TWI653910B - Ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝影系統 - Google Patents
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Abstract
一種X射線產生裝置，具有X射線管、驅動X射線的驅動電路、生成施加於X射線管的電子加速電壓的電壓產生電路、與驅動電路進行通訊的控制部，至少X射線管、驅動電路、電壓產生電路配設於填充絕緣油的收納容器內，由配設於收納容器內的光纖電纜而構成驅動電路與控制部連接的路徑的至少一部分，光纖電纜係具有供於抑制因驅動電路與控制部之間的電位差而產生的電場沿著光纖電纜的長度方向局部集中用的電場緩和手段。
Description
[0001] 本發明，係有關X射線產生裝置及X射線攝影系統。
[0002] 在工業用的非破壞檢查裝置的一者方面，已知X射線攝影系統。例如，在以半導體積體電路基板為代表的電子裝置的檢查方面，係運用具備微焦點X射線管的X射線檢查裝置。X射線管，係一X射線源，對陽極與陰極之間施加與X射線能量對應的既定的電位差的高電壓，將依此高電壓而加速的電子照射於靶材，從而從靶材放出X射線。微焦點X射線管，係於陰極側具備複數個柵極電極的X射線管，具備透過施加於此等柵極電極的電壓以控制靜電透鏡從而將電子束的軌道收束的功能。 [0003] 在使用微焦點X射線管的X射線產生裝置，係由於就施加於柵極電極的電壓進行控制的必要性，下工夫於X射線管的接地方式、控制信號的供應方法等。例如，在記載於專利文獻1的X射線產生裝置，係透過構成為將施加於柵極電極的柵極電壓的控制信號，經由光纖電纜進行供應，從而可對X射線管的陰極施加負的高電壓。並且，透過採用使X射線管的管殼為接地電位、對陽極與陰極施加正、負的高電壓的中性點接地方式，從而使施加於管殼與陽極之間的電壓減低為約一半。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0004] [專利文獻1]日本專利特開2003-317996號公報
[發明所欲解決之問題] [0005] 從將X射線產生裝置搭載於X射線攝影系統之際的操作的容易度等的觀點而言，要求X射線產生裝置的小型化。此外，從進一步的高穿透力化的觀點而言，要求往X射線管的施加電壓的高電壓化。然而，透過本案發明人等的檢討始清楚控制系統的誤動作隨著X射線產生裝置的小型化、施加電壓的高電壓化等的進展而變多。 [0006] 本發明之目的，係在於提供一種X射線產生裝置，可抑制伴隨小型化、施加電壓的高電壓化等的進展而發生的控制系統的誤動作。此外，本發明之其他目的，係在於提供一種可靠性高的X射線攝影系統，可透過使用如此的X射線產生裝置，從而穩定取得攝影影像。 [解決問題之技術手段] [0007] 依本發明之一觀點，提供一種X射線產生裝置，具有X射線管、驅動前述X射線管的驅動電路、生成施加於前述X射線管的電子加速電壓的電壓產生電路、與前述驅動電路進行通訊的控制部，至少前述X射線管、前述驅動電路、前述電壓產生電路配設於填充絕緣油的收納容器內，由配設於前述收納容器內的光纖電纜而構成前述驅動電路與前述控制部連接的路徑的至少一部分，前述光纖電纜，係具有供於抑制因前述驅動電路與前述控制部之間的電位差而產生的電場沿著前述光纖電纜的長度方向局部集中用的電場緩和手段。 [對照先前技術之功效] [0008] 依本發明時，可抑制沿著使供於控制X射線管用的控制信號進行傳播的光纖電纜的長度方向下的電場的局部集中，減低控制系統的誤動作。藉此，使得可謀求X射線產生裝置的進一步的小型化及施加電壓的高電壓化。此外，透過使用如此的X射線產生裝置，從而可實現可穩定取得攝影影像的可靠性高的X射線攝影系統。
[0010] ［第1實施方式］ 就依本發明的第1實施方式下的X射線產生裝置、利用圖1至圖4進行說明。圖1、係就依本實施方式下的X射線產生裝置的示意構成進行繪示的方塊圖。圖2、係就控制電路與電子槍驅動電路進行連接的光纖電纜的連接部分的構造進行繪示的圖。圖3、係就光纖電纜內的殘留氣體的影響進行說明的圖。圖4、係就依本實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜的構造進行繪示的示意圖。 [0011] 首先、就依本實施方式下的X射線產生裝置的構造、利用圖1及圖2進行說明。 [0012] 依本實施方式下的X射線產生裝置100、係如示於圖1、具有X射線管20、高電壓產生電路30、電子槍驅動電路40、控制部50。此等之中、至少X射線管20、高電壓產生電路30及電子槍驅動電路40、係配置於收納容器10內。於收納容器10、係為了確保配置於其中的各部分間的絕緣耐壓、而填充絕緣油80。作為絕緣油80、係礦油、矽油、氟系油等的電氣絕緣油為優選。在使用額定的管電壓為100kV程度的X射線管20下的X射線產生裝置方面、係優選上適用處理容易的礦油。 [0013] X射線管20，係包含電子源22、柵極電極26、陽極28。電子源22及柵極電極26，係連接於電子槍驅動電路40，分別被施加期望的控制電壓。陽極28，係連接於被保持為接地電位的收納容器10。於陽極28，係設置由於電子束的照射而產生X射線的靶材（未圖示）。另外，圖1雖僅示出1個柵極電極26，惟一般情況下係設置複數個柵極電極26。 [0014] 電子源22，係雖非特別限定者，惟例如可適用如鎢絲、浸漬式陰極等的熱陰極、奈米碳管等的冷陰極。構成靶材的材料，係熔點高、X射線產生效率高的材料為優選，例如可適用鎢、鉭、鉬及其等之合金等。另外，在本說明書，係有時將電子源22與柵極電極26總括記載為「電子槍」。 [0015] 將從電子源22所放出的電子與陽極28之間的高電壓進行加速而予以衝撞於設在陽極28的靶材，使得從靶材發出X射線。從靶材所放出的X射線量，係可依照射於靶材的電子束量、亦即熱陰極型的電子源22的情況下係可依供應的電流從而進行控制。照射於靶材的電子束的軌道，係可依施加於柵極電極26的柵極電壓而進行控制。就此意義而言，電子源22及柵極電極26，係就從電子槍所放出的電子束進行控制的控制機構。 [0016] 高電壓產生電路30，係包含升壓變換器32、升壓電路34。升壓電路34，係例如柯克勞夫電路。高電壓產生電路30，係相對於被保持於接地電位的收納容器10產生負的高電壓。高電壓產生電路30，係連接於電子槍驅動電路40。透過高電壓產生電路30而產生的負的高電壓，係施加於電子槍驅動電路40。 [0017] 電子槍驅動電路40，係包含整流電路42、邏輯電路44、電子源驅動電路46、柵極電壓控制電路48。整流電路42，係連接於邏輯電路44、電子源驅動電路46及柵極電壓控制電路48。藉此，使得可經由高絕緣變壓器36就被供應至整流電路42的電壓進行整流，往邏輯電路44、電子源驅動電路46及柵極電壓控制電路48進行供應。整流電路42的輸入端子中的一者，係連接於高電壓產生電路30的輸出端子。亦即，於電子槍驅動電路40的各電路，係從高電壓產生電路30所供應的負電位成為電子槍驅動電路40的參考電位。 [0018] 電子源驅動電路46，係依從控制電路52經由邏輯電路44而供應的控制信號，而控制供應至電子源22的電壓或電流。柵極電壓控制電路48，係依從控制電路52經由邏輯電路44而供應的控制信號，而控制往柵極電極26施加的柵極電壓。 [0019] 控制部50，係包含控制電路52、逆變器電路54。控制電路52，係連接於電子槍驅動電路40及逆變器電路54。逆變器電路54，係包含連接於配置在收納容器10內的升壓變換器32的逆變器56、連接於配置在收納容器10內的高絕緣變壓器36的逆變器58。控制電路52，係對電子槍驅動電路40及逆變器電路54，供應既定的控制信號。逆變器電路54，係依從控制電路52所供應的控制信號而控制逆變器56、58，對升壓變換器32及高絕緣變壓器36，供應既定的驅動電壓。控制電路52，係監控高電壓產生電路30的輸出電壓，以高電壓產生電路30的輸出電壓成為既定的電壓的方式，透過供應至逆變器電路54的控制信號而調整升壓變換器32的驅動電壓。 [0020] 如示於圖1，控制部50與高電壓產生電路30，係經由升壓變換器32而連接亦即被絕緣。同樣，控制部50與電子槍驅動電路40，係經由高絕緣變壓器36而連接亦即被絕緣。作為一例，控制部50，係連接於接地電位。此外，電子槍驅動電路40，係連接於高電壓產生電路30。因此，在控制部50與電子槍驅動電路40之間，係產生經由升壓變換器32以高電壓產生電路30所生成的負的高電壓份的電位差。亦即，在控制部50與電子槍驅動電路40之間，係產生電場。 [0021] 掌管控制電路52與電子槍驅動電路40之間的相互的通訊的路徑之中，至少收納容器10內的一部分的路徑，係為了保持電性絕緣，被透過光纖電纜60而構成。藉此，可透過來自以接地電位為參考電位而動作的控制電路52的控制信號，從而就以從高電壓產生電路30所供應的負的電位為參考電位而動作的電子槍驅動電路40內的電子源驅動電路46及柵極電壓控制電路48進行控制。光纖電纜60，係經由光電轉換元件74，而連接於控制電路52及邏輯電路44。另外，參考電位，係於各電路中被當作基準的電位。 [0022] 於此，依本實施方式下的X射線產生裝置100，係光纖電纜60具有供於抑制沿著其長度方向下的電場的局部的集中用的電場緩和手段。另外，此處所言之電場緩和，係表示電場強度的緩和。 [0023] 光纖電纜60，係例如如示於圖2（a），於端部具備光連接器62，光學連接於設在電路基板70上的光連接器72。設在電路基板70上的光連接器72，係具備光電轉換元件74，將電信號轉換為光信號而輸出至光纖電纜60，或者將來自光纖電纜60的光信號轉換為電信號。 [0024] 在本實施方式，係為了將設於光纖電纜60的光連接器62與設於電路基板70上的光連接器72的連接部分進行密閉，而設置密封構造體76。密封構造體76，係用於防止絕緣油滲入於光纖電纜60與光電轉換元件74之間的光學連接部分、光纖電纜60的被覆的內側。如此般而設的密封構造體76相當於本實施方式的在光纖電纜60的電場緩和手段。密封構造體76，係例如可在將光連接器62與光連接器72連接後，透過塗佈環氧樹脂等的樹脂材料並予以固化從而形成。 [0025] 就於本實施方式的光纖電纜60設置作為電場緩和手段的密封構造體76的理由，於以下進行說明。 [0026] 如前述，隨著X射線產生裝置的小型化、施加電壓的高電壓化等的進展，透過控制電路52就電子源驅動電路46、柵極電壓控制電路48等進行控制的控制系統的誤動作逐漸表露化。經由本發明人等的檢討，判明此誤動作的原因，係於光纖電纜60的內部，沿著光纖電纜60的長度方向產生電場的急遽的變化之故。 [0027] 一般的光纖電纜，係具有在僅由核心及纖殼而成的光纖的外周設置被覆的構造。於如此的構造的光纖電纜，有時在光纖與被覆之間存在氣體。例如，在具有由玻璃纖維所成的一次被覆與由樹脂系材料所成的二次被覆（外皮）的二層構造的被覆的光纖電纜，係在一次被覆中存在氣體。在如此的構造的光纖電纜60，係光連接器62與光連接器72的連接部分未被密閉時，有時絕緣油80會滲入至光纖電纜60的被覆的內側，於光纖電纜60內局部殘留氣體。在光纖電纜60內存在如此的殘留氣體時，電場集中於該部分而產生局部放電，追隨於急遽的電容變化的高頻的電流通過接地電位側的電路基板70而流至控制電路52，引起控制系統的誤動作。 [0028] 圖3，係示意性就於光纖電纜60內局部存在殘留氣體時的沿著光纖電纜60的長度方向下的電場分布進行繪示的圖。圖3（a），係示出絕緣油80滲入於光纖電纜60的光纖64與被覆66之間，於一部分殘留氣體82的狀態。圖3（b），係示出此時的等效電路。 [0029] 絕緣油80的相對電容率（εr2
＝2～3程度），係氣體82的相對電容率（εr1
＝1）的2倍～3倍程度。為此，於光纖電纜60的兩端存在電位差（圖中係設想100kV）時的沿著光纖電纜60的長度方向下的等電位面（圖中，以點線顯示）之間隔，係氣體82的部分變比絕緣油80的部分窄。亦即，電場集中於氣體82的部分。其結果，於氣體82的部分局部產生放電，伴隨放電電流Ic
下的控制系統的高頻電流成為誤動作的原因。在氣體82的部分的放電，係光纖電纜60越短，此外電位差越大，越容易引起。亦即，由於為了操作的容易度、高穿透力而謀求X射線產生裝置的小型化、高電壓化等因而表露化。 [0030] 從如此的觀點而言，在依本實施方式下的X射線產生裝置，係為了將設於光纖電纜60的光連接器62與設於電路基板70上的光連接器72的連接部分進行密閉，而設置密封構造體76。如此般構成，使得例如如示於圖4，絕緣油80不會滲入至光纖電纜60內，可防止在光纖電纜60內經由絕緣油80局部殘留氣體82。藉此，可抑制沿著光纖電纜60的長度方向下的電場的急遽的變化，防止控制系統的誤動作。 [0031] 另外，在光連接器62與光連接器72的連接部分設置密封構造體76方面，係除往光纖電纜60內的絕緣油80的滲入防止以外，亦具有抑制絕緣油80對光纖與光電轉換元件之間的光學結合部的影響的效果。 [0032] 構成光纖電纜60的被覆（外皮）及密封構造體76的材料，係從持續防止絕緣油80滲入至光纖電纜60內的觀點而言，優選上為即使在絕緣油80內施加高電壓仍不會變質的材料。即使在絕緣油80內施加高電壓仍不會變質的材料方面，係舉例如不含可塑劑的樹脂材料、如環氧樹脂、聚四氟乙烯等的氟樹脂。 [0033] 如此，依本實施方式時，由於在光連接器62與光連接器72的連接部分設置密封構造體76，故可抑制沿著光纖電纜60的長度方向下的電場的局部的集中，減低控制系統的誤動作。藉此，使得可達成X射線產生裝置的進一步的小型化及施加電壓的高電壓化。 [0034] ［第2實施方式］ 就依本發明的第2實施方式下的X射線產生裝置，利用圖5進行說明。圖5，係就依本實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜的構造進行繪示的示意圖。 [0035] 在第1實施方式係以防止絕緣油80滲入至光纖電纜60內的方式構成光纖電纜60，惟亦可透過構成為將光纖電纜60內的氣體積極地置換為絕緣油80，從而抑制局部的電場的集中。 [0036] 亦即，依本實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜60，係例如如示於圖5，於被覆66，設置扮演氣體的排出與絕緣油80的滲入的角色的開口部68。如此般所設的開口部68相當於本實施方式的在光纖電纜60的電場緩和手段。 [0037] 透過在光纖電纜60的被覆66設置開口部68，使得促進光纖電纜60內的氣體的排出、往光纖電纜60內的絕緣油80的滲入，可抑制氣體在光纖電纜60內殘留。在光纖電纜60內的電場集中係因氣體局部殘留而發生，故可透過減低光纖電纜60內的殘留氣體，從而抑制在光纖電纜60內的電場集中，進而防止控制系統的誤動作。 [0038] 開口部68的配置處，係只要為可達成光纖電纜60內的氣體的排出、往光纖電纜60內的絕緣油80的滲入之處，則非特別限定者。例如，亦可配置於光纖電纜60之中途，亦可配置於光纖電纜60與光連接器62的連接部的附近。此外，開口部68的個數、大小等，係可在不損及光纖電纜60所需的強度的範圍下，以光纖電纜60內的氣體被迅速排出、絕緣油80可容易滲入的方式而適當選擇。此外，開口部68，係未必要設於光纖電纜60的一部分，亦能以使光纖64的整體曝露的方式而設。亦即，亦可不具有光纖電纜60的被覆66。 [0039] 為了有效實現往光纖電纜60內的絕緣油80的滲入，在往收納容器10內的絕緣油80的填充方面，係優選上適用在將收納容器10內抽真空後注入絕緣油80的真空浸漬法。透過採用真空浸漬法，使得可將光纖電纜60內的氣體容易且確實地置換為絕緣油80。 [0040] 開口部68的形成方法，係非特別限定者，例如可透過使用刀具於被覆66形成缺口等的一般的方法而實施。 [0041] 如此，依本實施方式時，於光纖電纜60的被覆66設置扮演氣體的排出與絕緣油80的滲入的角色的開口部68，故可抑制沿著光纖電纜60的長度方向下的電場的局部的集中，減低控制系統的誤動作。藉此，使得可達成X射線產生裝置的進一步的小型化及施加電壓的高電壓化。 [0042] ［第3實施方式］ 就依本發明的第3實施方式下的X射線產生裝置，利用圖6進行說明。圖6，係就依本實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜的構造進行繪示的示意圖。 [0043] 依本實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜60，係如示於圖6，光纖電纜60的被覆（被覆66a）由高電阻材料而構成。透過高電阻材料形成光纖電纜60的被覆66a，使得可透過由於流於該被覆的電流因而形成的電場從而謀求光纖電纜60的長度方向的電場的均勻化。由高電阻材料所成的被覆66a相當於本實施方式的在光纖電纜60的電場緩和手段。 [0044] 透過由高電阻材料構成被覆66a，從而使與將電子束的加速電壓除以被覆66a的電阻值之值相當的電流流於被覆66a，藉此可謀求光纖電纜60的長度方向的電場的均勻化。本於此目的，構成被覆66a的材料的電阻值，係根據電位規定及消耗電力設定為其優選的範圍。被覆66a的表面電阻，係從電位規定的觀點而言時，1014
Ω／□以下為優選，1012
Ω／□以下較優選，1011
Ω／□以下最優選。被覆66a的表面電阻的下限，係雖受加速電壓及光纖電纜60的長度而左右，惟為了抑制消耗電力，105
Ω／□以上為優選，107
Ω／□以上較優選。 [0045] 例如，使用直徑2mm、長度300mm的光纖電纜60的情況下，係可將被覆66a的表面電阻設定為5×1010
Ω／□程度。此情況下，加速電壓為100kV時所流的電流成為1μA程度，從電位規定、消耗電力方面而言亦屬適當。 [0046] 由高電阻材料所成的被覆66a，係雖非特別限定者，惟舉例如搓入炭黑等的碳系材料的樹脂材料。在此例，係依碳系材料的添加量而調整電阻值。 [0047] 如此，依本實施方式時，由高電阻材料構成光纖電纜60的被覆66a，故可抑制沿著光纖電纜60的長度方向下的電場的局部的集中，減低控制系統的誤動作。藉此，使得可達成X射線產生裝置的進一步的小型化及施加電壓的高電壓化。 [0048] ［第4實施方式］ 就依本發明的第4實施方式下的X射線攝影系統，利用圖7進行說明。圖7，係就依本實施方式下的X射線攝影系統的示意構成進行繪示的方塊圖。 [0049] 在本實施方式，係示出使用依第1～第3實施方式下的X射線產生裝置的X射線攝影系統。 [0050] 依本實施方式下的X射線攝影系統200，係如示於圖7，包含X射線產生裝置100、X射線檢測裝置110、系統控制裝置120、顯示裝置130。 [0051] X射線產生裝置100，係第1～第3實施方式中的任一者的X射線產生裝置，包含X射線管20、X射線管驅動電路102。X射線管驅動電路102，係包含在第1～第3實施方式的X射線產生裝置的高電壓產生電路30、電子槍驅動電路40、控制部50等。X射線檢測裝置110，係包含X射線檢測器112、信號處理部114。系統控制裝置120，係掌管包含X射線產生裝置100及X射線檢測裝置110的系統整體的控制。顯示裝置130，係將以系統控制裝置120而處理的影像信號顯示於螢幕。 [0052] X射線產生裝置100的X射線管驅動電路102，係在透過系統控制裝置120而進行的控制下，對X射線管20輸出各種的控制信號。透過從系統控制裝置120所輸出的控制信號，從而控制從X射線產生裝置100所放出的X射線的放出狀態。 [0053] 從X射線產生裝置100所放出的X射線104，係透射過被檢體106而在X射線檢測器112被測出。X射線檢測器112，係具備複數個未圖示的檢測元件，取得透射X射線影像。X射線檢測器112，係將所取得的透射X射線影像轉換為影像信號而輸出至信號處理部114。在X射線管20與被檢體106之間，係可為了抑制不需要的X射線的照射，而配置未圖示的狹縫、準直器等。 [0054] 信號處理部114，係在透過系統控制裝置120而進行的控制下，對影像信號施加既定的信號處理，將所處理的影像信號輸出至系統控制裝置120。系統控制裝置120，係為了基於所處理的影像信號使影像顯示於顯示裝置130而將顯示信號輸出至顯示裝置130。顯示裝置130，係將以顯示信號為基礎的被檢體106的攝影影像顯示於螢幕。 [0055] 如此，依本實施方式時，透過使用依小型且放電耐壓特性方面優異的第1～第3實施方式下旳X射線產生裝置100，使得可實現可穩定取得攝影影像的可靠性高的X射線攝影系統200。 [0056] ［變形實施方式］ 本發明，係不限於上述實施方式而可進行各種的變形。 [0057] 例如，將任一個實施方式的一部分的構成追加於其他實施方式之例、與其他實施方式的一部分的構成進行置換之例皆為本發明的實施方式。例如，亦可作成由第3實施方式的被覆66a構成依第1或第2實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜60的被覆66。此外，亦可作成於依第3實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜60的被覆66a設置第2實施方式的開口部68。 [0058] 此外，在上述實施方式，係使X射線管20的接地方式為陽極接地方式，惟X射線管20的接地方式係非限定於陽極接地方式者。例如，亦可採取對X射線管的陽極與陰極分別施加正、負的高電壓的中性點接地方式。本發明，係可泛用於具有以下構成的X射線產生裝置：於控制信號的傳播路徑的一部分包含光纖電纜，此光纖電纜的兩端部的電位差大。 [0059] 另外，上述實施方式，係皆僅為示出實施本發明時的具體化之例者，不應由於此等而限定解釋本發明的技術範圍。亦即，本發明係可在不脫離其技術思想、或其主要的特徵之下，以各種的形式進行實施。
[0060]
10‧‧‧收納容器
20‧‧‧X射線管
22‧‧‧電子源
26‧‧‧柵極電極
28‧‧‧陽極
30‧‧‧高電壓產生電路
40‧‧‧電子槍驅動電路
50‧‧‧控制部
52‧‧‧控制電路
60‧‧‧光纖電纜
62、72‧‧‧光連接器
64‧‧‧光纖
66、66a‧‧‧被覆
68‧‧‧開口部
74‧‧‧光電轉換元件
76‧‧‧密封構造體
80‧‧‧絕緣油
82‧‧‧氣體
[0009] [圖1]就依本發明的第1實施方式下的X射線產生裝置的示意構成進行繪示的方塊圖。 [圖2]就控制電路與電子槍驅動電路進行連接的光纖電纜的連接部分的構造進行繪示的圖。 [圖3]就光纖電纜內的殘留氣體的影響進行說明的圖。 [圖4]就依本發明的第1實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜的構造進行繪示的示意圖。 [圖5]就依本發明的第2實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜的構造進行繪示的示意圖。 [圖6]就依本發明的第3實施方式下的X射線產生裝置的光纖電纜的構造進行繪示的示意圖。 [圖7]就依本發明的第4實施方式下的X射線攝影系統的示意構成進行繪示的方塊圖。
Claims (8)
- 一種X射線產生裝置，具有X射線管、驅動前述X射線管的驅動電路、生成施加於前述X射線管的電子加速電壓的電壓產生電路、與前述驅動電路進行通訊的控制部，至少前述X射線管、前述驅動電路、前述電壓產生電路配設於填充絕緣油的收納容器內， 由配設於前述收納容器內的光纖電纜而構成前述驅動電路與前述控制部連接的路徑的至少一部分， 前述光纖電纜，係具有供於抑制因前述驅動電路與前述控制部之間的電位差而產生的電場沿著前述光纖電纜的長度方向局部集中用的電場緩和手段。
- 如請求項1的X射線產生裝置，其中， 前述光纖電纜，係具有光纖、包覆前述光纖的被覆， 前述電場緩和手段，係具有設於前述被覆的開口部。
- 如請求項2的X射線產生裝置，其中，前述開口部，係以促進前述光纖電纜內的氣體的排出、往前述光纖電纜內的前述絕緣油的滲入的方式而構成，前述光纖電纜內的氣體被置換為前述絕緣油。
- 如請求項1的X射線產生裝置，其中， 前述路徑，係具有光學連接於前述光纖電纜的光電轉換元件， 前述電場緩和手段，係具有將前述光纖電纜與前述光電轉換元件的連接部進行密閉的密封構造體。
- 如請求項4的X射線產生裝置，其中， 前述光纖電纜，係具有光纖、包覆前述光纖的被覆， 前述密封構造體，係防止前述絕緣油滲入於前述光纖電纜內。
- 如請求項1的X射線產生裝置，其中， 前述光纖電纜，係具有光纖、包覆前述光纖的由高電阻材料而成的被覆， 前述電場緩和手段，係前述被覆。
- 如請求項6的X射線產生裝置，其中，前述被覆的電阻值，係設定為透過沿著前述長度方向流於前述被覆的電流從而緩和前述光纖電纜內的電場的局部集中。
- 一種X射線攝影系統，具有： 如請求項1至7中任1項之X射線產生裝置； 就從前述X射線產生裝置所放出而透射過被檢體的X射線進行檢測的X射線檢測裝置； 將透過前述X射線檢測裝置而檢測出的前述被檢體的透射X射線影像轉換為影像信號的信號處理部。
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