KR20140097867A - 표시장치 - Google Patents

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KR20140097867A
KR20140097867A KR1020130010514A KR20130010514A KR20140097867A KR 20140097867 A KR20140097867 A KR 20140097867A KR 1020130010514 A KR1020130010514 A KR 1020130010514A KR 20130010514 A KR20130010514 A KR 20130010514A KR 20140097867 A KR20140097867 A KR 20140097867A
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light emitting
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이민탁
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시장치가 제공된다. 표시장치는 기판, 상기 기판 상에 형성된 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀은, 상기 기판 상에 형성되어 제1색상을 방출하는 제1서브픽셀부, 상기 제1서브픽셀부 상의 제1영역에 형성되고 상기 제1색상과는 다른 제2색상을 방출하는 제2서브픽셀부, 상기 제1서브픽셀부 상의 제2영역에 형성되고, 상기 제1색상 및 상기 제2색상과 다른 제3색상을 방출하는 제3서브픽셀부를 포함할 수 있다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것이다.
현재 디스플레이 기술 발전에 따라 TV 및 모니터와 같은 가정용 표시 장치뿐만 아니라, 노트북, 핸드폰 및 PMP 등의 휴대용 기기에 표시 장치가 널리 사용되고 있으며, 경량화 및 박형화 추세에 따라 액정표시장치 또는 유기발광 표시장치 등이 각광받고 있다.
유기발광 표시장치는 양극과 음극 및 상기 두 전극 사이에 위치하는 유기 발광층에 전압을 인가함으로써, 전자와 정공이 유기 발광층 내에서 재결합하여 빛을 발광하는 자체 발광형의 디스플레이 장치이다. 상술한 유기발광 표시장치는 복수의 픽셀을 구비할 수 있으며, 하나의 픽셀은, 적색을 발광하는 R 서브픽셀, 녹색을 발광하는 G 서브픽셀, 청색을 발광하는 B 서브픽셀의 조합으로 이루어질 수 있고, 백색을 발광하는 W 서브픽셀을 더 포함할 수도 있다. 이에 따라 각 서브픽셀에서 발광하는 색의 조합에 따라 다양한 컬러를 구현할 수 있다.
상술한 픽셀을 이루는 R 서브픽셀, G 서브픽셀 및 B 서브픽셀은 동일 평면상에 배치되는 것이 일반적이었다. 따라서, 동일 면적 내에 들어갈 수 있는 픽셀의 수가 제한적인 바, 유기발광 표시장치의 해상도를 향상시키는 데 제약이 존재하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 동일 면적내에 더 많은 화소를 배치함으로써 고PPI(pixel per inch)를 구현할 수 있는 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 동일 면적 내에 더 많은 화소를 배치함에 따라 해상도가 향상된 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 기판, 상기 기판 상에 형성된 복수의 픽셀을 포함하고, 상기 픽셀은 상기 기판 상에 형성되어 제1색상을 방출하는 제1서브픽셀부, 상기 제1서브픽셀부 상의 제1영역에 형성되고 상기 제1색상과는 다른 제2색상을 방출하는 제2서브픽셀부, 상기 제1서브픽셀부 상의 제2영역에 형성되고 상기 제1색상 및 상기 제2색상과는 다른 제3색상을 방출하는 제3서브픽셀부를 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
서브픽셀부를 수직수평 혼합구조로 배치하여 픽셀을 형성함으로써, 동일 면적 내에 형성되는 픽셀의 수를 증가시킬 수 있다.
또한, 동일 면적 내에 형성되는 픽셀의 수를 증가시킴으로써 표시장치의 해상도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 3은 종래 표시장치 내의 픽셀 배치 및 본 발명에 따른 표시장치 내의 픽셀 배치를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 표시장치 내 픽셀 배치의 변형 실시예를 도시한 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
이하에서는 본 발명의 표시장치가 유기발광 표시장치(OLED)에 적용되는 경우를 예시로 설명하나, 본 발명의 사상에 포함되는 범위 내에서 유기 백색발광 표시장치(WOLED)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 표시 장치에도 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 표시장치(1)는, 기판(10), 기판(10) 상에 형성된 제1서브픽셀부(30), 제1서브픽셀부(50) 상의 제1영역(X1)에 형성된 제2서브픽셀부(70), 제1서브픽셀부(50) 상의 제2영역(X2)에 형성된 제3서브픽셀부(90)를 포함할 수 있다. 또한 제2서브픽셀부(50) 및 제3서브픽셀부(90)와 제1서브픽셀부(30) 사이에는 저유전율 절연층(50)이 더 형성될 수 있다.
기판(10)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 상기 절연 기판은 투명한 SiO2를 주성분으로 하는 투명 재질의 글라스재로 형성될 수 있다. 또한 상기 절연 기판은 플라스틱재 기판과 같은 다양한 재질의 기판으로 형성될 수 있다. 더 나아가, 상기 절연 기판은 유연성을 갖는 가요성 기판일 수도 있다.
기판(10) 상에는 제1서브픽셀부(30)가 형성될 수 있다. 제1서브픽셀부(10)는 제1색상을 발광하는 부분으로서, 기판(10) 상에 형성된 제1전극(31), 제2전극(35) 및 제1전극(31)과 제2전극(35) 사이에 형성된 제1유기발광층(33) 을 포함할 수 있다.
제1전극(31)은 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 기판(10) 상에 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 제1전극(31)은 투명전극, 반투명전극 또는 반사전극일 수 있으며, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), Al, Ag, Mg 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2 층 이상의 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
제1전극(31) 상에는 제1유기발광층(33)이 형성될 수 있다. 제1유기발광층(33)은 청색 발광층, 적색 발광층, 녹색 발광층 중 어느 하나일 수 있다. 제1유기발광층(33)은 공지의 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1유기발광층(33)이 청색 발광층인 경우, 제1Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), DSA(디스티릴아릴렌) 등과 같은 공지의 호스트 및 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), DCJTB(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4Hpyran) (이상, 적색 도펀트), F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene) 등과 같은 공지의 청색 도펀트 포함할 수 있다. 다만, 상술한 내용은 하나의 예시일 뿐이며, 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 발광 물질을 이용하여 제1유기발광층(33)을 형성할 수 있다고 할 것이다. 이하에서는 제1유기발광층(33)이 청색 도펀트를 포함한 청색 발광층인 경우를 예시로 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2전극(35)는 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제1유기발광층(33) 상에 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 제2전극(35)은 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 예컨대 제2전극(35)은 Li,, Mg, Al, Al-Li, Ca, Mg-In, Mg-Ag 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제2전극(35)은 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
도면에는 미도시하였으나, 제1전극(31) 및 제2전극(35) 사이에는 제1유기발광층(35) 외에도, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이 더 포함될 수 있다. 상기 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층은 공지의 재료 및 공지의 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 정공 주입층 물질로는 공지된 정공 주입 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl) -N,N'-diphenylbenzidine)), TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA(Polyaniline/ Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS(Polyaniline)/Poly (4-styrene sulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공 수송층은 예를 들면, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 이용하여 형성할 수 있다.
한편, 상기 전자 수송층은, 예를 들면, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ(3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸) 등을 이용하여 형성할 수 있고, 상기 전자 주입층은 예를 들면, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등을 이용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1서브픽셀부(30) 상의 제1영역(X1)에는 제2서브픽셀부(70)가 형성될 수 있다.
제2서브픽셀부(70)는 제1색상과는 다른 제2색상을 발광하는 부분으로서, 제1서브픽셀부(30) 상에 형성된 제3전극(71), 제4전극(75) 및 제3전극(71)과 제4전극(75) 사이에 형성된 제2유기발광층(73)을 포함할 수 있다. 제3전극(71)은 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제1서브픽셀부(30) 상에 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 제3전극(71)은 투명전극, 반투명전극 또는 반사전극일 수 있다. 이외 제3전극(71)에 대한 설명은 제1전극(31)에 대한 설명과 동일한 바, 생략한다.
제3전극(71) 상에는 제2유기발광층(73)이 형성될 수 있다. 제2유기발광층(33)은 청색 발광층, 적색 발광층, 녹색 발광층 중 어느 하나일 수 있으며, 공지의 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 제2유기발광층(73)이 적색 발광층인 경우, 제1Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), DSA(디스티릴아릴렌) 등과 같은 공지의 호스트 및 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), DCJTB(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4Hpyran) 등과 같은 공지의 적색 도펀트 포함할 수 있다. 다만, 상술한 내용은 하나의 예시일 뿐이며, 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 발광 물질을 이용하여 제2유기발광층(73)을 형성할 수 있다고 할 것이다. 이하에서는 제2유기발광층(33)이 적색 도펀트를 포함한 적색 발광층인 경우를 예시로 설명한다.
제4전극(75)는 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2유기발광층(73) 상에 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 제2전극(75)은 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 이외의 설명은 제2전극(35)의 경우와 동일한 바, 생략한다.
도면에는 미도시하였으나, 제3전극(71) 및 제4전극(75) 사이에는 제2유기발광층(75) 외에도, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이 더 포함될 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층에 대한 설명은 제1서브픽셀부(30)의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
제1서브픽셀부(30) 상의 제2영역(X2)에는 제3서브픽셀부(90)가 형성될 수 있다.
제3서브픽셀부(90)는 제1색상 및 제2색상과는 다른 제3색상을 발광하는 부분으로서, 제1서브픽셀부(30) 상에 형성된 제5전극(91), 제6전극(95) 및 제5전극(91)과 제6전극(95) 사이에 형성된 제3유기발광층(93)을 포함할 수 있다. 제5전극(91)은 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제1서브픽셀부(30) 상에 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 이외 제5전극(91)에 대한 설명은 제1전극(31)에 대한 설명과 동일한 바, 생략한다.
제5전극(91) 상에는 제3유기발광층(93)이 형성될 수 있다. 제3유기발광층(93)은 청색 발광층, 적색 발광층, 녹색 발광층 중 어느 하나일 수 있으며, 공지의 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 제3유기발광층(93)이 녹색 발광층인 경우, Ir(ppy)3(ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등과 같은 공지의 녹색 도펀트 포함할 수 있다. 다만, 상술한 내용은 하나의 예시일 뿐이며, 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 발광 물질을 이용하여 제3유기발광층(93)을 형성할 수 있다고 할 것이다. 이하에서는 제3유기발광층(93)이 녹색 도펀트를 포함한 녹색 발광층인 경우를 예시로 설명한다.
제6전극(95)는 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제3유기발광층(93) 상에 형성될 수 있으며, 캐소드 또는 애노드일 수 있다. 이외의 설명은 제2전극(35)의 경우와 동일한 바, 생략한다.
도면에는 미도시하였으나, 제5전극(91) 및 제6전극(95) 사이에는 제3유기발광층(95) 외에도, 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이 더 포함될 수 있다. 이외의 설명은 제1서브픽셀부(30)의 경우와 동일한 바, 생략한다.
이외에 본 실시예에 따른 표시장치(1)는 상술한 제1서브픽셀부(30), 제2서브픽셀부(70) 및 제3서브픽셀부(90) 이외에 제4서브픽셀부(도면 미도시)를 더 포함할 수 있다.
제4서브픽셀부는 제4색상을 발광하는 부분으로서, 제4색상은 백색일 수 있다. 제4서브픽셀부의 구조는 두개의 전극 사이에 백색 유기발광층을 구비한 구조로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉 청색 발광층, 적색 발광층, 녹색 발광층이 순차 적층되어 혼합광에 의해 백색을 방출하는 구조 등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 구조를 통해 상술한 제4서브픽셀부를 형성할 수 있다.
제2서브픽셀부(70) 및 제3서브픽셀부(90)와 제1서브픽셀부(30) 사이에는 저유전율 절연층(50)이 더 형성될 수 있다. 저유전율 절연층(50)은 제1서브픽셀부(30)의 전극과 제2서브픽셀부(70) 및 제3서브픽셀부(90)의 전극 간의 커플링 발생을 방지할 수 있다. 저유전율 절연층(50)은 투명한 절연물질로 이루어질 수 있다. 상기 투명한 절연물질로서 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등이 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도면에는 저유전율 절연층(50)의 구조가 단일층 구조인 것으로 도시되어 있으나, 이외에도 저유전율 절연층(50)은 서로 다른 2 이상의 물질을 이용하여 2층 이상의 구조를 가질 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
본 발명에 따른 표시장치(1)는 수평으로 서브픽셀부를 구현하여 픽셀크기를 줄일 수 없었던 종래와는 달리, 서브픽셀부를 수직수평 혼합구조로 적층함으로써 픽셀 크기를 감소시킬 수 있다. 이에 따라 동일 면적내 픽셀의 수를 증가시킬 수 있게 되어 고 PPI(pixel per inch)를 구현할 수 있는 효과 및 표시장치 해상도를 향상시킬 수 있는 효과를 갖게 된다.
제1서브픽셀부(30), 제2서브픽셀부(70) 및 제3서브픽셀부(90)는 개별적으로 구동될 수 있으며, 각 서브픽셀부(30, 70, 90)의 개별적인 구동을 위해 스위칭 소자가 구비될 수 있다. 상기 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 등이 이용될 수 있으며, 박막 트랜지스터의 종류에는 제한이 없다, 예컨대, 상기 박막 트랜지스터로서 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si TFT), 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(poly-Si TFT), 산화물 박막 트랜지스터(oxide TFT) 등이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 바와 같이 각 서브픽셀부(30, 70, 90)가 개별적으로 구동됨에 따라, 제1영역(X1) 상으로는 청색광, 적색광 및 청색광과 적색광의 혼합광이 방출될 수 있다. 또한 제2영역(X2) 상으로는 청색광, 녹색광 및 청색광과 녹색광의 혼합광이 방출될 수 있다. 즉, 제1서브픽셀부(30), 제2서브픽셀부(70) 및 제3서브픽셀부(90)에서 방출되는 광의 색을 조합하여 다양한 색상을 구현할 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치(2)는 제2서브픽셀부(70) 및 제3서브픽셀부(90)가 전극을 공유할 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 표시장치(1)와는 달리, 제3전극(도 1의 71) 및 제5전극(도 1의 91)이 하나의 공통전극(710)을 이룰 수 있으며, 이에 따라 표시장치 내의 전극 개수를 감소시킬 수 있게 된다.
공통전극(710)은 접속부(60)를 통해 제1서브픽셀부(30)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 보다 구체적으로는 제1서브픽셀부(30)의 제2전극(35)와 전기적으로 연결될 수 있다. 접속부(60)는 공통전극(710)과 제2전극(35)을 전기적으로 연결하는 제1배선(61), 제1배선과 전기적으로 연결되어 노드(n)를 형성하는 제2배선(63), 제1배선(61) 내에 형성된 하나 이상의 다이오드(65, 67)를 포함할 수 있다.
이하에서는 본 실시예에 따른 표시장치(2)의 구동예시를 설명한다. 제1서브픽셀부(30)의 제1전극(31)이 애노드이고, 제2전극(35)이 캐소드인 경우, 제1배선(61)을 통해 제2전극(35)과 연결된 공통전극(710)은 캐소드일 수 있다. 공통전극(710)이 캐소드인 경우, 제2서브픽셀부(70)의 제4전극(75) 및 제3서브픽셀부(90)의 제6전극(95)는 애노드일 수 있다.
제1구동전류(81), 제2구동전류(83) 및 제3구동전류(85)는 각각 제1서브픽셀부(30), 제2서브픽셀부(70) 및 제3서브픽셀부(90)에 공급되어 각 서브픽셀부(30, 70. 90)를 개별적으로 구동될 수 있다.
제1배선(61)에는 공통전극(710)과 노드(n) 사이에 제1다이오드(65)가 형성될 수 있으며, 제1다이오드(65)는 Y1 방향에서 공통전극(710)으로 전류가 흘러 들어오는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 제1다이오드(65)는 제1구동전류(81)가 Y1방향으로 공통전극(710)에 흘러 들어오는 것을 방지할 수 있으며, 제1구동전류(81)는 제2배선(63)을 통해 외부로 흘러 나갈 수 있다.
또한 제1배선(61)에는 제2전극(35)과 노드(n) 사이에 제2다이오드(67)가 더 형성될 수 있으며, 제2다이오드(67)는 Y2 방향에서 제2전극(35)으로 전류가 흘러 들어오는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 제2다이오드(67)는 제2구동전류(83) 또는 제3구동전류(85)가 Y2방향으로 제2전극(35)에 흘러 들어오는 것을 방지할 수 있으며, 제2구동전류(83) 또는 제3구동전류(85)는 제2배선(63)을 통해 외부로 흘러 나갈 수 있다.
상술한 제1다이오드(65) 및 제2다이오드(67)를 형성함에 따라 각 서브픽셀부(30, 70, 90)의 구동을 안정적으로 수행할 수 있게 된다.
이상에서는 제1전극(31)이 애노드인 경우로 설명하였으나 제1전극(31)은 캐소드 일 수도 있다. 제1전극이 캐소드인 경우, 제2전극(35)은 애노드, 공통전극(710)은 애노드, 제4전극(75) 및 제6전극(95)은 캐소드일 수 있다. 이러한 경우 제1구동전류(81), 제2구동전류(83), 제3구동전류(85)의 전류 방향은 도 2에 도시된 방향과 반대로 바뀔 수 있다. 또한 제1다이오드(65) 및 제2다이오드(67)의 정류방향은 도 2에 도시된 방향과 반대로 바뀔 수 있다.
이외 각 구성에 대한 설명은 도 1의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
한편, 이상에서는 제1서브픽셀부(30)가 청색 발광층을 포함하고, 제2서브픽셀부(70)가 적색 발광층을 포함하며, 제3서브픽셀부(90)가 녹색 발광층을 포함하는 것으로 설명하였으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 즉, 각 서브픽셀부(30, 70, 90)가 포함하는 유기발광층은 상호 변경될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 표시장치 내 픽셀 배치를 도시한 것으로서, 보다 구체적으로 도 3의 (a)는 종래 표시장치의 픽셀 배치를 도시한 평면도이고 도 3의 (b)는 본 발명에 따른 표시장치의 픽셀 배치에 대한 예시를 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 종래의 픽셀(PX1)은 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 청색 서브화소, 녹색 서브화소, 적색 서브화소가 수평으로 배치된 구조로 이루어지는 바, 동일 면적 내에 형성될 수 있는 픽셀의 수가 제한적이었다. 그러나, 본 발명에 따른 픽셀(PX2)는 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 청색 서브화소, 적색 서브화소, 녹색 서브화소가 수직수평 혼합구조로 배치된 구조로 이루어질 수 있다. 이에 따라 동일 면적 내에 형성될 수 있는 픽셀의 수가 종래 구조에 비해 늘어나게 된다.
보다 구체적으로 도 3의 (a)와 도 3의 (b)를 비교하면 종래의 픽셀(PX1)은 동일 면적 내에 두개가 형성될 수 있음에 반해, 본 발명에 따른 픽셀(PX2)은 동일 면적 내에 세개가 형성될 수 있음을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면 고 PPI(pixel per inch)를 구현할 수 있으며, 결과적으로 표시장치의 해상도를 향상시킬 수 있게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 표시장치 내 픽셀 배치의 변형 실시예를 도시한 것이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 픽셀(PX3)은 종래의 픽셀(도 3의 PX1)과 동일 면적 내에 청색 서브화소, 적색 서브화소, 녹색 서브화소 뿐만 아니라 백색 서브화소도 추가적으로 배치할 수도 있다. 이에 따라 유기백색발광 표시소자(WOLED)로 이루어진 표시장치를 면적 증가 없이도 구현할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1, 2: 표시장치
10: 기판
30: 제1서브픽셀부
31: 제1기판
33: 제1유기발광층
50: 저유전율 절연층
70: 제2서브픽셀부
71: 제3전극
73: 제2유기발광층
75: 제4전극
90: 제3서브픽셀부
91: 제5전극
93: 제3유기발광층
95: 제6전극

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 복수의 픽셀; 을 포함하고,
    상기 픽셀은,
    상기 기판 상에 형성되어 제1색상을 방출하는 제1서브픽셀부;
    상기 제1서브픽셀부 상의 제1영역에 형성되고, 상기 제1색상과는 다른 제2색상을 방출하는 제1서브픽셀부;
    상기 제1서브픽셀부 상의 제2영역에 형성되고, 상기 제1색상 및 상기 제2색상과는 다른 제3색상을 방출하는 제3서브픽셀부;
    를 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 픽셀은,
    상기 제2서브픽셀부 및 상기 제2서브픽셀부와 상기 제1서브픽셀부 사이에 형성된 저유전율 절연층을 더 포함하는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 저유전율 절연층은,
    다층구조로 이루어진 표시장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 저유전율 절연층은,
    실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1서브픽셀부는,
    상기 기판 상에 형성된 제1전극;
    상기 제1전극 상에 형성된 제1유기발광층;
    상기 제1유기발광층 상에 형성된 제2전극;
    을 포함하는 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2서브픽셀부는,
    상기 제1서브픽셀부 상에 형성된 제3전극;
    상기 제3전극 상에 형성된 제2유기발광층;
    상기 제2유기발광층 상에 형성된 제4전극;
    을 포함하는 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3서브픽셀부는,
    상기 제1서브픽셀부 상에 형성된 제5전극;
    상기 제5전극 상에 형성된 제3유기발광층;
    상기 제3유기발광층 상에 형성된 제6전극;
    을 포함하는 표시장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3전극과 상기 제5전극은,
    일체로 형성되어 공통전극을 이루는 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1서브픽셀부와 상기 공통전극을 전기적으로 연결하는 접속부를 더 포함하는 표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 접속부는 하나 이상의 다이오드를 더 포함하는 표시장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1색상, 상기 제2색상 및 상기 제3색상 중 어느 하나는,
    청색, 적색, 녹색 중 어느 하나인 표시장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1서브픽셀부, 상기 제2서브픽셀부 및 상기 제3서브픽셀부 중 어느 하나는,
    청색 발광층, 적색 발광층, 녹색 발광층 중 어느 하나를 포함하는 표시장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 픽셀은,
    상기 기판 상에 형성되어 제4색상을 방출하는 제4서브픽셀부를 더 포함하는 표시장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제4색상은, 백색인 표시장치.
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