TWI651601B - 微影裝置及製造器件的方法 - Google Patents

微影裝置及製造器件的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI651601B
TWI651601B TW106139813A TW106139813A TWI651601B TW I651601 B TWI651601 B TW I651601B TW 106139813 A TW106139813 A TW 106139813A TW 106139813 A TW106139813 A TW 106139813A TW I651601 B TWI651601 B TW I651601B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
series
edge
openings
fluid flow
Prior art date
Application number
TW106139813A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201833675A (zh
Inventor
約翰 瑪利亞 邦貝克
科恩 賽伯斯
法蘭克 戴布紐
艾瑞克 亨瑞庫司 艾居迪司 卡薩瑞納 優莫林
吉凡尼 路卡 加多比吉歐
韓 亨利克斯 亞德恭達 廉碧司
喬漢斯 康納歷斯 波勒斯 麥爾曼
喜爾多爾斯 威爾赫瑪斯 波列特
莎拉斯 喬治 艾爾博多 維拉
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201833675A publication Critical patent/TW201833675A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI651601B publication Critical patent/TWI651601B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

一種浸潤微影裝置，其包含：一支撐台，其經組態以支撐具有至少一個目標部分之一物件；一投影系統，其經組態以將一經圖案化光束投影至該物件上；一定位器，其經組態以相對於該投影系統移動該支撐台；一液體限制結構，其經組態以使用通過形成於該液體限制結構中之一系列開口進入及/或離開該液體限制結構的一流體流將一液體限制至該投影系統與該物件及/或該支撐台之一表面之間的一浸潤空間；及一控制器，其經組態以控制該定位器移動該支撐台以遵循包含一系列運動之一路線且經組態以控制該液體限制結構，其中每一運動涉及該支撐台相對於該液體限制結構移動，使得自並不在該液體限制結構下方移動至在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一前邊緣下方通過，且自該液體限制結構下方移動至不在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一後邊緣下方通過，該控制器經調適以：預測在該浸潤空間之一邊緣越過該物件之一邊緣的該系列運動中之至少一個運動期間該液體將是否自該浸潤空間損耗，且若預測存在來自該浸潤空間之液體損耗，則修改該流體流量，使得在預測之液體損耗之該運動或預測之液體損耗之該運動之後的該系列運動之一運動期間在該液體限制結構之該前邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第一流體流動速率不同於在該液體限制結構之該後邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第二流體流動速率。

Description

微影裝置及製造器件的方法
本發明係關於一種微影裝置及一種使用微影裝置來製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由同時將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。
在浸潤微影裝置中，藉由液體限制結構將液體限制至浸潤空間。浸潤空間係在使圖案成像通過之投影系統之最終光學元件與圖案經轉印至之 基板或基板被固持之基板台之間。液體可由流體密封件限制至浸潤空間。液體限制結構可產生或使用氣流，例如以幫助控制液體在浸潤空間中之流動及/或位置。氣流可幫助形成密封以將液體限制至浸潤空間。
施加至基板之圖案中之缺陷係非所要的，此係因為其縮減良率，亦即，每基板可用器件之數目。因為需要許多圖案化步驟來製造器件，所以每曝光甚至極低缺陷速率亦可顯著縮減良率。存在為浸潤微影裝置所特有的兩種類型之缺陷。
來自浸潤空間之液體小滴或液體膜(在下文中對小滴之參考亦涵蓋膜；膜為覆蓋較大表面積之小滴)可在目標部分之曝光之後留在基板上。若小滴與抗蝕劑接觸歷時相當大時段，則其可藉由瀝濾使抗蝕劑降級。若小滴蒸發，則其可留下碎屑及/或可誘發局域化冷卻。由小滴留在基板上引起的缺陷(無論是藉由抗蝕劑降級抑或蒸發)在本文中被稱作尾隨缺陷。
若氣泡形成於浸潤液體中，則發生為浸潤微影裝置所特有的第二形式之缺陷。若氣泡移動至用以將圖案化器件之影像投影至基板上之投影光束之路徑中，則經投影影像將失真。氣泡之一種來源係在浸潤空間與基板之間的相對運動期間基板上之所逸出液體與浸潤空間中之液體碰撞時。由氣泡造成之缺陷在本文中被稱作曝光缺陷。
尾隨缺陷及曝光缺陷可引起除基板之外的物件(諸如感測器)之問題。
舉例而言，需要提供一種用以縮減為浸潤微影裝置所特有的缺陷之發生率之系統。
根據一態樣，提供一種浸潤微影裝置，其包含：一支撐台，其經組態以支撐具有至少一個目標部分之一物件；一投影系統，其經組態以將一 經圖案化光束投影至該物件上；一定位器，其經組態以相對於該投影系統移動該支撐台；一液體限制結構，其經組態以使用通過形成於該液體限制結構中之一系列開口進入及/或離開該液體限制結構的一流體流將一液體限制至該投影系統與該物件及/或該支撐台之一表面之間的一浸潤空間；及一控制器，其經組態以控制該定位器移動該支撐台以遵循包含一系列運動之一路線且經組態以控制該液體限制結構，其中每一運動涉及該支撐台相對於該液體限制結構移動，使得自並不在該液體限制結構下方移動至在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一前邊緣下方通過，且自該液體限制結構下方移動至不在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一後邊緣下方通過，該控制器經調適以：預測在該浸潤空間之一邊緣越過該物件之一邊緣的該系列運動中之至少一個運動期間該液體將是否自該浸潤空間損耗，且若預測存在來自該浸潤空間之液體損耗，則修改該流體流量，使得在預測之液體損耗之該運動或預測之液體損耗之該運動之後的該系列運動之一運動期間在該液體限制結構之該前邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第一流體流動速率不同於在該液體限制結構之該後邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第二流體流動速率。
根據一態樣，提供一種使用一浸潤微影裝置以將一經圖案化光束投影至具有複數個目標部分之一基板上之器件製造方法，該方法包含：使用通過液體限制結構中之一系列開口進入及/或離開該液體限制結構的一流體流將一液體限制至一投影系統與一支撐台上之一物件及/或該支撐台之一對向表面之間的一浸潤空間；及使該支撐台沿著包含一系列運動之一路線移動，其中每一運動涉及該支撐台相對於該液體限制結構移動，使得自 並不在該液體限制結構下方移動至在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一前邊緣下方通過，且自該液體限制結構下方移動至不在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一後邊緣下方通過；預測在該浸潤空間之一邊緣越過該物件之一邊緣的該系列運動中之至少一個運動期間液體將是否自該浸潤空間損耗，且若預測存在來自該浸潤空間之液體損耗，則修改該流體流量，使得在預測之液體損耗之該運動或預測之液體損耗之該運動之後的該系列運動之一運動期間在該液體限制結構之該前邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第一流體流動速率不同於在該液體限制結構之該後邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第二流體流動速率。
根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之流體處置結構，該流體處置結構具有一系列開口，該流體處置結構用於將流體及/或液體提供通過該系列開口，該流體處置結構經組態使得該等開口在使用中指向一基板及/或指向經組態以支撐該基板之基板台，其中該系列開口之一第一子集與一第一腔室流體連通且該系列開口之一第二子集與一第二腔室流體連通，該第一腔室及該第二腔室被界定於界定有該系列開口之一第一部件與一第二部件之間，該第一部件及該第二部件中之一者之一第一部分自該系列開口之一第一側延伸於該系列開口之兩個鄰近開口之間，且延伸至該系列開口與該第一側相對的一第二側上的該第一部件及該第二部件中之另一者中之一凹座中，該兩個鄰近開口中之一者係在該第一子集中，且該兩個鄰近開口中之另一者係在該第二子集中，且該第一部分將該第一腔室與該第二腔室分離。
10‧‧‧浸潤空間
12‧‧‧液體限制結構
13a‧‧‧開口
13b‧‧‧開口
14‧‧‧氣體出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧氣體密封件
50‧‧‧萃取開口
53‧‧‧主體部件
60‧‧‧射出口
72‧‧‧供應通口
73‧‧‧回收通口
74‧‧‧通路
75‧‧‧液體供應裝置
79‧‧‧通路
80‧‧‧液體回收裝置
81‧‧‧回收腔室
83‧‧‧多孔部件
84‧‧‧孔
100‧‧‧最終光學元件
110‧‧‧掃描方向
120‧‧‧控制單元
130‧‧‧定位器
300‧‧‧開口/氣體出口
320‧‧‧彎液面
400‧‧‧第一腔室
401‧‧‧第二腔室
410‧‧‧第一流量控制閥/流體流量控制閥
411‧‧‧第二流量控制閥
600‧‧‧第二部件
650‧‧‧部分
655‧‧‧前表面
700‧‧‧第一部件
710‧‧‧凹座
750‧‧‧空腔
755‧‧‧表面
800‧‧‧第三部件
1000‧‧‧步驟
2000‧‧‧步驟
2002‧‧‧運動
2004‧‧‧法線方向
2006‧‧‧法線方向
2010‧‧‧向量
2500‧‧‧迴圈
3000‧‧‧比較步驟
4000‧‧‧步驟
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧投影光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧支撐台
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部分，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影裝置；圖2示意性地描繪用於微影裝置中之液體限制結構；圖3為示意性地描繪根據一實施例之另一液體供應系統的側橫截面圖；圖4在平面圖中示意性地描繪另一液體限制結構之底部表面；圖5為控制器所遵循之程式的流程圖；圖6為浸潤空間之邊緣及基板之邊緣在平面圖的示意性說明；圖7說明在一實施例中由控制器執行之向量分析；圖8為液體限制結構之第一腔室與第二腔室之間的分離之細節的橫截面圖；圖9為在建構階段中在液體限制結構之第一腔室與第二腔室之間的分離之細節的橫截面圖；圖10為液體限制結構之第一腔室與第二腔室之間的分離之細節的橫截面圖；圖11為通過圖8中之線I-I的橫截面；圖12為通過圖10中之線II-II的橫截面；及圖13為液體限制結構之第一腔室與第二腔室之間的分離之細節的橫截面圖。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節投影光束B(例如UV輻射或任何 其他合適輻射)、支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器件PM。該裝置亦包括：支撐台(例如晶圓台)WT或「基板支撐件」或「基板台」，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W且在定位器130之控制下連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器件PW。該裝置進一步包括：投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至投影光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包括一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射組件、反射組件、磁性組件、電磁組件、靜電組件或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT支撐圖案化器件MA，亦即，承載圖案化器件MA之重量。支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構MT可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至投影光束B之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板W之目 標部分C中之所要圖案。通常，被賦予至投影光束B之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個載物台或台之類型。該等台中之至少一者具有可固持基板之基板支撐件。該等台中之至少一者可為未經組態以固持基板之量測台。在一實施例中，該等台中之兩者或多於兩者各自具有一基板支撐件。微影裝置可具有兩個或多於兩個圖案化器件台或「光罩支撐件」。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可對一或多個台或支撐件進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置屬於如下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水，諸如超純水(UPW))覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的浸潤空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如圖案化器件MA與投影系統PS之間的空間。浸潤技術可用以增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板W之結構必須浸沒於液體中；而是「浸潤」僅意謂液體在曝光期間位於投影系統PS與基板W之間。經圖案化輻射光束自投影系統PS至基板W之路徑完全通過液體。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為單獨實體。在此類狀況下，不認為源形成微影裝置之部分。在源與微影裝置分離之配置中，輻射光束係憑藉包括例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於源SO，可認為或可不認為照明器IL形成微影裝置之部分。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部分，或可為與微影裝置分離之實體。在後一狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL可拆卸且可被分開 地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
投影光束B入射於被固持於支撐結構MT(例如光罩台)上之圖案化器件MA(例如光罩)上，且係由該圖案化器件MA而圖案化。已由圖案化器件MA圖案化之投影光束B可被稱作經圖案化光束。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，投影光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器件PW及位置感測器IF(例如干涉器件、編碼器或電容式感測器)，可準確地移動支撐台WT，例如以便使不同目標部分C定位於投影光束B之路徑中。相似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於投影光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。
一般而言，可憑藉形成第一定位器件PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器件PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現支撐台WT或「基板支撐件」之移動。
可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件上的情形中，圖案化器件對準標記M1、M2可位於該等晶粒之間。
微影裝置進一步包括控制單元120，該控制單元控制所描述之各種致動器及感測器之所有移動及量測。控制單元120亦包括用以實施與微影裝置之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元 120將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置微影裝置內之一子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於第二定位器件PW之伺服控制。單獨單元可處置不同致動器，或不同軸線。另一子單元可能專用於位置感測器IF之讀出。微影裝置之總控制可受到中央處理單元控制。中央處理單元可與子單元通信，與操作員通信，且與微影製造程序中所涉及之其他裝置通信。
用於在投影系統PS之最終光學元件與基板之間提供液體之配置可分類成三個一般類別。此等類別為浴型配置、所謂的局域化浸潤系統及全濕潤浸潤系統。本發明之實施例特別係關於局域化浸潤系統。
在已針對局域化浸潤系統提議之配置中，液體限制結構12沿著投影系統PS之最終光學元件100與載物台或台之面向投影系統PS之對向表面之間的浸潤空間10之邊界之至少一部分延伸。台之對向表面如此被提及，此係因為台在使用期間被移動且很少靜止。通常，台之對向表面為基板W、支撐台WT(例如環繞基板W之基板台)或此兩者之表面。圖2中說明此配置。圖2中所說明且在下文所描述之配置可經應用至上文所描述及圖1中所說明之微影裝置。
圖2示意性地描繪液體限制結構12。液體限制結構12沿著投影系統PS之最終光學元件100與支撐台WT或基板W之間的浸潤空間10之邊界之至少一部分延伸。在一實施例中，密封件形成於液體限制結構12與基板W/支撐台WT之表面之間。密封件可為無接觸密封件，諸如氣體密封件16(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件。
液體限制結構12經組態以將例如液體之浸潤流體供應及限制至浸潤 空間10。浸潤流體係通過液體開口中之一者(例如開口13a)而帶入至浸潤空間10中。可通過液體開口中之一者(例如開口13b)而移除浸潤流體。浸潤流體可通過至少兩個液體開口(例如開口13a及開口13b)而帶入至浸潤空間10中。液體開口中之哪一者用以供應浸潤流體且視情況哪一者用以移除浸潤液體可取決於支撐台WT之運動方向。
可藉由氣體密封件16使在浸潤空間10中含有浸潤液體，該氣體密封件16在使用期間形成於液體限制結構12之底部與台之對向表面(亦即，基板W之表面及/或支撐台WT之表面)之間。氣體密封件16中之氣體在壓力下經由氣體入口15而提供至液體限制結構12與基板W及/或支撐台WT之間的間隙。經由與氣體出口14相關聯之通道來萃取氣體。氣體入口15上之過壓、氣體出口14上之真空度及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制浸潤流體之高速氣流。氣體對液體限制結構12與基板W及/或支撐台WT之間的浸潤流體之力使在浸潤空間10中含有浸潤流體。彎液面320形成於浸潤流體之邊界處。美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。其他液體限制結構12可與本發明之實施例一起使用。
圖3為描繪根據一實施例之另一液體供應系統或流體處置系統的側橫截面圖。圖3中所說明且在下文所描述之配置可經應用至上文所描述且圖1中所說明之微影裝置。液體供應系統具備液體限制結構12，該液體限制結構沿著投影系統PS之最終光學元件與支撐台WT或基板W之間的浸潤空間10之邊界之至少一部分而延伸。(除非另外明確陳述，否則另外或在替代例中，在下文中對基板W之表面之參考亦係指支撐台WT之表面。)
液體限制結構12使在投影系統PS之最終光學元件與基板W及/或支撐台WT之間的浸潤空間10中至少部分地含有浸潤流體。浸潤空間10係藉由 定位於投影系統PS之最終光學元件下方且環繞投影系統PS之最終光學元件的液體限制結構12而至少部分地形成。在一實施例中，液體限制結構12包含主體部件53及多孔部件83。多孔部件83成板形且具有複數個孔84(亦即，開口或微孔)。在一實施例中，多孔部件83為網目板，其中眾多小孔84係以網目而形成。美國專利申請公開案第US 2010/0045949 A1號中揭示此系統。
主體部件53包含：一或多個供應通口72，其能夠將浸潤流體供應至浸潤空間10；及一回收通口73，其能夠自浸潤空間10回收浸潤流體。一或多個供應通口72係經由通路74而連接至液體供應裝置75。液體供應裝置75能夠將浸潤流體供應至一或多個供應通口72。自液體供應裝置75饋入之浸潤流體係通過對應通路74而供應至一或多個供應通口72。一或多個供應通口72係在主體部件53之面對光學路徑之各別規定位置處安置於光學路徑附近。回收通口73能夠自浸潤空間10回收浸潤流體。回收通口73經由通路79而連接至液體回收裝置80。液體回收裝置80包含真空系統且能夠藉由經由回收通口73吸入浸潤流體來回收浸潤流體。液體回收裝置80通過通路79回收經由回收通口73而回收之浸潤流體。多孔部件83安置於回收通口73中。
在一實施例中，為了形成在投影系統PS與一側上之液體限制結構12及另一側上之基板W之間具有浸潤流體之浸潤空間10，將浸潤流體自一或多個供應通口72供應至浸潤空間10且將液體限制結構12中之回收腔室81中之壓力調整至負壓以便經由多孔部件83之孔84(亦即，回收通口73)來回收浸潤流體。使用一或多個供應通口72來執行液體供應操作及使用多孔部件83來執行液體回收操作會在投影系統PS與液體限制結構12及基板W 之間形成浸潤空間10。
圖4示意性地且在平面圖中說明包括液體限制結構12之浸潤系統之彎液面控制特徵，該液體限制結構12可具有使用氣體拖曳原理及本發明之實施例可關於之出口。說明彎液面控制特徵之特徵，該等特徵可例如替換由圖2中之入口15及出口14提供之氣體密封件16所描繪的彎液面控制特徵。圖4之彎液面控制特徵係呈萃取器之形式，例如雙相萃取器。彎液面控制特徵包含形成於液體限制結構12中之一系列開口，例如複數個離散開口50。每一開口50被說明為圓形，但未必為此狀況。實際上，形狀並非至關重要的，且開口50中之一或多者可為選自以下各者中之一或多者：圓形、橢圓形、直線性(例如正方形或矩形)、三角形等，且一或多個開口可為伸長的。
自開口50徑向向內，可不存在彎液面控制特徵。彎液面320藉由至開口50中之氣流所誘發的拖曳力牽制於開口50之間。大於約15公尺/秒(理想地，約20公尺/秒)之氣體拖曳速度係足夠的。浸潤流體自基板W蒸發之量可縮減，藉此縮減浸潤流體噴濺以及熱膨脹/收縮效應兩者。
流體處置結構之底部之各種幾何形狀係可能的。舉例而言，美國專利申請公開案第US 20040207824號或美國專利申請公開案第US 2010-0313974號中所揭示之結構中之任一者可用於本發明之一實施例中。本發明之一實施例可經應用至在平面圖中具有任何形狀或具有諸如以任何形狀配置之出口之組件的液體限制結構12。非限制性清單中之此類形狀可包括橢圓(諸如，圓形)、直線性形狀(諸如矩形，例如正方形)，或平行四邊形(諸如菱形)，或具有多於四個隅角的有角形狀(諸如四角星或多於四角之星)，如圖4中所描繪。浸潤空間10之彎液面320具有有角形狀。舉例而 言，有角形狀可成具有圓化隅角之大體上菱形。側可稍微凹的。在掃描(Y)方向上及非掃描(X)方向上之隅角點係使得有角形狀之主軸實質上正交於且分別實質上平行於掃描方向及非掃描方向。支撐台WT之主要移動係在掃描方向上及非掃描方向上。對應於浸潤空間10與對向表面之間的界面之濕潤區域有時被稱作「佔據面積」。在如所描述之實施例中，液體限制結構12在操作中具有一具有角形狀的佔據面積。在另一實施例中，該佔據面積不具有隅角且其實質上可為例如橢圓形或圓形，但該佔據面積可為任何形狀。
已知微影裝置可包含液體限制結構12，液體限制結構12包含氣刀。該氣刀可用於幫助將浸潤流體限制至浸潤空間10。因此，氣刀可有用於防止浸潤流體自浸潤空間10逸出，浸潤流體自浸潤空間10逸出稍後可導致缺陷。提供強氣刀係用於防止膜拉伸(其中液體歸因於越過尖銳邊緣(例如基板之邊緣)或不同牽制特徵(諸如親水性表面)而具有施加至其之力)，此係因為強氣刀將縮減或防止在液體限制結構12後方拖曳之浸潤流體之量，且可較快速地分裂膜以縮減留在液體限制結構12後方的浸潤流體之量。然而，當氣刀強時，此可使得氣刀之前進側上之缺陷更糟，此係因為在氣刀與基板W之表面上的浸潤流體之小滴碰撞時，強氣刀將不允許浸潤流體小滴在氣刀之內部傳遞。此意謂浸潤流體之小滴將由液體限制結構12之前進側向前推動，此可導致推壓。由於膜拉伸及推壓兩者可造成增大誤差且可能縮減良率之缺陷，故同時解決此等問題兩者係有益的。
在本發明中，提供包含液體限制結構12之浸潤微影裝置。液體限制結構12可如上文例如關於圖4所描述。液體限制結構12經組態以將浸潤流體限制至一區且包含氣刀系統。氣刀系統可經組態以在使用中產生氣刀。 氣刀可自空間10(另外被稱作區)徑向向外，且可貢獻於限制浸潤流體。氣刀系統包含形成於液體限制結構12中之一系列開口，例如，氣刀系統包含各自具有射出口60之通路。氣刀可在使用中由射出射出口60之氣體而形成。射出口60形成平面圖中之形狀之至少一個側。射出口60可形成平面圖中之形狀之至少一個側、多個側或所有側。舉例而言，射出口60可形成四角星之側，如圖4中所展示。形狀可具有複數個側，例如可提供任何適當數目個側，例如3個、4個、5個、6個、7個、8個、9個、10個或更多個側。如以上所描述，射出口60可形成任何形狀之側，且此並非特別限制性的。圖4將掃描方向110描繪為與四角星之兩角成直線，但可並非為此狀況。由氣刀形成之形狀可以任何經選擇定向與掃描方向110對準。
至少另一一系列另外開口可形成於液體限制結構12中，即，可提供至少另一開口300，如圖4中所描繪。該至少另一開口300係用於氣體(自液體限制結構12)傳遞通過其。該至少另一開口300可位於彎液面控制特徵(如由圖4中之離散開口50所描繪)與氣刀之射出口60之間。在此內容背景中，詞語「在......之間」意謂自彎液面控制特徵徑向向外，且自射出口60徑向向內。
如先前所描述，可相對於液體限制結構12來移動基板W，可將浸潤流體拖曳於液體限制結構12後方，例如在液體限制結構12之後退側處沿著掃描方向110來拖曳。當浸潤流體之彎液面320在基板W之表面上方斷裂時，流體膜留在基板W上。該膜遍及液體限制結構12之尾側/後退側之全長進行收縮。收縮膜將以三角形圖案在基板W上分解成小滴。尾側可為液體限制結構12之任何側，此取決於基板W之相對移動。若基板W與液體限制結構12之間的相對移動之方向改變，則尾側可改變。此等浸潤流體小滴 可導致水印缺陷，如以上所描述。然而，已發現沿著液體限制結構12之尾側之長度提供乾燥點可幫助縮減由浸潤流體膜之收縮引起的水印缺陷。
如所提及，至少另一開口300可用以在彎液面控制特徵與氣刀之間提供氣體。該另一開口300可為用以提供氣體之離散開口。舉例而言，由至少一個額外氣體出口300提供之氣體可為CO2氣體。可提供氣體以沿著液體限制結構12之尾側之長度產生局部乾燥點。射出額外氣體出口300之氣體的停滯壓力可大致相同於或大於在使用中射出形成氣刀之射出口60之氣體的停滯壓力。
藉由產生或增進乾燥點，膜可沿著液體限制結構12之尾側之長度分解成較小的單獨膜。較小的單獨膜可自沿著液體限制結構12之尾側之長度的若干位置收縮，而非遍及液體限制結構12之尾側之全長收縮。若干較小部分中之收縮可引起小滴在基板W之表面上形成較小的收縮三角形圖案。因此，此可減小浸潤流體之總量及/或留在基板W之表面上的小滴之數目。換言之，較小三角形圖案中之浸潤流體之總量少於在由沿著液體限制結構12之尾側之全長收縮之膜形成小滴之較大三角形圖案的情況下浸潤流體之總量。因此，可提供至少另一開口300以促使彎液面控制特徵與氣刀之間的乾燥點縮減留在基板W上之浸潤流體。
有可能使用僅一個另外開口300來產生此效應。舉例而言，沿著液體限制結構12之尾側置放另一開口300可意謂浸潤流體在兩個單獨的膜部分而非一個膜部分中收縮。該另一開口300可較佳經定位以將液體限制結構12之尾側之長度分成相等部分。舉例而言，可在沿著液體限制結構12之尾側的大致中心部位中提供另一開口300。替代地，可提供多於一個另外開口300。舉例而言，可在液體限制結構12之多個側或每側上提供另一開 口300。可在至少一個側、多個側或所有側上提供1個、2個、3個、4個、5個、6個、7個、8個、9個、10個等或高達50個或甚至更多個另外開口300。在液體限制結構12之不同側上可存在不同數目個額外的另外開口300，或至少兩個側可具有彼此相同數目個另外開口300。另外開口300之數目並非特別限制性的，且可使用任何適當的數目。具有較大數目個另外開口300意謂留在基板W上之浸潤流體的量可進一步縮減，且其餘浸潤流體留在基板W上之區域可朝向基板W之外部邊緣定位。
可將間距判定為自另一開口300之中心至鄰近另一開口300之中心的距離。此間距很可能沿著液體限制結構12之單側來判定。該間距可比鄰近射出口60之間的間距大大致5至100倍。該間距可大於或等於大致1毫米。最大間距可由液體限制結構12之提供僅一個另外開口300的側之長度界定。換言之，若沿著一側僅提供一個額外另外開口300，則最大間距不大於一側之長度。作為一實例，若在一側之中間提供該另外開口300，則間距將為該側之長度的一半。另外，膜拉伸時間之長度將隨著沿著尾側提供之另外開口300之數目增大而減小。膜拉伸時間可為期間氣刀向外向基板W上丟失水滴之時間。當流體開始在氣刀與彎液面控制特徵之間收縮時，此膜拉伸時間停止。可取決於基板W之表面上的浸潤流體小滴之經估計或經量測形成而選擇間距。
為了縮減或最小化微影裝置之擁有成本，需要最大化產出率及良率。產出率為曝光基板之速率。良率為藉由在浸潤微影工具中之曝光形成於基板上之器件正常運行之比例。因為為產生器件可需要許多曝光步驟，所以每曝光之甚至低缺陷速率亦可引起良率之顯著縮減。
尾隨缺陷及曝光缺陷兩者之出現頻率傾向於隨著支撐台WT與液體限 制結構12之間的相對運動速度增加而增加。在掃描曝光期間之相對運動速度被稱作掃描速度。為增加產出率，需要掃描速度之增加。掃描速度之增加可導致缺陷增加，此係因為較難以將浸潤液體有效地限制至浸潤空間10。在具有增加之速度的情況下，液體限制結構與對向表面之間的彎液面之不穩定性風險增加。尾隨缺陷及曝光缺陷傾向於並不橫越經曝光基板之區域隨機地或均一地分佈，而是在某些部位中以較高機率發生尾隨缺陷及曝光缺陷。尾隨缺陷及曝光缺陷之分佈可根據曝光變因、尤其根據目標部分之曝光次序(亦即，支撐台WT遵循的包含一系列運動之路線)而變化。另外，當液體限制結構12在曝光之後在基板W上方(部分地)移動時(例如當支撐台WT交換發生或進行感測器移動時)，可產生尾隨缺陷。為了縮減缺陷之發生率，可在曝光基板W之某些目標部分時縮減掃描速度。然而，掃描速度之縮減係非所要的，此係因為掃描速度之縮減會縮減產出率。
應注意，在微影裝置中，通常支撐台WT移動，而投影系統PS及液體限制結構12靜止。然而，常常方便的是描述支撐台WT之運動，如同支撐台WT靜止且投影系統PS及液體限制結構12移動一般。無論支撐台WT及/或投影系統PS/液體限制結構12是否移動，本發明之實施例皆適用。
為了曝光一系列目標部分，通常預先計算包含一系列運動之路線。該路線可基於沿著橫越基板W表面以順序列之順次場遍及支撐台WT之表面的曲折運動。該曲折運動包括針對待曝光之每一目標部分支撐台WT之掃描運動，及為了排列支撐台WT以供下一掃描運動而在掃描運動之間的轉移運動。在曝光期間，支撐台WT在實質上垂直於非掃描方向之掃描方向(例如+Y方向)上移動，或在反向掃描方向(例如-Y方向)上移動。按序列之曝光在掃描方向與反向掃描方向之間交替。因此，曝光運動及轉移運動 一起形成路線。路線亦可包括在一連串曝光之前、期間或之後用以執行量測之運動，及用於支撐台WT調換之運動。在路線期間，基板W可自液體限制結構12之下方部分地或完全地移出，使得浸潤流體不與基板W重疊。此尤其在曝光邊緣目標部分(亦即鄰近於基板W之邊緣或與基板W之邊緣重疊的場之邊緣目標部分)時發生。
將參考遍及基板W之邊緣移動之浸潤空間10而給出以下描述。然而，本發明同樣適用於以下狀況：其中浸潤空間10越過支撐台WT上之其他物件，例如越過感測器(諸如感測器邊緣)。將參考圖4之液體限制結構12來描述本發明。然而，應瞭解，其他液體限制結構12(包括圖2及圖3之液體限制結構)可受益於本發明。本發明適用於任何類型之液體限制結構12，無關於浸潤流體如何被限制至佔據面積。舉例而言，本發明適用於無離開液體限制結構12之氣流以幫助限制浸潤流體的液體限制結構12，且亦適用於具有開口之二維陣列以用於萃取液體及/或氣體(例如經由多孔部件萃取)的液體限制結構12。
一系列運動之每一運動涉及支撐台WT相對於液體限制結構12移動。在每一運動期間，自不在液體限制結構12下方移動至在液體限制結構12下方的支撐台WT之一部分在該液體限制結構12之前邊緣下方通過。自在液體限制結構12下方移動至不在液體限制結構12下方的支撐台WT之一部分在該液體限制結構12之後邊緣下方通過。在掃描運動期間，前邊緣為液體限制結構12面向接近的基板台WT之邊緣。參考圖4，若支撐台WT沿著頁面移動，則液體限制結構12之頂部(如所說明)邊緣為前邊緣且底部邊緣(如所說明)為後邊緣。若掃描方向110改變，則前邊緣及後邊緣改變。前邊緣及後邊緣在步進運動期間相比於在掃描運動期間係由液體限制結構12 之邊緣之不同部分形成。因此，下文中對前邊緣及後邊緣之參考係指各別運動之前邊緣及後邊緣。
關於圖4之液體限制結構12，通常通過射出口60之流體流動速率增加會引起浸潤流體在前邊緣處被推向液體限制結構12之前方(所謂的推壓)。在後邊緣處，離開射出口60之流動速率增加會引起在後邊緣處例如歸因於膜拉伸的浸潤流體之較低損耗。在後邊緣處離開另外開口300之氣體的較高流動速率具有使離散開口50後方的留在支撐台WT上之浸潤流體膜分裂之效應，且此改良由液體限制結構12之液體圍阻。在前邊緣處通過射出口60之流動速率減小導致支撐台WT上在液體限制結構12之路徑中的浸潤流體未被推壓且替代地在射出口60下方傳遞，且藉此藉由碰撞彎液面320而與浸潤流體重組及/或由開口50萃取。
基於上述原理，本發明人已發現用以縮減浸潤流體自浸潤空間10洩漏之可能性及/或減輕浸潤流體自浸潤空間10洩漏之結果，而不必需要減緩掃描(或步進)速度之方式。若在液體限制結構12之後邊緣處離開射出口60及/或另外開口300之氣體流動速率在運動期間增加，則在無浸潤流體洩漏的情況下較高移動速度係可能的。在前邊緣處，有可能以兩種方式中之一種方式應付支撐台WT上之浸潤流體。離開射出口60(且視情況離開另外開口300，但此並非關鍵的)之流動速率縮減。在彼狀況下，支撐台WT上之浸潤流體在射出口60下方傳遞且與浸潤空間10中之浸潤流體重組及/或由離散開口50萃取。若留在支撐台WT上之浸潤流體之量低，則此可為清理此浸潤流體(藉此避免尾隨缺陷)之良好方式。替代地，在前邊緣處離開射出口60(且視情況離開另外開口300，但此並非關鍵的)之氣體之流動速率可增加。以此方式，支撐台WT上之任何浸潤流體很可能被推離液體 限制結構12之路線，藉此避免大量浸潤流體在射出口60下方傳遞且與在多個開口50之間延伸的彎液面320碰撞。以此方式，使在浸潤空間10中夾雜氣泡之風險可得以縮減，藉此縮減曝光缺陷之可能性。此途徑可僅在可判定經推壓浸潤流體將移動至可接受的部位(例如支撐台WT中環繞基板W之萃取開口)的情況下適當。
圖4說明可如何獲取以上觀測內容之優點的一種方式。可根據支撐台WT之移動方向來控制通過射出口60及另外開口300之流體流動速率。儘管將有可能基於個別射出口60/另外開口300進行此控制，但在圖4之實施例中，一系列射出口60之射出口60及一系列另外開口300之另外開口300各自分別分裂成射出口60及另外開口300之兩個群組。頂部射出口60及另外開口300皆連接至單一腔室400。流體進入腔室400並離開對應射出口60及另外開口300之流體流動速率受到第一流量控制閥410控制。當支撐台WT沿著頁面移動時，如所說明，在頁面之頂部處聯合地連接至腔室400之射出口60及另外開口300形成液體限制結構12之前邊緣。在前邊緣中氣體通過射出口60及另外開口300之流動速率可切換。流動速率可增加且藉此將留存於支撐台WT上之任何浸潤流體推離液體限制結構12之路徑中。替代地，流動速率可縮減，藉此允許液體限制結構12之路徑中之液體被再吸收至浸潤空間10中之浸潤流體中，或由離散開口50萃取。相反，當支撐台WT在液體限制結構12下方向頁面上方移動時，聯合地連接至腔室400之射出口60及另外開口300現在形成液體限制結構12之後邊緣。在彼狀況下，流體流量控制閥410增加進入腔室400且藉此離開射出口60及另外開口300的流體流動速率。以此方式，浸潤流體洩漏較不可能發生。如所說明，如圖4中所說明的液體限制結構12之底部處之其餘射出口60及另 外開口300連接至第二腔室401，該第二腔室使進入其中的流體流動速率受第二流量控制閥411控制。下文參看圖8至圖13描述如何實施腔室400、401之實施例。
應瞭解，在圖4之實施例中，在前邊緣及後邊緣處離開射出口60及另外開口300之氣體之速度(掃描運動)將實質上相同，此係由於射出口60及另外開口300連接至共同腔室400、401。
應瞭解，圖4之實施例經最佳化以控制離開液體限制結構12之前邊緣及後邊緣之流體流動速率以在掃描方向110上進行移動。然而，無需為此狀況，舉例而言，可提供四個腔室(沿著液體限制結構12之四個邊緣中之每一者提供一個腔室)。以此方式，在步進移動(向左及向右，如圖4中所說明)期間，後邊緣及前邊緣上之所有射出口60及另外開口300可使其流體流動速率受控制，而且在掃描移動期間後邊緣及前邊緣上之所有射出口60及另外開口300亦可使其流體流動速率受控制。
應瞭解，可在液體限制結構12之平面圖中向共同腔室400、401提供任何形狀。另外，可提供具有關聯流量控制閥410、411之任何數目個腔室400、401。該等原理同樣可適用於形成界定彎液面牽制特徵之一系列開口的離散開口50。在另一實施例中，射出口60及另外開口300可具備單獨的共同腔室。在一實施例中，射出口60、另外開口300及離散開口50之任何組合可具備共同腔室。
該等原理可同樣適用於其他液體限制結構，包括圖2及圖3中所說明之液體限制結構。
利用上文所描述特性之一種方式將為使離開射出口60(及/或另外開口300)之氣體之流動速率根據支撐台WT在液體限制結構12下方之行進方 向而變化。然而，此將需要氣體流動速率頻繁地改變(針對方向上之每一改變)。
如以上所解釋，由於關於流量控制閥410、411之壽命問題，與發生支撐台WT及液體限制結構12之方向改變一樣頻繁地改變流體流動速率係非所要的。因此，本發明人已設計以下本發明：獲取上文所提及之可能性之優點，而無需針對方向之每一改變切換流體流動速率。另外，本發明允許實施流動速率之不同改變，諸如，增加在前邊緣處離開射出口60之流動速率，其如下文所描述可在某些情形下有利，來代替始終減小在前邊緣處離開射出口之流動速率。
本發明允許進入或離開一系列開口中之開口的流體流動速率主要處於預定恆定速率。僅在液體被預測為損耗的及/或液體限制結構12與先前損耗之液體相互作用時，才使流動速率變化。此意謂沒有必要不斷地切換流動速率。因此，切換流動速率時所涉及的任何閥之壽命得以增加。
在本發明中，控制單元120預測在浸潤空間10之邊緣越過基板W之邊緣的一系列運動中之至少一個運動期間液體將是否自浸潤空間10損耗。此等運動為液體損耗係最有可能的運動。若預測存在來自浸潤空間10之液體損耗，則使離開至少一個開口之流體流動速率在經預測液體損耗之運動期間變化(以避免或縮減液體損耗之量)或在經預測之液體損耗之運動之後的一系列運動中之一運動期間變化(以減輕損耗液體之效應)。控制單元120藉由將在液體限制結構12之前邊緣處進入或離開一系列開口中之開口的第一流體流動速率修改成不同於在液體限制結構12之後邊緣處進入或離開一系列開口中之開口的第二流體流動速率來進行此操作。
離散開口50(形成彎液面控制特徵)可被視為一系列開口中之開口。 射出口60可被視為一系列開口(形成氣刀)中之開口。另外開口300可被視為(分裂特徵之膜的)一系列開口中之開口。
現在將解釋可供預測液體損耗之方式。
已發現，在執行路線期間，當支撐台WT上基板W之邊緣在由彎液面320界定之浸潤空間10之邊緣下方移動時，最有可能發生來自浸潤空間10之浸潤流體損耗。留下之液體可導致尾隨缺陷或曝光缺陷。舉例而言，若液體留在基板W上之單個位置中，則此可導致瀝濾缺陷。另外或替代地，若液體留在單個位置處太久，則其餘液體可蒸發，從而導致彼位置處之有害冷卻負荷。另外或替代地，若路線之後續運動導致彎液面320與自先前運動留下的洩漏液體碰撞，則此可導致在浸潤空間10中氣泡形成。此氣泡形成可引起曝光缺陷。
當浸潤空間10之邊緣越過基板W之邊緣時縮減運動之速度縮減了來自浸潤空間10之液體損耗的機會。然而，此系統可並未最佳化產出率，此係因為遍及一邊緣將不會導致液體損耗的某些運動沒有必要以縮減之速度來執行。終端使用者可具有不同要求。一些終端使用者可偏好產出率縮減以交換較低缺陷度；而其他客戶可需要較高產出率，而以較多缺陷為代價。
本發明人已確立：存在浸潤空間10之邊緣相對於基板W之邊緣之可以實驗方式量測的相對速度，在該基板W上方將發生來自浸潤空間10之液體損耗且在該基板W下方將不會發生來自浸潤空間10之液體損耗。此以實驗方式量測之參數取決於許多變數，包括但不限於：所使用之液體限制結構12之類型及其操作所根據之參數(例如流體流動速度、流體體積流率及液體限制結構12之底部表面與基板W之間的距離)，以及基板W之特徵，諸如邊緣之圓度、基板W邊緣斜角、局部溫度變化、基板W上之任何光阻 之邊緣已經處理之方式(所謂的邊緣珠粒移除策略)、所使用之光阻類型及基板W之頂部表面上之浸潤流體的靜態後退接觸角。
圖5為說明控制單元120如何在使用上述洞察內容來控制支撐台WT之定位器130的流程圖。圖5之流程圖表明逐步地遵循程序。然而，可並非為此狀況，但在下文中以此方式進行描述以輔助理解。在一實施例中，例如使用矩陣運算同時地計算迴2000至4000中之所有步驟。此實施例可較佳，此係由於可較快速地執行該等計算。此實施例可最適合於在路線之實施期間執行該程序之狀況(下文所描述)。
在步驟1000處將所要路線之細節發送至控制單元120。關於該路線之資訊包括關於在運動開始時浸潤空間10相對於物件之部位、在運動結束時浸潤空間10相對於物件之部位及在運動開始時之部位與運動結束時之部位之間的移動速度及方向的資訊。控制單元120前進至步驟2000，為了浸潤空間10之邊緣越過物件之邊緣的路線之運動。控制單元120在步驟2000中判定浸潤空間10之邊緣相對於物件之邊緣之速度。在步驟3000中，控制單元120預測運動是否有可能引起液體損耗。控制單元120藉由比較在步驟2000中判定之速度與一預定參數來進行此預測。若在步驟2000中判定之速度大於預定參數，則作出液體損耗之預測。
在一實施例中，預定參數表示速度。預定參數可為以實驗方式判定之速度，在該速度下發生來自浸潤空間10之液體損耗。
在步驟4000中，對於在步驟3000中預測存在液體損耗之彼等運動，可修改在已預測存在液體損耗之至少一個運動期間路線的一或多個參數。該修改可縮減在運動期間液體損耗之量，或可實質上嘗試避免任何液體損耗。
在步驟4000之後，控制單元120可經由迴圈2500返回至步驟2000。在一實施例中，控制單元120對控制單元120剛剛已修改之運動可重複或可不重複步驟2000及3000(且視情況重複或不重複步驟4000)。可執行重複以便檢查其是否適於更進一步避免或縮減經預測之液體損耗。此可被視為查看在步驟4000中進行之修改對於達成來自浸潤空間10之液體損耗之所要縮減是否有效的檢查。
可以實驗方式判定預定參數。舉例而言，預定參數可為浸潤空間10之邊緣在垂直於物件之邊緣之方向上的速度，當浸潤空間10之邊緣越過物件之邊緣時發現液體在該物件上方自液體限制結構12逸出。可藉由在浸潤空間10之邊緣在垂直於測試物件之邊緣之方向上的複數個不同速度下在浸潤空間10之邊緣下方移動該測試物件之邊緣來判定預定參數。可接著將預定參數設定為實質上自浸潤空間10未損耗液體時之速度與自浸潤空間10損耗液體時之速度之間的值。在替代實施例中，預定參數可為在浸潤空間10中在液體限制結構12之表面與基板W之表面之間延伸的浸潤流體之彎液面在測試物件之邊緣處不穩定之最小速度。
在一實施例中，可不以實驗方式判定預定參數。舉例而言，操作員可選擇任意預定參數。操作員可接著基於所達成之產出率以及缺陷率而判斷是增大抑或減小預定參數。預定參數之增大將引起較高產出率，但亦可引起較高缺陷度。預定參數之量值縮減將意謂路線之一系列運動中之較多運動具有縮減之速度，從而意謂較低產出率但有可能較低缺陷率。
若特定運動具有大於預定參數的浸潤空間10之邊緣相對於物件之邊緣之經預測速度，則此產生來自浸潤空間10之液體損耗之預測。控制程式可在預測存在液體損耗之運動或在經預測之液體損耗之運動之後的一系列 運動中之運動期間修改路線之一或多個參數。
在本發明中，經修改之一或多個參數為流體流量，使得在液體限制結構12之前邊緣處進入或離開一系列開口中之開口的第一流體流動速率不同於在液體限制結構12之後邊緣處進入或離開該系列開口中之開口的第二流體流動速率。如下文將描述，在預測液體有損耗之運動期間第一流體流動速率自常見預定恆定速率是增加抑或減小及/或第二流體流動速率自常見預定恆定流動速率是增加抑或減小(藉此消除或縮減液體損耗之可能性)或在經預測之液體損耗之運動之後的一系列運動中之運動期間(在此狀況下採取步驟以減輕損耗液體之效應)取決於若干因素。
在一實施例中，控制單元120經調適以在預測存在來自浸潤空間10之液體損耗的情況下藉由增加在液體限制結構12之後邊緣處進入或離開一系列開口的第二流體流動速率從而修改流體流量。舉例而言，此系列開口可為形成氣刀之一系列開口(亦即，射出口60)及/或由後邊緣處之另外開口300形成之一系列開口。以任一方式，液體限制結構12之液體限制能力藉此皆增加，從而意謂經預測之液體損耗較不可能發生。流體流動速率之此增加，使得第一流動速率與第二流體流動速率不同係在經預測之液體損耗之運動期間發生。
在上文所描述之實施例(其中嘗試藉由在預測之液體損耗之運動期間改變流體流來縮減或消除預測之液體損耗)中，在液體限制結構12之前邊緣處進入或離開一系列開口之第一流體流動速率較佳未經修改(亦即維持處於預定恆定速率)，且在液體限制結構12之後邊緣處進入或離開一系列開口之第二流體流動速率增加為高於預定恆定速率。
亦有可能改變在後邊緣處進入離散開口50之流體流動速率。進入離 散開口50之流體流動速率增加係有效地用以改良後邊緣處之圍阻能力。
在另一實施例中，若預測存在液體損耗(即使第一及/或第二流體流動速率在預測之液體損耗之運動期間經修改)，則第一流體流動速率及第二流體流動速率可在預測之液體損耗之該運動之後的一系列運動中之運動期間經修改為不同的。在此實施例中判斷對流體流作出何種修改之方式在下文加以描述。
在一實施例中，控制單元120在步驟3000中預測存在液體損耗的情況下在步驟3000之後進行另一計算，之後判斷是否繼續步驟4000。舉例而言，控制單元120可判斷洩漏液體之位置、洩漏液體之量及/或洩漏液體在一個部位處耗費的時間會導致由於浸潤流體損耗而出現任何缺陷之低風險。若判定缺陷有低風險，則液體損耗之風險可被接受，且控制單元120返回至步驟2000，而並不在4000步驟中修改路線之一或多個參數。因此，判定避免或縮減經預測之液體損耗是否適當之步驟可在步驟3000之後在前進至步驟4000之前進行。若判定出避免預測之液體損耗並不適當，則控制單元120採取迴圈2500，而不前進至步驟4000。若判定出縮減預測之液體損耗係適當的，則控制單元120前進至步驟4000。
在一實施例中，控制單元120在路線之後續運動期間預報來自基板W上之液體損耗之液體的任何移動。舉例而言，可預測液體之洩漏貫穿運動發生或直至液體限制結構12改變方向(超過某一最小量)為止。亦可預測洩漏液體與液體限制結構12之相互作用。當液體限制結構12越過液體時，留在基板W上之液體可被吸收至浸潤空間10中。另一方面，洩漏液體可例如藉由液體限制結構12之徑向外部氣刀組件(射出口60)而被推動至液體限制結構12前方(推壓)。該液體可圍繞液體限制結構12之外部努力前進且作 為小滴之軌跡在液體限制結構12後方留在基板W上。小滴之軌跡亦由於初始洩漏而留下(被稱為尾隨小滴)。模擬考量兩種類型之小滴以及所吸收液體，且經推壓小滴稍後可變成例如尾隨小滴。液體之移動可為在後續運動期間液體與液體限制結構12相互作用之結果。舉例而言，對於一或多個隨後運動，判定留存於基板W上之液體是否在浸潤空間10之路徑中。控制單元120可接著判定損耗液體之液體在基板W上之一個特定地點所耗費的時間之量。若判定損耗液體之液體在基板W上之一個位置中耗費之時間大於預定瀝濾限度或預定蒸發限度，則可判定應避免或縮減液體損耗。預定瀝濾限度可被視為一時間，超過該時間可預期有瀝濾缺陷。預定蒸發限度可被視為一時間，超過該時間可預期有由蒸發(例如，顆粒物質或局域化冷卻)引起之尾隨缺陷或局域化冷卻缺陷。可藉由進行實驗以判定在多少時間段之後出現瀝濾缺陷或何時出現蒸發缺陷從而以實驗方式判定預定瀝濾限度及預定蒸發限度。替代地或另外，可基於經驗來選擇彼等參數。
在一實施例中，控制單元120可作出在至少一個運動期間所預期之液體損耗之量之估計。在一實施例中，液體損耗之量之估計可基於法線方向2004、2006(參見圖6)之間的差來進行。舉例而言，若法線方向2004、2006之間的角度較小，則此可指示較大液體損耗。
因此，控制單元120可在至少一個運動之後的運動中預報在該至少一個運動中在浸潤空間10之路徑中存在損耗液體。因此，控制單元120可有利地經調適以在預報損耗液體存在於浸潤空間10之路徑中的後續運動期間修改流體流量。因此，可運用離開在液體限制結構12之前邊緣上形成氣刀的射出口60之流體流與浸潤空間10之路徑中的液體之上文所描述之相互作用。
舉例而言，若判定在後續上浮期間浸潤空間10之路徑中的損耗液體之量小於預定最大量，則在液體限制結構12之前邊緣處離開射出口60的流體流動速率可減小。因此，若液體損耗且留在支撐台WT上之量小，則離開射出口60之流動速率可縮減，藉此允許損耗液體在由射出口60形成之氣刀下方通過(而非被氣刀推離其路線)，使得液體被再吸收成浸潤流體而進入浸潤空間10或通過離散開口50被萃取。當液體之量小且被允許通過氣刀時，在浸潤空間10中之浸潤流體中夾帶大氣泡且引起成像缺陷之風險小，此係因為任何氣泡很可能為小的且很可能已在其到達基板W之輻照發生所通過之區域之前完全溶解。
相反，若由控制單元120判定在後續運動期間浸潤空間10之路徑中損耗液體之量大於預定最小量，則在前邊緣處離開氣刀之射出口60之流體流動速率可增加。以此方式，液體限制結構12之路徑中之液體將被推離其路線，藉此防止其與在離散開口50之間延伸的彎液面320碰撞且藉此將大氣泡截留至浸潤流體中，該等大氣泡具有在進入基板W之輻照通過之區域之前不溶解之高風險。
控制單元120可能增加在前邊緣處離開射出口60之流體流動速率的另一情境為：若預報以此方式推壓損耗液體將引起液體被推動至對於存在之液體可接受的位置。舉例而言，可能為存在之損耗液體可接受的位置可為偏離基板W之表面之位置。舉例而言，可將液體移動至支撐台WT中環繞基板W之出口，浸潤流體可通過該出口被萃取。
判斷對流體流作出何種修改之方式在下文加以描述。
本發明人已發現，相對速度(超過該相對速度會發生來自浸潤空間10之液體損耗)亦取決於浸潤空間10及基板W之邊緣之相對定向。在一實施 例中，控制單元120判定浸潤空間10之邊緣在至少一個運動期間在垂直於基板W之邊緣之方向上的速度。此速度給出在該運動期間液體是否很可能自浸潤空間10洩漏之更準確判定。
為了判定浸潤空間10之邊緣在至少一個運動期間在垂直於基板W之邊緣之方向上的速度，控制單元120具備關於浸潤空間10在平面圖中之很可能形狀之幾何資訊。另外，控制單元120具備與基板W之邊緣之形狀相關之資料。在實施例中，在步驟2000中，將浸潤空間10之邊緣處理為複數個離散浸潤空間邊緣部分。可以相同方式處理基板W之邊緣，即處理為複數個離散物件邊緣部分。
控制單元120判定離散浸潤空間邊緣部分在垂直於離散浸潤空間邊緣部分越過的離散物件邊緣部分之邊緣之方向上之速度。經判定速度可被稱為離散浸潤空間邊緣部分速度。接著在步驟3000中比較針對特定運動所計算之離散浸潤空間邊緣部分速度中之每一者與預定參數。在一實施例中，若針對給定運動之離散浸潤空間邊緣部分速度中之任一者大於預定參數，則控制單元120移動至步驟4000。若比較步驟3000展示經預測離散浸潤空間邊緣部分速度並不大於預定參數，則控制單元120經由迴圈2500返回至步驟2000以針對路線之一系列運動中之下一運動預測離散浸潤空間邊緣部分速度。在一替代實施例中，僅當多於某數目個離散浸潤空間邊緣部分速度超過預定參數時控制單元120才前進至步驟4000。
在步驟4000中修改路線之一或多個參數之後，控制單元120經由迴圈2500返回至步驟2000以針對路線之一系列運動之下一運動預測浸潤空間邊緣部分速度。
將浸潤空間之邊緣離散化為複數個離散浸潤空間邊緣部分亦為使控 制單元120判定浸潤空間10之邊緣是否越過基板W之邊緣之方便的方式。舉例而言，若浸潤空間邊緣部分中之一者之一個或兩個末端在路線之運動期間越過物件邊緣部分，則控制單元120判定浸潤空間10之邊緣越過基板W之邊緣。在一實施例中，僅在判定浸潤空間10之邊緣越過基板W之邊緣時浸潤空間10之邊緣相對於基板W之邊緣之速度才被預測。
在一實施例中，如例如圖6中所說明，液體限制結構12在底部表面(亦即，面向基板W之表面的表面)中包含複數個萃取開口50。開口50係用於自浸潤空間10之外部萃取氣體及/或自浸潤空間10之內部萃取浸潤流體。浸潤流體之彎液面320在鄰近開口50之間延伸。藉由將離散浸潤空間邊緣部分指派為在一或多個順序開口50之間(例如在鄰近開口50之間)延伸而將浸潤空間10之邊緣離散化為複數個離散浸潤空間邊緣部分係方便的。
如圖6中所說明，在一實施例中，控制單元120計算離散浸潤空間邊緣部分之法線方向。液體限制結構12之運動方向係由箭頭2002說明。對於該圖中放大之浸潤空間邊緣部分，可計算法線方向2004。以相同方式，計算物件邊緣部分之法線方向2006(垂直於物件邊緣部分之切線2005)。
彎液面320歸因於基板W相對於液體限制結構12之運動2002而經歷在其法線方向2004上作用於其上之力。接著藉由分解液體限制結構12在彎液面320之法線方向2004上相對於基板W之速度而計算彎液面320相對於基板W所經歷之局部速度。接著計算在物件邊緣部分之法線方向2006上之局部速度之分量。此分量被稱作接觸線速度且與預定參數相比較。藉此計算浸潤空間10之邊緣相對於物件之邊緣之速度。向量分析可用以計算此速度。因此，計算歸因於至少一個運動之兩個法線方向2004、2006之相對 速度且比較其量值與預定參數。在圖7中說明兩個法線方向2004、2006及至少一個運動2002。計算表示離散浸潤空間邊緣部分之法線在垂直於離散物件邊緣部分之方向上之相對速度的所得向量2010。在實施例中，將該相對速度之量值視為接著在步驟3000中與預定參數相比較之速度。
控制單元120可在路線之實施期間執行上文所描述之程序(例如預測、比較及修改)。亦即，當液體限制結構12已經遵循路線時，控制單元120可執行步驟2000至4000。在替代實施例中，控制單元120可在經修改路線係由浸潤裝置執行之前對離線路線執行步驟2000至4000。
在一實施例中，用以計算或執行路線之指令可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。電腦程式可作為升級應用至現有微影裝置。
現在將參看圖8至圖13描述圖4之流體處置結構中之兩個(或多於兩個)腔室400、401的實務實施。
圖8至圖10及圖13為在ZX平面中截得之橫截面，且圖11及圖12為在YZ平面中截得之橫截面。將參考與腔室400、401流體連通之射出口60進行以下之描述。然而，本發明可經應用以將任何其他一系列開口分段，諸如流體處置結構12中之另外開口300及/或開口50。
關於提供第一腔室400(一系列開口60之第一子集與該第一腔室流體連通且該系列開口60之第二子集與第二腔室401流體連通)之困難在於：該系列開口中之開口60極接近地在一起。因此，將該兩個腔室400、401分離之任何壁必須極薄。薄壁並未被保證提供良好的密封藉此以防止第一腔室400與第二腔室401之間的洩漏。若第一腔室400與第二腔室401之間的 洩漏過大，則無法達成離開一系列開口60之第一子集及離開一系列開口60之第二子集之流的個別切換。
通常，第一腔室400及第二腔室401係由單獨之第二部件600及第一部件700界定，該第二部件600及該第一部件700結合在一起以界定其之間的第一腔室400及第二腔室401。在單獨之第二部件600與第一部件700之接合點處出現洩漏之可能性。
圖8中說明一實施例。在圖8之實施例中，開口60形成於第一部件700中。通過圖8中之線I-I之橫截面在圖11中加以說明。如可看到，第一部件700形成第二腔室401之底部及側。第二部件600界定第二腔室401之其餘側及頂部。
為了將第一腔室400與第二腔室401分割，部分650(如圖8中最明確看到)為第二部件600之部分，且自一系列開口60之一側延伸於該系列開口之兩個鄰近開口60之間而到達該系列開口之另一側。該部分650對於第二部件600係無變化的。
密封件需要在部分650之底部與第一部件700之界定第一腔室400及第二腔室401之底部的上部表面之間形成。另外，密封件必須在部分650之前表面655與第一部件700之界定第一腔室400及第二腔室401之側的側壁之間形成。
部分650之底部表面與第一部件700之間的密封可形成適當密封，此係因為可嚴密達成第一部件700與第二部件600夾持在一起。
然而，部分650之前表面655與界定第一腔室400及第二腔室401之第一部件700之側之間的密封較有問題。出於此原因，凹座710在一系列開口60與部分650自第二腔室401突出之第一側相對的第二側上在第一部件 700中形成。部分650延伸至該凹座710中。以此方式，比將以其他方式存在更長的密封形成於部分650之前表面655與凹座710之表面755之間。存在有效地提供第一腔室400與第二腔室401中之壓力之間的解耦度之較長密封長度。另外，部分650之厚度並非恆定。亦即，部分650在其定位於兩個鄰近開口60之間的第一部分處的情況下相比於部分650處於凹座中之第二部分較薄。此亦有效地進一步增加密封之長度，藉此又進一步改良第一腔室400與第二腔室401之間的密封。
可提供至少兩個部分650以在每一末端處將第一腔室400與第二腔室401分離。另外，可將部分650提供於第一部件700中且將凹座710提供於第二部件600中(亦即，以與所說明之方式相對之方式)。然而，就可製造性簡易性而言，若將部分650提供於其中不界定有一系列開口60的部件中，則更易於製造。
圖9、圖10及圖12說明改良圖8中所說明之實施例之密封能力的另一改進。為了進一步改良部分650之前表面655與第一部件700之間的密封，在一實施例中，形成空腔(例如，經鑽孔、經雷射研磨或放電加工(EDM))以包括部分650之前表面655與界定凹座710之表面755之間的間隙之一部分。空腔750在圖9及圖12中加以說明。因此，空腔750之表面係由部分650部分地界定且由第一部件700部分地界定(該部分650及該第一部件700界定該空腔之側)。
第三部件800定位於空腔750中，如圖10中所說明，藉此以在第一腔室400與第二腔室401之間形成密封。空腔750在第一腔室400與第二腔室401之層級下方延伸至第一部件700中。因為第一部件700及第二部件600在空腔750形成之前可栓固或焊接在一起，所以相比於形成第一部件700 及第二部件600，形成空腔750以具有對第三部件800之嚴密容許度較容易。因此，可在第三部件800與第一部件700之間且在第三部件800與圖10及圖12之實施例中的部分650之間達成甚至更佳密封。
圖13說明在密封效能方面為圖8中所說明之實施例之改良且在可製造性方面(但不在密封效能方面)相比於圖10/圖12實施例具有改良的另一實施例。在圖13之實施例中，部分650之前表面655經塑形以具有其中複數個隅角或表面之方向改變的繚繞路徑。凹座710之表面755具有與前表面655互補之形狀，使得前表面655及凹座755之表面一起形成曲徑密封。該曲徑密封相比於形成於圖8之實施例中之密封具有較長長度，藉此改良第一腔室400與第二腔室401之間的流體密封性。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365奈米、248奈米、193奈 米、157奈米或126奈米之波長)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明之實施例。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (13)

  1. 一種浸潤微影裝置，其包含：一支撐台，其經組態以支撐具有至少一個目標部分之一物件；一投影系統，其經組態以將一經圖案化光束投影至該物件上；一定位器，其經組態以相對於該投影系統移動該支撐台；一液體限制結構，其經組態以使用通過形成於該液體限制結構中之一系列開口進入及/或離開該液體限制結構的一流體流將一液體限制至該投影系統與該物件及/或該支撐台之一表面之間的一浸潤空間；及一控制器，其經組態以控制該定位器移動該支撐台以遵循包含一系列運動之一路線且經組態以控制該液體限制結構，其中每一運動涉及該支撐台相對於該液體限制結構移動，使得自並不在該液體限制結構下方移動至在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一前邊緣下方通過，且自該液體限制結構下方移動至不在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一後邊緣下方通過，該控制器經調適以：預測在該浸潤空間之一邊緣越過該物件之一邊緣的該系列運動中之至少一個運動期間該液體將是否自該浸潤空間損耗，且若預測存在來自該浸潤空間之液體損耗，則修改該流體流量，使得在預測之液體損耗之該運動或預測之液體損耗之該運動之後的該系列運動之一運動期間在該液體限制結構之該前邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第一流體流動速率不同於在該液體限制結構之該後邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第二流體流動速率。
  2. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該控制器經調適以在預測存在來自該浸潤空間之液體損耗的情況下藉由在預測之液體損耗之該運動期間增加在該後邊緣處離開該系列開口之該等開口的該第二流體流動速率從而修改該流體流量。
  3. 如請求項1之浸潤微影裝置，其中該系列開口係用於圍繞該浸潤空間形成一氣刀，及/或其中該液體限制結構進一步包含另外一系列另外開口，該系列另外開口相對於該投影系統之一光軸自該系列開口徑向地向內，且其中該控制器經調適以修改該流體流量，使得在該前邊緣處進入或離開另外該系列另外開口之一另外開口的一第三流體流動速率不同於在該後邊緣處進入或離開另外該系列另外開口之一另外開口的一第四流體流動速率。
  4. 如請求項3之浸潤微影裝置，其中該控制器經調適以在預測存在來自該浸潤空間之液體損耗的情況下藉由在預測之液體損耗之該運動期間增加在該後邊緣處離開另外該系列另外開口之該另外開口的該第四流體流動速率從而修改該流體流量。
  5. 如請求項4之浸潤微影裝置，其中在該第二流體流動速率下氣體之一速度實質上等於在該第四流體流動速率下氣體之一速度。
  6. 如請求項1至5中任一項之浸潤微影裝置，其中該控制器經組態以：在該至少一個運動之一後續運動中預報在該至少一個運動中在該浸潤空間之該路徑中存在液體損耗。
  7. 如請求項6之浸潤微影裝置，其中該控制器經調適以在預報損耗液體存在於該浸潤空間之該路徑中的該後續運動期間修改該流體流量。
  8. 如請求項7之浸潤微影裝置，其中該控制器經調適以藉由在判定在該後續運動期間在該浸潤空間之該路徑中該損耗液體之一量小於一預定最大量的情況下減小在該前邊緣處離開該系列開口之一開口的該流體流動速率從而修改該流量，或該控制器經調適以藉由在由該控制器判定在該後續運動期間在該浸潤空間之該路徑中該損耗液體之一量大於一預定最小量的情況下增加在該前邊緣處離開該系列開口之一開口的該流體流動速率從而修改該流體流量，及/或該控制器經調適以藉由在由該控制器預報在該後續運動期間增加之氣流將該浸潤空間之該路徑中的該損耗液體有效地推動至一預定位置的情況下增加在該前邊緣處離開該系列開口之一開口的該流體流動速率從而修改該流體流量。
  9. 如請求項8之浸潤微影裝置，其中該預定位置偏離該物件。
  10. 如請求項1至5中任一項之浸潤微影裝置，其中該物件為一基板或一感測器。
  11. 如請求項1至5中任一項之浸潤微影裝置，其中為了預測液體是否將損耗，該控制器經調適以：在該路線之該系列運動中之至少一個運動期間在該浸潤空間之該邊緣越過該物件之該邊緣時預測該浸潤空間之該邊緣相對於該物件之該邊緣之一速度；比較該速度與一預定參數且在該速度大於該預定參數的情況下預測在該至少一個運動期間存在來自該浸潤空間之液體損耗。
  12. 如請求項11之浸潤微影裝置，其中該控制器經組態使得該預測該速度包含：判定在該至少一個運動期間該浸潤空間之該邊緣在垂直於該物件之該邊緣之一方向上之該速度。
  13. 一種使用一浸潤微影裝置以將一經圖案化光束投影至具有複數個目標部分之一基板上之器件製造方法，該方法包含：使用通過液體限制結構中之一系列開口進入及/或離開該液體限制結構的一流體流將一液體限制至一投影系統與一支撐台上之一物件及/或該支撐台之一對向表面之間的一浸潤空間；及使該支撐台沿著包含一系列運動之一路線移動，其中每一運動涉及該支撐台相對於該液體限制結構移動，使得自並不在該液體限制結構下方移動至在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一前邊緣下方通過，且自該液體限制結構下方移動至不在該液體限制結構下方的該支撐台之一部分在該液體限制結構之一後邊緣下方通過；預測在該浸潤空間之一邊緣越過該物件之一邊緣的該系列運動中之至少一個運動期間液體將是否自該浸潤空間損耗，且若預測存在來自該浸潤空間之液體損耗，則修改該流體流量，使得在預測之液體損耗之該運動或預測之液體損耗之該運動之後的該系列運動之一運動期間在該液體限制結構之該前邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第一流體流動速率不同於在該液體限制結構之該後邊緣處進入或離開該系列開口之一開口的一第二流體流動速率。
TW106139813A 2016-12-14 2017-11-17 微影裝置及製造器件的方法 TWI651601B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16203967 2016-12-14
??EP16203967 2016-12-14
EP17163003 2017-03-27
??EP17163003 2017-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201833675A TW201833675A (zh) 2018-09-16
TWI651601B true TWI651601B (zh) 2019-02-21

Family

ID=60320853

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107140076A TWI686681B (zh) 2016-12-14 2017-11-17 微影裝置及製造器件的方法
TW106139813A TWI651601B (zh) 2016-12-14 2017-11-17 微影裝置及製造器件的方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107140076A TWI686681B (zh) 2016-12-14 2017-11-17 微影裝置及製造器件的方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US11372336B2 (zh)
JP (2) JP6806906B2 (zh)
KR (3) KR102412406B1 (zh)
CN (2) CN113960889A (zh)
NL (1) NL2019842A (zh)
TW (2) TWI686681B (zh)
WO (1) WO2018108380A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113811817A (zh) 2019-04-17 2021-12-17 Asml荷兰有限公司 器件制造方法和计算机程序
CN114939688B (zh) * 2022-05-04 2023-08-08 全南群英达电子有限公司 一种磁头生产用钻孔装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110216292A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP2005026634A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101440617B1 (ko) * 2005-01-31 2014-09-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4807086B2 (ja) * 2005-02-21 2011-11-02 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007142366A (ja) * 2005-10-18 2007-06-07 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
KR20080075727A (ko) 2007-02-13 2008-08-19 삼성전자주식회사 액침 노광 장치 및 액침 노광 방법
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP2009188241A (ja) 2008-02-07 2009-08-20 Toshiba Corp 液浸露光装置及び液浸露光方法
NL1036631A1 (nl) 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Immersion Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method.
KR101160948B1 (ko) * 2008-04-16 2012-06-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
US20100045949A1 (en) 2008-08-11 2010-02-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
SG159467A1 (en) * 2008-09-02 2010-03-30 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5001343B2 (ja) * 2008-12-11 2012-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法
CN101452218B (zh) 2008-12-29 2010-12-15 浙江大学 一种用于光刻机的浸没自适应气体密封装置
NL2004162A (en) * 2009-02-17 2010-08-18 Asml Netherlands Bv A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method.
EP2221669A3 (en) 2009-02-19 2011-02-09 ASML Netherlands B.V. A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method
EP2256553B1 (en) * 2009-05-26 2016-05-25 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure and lithographic apparatus
NL2005167A (en) 2009-10-02 2011-04-05 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
JP2011134776A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置
NL2006389A (en) * 2010-04-15 2011-10-18 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
JP5827827B2 (ja) * 2010-06-29 2015-12-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． アクチュエータ
NL2006818A (en) 2010-07-02 2012-01-03 Asml Netherlands Bv A method of adjusting speed and/or routing of a table movement plan and a lithographic apparatus.
US20120188521A1 (en) * 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
NL2009139A (en) * 2011-08-05 2013-02-06 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US9256137B2 (en) * 2011-08-25 2016-02-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
US20130050666A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
NL2009272A (en) * 2011-08-31 2013-03-04 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2009271A (en) * 2011-09-15 2013-03-18 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2009472A (en) * 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN102880016B (zh) 2012-10-22 2014-07-09 浙江大学 用于浸没式光刻机的阶梯式自适应气体密封装置
US9651873B2 (en) * 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
CN106716255B (zh) * 2014-08-07 2019-06-14 Asml荷兰有限公司 光刻设备和制造器件的方法
KR102288916B1 (ko) 2014-12-19 2021-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
CN108292101B (zh) * 2015-10-01 2020-07-21 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法
CN108463775B (zh) 2016-01-13 2021-05-25 Asml荷兰有限公司 流体处理结构及光刻设备
CN113156772A (zh) * 2016-09-12 2021-07-23 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的流体处理结构及浸没光刻设备
NL2019464A (en) * 2016-09-20 2018-03-27 Asml Netherlands Bv A lithography apparatus and a method of manufacturing a device
JP6818881B2 (ja) 2016-10-20 2021-01-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 圧力制御弁、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造、及びリソグラフィ装置
NL2020011A (en) * 2017-01-26 2018-08-01 Asml Netherlands Bv A lithography apparatus and a method of manufacturing a device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110216292A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190088553A (ko) 2019-07-26
JP2020502568A (ja) 2020-01-23
US20210096471A1 (en) 2021-04-01
KR102328077B1 (ko) 2021-11-17
TWI686681B (zh) 2020-03-01
US11372336B2 (en) 2022-06-28
KR20210141779A (ko) 2021-11-23
TW201921160A (zh) 2019-06-01
US11774857B2 (en) 2023-10-03
KR102256686B1 (ko) 2021-05-26
TW201833675A (zh) 2018-09-16
CN110088686B (zh) 2021-11-16
KR102412406B1 (ko) 2022-06-22
JP2021043468A (ja) 2021-03-18
US20220308459A1 (en) 2022-09-29
US20240036477A1 (en) 2024-02-01
JP6806906B2 (ja) 2021-01-06
CN113960889A (zh) 2022-01-21
KR20210061473A (ko) 2021-05-27
CN110088686A (zh) 2019-08-02
JP7089575B2 (ja) 2022-06-22
NL2019842A (en) 2018-06-18
WO2018108380A1 (en) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101317737B1 (ko) 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US10845716B2 (en) Lithography apparatus and a method of manufacturing a device
US20240036477A1 (en) Lithography apparatus and a method of manufacturing a device
KR20080026505A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI594082B (zh) 微影裝置、製造元件之方法及控制程式
TWI581845B (zh) 一種流體處理結構、一種微影設備及一種裝置製造方法
TWI688833B (zh) 流體處置結構、微影設備、使用流體處置結構的方法及使用微影設備的方法
NL2006615A (en) Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
TW202225859A (zh) 流體處理系統、方法及微影裝置
JP6868109B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイスを製造する方法
TW202347037A (zh) 流體抽取系統、方法、及微影設備