KR20150007811A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 상에 배치되고 상면에 형성된 트렌치를 포함하는 제1 전극, 및 트렌치 내에 매립된 정공 주입층을 포함한다. 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 상면에 트렌치를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계, 및 트렌치 내에 정공 주입층을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
정보통신기술의 발달과 다양화된 정보화 사회의 요구에 따라 디스플레이 수요가 증가하고 있고, 그 디스플레이장치로서 종래 대부분의 표시장치로 채용되었던 CRT(Cathode-Ray Tube)장치 대신에 컴팩트화, 절전화 등의 요구에 따라 평판 디스플레이(FPD, Flat Panel Display)가 개발되고 있다. 현재 일반적으로 많이 쓰이는 평판 디스플레이로는 전계발광표시장치(ELD), 액정표시장치(LCD), 플라스마 표시패널(PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode display, OLED) 등이 있다.
이중 유기 발광 표시 장치는 낮은 전압으로 구동이 가능하고, 시야각이 넓으며, 응답 시간이 짧은 장점 때문에 사용범위가 확대되고 있다. 일반적인 유기 발광 표시 장치는 애노드 전극, 캐소드 전극 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 유기층을 포함하여 구성된다. 애노드 전극으로부터 공급된 정공과 캐소드 전극으로부터 공급된 전자는 유기층에서 결합하면서 여기자(exiton)를 생성할 수 있다. 상기 여기자가 다시 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 빛이 방출될 수 있다.
발광 효율은 애노드 전극으로부터 유기층으로의 정공 주입 효율이 높을 수록 증가한다. 이를 위해 애노드 전극과 유기층 사이에 정공 주입층을 구비할 수 있다. 그러나, 정공 주입층이 정확한 위치에 배열되지 못하면 충분한 정공 주입 효율을 나타낼 수 없다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정공 주입 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 정공 주입 효율이 향상된 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 상면에 형성된 트렌치를 포함하는 제1 전극, 및 상기 트렌치 내에 매립된 정공 주입층을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 정의된 복수의 화소, 상기 기판 상에 상기 각 화소마다 형성되며, 상면에 형성된 트렌치를 포함하는 제1 전극, 상기 각 화소의 경계에서 상기 제1 전극 상에 형성되고, 상기 제1 전극의 상기 트렌치를 노출하는 개구를 포함하는 화소 정의막, 상기 제1 전극의 상기 트렌치 내에 매립된 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 형성된 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 상면에 트렌치를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계, 및 상기 트렌치 내에 정공 주입층을 형성하는 단계를 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 정공주입층이 정확하게 배열될 뿐만 아니라, 정공 주입 효율이 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도들이다.
도 18 내지 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도들이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도들이다.
도 18 내지 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 배면 방향(기판이 배치된 방향)으로 빛을 방출하는 배면 발광형(bottom emission type), 전면 방향(제2 전극이 배치된 방향)으로 빛을 방출하는 전면 발광형(top emission type), 배면 방향 및 전면 방향 모두로 빛을 발광하는 양면 발광형(dual emission type) 중 어느 하나일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(10)는 기판(100), 기판(100) 상에 형성되며, 트렌치를 포함하는 제1 전극(110), 제1 전극(110) 상에 배치된 정공 주입층(120), 정공 주입층(120) 상에 형성된 유기 발광층(140), 및 유기 발광층(140) 상에 형성된 제2 전극(170)을 포함한다.
기판(100)은 상부에 형성되는 구조물을 지지한다. 기판(100)으로는 절연 기판이 사용될 수 있다. 적용되는 절연 기판으로는 유리, 플라스틱 등이 예시될 수 있다. 배면 또는 양면 발광형 유기 발광 표시 장치로 적용될 경우, 투명한 기판이 사용될 수 있다. 전면 발광형 유기 발광 표시 장치로 적용될 경우, 투명 기판 뿐만 아니라, 반투명이나 불투명 기판이 적용될 수도 있다.
기판(100) 상에는 제1 전극(110)이 형성된다. 제1 전극(110)은 유기 발광 표시 장치의 화소마다 형성될 수 있다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 각 제1 전극(110)은 기판(100)과 제1 전극(110) 사이에 형성된 적어도 하나의 스위치 소자에 연결되어 구동 전압 또는 구동 전류를 인가받을 수 있다.
제1 전극(110)은 유기 발광층(140)을 사이에 두고 후술되는 제2 전극(170)과 대향한다. 제1 전극(110)과 제2 전극(170) 중 어느 하나는 애노드 전극이고, 다른 하나는 캐소드 전극일 수 있다. 본 실시예에서는 제1 전극(110)이 애노드 전극이고, 제2 전극(170)이 캐소드 전극인 경우를 예시한다.
제1 전극(110)은 제2 전극(170)에 비해 상대적으로 일함수가 큰 도전층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(110)은 ITO(Indium-Tin-Oxide)층, IZO(Indium-Zinc-Oxide)층, ZnO층, 산화인듐(Induim Oxide)층 등을 포함할 수 있다. 상기 예시된 도전층들은 상대적으로 일함수가 크면서도, 투명한 특성을 갖는다. 따라서, 유기 발광 표시 장치(10)가 배면 발광형 또는 양면 발광형인 경우, 상기 예시된 도전층 또는 이들의 적층막으로 제1 전극(110)을 형성할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(10)가 전면 발광형일 경우, 상기 예시된 도전층 하부에 반사 기능을 갖는 층, 예컨대 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등으로 이루어진 층을 더 배치할 수도 있다.
제1 전극(110)은 상면의 일부에 형성된 트렌치를 포함할 수 있다. 트렌치는 예를 들어, 제1 전극(110)의 상면의 중앙부에 형성될 수 있다. 제1 전극(110)은 바닥부(110b) 및 측벽부(110s)를 포함할 수 있다. 트렌치는 바닥부(110b)의 상면 및 측벽부(110s)의 내측면에 의해 정의될 수 있다. 바닥부(110b)의 상면과 측벽부(110s)의 내측면은 정공 주입층(120)과 접하는 영역으로 모두 상술한 일함수가 큰 도전층으로 이루어질 수 있다. 나아가, 트렌치가 형성되지 않은 제1 전극(110)의 상면(트렌치 측벽부(110s)의 상면)도 상술한 일함수가 큰 도전층으로 이루어질 수 있다.
단면도인 도 1에서는 제1 전극(110)의 양 측벽부(110s)가 바닥부(110b)를 기준으로 상호 분리되어 있는 것처럼 도시되어 있지만, 상기 양 측벽부(110s)는 평면도상 바닥부(110b)를 둘러싸는 폐곡선(예컨대 사각형)의 일부로서 상호 물리적으로 연결된 것일 수 있다.
제1 전극(110) 상에는 정공 주입층(120)이 형성된다. 정공 주입층(120)은 제1 전극(110)으로부터 유기 발광층(140) 측으로의 정공 주입 효율을 높이는 역할을 한다. 즉, 정공 주입층(120)은 에너지 장벽을 낮추어 정공이 보다 효과적으로 주입되도록 한다.
정공 주입층(120)은 구리프탈로시아닌(CuPc), 등과 같은 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecyl benzene sulfonic acid: 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylene dioxythiophene)/Poly(4-styrene sulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), PANI/CSA (Polyaniline/Camphorsulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrene sulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 사용할 수 있으나 등을 사용할 수 있으며, 정공의 주입을 돕는 물질이라면 이에 한정되지 않고 사용될 수 있다.
정공 주입층(120)은 제1 전극(110)에 형성된 트렌치를 매립하도록 배치될 수 있다. 정공 주입층(120)은 트렌치 내에서 제1 전극(110)에 둘러싸일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 정공 주입층(120)은 트렌치 내에 완전히 매립되고, 정공 주입층(120)의 두께가 트렌치의 깊이와 실질적으로 동일하여 정공 주입층(120)의 상면이 제1 전극(110) 상면(측벽의 상면)과 실질적으로 동일한 레벨에 있을 수 있다. 예시적인 정공 주입층(120)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å이거나, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다.
상술한 배치로부터 정공 주입층(120)은 2 이상의 면에서 제1 전극(110)에 접할 수 있다. 제1 전극(110)과 정공 주입층(120)이 접하는 면이 늘어남에 따라 정공 주입 효율이 개선될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 정공 주입층(120)은 제1 전극(110) 바닥부(110b)의 상면 및 측벽부(110s)의 내측면에 접할 수 있고, 정공은 제1 전극(110)으로부터 바닥부(110b)의 상면 뿐만 아니라, 측벽부(110s)의 내측면으로부터도 정공 주입층(120)으로 주입될 수 있다. 따라서, 정공 주입층(120)이 제1 전극(110)의 일면, 예컨대 제1 전극(110)의 상면에만 접한 경우에 비하여 정공이 주입될 수 있는 면적이 넓어져, 정공 주입 효율이 향상될 수 있다. 또한, 정공 주입층(120)이 제1 전극(110)의 트렌치 내에 매립되어 배치됨으로써, 정공 주입층(120)과 제1 전극(110) 간 오정렬이 방지될 수 있다.
정공 주입층(120) 상에는 정공 수송층(130)이 배치될 수 있다. 정공 수송층(130)은 정공 주입층(120)으로 주입된 정공을 유기 발광층(140)으로 수송하는 역할을 한다. 정공 수송층(130)은 최고점유 분자 궤도 에너지(highest occupied molecular energy HOMO)가 제1 전극(110)을 구성하는 물질의 일함수(work function)보다 실질적으로 낮고, 제1 유기 발광층(140)의 최고 점유 분자 궤도 에너지(HOMO)보다 실질적으로 높은 경우에 정공 수송 효율이 최적화될 수 있다. 정공 수송층(130)은 예를 들어, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD, MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송층(130) 상에는 유기 발광층(140)이 배치된다. 유기 발광층(140)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 호스트로서는 예를 들어, Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), DSA(디스티릴아릴렌) 등을 사용할 수 있다. 상기 도펀트로는 형광 도펀트와 공지의 인광 도펀트를 모두 사용할 수 있다. 유기 발광층(140)의 발광 색상에 따라 도펀트의 종류가 달라질 수 있다. 적색 도펀트로는 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), DCJTB 등이 예시될 수 있다. 녹색 도펀트로는 Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등이 예시될 수 있다. 청색 도펀트로는 F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene) 등이 예시될 수 있다.
유기 발광층(140) 상에는 전자 수송층(150)이 배치된다. 전자 수송층(150)은 퀴놀린 유도체, 예컨대, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, BAlq, Bebq2 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송층(150) 상에는 전자 주입층(160)이 형성된다. 전자 주입층(160)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O 또는 BaO 등의 물질로 이루어질 수 있다.
전자 수송층(150) 상에는 제2 전극(170)이 형성된다. 제2 전극(170)은 제1 전극(110)에 비해 상대적으로 일함수가 작은 도전층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(170)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다.
유기 발광 표시 장치(10)가 배면 발광형일 경우, 제2 전극(170)으로 상술한 일함수가 작은 도전층을 단독 또는 적층하여 사용하거나, 상부에 별도의 반사층을 적층하여 사용할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(10)가 전면 발광형일 경우, 제2 전극(170)으로서, 일함수가 작은 도전층을 박막으로 형성하고, 그 상부에 투명한 도전막, 예컨대, ITO(Indium-Tin-Oxide)층, IZO(Indium-Zinc-Oxide)층, ZnO층, 산화인듐(Induim Oxide)층 등을 적층할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 제1 전극(110)에 트렌치가 형성되어 있고, 정공 주입층(120)이 트렌치 내에 매립되므로, 정공 주입 효율이 개선되고, 정공 주입층(120)과 제1 전극(110)간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명된 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하며, 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(11)는 제1 전극(111)이 바닥 전극(111b) 및 측벽 전극(111s)을 포함하는 점이 도 1의 실시예와 상이하다.
도 2를 참조하면, 측벽 전극(111s)과 바닥 전극(111b)은 일함수가 큰 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 측벽 전극(111s)과 바닥 전극(111b)은 각각 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), ZnO, 산화인듐(Induim Oxide) 등을 포함할 수 있다. 나아가, 측벽 전극(111s)과 바닥 전극(111b)은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
측벽 전극(111s)과 바닥 전극(111b)은 동일한 층에 형성될 수 있다. 측벽 전극(111s)은 개구를 정의할 수 있다. 상기 개구에는 바닥 전극(111b)이 배치될 수 있다. 바닥 전극(111b)은 측벽 전극(111s)에 둘러싸일 수 있다. 측벽 전극(111s)과 바닥 전극(111b)은 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 더 나아가 측벽 전극(111s)과 바닥 전극(111b)은 물리적으로 접촉할 수 있다.
측벽 전극(111s)의 상면 높이는 바닥 전극(111b)의 상면 높이보다 높을 수 있다. 이와 같은 구조를 형성하기 위해 측벽 전극(111s)의 두께는 바닥 전극(111b)의 두께보다 클 수 있다.
측벽 전극(111s) 상면과 바닥 전극(111b) 상면의 높이 차이에 의해 제1 전극(111)의 트렌치가 정의될 수 있다. 즉, 트렌치는 바닥 전극(111b)의 상면과 측벽 전극(111s)의 내측면에 의해 정의될 수 있다. 정공 주입층(120)은 제1 전극(111)의 트렌치 내에 매립되며, 정공 주입층(120)은 바닥 전극(111b) 및 측벽 전극(111s)에 모두 접할 수 있다. 따라서, 정공 주입층(120)은 바닥 전극(111b) 뿐만 아니라 측벽 전극(111s)으로부터도 정공을 주입받을 수 있어, 정공 주입 효율이 향상될 수 있다. 또한, 정공 주입층(120)이 트렌치 내에 매립되므로, 정공 주입층(120)과 제1 전극(111)간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(12)는 제1 전극(112)의 측벽 전극(112s)이 바닥 전극(112b) 상에 형성된 점이 도 2의 실시예와 상이한 점이다.
도 3을 참조하면, 측벽 전극(112s)은 바닥 전극(112b) 상에 형성되며, 바닥 전극(112b)의 적어도 일부를 노출하는 개구를 정의한다. 측벽 전극(112s)의 내측면과 상기 개구에서 노출된 바닥 전(112b)극의 상면은 트렌치를 정의할 수 있다. 트렌치 내에는 정공 주입층(120)이 매립될 수 있다.
도면에서는 측벽 전극(112s)의 외측벽이 바닥 전극(112b)의 측벽과 실질적으로 정렬된 경우가 예시되어 있지만, 측벽 전극(112s)의 외측벽이 바닥 전극(112b) 측벽보다 내측에 위치하거나, 외측에 위치할 수도 있다.
본 실시예에서, 정공 주입층(120)은 바닥 전극(112b) 뿐만 아니라 측벽 전극(112s)으로부터도 정공을 주입받을 수 있어, 정공 주입 효율이 향상될 수 있다. 또한, 정공 주입층(120)이 트렌치 내에 매립되므로, 정공 주입층(120)과 제1 전극(112)간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(13)는 도 2의 바닥 전극(111b) 및 도 3의 바닥 전극(112b)이 조합되어 적용될 수 있음을 예시한다.
도 4를 참조하면, 바닥 전극은 제1 바닥 전극(113b_1), 제1 바닥 전극(113b_1) 상에 형성된 제2 바닥 전극(113b_2) 및 제2 바닥 전극(113b_2) 상에 형성된 제3 바닥 전극(113b_3)을 포함할 수 있다. 측벽 전극(113s)은 제2 바닥 전극(113b_2) 상에 형성된다. 측벽 전극(113s)은 제2 바닥 전극(113b_2)의 외측부 상에 형성될 수 있다. 측벽 전극(113s)은 개구를 정의하며, 상기 개구에 의해 제2 바닥 전극(113b_2)의 중앙부가 노출될 수 있다. 상기 개구에 의해 노출된 제2 바닥 전극(113b_2) 상에는 제3 바닥 전극(113b_3)이 배치된다. 제3 바닥 전극(113b_3)은 측벽 전극(113s)에 의해 둘러싸일 수 있다.
측벽 전극(113s)의 상면 높이는 제3 바닥 전극(113b_3)의 상면 높이보다 높을 수 있다. 이와 같은 구조를 형성하기 위해 측벽 전극(113s)의 두께는 제3 바닥 전극(113b_3)의 두께보다 클 수 있다.
측벽 전극(113s) 상면과 제3 바닥 전극(113b_3) 상면의 높이 차이에 의해 제1 전극(113)(113)의 트렌치가 정의될 수 있다. 즉, 트렌치는 제3 바닥 전극(113b_3)의 상면과 측벽 전극(113s)의 내측면에 의해 정의될 수 있다.
측벽 전극(113s)과 제3 바닥 전극(113b_3)은 일함수가 큰 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 측벽 전극(113s)과 제3 바닥 전극(113b_3)은 각각 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), ZnO, 산화인듐(Induim Oxide) 등을 포함할 수 있다. 나아가, 제3 측벽 전극(113s)과 바닥 전극은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 바닥 전극(113b_1)과 제2 바닥 전극(113b_2)은 충분한 도전성을 갖는 것이 제1 전극(113)의 저항을 낮추는 데에 유리하다. 다만, 제1 바닥 전극(113b_1)과 제2 바닥 전극(113b_2)은 정공 주입층(120)과 직접 접하지 않으므로, 일함수가 큰 물질로 이루어질 필요는 없다. 따라서, 위에 열거한 일함수가 높은 물질 뿐만 아니라, 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등과 같은 상대적으로 일함수가 낮은 물질도 적용가능하다.
유기 발광 표시 장치(13)가 전면 발광형인 경우, 제1 바닥 전극(113b_1)과 제2 바닥 전극(113b_2) 중 적어도 하나는 반사성이 우수한 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 바닥 전극(113b_2)은 반사성이 우수한 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등의 물질로 이루어지고, 제1 바닥 물질은 제3 바닥 물질과 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
본 실시예에서, 정공 주입층(120)은 제1 전극(113)의 트렌치 내에 매립되며, 제3 바닥 전극(113b_3) 및 측벽 전극(113s)에 모두 접할 수 있다. 따라서, 정공 주입층(120)은 제3 바닥 전극(113b_3) 뿐만 아니라 측벽 전극(113s)으로부터도 정공을 주입받을 수 있어, 정공 주입 효율이 향상될 수 있다. 또한, 정공 주입층(120)이 트렌치 내에 매립되므로, 정공 주입층(120)과 제1 전극(113)간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
다른 몇몇 실시예에서, 제1 바닥 전극(113b_1)과 제2 바닥 전극(113b_2) 중 어느 하나는 생략될 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(14)는 제1 전극(114)의 측벽 전극이 제1 측벽 전극(114s_1) 및 제2 측벽 전극(114s_2)을 포함하는 점에서 도 4의 실시예와 상이하다.
도 5를 참조하면, 제2 측벽 전극(114s_2)은 제1 측벽 전극(114s_1) 상에 형성된다. 제2 측벽 전극(114s_2)의 두께(d12)는 제3 바닥 전극(114b_3)의 두께(d11)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제1 측벽 전극(114s_1)의 두께는 제3 바닥 전극(114b_3)의 두께(d11)보다 클 수 있다.
또한, 제2 측벽 전극(114s_2)은 제3 바닥 전극(114b_3)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 더 나아가, 제2 측벽 전극(114s_2)은 제1 측벽 전극(114s_1)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
미설명 부호 '114b_1'은 제1 바닥 전극을, '114b_2'는 제2 바닥 전극을 가리킨다.
본 실시예에서, 제1 전극(114)의 트렌치는 제3 바닥 전극(114b_3)과 제1 측벽 전극(114s_1)의 내측면, 및 제2 측벽 전극(114s_2)의 내측면에 의해 정의될 수 있다. 정공 주입층(120)은 제1 전극(114)의 트렌치 내에 매립되며, 그에 따라 제3 바닥 전극(114b_3) 뿐만 아니라, 제1 측벽 전극(114s_1) 및 제2 측벽 전극(114s_2)에 모두 접할 수 있다. 따라서, 정공 주입 효율이 개선되고, 정공 주입층(120)과 제1 전극(114)간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 본 실시예는 도 5의 제2 측벽 전극(114s_2)과 제3 바닥 전극(114b_3)이 일체로 형성될 수 있음을 예시한다.
더욱 구체적으로 설명하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(15)는 측벽 전극(115s) 및 제2 바닥 전극(115b_2) 상에 형성된 트렌치 전극(115t)을 포함한다. 트렌치 전극(115t)은 측벽 전극(115s) 상에 위치하는 측벽부 및 제2 바닥 전극(115b_2) 상에 위치하는 바닥부를 포함한다. 측벽부와 바닥부는 물리적으로 연결되어 있다. 측벽부의 외측면은 측벽 전극(115s)의 외측면과 정렬될 수 있다.
측벽부의 두께(d22)와 바닥부의 두께(d21)는 실질적으로 동일할 있다. 도면에서는 트렌치 전극(115t)의 두께가 측벽 전극(115s)의 두께보다 큰 경우가 예시되어 있지만, 그 두께가 동일하거나 트렌치 전극(115t)의 두께가 더 작을 수도 있다.
트렌치 전극(115t)의 측벽부의 내측면 및 바닥부의 상면은 트렌치를 정의할 수 있다. 트렌치 내에는 정공 주입층(120)이 매립될 수 있다.
미설명 부호 '115b_1'은 제1 바닥 전극을 가리킨다.
본 실시예에서, 제1 전극(115)의 트렌치는 트렌치 전극(115t) 바닥부의 상면과 측벽부의 내측면에 의해 정의될 수 있다. 정공 주입층(120)은 제1 전극(115)의 트렌치 내에 매립되며, 그에 따라 트렌치 전극(115t) 바닥부 상면 뿐만 아니라 트렌치 전극(115t) 측벽부의 내측면에 모두 접할 수 있다. 따라서, 정공 주입 효율이 개선되고, 정공 주입층(120)과 제1 전극(115)간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(16)는 트렌치 전극(116t)의 측벽부 외측면이 측벽 전극(116s)의 외측면에 정렬되지 않고, 내측에 위치한 점이 도 6의 실시예와 상이하다. 즉, 트렌치 전극(116t) 측벽부의 외측면은 측벽 전극(116s)의 상면에 위치하고, 측벽 전극(116s) 외측면으로부터 내측으로 이격되어 배치될 수 있다.
미설명 부호 '116b_1'은 제1 바닥 전극을, '116b_2'는 제2 바닥 전극을 가리킨다.
본 실시예의 경우에도 정공 주입층(120)은 제1 전극(116)의 트렌치 내에 매립되며, 그에 따라 트렌치 전극(116t) 바닥부 상면 뿐만 아니라 트렌치 전극(116t) 측벽부의 내측면에 모두 접할 수 있다. 따라서, 정공 주입 효율이 개선되고, 정공 주입층(120)과 제1 전극(116)간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도들이다. 도 8 내지 도 12는 트렌치를 매립하는 정공 주입층의 다양한 배치 형태들을 예시적으로 도시한다.
도 8에 예시된 유기 발광 표시 장치(17)는 정공 주입층(121)의 두께가 트렌치의 깊이보다 작은 점이 도 4의 실시예와 상이하다. 측벽 전극(113s)의 상면은 정공 주입층(121)의 상면보다 상대적으로 돌출된다. 또한, 정공 주입층(121) 상에 정공 수송층(130)이 형성되는 점은 도 4와 동일하지만, 정공 수송층(130)이 적어도 부분적으로 트렌치 내에 위치한다.
도 9에 예시된 유기 발광 표시 장치(18)는 정공 주입층(122)의 두께가 트렌치의 깊이보다 큰 점이 도 4의 실시예와 상이하다. 정공 주입층(122)의 상면은 측벽 전극(113s)의 상면보다 상대적으로 돌출된다. 본 실시예의 경우, 정공 수송층(130)과 제1 전극(113) 간 거리가 도 4 또는 도 8의 실시예보다 크게 될 것이다.
도 10에 예시된 유기 발광 표시 장치(19)는 정공 주입층(123)이 측벽 전극(113s)의 내측벽에 모두 접하지 않고 부분적으로 이격된 점이 도 4의 실시예와 상이한 점이다. 본 실시예의 경우, 측벽 전극(113s) 내측벽에 이격되어 있는 정공 주입층(123) 측으로는 정공이 직접 주입되지 않지만, 여전히 측벽 전극(113s) 내측벽에 접하는 부분으로는 정공이 직접 주입될 수 있기 때문에, 정공 주입층(123)이 제3 바닥 전극(113b_1)에만 접한 경우보다 정공 주입 효율이 개선될 수 있다.
도 11에 예시된 유기 발광 표시 장치(20)는 정공 주입층(124)이 제1 전극(113)의 트렌치를 매립할 뿐만 아니라, 측벽 전극(113s)의 상면에 까지 확장된 점이 도 4의 실시예와 상이하다. 정공 주입층(124)의 두께는 전반적으로 균일할 수 있다. 즉, 정공 주입층(124)은 하부의 트렌치 패턴을 따라 컨포말하게 형성되어, 정공 주입층(124)의 두께는 트렌치에 매립된 부분과 측벽 전극(113s) 상면에 위치하는 부분이 상호 동일할 수 있다.
본 실시예의 경우, 정공 주입층(124)은 제3 바닥 전극(113b_1)의 상면 뿐만 아니라 측벽 전극(113s) 내측벽과 측벽 전극(113s) 상면으로부터도 정공을 주입받을 수 있어, 정공 주입 효율이 개선될 수 있다.
도 12에 예시된 유기 발광 표시 장치(21)는 정공 주입층(125)이 측벽 전극(113s)의 상면까지 확장된 점은 도 11의 실시예와 동일하지만, 정공 주입층(125)의 두께가 측벽 전극(113s)의 상면 상에서보다 트렌치 상에서 더 큰 점이 도 11의 실시예와 다른 점이다. 예시적인 실시예에서, 측벽 전극(113s) 상면 상의 정공 주입층(125) 표면의 높이와, 트렌치 상의 정공 주입층(125) 표면의 높이가 동일할 수 있다. 즉, 정공 주입층(125)의 표면은 전반적으로 평탄할 수 있다. 그러나, 정공 주입층(125) 표면 형상이 이에 제한되지 않음은 물론이며, 도 11과 유사하게 트렌치 패턴 상부의 표면이 상대적으로 더 낮을 수도 있다.
본 실시예의 경우에도, 정공 주입층(125)은 제3 바닥 전극(113b_3)의 상면 뿐만 아니라 측벽 전극(113s) 내측벽과 측벽 전극(113s) 상면으로부터도 정공을 주입받을 수 있어, 정공 주입 효율이 개선될 수 있다.
도 13은 이상에서 설명한 실시예들이 복수의 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 적용된 구조를 예시한다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 13을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(22)는 복수의 화소(PX1, PX2, PX3)를 포함한다.
기판(100) 상에는 복수의 화소(PX1, PX2, PX3)가 정의되어 있다. 기판(100) 상에는 각 화소(PX1, PX2, PX3)마다 제1 전극(113)이 형성될 수 있다. 도면에서는 제1 전극(113)으로 도 4에 예시된 제1 전극(113)을 적용하였지만, 본 발명의 다른 다양한 실시예에 따른 제1 전극이 적용될 수 있음은 물론이다.
서로 다른 화소(PX1, PX2, PX3)의 제1 전극(113)은 상호 전기적 및 물리적으로 분리된 화소 전극일 수 있다.
제1 전극(113) 상에는 화소 정의막(180)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(180)은 각 화소(PX1, PX2, PX3)의 경계에 배치될 수 있다. 화소 정의막(180)은 제1 전극(113)을 부분적으로 노출하는 개구를 포함할 수 있다. 화소 정의막(113)의 개구는 제1 전극(113)의 트렌치와 오버랩되어 이를 노출할 수 있다. 개구를 정의하는 화소 정의막(180)의 측벽은 제1 전극(113)의 트렌치를 이루는 측벽 전극(113s)의 내측면에 정렬될 수도 있지만, 측벽 전극(113s)의 내측면보다 외측에 위치할 수도 있다. 즉, 도 13에 도시된 바와 같이, 화소 정의막(180)의 측벽은 측벽 전극(113s)의 상면에 위치할 수 있다.
화소 정의막(180)은 무기물, 유기물, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(180)은 예를 들어, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물, 아크릴계(acrylic) 유기화합물, 폴리아미드, 또는 폴리이미드 등으로 이루어질 수 있다. 도면에서는 화소 정의막(180)이 단일막으로 형성된 경우를 예시하였지만, 화소 정의막(180)은 동일한 물질막 또는 상이한 물질막들의 적층막으로 이루어질 수도 있다.
제1 전극(113) 상에는 정공 주입층(120)이 형성된다. 정공 주입층(120)이 제1 전극(113)의 트렌치 내에 매립되어 정공 주입 효율이 개선되는 점은 도 4의 실시예와 동일하다.
정공 주입층(120) 상에는 정공 수송층(130)이 형성된다. 도면에서는 정공 수송층(130)이 화소 정의막(180)에 의해 정의된 개구 내에 배치된 예가 도시되어 있지만, 정공 수송층(130)은 화소(PX1, PX2, PX3)의 구분없이 상호 일체로 연결된 공통층일 수도 있다.
정공 수송층(130) 상에는 유기 발광층(140_1, 140_2, 140_3)이 형성된다. 유기 발광층(140)은 화소별로 상이한 색상의 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소(PX1)의 유기 발광층(140_1)은 적색 유기 발광 물질을 포함하고, 제2 화소(PX2)의 유기 발광층(140_2)은 녹색 유기 발광 물질을 포함하고, 제3 화소(PX3)의 유기 발광층(140_3)은 청색 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
유기 발광층(140_1, 140_2, 140_3) 상에는 전자 수송층(150) 및 전자 주입층(160)이 순차적으로 형성된다. 전자 주입층(160) 상에는 제2 전극(170)이 형성된다. 예시적인 실시예에서, 전자 수송층(150) 및 전자 주입층(160)은 각각 화소 정의막(180)에 의해 정의된 개구 내에 배치되지만, 제2 전극(170)은 화소 정의막(180) 상에까지 연장될 수 있다. 즉, 제2 전극(170)은 화소(PX1, PX2, PX3)의 구분없이 일체로 연결된 공통 전극일 수 있다. 다른 몇몇 실시예에서, 전자 수송층(150) 및 전자 주입층(160)의 경우에도 화소(PX1, PX2, PX3)의 구분없이 상호 일체로 연결된 공통층이 적용될 수 있다.
상술한 실시예들은 서로 다양하게 상호 조합되어 적용될 수 있음은 물론이다.
이하, 상술한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 14 내지 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도들이다. 도 14 내지 도 17은 도 4의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 예시적인 방법에 관계된다.
도 14를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 바닥 전극층(113b_1a), 제2 바닥 전극층(113b_2a) 및 측벽 전극층(113s_a)을 순차적으로 형성한다. 제1 바닥 전극층(113b_1a)은 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), ZnO, 산화인듐(Induim Oxide) 등으로 형성할 수 있다. 제2 바닥 전극층(113b_2a)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등으로 형성할 수 있다. 측벽 전극층(113s_a)은 제1 바닥 전극층(113b_1a)과 동일한 물질로 형성할 수 있다.
도 15를 참조하면, 이어서, 측벽 전극층(113s_a), 제2 바닥 전극층(113b_2a) 및 제1 바닥 전극층(113b_1a)을 순차적으로 패터닝하여, 제1 전극 패턴을 형성한다.
이어, 제1 전극 패턴의 측벽 전극층(113s_b) 상에 개구를 정의하는 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(PR1)은 제1 전극 패턴을 형성하기 위해 사용한 포토레지스트 패턴과 별개의 것일 수도 있지만, 제1 전극 패턴에 사용되었던 포토레지스트 패턴의 잔류물일 수도 있다. 예를 들어, 제1 전극 패턴을 형성할 때, 슬릿 마스크나 반투과 마스크 등을 이용하여 노광량을 조절하면, 포토레지스트 패턴의 두께를 조절할 수 있다. 이러한 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각을 진행함으로써, 제1 전극 패턴의 형성 후에 도 15에 도시된 바와 같은 포토레지스트 패턴(PR1)을 잔류시킬 수 있다.
도 16을 참조하면, 이어서, 포토레지스트 패턴(PR1)을 식각 마스크로 이용하여 측벽 전극층(113s_b)을 식각하고, 제2 바닥 전극층(113b_2)을 노출한다.
도 17을 참조하면, 포토레지스트 패턴(PR1)을 제거하고, 측벽 전극층(113s)에 의해 노출된 제2 바닥 전극층(113b_2) 상에 제3 바닥 전극층(113b_3)을 형성한다.
구체적으로, 기판(100)의 전면에 제3 바닥 전극층을 형성하고, 이를 패터닝할 수 있다. 다른 예로, 잉크젯 프린팅법 등을 이용하여 측벽 전극에 의해 노출된 제2 바닥 전극층 상에 선택적으로 제3 바닥 전극층을 적층할 수도 있다.
도 17의 결과물로서, 트렌치를 포함하는 제1 전극이 완성된다. 이어서, 트렌치 내에 잉크젯 프린팅법 등으로 정공 주입층을 형성한다. 정공 주입층이 제1 전극의 트렌치 내부에 형성되므로, 정공 주입층과 제1 전극 간 정확한 정렬이 이루어질 수 있다.
이어, 당업계에 공지된 방법을 이용하여 정공 수송층(130), 유기 발광층(140), 전자 수송층(150), 전자 주입층(160), 및 제2 전극(170)을 형성하여 도 4의 유기 발광 표시 장치(13)를 완성한다.
도 18 내지 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단계별 단면도들이다. 도 18 내지 도 20은 도 6의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 예시적인 방법에 관계된다.
도 18을 참조하면, 기판(100) 상에 제1 바닥 전극층(115b_1), 제2 바닥 전극층(115b_2), 측벽 전극층(115s)을 형성한 후, 패터닝하여 제1 전극 패턴을 형성한 다음, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 측벽 전극층(115s)을 식각하고 제2 바닥 전극층(115b_2)을 노출하는 단계까지는 도 14 내지 도 17에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다. 다만, 후속하여 측벽 전극층(115s) 상에 트렌치 전극(115t)이 형성되는 점을 감안하여, 측벽 전극층(115s)의 두께는 도 14 내지 도 17의 측벽 전극층(113s)의 두께보다 작을 수 있다.
도 19를 참조하면, 이어서 기판(100)의 전면에 트렌치 전극층(115t_a)을 형성한다. 트렌치 전극층(115t_a)은 측벽 전극층(115s)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
이어서, 트렌치 전극층(115t_a) 상에 제1 전극 패턴을 덮는 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성한다.
도 20을 참조하면, 이어서, 포토레지스트 패턴(PR2)을 식각 마스크로 이용하여 노출된 트렌치 전극층(115t_a)을 식각하여 제거한다. 이어서, 포토레지스트 패턴(PR2)을 제거한다.
계속해서, 트렌치 전극(115t)의 트렌치 내에 정공 주입층(120)을 형성한다. 이어, 당업계에 공지된 방법을 이용하여 정공 수송층(130), 유기 발광층(140), 전자 수송층(150), 전자 주입층(160), 및 제2 전극(170)을 형성하여 도 6의 유기 발광 표시 장치(15)를 완성한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 유기 발광 표시 장치
110: 제1 전극
120: 정공 주입층
140: 유기 발광층
170: 제2 전극
110: 제1 전극
120: 정공 주입층
140: 유기 발광층
170: 제2 전극
Claims (20)
- 기판;
상기 기판 상에 배치되고 상면에 형성된 트렌치를 포함하는 제1 전극; 및
상기 트렌치 내에 매립된 정공 주입층을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 기판은 바닥부 및 측벽부를 포함하고, 상기 트렌치는 상기 바닥부의 상면 및 상기 측벽부의 내측면에 의해 정의되는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 바닥 전극 및 측벽 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 측벽 전극은 개구를 정의하고, 상기 바닥 전극은 상기 개구 내에 배치되는 유기 발광 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 트렌치는 상기 측벽 전극의 내측면 및 상기 바닥 전극의 상면에 의해 정의되는 유기 발광 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 측벽 전극은 제1 측벽 전극 및 상기 제2 측벽 전극 상에 형성된 제2 측벽 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
상기 바닥 전극은 상기 제2 측벽 전극과 동일한 두께를 갖는 유기 발광 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 측벽 전극은 상기 바닥 전극 상에 배치되는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 트렌치는 상기 측벽 전극의 내측면 및 상기 바닥 전극의 상면에 의해 정의되는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 개구를 정의하는 측벽 전극 및 상기 측벽 전극 상에 형성된 트렌치 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 트렌치 전극은 상기 측벽 전극 상의 측벽부 및 상기 개구에 위치하는 바닥부를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 정공 주입층 상에 형성된 유기 발광층, 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 기판;
상기 기판 상에 정의된 복수의 화소;
상기 기판 상에 상기 각 화소마다 형성되며, 상면에 형성된 트렌치를 포함하는 제1 전극;
상기 각 화소의 경계에서 상기 제1 전극 상에 형성되고, 상기 제1 전극의 상기 트렌치를 노출하는 개구를 포함하는 화소 정의막;
상기 제1 전극의 상기 트렌치 내에 매립된 정공 주입층;
상기 정공 주입층 상에 형성된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 유기 발광층은 상기 화소 정의막의 상기 개구 내에 위치하는 유기 발광 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 화소 정의막 상으로 연장하고, 상기 각 화소의 구분없이 상호 일체로 연결되는 유기 발광 표시 장치. - 기판 상에 상면에 트렌치를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계; 및
상기 트렌치 내에 정공 주입층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 트렌치를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 개구를 정의하는 측벽 전극을 형성하는 단계, 및
상기 측벽 전극의 상기 개구 내에 바닥 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 트렌치를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 개구를 정의하는 제1 측벽 전극을 형성하는 단계, 및
상기 제1 측벽 전극 상에 제2 측벽 전극을 형성하고, 상기 개구 내에 바닥 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 트렌치를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 개구를 정의하는 측벽 전극을 형성하는 단계, 및
상기 측벽 전극 상의 측벽부 및 상기 개구 내의 바닥부를 포함하는 트렌치 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 트렌치를 포함하는 제1 전극을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 바닥 전극을 형성하는 단계; 및
상기 바닥 전극 상에 상기 바닥 전극을 노출하는 개구를 정의하는 측벽 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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