TWI646659B - 電路板 - Google Patents

Abstract

一種電路板，包括第一導電層、第二導電層以及介電層。於電路板的垂直投影上，所述第一導電層的信號傳輸導線的第一部份與所述第二導電層的第一導體屏蔽結構相互重疊，且所述信號傳輸導線的第二部份與所述第二導電層的第二導體屏蔽結構相互重疊。第一導體屏蔽結構的線寬不同於第二導體屏蔽結構的線寬，或是第一導體屏蔽結構的線距不同於第二導體屏蔽結構的線距，或是第一導體屏蔽結構的線寬與線距不同於第二導體屏蔽結構的線寬與線距。

Description

電路板

本發明是有關於一種電裝置，且特別是有關於一種電路板。

通訊裝置（例如智慧型手機）已成為生活中的常見工具。一般而言，通訊裝置內部配置有顯示模組與通訊模組。在通訊裝置體積日益縮小的發展趨勢下，顯示模組與通訊模組之間的距離亦日益縮小。顯示模組在操作過程中往往會會產生輻射雜訊（radiation noise），而此輻射雜訊可以能會影響其他構件（例如通訊模組）的操作。舉例來說，顯示模組所產生的輻射雜訊有可能會干擾通訊模組的無線電接收能力，亦即發生射頻干擾（radio frequency interference, RFI）。

本發明提供一種電路板，用以改善射頻干擾問題。

本發明的實施例提供一種電路板。所述電路板包括第一導電層、第二導電層以及介電層。介電層被配置於第一導電層與第二導電層之間。第一導電層具有信號傳輸導線。第二導電層具有第一導體屏蔽結構（conductor shielding structure）與第二導體屏蔽結構。於電路板的垂直投影上，所述信號傳輸導線的第一部份與所述第一導體屏蔽結構相互重疊，且所述信號傳輸導線的第二部份與所述第二導體屏蔽結構相互重疊。第一導體屏蔽結構的線寬不同於第二導體屏蔽結構的線寬，或是第一導體屏蔽結構的線距不同於第二導體屏蔽結構的線距，或是第一導體屏蔽結構的線寬與線距不同於第二導體屏蔽結構的線寬與線距。

基於上述，本發明的實施例所述電路板配置有第一導體屏蔽結構與第二導體屏蔽結構，用以減少信號傳輸導線所產生的輻射雜訊。基於第一導體屏蔽結構的樣式（pattern）不同於第二導體屏蔽結構的樣式，第一導體屏蔽結構與第二導體屏蔽結構可以分散在頻譜中輻射雜訊的能量分佈。因此，本發明的實施例所述電路板可以改善射頻干擾問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在本案說明書全文(包括申請專利範圍)中所使用的「耦接（或連接）」一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接（或連接）於第二裝置，則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接於該第二裝置，或者該第一裝置可以透過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟代表相同或類似部分。不同實施例中使用相同標號或使用相同用語的元件/構件/步驟可以相互參照相關說明。

圖1是依照本發明的一實施例的一種電路板100的布局結構的立體示意圖。依照設計需求，電路板100可以是可撓印刷電路板或是其他類型電路板。電路板100包括第一導電層M1、介電層D1以及第二導電層M2。圖1繪示了第一導電層M1、介電層D1以及第二導電層M2的爆炸圖。依照設計需求，介電層D1的材質可以是塑膠、電木、玻璃或是其他非導電材質。介電層D1的材質可以是可撓性材質或是剛性材質。介電層D1配置於第一導電層M1與第二導電層M2之間。

第一導電層M1具有一條或多條信號傳輸導線，例如圖1所示信號傳輸導線111與信號傳輸導線112。依照設計需求，信號傳輸導線111與信號傳輸導線112的材質可以是任何導電材質，例如金屬。

第二導電層M2具有一種或多種導體屏蔽結構。依照設計需求，第二導電層M2的導體屏蔽結構的材質可以是任何導電材質，例如金屬。於電路板100的垂直投影上，第一導電層M1的信號傳輸導線（例如111與112）與第二導電層M2的導體屏蔽結構相互重疊。依照設計需求，第二導電層M2的導體屏蔽結構可以耦接至參考電壓（例如接地電壓或是其他固定電壓）。第二導電層M2的導體屏蔽結構可以減少第一導電層M1的信號傳輸導線（例如111與112）所產生的輻射雜訊。

依照設計需求，第二導電層M2的導體屏蔽結構的樣式可以是任何樣式。以圖1所示樣式為例，第二導電層M2的導體屏蔽結構可以包含多條縱向導線與多條橫向導線，而這些縱向導線與這些橫向導線交織成網狀樣式。藉由調整第二導電層M2的導體屏蔽結構的線寬與/或線距，可以改變第一導電層M1的信號傳輸導線（例如111與112）與第二導電層M2的導體屏蔽結構之間的寄生電容的電容值，進而改變第一導電層M1的信號傳輸導線（例如111與112）的阻抗值。在可撓印刷電路板的應用範例中，藉由調整第二導電層M2的導體屏蔽結構的線寬與/或線距，可以使電路板100更易於彎折。

圖2是依照本發明的一實施例繪示電路板100的布局結構的俯視示意圖。第二導電層M2具有多個導體屏蔽結構。在圖2所示實施例中，第二導電層M2包含了第一導體屏蔽結構210與第二導體屏蔽結構220。依照設計需求，在一些實施例中，第一導體屏蔽結構210包括第一幾何結構，而第二導體屏蔽結構220包括第二幾何結構，其中第一幾何結構不同於第二幾何結構。在圖2所示實施例中，第二導電層M2的第一導體屏蔽結構210與第二導體屏蔽結構220的幾何結構包括網狀結構。換句話說，第一導體屏蔽結構210可以包含多條第一方向導線與多條第二方向導線，而這些第一方向導線與這些第二方向導線交織成網狀樣式。第二導體屏蔽結構220亦可以包含多條第一方向導線與多條第二方向導線，而這些第一方向導線與這些第二方向導線交織成網狀樣式。

依照設計需求，第一導體屏蔽結構210的線寬211不同於第二導體屏蔽結構220的線寬221，或是第一導體屏蔽結構210的線距212不同於第二導體屏蔽結構220的線距222，或是第一導體屏蔽結構210的線寬211與線距212不同於第二導體屏蔽結構220的線寬221與線距222。舉例來說（但不限於此），第一導體屏蔽結構210的線寬211為0.2mm，第一導體屏蔽結構210的線距212為0.2mm，第二導體屏蔽結構220的線寬221為0.1mm，第二導體屏蔽結構220的線距222為0.3mm。

依照設計需求，在一些實施例中，第一導體屏蔽結構210可以耦接至第一參考電壓，而第二導體屏蔽結構220可以耦接至第二參考電壓，其中第一參考電壓與第二參考電壓可以是互不相同的參考電壓。於圖2所示實施例中，第一導體屏蔽結構210與第二導體屏蔽結構220可以共同耦接至相同的參考電壓，例如接地電壓或是其他固定電壓。

於電路板100的垂直投影上，第一導電層M1的信號傳輸導線（例如111與112）的第一部份與第二導電層M2的第一導體屏蔽結構210相互重疊，且第一導電層M1的信號傳輸導線（例如111與112）的第二部份與第二導電層M2的第二導體屏蔽結構220相互重疊。基於第一導體屏蔽結構210的樣式不同於第二導體屏蔽結構220的樣式，第一導體屏蔽結構210與第二導體屏蔽結構220可以分散在頻譜中信號傳輸導線111與112的輻射雜訊的能量分佈。因此，本發明的實施例所述電路板可以改善射頻干擾問題。

依照上述實施例的詳細說明，本領域具有通常知識者可以而適當修改電路板100的實施方式以符合實際產品的設計需求。舉例來說，除了第一導體屏蔽結構210與第二導體屏蔽結構220之外，第二導電層M2更可以包含第三導體屏蔽結構（未繪示）。其中，於電路板100的垂直投影上，第一導電層M1的信號傳輸導線的第三部份（未繪示）與所述第三導體屏蔽結構（未繪示）相互重疊。所述第三導體屏蔽結構（未繪示）的線寬不同於第一導體屏蔽結構210的線寬211與第二導體屏蔽結構220的線寬221，或是所述第三導體屏蔽結構（未繪示）的線距不同於第一導體屏蔽結構210的線距212與第二導體屏蔽結構220的線距222，或是所述第三導體屏蔽結構（未繪示）的線寬和線距不同於第一導體屏蔽結構210的線寬211和線距212與第二導體屏蔽結構220的線寬221和線距222。

圖3是依照本發明的一實施例繪示電路板100的對稱布局的俯視示意圖。在圖3所示實施例中，第二導電層M2的第一導體屏蔽結構210的幾何結構包括網狀結構。第一導電層M1包括信號傳輸導線113，其中信號傳輸導線113包括一對差動信號傳輸線113a與113b。差動信號傳輸線113a與差動信號傳輸線113b以對稱方式被配置於中央線310的兩側。於電路板100的垂直投影上，第一導體屏蔽結構210的網狀結構的多個交叉點（例如圖3所示交叉點213）被配置於差動信號傳輸線113a與差動信號傳輸線113b之間的間隔空間中。舉例來說（但不限於此），於電路板100的垂直投影上，第一導體屏蔽結構210的網狀結構的多個交叉點（例如圖3所示交叉點213）被配置於差動信號傳輸線113a與差動信號傳輸線113b之間的中央線310上。亦即，第一導體屏蔽結構210的網狀結構對稱於中央線310。基於第一導體屏蔽結構210的網狀結構對稱於差動信號傳輸線113a與差動信號傳輸線113b，差動信號傳輸線113a與差動信號傳輸線113b的共模雜訊（common mode noise）可以被減少。

於圖3所示實施例中，第一導體屏蔽結構210的導線方向214與差動信號傳輸線113a的導線方向320之間的夾角約略為45度角。在其他實施例中，在第一導體屏蔽結構210的網狀結構對稱於中央線310的前提下，第一導體屏蔽結構210的導線方向214與差動信號傳輸線113a的導線方向320之間的夾角可以是其他角度。

綜上所述，本發明諸實施例所述電路板100的第二導電層M2配置有第一導體屏蔽結構210與第二導體屏蔽結構220，用以減少第一導電層M1的信號傳輸導線所產生的輻射雜訊。基於第一導體屏蔽結構210的樣式不同於第二導體屏蔽結構220的樣式，第一導體屏蔽結構210與第二導體屏蔽結構220可以分散在頻譜中輻射雜訊的能量分佈。因此，本發明的實施例所述電路板100可以改善射頻干擾問題。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧電路板

111、112‧‧‧信號傳輸導線

113‧‧‧信號傳輸導線

113a、113b‧‧‧差動信號傳輸線

210‧‧‧第一導體屏蔽結構

211‧‧‧線寬

212‧‧‧線距

213‧‧‧交叉點

214‧‧‧導線方向

220‧‧‧第二導體屏蔽結構

221‧‧‧線寬

222‧‧‧線距

310‧‧‧中央線

320‧‧‧導線方向

D1‧‧‧介電層

M1‧‧‧第一導電層

M2‧‧‧第二導電層

圖1是依照本發明的一實施例的一種電路板的布局結構的立體示意圖。 圖2是依照本發明的一實施例繪示電路板的布局結構的俯視示意圖。 圖3是依照本發明的一實施例繪示電路板的對稱布局的俯視示意圖。

Claims (9)

1. 一種電路板，包括：一第一導電層，具有一信號傳輸導線；一第二導電層，具有一第一導體屏蔽結構與一第二導體屏蔽結構，其中所述信號傳輸導線在所述信號傳輸導線的導線方向上被區分為一第一部份與一第二部份，其中於該電路板的垂直投影上所述第一部份與所述第一導體屏蔽結構相互重疊且所述第二部份與所述第二導體屏蔽結構相互重疊，該第一導體屏蔽結構的線寬不同於該第二導體屏蔽結構的線寬或是該第一導體屏蔽結構的線距不同於該第二導體屏蔽結構的線距或是該第一導體屏蔽結構的線寬與線距不同於該第二導體屏蔽結構的線寬與線距；以及一介電層，配置於該第一導電層與該第二導電層之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的電路板，其中該第一導體屏蔽結構用以耦接至一第一參考電壓，而該第二導體屏蔽結構用以耦接至一第二參考電壓。
3. 如申請專利範圍第1項所述的電路板，其中該第一導體屏蔽結構與該第二導體屏蔽結構用以共同耦接至一參考電壓。
4. 如申請專利範圍第3項所述的電路板，其中該參考電壓包括接地電壓。
5. 如申請專利範圍第1項所述的電路板，其中該第一導體屏蔽結構包括一第一幾何結構，而該第二導體屏蔽結構包括一第二幾何結構。
6. 如申請專利範圍第1項所述的電路板，其中該第一導體屏蔽結構與該第二導體屏蔽結構的幾何結構包括一網狀結構。
7. 如申請專利範圍第1項所述的電路板，其中該第一導體屏蔽結構的幾何結構包括一網狀結構，所述信號傳輸導線包括一對差動信號傳輸線，於該電路板的垂直投影上該網狀結構的多個交叉點被配置於該些差動信號傳輸線之間的間隔空間中。
8. 如申請專利範圍第7項所述的電路板，其中於該電路板的垂直投影上該網狀結構的多個交叉點被配置於該些差動信號傳輸線之間的一中央線上。
9. 如申請專利範圍第7項所述的電路板，其中該第一導體屏蔽結構的導線方向與該些差動信號傳輸線的導線方向之間的夾角為45度角。