TWI628261B - Wavelength conversion member and light emitting device - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種於照射LED或LD之光之情形時發光強度之經時降低較少之波長轉換構件。
本發明之波長轉換構件之特徵在於：包含含有(a)含有鹼金屬元素及多價元素作為玻璃組成之玻璃粉末、及(b)無機螢光體粉末之混合粉末之燒結體。
Description
本發明係關於一種將發光二極體(LED，Light Emitting Diode)或雷射二極體(LD，Laser Diode)等所發出之光之波長轉換為其他波長之波長轉換構件。
近年來，作為轉變為螢光燈或白熾燈之次世代光源，就低耗電、小型輕量、容易調節光量之觀點而言，業界對使用LED或LD之光源之關注不斷增大。作為此種次世代光源之一例，例如專利文獻1中揭示有於射出藍光之LED上配置有吸收來自LED之光之一部分並轉換為黃光之波長轉換構件的光源。該光源發出自LED出射之藍光與自波長轉換構件出射之黃光之合成光即白光。
作為波長轉換構件，先前一直使用於樹脂基質中分散有無機螢光體粉末者。然而，於使用該波長轉換構件之情形時，存在因來自LED之光而使樹脂劣化，光源之亮度容易降低之問題。尤其是存在因LED所發出之熱或高能量之短波長(藍色~紫外)光而使模具樹脂劣化，引起變色或變形之問題。
因此，提出有包含於代替樹脂之玻璃基質中分散固定有無機螢光體粉末之完全無機固體而成之波長轉換構件(例如參照專利文獻2及3)。該波長轉換構件具有如下特徵：成為母材之玻璃難以因LED晶片之熱或照射光而劣化，難以產生變色或變形等問題。
然而，上述波長轉換構件有因製造時之焙燒而容易造成無機螢
光體粉末劣化，使亮度劣化之問題。尤其是於普通照明、特殊照明等用途中，為了謀求較高之演色性，必須使用紅色或綠色等耐熱性相對較低之無機螢光體粉末，有無機螢光體粉末之劣化變得顯著之傾向。因此，提出有藉由使玻璃粉末組成中含有鹼金屬元素而使軟化點降低之波長轉換構件(例如參照專利文獻4)。該波長轉換構件由於可藉由相對較低溫度下之焙燒而製造，故而可抑制焙燒時之無機螢光體粉末之劣化。
[專利文獻1]日本專利特開2000-208815號公報
[專利文獻2]日本專利特開2003-258308號公報
[專利文獻3]日本專利特許第4895541號公報
[專利文獻4]日本專利特開2007-302858號公報
然而，於玻璃基質中含有鹼金屬元素之上述波長轉換構件存在發光強度容易經時降低之問題。隨著近年來之LED或LD等光源之輸出進一步增大，發光強度之經時降低變得越發顯著。
因此，本發明之目的在於提供一種於照射LED或LD之光之情形時，發光強度之經時降低較少之波長轉換構件。
本發明之波長轉換構件之特徵在於：包含含有(a)含有鹼金屬元素及多價元素作為玻璃組成之玻璃粉末、及(b)無機螢光體粉末之混合粉末之燒結體。本發明中，所謂「多價元素」係指能採用複數種價數之元素。
如上所述，若對於玻璃基質中含有鹼金屬元素之波長轉換構件
照射高輸出之LED或LD之光，則有發光強度經時降低之傾向。關於詳細原因，本發明者們推測如下內容。
若對於組成中含有鹼金屬元素之玻璃基質照射激發光，則於玻璃基質中之氧離子之最外殼所存在之電子被激發光之能量激發，而自氧離子分離，一部分與玻璃基質中之鹼離子結合，從而形成著色中心(此處，於鹼離子脫落後形成空位)。另一方面，因電子脫落而產生之電洞於玻璃基質中移動，一部分被捕捉於鹼離子脫落後所形成之空位內，從而形成著色中心。認為形成於玻璃基質中之該等著色中心成為激發光或螢光之吸收源，使波長轉換構件之發光強度降低。
因此，為了抑制上述現象，本發明之波長轉換構件於玻璃組成中含有多價元素。若於捕捉有上述電洞之著色中心之附近存在價數容易變化之多價元素之離子，則多價元素離子對電洞賦予電子，而使該電洞湮滅。此處，若捕捉有電子之著色中心存在於多價元素離子之附近，則多價元素離子藉由自著色中心奪取電子而回到初始之電子狀態。結果，認為多價元素離子係作為電子之載體自捕捉有電子之著色中心奪取電子，並將該電子賦予至電子不足之著色中心，藉此進行電子與電洞之再結合。結果可抑制於玻璃基質中產生之電子與電洞作用於玻璃基質中之鹼離子或空位，而抑制波長轉換構件之發光強度之經時降低。
於本發明之波長轉換構件中，較佳為上述多價元素係選自Ce、As、Mo及W中之至少1種。
於本發明之波長轉換構件中，較佳為上述玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，含有0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O。
於本發明之波長轉換構件中，較佳為上述玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，含有0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3。
於本發明之波長轉換構件中，較佳為上述玻璃粉末以下述氧化
物換算之莫耳%計，含有30~80%之SiO2、1~40%之B2O3、0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O、0.1~45%之MgO+CaO+SrO+BaO、及0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3。
於本發明之波長轉換構件中，較佳為上述玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，含有30~80%之SiO2、1~55%之B2O3、0~20%之Li2O、0~25%之Na2O、0~25%之K2O、0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O、及0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3。
於本發明之波長轉換構件中，較佳為上述無機螢光體粉末係選自氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氧化物螢光體、硫化物螢光體、氧硫化物螢光體、鹵化物螢光體及鋁酸鹽螢光體中之至少1種。
本發明之波長轉換構件之特徵在於：其係於包含含有鹼金屬元素及多價元素作為玻璃組成之玻璃粉末之燒結體之基質中分散無機螢光體粉末而成。
本發明之發光裝置之特徵在於：其包含上述任一波長轉換構件、及對上述波長轉換構件照射激發光之光源而成。
根據本發明，可提供一種於照射LED或LD之光之情形時，發光強度之經時降低較少之波長轉換構件。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧波長轉換構件
3‧‧‧光源
圖1係表示本發明之發光裝置之一實施形態之模式圖。
本發明之波長轉換構件之特徵在於：包含含有(a)含有鹼金屬元素及多價元素作為玻璃組成之玻璃粉末、及(b)無機螢光體粉末之混合粉末之燒結體。以下，對各構成成分進行詳細說明。
玻璃粉末於本發明之波長轉換構件中，具有作為用以穩定地保持無機螢光體粉末之介質之作用。此處，根據玻璃粉末之組成，於焙
燒時與無機螢光體粉末之反應性上出現差異，故而較佳為選擇適於所使用之無機螢光體粉末之玻璃組成。
為了使軟化點降低，玻璃粉末含有鹼金屬元素(選自Li、Na及K中之至少1種)作為玻璃組成。具體而言，玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，較佳為含有0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O，更佳為含有1~25%，進而較佳為含有2~20%。若Li2O+Na2O+K2O之含量過少，則變得難以獲得上述效果，另一方面，若過多，則化學耐久性容易降低。再者，如下述般，Li2O、Na2O及K2O之含量較佳為根據玻璃組成體系而設定適當之範圍。
又，藉由使玻璃粉末含有多價元素，可抑制波長轉換構件之發光強度之經時降低。作為多價元素，可列舉選自Ce、As、Mo及W中之至少1種。尤其是Ce可顯著地抑制發光強度之經時降低，進而，玻璃粉末本身亦難以著色，故而較佳。
玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，較佳為含有0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3，更佳為含有0.01~5%，進而較佳為含有0.1~3%。若CeO2+As2O3+MoO2+WO3之含量過少，則變得難以獲得上述效果。另一方面，若過多，則有玻璃粉末本身著色而使發光強度降低之傾向。再者，各多價元素之含量亦較佳為分別設為上述範圍。
又，玻璃粉末較佳為含有10~99莫耳%之選自SiO2、B2O3、P2O5、Bi2O3及TeO2中之至少1種。具體而言，可列舉SiO2-B2O3-RO(R係選自Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種)-R'2O(R'係選自Li、Na及K中之至少1種)系玻璃、SnO-P2O5-R'2O系玻璃、SiO2-B2O3-R'2O系玻璃、SiO2-B2O3-ZnO-R'2O系玻璃等。
作為SiO2-B2O3-RO-R'2O系玻璃，例如較佳為以下述氧化物換算之莫耳%計，含有30~80%之SiO2、1~40%之B2O3、0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O、0.1~45%之MgO+CaO+SrO+BaO、及0.001~10%之
CeO2+As2O3+MoO2+WO3者。以下，對如此限定玻璃組成之原因進行說明。
SiO2係形成玻璃網絡之成分。SiO2之含量較佳為30~80%，更佳為40~60%。若SiO2之含量過少，則有化學耐久性降低之傾向。另一方面，若SiO2之含量過高，則軟化點變高，因此，為了充分地燒結，必須進行高溫焙燒。其結果，於焙燒時無機螢光體粉容易劣化。
B2O3係使熔融溫度降低而改善熔融性之效果較大之成分。B2O3之含量較佳為1~40%，更佳為5~30%。若B2O3之含量過少，則變得難以獲得上述效果。另一方面，若B2O3之含量過多，則有化學耐久性降低之傾向。
Li2O、Na2O及K2O係使軟化點降低之成分。Li2O、Na2O及K2O之含量(總量)較佳為0.1~35%，更佳為1~25%，進而較佳為2~20%。若該等成分之含量過少，則軟化點難以降低，另一方面，若該等成分過多，則化學耐久性或耐候性容易降低。
再者，Li2O、Na2O及K2O之各成分之含量之較佳範圍如下所述。Li2O之含量較佳為0~10%，更佳為0.1~5%。Na2O之含量較佳為0~15%，更佳為0.1~10%。K2O之含量較佳為0~15%，更佳為0.1~10%。
MgO、CaO、SrO及BaO係使熔融溫度降低而改善熔融性之成分。再者，BaO亦具有抑制與無機螢光體粉末之反應之效果。MgO、CaO、SrO及BaO之含量(總量)較佳為0.1~45%，更佳為1~40%，進而較佳為2~35%。若該等成分之含量過少，則有變得難以獲得上述效果之傾向，另一方面，若過多，則有化學耐久性降低之傾向。
再者，MgO、CaO、SrO及BaO之各成分之含量之較佳範圍如下所述。MgO之含量較佳為0~10%，更佳為0~5%。CaO之含量較佳為0~30%，更佳為0~20%。SrO之含量較佳為0~20%，更佳為0~
10%。BaO之含量較佳為0~40%，更佳為0.1~30%。
CeO2、As2O3、MoO2、WO3之總量及個別之含量如上所述。
於玻璃粉末中，除上述成分以外，亦可含有下述成分。
Al2O3係使化學耐久性提昇之成分。Al2O3之含量較佳為0~20%，更佳為1~18%。若Al2O3之含量過多，則有熔融性降低之傾向。
ZnO係使熔融溫度降低而改善熔融性之成分。ZnO之含量較佳為0~20%，更佳為0.1~10%。若ZnO之含量過多，則化學耐久性容易降低。
又，為了提昇化學耐久性等，亦可含有至多15%之Ta2O5、TiO2、Nb2O5、Gd2O3、La2O3、Y2O3、Bi2O3或ZrO2各者。
作為SnO-P2O5-R'2O系玻璃，例如較佳為以莫耳%計，含有35~80%之SnO、5~40%之P2O5、0~30%之B2O3、0.1~5%之Li2O+Na2O+K2O、及0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3者。以下，對如此限定玻璃組成之原因進行說明。
SnO係形成玻璃網絡並且使軟化點降低之成分。SnO之含量較佳為35~80%，更佳為45~75%。若SnO之含量過少，則有軟化點變高，或耐候性降低之傾向。另一方面，若SnO之含量過多，則有因Sn所產生之失透物析出，使透過率降低之傾向，結果波長轉換構件之發光強度容易降低。又，變得難以玻璃化。
P2O5係形成玻璃網絡之成分。P2O5之含量較佳為5~40%，更佳為10~30%。若P2O5之含量過少，則變得難以玻璃化。另一方面，若P2O5之含量過多，則有軟化點變高，或耐候性顯著降低之傾向。
B2O3係使耐候性提昇並且促進分相之成分。又，亦具有使玻璃穩定化之效果。B2O3之含量較佳為0~30%，更佳為1~25%。若B2O3之含量過多，則耐候性容易降低。又，有使軟化點變得過高之傾向。
Li2O、Na2O及K2O係使軟化點降低之成分。Li2O、Na2O及K2O之含量(總量)較佳為0.1~5%，更佳為1~4%。若該等成分之含量過少，則軟化點難以降低。另一方面，若該等成分過多，則化學耐久性容易降低。又，有分相性變得過大，光散射損失變大之傾向。Li2O、Na2O及K2O之各成分之含量分別較佳為0~5%，更佳為0.1~4%，進而較佳為1~4%。
CeO2、As2O3、MoO2、WO3之總量及個別之含量如上所述。
又，為了使熔融性提昇、或使軟化點降低而易於進行低溫焙燒，除上述成分以外，亦可含有以總量計至多5%之MgO、CaO、SrO或BaO。此外，為了提昇化學耐久性等，亦可含有至多15%之Al2O3、ZrO2、ZnO、Ta2O5、TiO2、Nb2O5、Gd2O3、Bi2O3、TeO2或La2O3各者。
作為SiO2-B2O3-R'2O系玻璃，例如較佳為以莫耳%計，含有30~80%之SiO2、1~55%之B2O3、0~20%之Li2O、0~25%之Na2O、0~25%之K2O、0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O、及0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3者。
又，為了使熔融性提昇，除上述成分以外，亦可含有以總量計至多30%之MgO、CaO、SrO及BaO。此外，為了使熔融性提昇，亦可含有至多10%之ZnO、至多5%之P2O5，為了使化學耐久性提昇，亦可含有至多10%之Al2O3、至多15%之Ta2O5、TiO2、Nb2O5、Gd2O3或La2O3各者。
作為SiO2-B2O3-ZnO-R'2O系玻璃，例如較佳為以莫耳%計，含有5~50%之SiO2、10~55%之B2O3、30~80%之ZnO、0~20%之Li2O、0~20%之Na2O、0~20%之K2O、0.1~25%之Li2O+Na2O+K2O、0~10%之MgO、0~10%之CaO、0~10%之SrO、0~10%之BaO、及0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3者。
又，為了使化學耐久性提昇，除上述成分以外，亦可含有至多5%之Al2O3、至多15%之Ta2O5、TiO2、Nb2O5、Gd2O3或La2O3各者。
玻璃粉末之粒徑並無特別限定，例如較佳為最大粒徑D99為200μm以下(尤其是150μm以下、進而105μm以下)，且平均粒徑D50為0.1μm以上(尤其是1μm以上、進而2μm以上)。若玻璃粉末之最大粒徑D99過大，則於所獲得之波長轉換構件中，激發光變得難以散射，發光效率容易降低。又，若平均粒徑D50過小，則於所獲得之波長轉換構件中，激發光過度地散射，發光效率容易降低。
再者，於本發明中，平均粒徑D50及最大粒徑D99係指藉由雷射繞射法所測得之值。
作為無機螢光體粉末，只要為通常可於市場上獲取者，則並無特別限定。例如可列舉：氮化物螢光體粉末、氮氧化物螢光體粉末、氧化物螢光體粉末(包含YAG(Yttrium Aluminium Garnet，釔鋁石榴石)螢光體粉末等石榴石系螢光體粉末)、硫化物螢光體粉末、氧硫化物螢光體粉末、鹵化物螢光體粉末(鹵磷酸鹽化物等)及鋁酸鹽螢光體粉末等。該等無機螢光體粉末中，氮化物螢光體粉末、氮氧化物螢光體粉末及氧化物螢光體粉末之耐熱性較高，於焙燒時相對難以劣化，故而較佳。再者，氮化物螢光體粉末及氮氧化物螢光體粉末具有將近紫外~藍色之激發光轉換為綠色~紅色等寬廣之波長區域，並且發光強度亦相對較高之特徵。因此，氮化物螢光體粉末及氮氧化物螢光體粉末作為白色LED元件用波長轉換構件所使用之無機螢光體粉末尤其有效。
作為上述無機螢光體粉末，可列舉：於波長300~500nm具有激發帶且於波長380~780nm具有發光波峰者，尤其是呈藍色(波長440~480nm)、綠色(波長500~540nm)、黃色(波長540~595nm)或紅色(波長600~700nm)發光者。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出藍色螢光之無機螢光體粉末，可列舉(Sr，Ba)MgAl10O17：Eu2+、(Sr，Ba)3MgSi2O8：Eu2+等。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出綠色螢光之無機螢光體粉末，可列舉：SrAl2O4：Eu2+、SrBaSiO4：Eu2+、Y3(Al，Gd)5O12：Ce3+、SrSiOn：Eu2+、BaMgAl10O17：Eu2+,Mn2+、Ba2MgSi2O7：Eu2+、Ba2SiO4：Eu2+、Ba2Li2Si2O7：Eu2+、BaAl2O4：Eu2+等。
作為若照射波長440~480nm之藍色之激發光則發出綠色螢光之無機螢光體粉末，可列舉SrAl2O4：Eu2+、SrBaSiO4：Eu2+、Y3(Al，Gd)5O12：Ce3+、SrSiOn：Eu2+、β-SiAlON：Eu2+等。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出黃色螢光之無機螢光體粉末，可列舉La3Si6N11：Ce3+等。
作為若照射波長440~480nm之藍色之激發光則發出黃色螢光之無機螢光體粉末，可列舉Y3(Al，Gd)5O12：Ce3+、Sr2SiO4：Eu2+。
作為若照射波長300~440nm之紫外~近紫外之激發光則發出紅色螢光之無機螢光體粉末，可列舉CaGa2S4：Mn2+、MgSr3Si2O8：Eu2+,Mn2+、Ca2MgSi2O7：Eu2+,Mn2+等。
作為若照射波長440~480nm之藍色之激發光則發出紅色螢光之無機螢光體粉末，可列舉CaAlSiN3：Eu2+、CaSiN3：Eu2+、(Ca，Sr)2Si5N8：Eu2+、α-SiAlON：Eu2+等。
再者，亦可根據激發光或發光之波長區域，混合複數種無機螢光體粉末而使用。例如，於照射紫外線區域之激發光而獲得白光之情形時，只要將發出藍色、綠色、黃色、紅色之螢光之無機螢光體粉末加以混合而使用即可。
若波長轉換構件中之無機螢光體粉末之含量過多，則有變得難
以燒結，或氣孔率變大之傾向。其結果，所獲得之波長轉換構件會產生難以效率良好地對無機螢光體粉末照射激發光，或機械強度容易降低等問題。另一方面，若無機螢光體粉末之含量過少，則變得難以獲得所需之發光強度。就此種觀點而言，將波長轉換構件中之無機螢光體粉末之含量於以質量%計較佳為0.01~50%、更佳為0.05~40%、進而較佳為0.1~30%之範圍內進行調整。
再者，關於以使波長轉換構件中產生之螢光反射至激發光入射側並主要僅將螢光提取至外部為目的之波長轉換構件，為了使發光強度成為最大，亦可將無機螢光體粉末之含量設為較多(例如以質量%計為50%~80%、進而55~75%)而並非限定於上述含量。
本發明之波長轉換構件係藉由焙燒含有鹼金屬元素及多價元素作為玻璃組成之玻璃粉末之混合粉末而製造。藉此，獲得於包含含有鹼金屬元素及多價元素作為玻璃組成之玻璃粉末之燒結體之基質中分散無機螢光體粉末而成之波長轉換構件。
焙燒溫度係於玻璃粉末之軟化點±150℃以內、較佳為±100℃以內之範圍內進行適當調整。若焙燒溫度過低，則玻璃粉末未充分地流動而難以獲得緻密之燒結體。另一方面，若焙燒溫度過高，則有無機螢光體粉末熔出至玻璃粉末中而使發光強度降低之虞。或者，有無機螢光體粉末中所含有之成分擴散至玻璃粉末中並著色而使發光強度降低之虞。
再者，焙燒較佳為於減壓環境中進行。具體而言，焙燒環境較佳為未達1.013×105Pa，更佳為1000Pa以下，進而較佳為400Pa以下。藉此，可減少殘存於波長轉換構件中之氣泡之量。其結果，可減少波長轉換構件內之光散射因子，可提昇發光效率。再者，亦可整個焙燒步驟於減壓環境中進行，例如，亦可僅焙燒步驟於減壓環境中進行，焙燒步驟前後之升溫步驟或降溫步驟於非減壓環境之環境(例如
大氣壓下)中進行。
本發明之波長轉換構件之形狀並無特別限制，例如可為板狀、柱狀、球狀、半球狀、半球圓頂狀等，不僅為其自身具有特定形狀之構件，亦可為形成於玻璃基板或陶瓷基板等基材表面之被膜狀者。
圖1中表示本發明之發光裝置之一實施形態。如圖1所示，發光裝置1包含波長轉換構件2及光源3。光源3對波長轉換構件2照射激發光Lin。入射至波長轉換構件2之激發光Lin被轉換為其他波長之光，並自與光源3相反側作為Lout出射。此時，亦可出射波長轉換後之光與未經波長轉換而透過之激發光之合成光。
以下，基於實施例對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於該等實施例。
(1)玻璃粉末之製作
表1表示本實施例中使用之玻璃粉末之組成。
首先，以成為表1所示之組成之方式調製原料。將原料於鉑坩堝內，於800~1500℃之溫度下熔融1~2小時而玻璃化，使熔融玻璃從一對冷卻輥間流出，藉此成形為膜狀。利用球磨機將膜狀之玻璃粉碎後，進行分級而獲得平均粒徑D50為2.5μm之玻璃粉末。
各玻璃粉末之密度及軟化點係使用將熔融玻璃根據各測定而成形為塊狀或圓柱狀，並進行退火而獲得之試樣來測定。軟化點係使用纖維伸長法，採用黏度成為107.6dPa‧s之溫度。密度係藉由阿基米德法而求出。
(2)波長轉換構件之製作
表2~4表示本發明之實施例(試樣No.2~3、5~6、8~9、11~12、14~15、17~18、20~21、23~24、26~27)及比較例(試樣No.1、4、7、10、13、16、19、22、25)。
相對於表1所記載之玻璃粉末，表2中係將特定量之Y3(Al，Gd)5O12：Ce3+(YAG)螢光體粉末加以混合，表3中係將特定量之(Ca，Sr)2Si5N8：Eu2+(SCASN)螢光體粉末加以混合，表4中係將特定量之α-SiAlON：Eu2+(α-SiAlON)螢光體粉末加以混合，從而獲得混合粉末。
利用模具將混合粉末加壓成型而製作直徑1cm之圓柱狀預成型體。藉由對將預成型體於表中記載之溫度下進行焙燒而獲得之燒結體進行加工，而獲得1.2mm見方、厚度0.2mm之波長轉換構件。將所獲得之波長轉換構件載置於發光波長445nm之LED晶片上，於積分球內以700mA通電並連續照射100小時。發光光譜係使用通用之發光光譜測定裝置，對自波長轉換構件上表面發出之光之能量分佈光譜進行測定。藉由將所獲得之發光光譜乘以標準比視感度而算出總光通量值。總光通量值係於照射前及照射100小時後算出。總光通量值之變化率係用照射100小時後之總光通量值除以照射前之總光通量值並乘以100而得之值(%)表示，並示於表2~4。
根據表2~4明確得知，實施例之波長轉換構件即便於照射100小時之激發光後，總光通量值亦幾乎未降低。另一方面，比較例之波長轉換構件於照射100小時之激發光後，總光通量值大幅降低。
本發明之波長轉換構件作為白色LED等普通照明或特殊照明(例
如投影儀光源、汽車之前照燈光源)等之構成構件較佳。
Claims (7)
- 一種波長轉換構件，其特徵在於：包含含有(a)含有鹼金屬元素及選自Ce、As及Mo中之至少1種之多價元素作為玻璃組成之玻璃粉末、及(b)無機螢光體粉末之混合粉末之燒結體。
- 如請求項1之波長轉換構件，其中上述玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，含有0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O。
- 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，含有0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3。
- 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，含有30~80%之SiO2、1~40%之B2O3、0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O、0.1~45%之MgO+CaO+SrO+BaO、及0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3。
- 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述玻璃粉末以下述氧化物換算之莫耳%計，含有30~80%之SiO2、1~55%之B2O3、0~20%之Li2O、0~25%之Na2O、0~25%之K2O、0.1~35%之Li2O+Na2O+K2O、及0.001~10%之CeO2+As2O3+MoO2+WO3。
- 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述無機螢光體粉末係選自氮化物螢光體、氮氧化物螢光體、氧化物螢光體、硫化物螢光體、氧硫化物螢光體、鹵化物螢光體及鋁酸鹽螢光體中之至少1種。
- 一種發光裝置，其特徵在於：其包含如請求項6之波長轉換構件、及對上述波長轉換構件照射激發光之光源而成。
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