TWI657125B - 波長變換構件及使用其而成之發光裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種於照射LED或LD之光之情形時，經時之發光強度之降低較少之波長變換構件及使用其而成之發光裝置。
本發明之波長變換構件之特徵在於：其係於玻璃基質中分散無機螢光體而成者，且玻璃基質以莫耳%計含有SiO2 40~60%、B2O3 0.1~35%、Al2O3 0.1~10%、Li2O 0~10%、Na2O 0~10%、K2O 0~10%、Li2O+Na2O+K2O 0.1~10%、MgO 0~35%、CaO 0~35%、SrO 0~35%、BaO 0~35%、MgO+CaO+SrO+BaO 0.1~35%、及ZnO 0~15%，並且無機螢光體係選自氧化物螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氯化物螢光體、氧氯化物螢光體、鹵化物螢光體、鋁酸鹽螢光體及鹵磷酸鹽螢光體中之至少1種。
Description
本發明係關於一種用以將發光二極體(LED：Light Emitting Diode)或雷射二極體(LD：Laser Diode)等發光元件所發出之光之波長變換成其他波長的波長變換構件。
近年來，作為代替螢光燈或白熾燈之下一代光源，就低耗電、小型輕量、容易調節光量之觀點而言，對使用LED或LD之光源之關注不斷提高。作為此種下一代光源之一例，例如專利文獻1中揭示有於出射藍色光之LED上配置有將來自LED之光之一部分吸收並變換成黃色光之波長變換構件的光源。該光源係發出作為自LED出射之藍色光與自波長變換構件出射之黃色光之合成光的白色光。
作為波長變換構件，先前係使用於樹脂基質中分散有無機螢光體者。然而，於使用該波長變換構件之情形時，存在因來自LED之光而導致樹脂劣化，光源之亮度容易變低之問題。尤其存在因LED所發出之熱或高能量之短波長(藍色~紫外)光而導致樹脂基質劣化，引起變色或變形之問題。
因此，業界提出有包含代替樹脂於玻璃基質中分散固定有無機螢光體之完全無機固體之波長變換構件(例如參照專利文獻2及3)。該波長變換構件具有如下特徵：成為母材之玻璃不易因TED晶片之熱或照射光而劣化，不易產生變色或變形等問題。
然而，專利文獻2及3中記載之波長變換構件存在因製造時之焙
燒而導致無機螢光體劣化，容易亮度劣化之問題。尤其是於一般照明、特殊照明等用途中，由於要求較高之演色性，故而必須使用紅色或綠色等耐熱性相對較低之無機螢光體，而有無機螢光體之劣化變得顯著之傾向。因此，業界提出有藉由使玻璃組成中含有鹼金屬氧化物而降低玻璃粉末之軟化點之波長變換構件(例如參照專利文獻4)。該波長變換構件由於可藉由相對低溫下之焙燒而製造，故而可抑制焙燒時之無機螢光體之劣化。
[專利文獻1]日本專利特開2000-208815號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-258308號公報
[專利文獻3]日本專利第4895541號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-302858號公報
專利文獻4中記載之波長變換構件存在發光強度容易經時降低之問題。隨著近年來之LED或LD等光源之輸出進一步增大，發光強度之經時之降低越發顯著。
因此，本發明之目的在於提供一種於照射LED或LD之光之情形時經時之發光強度之降低較少之波長變換構件及使用其而成之發光裝置。
本發明之波長變換構件之特徵在於：其係於玻璃基質中分散無機螢光體而成，且玻璃基質以莫耳%計含有SiO2 40~60%、B2O3 0.1~35%、Al2O3 0.1~10%、Li2O 0~10%、Na2O 0~10%、K2O 0~10%、Li2O+Na2O+K2O 0.1~10%、MgO 0~45%、CaO 0~45%、
SrO 0~45%、BaO 0~45%、MgO+CaO+SrO+BaO 0.1~45%、及ZnO 0~15%，並且無機螢光體係選自由氧化物螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氯化物螢光體、氧氯化物螢光體、鹵化物螢光體、鋁酸鹽螢光體及鹵磷酸鹽螢光體所組成之群中之至少1種。
本發明者等查明：波長變換構件之發光強度之經時之降低尤其是受到玻璃組成中所含有之鹼金屬成分或SiO2成分之影響。推測其機制如下所述。
若對組成中含有鹼金屬元素之玻璃基質照射激發光，則於玻璃基質中之氧離子之最外殼所存在之電子藉由激發光之能量被激發而自氧離子脫離。其一部分與玻璃基質中之鹼離子結合而形成著色中心(此處，鹼離子逃逸後形成空位)。另一方面，因電子逃逸而產生之電洞於玻璃基質中移動，一部分被捕捉至鹼離子逃逸後所形成之空位而形成著色中心。認為於玻璃基質中所形成之該等著色中心成為激發光或螢光之吸收源，而波長變換構件之發光強度降低。進而，有因由無機螢光體所產生之熱(因波長變換損耗所產生之熱)，玻璃基質中之電子、電洞、鹼離子之移動變得活躍之傾向。藉此，加速著色中心之形成，而發光強度容易降低。因此，於本發明中，藉由含有鹼金屬元素作為必需成分，並且如上所述般將其含量限制為較少，而抑制軟化點之上升，並且抑制著色中心之產生。
又，於組成中SiO2含量較多之情形時，於玻璃基質中作為網絡成形劑之Si-O-Si鍵之比率變多，而玻璃基質結構穩定化。因此，穩定地保持藉由Si-O-Si鍵中之Si與O之間之鍵被切斷而形成之非橋接氧，該非橋接氧成為著色中心而成為發光強度降低之原因。另一方面，於組成中SiO2含量較少之情形時，因其他成分之含量相對變多，除Si-O-Si鍵以外之鍵增加(例如於Si與O之間進入Ba或Na等其他元素)，故而玻璃基質結構之穩定性降低。於在該狀態下形成非橋接氧之情形時，由
於Si元素周圍之鍵結狀態之穩定性降低，故而不易穩定地保持非橋接氧。其結果為，著色中心之形成得到抑制。
再者，本發明之波長變換構件之玻璃基質含有鹼土氧化物(包括MgO)作為必需成分。鹼土氧化物會阻礙玻璃基質中之鹼金屬離子或其他離子之移動。其結果為，不易形成著色中心，可抑制發光強度之經時之降低。
於本發明之波長變換構件中，較佳為玻璃基質分別含有0.1%以上之Li2O、Na2O及K2O。
於本發明之波長變換構件中，較佳為玻璃基質之軟化點為400~800℃。
本發明之波長變換構件較佳為含有0.01~30質量%之無機螢光體。
本發明之波長變換構件較佳為包含粉末燒結體。
本發明之發光裝置之特徵在於：其係具備上述波長變換構件、及對波長變換構件照射激發光之光源而成。
根據本發明，可提供一種於照射LED或LD之光之情形時經時之發光強度之降低較少之波長變換構件及使用其而成之發光裝置。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧波長變換構件
3‧‧‧光源
L1‧‧‧激發光
L2‧‧‧螢光
圖1係本發明之一實施形態之發光裝置的模式性側視圖。
本發明之波長變換構件係於玻璃基質中分散無機螢光體而成者。玻璃基質以莫耳%計含有SiO2 40~60%、B2O3 0.1~35%、Al2O3 0.1~10%、Li2O 0~10%、Na2O 0~10%、K2O 0~10%、Li2O+Na2O+K2O 0.1~10%、MgO 0~45%、CaO 0~45%、SrO 0~45%、BaO 0~45%、MgO+CaO+SrO+BaO 0.1~45%、及ZnO 0~15%。以下對如
此限定玻璃組成範圍之原因進行說明。
SiO2係形成玻璃網絡之成分。SiO2之含量為40~60%，較佳為45~55%。若SiO2之含量過少，則有耐候性或機械強度降低之傾向。另一方面，若SiO2之含量過多，則發光強度容易經時降低。又，於製造波長變換構件時燒結溫度成為高溫，而無機螢光體容易劣化。
B2O3係使熔融溫度降低而顯著改善熔融性之成分。B2O3之含量為0.1~35%，較佳為1~30%。若B2O3之含量過少，則不易獲得上述效果。又，於製造波長變換構件時燒結溫度成為高溫，而無機螢光體容易劣化。另一方面，若B2O3之含量過多，則發光強度容易經時降低。又，耐候性容易降低。
再者，SiO2與B2O3之比率SiO2/B2O3(莫耳比)之值較佳為1~7、1~6.5、1.1~6、1.15~5、1.2~4、1.5~3.5，尤佳為1.7~2.5。若SiO2/B2O3之值過大，則有SiO2之比率變大，容易形成因O元素脫離所引起之著色中心，而發光強度經時降低之傾向。另一方面，若SiO2/B2O3之值過小，則B2O3之比率變大，而耐候性容易降低。
Al2O3係提高耐候性或機械強度之成分。Al2O3之含量為0.1~10%，較佳為2~8%。若Al2O3之含量過少，則不易獲得上述效果。另一方面，若Al2O3之含量過多，則有熔融性降低之傾向。
再者，為了達成較高之耐候性，較佳為將SiO2+B2O3+Al2O3之含量設為55%以上，更佳為設為60%以上，進而較佳為設為65%以上，尤佳為設為67%以上，最佳為設為70%以上。SiO2+B2O3+Al2O3之含量之上限並無特別限定，若過多，則熔融性容易降低，因此較佳為設為85%以下，更佳為設為84%以下，進而較佳為設為83%以下。
Li2O、Na2O及K2O係使熔融溫度降低而改善熔融性且使軟化點降低之成分。該等成分之含量分別為0~10%，較佳為0~5%，更佳為0.1~2%。若該等成分之含量過多，則有耐候性降低之傾向。
再者，Li2O+Na2O+K2O之含量為0.1~10%，較佳為1~7%，更佳為2~5%。若Li2O+Na2O+K2O之含量過少，則軟化點不易降低。另一方面，若Li2O+Na2O+K2O含量過多，則耐候性容易降低，且容易因LED或LD之光照射而導致發光強度經時降低。Li2O、Na2O及K2O較佳為將2種以上、尤其是3種混合而使用。具體而言，較佳為分別含有0.1%以上之Li2O、Na2O及K2O。若如此，則可藉由混合鹼效應而高效率地降低軟化點。又，若使各鹼性氧化物之含量同等，則容易獲得混合鹼效應。
為了達成較高之耐候性，較佳為適當調整作為有助於提高耐候性之成分之SiO2、B2O3及Al2O3之總量與成為耐候性降低之原因之鹼金屬氧化物(Li2O、Na2O及K2O)之含量之比率。具體而言，(Li2O+Na2O+K2O)/(SiO2+B2O3+Al2O3)(莫耳比)較佳為0.2以下，更佳為0.18以下，進而較佳為0.15以下。
MgO、CaO、SrO及BaO係使熔融溫度降低而改善熔融性且使軟化點降低之成分。又，由於阻礙成為因LED或LD之光照射導致形成著色中心之原因之離子之移動，故而亦具有抑制發光強度之經時之降低之效果。該等成分之含量分別為0~45%，較佳為10~45%，尤佳為15~35%。若該等成分之含量過多，則有耐候性降低之傾向。再者，質量數較大之BaO之阻礙成為形成著色中心之原因之離子之移動之效果較大，可有效地抑制發光強度之經時之降低。
再者，MgO+CaO+SrO+BaO之含量為0.1~45%，較佳為0.1~40%，更佳為0.1~35%，進而較佳為1~30%，尤佳為5~25%。若MgO+CaO+SrO+BaO之含量過少，則軟化點不易降低，且不易獲得抑制發光強度之經時之降低之效果。另一方面，若MgO+CaO+SrO+BaO之含量過多，則耐候性容易降低。
ZnO係使熔融溫度降低而改善熔融性之成分。ZnO之含量為0~
15%，較佳為0~12%，更佳為0~10%，進而較佳為1~7%。若ZnO之含量過多，則有耐候性降低之傾向。
又，除上述成分以外，亦可於無損本發明之效果之範圍內含有各種成分。例如可於15%以下、進而10%以下、尤其是5%以下且以總量計為30%以下之範圍內分別含有P2O5、La2O3、Ta2O5、TeO2、TiO2、Nb2O5、Gd2O3、Y2O3、CeO2、Sb2O3、SnO2、Bi2O3及ZrO2等。又，亦可含有F。F由於具有降低軟化點之效果，故而藉由含有其代替作為形成著色中心之原因之一之鹼金屬成分，可於維持軟化點之狀態下抑制發光強度之經時之降低。F之含量以陰離子%計較佳為0~20%、0~10%，尤佳為0.1~5%。
玻璃基質之軟化點較佳為400~800℃，更佳為450~750℃，進而較佳為500~700℃。若軟化點過低，則機械強度及耐候性容易降低。另一方面，若軟化點過高，則容易因製造時之焙燒而導致無機螢光體劣化。
再者，一般多數情況下無機螢光體之折射率高於玻璃。於波長變換構件中，若無機螢光體與玻璃基質之折射率差較大，則激發光容易於無機螢光體與玻璃基質之界面散射。其結果為，激發光對無機螢光體之照射效率變高，而容易提高發光效率。但是，若無機螢光體與玻璃基質之折射率差過大，則有激發光之散射過度，成為散射損失而發光效率反而降低之傾向。鑒於以上情況，無機螢光體與玻璃基質之折射率差較佳為0.001~0.5左右。又，玻璃基質之折射率(nd)較佳為1.45~1.8，更佳為1.47~1.75，進而較佳為1.48~1.6。
本發明中之無機螢光體係選自由氧化物螢光體(包括YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔-鋁-石榴石)螢光體等石榴石系螢光體)、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氯化物螢光體、氧氯化物螢光體、鹵化物螢光體、鋁酸鹽螢光體及鹵磷酸鹽螢光體所組成之群中之至少1種。
於該等無機螢光體中，氧化物螢光體、氮化物螢光體及氮氧化物螢光體之耐熱性較高，於焙燒時相對不易劣化，故而較佳。再者，氮化物螢光體及氮氧化物螢光體具有如下特徵：將近紫外~藍之激發光變換成綠~紅之廣泛波長區域，而且發光強度亦相對較高。因此，氮化物螢光體及氮氧化物螢光體尤其作為用於白色LED元件用波長變換構件之無機螢光體有效。為了抑制由無機螢光體所產生之熱傳導至玻璃基質，可使用經被覆處理之無機螢光體。藉此，可抑制玻璃基質中之電子、電洞、鹼離子之移動之活躍化，結果抑制著色中心之形成。作為被覆材料較佳為氧化物。再者，作為除上述以外之螢光體，可列舉硫化物螢光體，但硫化物螢光體由於會經時劣化或與玻璃基質反應而發光強度容易降低，故而於本發明中不使用。
作為上述無機螢光體，可列舉於波長300~500nm具有激發能帶且於波長380~780nm具有發光波峰者，尤其是發出藍色(波長440~480nm)、綠色(波長500~540nm)、黃色(波長540~595nm)、紅色(波長600~700nm)之光者。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出藍色之發光之無機螢光體，可列舉：(Sr,Ba)MgAl10O17：Eu2+、(Sr,Ba)3MgSi2O8：Eu2+等。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出綠色之螢光之無機螢光體，可列舉：SrAl2O4：Eu2+、SrBaSiO4：Eu2+、Y3(Al,Gd)5O12：Ce3+、SrSiON：Eu2+、BaMgAl10O17：Eu2+,Mn2+、Ba2MgSi2O7：Eu2+、Ba2SiO4：Eu2+、Ba2Li2Si2O7：Eu2+、BaAl2O4：Eu2+等。
作為若照射波長440~480nm之藍色之激發光則發出綠色之螢光之無機螢光體，可列舉：SrAl2O4：Eu2+、SrBaSiO4：Eu2+、Y3(Al,Gd)5O12：Ce3+、SrSiON：Eu2+、β-SiAlON：Eu2+等。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出黃色之螢光之無機螢光體，可列舉La3Si6N11：Ce3+等。
作為若照射波長440~480nm之藍色之激發光則發出黃色之螢光之無機螢光體，可列舉：Y3(Al,Gd)5O12：Ce3+、Sr2SiO4：Eu2+。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出紅色之螢光之無機螢光體，可列舉：MgSr3Si2O8：Eu2+,Mn2+、Ca2MgSi2O7：Eu2+,Mn2+等。
作為若照射波長440~480nm之藍色之激發光則發出紅色之螢光之無機螢光體，可列舉：CaAlSiN3：Eu2+、CaSiN3：Eu2+、(Ca,Sr)2Si5N8：Eu2+、α-SiAlON：Eu2+等。
再者，亦可配合激發光或發光之波長區域，將複數種無機螢光體混合而使用。例如於照射紫外線區域之激發光而獲得白色光之情形時，只要將發出藍色、綠色、黃色、紅色之螢光之無機螢光體混合而使用即可。
波長變換構件之發光效率(lm/W)係根據無機螢光體之種類或含量、以及波長變換構件之厚度等不同而變化。無機螢光體之含量與波長變換構件之厚度只要以發光效率成為最佳之方式適當調整即可。若無機螢光體之含量過多，則有產生不易燒結、或氣孔率變大而不易將激發光高效率地照射至無機螢光體、或波長變換構件之機械強度降低等問題之虞。另一方面，若無機螢光體之含量過少，則難以獲得所需之發光強度。就此種觀點而言，本發明之波長變換構件中之無機螢光體之含量較佳為0.01~30質量%，更佳為0.05~25質量%，進而較佳為0.08~20質量%。
再者，對於目的在於使波長變換構件中所產生之螢光反射至激發光入射側且主要僅將螢光提取至外部之波長變換構件，可不在上述範圍內，而以發光強度成為最大之方式增加無機螢光體之含量(例如
為30~80質量%，進而為40~75質量%)。
於本發明之波長變換構件中，除無機螢光體以外，亦可含有以總量計為30質量%以下之氧化鋁、二氧化矽、氧化鎂等光擴散材料。
本發明之波長變換構件較佳為包含粉末燒結體。具體而言，較佳為包含含有玻璃粉末及無機螢光體粉末之混合粉末之燒結體。若如此，則可容易地製作於玻璃基質中均勻地分散有無機螢光體之波長變換構件。
玻璃粉末之最大粒徑Dmax較佳為200μm以下，更佳為150μm以下，進而較佳為105μm以下。玻璃粉末之平均粒徑D50較佳為0.1μm以上，更佳為1μm以上，進而較佳為2μm以上。若玻璃粉末之最大粒徑Dmax過大，則於所獲得之波長變換構件中，激發光不易散射而發光效率易於降低。又，若玻璃粉末之平均粒徑D50過小，則於所獲得之波長變換構件中，激發光過度散射而發光效率容易降低。
再者，於本發明中，最大粒徑Dmax及平均粒徑D50係指藉由雷射繞射法所測得之值。
含有玻璃粉末及無機螢光體之混合粉末之焙燒溫度較佳為玻璃粉末之軟化點±150℃以內，更佳為玻璃粉末之軟化點±100℃以內。若焙燒溫度過低，則玻璃粉末不流動，而不易獲得緻密之燒結體。另一方面，若焙燒溫度過高，則有無機螢光體成分溶出至玻璃中而發光強度降低，或無機螢光體成分擴散至玻璃中將玻璃著色而導致發光強度降低之虞。
又，焙燒較佳為於減壓環境中進行。具體而言，焙燒中之環境較佳為未達1.013×105Pa，更佳為1000Pa以下，進而較佳為400Pa以下。藉此，可減少殘留於波長變換構件中之氣泡量。其結果為，可降低波長變換構件內之散射因子，可提高發光效率。再者，可將焙燒步驟整體於減壓環境中進行，亦可例如僅將焙燒步驟於減壓環境中進
行，將其前後之升溫步驟或降溫步驟於並非減壓環境之環境中(例如大氣壓下)進行。
本發明之波長變換構件之形狀並無特別限制，例如不僅包括板狀、柱狀、半球狀、半球圓頂狀等其本身具有特定形狀之構件，亦包括形成於玻璃基板或陶瓷基板等基材表面之覆膜狀之燒結體等。
圖1中表示本發明之發光裝置之實施形態。如圖1所示，發光裝置1係具備波長變換構件2及光源3而成。光源3係對波長變換構件2照射激發光L1。入射至波長變換構件2之激發光L1被變換成其他波長之螢光L2，並自與光源3相反之側出射。此時，亦可使未經波長變換而透過之激發光L1與螢光L2之合成光出射。
以下，基於實施例詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
(1)玻璃粉末之製作
表1及2表示實施例中所使用之玻璃粉末(試樣A~M)及比較例中所使用之玻璃粉末(試樣N~P)。
首先，以成為表1及2所示之玻璃組成之方式製備原料。使用鉑坩堝使原料於800~1500℃之溫度下熔融1~2小時而玻璃化，並使熔融玻璃於一對冷卻輥間流出，藉此成形為膜狀。利用球磨機將膜狀玻璃成形體粉碎後，進行分級而獲得平均粒徑D50為2.5μm之玻璃粉末。對於所獲得之玻璃粉末，藉由下述方法測定軟化點及耐候性。
軟化點係使用纖維伸長法，並採用黏度成為107.6dPa‧s之溫度。
耐候性係以如下方式進行評價。利用模具對玻璃粉末進行加壓成型而製作直徑1cm之圓柱狀預成型體，並於表1及2中所記載之焙燒
溫度下進行焙燒，藉此獲得圓柱狀之燒結體試樣。使用平山製作所製造之HAST試驗機PC-242HSR2將試樣於121℃、95%RH、2個大氣壓之條件下保持300小時，並觀察試樣表面，藉此評價耐候性。具體而言，光學顯微鏡觀察(×500)時，將試驗前後於試樣表面無變化者評價為「○」，將於試樣表面析出玻璃成分或失去光澤者評價為「×」。
(2)波長變換構件之製作
表3~6表示本發明之實施例(試樣1~13、17~29)及比較例(14~16、30~32)。
將表3~6中所示之無機螢光體粉末以特定之質量比混合至表1及2中所記載之各玻璃粉末試樣中而獲得混合粉末。利用模具對混合粉末進行加壓成型而製作直徑1cm之圓柱狀預成型體。對預成型體進行焙燒後，對所獲得之燒結體實施加工，藉此獲得直徑8mm、厚度0.2mm之圓盤狀之波長變換構件。再者，焙燒溫度係根據所使用之玻璃粉末而採用表1及2中所記載之焙燒溫度。對所獲得之波長變換構件測定發光光譜，並算出發光效率。將結果示於表3~6。
發光效率係以如下方式求出。首先，於激發波長460nm之光源上設置波長變換構件，於積分球內測定自波長變換構件之上表面發出之光之能量分佈光譜。其次，將所獲得之光譜乘以標準比視感度而計算總光通量，將總光通量除以光源之電力而算出發光效率。
其次，將上述波長變換構件加工成1.2mm見方，而獲得小片之波長變換構件。將小片之波長變換構件載置於以650mA通電之發光波長445nm之LED晶片上，並進行100小時連續光照射。對於光照射前及光照射100小時後之波長變換構件，使用通用之發光光譜測定裝置於積分球內測定自波長變換構件之上表面發出之光之能量分佈光譜。藉由將所獲得之發光光譜乘以標準比視感度而算出總光通量值。總光通量值之變化率係以光照射100小時後之總光通量值除以光照射前之總光通量值並乘以100所得之值(%)表示，示於表3~6中。
由表3及4明確，於使用α-SiAlON作為無機螢光體之情形時，關於作為實施例之1~13之波長變換構件，光照射100小時後之總光通量值維持光照射前之98%以上，相對於此，關於作為比較例之14~16之波長變換構件，光照射100小時後之總光通量值大大降低為光照射前之96.5%以下。
由表5及6明確，於使用YAG作為無機螢光體之情形時，關於作為實施例之17~29之波長變換構件，即便於光照射100小時後亦未確認到總光通量值之降低，相對於此，關於作為比較例之30~32之波長變換構件，光照射100小時後之總光通量值大大降低為光照射前之98.5%以下。
本發明之波長變換構件適合作為白色LED等一般照明、特殊照明(例如投影器光源、汽車之頭燈光源)等之構成構件。
Claims (7)
- 一種波長變換構件，其特徵在於：其係於玻璃基質中分散無機螢光體而成者，且上述玻璃基質以莫耳%計含有SiO2 40~55%、B2O3 0.1~35%、Al2O3 0.1~10%、Li2O 0~10%、Na2O 0~10%、K2O 0~10%、Li2O+Na2O+K2O 0.1~10%、MgO 0~45%、CaO 0~45%、SrO 0~45%、BaO 11~45%、MgO+CaO+SrO+BaO 11~45%、及ZnO 0~15%，並且SiO2/B2O3之值為1~7；上述無機螢光體係選自由氧化物螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氯化物螢光體、氧氯化物螢光體、鹵化物螢光體、鋁酸鹽螢光體及鹵磷酸鹽螢光體所組成之群中之至少1種。
- 如請求項1之波長變換構件，其中上述玻璃基質分別含有0.1%以上之Li2O、Na2O及K2O。
- 如請求項1或2之波長變換構件，其中上述玻璃基質之軟化點為400~800℃。
- 如請求項1或2之波長變換構件，其含有0.01~30質量%之上述無機螢光體。
- 如請求項1或2之波長變換構件，其中上述無機螢光體為α-SiAlON。
- 如請求項1或2之波長變換構件，其包含粉末燒結體。
- 一種發光裝置，其特徵在於：其係包括如請求項1至6中任一項之波長變換構件、及對上述波長變換構件照射激發光之光源而成。
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