TWI650618B - 薄膜以及有機發光元件的製造方法 - Google Patents

Abstract

一種薄膜的製造方法，包括：於基材上形成第一圖案化材料層，其中基材藉由捲對捲設備驅動；擷取於基材上的第一圖案化材料層的校正影像；以及依據校正影像，於第一圖案化材料層上形成第二圖案化材料層。

Description

薄膜以及有機發光元件的製造方法

本發明是有關於一種捲對捲製程(roll-to-roll process)，且特別是有關於一種有機發光元件的製造方法。

具有高量子效率以及低耗電等特性的有機電激發光元件已被廣泛地使用於顯示器以及照明領域。由於有機電激發光元件具有輕量以及良好的演色性(color rendering)，因此有機電激發光元件可被視為下一代顯示器以及照明元件的主流。現今，有機電激發光元件的製造成本尚無法輕易地降低，故用以量產的不同捲對捲製程及設備相繼被提出。然而，前述用以製造有機電激發光元件的捲對捲製程面臨到對準方面的議題(意即，所製造的有機電激發光元件中發生疊層之間出現誤對準的現象)，因而導致良率低落。

在一般應用於高精密軟性電子製程的量產型捲對捲製程中，常使用高分子基板或超薄玻璃基板(厚度小於200微米)，以在其上進行圖案化製程。而一般在高分子基板或超薄玻璃基板上進 行圖案化的製程中，所使用的印刷作法(如：網印印刷或凹版印刷等)為以事先做好印刷版(如：網版或凹版)進行印刷。然而，由於在製程中因為高分子基板在受熱(~120℃)或受到張力而可能產生對應的變形量，但由於事先做好印刷版圖案已經不能變動，以至於在後續的堆疊結構製程時，層與層之間的誤差過大而產生誤對準的現象。

本發明提供一種薄膜以及有機發光元件的製造方法。

一種薄膜的製造方法，包括：於基材上形成第一圖案化材料層，其中基材藉由捲對捲設備驅動；擷取於基材上的第一圖案化材料層的校正影像；以及依據校正影像，於第一圖案化材料層上形成第二圖案化材料層。

一種薄膜的製造方法，包括：提供具有第一圖案化材料層的基材；擷取於基材上的第一圖案化材料層的校正影像；以及依據校正影像，於基材上形成第二圖案化材料層。

一種有機發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一圖案化導電層；擷取於基材上的第一圖案化導電層的校正影像；於第一圖案化導電層上形成有機發光層；以及於有機發光層上形成第二圖案化導電層，其中有機發光層或第二圖案化導電層為依據校正影像所形成。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉 實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

11‧‧‧滾輪

12‧‧‧載台

13‧‧‧第一圖案

14‧‧‧第一附加單元

14a‧‧‧能量

15‧‧‧影像擷取裝置

15a‧‧‧影像擷取範圍

15b‧‧‧移動方向

25‧‧‧影像擷取裝置

25a‧‧‧影像擷取範圍

25b‧‧‧擷取路徑

35a‧‧‧第一影像擷取裝置

35b‧‧‧第二影像擷取裝置

35c‧‧‧移動方向

16‧‧‧印刷單元

17‧‧‧形成路徑

17a‧‧‧垂直路徑

17b‧‧‧平行路徑

18‧‧‧第二附加單元

18a‧‧‧能量

91‧‧‧影像訊號

92‧‧‧資料處理器

93‧‧‧路徑訊號

94‧‧‧控制器

95‧‧‧控制訊號

110‧‧‧基材

110a‧‧‧寬度

110b‧‧‧對準記號

120‧‧‧第一圖案化材料層

130、330‧‧‧第二圖案化材料層

331、331a、331b‧‧‧第二材料層

1100‧‧‧可撓性發光元件

1110‧‧‧可撓性基材

1120‧‧‧第一圖案化導電層

1130‧‧‧發光層

1140‧‧‧第二圖案化導電層

1250‧‧‧第一導電層

1260‧‧‧圖案化絕緣層

1370‧‧‧第二導電層

R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8‧‧‧區域

D1‧‧‧驅動方向

D2‧‧‧印刷方向

P1‧‧‧第一間距

P2‧‧‧第二間距

P3‧‧‧第三間距

S901、S902、S903、S904、S1001、S1002、S1003、S1004、S1005、S1006、S1007、S1008、S1009、S1010、S1011、S1012‧‧‧步驟

圖1A至圖1D是依照本發明的第一實施例的薄膜的製造過程的局部剖面示意圖。

圖1E是依照本發明的第一實施例的薄膜的製造過程的不同步驟的比較示意圖。

圖2A至圖2D是依照本發明的第一實施例的薄膜的製造過程的局部上視示意圖。

圖3是依照本發明的第二實施例的薄膜的部分製造過程的局部剖面示意圖。

圖4是依照本發明的第二實施例的薄膜的部分製造過程的局部上視示意圖。

圖5A至圖5C是依照本發明的第三實施例的薄膜的部分製造過程的局部剖面示意圖。

圖6A至圖6C是依照本發明的第三實施例的薄膜的部分製造過程的局部上視示意圖。

圖7是依照本發明的第四實施例的薄膜的部分製造過程的局部上視示意圖。

圖8是依照本發明的一實施例的薄膜的製造過程的變形分析結果示意圖。

圖9A是本發明第五實施例的捲對捲設備示意圖。

圖9B是藉由圖9A的捲對捲設備所進行的薄膜的部分製造過程流程圖。

圖10A是本發明第六實施例的捲對捲設備示意圖。

圖10B是藉由圖10A的捲對捲設備所進行的薄膜的部分製造過程流程圖。

圖11A至圖11B是依照本發明一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。

圖12是依照本發明另一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。

圖13是依照本發明又一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。

圖14是依照本發明再一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。

圖1A至圖1D是依照本發明的第一實施例的薄膜的製造過程的局部剖面示意圖。圖2A至圖2D是依照本發明的第一實施例的薄膜的製造過程的局部上視示意圖。圖1E是依照本發明的第一實施例的薄膜的製造過程的不同步驟的比較示意圖。具體而言，圖2A為圖1A薄膜的製造過程中區域R1的上視示意圖，圖2B為圖1B薄膜的製造過程中區域R2的上視示意圖，圖2C為圖 1C薄膜的製造過程中區域R3的上視示意圖，圖2D為圖1D薄膜的製造過程中區域R4的上視示意圖。圖1E為圖1A與圖1D中部分區域或圖1B與圖1D中部分區域的比較示意圖。

請參照圖1A以及圖2A，提供包括多個滾輪11的捲對捲設備。滾輪11能夠沿著驅動方向D1傳送基材110。在本實施例中，基材110的材料例如是聚亞醯胺(polyimide；PI)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚醯胺(polyamide；PA)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚乙烯亞胺(polyethylenimine；PEI)、聚氨酯(polyurethane；PU)、聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane；PDMS)、壓克力系(acrylate)聚合物例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate；PMMA)等、醚系(ether)聚合物例如是聚醚碸(polyethersulfone；PES)或聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)等、聚烯(polyolefin)、超薄玻璃(厚度小於200微米)或其他適宜的可撓性材料，但本發明並不限於此。

請繼續參照圖1A以及圖2A，於基材110上形成薄膜狀的第一圖案化材料層120。在本實施例中，第一圖案化材料層120可以藉由包括網版印刷(screen printing)、凹版印刷(gravure printing)或類似的印刷製程(printing process)所形成。舉例而言，可以將鋁膠、銀膠、銅膠、金膠、奈米碳管等其他適宜的導電材料或是將環氧樹脂(epoxy resin)、絕緣膏(non-conductive paste；NCP)等其他適宜的絕緣材料，以鋼版等類似物作為遮罩的方式印刷在基材110上，以形成具有第一圖案13的第一圖案化材料層120。例如，第一圖案化材料層120的第一圖案13可以包括多個條狀圖案，且相鄰的條狀圖案之間具有第一間距(pitch)P1。在其他實施例中，第一圖案13的走向或形狀可以依據第一圖案化材料層120的設計需求進行調整，於本發明中並不加以限制。

請參照圖1B以及圖2B，在形成第一圖案化材料層120於基材110上之後，可以藉由捲對捲設備的第一附加單元14加熱或固化第一圖案化材料層120。舉例而言，第一附加單元14可以具有加熱元件或發光元件，且第一附加單元14可以藉由雷射、微波、紅外線、紫外線等類似的方式，將所產生的能量14a(如：光能或熱能)傳導至第一圖案化材料層120，以加熱或固化基材110上的第一圖案化材料層120。如此一來，可以於後續的製程中維持第一圖案化材料層120的高寬比(aspect ratio)。在其他實施例中，於薄膜的製造過程中的區域R2也可以位於一加熱裝置(如：烘箱)內，以使基材110以及位於基材110上的第一圖案化材料層120可以被全面性地加熱。在一些實施例中，在第一圖案化材料層120加熱完成之後，可以藉由拉直基材110等類似的平整化製程，以使基材110於後續的製程中具有良好的平整度。

請參照圖1C以及圖2C，在加熱/固化第一圖案化材料層120及/或拉直基材110之後，擷取第一圖案化材料層120的校正影像。在本實施例中，可以藉由影像擷取裝置15以擷取校正影像， 且影像擷取裝置15具有感光耦合元件(Charge-coupled Device；CCD)、互補性氧化金屬半導體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor；CMOS)或其他適宜的感光元件。並且，在垂直於捲對捲設備的驅動方向D1上，影像擷取裝置15的影像擷取範圍15a大於或等於基材110的寬度110a，且影像擷取裝置15的移動方向15b平行於驅動方向D1。如此一來，影像擷取裝置15可以在其單一的移動方向15b上擷取整個第一圖案化材料層120的校正影像。在本實施例中，影像擷取裝置15的移動方向15b平行且相同於驅動方向D1，但本發明不限於此。在其他實施例中，影像擷取裝置15的移動方向15b平行且相反於驅動方向D1。

請同時參照圖1A至圖2C，就製程上而言，在進行固化第一圖案化材料層120、加熱第一圖案化材料層120及/或拉直基材110的步驟時，由於基材110可能會因為受熱或張力而產生形變，因此基材110上的第一圖案化材料層120的圖案可能產生對應的變化。舉例而言，相較於圖1A及圖2A中第一圖案化材料層120的第一間距P1，圖2B及圖2B步驟中第一圖案化材料層120的第二間距P2可能會與第一間距P1不同。如此一來，可以藉由影像擷取裝置15所擷取的校正影像來修正或建立後續製程的形成路徑，以降低第一圖案化材料層120的圖案變化所造成的影響，而可以減少後續製程中的疊層之間出現誤對準(misalignment)的現象，以提升捲對捲製程的良率(yield)。

在本實施例中，藉由影像擷取裝置15所擷取的校正影像 可以傳送至影像處理裝置(未繪示)及/或運算裝置(未繪示)，以計算出第一圖案化材料層120的圖案變化量，以用於修正或建立後續製程的形成路徑。在一些實施例中，可以直接依據校正影像的軌跡來修正或建立後續製程的形成路徑，但本發明不限於此。在其他實施例中，也可以依據校正影像與第一圖案13之間的軌跡偏差或變化量，來修正或建立後續製程的形成路徑。在其他一些實施例中，也可以依據多張校正影像來統計出第一圖案化材料層120的圖案變化量的變化，而可以估算出基材110形變的狀況，以可以作為製程參數(recipe)的調整或對捲對捲設備進行預修保養(Preventive Maintenance；PM)的依據。

具體而言，請參照圖8，圖8是依照本發明的一實施例的薄膜的製造過程的變形分析(Deformation analysis)結果示意圖。本領域中常用的儀器(如：Micro-Vu影像量測儀)可以藉由其影像擷取裝置所擷取的校正影像且傳送至影像處理裝置及運算裝置，以計算出第一圖案化材料層120的圖案變化量並進行變形分析。舉例而言，變形分析的結果可以如圖8所示。在圖8中，各個箭頭的方向代表了在進行固化第一圖案化材料層120、加熱第一圖案化材料層120及/或拉直基材110的步驟之後，基材110的各個部位因為受熱或張力而產生的對應形變方向，且各個箭頭的長度可以是各個部位的對應形變量的大小。在圖8所示的實施例中，印刷變形量與印刷製程的印刷方向D2有關，但垂直於印刷方向D2的相對兩側的形變方向及/或形變量不完全相同。也就是說，在 圖8所示的實施例中，縱使印刷製程的印刷方向D2為單一方向，但形變方向及/或形變量也可能不會具有對稱的形式。

請參照圖1D以及圖2D，依據校正影像，於第一圖案化材料層120上形成薄膜狀的第二圖案化材料層130。在本實施例中，第二圖案化材料層130可以藉由印刷製程所形成，但本發明不限於此。舉例而言，印刷單元16可以沿著形成路徑17進行，其中形成路徑17可以是由多個垂直路徑17a以及多個平行路徑17b所構成的曲折狀路徑，且垂直路徑17a大致上垂直於驅動方向D1，平行路徑17b大致上平行於驅動方向D1。印刷單元16可以沿著平行路徑17b於不同的垂直路徑17a之間行進。並且，印刷單元16可以在沿著垂直路徑17a行進時，可以將鋁膠、銀膠、銅膠、金膠、奈米碳管等其他適宜的導電材料或是將環氧樹脂、絕緣膏等其他適宜的絕緣材料列印於基材110上，以形成第二圖案化材料層130。如此一來，第二圖案化材料層130的圖案可以是對應於垂直路徑17a的條狀圖案，且相鄰的條狀圖案之間具有第三間距P3。在其他實施例中，形成路徑17的走向或形狀可以依據第二圖案化材料層130的設計需求進行調整，於本發明中並不加以限制。

在本實施例中，第一圖案化材料層120以及第二圖案化材料層130分別具有多條相互平形的條狀圖案，且第一圖案化材料層120的條狀圖案重疊或覆蓋於第二圖案化材料層130的條狀圖案。由於形成路徑17可以藉由擷取第一圖案化材料層120的校 正影像來修正或建立。舉例而言，如圖1E所示，就圖1A及圖2A中第一圖案化材料層120的第一間距P1、圖1B及圖2B中第一圖案化材料層120的第二間距P2以及第二圖案化材料層130的第三間距P3進行比較，第一間距P1可以與第三間距P3相同或相似，或是第二間距P2可以與第三間距P3相同或相似。如此一來，可以以降低第一圖案化材料層120的圖案變化所造成的影響，而可以減少第二圖案化材料層130在堆疊於第一圖案化材料層120上的步驟中出現誤對準的現象，以提升捲對捲製程的良率。

圖3是依照本發明的第二實施例的薄膜的部分製造過程的局部剖面示意圖。圖4是依照本發明的第二實施例的薄膜的部分製造過程的局部上視示意圖。具體而言，圖4為圖3薄膜的製造過程中區域R5的上視示意圖。本實施例的製造過程與圖1A至圖2D的實施例相似，差別在於：影像擷取裝置25的影像擷取範圍25a小於基材110垂直於驅動方向D1的寬度110a。

在本實施例中，影像擷取裝置25的擷取路徑25b相似於第一圖案13(繪示於圖2A)。在其他實施例中，影像擷取裝置25的擷取路徑25b可以依據影像擷取裝置25的影像擷取範圍25a大小或其他設計上需求進行調整，於本發明中並不加以限制。

圖5A至圖5C是依照本發明的第三實施例的薄膜的部分製造過程的局部剖面示意圖。圖6A至圖6C是依照本發明的第三實施例的薄膜的部分製造過程的局部上視示意圖。具體而言，圖6A為圖5A薄膜的製造過程中區域R6的上視示意圖，圖6B為圖 5B薄膜的製造過程中區域R7的上視示意圖，圖6C為圖5C薄膜的製造過程中區域R8的上視示意圖。本實施例的製造過程與圖1A至圖2D的實施例相似，差別在於：薄膜狀的第二圖案化材料層330可以藉由蝕刻製程(etching process)所形成。

具體而言，請參照圖5A及圖6A，在擷取於基材110上的第一圖案化材料層120的校正影像(例如：圖1C及圖2C所示的步驟或圖3及圖4所示的步驟)之後，可以於基材110上形成第二材料層331，以覆蓋基材110以及第一圖案化材料層120。在本實施例中，可以將負光阻劑(negative resist)或類似的光/熱固化材料印刷或塗佈(coating)於基材110上，以形成第二材料層331，但本發明不限於此。

接著，請參照圖5B及圖6B。可以藉由固化製程(curing process)以固化部分的第二材料層331。舉例而言，捲對捲設備的第二附加單元18可以具有加熱元件或發光元件，且第二附加單元18可以藉由雷射、微波、紅外線、紫外線等類似的方式，將所產生的能量18a(如：光能或熱能)傳導至部分的第二材料層331a，以固化覆蓋於第一圖案化材料層120上的部分的第二材料層331a。在一些實施例中，第二附加單元18可以沿著一形成路徑(未繪示)行進，且前述的形成路徑可以藉由校正影像來修正或建立，因此可以降低第一圖案化材料層120的圖案變化所造成的影響，以提升捲對捲製程的良率。

接著，請參照圖5C及圖6C。可以藉由蝕刻製程以移除 未被固化的其他部分的第二材料層331b，以形成第二圖案化材料層330。

圖7是依照本發明的第四實施例的薄膜的部分製造過程的局部上視示意圖。本實施例的製造過程與圖1A至圖2D的實施例相似，差別在於：基材110上具有對準記號(alignment mark)110b，於形成第一圖案化材料層120於基材110上之前，或是於形成其他模層於第一圖案化材料層120上之前，可以藉由對準記號110b以使基材110與捲對捲設備或其他的製程單元/設備對準。

圖9A是本發明第五實施例的捲對捲設備示意圖。圖9B是藉由圖9A的捲對捲設備所進行的薄膜的部分製造過程流程圖。為求清楚表示及便於說明，在圖9A中省略了部分的構件。

請參照圖9A，在本實施例中，捲對捲設備900可以包括滾輪(如圖1A所繪示)、載台12、第一影像擷取裝置35a、第二影像擷取裝置35b、資料處理器92以及控制器94。藉由滾輪的轉動，可以使位於載台12上的可撓性基材110沿著驅動方向傳送。第一影像擷取裝置35a及/或第二影像擷取裝置35b具有感光耦合元件、互補性氧化金屬半導體或其他適宜的感光元件，以擷取影像作為校正、分析或對準使用。資料處理器92可以接收由第一影像擷取裝置35a及/或第二影像擷取裝置35b所擷取的影像訊號91，以進行數據或圖形的計算或分析。控制器94可以接收來自於資料處理器92的路徑訊號93，並傳送對應的控制訊號95，以用來控制用於列印的印刷單元16。

請同時參照圖9A以及圖9B，在本實施例中，藉由上述的捲對捲設備900所進行的薄膜的部分製造過程可以包括以下步驟S901~S904。首先，在步驟S901中，可以先將將具有第一圖案化材料層以及對準記號的可撓性基材110置於捲對捲設備900的載台12上。

接著，在步驟S902中，可以藉由捲對捲設備900的第一影像擷取裝置35a以擷取位於基材100上的第一圖案化材料層的校正影像，且校正影像的影像訊號91可以傳送至具有影像處理裝置及/或運算裝置的資料處理器92，以藉由資料處理器92建立對應於校正影像的形成路徑。第一影像擷取裝置35a可以自基材100的上方或下方並沿著移動方向35c擷取第一圖案化材料層的校正影像，於本發明中對於第一影像擷取裝置35a的位置或移動方向35c並不加以限制。

然後，在步驟S903中，可以將形成路徑的路徑訊號93由資料處理器92傳送至控制器94，以在後續的步驟中，可以藉由控制器94來傳送對應的控制訊號95，以用來控制用於列印的印刷單元16。印刷單元16可以具有固定於其上的第二影像擷取裝置35b，以在進行列印製程之前，先將印刷單元16與對準記號進行對準。

之後，在步驟S904中，可以藉由固定於印刷單元16上的第二影像擷取裝置35b擷取於基材110上的對準記號，並在將印刷單元16對準之後，依據形成路徑進行印刷製程，以形成第二 圖案化材料層。

圖10A是本發明第六實施例的捲對捲設備示意圖。圖10B是藉由圖10A的捲對捲設備所進行的薄膜的部分製造過程流程圖。為求清楚表示及便於說明，在圖10A中省略了部分的構件。

請參照圖10A，本實施例的捲對捲設備1000與圖9A的捲對捲設備900類似，差別在於：捲對捲設備100可以包括類似的第一影像擷取裝置35a與第二影像擷取裝置35b。

請同時參照圖10A以及圖10B，在本實施例中，藉由上述的捲對捲設備1000所進行的薄膜的部分製造過程可以包括以下步驟S1001~S1012。在步驟S1001中，可以先將具有第一圖案化材料層的可撓性基材110置於載台12上。

接著，在將第一影像擷取裝置35a與對準記號對準的步驟S1002之後，可以進行步驟S1003，將第一影像擷取裝置35a沿著對應於第一圖案化材料層的圖案的原始路徑進行影像擷取，以擷取位於基材110上的第一圖案化材料層的第一校正影像。並且，在步驟1004以及步驟1005中，第一校正影像的影像訊號91可以傳送至具有影像處理裝置及/或運算裝置的資料處理器92，以藉由資料處理器92計算出第一圖案化材料層的圖案變化量，並建立對應於第一校正影像的第一路徑。

然後，在步驟1006中，可以將第一路徑的路徑訊號93由資料處理器92傳送至控制器94，以在後續的步驟中，可以藉由控制器94來傳送對應的控制訊號95，以用來控制用於列印的印刷 單元16。印刷單元16可以具有固定於其上的第二影像擷取裝置35b，以在進行列印製程之前，先將印刷單元16與對準記號進行對準。

之後，在步驟1007中，可以藉由固定於印刷單元16上的第二影像擷取裝置35b擷取於基材110上的對準記號。並且，在將印刷單元16對準之後，進行步驟1008，以依據第一路徑進行印刷製程，形成第二圖案化材料層。

在本實施例中，如步驟1009至步驟1012中所示，在進行第二圖案化材料層的印刷製程的同時或之後，可以藉由第二影像擷取裝置35b所擷取的第二校正影像。第二校正影像的影像訊號91可以傳送至資料處理器92，以藉由資料處理器92計算出第二圖案化材料層的圖案變化量，並建立對應於第二校正影像的第二路徑。然後，可以將第二路徑的路徑訊號93由資料處理器92傳送至控制器94，並依據第二路徑進行印刷製程，以形成第三圖案化材料層。

在一些實施例中，上述的步驟可以重複多次，以形成具有層疊狀(stacked-type)的多層圖案化材料層。

前述實施例的薄膜的製造方法可以應用於電子元件的製造過程，且第一圖案化材料層120及第二圖案化材料層130、330的圖案、材質或形成方式可以視電子元件的需求進行適當的調整。舉例來說，薄膜的製造方法可以包括任何用以形成發光元件、感測元件、觸控元件或類似的電子元件的步驟。舉例而言，在圖 11A至圖14的實施例的可撓性發光元件的製造過程中，可以藉由前述實施例的薄膜的製造方法以實現。

圖11A至圖11B是依照本發明一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。請先參照圖11A，在本實施例中，先於可撓性基材1110上形成第一圖案化導電層1120。接著，擷取於可撓性基材1110上的第一圖案化導電層1120的校正影像，且於第一圖案化導電層1120上依序形成發光層1130以及第二圖案化導電層1140，其中發光層1130或第二圖案化導電層1140為依據第一圖案化導電層1120的校正影像所形成。

請同時參照圖1A至圖10B，本實施例的可撓性發光元件1100可以藉由前述實施例的薄膜的製造方法所製造。舉例而言，圖1A至圖7實施例中的基材110可以做為可撓性發光元件1100的可撓性基材1110，且圖1A至圖7實施例中的第一圖案化材料層120可以具有導電性質，以構成可撓性發光元件1100的第一圖案化導電層1120。除此之外，發光層1130或第二圖案化導電層1140可以依據第一圖案化導電層1120的校正影像所形成，且發光層1130或第二圖案化導電層1140具有對應於第一圖案化導電層1120的圖案。因此，在圖1A至圖7實施例中的第二圖案化材料層130、330，可以構成可撓性發光元件1100的發光層1130或第二圖案化導電層1140。

在本實施例中，第一圖案化導電層1120可以藉由印刷製程形成，但本發明不限於此。除此之外，在形成第一圖案化導電 層1120於可撓性基材1110上之後，可以加熱或固化可撓性基材1110上的第一圖案化導電層1120，以於後續的製程中維持第一圖案化導電層1120的高寬比。在一些實施例中，在第一圖案化導電層1120加熱完成之後，可以藉由拉直可撓性基材1110等類似的平整化製程，以使可撓性基材1110於後續的製程中具有良好的平整度。

接著，請參照圖11B，可以對可撓性基材1110進行切割，以形成多個單一化的可撓性發光元件1100。由於在可撓性發光元件1100的製造過程中，發光層1130或第二圖案化導電層1140為依據第一圖案化導電層1120的校正影像所形成，因此可以降低第一圖案化導電層1120的圖案變化所造成的影響，也不至於因為可撓性基材1110的可撓曲性質而發生製作誤差。如此一來，可撓性發光元件1100的製作良率可獲得提升。

圖12是依照本發明另一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。在本實施例中，可撓性發光元件的製造過程於與可撓性發光元件1100的製造過程相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能或形成方式，並省略描述。

請同時參考圖11A與圖11B，本實施例的製作流程與上述實施例的製作流程的差異在於：在本實施例中，先於可撓性基材1110上形成第一導電層1250。第一導電層1250的材質例如包括銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、鋁錫氧化物(Aluminum Tin Oxide，ATO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)等類似的透明導電材料，但本發明不限於此。並且，在第一導電層1250上形成第一圖案化導電層1120。接著，擷取於可撓性基材1110上的第一圖案化導電層1120的校正影像，且於第一圖案化導電層1120上形成圖案化絕緣層1260，其中圖案化絕緣層1260為依據第一圖案化導電層1120的校正影像所形成。之後，再於圖案化絕緣層1260上形成發光層1130。在此之後的製作流程大致與圖11B相同或相似，故不贅述。

請同時參照圖1A至圖10B，本實施例的可撓性發光元件可以藉由前述實施例的薄膜的製造方法所製造。舉例而言，圖1A至圖7實施例中的基材110可以做為本實施例的可撓性基材1110，且圖1A至圖7實施例中的第一圖案化材料層120可以具有導電性質，以構成本實施例的第一圖案化導電層1120。除此之外，且圖1A至圖7實施例中的第二圖案化材料層130可以具有絕緣性質，以構成本實施例的圖案化絕緣層1260。

圖13是依照本發明又一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。在本實施例中，可撓性發光元件的製造過程於與可撓性發光元件1100的製造過程相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能或形成方式，並省略描述。

請同時參考圖11A與圖11B，本實施例的製作流程與上述實施例的製作流程的差異在於：在本實施例中，先於可撓性基 材1110上形成第一導電層1250。並且，在第一導電層1250上形成第一圖案化導電層1120。接著，擷取於可撓性基材1110上的第一圖案化導電層1120的校正影像，且於第一圖案化導電層1120上形成圖案化絕緣層1260，其中圖案化絕緣層1260為依據第一圖案化導電層1120的校正影像所形成。之後，再於圖案化絕緣層1260上依序形成第二導電層1370以及發光層1130。在此之後的製作流程大致與圖11B相同或相似，故不贅述。

在本實施例中，第二導電層1370的材質或形成方式可以相同或相似於第一導電層1250的材質或形成方式，但本發明不限於此。

圖14是依照本發明再一實施例的可撓性發光元件的部分製造過程的局部剖面示意圖。在本實施例中，可撓性發光元件的製造過程於與可撓性發光元件1100的製造過程相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能或形成方式，並省略描述。

請同時參考圖11A與圖11B，本實施例的製作流程與上述實施例的製作流程的差異在於：在本實施例中，先於可撓性基材1110上形成第一圖案化導電層1120。接著，擷取於可撓性基材1110上的第一圖案化導電層1120的校正影像，且於第一圖案化導電層1120上形成圖案化絕緣層1260，其中圖案化絕緣層1260為依據第一圖案化導電層1120的校正影像所形成。之後，再於圖案化絕緣層1260上依序形成第二導電層1370以及發光層1130。在 此之後的製作流程大致與圖11B相同或相似，故不贅述。

綜上所述，本發明的捲對捲製程中，可以依據先形成的圖案化模層的校正影像，以形成後續的圖案化模層。因此可以降低在其他的步驟中，先形成的圖案化模層的圖案變化所造成的影響，也不至於因為基材的可撓曲性質而發生製作誤差，以提升捲對捲製程的製作良率。除此之外，本發明可以透過即時建立形成途徑的方式，可在形成第一圖案化材料層之後，且經過製程上所需的熱製程、張力調整或固化過程後，進行後續的第二圖案化材料層的形成路徑建立。如此一來，可以忽略在形成第二圖案化材料層之前，因為任何製程所造成的所有誤差因子(如：張力、熱變形)，使層與層之間相對位置可達高精度需求。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (14)

1. 一種薄膜的製造方法，包括：於基材上形成第一圖案化材料層，其中該基材藉由捲對捲設備驅動；擷取於該基材上的該第一圖案化材料層的校正影像；以及依據該校正影像，於該第一圖案化材料層上形成第二圖案化材料層，其中：該基材上的該第一圖案化材料層的該校正影像是藉由影像擷取裝置擷取；在垂直於該捲對捲設備的驅動方向上，該影像擷取裝置的影像擷取範圍小於該基材的尺寸；且該第一圖案化材料層具有第一圖案，且該影像擷取裝置的擷取路徑對應於該第一圖案。
2. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中在形成該第一圖案化材料層於該基材上與擷取於該基材上的該第一圖案化材料層的該校正影像之間更包括：固化該第一圖案化材料層、加熱該第一圖案化材料層或拉直該基材。
3. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中該第一圖案化材料層是藉由印刷製程所形成。
4. 如申請專利範圍第3項所述的製造方法，其中該第一圖案化材料層具有第一圖案，且該第二圖案化材料層是沿著該第一圖案所形成。
5. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，其中該第二圖案化材料層是藉由印刷方式所形成。
6. 一種薄膜的製造方法，包括：於基材上形成第一圖案化材料層，其中該基材藉由捲對捲設備驅動；擷取於該基材上的該第一圖案化材料層的校正影像；以及於該基材上形成第二材料層以覆蓋該第一圖案化材料層，且依據該校正影像移除部分的該第二材料層，以於該第一圖案化材料層上形成第二圖案化材料層。
7. 如申請專利範圍第1項所述的製造方法，更包括：於形成該第一圖案化材料層於該基材上之前，使該基材與該捲對捲設備對準。
8. 一種薄膜的製造方法，包括：提供具有第一圖案化材料層的基材；擷取於該基材上的該第一圖案化材料層的校正影像；以及依據該校正影像，於該基材上形成第二圖案化材料層，其中：該基材上的該第一圖案化材料層的該校正影像是藉由第一影像擷取裝置擷取；該第一影像擷取裝置的影像擷取範圍小於該基材的尺寸；且該第一圖案化材料層具有第一圖案，且該第一影像擷取裝置的擷取路徑對應於該第一圖案。
9. 如申請專利範圍第8項所述的製造方法，更包括：在形成第二圖案化材料層之前，固化該第一圖案化材料層、加熱該第一圖案化材料層或拉直該基材。
10. 如申請專利範圍第8項所述的製造方法，更包括：在形成第二圖案化材料層之前，藉由第二影像擷取裝置以使該基材對準。
11. 如申請專利範圍第8項所述的製造方法，其中該第二圖案化材料層是藉由印刷製程所形成。
12. 一種有機發光元件的製造方法，包括：於基材上形成第一圖案化導電層；擷取於該基材上的該第一圖案化導電層的校正影像；於該第一圖案化導電層上形成有機發光層；以及於該有機發光層上形成第二圖案化導電層，其中該有機發光層或該第二圖案化導電層為依據該校正影像所形成，其中：該基材上的該第一圖案化導電層的該校正影像是藉由影像擷取裝置擷取；該影像擷取裝置的影像擷取範圍小於該基材的尺寸；且該第一圖案化導電層具有第一圖案，且該影像擷取裝置的擷取路徑對應於該第一圖案。
13. 如申請專利範圍第12項所述的製造方法，其中在形成該第一圖案化導電層於該基材上與擷取於該基材上的該第一圖案 化導電層的該校正影像之間更包括：固化該第一圖案化導電層、加熱該第一圖案化導電層或拉直該基材。
14. 如申請專利範圍第12項所述的製造方法，其中該第一圖案化導電層是藉由印刷製程所形成。