TWI654784B - 有機發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents
有機發光二極體顯示器及其製造方法Info
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Abstract
一種有機發光二極體顯示器包括基板、設置於基板上之第一電極、定義於第一電極之上表面中之凹槽以及設置於凹槽中之電洞注入層。
Description
本專利申請案主張於2013年7月12日提出之韓國專利申請案號第10-2013-0082311號之優先權。
本發明係有關於一種有機發光二極體顯示器(OLED)及其製造方法。
由於資訊及通訊技術之發展及資訊化社會之多樣性需求，對於顯示器之需求已增加。平板顯示器(flat panel displays,FPDs)取代曾經為最普遍顯示器類型之陰極射線管(cathode ray tubes,CRTs)，以符合更小及更低耗電顯示器之需求。一些最普遍使用之平板顯示器包括電致發光顯示器(electroluminescent displays,ELDs)、液晶顯示器(liquid crystal displays,LCDs)、電漿顯示面板(plasma display panels,PDPs)及有機發光二極體顯示器(organic light-emitting diode displays,OLEDs)。
特別的是，有機發光二極體顯示器可於低電壓下驅動及具有廣視角及短的反應時間。由於此些優點，有機發光二極體顯示器被使用於愈來愈廣之領域之應用中。傳統的有機發光二極體顯示器可包括陽極、陰極及設置於陽
極與陰極之間之有機層。於有機層中，由陽極所提供之電洞及由陰極所提供之電子可結合以形成激子。當激子回到基態時，有機層會因為所產生之能量而發光。
本發明之例示性實施例提供一種具有改善的電洞注入效率之有機發光二極體顯示器。
本發明之例示性實施例提供一種製造具有改善的電洞注入效率之有機發光二極體顯示器之方法。
然而，本發明之例示性實施例並不局限於此。所屬領域中之通常技藝者將藉由參考本發明下列之詳述，而更清楚明白本發明之上述及其他之例示性實施例。
根據本發明之一例示性實施例，提供一種有機發光二極體顯示器，包括基板、設置於基板上之第一電極、定義於第一電極之上表面中之凹槽以及設置於凹槽中之電洞注入層。
根據本發明之另一例示性實施例，提供一種有機發光二極體顯示器，包括基板、定義於基板上之複數個像素、設置於每一像素中的基板上且其之上表面定義有凹槽之第一電極、設置於每一像素之邊界之第一電極上且定義開口而暴露第一電極的凹槽之像素定義層、設置於第一電極之凹槽中之電洞注入層、設置於電洞注入層上之有機發光層及設置於有機發光層上之第二電極。
根據本發明之再一例示性實施例，提供一種製造有機發光二極體顯示器之方法，此方法包含形成其上表面具有凹槽之第一電極於基板上，以及於凹槽中形成電洞注入層。
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22‧‧‧有機發光二極體顯示器
100‧‧‧基板
110、111、112、113、114、115、116‧‧‧第一電極
110b‧‧‧底部
110s‧‧‧側壁
111b、112b‧‧‧底電極
111s、112s、113s、115s、116s‧‧‧側壁電極
113b_1、114b_1、115b_1、116b_1‧‧‧第一底電極
113b_2、114b_2、115b_2、116b_2‧‧‧第二底電極
113b_3、114b_3‧‧‧第三底電極
113b_1a‧‧‧第一底電極層
113b_2a‧‧‧第二底電極層
113s_a、113s_b‧‧‧側壁電極層
114s_1‧‧‧第一側壁電極
114s_2‧‧‧第二側壁電極
115t、116t‧‧‧凹槽電極
115t_a‧‧‧凹槽電極層
120、121、122、123、124、125‧‧‧電洞注入層
130‧‧‧電洞傳輸層
140、140_1、140_2、140_3‧‧‧有機發光層
150‧‧‧電子傳輸層
160‧‧‧電子注入層
170‧‧‧第二電極
180‧‧‧像素定義層
d11、d12、d21、d22‧‧‧厚度
PR1、PR2‧‧‧光阻圖案
PX1、PX2、PX3‧‧‧像素
藉由一併參考附圖以詳細敘述例示性的實施方式，將使本發明之上述及其他態樣、優點及特徵變得更顯而易見，其中：第1圖係為根據本發明之一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第2圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第3圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第4圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第5圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第6圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第7圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第8圖至第12圖係為根據本發明之複數個例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖；第13圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖；
第14圖至第17圖係為根據本發明之一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法之操作之剖面圖；以及
第18圖至第20圖係為根據本發明描述另一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法之操作之剖面圖。
發光效率會隨著從陽極移動至有機層之電洞之注入效率提升而提升。因此，電洞注入層可提供於陽極及有機層之間以增加電洞注入效率。然而，當電洞注入層並非位於精確之位置上時，無法確保足夠之電洞注入效率。
本發明及完成本發明之方法之優點及特徵可藉由參考下列詳細敘述之例示性實施例及附圖，而更容易理解。本發明並可被實施於多個不同形式且不應解釋為侷限於此些例示性實施例所述之內容。相反地，此些例示性實施例係提供以使得此揭露內容將徹底且完整，且將完全地傳達本發明之概念給所屬技術領域中具有通常知識者，且本發明將僅藉由後附之申請專利範圍所定義。
其將理解的是，當一層被稱為於另一層或基板「上(on)」時，其可直接位於其他層或基板上，亦或者可存在中間層。整份說明書中相同的參考符號係代表相同的構件。
其將理解的是，儘管本文可使用第一、第二、第三等用語以描述不同之元件、構件、區域、層及/或部位，但此些元件、構件、區域、層及/或部位並不應侷限於此些用語。此些用語僅用以區分一元件、構件、區域、層或部位與另一元件、構件、區域、層或部位。因此，下述之第一元件、構件、區域、層或部位可描述為第二元件、構件、區域、層或部位，而未脫離本發明之教示。
本文所使用之術語僅用以描述特定之實施例之目的，且非旨在侷限本發明之實施例。當本文使用時，除非內文有另行清楚標示，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」係旨在一併包含包括「至少一(at least one)」之複數形式。「或(or)」意味著「及/或(and/or)」。當本文使用時，術語「及/或(and/or)」包括一或多個相關聯提及項目之任意或全部組合。其更將理解的是，當於此說明書使用時，術語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」或「包含(includes)」及/或「包含(including)」係指明所述特徵、區域、數字、步驟、操作、元件及/或構件之存在，但未排除一或多個其他特徵、區域、數字、步驟、操作、元件、構件及/或其組合之存在或增加。
此外，相對用語，例如「下(lower)」或「底(bottom)」及「上(upper)」或「頂(top)」，可於本文使用以描述如圖式所說明之一元件與另一元件之對應關係。其將理解的是，除了圖式所繪示之定向以外，相對用語係旨在涵蓋裝置之不同定向。舉例而言，若翻轉圖式其中一個裝置時，原本被描述為位於另一元件之「下(lower)」側之元件將會被定向為位於另一元件之「上(upper)」側。因此，例示性用語「下(lower)」可依據圖式之特定定向，而涵蓋「下(lower)」及「上(upper)」兩種定向。相似地，當翻轉圖式其中一個裝置時，被描述為位於其他元件之「下方(below)」或「下方(beneath)」之元件，將會接著被定向為位於其他元件之「上方(above)」。例示性用語「下(below)」或「下(beneath)」可因此涵蓋上方及下方兩種定向。
考慮於問題中之量測及對於特定數量之量測誤差(即量測系統之極限)，本文使用之「大約(about)」或「約(approximately)」係包含所述值，及技術領域中具有通常知識者於判斷特定數值時之可接受的誤差範圍。舉例而言，「大約(about)」可代表著一或多個標準差，或者所述數值之正負30%、20%、10%或5%之範圍內。
除非另有定義，否則本文使用之全部術語(包括技術及科學性用語)具有與屬於本發明技術領域中具有通常知識者之一般性知識相同之意思。其將更理解的是，那些例如定義於常用字典中之術語應解釋為具有與本發明及相關技術內容相同之意思，且除非本文另有定義，否則將不能理想化或過度地解釋其意思。
例示性實施例在本文中參考理想化的實施例之示意圖式之剖面示意圖而敘述。如此一來，例如製造技術及/或公差之結果的圖示之形狀之差異係為可預期的。因此，本文敘述的實施例不應詮釋為侷限於本文所示的區域之特定形狀，而包含例如從製造得出之結果之形狀上的差異。舉例而言，描述或說明為平面之區域可通常具有粗糙及/或非線性特徵。更甚者，描述之尖角可為圓角。因此，圖式中所繪示之區域本質上為示意性的，且其形狀非旨在說明區域的實際形狀，且並非旨在侷限本發明之申請專利範圍之範疇。
根據本發明之例示性實施例之有機發光二極體顯示器可為向後方向(及朝向基板之方向)發光之底部發光型有機發光二極體顯示器、向前方向(及朝向第二電極之方向)發光之頂部發光型有機發光二極體顯示器，或同時向後方向及向前方向發光之雙模發光型有機發光二極體顯示器。
以下，將參照附圖詳述本發明之例示性實施例。
第1圖係為根據本發明之一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之示意性剖面圖。參照第1圖，有機發光二極體顯示器10包括基板100、設置於基板100上且其中定義有凹槽之第一電極110、設置於第一電極110上之電洞注入層120、設置於電洞注入層120上之有機發光層140以及設置於有機發光層140上之第二電極170。
基板100支撐設置於其上之結構。基板100可為絕緣基板。絕緣基板可包含例如玻璃、塑膠等。於底部發光型有機發光二極體顯示器中，可使用
透光性基板。而於頂部發光型有機發光二極體顯示器中，則可使用半透光性或不透光性基板，以及透光性基板。
第一電極110係設置於基板100上。第一電極110可設置於有機發光二極體顯示器10之每一像素中。儘管第1圖未繪示，但第一電極110可連結至設置於基板100及第一電極110之間之至少一開關裝置，因而接收驅動電壓或驅動電流。
第一電極110面對第二電極170，其間設置有有機發光層140。第一電極110及第二電極170中之任一者可為陽極，而另一者則可為陰極。於本說明之例示性實施例中，第一電極110可為陽極，而第二電極170則可為陰極。
第一電極110可包括導電層，且此導電層具有比第二電極170相對高之功函數。於一例示性實施例中，第一電極110可包括氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)層、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)層、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)層、氧化銦層或其之任意組合。此些例示性導電層具有相對高之功函數及為透光性。因此，當有機發光二極體顯示器10為底部發光型有機發光二極體顯示器或雙模發光型有機發光二極體顯示器時，第一電極110可包括任一之例示性導電層或例示性導電層之堆疊結構。當有機發光二極體顯示器10為頂部發光型有機發光二極體顯示器時，於例示性導電層之下方可更提供具有反射功能之層狀結構。具有反射功能之層狀結構可包含例如銀、鎂、鋁、鉑、鉛、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣或其之任意組合。
凹槽可被定義於第一電極110上表面之一部分中。於一例示性實施例中，凹槽可被定義於第一電極110之上表面之中央部分中。第一電極110可包括底部110b及側壁110s。可藉由底部110b之上表面及側壁110s之內側表面而定義出凹槽。底部110b之上表面及側壁110s之內側表面可接觸電洞注入層120及可各別包括具有高功函數之導電層。更甚者，第一電極110之上表面中未定義有凹
槽之部分(即第一電極110之側壁110s之上表面)亦可包括具有高功函數之導電層。
於第1圖所示之剖面圖中，第一電極110之兩個側壁110s係被描述為藉由底部110b而彼此分開。然而，第一電極110之兩個側壁110s可為具有封閉曲線(例如四方形)之一部分，且此具有封閉曲線之一部分於平面圖(例如俯視圖)中係環繞底部110b，因而當從上方看下來時，此兩側壁110s實際上可彼此物理性連接。
電洞注入層120係設置於第一電極110上。電洞注入層120可增加從第一電極110至有機發光層140之電洞之注入效率。也就是說，電洞注入層120可藉由降低能量障壁而確保更佳之電洞注入效率。
電洞注入層120可包括鈦化菁(phthalocyanine)化合物，例如銅鈦菁(copper phthalocyanine,CuPc)、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(4,4',4"-tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine,m-MTDATA)、4,4'4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine,TDATA)、4,4',4"-三(N-(萘-2-基)-N-苯基胺)三苯胺(4,4',4"-Tris-(N-(naphthylen-2-yl)-N-phenylamine)triphenylamine,2-TNATA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid,Pani/DBSA)、聚(3,4-乙烯基二氧噻吩/聚(4-苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene/poly(4-styrenesulfonate,PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(polyaniline/camphorsulfonic acid,Pani/CSA)或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸)(polyaniline/poly(4-styrene-sulfonate),PANI/PSS)。然而，電洞注入層120所包括之材料並不局限於上述之例示性實施例，且任何會促進電洞之注入之材料皆可用以作為電洞注入層120。
電洞注入層120可充滿第一電極110中所定義出之凹槽。設置於凹槽中之電洞注入層120可被第一電極110所環繞。於一例示性實施例中，電洞注入層120可完全地充滿凹槽，且電洞注入層120之厚度可實質上相等於凹槽之深度。因此，電洞注入層120之上表面可與第一電極110之上表面(即側壁110s之上表面)位於實質相同之水平面上。電洞注入層120之一例示性厚度可介於約100埃(angstrom,Å)至約10000埃之範圍中，或介於約100埃至約1000埃之範圍中。
於所述之例示性實施例中，電洞注入層120可於二或多個表面上接觸第一電極110。當第一電極110及電洞注入層120之間之接觸表面之數量增加時，電洞注入效率亦可隨之提高。特別是，電洞注入層120可接觸第一電極110之底部110b之上表面及第一電極110之側壁110s之內側表面，且電洞不僅可由第一電極110之底部110b之上表面，亦可由第一電極110之側壁110s之內側表面注入進電洞注入層120中。因此，相較於當電洞注入層120僅接觸第一電極110之一個表面，例如僅接觸第一電極110之底部110b之上表面之情況，電洞可注入進電洞注入層120之較大區域中。藉此，可提高電洞注入效率。更甚者，因為電洞注入層120係設置於第一電極110之凹槽中，因此其可有效地防止與第一電極110之錯位。
電洞傳輸層130可設置於電洞注入層120上。電洞傳輸層130可傳輸從電洞注入層120所注入之電洞至有機發光層140中。當電洞傳輸層130之最高佔有分子軌道(HOMO)能量實質上低於第一電極110所包括之材料之功函數及實質上高於有機發光層140之最高佔有分子軌道能量時，電洞傳輸層130可具有最佳之電洞傳輸效率。電洞傳輸層130可包括N,N'-二萘基-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine,NPD)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙-(苯基)-聯苯胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine,TPD)、螺環-4-
氨基-2,2,6,6-四甲基哌啶(spiro-4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine,s-TAD)、4,4',4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)或其任意之組合，但不侷限於此。
有機發光層140係設置於電洞傳輸層130上。有機發光層140可包括基質及摻質。基質可包括例如三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinorate)aluminum,Alq3)、4,4'-N,N'-二咔唑-聯苯(4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl,CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(poly(N-vinylcarbazole),PVK)或聯苯乙烯基亞芳烴(distyrylarylene,DSA)。
螢光摻質及已知之磷摻質均可用以作為摻質。摻質之類型可根據從有機發光層140所發出之光線之顏色而有所改變。紅光摻質可包括例如PtOEP、Ir(pig)3、Btp2Ir(acac)或4-(二氰亞甲基)-2-第三丁基-6-(1,1,7,7，-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyra n,DCJTB)。綠光摻質可包括例如銥(苯基吡啶)3(Ir(ppy)3(ppy=phenylpyridine))、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mpyp)3。藍光摻質可包括例如F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3或三茀(ter-fluorene)。
電子傳輸層150係設置於有機發光層140上。電子傳輸層150可包括喹啉衍生物(quinolone derivative)，例如三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinorate)aluminum,Alq3)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑(3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole,TAZ)、Balq、Bebq2或其之任意組合，但不局限於此。
電子注入層160係設置於電子傳輸層150上。電子注入層160可包括例如為氟化鋰、氯化鈉、氟化銫、氧化鋰或氧化鋇之材料。
第二電極170係設置於電子注入層160上。第二電極170可包括導電層，此導電層相對於第一電極110具有較低之功函數。於一例示性實施例中，
第二電極170可包括銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣或此些材料之組合。
當有機發光二極體顯示器10為底部發光型時，第二電極170可包括具有低功函數之一導電層或具有低功函數之導電層堆疊結構。亦或者，可藉由於一或多個具有低功函數之導電層上設置反射層，而提供第二電極170。當有機發光二極體顯示器10為頂部發光型時，可藉由提供具有低功函數以作為薄層之導電層，及堆疊例如氧化銦錫層、氧化銦鋅層、氧化鋅層或氧化銦層之透光性導電層，而提供第二電極170於導電層上。
如上所述，根據所述例示性實施例之有機發光二極體顯示器10中，凹槽係定義於第一電極110中，且電洞注入層120係設置於凹槽中。因此，可提高電洞注入效率，且可使得電洞注入層120及第一電極110彼此間可更精確地對位。
現將描述本發明之另一例示性實施例。於後續之例示性實施例中，將省略或簡要地敘述與前述例示性實施例相同之元件，且後續之例示性實施例將主要著重於描述與前述例示性實施例之不同處。
第2圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器11之示意性剖面圖。根據所述例示性實施例之有機發光二極體顯示器11與根據第1圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器10之不同處在於，第一電極111包括底電極111b及側壁電極111s。
參照第2圖所示，側壁電極111s及底電極111b可包括具有高功函數之材料。於一例示性實施例中，每一側壁電極111s及底電極111b可包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦或其任意之組合。更甚者，側壁電極111s及底電極111b可包括相同之材料。
側壁電極111s及底電極111b可設置於相同之層狀結構上。側壁電極111s可定義出一開口。底電極111b可設置於此開口中。側壁電極111s可環繞底電極111b。側壁電極111s及底電極111b可彼此電性連接。更甚者，側壁電極111s及底電極111b可彼此物理性接觸。
側壁電極111s之上表面可高於底電極111b之上表面。於一例示性實施例中，可提供厚度厚於底電極111b之側壁電極111s。
由於側壁電極111s之上表面與底電極111b之上表面之間的高度差，因此可定義出第一電極111之凹槽。也就是說，可藉由底電極111b之上表面及側壁電極111s之內側表面，而定義出凹槽。電洞注入層120可設置於凹槽中，且接觸底電極111b及側壁電極111s二者。因此，因為電洞注入層120不僅可從底電極111b接收電洞，亦可從側壁電極111s接收電洞，所以可提高電洞注入效率。
再者，因為電洞注入層120係設置於凹槽中，所以電洞注入層120及第一電極111彼此間可精確地對位。
第3圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器12之示意性剖面圖。根據所述之例示性實施例之有機發光二極體顯示器12與根據第2圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器11之不同處在於，第一電極112之側壁電極112s係設置於底電極112b上。
參照第3圖所示，側壁電極112s係設置於底電極112b上，且定義出至少部分暴露出底電極112b之開口。側壁電極112s之內側表面及底電極112b之經由開口所暴露出之上表面可定義出凹槽。電洞注入層120可設置於凹槽中。
於第3圖所示之例示性實施例中，側壁電極112s之外側表面係實質上對齊於底電極112b之側表面。然而，側壁電極112s之外側表面亦可設置於比底電極112b之側表面更內側處或更外側處。
於所述之例示性實施例中，因為電洞注入層120不僅可接收從底電極112b來之電洞，亦可接收從側壁電極112s來之電洞，因此可提高電洞注入效率。再者，因為電洞注入層120係設置於凹槽中，所以電洞注入層120及第一電極112彼此間可精確地對位。
第4圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器13之示意性剖面圖。根據第4圖之例示性實施例之有機發光二極體顯示器13可包括第2圖中之底電極111b及第3圖中之底電極112b之組合。
參照第4圖所示，底電極可包括第一底電極113b_1、設置於第一底電極113b_1上之第二底電極113b_2以及設置於第二底電極113b_2上之第三底電極113b_3。側壁電極113s係設置於第二底電極113b_2上。側壁電極113s可設置於第二底電極113b_2之外圍上。側壁電極113s可定義出開口，且可藉由此開口暴露出第二底電極113b_2之中心部位。第三底電極113b_3係設置於第二底電極113b_2上。側壁電極113s可環繞第三底電極113b_3。
側壁電極113s之上表面可高於第三底電極113b_3之上表面。於一例示性實施例中，可提供厚度厚於第三底電極113b_3之側壁電極113s。
由於側壁電極113s之上表面與第三底電極113b_3之上表面之間的高度差，因此可定義出第一電極113之凹槽。也就是說，可藉由第三底電極113b_3之上表面及側壁電極113s之內側表面，而定義出凹槽。
側壁電極113s及第三底電極113b_3可包括具有高功函數之材料。
於一例示性實施例中，每一側壁電極113s及第三底電極113b_3可包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦或其任意之組合。更甚者，側壁電極113s及第三底電極113b_3可包括相同之材料。
第一底電極113b_1及第二底電極113b_2應具有足夠之導電性以有效地降低第一電極113之阻抗。然而，因為第一底電極113b_1及第二底電極
113b_2並未直接接觸電洞注入層120，所以第一底電極113b_1及第二底電極113b_2並不需要包括具有高功函數之材料。因此，不僅上述之具有高功函數之例示性材料，而且具有相對較低功函數之材料，例如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰及鈣亦可應用於此。
當有機發光二極體顯示器13為頂部發光型有機發光二極體顯示器時，第一底電極113b_1及第二底電極113b_2中之至少一者可包括具有卓越反射性質之材料。於一例示性實施例中，第二底電極113b_2可包括具有卓越反射性質之材料，例如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰或鈣，且第一底電極113b_1與第三底電極113b_3可包括實質相同之材料。
於所述之例示性實施例中，電洞注入層120可設置於凹槽中，且接觸全部之第三底電極113b_3及側壁電極113s。因此，因為電洞注入層120不僅可接收從第三底電極113b_3來之電洞，亦可接收從側壁電極113s來之電洞，所以可提高電洞注入效率。再者，因為電洞注入層120係設置於凹槽中，所以電洞注入層120及第一電極113彼此間可精確地對位。
於其他之例示性實施例中，可省略第一底電極113b_1及第二底電極113b_2之任一者。
第5圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器14之示意性剖面圖。根據所述之例示性實施例之有機發光二極體顯示器14與根據第4圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器13之不同處在於，第一電極114包括第一側壁電極114s_1及第二側壁電極114s_2。底電極包括第一底電極114b_1、第二底電極114b_2及第三底電極114b_3。
參照第5圖所示，第二側壁電極114s_2係設置於第一側壁電極114s_1上。第二側壁電極114s_2之厚度d12可實質上相同於第三底電極114b_3之厚度d11。第一側壁電極114s_1之厚度可大於第三底電極114b_3之厚度d11。
再者，第二側壁電極114s_2可包括與第三底電極114b_3實質相同之材料。更甚者，第二側壁電極114s_2可包括與第一側壁電極114s_1相同之材料。
於所述之例示性實施例中，可藉由第三底電極114b_3之上表面、第一側壁電極114s_1之內側表面及第二側壁電極114s_2之內側表面，而定義出第一電極114之凹槽。電洞注入層120可設置於第一電極114之凹槽中，且藉此不僅可接觸第三底電極114b_3，亦可接觸第一側壁電極114s_1及第二側壁電極114s_2。因此，可提高電洞注入效率，且電洞注入層120與第一電極114彼此之間可精確地對位。
第6圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器15之示意性剖面圖。於所述之例示性實施例中，第5圖所示之第二側壁電極114s_2及第三底電極114b_3係彼此一體成形地提供。
更具體而言，參照第6圖所示，根據所述之例示性實施例之有機發光二極體顯示器15包括側壁電極115s以及設置於第二底電極115b_2上之凹槽電極115t。第二底電極115b_2係設置於第一底電極115b_1上。凹槽電極115t包括設置於側壁電極115s上之側壁及設置於第二底電極115b_2上之底部。側壁及底部係彼此間物理性連接。側壁之外側表面可對齊於側壁電極115s之外側表面。
側壁之厚度d22可實質上相同於底部之厚度d21。於第6圖所示之例示性實施例中，凹槽電極115t之厚度係大於側壁電極115s之厚度。然而，凹槽電極115t之厚度亦可等於或小於側壁電極115s之厚度。
凹槽電極115t之側壁之內側表面及凹槽電極115t之底部之上表面可定義出凹槽，且電洞注入層120可設置於凹槽中。
於所述之例示性實施例中，可藉由凹槽電極115t之底部之上表面及凹槽電極115t之側壁之內側表面，而定義出第一電極115之凹槽。電洞注入層120可設置於第一電極115之凹槽中，且藉此不僅可接觸凹槽電極115t之底部之上
表面，亦可接觸凹槽電極115t之側壁之內側表面。因此，可提高電洞注入效率，且電洞注入層120與第一電極115彼此之間可精確地對位。
第7圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器16之示意性剖面圖。參照第7圖所示，根據所述之例示性實施例之有機發光二極體顯示器16與根據第6圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器15之不同處在於，凹槽電極116t之側壁之外側表面並非對齊於側壁電極116s之外側表面，而是設置於比側壁電極116s之外側表面更內側處。也就是說，凹槽電極116t之側壁之外側表面可設置於側壁電極116s之上表面上，且可從側壁電極116s之外側表面處向內分離。
第二底電極116b_2係設置於第一底電極116b_1上。
於所述之例示性實施例中，電洞注入層120亦可設置於第一電極116之凹槽中，且藉此不僅可接觸凹槽電極116t之底部之上表面，亦可接觸凹槽電極116t之側壁之內側表面。因此，可提高電洞注入效率，且電洞注入層120與第一電極116彼此之間可精確地對位。
第8圖至第12圖係為根據本發明之複數個例示性實施例之有機發光二極體顯示器17至21之示意性剖面圖。於第8圖至第12圖中，說明了填充於凹槽中之電洞注入層121至125之各種位置。
參照第8圖所示，有機發光二極體顯示器17與根據第4圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器13之不同處在於，電洞注入層121之厚度係小於凹槽之深度。側壁電極113s之上表面相對上更突出於電洞注入層121之上表面。再者，與第4圖中相同之電洞傳輸層130係設置於電洞注入層121上，但部分之電洞傳輸層130係設置於凹槽中。
參照第9圖所示，有機發光二極體顯示器18與根據第4圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器13之不同處在於，電洞注入層122之厚度係
大於凹槽之深度。電洞注入層122之上表面相對上更突出於側壁電極113s之上表面。於所述之例示性實施例中之電洞傳輸層130及第一電極113之間之距離，可大於第4圖或第8圖所示之例示性實施例中之電洞傳輸層130及第一電極113之間之距離。
參照第10圖所示，有機發光二極體顯示器19與根據第4圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器13之不同處在於，電洞注入層123並非接觸側壁電極113s之全部內側表面，而是與側壁電極113s之至少一內側表面相互分離。於例示性實施例中，電洞並非直接注入於電洞注入層123中與側壁電極113s之內側表面相互分離之部分，而是直接注入於電洞注入層123中與側壁電極113s之內側表面相互接觸之部分。因此，相較於電洞注入層123僅接觸第三底電極113b_3之情況，可提高電洞注入效率。
參照第11圖所示，有機發光二極體顯示器20與根據第4圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器13之不同處在於，電洞注入層124不僅充滿第一電極113之凹槽，亦延伸出側壁電極113s之上表面。電洞注入層124之厚度可為均勻性的。也就是說，電洞注入層124可沿著其下之凹槽圖案而一致性地提供均勻的厚度。因此，電洞注入層124中設置於凹槽中之部分之厚度可等於電洞注入層124中設置於側壁電極113s之上表面上之部分之厚度。
於所述之例示性實施例中，因為電洞注入層124不僅可接收從第三底電極113b_3之上表面來之電洞，亦可接收從側壁電極113s之內側表面及側壁電極113s之上表面來之電洞，因此可提高電洞注入效率。
參照第12圖所示，有機發光二極體顯示器21相同於根據第11圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器20之地方在於，電洞注入層125延伸出側壁電極113s之上表面，但其與根據第11圖所示之例示性實施例之有機發光二極體顯示器20之不同處在於，凹槽中之電洞注入層125之厚度係大於側壁電極
113s之上表面上之電洞注入層125之厚度。於一例示性實施例中，位於側壁電極113s上之電洞注入層125之上表面可與凹槽中之電洞注入層125之上表面位於相同之高度。也就是說，電洞注入層125之上表面可為實質上平坦的。然而，電洞注入層125之上表面之形狀並不局限於此，且位於凹槽中之電洞注入層125之上表面可相對地低於其於第11圖所示之高度。
於所述之例示性實施例中，因為電洞注入層125不僅可接收從第三底電極113b_3之上表面來之電洞，亦可接收從側壁電極113s之內側表面及側壁電極113s之上表面來之電洞，因此可提高電洞注入效率。
第13圖係顯示上述例示性實施例應用至具有複數個像素之有機發光二極體顯示器之結構。
第13圖係為根據本發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器22之剖面圖。參照第13圖所示，有機發光二極體顯示器22包括複數個像素PX1、PX2、PX3。
像素PX1、PX2、PX3係定義於基板100上。第一電極113可設置於基板100上之每一像素PX1、PX2、PX3中。於第13圖所示之例示性實施例中，可使用第4圖之第一電極113以作為此處之第一電極113。然而，亦可使用根據本發明之其他多個例示性實施例中之第一電極。
不同像素PX1、PX2、PX3中之第一電極113可為彼此相互電性及物理性分離之像素電極。
像素定義層180可設置於第一電極113上。像素定義層180可設置於每一像素PX1、PX2、PX3之邊界處。像素定義層180可定義各別部分暴露出第一電極113之開口。像素定義層180之開口可交疊於第一電極113，且藉此各別暴露出第一電極113之凹槽。定義出開口之像素定義層180之側壁可對齊於形成第一電極113之凹槽之側壁電極113s之內側表面，亦可設置於比側壁電極113s之內
側表面更外側處。也就是說，如第13圖所示，像素定義層180之側壁可設置於側壁電極113s之上表面上。
像素定義層180可包括無機材料、有機材料或無機材料與有機材料之組合。像素定義層180可包括例如矽氧化物(silicon oxide,SiO2)、矽氮化物(silicon nitride,SiNx)、矽氮氧化物(silicon oxynitride)、丙烯基有機化合物(acrylic organic compound)、聚醯胺(polyamide)或聚亞醯胺(polyimide)。第13圖中所示之像素定義層180係為單層結構。然而，像素定義層180亦可包括相同或不同材料層之堆疊結構。
電洞注入層120係設置於每一第一電極113上。電洞注入層120係設置於第一電極113之每一凹槽中，以如第4圖之例示性實施例所述地提高電洞注入效率。
電洞傳輸層130係設置於電洞注入層120上。於第13圖中，電洞傳輸層130係設置於像素定義層180所定義之每一開口中。然而，電洞傳輸層130亦可為全部像素PX1、PX2、PX3之共用層。
有機發光層140_1、140_2、140_3係設置於電洞傳輸層130上。有機發光層140_1、140_2、140_3可包括對於不同的像素PX1、PX2、PX3發出不同顏色光之有機發光材料。於一例示性實施例中，像素PX1之有機發光層140_1可包括紅光有機發光材料、像素PX2之有機發光層140_2可包括綠光有機發光材料以及像素PX3之有機發光層140_3可包括藍光有機發光材料。
電子傳輸層150及電子注入層160係依序設置於有機發光層140_1、140_2及140_3上。第二電極170係設置於電子注入層160上。於一例示性實施例中，電子傳輸層150及電子注入層160係設置於像素定義層180所定義之每一開口中，但第二電極170可延伸出至像素定義層180上。也就是說，第二電極
170可為每一像素PX1、PX2、PX3之共用電極。於一些其他之例示性實施例中，電子傳輸層150及電子注入層160之每一者亦可為每一像素PX1、PX2、PX3之共用層。
上述之例示性實施例可以各種形式組合於一起。
以下將描述製造上述有機發光二極體顯示器之方法。
第14圖至第17圖係為根據本發明之一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法之操作之剖面圖。第14圖至第17圖係有關於第4圖之有機發光二極體顯示器13之製造方法之一例示性實施例。
參照第14圖所示，第一底電極層113b_1a、第二底電極層113b_2a及側壁電極層113s_a係依序設置於基板100上。第一底電極層113b_1a可包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦或其之任意組合。第二底電極層113b_2a可包括鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣或此些材料之組合。側壁電極層113s_a可包括相同於第一底電極層113b_1a之材料。
參照第15圖所示，側壁電極層113s_b、第二底電極113b_2及第一底電極113b_1係依序地圖案化以提供第一電極圖案。
然後，設置光阻圖案PR1於第一電極圖案之側壁電極層113s_b上以定義開口。光阻圖案PR1可不同於用以提供第一電極圖案之光阻圖案，或可為用以提供第一電極圖案之光阻圖案之殘留物。於一例示性實施例中，當提供第一電極圖案時，可藉由調整利用狹縫遮罩或半透射型遮罩之暴露量，而調整光阻圖案之厚度。然後，可使用此些光阻圖案來進行蝕刻程序。因此，當提供第一電極圖案後，光阻圖案PR1可如第15圖所示地被殘留下來。
參照第16圖所示，使用光阻圖案PR1以作為蝕刻遮罩以蝕刻側壁電極層113s_b，藉此，由側壁電極層113s_b蝕刻出之側壁電極113s會暴露出第二底電極113b_2，然後再移除光阻圖案PR1。
參照第17圖，第三底電極113b_3係設置於被側壁電極113s所暴露出之第二底電極113b_2上。
特別是，第三底電極113b_3可設置於基板100之整個表面上，然後再被圖案化。於另一例示性實施例中，第三底電極113b_3可選擇性地堆疊於藉由使用噴墨印刷法的側壁電極113s所暴露出之第二底電極113b_2上。
如第17圖之組合結構所示，已完成包括凹槽之第一電極。然後，可藉由例如噴墨印刷法，而設置電洞注入層於第一電極之凹槽中。因為電洞注入層係設置於第一電極之凹槽中，所以電洞注入層及第一電極可彼此間精確地對位。
藉由使用與本發明有關之已知技藝方法來提供電洞傳輸層130、有機發光層140、電子傳輸層150、電子注入層160及第二電極170，而完成第4圖之有機發光二極體顯示器13。
第18圖至第20圖係為根據本發明描述另一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法之操作之剖面圖。第18圖至第20圖係有關於製造第6圖之有機發光二極體顯示器15之一例示性方法。
參照第18圖所示，第一底電極115b_1、第二底電極115b_2及側壁電極115s係依序設置於基板100上，然後再被圖案化以提供第一電極圖案。於形成第一電極圖案後，使用作為蝕刻遮罩之光阻圖案以蝕刻側壁電極115s，以暴露出第二底電極115b_2。上述之操作係實質上相同於上述參考第14圖至第17圖之操作。然而，考慮到第20圖所示之凹槽電極115t將設置於側壁電極115s上，因此可提供薄於第16圖至第17圖所示之側壁電極113s之側壁電極115s。
參照第19圖所示，凹槽電極層115t_a係設置於基板100之整個表面上。凹槽電極層115t_a可包括相同於側壁電極115s之材料。
然後，設置光阻圖案PR2於凹槽電極層115t_a上以覆蓋第一電極圖案。
參照第20圖所示，藉由使用作為蝕刻遮罩之光阻圖案PR2，而蝕刻及移除凹槽電極層115t_a之暴露部分。然後，移除光阻圖案PR2。
接著，設置電洞注入層120於凹槽電極115t之凹槽中。最後，藉由使用與本發明有關之已知技藝方法來提供電洞傳輸層130、有機發光層140、電子傳輸層150、電子注入層160及第二電極170，而完成第6圖之有機發光二極體顯示器15。
本發明之例示性實施例提供至少一個下述優點。
亦即，置放電洞注入層於一確切位置及提高電洞注入效率是可能的。
然而，本發明之功效並不局限於本文所闡述之內容。本發明所屬技術領域中具有通常知識者將可藉由參考後附之申請專利範圍，而可更明確地瞭解本發明之上述及其他之功效。
總而言之，所屬技術領域中具有通常知識者將意識到的是，可以對較佳的示例性實施例進行許多變化及修改，而基本上不脫離本發明的原則。
因此，本發明所揭露之較佳例示性實施例僅係用以一般性及描述性之意義，而非用以限制性之目的。
Claims (2)
- 一種有機發光二極體顯示器，包含：一基板；一第一電極，設置於該基板上，該第一電極之上表面中定義有一凹槽；一像素定義層，設置於該第一電極上；以及一電洞注入層，設置於該凹槽中，其中該第一電極包含設置於該基板上的一第一底電極、設置於該第一底電極上的一第二底電極、設置於該第二底電極上並定義出一開口的複數個側壁電極及設置於該開口中的一第三底電極，其中藉由該第三底電極的上表面及該複數個側壁電極的內側表面而定義出該凹槽，其中該像素定義層至少部分不覆蓋該複數個側壁電極的上表面而暴露出該複數個側壁電極的上表面，其中該第一底電極、該第三底電極及該複數個側壁電極包含ITO、IZO及ZnO中的至少其一，且其中該第二底電極包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li及Ca中的至少其一。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個側壁電極包含複數個第一側壁電極，以及設置於該複數個第一側壁電極上之複數個第二側壁電極，其中該第三底電極之厚度係等於該複數個第二側壁電極之厚度。
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