TWI651928B - 具有並聯射極隨耦器的改良功率放大器偏壓電路 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示具有並聯射極隨耦器的改良之功率放大器(PA)偏壓電路。在一些實施例中，一PA之一偏壓電路可包括經實施以耦接一放大電晶體之一基極節點與一供電節點的一第一偏壓路徑，其中該第一偏壓路徑經組態以提供一基極偏壓電流至該基極節點。該PA可進一步包括一第二偏壓路徑，其經實施以與該基極節點與該供電節點之間的該第一偏壓路徑電並聯。該第二偏壓路徑可經組態以在一所選擇條件下提供一額外基極偏壓電流至該基極節點。

Description

具有並聯射極隨耦器的改良功率放大器偏壓電路 對相關申請案之交叉參考
本申請案主張題為「CIRCUITS AND METHODS RELATED TO POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUITS HAVING PARALLEL EMITTER FOLLOWERS」的2014年5月28日申請之美國臨時申請案第62/004,141號的優先權，該案之揭示內容特此以全文引用之方式明確地併入本文中。
本發明大體上係關於具有並聯射極隨耦器的功率放大器。
在許多射頻(RF)應用中，功率放大器(PA)通常包括放大電晶體，諸如異質接面雙極電晶體(HBT)。在輸入端處，RF信號可被提供至此電晶體之基極，且經放大之RF信號可經由電晶體之集極輸出。電晶體之供電電壓可經提供至集極，且偏壓信號可經提供至基極。此偏壓信號通常由偏壓電路提供。
在一些實施例中，本發明係關於一種用於一功率放大器(PA)的偏壓電路。該偏壓電路包括一第一偏壓路徑，其經實施以耦接一放大電晶體之一基極節點與一供電節點，其中該第一偏壓路徑經組態以提供一基極偏壓電流至該基極節點。該偏壓電路進一步包括一第二偏壓路 徑，其經實施以與該基極節點與該供電節點之間的該第一偏壓路徑電並聯。該第二偏壓路徑經組態以在一所選擇條件下提供一額外基極偏壓電流至該基極節點。
在一些實施例中，該放大電晶體可係該PA之一驅動器級的部分。在一些實施例中，該第二偏壓路徑可包括一射極隨耦器，該射極隨耦器具有一集極、一射極及一基極。該集極可耦接至該供電節點，且該射極可耦接至該基極節點。該射極隨耦器之該基極可耦接至具有一DC電壓的一節點。該射極隨耦器可經組態，使得其平均射極電壓隨著一RF輸入節點處RF功率之增加而增加。該射極隨耦器可經進一步組態以在該條件下傳導以藉此提供該額外基極偏壓電流至該基極節點。該所選擇條件可包括在該輸入節點處一所選擇位準的增加之RF功率。導致經由該射極隨耦器之傳導的該所選擇位準之增加之RF功率可導致與該驅動器級相關聯的增益及相位下降的一反轉。該DC電壓可經選擇，使得該驅動器級之增益及相位下降之該反轉實質上與一最終級壓縮一致。該DC電壓可經選擇，使得用在該輸入節點處的一所選擇低RF功率依剛好低於一接通位準處加偏壓於該射極隨耦器。
在一些實施例中，該第二偏壓路徑可進一步包括該射極隨耦器之該射極與該基極節點之間的一電阻。在一些實施例中，該偏壓電路可進一步包含耦接該射極隨耦器之該射極與該輸入節點的一電容。
在一些實施例中，該第一偏壓路徑可包括一場效電晶體(FET)，該場效電晶體(FET)具有一源極、一汲極及一閘極，其中該源極耦接至該供電節點，且該汲極耦接至該基極節點。該第一偏壓路徑可進一步包括該FET之該汲極與該基極節點之間的一電阻。該第一偏壓路徑可為一電流鏡的部分。該電流鏡可包括耦接至該第一偏壓路徑的一參考側。該參考側可包括具有一集極、一射極及一基極的一雙極接面電晶體(BJT)，其中該集極耦接至一參考電流節點，且該射極耦接至一 接地。該參考電流節點可耦接至該第一偏壓路徑之該FET的該閘極，且該參考側之該BJT的該基極可耦接至該FET之該源極與該第一偏壓路徑之該電阻之間的一節點。在一些實施例中，該電流鏡之該參考側之該BJT、該第二偏壓路徑之該射極隨耦器及該放大電晶體中的每一者可為一異質接面雙極電晶體(HBT)。
根據數項實施，本發明係關於一種用於加偏壓於一功率放大器(PA)的方法。該方法包括經由耦接一放大電晶體之一基極節點與一供電節點的一第一偏壓路徑將一基極偏壓電流提供至該基極節點。該方法進一步包括在一所選擇條件下產生一額外基極偏壓電流。該方法進一步包括經由與該基極節點與該供電節點之間的該第一偏壓路徑電並聯的一第二偏壓路徑將該額外基極偏壓電流遞送至該基極節點。
在一些教示中，本發明係關於一種包括一PA電路的功率放大器(PA)系統，該PA電路具有一放大電晶體。該放大電晶體包括一基極、一集極及一射極，其中該基極耦接至基極節點從而接收一射頻(RF)信號。該PA系統進一步包括一偏壓電路，其經實施以加偏壓於該放大電晶體的基極。該偏壓電路包括經組態以耦接基極節點與供電節點的第一偏壓路徑。該第一偏壓路徑經進一步組態以提供基極偏壓電流至基極節點。偏壓電路進一步包括一第二偏壓路徑，其經組態以與基極節點與供電節點之間的第一偏壓路徑電並聯。第二偏壓路徑經進一步組態以在所選擇條件下將額外基極偏壓電流提供至基極節點。
根據數項實施，本發明係關於一種功率放大器(PA)晶粒，其包括半導體基板及實施於半導體基板上的PA電路。PA電路包括具有基極、集極及射極的放大電晶體。基極耦接至基極節點從而接收射頻(RF)信號。PA電路進一步包括實施於半導體基板上的偏壓電路。偏壓電路經組態以加偏壓於放大電晶體的基極。偏壓電路包括經組態以耦接基極節點與供電節點的第一偏壓路徑。第一偏壓路徑經進一步組態 以將基極偏壓電流提供至基極節點。偏壓電路進一步包括一第二偏壓路徑，其經組態以與基極節點與供電節點之間的第一偏壓路徑電並聯。第二偏壓路徑經進一步組態以在所選擇條件下將額外基極偏壓電流提供至基極節點。
在一些實施中，本發明係關於一種功率放大器模組，該功率放大器模組包括經組態以收納複數個組件的一封裝基板，及形成於一晶粒上的一功率放大器(PA)電路，該晶粒安裝於該封裝基板上。該PA電路包括一放大電晶體，該放大電晶體具有一基極、一集極及一射極，其中該基極耦接至用於接收一射頻(RF)信號的一基極節點。模組進一步包括一偏壓電路，其與該PA電路耦接且經組態以加偏壓於該放大電晶體的該基極。該偏壓電路包括經組態以耦接該基極節點與一供電節點的一第一偏壓路徑。該第一偏壓路徑進一步組態以提供一基極偏壓電流至該基極節點。該偏壓電路進一步包括經組態以與該基極節點與該供電節點之間的該第一偏壓路徑電並聯的一第二偏壓路徑。該第二偏壓路徑進一步組態以在一所選擇條件下提供一額外基極偏壓電流至該基極節點。該模組進一步包括複數個連接器，其經組態以提供該PA電路、該偏壓電路與該封裝基板之間的電連接。
在數項實施中，本發明係關於一種無線器件，其包括經組態以產生射頻(RF)信號的收發器，及與收發器通信且經組態以放大RF信號的功率放大器(PA)模組。PA模組包括具有放大電晶體的PA電路。該放大電晶體包括一基極、一集極及一射極，其中該基極耦接至用於接收一射頻(RF)信號的一基極節點。PA模組進一步包括一偏壓電路，其與該PA電路耦接且經組態以加偏壓於該放大電晶體的該基極。該偏壓電路包括經組態以耦接該基極節點與一供電節點的一第一偏壓路徑。該第一偏壓路徑進一步組態以提供一基極偏壓電流至該基極節點。該偏壓電路進一步包括經組態以與該基極節點與該供電節點之間 的該第一偏壓路徑電並聯的一第二偏壓路徑。該第二偏壓路徑進一步組態以在一所選擇條件下提供一額外基極偏壓電流至該基極節點。無線器件進一步包括與該PA模組通信的天線。天線經組態以促進經放大RF信號的傳輸。
出於概述本發明之目的，本文中已描述了本發明的某些態樣、優點及新穎特徵。應理解，根據本發明之任何特定實施例不一定可達成所有此等優點。因此，本發明可以達成或最佳化如本文中所教示的一個優點或優點群組的方式來具體化或進行而不必達成如本文中可教示或建議的其他優點。
10‧‧‧典型偏壓組態
12‧‧‧偏壓電路
14‧‧‧功率放大器(PA)級
20‧‧‧路徑
22‧‧‧節點
24‧‧‧路徑
26‧‧‧路徑
30‧‧‧路徑
32‧‧‧路徑
34‧‧‧路徑
36‧‧‧源極節點
38‧‧‧路徑
40‧‧‧路徑
42‧‧‧基極節點
44‧‧‧路徑
46‧‧‧路徑
48‧‧‧節點
50‧‧‧路徑
52‧‧‧路徑
54‧‧‧路徑
60‧‧‧偏壓組態
62‧‧‧偏壓電路
64‧‧‧節點
66‧‧‧路徑
68‧‧‧路徑
70‧‧‧節點
72‧‧‧路徑
74‧‧‧路徑
76‧‧‧路徑
78‧‧‧節點
80‧‧‧路徑
82‧‧‧路徑
84‧‧‧路徑
86‧‧‧節點
88‧‧‧路徑
90‧‧‧路徑
92‧‧‧路徑
94‧‧‧路徑
100‧‧‧偏壓電路
102‧‧‧功率放大器(PA)
110‧‧‧偏壓組態
112‧‧‧路徑
114‧‧‧節點
116‧‧‧路徑
118‧‧‧路徑
120‧‧‧路徑
122‧‧‧路徑
124‧‧‧路徑
126‧‧‧節點
128‧‧‧路徑
130‧‧‧路徑
132‧‧‧節點
134‧‧‧路徑
140‧‧‧路徑
142‧‧‧輸入節點
144‧‧‧路徑
146‧‧‧路徑
148‧‧‧基極節點
150‧‧‧路徑
152‧‧‧路徑
154‧‧‧集極節點
156‧‧‧路徑
158‧‧‧路徑
160‧‧‧路徑
170‧‧‧路徑
172‧‧‧節點
174‧‧‧路徑
176‧‧‧路徑
178‧‧‧路徑
200‧‧‧晶粒
202‧‧‧基板
204‧‧‧連接墊
300‧‧‧實例模組/虛線框
302‧‧‧封裝基板
304‧‧‧連接墊
308‧‧‧導線結合
310‧‧‧連接墊
314‧‧‧表面黏著器件(SMD)
322‧‧‧匹配網路
400‧‧‧實例無線器件
402‧‧‧使用者介面
404‧‧‧記憶體
406‧‧‧功率管理組件
408‧‧‧基頻子系統
410‧‧‧收發器
412a至412d‧‧‧雙工器
414‧‧‧頻帶選擇開關
416‧‧‧天線
C1‧‧‧供電節點
Cb1‧‧‧電容
Cef1p‧‧‧電容
D1‧‧‧第一二極體
D2‧‧‧第二二極體
Fb1‧‧‧場效電晶體
Ib1‧‧‧正常偏壓電流
In_match‧‧‧輸入匹配網路
Input‧‧‧輸入埠
Ir1‧‧‧參考電流節點
Output‧‧‧輸出埠
Pout‧‧‧輸出功率
Q1‧‧‧放大電晶體/驅動器級
Q1r‧‧‧雙極接面電晶體
Q1ra‧‧‧第二BJT
Q1rb‧‧‧第一BJT
Qef1‧‧‧第三BJT
Qef1p‧‧‧並聯驅動器級偏壓射極隨耦器
Rb1‧‧‧基極電阻/正常偏壓電阻
Rb1r‧‧‧電阻
Ref1p‧‧‧電阻
RF_IN‧‧‧射頻(RF)信號
RF_OUT‧‧‧經放大之RF信號
Vbatt‧‧‧電池電壓節點
Vbp‧‧‧DC電壓節點/DC電壓
圖1描繪具有耦接至偏壓電路之PA的功率放大器(PA)系統。
圖2展示包括耦接至PA級之偏壓電路的典型偏壓組態之實例。
圖3展示偏壓組態的實例，其中偏壓電路視與射頻(RF)信號相關聯之功率可提供變化之偏壓信號至放大電晶體。
圖4展示偏壓電路可提供變化之偏壓信號至放大電晶體以便產生諸如改良之線性度之所要效應的偏壓組態之實例。
圖5描繪可包括具有如本文中所描述之一或多個特徵的偏壓電路之晶粒。
圖6描繪具有如本文中所描述之一或多個特徵的模組。
圖7描繪具有本文中所描述之一或多個特徵的無線器件。
本文中所提供之標題(若存在)僅為了方便，且不必影響所主張之本發明的範疇或含義。
本文中所描述為功率放大器(PA)可經偏壓以產生所要特徵(諸如改良之線性度)之方式的非限制性實例。圖1示意性地描繪具有耦接至偏壓電路100之PA 102的PA系統。本文中更詳細地描述與偏壓電路100 相關之實例。PA 102被展示為接收射頻(RF)信號(RF_IN)，且產生經放大之RF信號(RF_OUT)。
圖2展示典型偏壓組態10之實例，該偏壓組態10包括耦接至PA級14之偏壓電路12。出於描述之目的，此PA級可為(例如)驅動器級。PA級14可包括諸如異質接面雙極電晶體(HBT)的放大電晶體Q1。應理解，本發明之一或多個特徵亦可經實施用於其他類型之放大電晶體。亦應理解，本發明之一或多個特徵亦可針對不同於驅動器級之PA級來實施。
電晶體Q1之基極被展示為經由輸入埠(Input)、路徑40、輸入匹配網路(In_match)、節點42及路徑44接收輸入RF信號。經放大之RF信號被展示為經由電晶體Q1之集極、路徑46、節點48及路徑52提供至輸出埠(Output)。電晶體Q1之供電電壓可自供電節點(C1)經由路徑50、節點48及路徑46提供至Q1的集極。電晶體Q1之射極被展示為經由路徑54耦接至接地。
放大電晶體Q1之偏壓信號被展示為由偏壓電路12提供至基極節點42。此偏壓信號可為由參考側與電池電源側之間的電流鏡配置產生的偏壓電流。參考側被展示為包括經由路徑20、節點22、路徑24、雙極接面電晶體(Q1r)(BJT，諸如HBT)及路徑26的在參考電流節點(Ir1)與接地之間的路徑。電池電源側被展示為包括經由路徑32、場效電晶體(Fb1)、路徑34、節點36、路徑38及基極電阻Rb1的在電池電壓節點(Vbatt)與節點42之間的路徑。FET Fb1之閘極被展示為經由路徑28耦接至Q1r的集極節點22。HBT Q1r之基極被展示為經由包括電阻Rb1r之路徑30耦接至Fb1的源極節點36。
在圖2之實例中，Fb1之源極處的平均或DC電壓隨著RF輸入功率發生很小變化。因此，當RF信號之功率改變時，偏壓電路12通常不能使供應至放大電晶體Q1的偏壓電流發生變化。
圖3展示偏壓組態60之實例，其中偏壓電路62可取決於與RF信號相關聯之功率而提供變化之偏壓信號至放大電晶體Q1。此RF信號被展示為經由輸入埠(Input)、路徑40、輸入匹配網路(In_match)、節點42及路徑44而由Q1的基極接收到。放大之RF信號被展示為經由電晶體Q1之集極、路徑46、節點48及路徑52提供至輸出埠(Output)。電晶體Q1之供電電壓可自供電節點(C1)經由路徑50提供至Q1的集極節點48。電晶體Q1之射極被展示為經由路徑54耦接至接地。
放大電晶體Q1之偏壓信號被展示為由偏壓電路62提供至基極節點42。此偏壓信號可為由參考側與電池電源側之間的電流鏡配置產生之偏壓電流。參考側經展示為包括經由節點64、路徑66、第一BJT(Q1rb)(例如，HBT)、路徑68、節點70、路徑72、第二BJT(Q1ra)(例如，HBT)及路徑74的在參考電流節點(Ir1)與接地之間的路徑。電池電源側被展示為包括經由路徑92、第三BJT(Qef1)(例如，HBT)、路徑94及基極電阻Rb1的在電池電壓節點(Vbatt)與基極節點42之間的路徑。
在圖3之實例中，第一HBT Q1rb之集極及基極被展示為經由路徑76耦接，使得Q1rb充當第一二極體D1。類似地，第二HBT Q1ra之集極及基極被展示為經由路徑82耦接，使得Q1ra充當第二二極體D2。
在圖3之實例中，Q1rb之基極及Qef1的基極被展示為由包括路徑80、節點78、路徑84、節點86及路徑88的路徑耦接。Q1rb及Qef1之基極之間的節點86被展示為經由路徑90及電容Cb1耦接至接地。
參看圖3描述之前述實例為典型射極隨耦器偏壓線性化電路。在此線性化電路中，Qef1之射極處的平均或DC電壓可隨著RF輸入功率之變化而發生變化，藉此導致某種線性度增強。然而，請注意，諸如圖3之實例的典型射極隨耦器線性化電路通常在與RF信號相關聯之最大平均功率處或該最大平均功率附近提供有益結果。此等典型射極隨 耦器設計亦可對於寄生RF耦合效應敏感。
圖4展示偏壓組態110的實例，其中偏壓電路100可提供變化之偏壓信號至放大電晶體Q1以便產生諸如改良之線性度的所要效應。在圖4之實例中，RF信號被展示為由放大電晶體102(Q1)(例如，諸如HBT的BJT)之基極經由輸入埠(Input)、路徑140、節點142、路徑146、輸入匹配網路(In_match)、節點148及路徑150接收到。放大之RF信號被展示為經由電晶體Q1之集極、路徑152、節點154及路徑158提供至輸出埠(Output)。電晶體Q1之供電電壓可自供電節點(C1)經由路徑156提供至Q1的集極節點154。電晶體Q1之射極被展示為經由路徑160耦接至接地。
在圖4之實例中，偏壓電路100可包括類似於圖2之偏壓電路12的電流鏡配置。更特定而言，具有參考側及電池電源側的電流鏡可耦接至放大電晶體Q1的基極節點148。參考側被展示為包括經由路徑112、節點114、路徑116、BJT(Q1r)(例如，HBT)及路徑118的在參考電流節點(Ir1)與接地之間的路徑。電池電源側被展示為包括經由路徑124、節點126、路徑128、場效電晶體(Fb1)、路徑130、節點132、路徑134及基極電阻Rb1的在電池電壓節點(Vbatt)與基極節點148之間的路徑。FET Fb1之閘極被展示為經由路徑120耦接至節點114(且因此Q1r的集極)。HBT Q1r之基極被展示為經由包括電阻Rb1r的路徑122耦接至節點132(且因此Fb1的源極)。
在圖4之實例中，偏壓電路100可進一步包括耦接電池電壓節點(Vbatt)與放大電晶體Q1之基極節點148的射極隨耦器。此耦接路徑可包括BJT Qef1p(例如，HBT)，其中其集極經由路徑124、節點126及路徑178耦接至電池電壓節點(Vbatt)。BJT Qef1p之基極被展示為經由路徑176耦接至DC電壓節點(Vbp)。BJT Qef1p之射極被展示為經由路徑174、節點172、路徑170及電阻Ref1p耦接至放大電晶體Q1的基極 節點148。BJT Qef1p之射極亦被展示為經由包括電容Cef1p之路徑144耦接至輸入節點142。
參看圖4描述之實例偏壓電路100已以模擬且以量測方式展示以減低ACLR(相鄰通道洩漏比率)且增加輸出功率(Pout)的線性範圍，藉此增加最大線性附加功率效率(power added efficiency，PAE)。如參看圖4所描述，偏壓電路100包括並聯驅動器級偏壓射極隨耦器(Qef1p)。儘管在驅動器級之內容脈絡中進行描述，但應理解，本發明之一或多個特徵亦可結合其他PA級來實施。
在涉及具有複數個級之HBT RF功率放大器的實例應用中，請注意，相對低阻抗/低基極偏壓(例如，類別AB)可用於最終級中，而相對高基極偏壓電阻可用於驅動器級中。低的最終級基極偏壓可減小總PA電流，但可導致相對RF功率的最終級增益擴大。較高驅動器級基極偏壓及電阻可引起驅動器中的增益下降(gain droop)，從而補償最終級擴大。藉由對驅動器級及最終級基極偏壓及阻抗的適當選擇，可達成總體平坦相位及增益(例如，直至最終級的壓縮)。相對RF功率的平坦增益及相位(例如，在調變頻寬上)可促成低的ACLR。然而，最終級增益壓縮通常可為較柔和的。舉例而言，0.5dB增益壓縮的0.25dB增加可使線性Pout增加約0.25dB，且使最大線性PAE增加約1%。低ACLR及高PAE兩者皆愈來愈受重視。
如參看圖4所描述，輸入節點(142)處之RF信號以電容方式耦接至Qef1p的射極(經由Cef1p、路徑144、節點172及路徑174)。Qef1p之射極亦藉由電阻器(Ref1p)DC連接至驅動器級Q1的基極節點148(經由路徑174、節點172、路徑170及Ref1p)以便大體上與Ir1與接地之間的參考路徑並聯。在一些實施例中，可選擇施加至Qef1p之基極的DC電壓(Vbp)，使得藉由低RF功率(例如，輸入節點142處的RF信號)將Qef1p剛好偏壓到低於接通位準處。
在圖4之實例中，且在驅動器級之實例內容脈絡中，正RF峰值可由驅動器級之基極/射極接面箝位，從而導致平均驅動器級基極電壓隨著RF功率增加而減低。如本文中所描述，驅動器級增益及相位下降可補償最終級擴大。
負RF峰值可藉由Qef1p之射極箝位。在一些實施例中，平均Qef1p射極電壓可隨著RF功率增加而升高。在某RF輸入功率下，Qef1p可開始傳導，藉此增加穿過Ref1p的驅動器級基極偏壓電流。因此，該級之RF增益及相位下降可反轉並開始擴大。可調整Vbp，使得驅動器級增益反轉與最終級壓縮實質上一致。舉例而言，前述總PA0.5dB增益壓縮可被推出。PA之總相位壓縮亦可被推出。
儘管在驅動器級之內容脈絡中描述與圖4相關之前述實例，但應理解，如本文中所描述之一或多個特徵亦可實施於功率放大器的一或多個其他級中。
如本文中參看圖4所描述，包括Qef1p及Ref1p之路徑可經組態以大體上與習知偏壓電路並聯。舉例而言，此習知偏壓電路可為典型射極隨耦器偏壓電路或典型BiFET隨耦器電路。典型BiFET隨耦器電路可經組態以允許低Vbatt相容性。在圖4之實例中，偏壓電路100可經組態以獲得效能上之一或多個所要改良。舉例而言，正常偏壓電流(Ib1)、正常偏壓電阻(Rb1)、Ref1p、Vbp及RF耦合(例如，Cef1p)中的一些或全部可被獨立設定以最佳化或改良相對RF功率的增益及相位效能。在一些實施例中，Ib1及Vbp可獨立地受到控制(例如，經由MIPI)，且前述效能改良可延伸至較低的平均功率。在一些實施例中，亦可將單獨之溫度補償應用至Vbp。
圖5示意性地描繪晶粒200，該晶粒200可包括具有如本文中所描述之一或多個特徵的偏壓電路100。半導體晶粒200可包括基板202。在一些實施例中，功率放大器(PA)電路102(例如，HBT)亦可實施於 基板202上。舉例而言且在HBT PA之內容脈絡中，至少偏壓電路100之HBT(例如，圖4之Q1r及Qef1p)可形成於同一基板202上。複數個連接墊204亦可形成於基板202上，以向PA電路102及偏壓電路100提供(例如)電力及信號。
在一些實施中，本文中所描述之一或多個特徵可包括於模組中。圖6示意性地描繪具有封裝基板302的實例模組300，該封裝基板302經組態以收納複數個組件。在一些實施例中，此等組件可包括具有如本文中所描述之一或多個特徵的晶粒200。舉例而言，晶粒200可包括PA電路102及偏壓電路100。複數個連接墊304可促進至基板302上之連接墊310的諸如導線結合308的電連接，以促進送往及來自晶粒200之各種電力及信號傳遞。
在一些實施例中，其他組件可安裝於封裝基板302上或形成於封裝基板302上。舉例而言，可實施一或多個表面黏著器件(SMD)(314)及一或多個匹配網路(322)。在一些實施例中，封裝基板302可包括層壓基板。
在一些實施例中，模組300亦可包括一或多個封裝結構，以(例如)提供保護並促進模組300的更容易處置。此封裝結構可包括包覆模製件，其形成於封裝基板302上且經設定尺寸以實質上囊封在封裝基板302上的各種電路及組件。
應理解，儘管在基於導線結合之電連接件的內容脈絡中描述模組300，但本發明之一或多個特徵亦可以其他封裝組態來實施，包括覆晶組態。
在一些實施中，具有本文中所描述之一或多個特徵的器件及/或電路可包括於諸如無線器件的RF器件中。此器件及/或電路可直接實施於無線器件中，以如本文中所描述之模組形式實施，或以其某組合實施。在一些實施例中，此無線器件可包括(例如)蜂巢式電話、智慧 型電話、具有或無電話功能性的手持型無線器件、無線平板電腦、無線路由器、無線存取點、無線基地台等。
圖7示意性地描繪具有本文中所描述之一或多個有利特徵的實例無線器件400。如本文中所描述之一或多個PA 102經展示為由具有如本文中所描述之一或多個特徵的一或多個偏壓電路100予以加偏壓。在PA 102及其偏壓電路100被封裝至一模組中的實施例中，此模組可由虛線框300來表示。在一些實施例中，模組300可包括輸入及輸出匹配電路中的至少一些。
PA 102可自收發器410接收其各別RF信號，該收發器410可經組態並以已知方式操作以產生待放大並傳輸之RF信號且處理所接收信號。收發器410經展示為與基頻子系統408互動，該基頻子系統408經組態以提供適合於使用者之資料及/或語音信號與適用於收發器410之RF信號之間的轉換。收發器410亦被展示為連接至功率管理組件406，其經組態以管理無線器件400的操作的功率。此功率管理亦可控制基頻子系統408及模組300的操作。
基頻子系統408被展示為連接至使用者介面402以促進提供至使用者並自使用者接收之語音及/或資料的各種輸入及輸出。基頻子系統408亦可連接至記憶體404，該記憶體404經組態以儲存資料及/或指令以促進無線器件之操作及/或提供用於使用者之資訊的儲存。
在實例無線器件400中，PA 102之輸出被展示為匹配至天線416且經由其各別雙工器412a至412d及頻帶選擇開關414投送至天線416。頻帶選擇開關414可經組態以允許選擇(例如)操作頻帶或操作模式。在一些實施例中，每一雙工器412可允許使用共同天線(例如，416)同時執行傳輸及接收操作。在圖7中，所接收信號被展示為投送至「Rx」路徑(圖中未示)，該路徑可包括(例如)低雜訊放大器(LNA)。
除非上下文清楚地另有要求，否則貫穿【實施方式】及【申請 專利範圍】，詞語「包含」及其類似者應以包括性含義而非排他性或窮盡性含義解釋；即，以「包括但不限於」之含義解釋。如本文中通常使用，詞語「耦接」指可直接連接或借助於一或多個中間元件連接的兩個或兩個以上元件。另外，詞語「本文中」、「上文」、「下文」及類似意思的詞語在用於本申請案中時應皆指本申請案整體且並非指本申請案的任何特定部分。在上下文准許之處，以上【實施方式】中使用單數或複數的詞語亦可分別包括複數或單數。關於兩個或兩個以上項目之清單的詞語「或」，該詞語涵蓋詞語之以下所有解釋：清單中之項目中的任一者、清單中之所有項目，及清單中項目的任何組合。
本發明之實施例的以上詳細描述不意欲為詳盡的或不意欲將本發明限於上文所揭示之精準形式。雖然上文出於說明性目的描述了本發明之特定實施例及實例，但在本發明之範疇內有可能有各種等效修改，如熟習相關技術者將認識到。舉例而言，雖然以給定次序呈現程序或區塊，但替代性實施例可執行具有呈不同次序之步驟的常式或使用具有不同次序之區塊的系統，且一些程序或區塊可被刪除、移動、添加、再分、組合及/或修改。此等程序或區塊中之每一者皆可以多種不同方式來實施。又，雖然有時將程序或區塊展示為連續執行的，但可替代地並行執行此等程序或區塊，或可在不同時間執行此等程序或區塊。
本文中所提供的本發明之教示可應用至其他系統，不必為上文所描述的系統。上文所描述之各種實施例的元件及動作可經組合以提供其他實施例。
雖然已描述了本發明之一些實施例，但此等實施例已僅以實例方式予以呈現，且不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中所描述之新穎方法及系統可以多種其他形式來體現；此外，在不悖離本發明之精神的情況下，可對本文中所描述之方法及系統的形式進行各種省 略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋將屬於本發明之範疇及精神內的此等形式或修改。

Claims (18)

  1. 一種用於一功率放大器的偏壓電路，其包含：一第一偏壓路徑，其經實施以耦接一放大電晶體之一基極節點與一供電節點以提供一基極偏壓電流至該基極節點，該第一偏壓路徑包含一場效電晶體，該場效電晶體具有耦接至該供電節點之一源極及耦接至該基極節點之一汲極；及一第二偏壓路徑，其經實施以與該基極節點與該供電節點之間的該第一偏壓路徑電並聯且經組態以在一所選擇條件下提供一額外基極偏壓電流至該基極節點，該第二偏壓路徑包括一射極隨耦器，該射極隨耦器具有耦接至該供電節點之一集極及耦接至該基極節點之一射極。
  2. 如請求項1之偏壓電路，其中該放大電晶體係該功率放大器之一驅動器級的部分。
  3. 如請求項1之偏壓電路，其中該射極隨耦器進一步包括耦接至具有一直流電電壓的一節點之一基極。
  4. 如請求項3之偏壓電路，其中該射極隨耦器經組態，使得其平均射極電壓隨著一射頻輸入節點處的射頻功率之一增加而增加。
  5. 如請求項4之偏壓電路，其中該射極隨耦器經進一步組態以在該所選擇條件下傳導以藉此提供該額外基極偏壓電流至該基極節點。
  6. 如請求項5之偏壓電路，其中該所選擇條件包括在該射頻輸入節點處一所選擇位準的增加之射頻功率。
  7. 如請求項6之偏壓電路，其中導致經由該射極隨耦器之傳導的該所選擇位準之增加之射頻功率提供該額外基極偏壓電流至該基極節點而藉此導致與該驅動器級相關聯的增益及相位下降的一反轉。
  8. 如請求項7之偏壓電路，其中該直流電電壓經選擇，使得該驅動器級之增益及相位下降之該反轉實質上與一最終級壓縮一致。
  9. 如請求項8之偏壓電路，其中該直流電電壓經選擇，使得用在該射頻輸入節點處的一所選擇低射頻功率依剛好低於一接通位準加偏壓於該射極隨耦器。
  10. 如請求項6之偏壓電路，其中該第二偏壓路徑進一步包括該射極隨耦器之該射極與該放大電晶體之該基極節點之間的一電阻。
  11. 如請求項10之偏壓電路，其進一步包含耦接該射極隨耦器之該射極與該射頻輸入節點的一電容。
  12. 如請求項1之偏壓電路，其中該第一偏壓路徑進一步包括該場效電晶體之該汲極與該基極節點之間的一電阻。
  13. 如請求項12之偏壓電路，其中該第一偏壓路徑為一電流鏡的部分。
  14. 如請求項13之偏壓電路，其中該電流鏡包括耦接至該第一偏壓路徑的一參考側，該參考側包括具有一集極、一射極及一基極的一雙極接面電晶體，該集極耦接至一參考電流節點，該射極耦接至一接地。
  15. 如請求項14之偏壓電路，其中該參考電流節點耦接至該第一偏壓路徑之該場效電晶體的該閘極，且該參考側之該雙極接面電晶體的該基極耦接至該場效電晶體之該源極與該第一偏壓路徑之該電阻之間的一節點。
  16. 如請求項15之偏壓電路，其中該電流鏡之該參考側之該雙極接面電晶體、該第二偏壓路徑之該射極隨耦器及該放大電晶體中的每一者為一異質接面雙極電晶體。
  17. 一種用於加偏壓於一功率放大器的方法，該方法包含：經由耦接一放大電晶體之一基極節點與一供電節點的一第一偏壓路徑將一基極偏壓電流提供至該基極節點，該第一偏壓路徑包含一場效電晶體，該場效電晶體具有耦接至該供電節點之一源極及耦接至該基極節點之一汲極；在一所選擇條件下產生一額外基極偏壓電流；及經由與該基極節點與該供電節點之間的該第一偏壓路徑電並聯的一第二偏壓路徑，將該額外基極偏壓電流遞送至該基極節點，該第二偏壓路徑包括一射極隨耦器，該射極隨耦器具有耦接至該供電節點之一集極及耦接至該基極節點之一射極。
  18. 一種功率放大器模組，其包含：一封裝基板，其經組態以收納複數個組件；一功率放大器電路，其形成於一晶粒上，該晶粒安裝於該封裝基板上，該功率放大器電路包括一放大電晶體，該放大電晶體具有一基極、一集極及一射極，該基極耦接至用於接收一射頻信號的一基極節點；一偏壓電路，其與該功率放大器電路耦接且經組態以加偏壓於該放大電晶體的該基極，該偏壓電路包括經組態以耦接該基極節點與一供電節點的一第一偏壓路徑以提供一基極偏壓電流至該基極節點，該第一偏壓路徑包含一場效電晶體，該場效電晶體具有耦接至該供電節點之一源極及耦接至該基極節點之一汲極，該偏壓電路進一步包括經組態以與該基極節點與該供電節點之間的該第一偏壓路徑電並聯的一第二偏壓路徑且組態以在一所選擇條件下提供一額外基極偏壓電流至該基極節點，該第二偏壓路徑包括一射極隨耦器，該射極隨耦器具有耦接至該供電節點之一集極及耦接至該基極節點之一射極；及複數個連接器，其經組態以提供該功率放大器電路、該偏壓電路與該封裝基板之間的電連接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9621119B2 (en) * 2015-02-13 2017-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier bias signal multiplexing
US10248612B2 (en) 2015-09-30 2019-04-02 Skyworks Solutions, Inc. Internal serial interface
JP2018033028A (ja) * 2016-08-25 2018-03-01 株式会社村田製作所 電力増幅回路
US10158327B2 (en) * 2016-10-28 2018-12-18 Qualcomm Incorporated Low impedance adaptive bias scheme for power amplifier
JP2018098766A (ja) 2016-12-09 2018-06-21 株式会社村田製作所 バイアス回路
US10148226B2 (en) 2016-12-09 2018-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Bias circuit
JP2018142833A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 株式会社村田製作所 電力増幅回路
US10332820B2 (en) 2017-03-20 2019-06-25 Akash Systems, Inc. Satellite communication transmitter with improved thermal management
JP2019057837A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 株式会社村田製作所 電力増幅回路
TWI699964B (zh) * 2018-06-15 2020-07-21 立積電子股份有限公司 偏壓電路
US10680564B2 (en) * 2018-07-23 2020-06-09 Analog Devices Global Unlimited Company Bias circuit for high efficiency complimentary metal oxide semiconductor (CMOS) power amplifiers
US11043919B2 (en) 2018-07-26 2021-06-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Power amplifier
US11165392B2 (en) 2018-08-01 2021-11-02 Skyworks Solutions, Inc. Variable power amplifier bias impedance
JP2020053927A (ja) 2018-09-28 2020-04-02 株式会社村田製作所 電力増幅器
US11461259B2 (en) 2019-10-22 2022-10-04 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods for load detection on serial communication data lines
JP2021069089A (ja) 2019-10-28 2021-04-30 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール及び電力増幅方法
US11264953B2 (en) 2020-01-31 2022-03-01 Analog Devices International Unlimited Company Bias arrangements for improving linearity of amplifiers
US11303309B1 (en) 2020-10-07 2022-04-12 Analog Devices International Unlimited Company Bias arrangements with linearization transistors sensing RF signals and providing bias signals at different terminals
WO2023238483A1 (ja) * 2022-06-08 2023-12-14 株式会社村田製作所 増幅回路及び増幅方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6977551B2 (en) * 2002-07-19 2005-12-20 Micro Mobio Dual band power amplifier module for wireless communication devices
US7009453B2 (en) * 2003-03-12 2006-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Bias current supply circuit and amplification circuit
TW201223133A (en) * 2010-05-26 2012-06-01 Triquint Semiconductor Inc Protection circuit for radio frequency power amplifier
US20130134788A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
CN103729004A (zh) * 2014-01-07 2014-04-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种偏置电流产生电路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5316285B2 (ja) * 2009-07-27 2013-10-16 三菱電機株式会社 電力増幅器用バイアス回路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6977551B2 (en) * 2002-07-19 2005-12-20 Micro Mobio Dual band power amplifier module for wireless communication devices
US7009453B2 (en) * 2003-03-12 2006-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Bias current supply circuit and amplification circuit
TW201223133A (en) * 2010-05-26 2012-06-01 Triquint Semiconductor Inc Protection circuit for radio frequency power amplifier
US20130134788A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Elpida Memory, Inc. Semiconductor device
CN103729004A (zh) * 2014-01-07 2014-04-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种偏置电流产生电路

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