳增益設定為增益設定5(對應圖5所示的第5碼:「碼4」)。
因此,本發明尤其提供適用於經改良電源供應雜訊消除之一麥克風系統及調整此一麥克風系統之一反相放大器之一增益設定以達成一最佳電源供應雜訊抑制設定之一方法。以下申請專利範圍中陳述各 種特徵及優點。

Claims (15)

  1. 一種麥克風系統,其包括:一MEMS麥克風封裝,其包含:一麥克風組件,一前置放大器,其連接至該麥克風組件且經組態以接收來自該麥克風組件之一輸出信號,及一第一節點及一第二節點,該第一節點與該第二節點相對於該前置放大器具有實質相等3D寄生電容,使得自電源供應產生之任何雜訊將前置放大器輸入之一實質相等轉移函數視為該前置放大器輸入之一反相放大器輸出;一電源供應,其在該MEMS麥克風封裝外部且連接至該第一節點以將一偏壓電壓信號提供至該MEMS麥克風封裝;一反相放大器,其在該MEMS麥克風封裝內側、連接於該電源供應與該第二節點之間,該反相放大器將一經反相電壓信號提供至該MEMS麥克風封裝;及一總計節點,其位於該MEMS麥克風封裝內側且連接至該第一節點及該第二節點兩者使得該總計節點上之雜訊由該經反相電壓信號上之雜訊減少或消除。
  2. 如請求項1之麥克風系統,其中該反相放大器包含一可調整增益反相放大器。
  3. 如請求項2之麥克風系統,其進一步包括一或多個位準開關,其中該反相放大器之一增益使用該等一或多個位準開關手動地調整。
  4. 如請求項2之麥克風系統,其進一步包括經組態以將一增益設定供應至該反相放大器之一增益修整模組。
  5. 如請求項2之麥克風系統,其進一步包括一微處理器,其經組態以:將該反相放大器設定為一第一增益設定,判定該第一增益設定處之一電源供應抑制比,將該反相放大器調整至一第二增益設定,判定該第二增益設定處之一電源供應抑制比,比較該第一增益設定處之該電源供應抑制比與該第二增益設定處之該電源供應抑制比;當該第一增益設定處之該電源供應抑制比大於該第二增益設定處之該電源供應抑制比時以該第一增益設定操作該麥克風系統。
  6. 如請求項2之麥克風系統,其進一步包括:一微處理器及一非暫時性電腦可讀記憶體模組,其經組態以判定複數個增益設定中之每一者處之一電源供應抑制比且經組態以基於每一增益設定處之該經判定電源供應抑制比而識別一最佳增益設定。
  7. 如請求項1之麥克風系統,其中該第一節點及該第二節點係用於焊料接合之外部墊連接。
  8. 一種用於偏置一麥克風系統之一MEMS麥克風之方法,其包括以下步驟:構造包含一麥克風組件、一前置放大器、一第一節點及一第二節點之一MEMS麥克風封裝,該第一節點與該第二節點相對於該前置放大器具有實質相等3D寄生電容使得該第二節點上產生之雜訊係該第一節點上產生之雜訊之一反相;將一電源供應連接至該MEMS麥克風封裝外部使得該電源供應將一偏壓電壓信號提供至一MEMS麥克風;將一反相放大器連接於該電源供應與該第二節點之間,使得該反相放大器將一經反相電壓信號供應至該第二節點;經由電容性耦合將該第一節點及該第二節點連接至一總計節點,該總計節點位於該MEMS麥克風封裝內側且經連接使得該總計節點上之雜訊由來自該第一節點及來自該第二節點之雜訊之組合減少或消除。
  9. 如請求項8之方法,其進一步包括調整該反相放大器之一增益之步驟。
  10. 如請求項9之方法,其中使用一或多個位準開關手動地調整該調整該反相放大器之該增益之步驟。
  11. 如請求項9之方法,其進一步包括以下步驟:將一可調整增益修整模組連接至該反相放大器。
  12. 如請求項11之方法,其進一步包括以下步驟:將一微處理器及一非暫時性電腦可讀記憶體模組連接至該可調整增益修整模組使得該微處理器控制該反相放大器之該增益。
  13. 如請求項12之方法,其中該微處理器依循以下步驟:將該反相放大器設定為一第一增益設定;判定該第一增益設定處之一電源供應抑制比;將該反相放大器設定為一第二增益設定;判定該第二增益設定處之一電源供應抑制比;比較該第一增益設定處之該電源供應抑制比與該第二增益設定處之該電源供應抑制比;當該第一增益設定處之該電源供應抑制比大於該第二增益設定處之該電源供應抑制比時以該第一增益設定操作該麥克風系統。
  14. 如請求項12之方法,其進一步包括以下步驟:判定複數個增益設定中之每一者處之一電源供應抑制比;藉由選擇具有最高電源供應抑制比之複數個增益設定的該增益設定而識別一最佳增益設定;以該最佳增益設定操作該麥克風系統;及將導致該最高電源供應抑制比之該最佳增益設定之一值儲存於該非暫時性電腦可讀記憶體模組中。
  15. 如請求項8之方法,其進一步包括調整位於該第一節點與該第二節點之間的一寄生電容器之一電容之步驟。
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