TWI653764B - 具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法 - Google Patents

具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI653764B
TWI653764B TW104104162A TW104104162A TWI653764B TW I653764 B TWI653764 B TW I653764B TW 104104162 A TW104104162 A TW 104104162A TW 104104162 A TW104104162 A TW 104104162A TW I653764 B TWI653764 B TW I653764B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
transparent
photo
transparent substrate
electric conversion
Prior art date
Application number
TW104104162A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201532296A (zh
Inventor
金容玹
朴昶均
片昇哲
洪龍圭
Original Assignee
周星工程股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 周星工程股份有限公司 filed Critical 周星工程股份有限公司
Publication of TW201532296A publication Critical patent/TW201532296A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI653764B publication Critical patent/TWI653764B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0468—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H02S20/20—Supporting structures directly fixed to an immovable object
    • H02S20/22—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/40—Thermal components
    • H02S40/42—Cooling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
    • Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一種具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法，此種光伏裝置能夠提高光-電轉換效率且能夠應用於一建築物的窗戶或一移動裝置例如車輛的一視窗。此種光伏裝置包括：一透明基板，一透明電極，形成於透明基板的一個表面上，複數個光伏電池，每一光伏電池包含形成於透明電極上的一第一電極、形成於第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於光-電轉換部上的一第二電極，以及一分離部，設於相鄰的光伏電池之間。分離部暴露透明電極以入射太陽光。

Description

具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法
本發明係關於一種薄膜光伏裝置，並且更具體地，關於具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法，此種光伏裝置可應用到建築物的一窗口或一移動裝置例如車輛的一視窗。
光伏裝置為透過利用一半導體的特性將光能轉換成電能的一裝置。也就是說，光伏裝置具有其中一正(P)型半導體接合到一負(N)型半導體的一P-N接面結構。光伏裝置使用以下原理產生電力。當太陽光入射於具有P-N接面結構的一光伏裝置上時，透過入射的太陽光的能量在一半導體中產生一電洞(+)已經一電子(-)。此時，由於基於P-N接面產生的一電場，電洞(+)朝向一P型半導體移動，並且電子(-)朝向N型半導體移動。因此，產生一電勢，由此產生電源。
光伏裝置分類為基板型光伏裝置以及薄膜光伏裝置。基板型光伏裝置透過使用半導體材料本身，例如矽作為一基板而製造，並且薄膜光伏裝置透過在一基板，例如玻璃上形成一薄膜類型的一半導體而製成。
基板型光伏裝置具有相比較於薄膜光伏裝置略微更好的效率。然而，基板型光伏裝置具有在製程中最小化厚度方面的限制，並且由 於基板型光伏裝置使用一高價的半導體基板，因此製造成本增加。另一方面，薄膜光伏裝置相比較於基板型光伏裝置具有略低的效率。然而，由於薄膜光伏裝置能夠製造為一薄厚度，並且可以使用一低價的材料，因此製造成本降低，並且因此，薄膜光伏裝置適合於大規模生產。
近來，隨著光伏裝置的一光-電轉換效率的提高，用於代替建築物或車輛(移動裝置)之窗戶(例如，房屋的窗戶、建築物窗戶、以及車輛的側窗、後窗、以及天窗)的窗口取代光伏裝置正在開發中。窗口取代光伏裝置使用入射的太陽光產生電能，並且將沒有用以產生電能的太陽光傳送至建築物的內部。
第1圖為一習知技術的窗口取代光伏裝置的示意圖。
請參考第1圖，習知技術的窗口取代光伏裝置包含一光伏裝置10，光伏裝置10附加至一建築物或一車輛(一移動裝置)的一窗戶。
光伏裝置10包含一透明基板11、複數個光伏電池12、一光傳送部14、以及一保護基板21。
複數個光伏電池12分別包含形成於透明基板11上的一後電極12a、形成於後電極12a上的一光-電轉換層12b、以及形成於光-電轉換層12b上的一前電極12c。後電極12a由一金屬材料形成於透明基板11上。光-電轉換層12b形成於後電極12a上，以形成其中一P型半導體接合至一N型半導體的一PN接面結構，並使用通過前電極12a入射的太陽光產生能量。前電極12c由一透明材料形成於光-電轉換層12b上。在每一光伏電池12中，形成於後電極12a上的光-電轉換層12b透過一電池分離部串聯連接到前電極12c的一部分區域，其中電池分離部在與透明基板11的第一方向 相平行的一方向上去除。
光傳送部14與一第二方向相平行形成於光伏電池12之間，其中第二方向與透明基板11的第一方向相交叉。光傳送部14透過全部去除透明基板11上形成的後電極12a、光-電轉換層12b、以及前電極12c的一部分區域形成，並且由此允許入射的太陽光傳送到內部。
保護基板21形成為覆蓋透明基板11上形成的光傳送部14和複數個光伏電池12，並且保護這些光伏電池12。保護基板21的一外表面附裝至一建築物的窗口1。
習知技術的窗口取代光伏裝置使用入射的太陽光產生電能，並且能夠使得一用戶通過光傳送部14從內側觀看到外側。
然而，在習知技術的窗口取代光伏裝置中，當從內側觀看外側時，由於由金屬材料形成的後電極12a的一表面反射產生的反射光線RL，因此不能夠保證能見度。
此外，在習知技術的窗口取代光伏裝置中，為了保證能見度，去除(或打開)了與光傳送部14相對應的一區域中形成的後電極12a，並且由於這個原因，光-電轉換轉換效率較低。
因此，本發明在於提供一種具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法，藉以克服由於習知技術的限制及缺點所產生的一個或多個問題。
本發明的一方面在於提供一種具有改善能見度的光伏裝置 及其製造方法，此種光伏裝置能夠提高光-電轉換效率且能夠應用於一建築物的窗戶或一移動裝置例如車輛的一視窗。
除了本發明的上述目的之外，以下將描述本發明的其他特徵和優點，但是本領域的技術人員將從下面的描述中得到清楚地理解。
本發明其他的優點和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明的一種具有改善能見度的光伏裝置包括：一透明基板；一透明電極，形成於透明基板的一個表面上；複數個光伏電池，每一光伏電池包含形成於透明電極上的一第一電極、形成於第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於光-電轉換部上的一第二電極；以及一分離部，設於相鄰的光伏電池之間，其中分離部暴露透明電極以入射太陽光。這裡，分離部通過透明電極將入射的太陽光傳送至透明基板。
在本發明的另一方面中，提供的一種具有改善能見度的光伏裝置的製造方法包含：一製程(A)，形成一透明電極於一透明基板的一個表面上；一製程(B)，形成複數個光伏電池於透明電極上，其中每一光伏電池包含一第一電極、形成於第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於光-電轉換部上的一第二電極；以及一製程(C)，形成一分離部於相鄰的光伏電池之間，其中與分離部相重疊的透明電極形成為暴露於入射的太陽 光。這裡，製程(C)包含透過去除在透明電極上形成的第一電極、光-電轉換部、以及第二電極之每一個的一定區域，形成此分離部。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
1‧‧‧窗口
10‧‧‧光伏裝置
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧光伏電池
12a‧‧‧後電極
12b‧‧‧光-電轉換層
12c‧‧‧前電極
14‧‧‧光傳送部
21‧‧‧保護基板
100‧‧‧光伏裝置
110‧‧‧透明基板
120‧‧‧透明電極
130‧‧‧光伏電池
131‧‧‧第一電極
133‧‧‧內部反射電極
135‧‧‧光-電轉換部
135a‧‧‧光-電轉換層
135b‧‧‧緩衝層
135c‧‧‧光-電轉換層
137‧‧‧透明導電層
139‧‧‧第二電極
140‧‧‧光傳送部
150‧‧‧透明蓋件
P1‧‧‧電極分離圖案
P‧‧‧接觸圖案
P3‧‧‧電池分離圖案
RL‧‧‧反射光線
W‧‧‧寬度
A‧‧‧放大部分
B‧‧‧放大部分
第1圖為一習知技術的窗口取代光伏裝置的示意圖。
第2圖為根據本發明一實施例的具有改善能見度的一光伏裝置的示意圖。
第3圖為沿第2圖的線I-I'截取的剖視圖。
第4圖為示意性地表示根據本發明一實施例，用作一窗口取代物的一光伏裝置的剖視圖。以及第5A圖至第5G圖為根據本發明一實施例的具有改善能見度的光伏裝置的製造方法的圖式。
現在將詳細參考本發明的不同實施例，這些實施例的一些實例表示在附圖中。只要可能，附圖中的相同標號將指代相同或相似的部件。
在說明書中描述的術語應作如下理解。
將進一步理解的是術語「包含」、「包括」、以及「具有」， 當在本文中使用時指定所敘述的特徵、整數、步驟、作業、元件與/或部件，但不排除存在或另外的一個或多個其他特徵、整數、步驟、作業、元件、組件與/或它們的組合。術語「至少一個」應理解為包括一個或多個相關所列的項目的任意和所有組合。舉例而言，「一第一項、一第二項、以及一第三項中的至少一個」表示第一項、第二項、以及第三項的兩個或多個，以及第一項、第二項、或第三項中的全部項目的組合。術語「上」應該解釋為包含一個元件形成在另一元件之頂部的情況，並且此外也包含一第三元件設置在其間的情況。
在下文中，將參考附圖詳細描述根據本發明一實施例的具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法。
第2圖為根據本發明第一實施例的具有改善能見度的一光伏裝置100的示意圖。第3圖為沿第2圖的線I-I'截取的剖視圖。
請參照第2圖以及第3圖，根據本發明第一實施例的具有改善能見度的光伏裝置100包含一透明基板110、一透明電極120、複數個光伏電池130、以及在這些個光伏電池130之間形成的一光傳送部140。
透明基板110可由透明玻璃、一透明塑料基板、或一透明可撓性塑料基板形成。
透明電極120遍佈在透明基板110的一個表面上，形成為具有一定的厚度。透明電極120可包含從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、二氧化錫(SnO2)、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、氧化銦(In2O3)、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選擇的一種透明導電材料。另外，透明電極120可包括在透明電極120的一個表面上形成的 一微細凹凸結構。
每一光伏電池130形成於透明基板110上，即，透明電極120上，並且包括一第一電極131、一第二電極139、以及第一電極131和第二電極139之間的一光-電轉換部135。更詳細而言，每一光伏電池130可包括第一電極131、一內部反射電極133、一電極分離圖案P1、光-電轉換部135、一透明導電層137、一接觸圖案P2、第二電極139、以及一電池分離圖案P3。
第一電極131形成為遍佈在透明電極120的一頂部以具有一定的厚度。第一電極131可由一金屬材料，例如銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、Ag+Mo、Ag+Ni、或Ag+Cu形成。這裡，當一微細凹凸結構形成在透明電極120的一表面上時，與透明電極120的此微細凹凸結構相對應的一微細凹凸結構可形成在第一電極131的一表面上。
內部反射電極133形成在第一電極131上。更詳細而言，內部反射電極133由一透明導電材料形成於第一電極131上，並且反射未被光-電轉換部135吸收而行進到第一電極131的光線，以將光線再次傳送到光-電轉換部135。內部反射電極133可由與透明電極120相同的材料形成，或者可由從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、二氧化錫(SnO2)、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、氧化銦(In2O3)、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選擇的一種材料形成。這裡，當一微細凹凸結構形成在透明電極120和第一電極131之每一個的表面上時，與此微細凹凸結構相對應的一微細凹凸結構也可形成於內部反射電極133的一表面上。根據本發明一實施例，第一電極131和內部反射電極133形成為一堆疊 結構，並且因此，第一電極131和內部反射電極133的光反射率為90%或者更高。
電極分離圖案P1形成為沿透明基板110的一第一方向Y(例如，透明基板110的一垂直方向)具有一定的間隔，並且以一定的間隔分離複數個第一電極131。電極分離圖案P1透過去除彼此重疊的第一電極131和透明電極120之每一個的一部分而形成，以便暴露透明基板110的一定區域。
光-電轉換部135形成於第一電極131和第二電極139之間，並且包括至少一個光-電轉換層135a，光-電轉換層135a使用通過第二電極139入射的太陽光產生電能。
光-電轉換層135a可由一基於矽的半導體材料形成，並且可形成為其中一N型半導體層、一I型半導體層、以及一P型半導體層順次堆疊的一NIP結構。當光-電轉換層135a形成為此NIP結構時，光-電轉換層135a，I型半導體層由P型半導體層和N型半導體層耗盡，並且因此，電場在內部產生。由太陽光產生的電洞和電子透過電場漂移，並且由P型半導體層和N型半導體層收集。此外，當光-電轉換層135a形成為此NIP結構時，N型半導體層可形成在第一電極131上，並且隨後，可形成I型半導體層和P型半導體層。其原因是由於一電洞的漂移遷移率相比較於一電子的漂移遷移率為低，因此P型半導體層形成為靠近一光接收表面上，以便透過入射光最大化收集效率。
此外，如第2圖的一放大部分A所示，當光-電轉換部135包括具有一多層結構的光-電轉換層135a時，光-電轉換部135還可進一步包 括在複數個光-電轉換層135a之間形成的一緩衝層135b。這裡，緩衝層135b使得電洞和電子平滑地移動而通過這些個光-電轉換層135a之間的隧道結。緩衝層135b可以省去，但也可形成於這些個光-電轉換層135a之間，從而提高光伏裝置100的效率。
透明導電層137形成於光-電轉換部135之上。透明導電層137散射通過第二電極139入射的太陽光，以使得太陽光以不同的角度行進，並且增加了通過第二電極139入射於光-電轉換部135上的光線的比率，由此提高光伏裝置的效率。透明導電層137可省去，但也可在光-電轉換部135和第二電極139之間形成，以便提高光伏裝置100的效率。
接觸圖案P2與電極分離圖案P1相平行形成，並且暴露相鄰於電極分離圖案P1的第一電極131之頂部或內部反射電極133的一定區域。也就是說，接觸圖案P2透過去除透明導電層137和光-電轉換部135之每一個的一定區域形成，其中透明導電層137和光-電轉換部135的此一定區域形成於相鄰電極分離圖案P1的第一電極131上。
第二電極139在接觸圖案P2內部以及透明導電層137之上形成，以便通過接觸圖案P2電連接到第一電極131。第二電極139由一透明導電材料形成，以便用於入射的太陽光入射到光-電轉換部135上。舉例而言，第二電極139可以由從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、二氧化錫(SnO2)、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、氧化銦(In2O3)、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選擇的一種材料形成，並且可由與透明電極120相同的材料形成。
電池分離圖案P3與接觸圖案P2相平行形成，並且暴露相 鄰於接觸圖案P2的第一電極131之頂部或內部反射電極133的一定區域。也就是說，在電池分離圖案P3通過去除第一電極131上形成的光-電轉換部135、透明導電層137、以及第二電極139之每一個的一定區域形成。因此，透過電池分離圖案P3彼此電絕緣，並且通過接觸圖案P2彼此電串聯連接的這些光伏電池130形成於透明基板110上。
光傳送部140沿著與透明基板110的第一方向Y相交叉的一第二方向X(例如，透明基板110的一水平方向)設置在相鄰的光伏電池130之間，以具有一定的寬度W，並且作為一分離部而暴露在第一方向Y上彼此相鄰的光伏電池130之間形成的透明電極120，用以入射太陽光，並在空間上分離在第一方向Y上彼此相鄰且形成於透明電極120上的光伏電池130。光傳送部140僅包含形成於透明基板110上的透明電極120，並且更詳細地，除了形成在透明基板110上的透明電極120之外，光傳送部140透過去除第一電極131、內部反射電極133、光-電轉換部135、透明導電層137、以及第二電極139之每一個的一定區域形成。
光傳送部140通過與電池分離圖案P3相同的過程形成為與電池分離圖案P3相交叉，並且因此提供了朝向透明基板110傳送的太陽光的傳送路徑，並且增加了光伏裝置100的一光開口率(light opening rate)(或一光透射率)，從而提高了光伏裝置100的能見度。這裡，光伏裝置100的光開口率可基於光傳送部140對透明基板110的一面積比來確定，並且特別地，可基於光傳送部140的一寬度W相對於具有相同的尺寸的透明基板110來確定。
彼此相鄰且其間設置有光傳送部140的光伏電池130的第一 電極131彼此相連接，並且因此，透明電極120作為一連接層，此連接層將彼此相鄰且光傳送部140位於其間的光伏電池130電連接。
此外，透明電極120作為一抗反射層，用以防止從透明基板110的一後表面入射的光線透過第一電極131而反射。在這種情況下，透明電極120形成為具有一表面凹凸結構或一高的表面粗糙度，並且漫反射從透明基板110入射的光線，從而防止了光線透過第一電極131而反射。為此，透明電極120可透過一沉積製程，例如一金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程形成，其中此金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程在一沉積材料的表面上形成一凹凸結構或形成沉積材料的表面，以具有一高的表面粗糙度。
根據本發明一實施例的具有改善能見度的光伏裝置100可進一步包括一透明蓋件150，透明蓋件150形成於第二電極139上以與透明基板110相重疊。也就是說，透明蓋件150可形成在第二電極139上以覆蓋複數個光伏電池130和光傳送部140。透明蓋件150可由用作建築物(或移動裝置)的窗戶的一窗口、與透明基板110同樣的材料、透明聚合物、或一保護片(或一保護層)形成。透明蓋件150可根據光伏裝置100的一結構而省去。
另一方面，一功能膜(圖未示)可另外安裝在面向室內側的透明基板110的另一表面上，並且功能膜可包含從對透明基板110給出顏色的一窗口有色膜、一熱阻擋膜、一紫外線(UV)阻擋膜、以及一抗反射膜中選擇的至少一個薄膜。這裡，功能性膜可包含與光傳送部140相重疊的一開口圖案(圖未示)。
如第4圖所示，根據本發明一實施例具有改善能見度的光伏裝置100結合至能夠使得從內部觀看外部的窗口1。這裡，窗口1可以是一家用窗戶、一建築物的窗戶、以及車輛的一側窗、一後窗、或一天窗。在這種情況下，第二電極139設置為鄰近窗口1，以形成一光接收表面。因此，通過窗口1的一些太陽光穿過第二電極139，由光-電轉換部135吸收，並且轉換成電能，而對應於此，其他太陽光穿過光傳送部140和透明電極120以及透明基板110且入射在室內部。
特別地，根據本發明的本實施例，由於彼此相鄰且其間的光傳送部140相互連接的光伏電池130通過透明電極120連接到第一電極131，其中透明電極120形成為與光傳送部140相重疊，因此光伏裝置的能見度通過僅包括透明電極120的光傳送部140得到保證，並且能夠改善光-電轉換效率。此外，根據本發明的本實施例，由於透明電極120形成於透明基板110和金屬材料形成的第一電極131之間，因此由第一電極131的表面反射產生的反射光線RL最小化。
因此，根據本發明一實施例具有改善能見度的光伏裝置100可充分地用於一窗口(例如，一房間窗戶、一建築物窗戶、以及一車輛(移動裝置)的側窗、一後窗、或一天窗)變電站。
在上述根據本發明一實施例具有改善能見度的光伏裝置100中，光-電轉換部135上面描述為由一基於矽的半導體材料形成，但是並不限於此。光-電轉換部135可由以下化合物形成：一I-Ⅲ-Ⅵ化合物，其中吸收入射光線以產生電能的銅銦鎵硒(CIGS)為一個代表，一Ⅱ-Ⅵ化合物，其中碲化鎘(CdTe)為一個代表，或者一Ⅲ-V化合物，其中砷化鎵(GaAs) 為一個代表。
第5A圖至第5G圖為用於描述根據本發明一實施例的具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，並且表示第2圖中所示的本發明一實施例的具有改善能見度的光伏裝置的製造方法。下文中，將不提供每一元件的結構的重複描述。
首先，如第5A圖所示，透明電極120遍佈於透明基板110的一表面上形成以具有一定的厚度。透明電極120可包含從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、二氧化錫(SnO2)、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、氧化銦(In2O3)、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選擇的一種透明導電材料。透明電極120可根據一材料透過一噴鍍製程或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程來形成。
任選地，一微細凹凸結構可通過一紋理化製程形成在透明電極120的一表面上。紋理化製程為將透明電極120的表面形成為一粗糙的凹凸結構的製程，並且將透明電極120的表面處理為類似織物之表面的形狀。此紋理化製程可包含使用光刻的一蝕刻製程，使用化學溶液的一各向異性蝕刻製程，或者使用機械刻劃(mechanical scribing)的一槽形成製程。
隨後，如第5B圖所示，第一電極131形成為遍佈於透明電極120之上。
第一電極131可透過使用包括銀(Ag)、鋁(Al)、銅(Cu)、Ag+Mo、Ag+Ni、或Ag+Cu的一金屬膏的一次性列印製程形成。
列印製程可包含一絲網列印製程、一噴墨列印製程、一凹版列印製程、一照相凹版膠印製程(gravure offset printing process)、一反向 列印製程、一可撓性列印製程、或一微接觸列印製程。這裡，絲網列印製程為其中墨設置在絲網上，當在一定的壓力下加壓刮板時，透過移動墨而使得墨水通過絲網的網眼而傳送的製程。噴墨列印製程為透過將非常小滴的墨與基板碰撞來進行列印的製程。凹版列印製程為透過使用刮刀去除在平坦的非列印部分的油墨，並且僅傳送在透過蝕刻而凹陷的一列印部分上的油墨，由此執行列印的一製程。凹版膠印製程為將墨從一列印板轉移至一覆蓋層(blanket)，並再次將覆蓋層的墨轉印到基板上。反轉列印製程為透過使用一溶劑作為墨執行列印的一製程。可撓性列印製程為透過使用墨塗覆一壓花部執行列印的一製程。微接觸列印製程為其中所期望的材料放置在一印模上，並且類似一印章透過壓印此材料來執行列印的製程。
第一電極131透過上述的列印製程列印，並且然後，另外執行焙燒列印的第一電極131的一燒成製程(firing process)。
第一電極131可透過一噴鍍製程形成。在這種情況下，當第一電極131透過列印製程形成時，相比較於噴鍍製程材料的成本增加，並且光伏裝置的光-電轉換效率相對低。然而，由於第一電極131的表面粗糙度較高，因此漫反射的一反射率減少，並且因此，光伏裝置的能見度容易保證。因此，根據能見度，第一電極131可透過列印製程形成。
隨後，內部反射電極133形成在第一電極131上，以具有相比較於第一電極131更薄的一厚度。內部反射電極133由與透明電極120相同的材料形成，或者可由具有從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、二氧化錫(SnO2)、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、氧化銦(In2O3)、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選擇的至少一種 材料的一透明導電材料形成。形成內部反射電極133的一製程可省去，但是如上所述，為了增加第一電極131的一反射率可以不省去。以下的描述中，假定形成內部反射電極133。
隨後，電極分離圖案P1形成為沿透明基板110的第一方向Y(例如，透明基板110的垂直方向)具有一定的間隔，並且這些個第一電極131彼此以一定的間隔相分離。舉例而言，電極分離圖案P1可透過去除相互重疊的內部反射電極133、第一電極131、以及透明電極120之每一個的某一區域的雷射刻劃製程形成。
隨後，如第5C圖所示，包括內部反射電極133和電極分離圖案P1的光-電轉換部135形成於光-電轉換部135上，並且然後，透明導電層137形成於光-電轉換部135上。在此，可不形成透明導電層137。然而，在以下的說明中，假設形成透明導電層137。
根據本發明一實施例的光-電轉換部135可形成為單層的光-電轉換層135a，單層的光-電轉換層135a具有其中一N型半導體層、一I型半導體層、以及一P型半導體層順次堆疊的一NIP結構。這裡，代替I型半導體層，可形成相比較於N型或P型半導體層具有一更薄厚度的一N型或P型半導體層，並且代替I型半導體層，可形成具有的摻雜濃度相比較於N型或P型半導體層更低的一N型或P型半導體層。
如第5C圖的一放大部分B所示，根據本發明另一實施例的一光-電轉換部135可形為一串列結構，此串列結構中順次堆疊具有NIP結構的一第一個光-電轉換層135a、一緩衝層135b、以及具有NIP結構的一第二個光-電轉換層135c，但不限於此。光-電轉換部135可包括兩個或更多個 光-電轉換層135a以及這兩個或更多個光-電轉換層135a之間的緩衝層135b。這裡，緩衝層135b可由一透明導電材料形成。
隨後，如第5D圖所示，接觸圖案P2透過去除在內部反射電極133上形成的透明導電層137和光-電轉換部135之每一個的一定區域形成，以便暴露與電極分離圖案P1相平行且相鄰的內部反射電極133的一定區域。這裡，接觸圖案P2可透過雷射刻劃製程而形成。
任選地，接觸圖案P2可透過去除在第一電極131上形成的內部反射電極133、光-電轉換部135、以及透明導電層137之每一個的一定區域形成，以便暴露相鄰於電極分離圖案P1的第一電極131的一定區域。
隨後，如第5E圖所示，具有一定厚度的第二電極139形成於接觸圖案P2和透明導電層137之上。這裡，第二電極139可由一透明導電材料形成，此透明導電材料包含從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、二氧化錫(SnO2)、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、氧化銦(In2O3)、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選擇的至少一種材料。第二電極139可透過一沉積製程，例如根據一材料的噴鍍製程或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)製程來形成。
隨後，如第5F圖所示，電池分離圖案P3透過去除在內部反射電極133上形成的光-電轉換部135、透明導電層137、以及第二電極139之每一個的一定區域形成，以暴露相鄰於接觸圖案P2的內部反射電極133的一定區域。因此，這些個光伏電池130透過電池分離圖案P3彼此電氣上隔離且通過透明電極110上形成的接觸圖案P2彼此電氣串聯連接。
電池分離圖案P3可透過雷射刻劃製程或使用遮罩的一蝕刻 製程形成。
任選地，電池分離圖案P3可透去除在第一電極131上形成的內部反射電極133、光-電轉換部135、透明導電層137、以及第二電極139之每一個的一定區域形成，以便暴露相鄰近接觸圖案P2的第一電極131的一定區域。
隨後，如第5G圖所示，形成光傳送部140，其中光傳送部140沿著與電池分離圖案P3相交叉的透明基板110之第二方向X具有一定的寬度和一定的間隔，並且暴露透明電極120的一定區域。
更詳細而言，光傳送部140透過除了透明電極110上形成的透明電極120之外，去除第一電極131、內部反射電極133、光-電轉換部135、透明導電層137、以及第二電極139之每一個的一定區域形成。因此，透過光傳送部140(或分離部)彼此空間上隔開的這些個光伏電池130在透明基板110的第一方向Y上形成，並且彼此相鄰且光傳送部140位於其間的光伏電池130之第一電極131通過透明電極120(或連接層)彼此相連接。
光傳送部140的一寬度和一間隔可基於光伏裝置的光開口率對透明基板110的一面積來確定。光傳送部140可透過雷射刻劃製程或使用遮罩的蝕刻製程來形成。
任選地，電池分離圖案P3可形成為與光傳送部140相同的結構。此種情況下，電池分離圖案P3可透過去除在透明電極120上形成的第一電極131、內部反射電極133、光-電轉換部135、透明導電層137、以及第二電極139的一定部分來形成，以暴露相鄰於接觸圖案P2的透明電極120的一定區域。在這種情況下，電池分離圖案P3和光傳送部140可透過 使用遮罩的一蝕刻製程同時形成，或者可透過雷射刻劃製程來連續地形成。
窗口1(參見第4圖)透過使用透明黏合件例如一透明黏合片或一透明黏合劑結合至第二電極139，以覆蓋複數個光伏電池130和光傳送部140，從而完成使用於建築物或車輛(移動裝置)之一窗戶(例如，一房屋的窗戶、一建築物窗戶、以及車輛的一側窗、一後窗、或一天窗)變電站的一個光伏模塊。
作為另一實例，透過在第二電極130上形成透明蓋件150(參見第3圖)以覆蓋這些光伏電池130和光傳送部140，由此完成一光伏裝置。在這種情況下，透明蓋件150可由與透明基板110相同的材料、一透明聚合物、或一保護片形成。具有透明蓋件150的光伏裝置透過透明黏合件例如一透明黏合片或一透明黏合劑，結合至用作建築物或車輛(移動裝置)之窗戶的一窗口，並且因而安裝於一窗口(例如，一房屋的窗戶、一建築物窗戶、以及車輛的一側窗、一後窗、或一天窗)變電站。
在光伏裝置的上述製造方法中，光-電轉換部135已經描述為由一基於矽的半導體材料形成，但是不限於此。光-電轉換部135可由以下化合物形成：一I-Ⅲ-Ⅵ化合物，其中銅銦鎵硒(CIGS)為一個代表，一Ⅱ-Ⅵ化合物，其中碲化鎘(CdTe)為一個代表，或者一Ⅲ-V化合物，其中砷化鎵(GaAs)為一個代表。
如上所述，根據本發明的實施例，由於彼此相鄰且其間具有光傳送部(或分離部)的光伏電池通過連接層(或透明電極)連接至第一電極，其中此連接層形成為與光傳送部相重疊，因此光伏裝置的能見度通過光傳送部得到保證，並且光-電轉換效率能夠提高。
此外，根據本發明的實施例，由於抗反射層(或透明電極)形成於透明基板和一金屬材料形成的第一電極之間，因此，當從內側觀看外側時，能夠防止由於一金屬電極的一光反射引起的能見度的減少。
本領域的技術人員將容易理解可以在不脫離本發明之技術思想的範圍內進行各種變化和修改。因此，本發明覆蓋這些修改和變型，只要它們落在所附之專利申請範圍及其等同範圍內。

Claims (23)

  1. 一種具有改善能見度的光伏裝置，該光伏裝置包含：一透明基板；一透明電極，直接形成於該透明基板的一個表面上；複數個光伏電池，每一該些光伏電池包含直接形成於該透明電極上的一第一電極、形成於該第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於該光-電轉換部上的一第二電極；一電極分離圖案，設於該透明電極與該第一電極中，以暴露該透明基板，其中該電極分離圖案由該光-電轉換部填充；以及一分離部，設於相鄰的光伏電池之間，其中該分離部，設於該等光伏電池之該第一電極、該光-電轉換部及該第二電極中，藉以暴露該透明電極以入射太陽光。
  2. 如請求項1所述之具有改善能見度的光伏裝置，其中，該分離部通過該透明電極將入射的該太陽光傳送至該透明基板。
  3. 一種具有改善能見度的光伏裝置，該光伏裝置包含：一透明基板；複數個光伏電池，每一該些光伏電池包含形成於該透明基板的一個表面上的一第一電極、形成於該第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於該光-電轉換部上的一第二電極； 一光傳送部，設於相鄰的光伏電池之間；一連接層，用以電連接彼此相鄰且其間具有該光傳送部的光伏裝置的第一電極；以及一電極分離圖案，設於該連接層與該第一電極中，以暴露該透明基板，其中該電極分離圖案由該光-電轉換部填充，其中該連接層為形成於該透明基板的該一個表面上的一透明電極，以與各該光伏電池的該第一電極以及該光傳送部相重疊，其中該連接層直接設於該第一電極下並直接設於該透明基板上，並且其中該光傳送部設於該等光伏電池之該第一電極、該光-電轉換部及該第二電極中，藉以暴露該透明電極以入射太陽光。
  4. 如請求項3所述之具有改善能見度的光伏裝置，其中，該光傳送部通過該透明電極將入射的太陽光傳送至該透明基板。
  5. 一種具有改善能見度的光伏裝置，該光伏裝置包含：一透明基板；複數個光伏電池，每一該些光伏電池包含形成於該透明基板的一個表面上的一第一電極、形成於該第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於該光-電轉換部上的一第二 電極；一光傳送部，設於相鄰的光伏電池之間；一抗反射層，形成為與每一該些光伏電池的該第一電極及該光傳送部相重疊並形成為具有一表面凹凸結構，以防止反射從該透明基板的另一表面入射於該第一電極上的光線，並且將入射於該光傳送部上的太陽光傳送至該透明基板；以及一電極分離圖案，設於該抗反射層與該第一電極中，以暴露該透明基板，其中該電極分離圖案由該光-電轉換部填充，其中，該抗反射層係為形成於該透明基板與每一該些光伏電池的該第一電極之間的一透明電極，並且形成於與該光傳送部相重疊的該透明基板的該一個表面上，其中該抗反射層直接設於該第一電極下並直接設於該透明基板上，並且其中一光傳送部設於該等光伏電池之該第一電極、該光-電轉換部及該第二電極中，藉以暴露該透明電極以入射太陽光。
  6. 如請求項1至5中的一項所述之具有改善能見度的光伏裝置，其中，該透明電極包含從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、ZnO、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、SnO2、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、In2O3、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選 擇的一種材料。
  7. 如請求項1至5中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置，其中，該第一電極包含從Ag、Al、Cu、Ag+Mo、Ag+Ni、以及Ag+Cu中選擇的一種材料。
  8. 如請求項1至5中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置，其中，該光-電轉換部包含形成於該第一電極與該第二電極之間的至少一個光-電轉換層，以及該至少一個光-電轉換層包含順次形成於該第一電極上的一N型半導體層、一I型半導體層、以及一P型半導體層。
  9. 如請求項1至5中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置，其中，該光-電轉換部包含形成於該第一電極與該第二電極之間的至少一個光-電轉換層，以及該至少一個光-電轉換層包含從一I-Ⅲ-Ⅵ化合物、一Ⅱ-Ⅵ化合物、以及一Ⅲ-V化合物中選擇的一種化合物。
  10. 如請求項1至5中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置，進一步包含一透明蓋件，該透明蓋件形成於該第二電極上以與該透明基板相重疊。
  11. 如請求項10所述之具有改善能見度的光伏裝置，其中，該透明蓋件係為用作一建築物或一移動裝置之窗戶的一窗 口。
  12. 如請求項1至5中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置，進一步包含一功能膜，該功能膜形成於該透明基板的另一表面上，其中，該功能膜包含從一熱阻擋膜、一紫外線(UV)阻擋膜、一抗反射膜、以及對該透明基板給出一顏色的一窗口有色膜中選擇的至少一個薄膜。
  13. 一種具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，包含以下步驟：一製程(A)，直接形成一透明電極於一透明基板的一個表面上；一製程(B)，形成複數個光伏電池於該透明電極上，其中每一該些光伏電池包含直接於該透明電極上之一第一電極、形成於該第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於該光-電轉換部上的一第二電極；一製程(C)，形成一分離部於相鄰的光伏電池之間；以及，一製程(D)，形成一電極分離圖案於該透明電極與該第一電極中，以暴露該透明基板，其中該電極分離圖案由該光-電轉換部填充，其中與該分離部相重疊的該透明電極形成為暴露於入射的太陽光，並且 其中該分離部設於該等光伏電池之該第一電極、該光-電轉換部及該第二電極中，藉以暴露該透明電極以入射太陽光。
  14. 如請求項13所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，其中，該製程(C)包含透過去除在該透明電極上形成的該第一電極、該光-電轉換部、以及第二電極之每一個的一定區域，形成該分離部。
  15. 一種具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，包含以下步驟：一製程(C)，形成複數個光伏電池於一透明基板上，其中每一該些光伏電池包含一第一電極、形成於該第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於該光-電轉換部上的一第二電極；一製程(D)，形成一光傳送部於相鄰的光伏電池之間；一製程(B)，在該製程(C)之前執行，用以形成一連接層，該連接層電連接彼此相鄰且其間具有該光傳送部的光伏裝置的第一電極；以及一製程(E)，形成一電極分離圖案於該連接層與該第一電極中，以暴露該透明基板，其中該電極分離圖案由該光-電轉換部填充，其中該連接層為形成於一透明基板的該一個表面上的 一透明電極，以與每一該些光伏電池的該第一電極以及該光傳送部相重疊，其中該連接層直接設於該第一電極下並直接設於該透明基板上，並且其中該光傳送部設於該等光伏電池之該第一電極、該光-電轉換部及該第二電極中，藉以暴露該透明電極以入射太陽光。
  16. 一種具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，包含以下步驟：一製程(C)，形成複數個光伏電池於一透明基板上，其中每一該些光伏電池包含一第一電極、形成於該第一電極上的一光-電轉換部、以及形成於該光-電轉換部上的一第二電極；一製程(D)，形成一光傳送部於相鄰的光伏電池之間；一製程(B)，在該製程(C)之前執行，用以在該透明基板的一個表面上形成一抗反射層，該抗反射層與每一該些光伏電池的該第一電極及該光傳送部相重疊；以及一製程(E)，形成一電極分離圖案於該透明電極與該第一電極中，以暴露該透明基板，其中該電極分離圖案由該光-電轉換部填充，其中該抗反射層係為形成於每一該些光伏電池的該第 一電極與該透明基板之間的一透明電極，並且形成於與該光傳送部相重疊的該透明基板的該一個表面上，其中該抗反射層直接設於該第一電極下並直接設於該透明基板上，並且其中該光傳送部設於該等光伏電池之該第一電極、該光-電轉換部及該第二電極中，藉以暴露該透明電極以入射太陽光。
  17. 如請求項13至16中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，其中，該透明電極包含從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、ZnO、ZnO：B、ZnO：Al、ZnO：Ga、SnO2、SnO2：F、SnO2：B、SnO2：Al、In2O3、Ga2O3-In2O3、以及ZnO-In2O3中選擇的一種材料。
  18. 如請求項13至16中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，其中，該第一電極透過使用金屬膏的一列印製程形成。
  19. 如請求項13至16中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，其中，該光-電轉換部包含形成於該第一電極與該第二電極之間的至少一個光-電轉換層，以及該至少一個光-電轉換層包含順次形成於該第一電極上的一N型半導體層、一I型半導體層、以及一P型半導體層。
  20. 如請求項13至16中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，其中，該光-電轉換部包含形成於該第一電極與該第二電極之間的至少一個光-電轉換層，以及該至少一個光-電轉換層包含從一I-Ⅲ-Ⅵ化合物、一Ⅱ-Ⅵ化合物、以及一Ⅲ-V化合物中選擇的一種化合物。
  21. 如請求項13至16中任意一項所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，進一步包含形成一透明蓋件的製程，該透明蓋件位於該第二電極上且與該透明基板相重疊。
  22. 如請求項21所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，其中，該透明蓋件係為用作一建築物或一移動裝置之窗戶的一窗口。
  23. 如請求項13至16中的一項所述之具有改善能見度的光伏裝置的製造方法，進一步包含在該透明基板的另一表面上形成一功能膜的一製程，其中，該功能膜包含從一熱阻擋膜、一紫外線(UV)阻擋膜、一抗反射膜、以及對該透明基板給出一顏色的一窗口有色膜中選擇的至少一個薄膜。
TW104104162A 2014-02-06 2015-02-06 具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法 TWI653764B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140013802A KR20150093291A (ko) 2014-02-06 2014-02-06 시인성이 향상된 태양 전지 및 그의 제조 방법
??10-2014-0013802 2014-02-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201532296A TW201532296A (zh) 2015-08-16
TWI653764B true TWI653764B (zh) 2019-03-11

Family

ID=53778150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104104162A TWI653764B (zh) 2014-02-06 2015-02-06 具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20170194523A1 (zh)
KR (1) KR20150093291A (zh)
CN (1) CN106165113B (zh)
TW (1) TWI653764B (zh)
WO (1) WO2015119380A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11155493B2 (en) * 2010-01-16 2021-10-26 Cardinal Cg Company Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods
KR102497750B1 (ko) * 2017-07-11 2023-02-08 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지
US11515440B2 (en) * 2017-09-29 2022-11-29 Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Semitransparent thin-film solar module
CN107887457A (zh) * 2017-12-14 2018-04-06 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种透光太阳能电池及其制备方法
DE202017107931U1 (de) * 2017-12-28 2019-04-01 Inalfa Roof Systems Group B.V. Dachkonstruktion für ein Fahrzeug und ein semi-transparentes Photovoltaik-Paneel darin
CN108767024B (zh) * 2018-08-15 2024-01-26 浙江晶科能源有限公司 一种光伏组件
CN110277473B (zh) * 2019-05-31 2024-03-26 信利半导体有限公司 一种薄膜光伏电池的制造方法及薄膜光伏电池
US11411128B2 (en) * 2019-10-31 2022-08-09 Korea Institute Of Science And Technology Manufacturing method of flexible thin film solar cell module and the flexible thin film solar cell module using the same
KR20230171141A (ko) * 2022-06-13 2023-12-20 주식회사 메카로에너지 태양전지 및 그 제조 방법
CN115732590B (zh) * 2022-11-08 2023-08-11 新源劲吾(北京)科技有限公司 带单向透视膜的透光光伏组件及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201039455A (en) 2009-04-24 2010-11-01 Jusung Eng Co Ltd Thin film type solar cell, and method for manufacturing the same
WO2012165849A2 (en) 2011-05-30 2012-12-06 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040219801A1 (en) * 2002-04-25 2004-11-04 Oswald Robert S Partially transparent photovoltaic modules
JP3813436B2 (ja) * 2000-12-01 2006-08-23 三洋電機株式会社 窓構造
CN100524846C (zh) * 2007-01-26 2009-08-05 财团法人工业技术研究院 透光型薄膜太阳能电池模块及其制造方法
US7940457B2 (en) * 2008-05-30 2011-05-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Energy-efficient optoelectronic smart window
KR20100010255A (ko) * 2008-07-22 2010-02-01 (주) 비제이파워 고효율 ｂｉｐｖ 모듈
US8298852B2 (en) * 2008-12-29 2012-10-30 Jusung Engineering Co., Ltd. Thin film type solar cell and method for manufacturing the same
KR101173344B1 (ko) * 2009-10-30 2012-08-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201039455A (en) 2009-04-24 2010-11-01 Jusung Eng Co Ltd Thin film type solar cell, and method for manufacturing the same
WO2012165849A2 (en) 2011-05-30 2012-12-06 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015119380A1 (ko) 2015-08-13
US20170194523A1 (en) 2017-07-06
CN106165113A (zh) 2016-11-23
KR20150093291A (ko) 2015-08-18
TW201532296A (zh) 2015-08-16
CN106165113B (zh) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI653764B (zh) 具有改善能見度的光伏裝置及其製造方法
TWI487129B (zh) 薄膜太陽能電池及其製造方法
JP2013506995A (ja) 太陽光発電装置及びその製造方法
KR101161378B1 (ko) 백색 반사층을 구비한 박막형 태양전지 모듈 및 그 제조방법
KR20120063324A (ko) 양면 태양전지
CN103081123A (zh) 用于太阳能发电的装置及其制造方法
US20090242025A1 (en) Thin film type solar cell, and method for manufacturing the same
KR102085039B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조 방법
KR20140095658A (ko) 태양 전지
US20150303326A1 (en) Interconnect for a thin film photovoltaic solar cell, and method of making the same
KR101166456B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR20100066928A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
TWI435462B (zh) 多色彩畫作型太陽能電池的製造方法
KR101643871B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
KR101206758B1 (ko) 이종 적층형 박막 태양전지 및 그 제조방법
KR101081251B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR102173647B1 (ko) 태양전지 모듈
KR101055980B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그의 제조방법
KR20150067782A (ko) 시인성이 향상된 태양 전지 및 그의 제조 방법
KR20150092616A (ko) 태양전지 모듈
JP6192562B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
KR102396820B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR102233886B1 (ko) 태양전지 모듈
KR101060209B1 (ko) 태양전지 모듈
KR101081085B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법