TWI637421B - Charged particle beam device - Google Patents

Abstract

本發明係一種荷電粒子束裝置，其課題為使在荷電粒子束裝置內，自動地使指針移動時之安全性提升者。

解決手段為荷電粒子束裝置(10)係具備：聚焦離子束鏡筒(14)，和電子束鏡筒(15)，和指針(18)，和指針驅動機構(19)，和控制部(21)。控制部(21)係控制經由在預先所設定之移動路徑之指針驅動機構(19)的指針(18)之驅動，對於構成移動路徑之各複數之位置座標，控制指針驅動機構(19)之驅動軸(或驅動方向)。

Description

荷電粒子束裝置

本發明係有關荷電粒子束裝置。

以往，知道有將經由驅動裝置而可移動的指針，設置於荷電粒子束裝置內，將經由荷電粒子束之觀察像，顯示於顯示裝置，而經由操作者所操作之輸入裝置，於在觀察像上所指示之位置，此指針移動之裝置(例如，參照專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2000-147070號公報

但在有關上述以往技術之裝置中，例如，有著如於未使用指針時，自動地使指針退避於觀察範圍外之 情況等地，自動地使指針移動至特定位置之情況。此時，指針則從現在位置，朝向於預先所記憶之特定位置或經由輸入裝置等所指定之特定位置，直線性地移動時，有著指針接觸於存在於移動路徑上之裝置內其他構件之虞。

本發明係有鑑於上述情事所作為之構成，其目的為提供：可使在荷電粒子束裝置內，自動地使指針移動時之安全性提升之荷電粒子束裝置者。

為了解決上述課題而達成有關的目的，本發明係採用以下之形態。

(1)有關本發明之一形態的荷電粒子束裝置係具備：於照射對象，照射荷電粒子束之荷電粒子束鏡筒，和經由前述荷電粒子束之照射而檢測從前述照射對象所釋放之二次粒子的檢測器，和在前述荷電粒子束之照射範圍內，成為前述照射對象之指針，和使前述指針移動之移動機構，和控制經由在預先所設定之目標位置及歷經位置所成之移動路徑的前述移動機構之前述指針的移動之控制手段，而前述控制手段係對於各前述歷經位置，控制前述移動機構之驅動方向。

(2)在上述(1)記載之荷電粒子束裝置中，前述控制手段係從在複數之前述歷經位置之中，最接近於前述指針之現在位置的前述歷經位置，使在前述移動路徑之前述指針之移動開始。

(3)在上述(1)記載之荷電粒子束裝置中，前述控制手段係對於前述指針之現在位置則存在於特定位置範圍內之情況，在將前述現在位置作為基準之前述移動路徑之相對路徑，使前述指針移動者。

(4)在上述(1)至(3)任一項記載之荷電粒子束裝置中，前述控制手段係因應前述指針之位置而控制前述指針之移動速度者。

如根據有關上述(1)記載形態之荷電粒子束裝置，因具備控制在移動路徑之指針之移動的控制手段之故，可使在荷電粒子束裝置內，自動地使指針移動時之安全性提升之荷電粒子束裝置者。更且，因對於各移動路徑之歷經位置，控制移動機構之驅動方向之故，可簡略化使指針移動之移動機構的控制處理者。

更且，上述(2)之情況，可更一層使在荷電粒子束裝置內，自動地使指針移動時之安全性提升者。

更且，上述(3)之情況，可更一層簡略化使指針移動之移動機構的控制處理。

更且，上述(4)之情況，可更一層使在荷電粒子束裝置內，自動地使指針移動時之安全性提升者。

10‧‧‧荷電粒子束裝置

11‧‧‧試料室

12‧‧‧平台

13‧‧‧驅動機構

14‧‧‧聚焦離子束鏡筒(荷電粒子束鏡筒)

15‧‧‧電子束鏡筒(荷電粒子束鏡筒)

16‧‧‧檢測器

17‧‧‧氣體供給部

18‧‧‧指針

19‧‧‧指針驅動機構(移動機構)

20‧‧‧顯示裝置

21‧‧‧控制部(控制手段)

22‧‧‧輸入裝置

圖1係有關本發明之實施形態的荷電粒子束裝置之構成圖。

圖2係顯示有關本發明之實施形態的荷電粒子束裝置之操作畫面及畫像顯示畫面的例圖。

圖3係跟隨於在有關本發明之實施形態之荷電粒子束裝置的畫像顯示畫面之畫像資料上的游標移動之指針像的位置變化之一例圖。

圖4係跟隨於在有關本發明之實施形態之荷電粒子束裝置的畫像顯示畫面之畫像資料上的游標移動之指針像的位置變化之一例圖。

圖5係顯示有關本發明之實施形態的荷電粒子束裝置之操作畫面及畫像顯示畫面的例圖。

圖6係顯示在有關本發明之實施形態的荷電粒子束裝置之順序驅動之指針的驅動的例圖。

圖7係顯示在有關本發明之實施形態之第3變形例的荷電粒子束裝置之順序驅動之指針的驅動的例圖。

以下，對於有關本發明之實施形態之荷電粒子束裝置，參照附加圖面之同時加以說明。

有關本發明之實施形態的荷電粒子束裝置10係如圖1所示，具備：可將內部維持為真空狀態之試料室11，和在試料室11內部中，可固定試料S之平台12，和驅動平台12之驅動機構13。荷電粒子束裝置10係具備：對於 在試料室11內部之特定的照射範圍(也就是掃描範圍)內之照射對象，照射聚焦離子束(FIB)之聚焦離子束鏡筒14。荷電粒子束裝置10係具備：對於在試料室11內部之特定的照射範圍內之照射對象，照射電子束(EB)之電子束鏡筒15。荷電粒子束裝置10係具備：檢測經由聚焦離子束或電子束的照射而從照射對象產生之二次荷電粒子(二次電子及二次離子等)R之檢測器16。荷電粒子束裝置10係具備：供給氣體G於照射對象表面之氣體供給部17。荷電粒子束裝置10係具備：接觸於加以固定於平台12之試料S的指針18，和驅動指針18之指針驅動機構19。荷電粒子束裝置10係具備：顯示依據經由檢測器16所檢測之二次荷電粒子R的畫像資料等之顯示裝置20，和控制部21，和輸入裝置22。

然而，聚焦離子束鏡筒14及電子束鏡筒15之照射對象係加以固定於平台12之試料S，及存在於照射範圍內之指針18等。

有關此實施形態之荷電粒子束裝置10係經由於半導體晶圓或半導體晶片等所成之試料S表面，掃描聚焦離子束同時，進行照射之時，可執行經由濺鍍法之試料S的各種加工(蝕刻加工等)，和沉積膜之形成。例如，荷電粒子束裝置10係可執行形成經由掃描型電子顯微鏡等之剖面觀察用的剖面於試料S之加工，和從試料S，形成經由透過型電子顯微鏡之透過觀察用的試料(例如，薄片試料，針狀試料等)之加工等。另外，有關此實施形態 之荷電粒子束裝置10係經由於試料S及指針18等之照射對象表面，掃描聚焦離子束或電子束同時，進行照射之時，可執行照射對象之表面的觀察。

試料室11係經由排氣裝置(略圖示)而可將內部成為所期望之真空狀態為止進行排氣之同時，可維持所期望之真空狀態地加以構成。

驅動機構13係在加以連接於平台12之狀態而收容於試料室11的內部，因應從控制部21所輸出之控制信號而對於特定軸而言，使平台12變位。驅動機構13係具備：沿著平行且相互正交於水平面之X軸及Y軸，和正交於X軸及Y軸之Z軸，平行地使平台12移動之移動機構13a。驅動機構13係具備：使平台12旋轉於X軸或Y軸周圍之傾斜機構13b，和使平台12旋轉於Z軸周圍之旋轉機構13c。

聚焦離子束鏡筒14係在試料室11之內部，使光束出射部(略圖示)，在照射範圍內之平台12的垂直方向上方的位置，面對於平台12之同時，將光軸，於垂直方向作為平行，加以固定於試料室11。經由此，可於加以固定於平台12之試料S及存在於照射範圍內之指針18等之照射對象，從垂直方向上方朝向下方，照射聚焦離子束。

聚焦離子束鏡筒14係具備：使離子產生之離子源14a，和使自離子源14a所導出之離子，進行聚焦及偏向之離子光學系統14b。離子源14a及離子光學系統14b係 因應從控制部21所輸出之控制信號而加以控制，再將聚焦離子束之照射位置及照射條件等，則經由控制部21而加以控制。離子源14a係例如，使用液體鎵等之液體金屬離子源，電漿型離子源，氣體電場電離型離子源等。離子光學系統14b係例如，具備：聚焦透鏡等之第1靜電透鏡，和靜電偏向器，和對物透鏡等之第2靜電透鏡等。

電子束鏡筒15係在試料室11之內部，使光束出射部(略圖示)，在傾斜特定角度於照射範圍內之平台12的垂直方向之傾斜方向，面對於平台12之同時，將光軸，於傾斜方向作為平行，加以固定於試料室11。經由此，可於加以固定於平台12之試料S及存在於照射範圍內之指針18等之照射對象，從傾斜方向上方朝向下方，照射電子束。

電子束鏡筒15係具備：使電子產生的電子源15a，和使自電子源15a射出之電子進行聚焦及偏向的電子光學系統15b。電子源15a及電子光學系統15b係因應從控制部21所輸出之控制信號而加以控制，再將電子束之照射位置及照射條件等，則經由控制部21而加以控制。電子光學系統15b係例如，具備電磁透鏡與偏向器等。

然而，替換電子束鏡筒15與聚焦離子束鏡筒14之配置，而將電子束鏡筒15，於垂直方向，將聚焦離子束鏡筒14，於垂直方向，做特定角度傾斜之傾斜方向進行配置亦可。

檢測器16係檢測於試料S及指針18等之照 射對象，加以照射聚焦離子束或電子束時，自照射對象所放射之二次荷電粒子(二次電子及二次離子等)R的強度(也就是，二次荷電粒子的量)，輸出所檢測之二次荷電粒子R的強度資訊。檢測器16係加以配置於在試料室11內部可檢測二次荷電粒子R之強度的位置，例如，對於照射範圍內之試料S等之照射對象而言傾斜上方之位置等，加以固定試料室11。

氣體供給部17係在試料室11內部，使氣體噴射部(略圖示)面對於平台12，加以固定於試料室11。氣體供給部17係可將為了因應試料S之材質而選擇性地促進經由聚焦離子束之試料S的蝕刻的蝕刻用氣體，和為了於試料S表面，形成經由金屬或絕緣體等之堆積物的沉積膜的沉積用氣體等，供給至試料S。例如，經由將對於Si系之試料S而言的氟化氙，和對於有機系之試料S而言的氫等之蝕刻用氣體，與聚焦離子束的照射同時供給至試料S之時，選擇性地促進蝕刻。另外，例如，經由將含有菲，鉑，炭，或鎢等的化合物氣體之沉積用氣體，與聚焦離子束的照射同時供給至試料S之時，使自沉積用氣體所分解之固體成分，加以堆積於試料S之表面。

指針驅動機構19係在加以連接於指針18之狀態而收容於試料室11的內部，因應從控制部21所輸出之控制信號而使指針18變位。指針驅動機構19係具備：沿著各X軸，Y軸，Z軸而平行地使指針18移動之移動機構(略圖示)，和於指針18之中心軸周圍，使指針18 旋轉之旋轉機構(略圖示)。

控制部21係加以配置於試料室11之外部，加以連接有顯示裝置20，和輸出因應操作者之輸入操作的信號之滑鼠及鍵盤等之輸入裝置22。

控制部21係經由自輸入裝置22所輸出之信號或經由預先所設定之自動運轉控制處理所生成之信號等，統合性地控制荷電粒子束裝置10之動作。

控制部21係因應自輸入裝置22所輸出之信號，控制在顯示裝置20之各種的畫面顯示之同時，控制經由指針驅動機構19之指針18的驅動。

例如，控制部21係將經由檢測部16所檢測之二次荷電粒子R的強度，變換為對應於在照射範圍內之照射對象(試料S及指針18等)之表面上的照射位置之亮度信號，生成顯示二次荷電粒子R的強度之2維分布的畫像資料。並且，控制部21係與所生成之畫像資料同時，使為了執行畫像資料的擴大，縮小，移動，及旋轉等之操作的畫面，加以顯示於顯示裝置20。更且，控制部21係與所生成之畫像資料同時，使為了執行對於照射範圍內之指針18的所期望處之接觸，對於指定位置之移動，移動速度之設定，及對於掃描範圍外之退避等之操作的畫面，加以顯示於顯示裝置20。

例如，控制部21係在經由輸入裝置22而為了使指針18驅動之畫面中，於所生成之畫像資料上，顯示輸入裝置22之游標。並且，藉由對於輸入裝置22而言之輸入操 作而使操作者操作游標，指示畫像資料上之指針18之移動處之位置及移動路徑等。並且，因應此指示而實際使指針驅動機構19作動，驅動指針18。

經由本發明之實施形態的荷電粒子束裝置10係具備上述構成，接著，對於荷電粒子束裝置10之動作加以說明。

控制部21係作為經由輸入裝置22而為了使指針18驅動之畫面，如圖2所示，使操作畫面20A與畫像顯示畫面20B顯示於顯示裝置20。在操作畫面20A中，加以設置有經由輸入裝置22之操作而可切換選擇之複數之第1~第5操作選單31a~31e。

控制部21係當加以選擇第1操作選單31a時，使「運作」之操作畫面20A，和具有最新的畫像資料及輸入裝置22之游標的畫像顯示畫面20B顯示於顯示裝置20。「運作」之操作畫面20A係具備：對於將指針18之微動驅動(也就是，未指定驅動量而加以繼續之驅動)，平行於各X軸、Y軸、及Z軸之方向，和中心軸周圍之旋轉方向而言指示之各選單32a~32c。「運作」之操作畫面20A係具備：對於指針18之自動的移動而言進行各種指示之各選單33a~33d。「取向」之選單33a係指示對於照射範圍內之指針18之自動的移動。「順序」之選單33b係指示沿著預先所設定之移動路徑之指針18之自動的連續移動。「停止」之選單33c係指示對於此等指針18之自動的移動之執行停止。「初期」之選單33d係指 示對於照射範圍外之基準位置的指針18之自動的退避。更且，「運作」之操作畫面20A係具備：為了變更指針18之移動速度之各選單(略圖示)。

「運作」之操作畫面20A係具備：指示如跟隨於在因應輸入裝置22之操作的畫像顯示畫面20B之游標的移動之指針18的自動連續移動之執行的跟隨選單34。

畫像顯示畫面20B係於加以顯示照射對象的像(例如，對於指針18而言之指針像)41之最新的畫像資料上，具有為了使指針像41加以跟隨移動之輸入裝置22的游標42。

控制部21係對於在「運作」之操作畫面20A中，加以選擇跟隨選單34之情況，將因應對於輸入裝置22而言之特定操作而在畫像顯示畫面20B移動之游標42的位置，在特定周期等之特定時間加以反覆取得。並且，畫像資料上的指針像41則作為呈跟隨於依序取得之游標42的位置而移動，經由指針驅動機構19而驅動實際的指針18。

然而，控制部21係於荷電粒子束(聚焦離子束及電子束)之掃描照射時，也就是畫像資料的生成時，許可經由指針驅動機構19之指針18的驅動。另外，控制部21係對於經由驅動機構13而將平台12加以維持為特定之姿勢狀態情況，許可經由指針驅動機構19之指針18的驅動。特定之姿勢狀態係例如，平台12之表面則略正交於荷電粒子束(聚焦離子束及電子束)之照射方向的狀 態。

例如，依序，如圖3之上圖，中央圖，及下圖所示，控制部21係作為畫像顯示畫面20B之游標42之位置，依序，取得第1位置A，第2位置B，及第3位置C時，因應游標42之位置而依序更新指針像41之目標位置。

首先，作為游標42之位置而取得第1位置A時，控制部21係將此第1位置A之位置座標作為基準位置而記憶。

接著，作為游標42之位置而取得第2位置B時，控制部21係算出此第2位置B之位置座標與基準位置之間的相對距離。並且，將加算所算出之相對距離於基準位置所得到之位置座標，作為畫像資料上之指針像41的目標位置。並且，畫像資料上的指針像41則作為呈移動於在此時點之目標位置，經由指針驅動機構19而驅動指針18。經由此，畫像資料上之指針像41則從現在位置(也就是第1位置A)，移動至在此時點之目標位置(也就是第2位置B)。

接著，作為游標42之位置而取得第3位置C時，控制部21係算出此第3位置C之位置座標與基準位置之間的相對距離。並且，將加算所算出之相對距離於基準位置所得到之位置座標，作為新的畫像資料上之指針像41的目標位置。並且，畫像資料上的指針像41則作為呈移動於在此時點之目標位置，經由指針驅動機構19而驅動指 針18。經由此，畫像資料上之指針像41則從現在位置(也就是第2位置B)，移動至在此時點之目標位置(也就是第3位置C)。

然而，控制部21係對於使用對於自在畫像顯示畫面20B之游標42的位置所得到之基準位置而言之相對距離，經由指針驅動機構19而驅動指針18時，依據聚焦離子束及電子束之照射方向，和對於指針驅動機構19而言所設定之驅動軸(也就是，X軸、Y軸、及Z軸)之相對的關係而加以控制。

然而，控制部21係即使在畫像顯示畫面20B之游標42的移動則較實際的指針18之移動為快之情況，亦經由上述之處理而使畫像資料上之指針像41，跟隨於游標42而移動。

例如，依序，如圖4之上圖，中央側上圖，中央側下圖，及下圖所示，控制部21係作為畫像顯示畫面20B之游標42之位置，依序，取得第1位置A，第2位置B，及第3位置C時，因應游標42之位置而依序更新指針像41之目標位置。

首先，作為游標42之位置而取得第1位置A時，控制部21係將此第1位置A之位置座標作為基準位置而記憶。

接著，作為游標42之位置而取得第2位置B時，控制部21係算出此第2位置B之位置座標與基準位置之間的相對距離。並且，將加算所算出之相對距離於基準位置 所得到之位置座標，作為畫像資料上之指針像41的目標位置。並且，畫像資料上的指針像41則作為呈移動於在此時點之目標位置，經由指針驅動機構19而驅動指針18。經由此，畫像資料上之指針像41則從現在位置(也就是第1位置A)，移動至在此時點之目標位置(也就是第2位置B)。

接著，指針18則在較到達至在此時點的目標位置為前之時間，作為游標42之位置而取得第3位置C時，控制部21係算出此第3位置C之位置座標與基準位置之間的相對距離。並且，將加算所算出之相對距離於基準位置所得到之位置座標，作為新的畫像資料上之指針像41的目標位置。並且，畫像資料上的指針像41則作為呈移動於在此時點之目標位置，經由指針驅動機構19而驅動指針18。經由此，畫像資料上之指針像41則從現在位置(也就是，第1位置A與第2位置B之間的位置E)，移動至在此時點之目標位置(第3位置C)。

也就是，控制部21係因在取得新的游標42之位置的時點，更新對於指針驅動機構19而言之驅動指令之故，畫像資料上的指針像41則作為呈所謂平滑化在畫像顯示畫面20B之游標42的移動軌跡之同時，描繪滑順之曲線，驅動在實際空間的指針18。

控制部21係如圖5所示，在操作畫面20A加以選擇第2操作選單31b時，使「順序」之操作畫面20A，和具有最新的畫像資料之畫像顯示畫面20B，顯示 於顯示裝置20。「順序」之操作畫面20A係具備：指針18之順序驅動(也就是，沿著預定所設定之移動路徑之自動的連續移動)之開始及停止的各選單51a，51b，和指示移動路徑之追加及削除等之各選單。

控制部21係對於在「順序」之操作畫面20A中加以選擇指示順序驅動的開始之選單51a之情況，係依據指針18的現在位置，和預先所設定之移動路徑，經由指針驅動機構19而驅動指針18。例如，控制部21係從構成預先所設定之移動路徑之複數之位置座標之中，抽出最接近於指針18之現在位置得位置座標，從所抽出之位置座標，在移動路徑上，自動地使指針18移動。

例如，依序，如圖6之上圖，中央側上圖，中央側下圖，及下圖所示，經由對應於實際空間的複數之位置座標的第1位置A、第2位置B、第3位置C、及第4位置D而加以設定移動路徑時，首先，控制部21係抽出最接近於指針18之現在位置F的第3位置C。

接著，控制部21係指針18則作為呈從在此時點之現在位置F，移動至最接近於現在位置F之第3位置C，經由指針驅動機構19而驅動指針18。

接著，控制部21係作為呈指針18移動於在移動路徑上所設定之移動方向(例如，依序，移動至第4位置D，第3位置C，第2位置B，及第1位置A的方向)，經由指針驅動機構19而驅動指針18。

在此，圖6之畫像顯示畫面20B係於經由荷 電粒子束之畫像資料之其他，以光學顯微鏡攝影之畫像亦可。此情況，荷電粒子束裝置10係如具備可觀察荷電粒子束裝置10內部之光學顯微鏡即可。

然而，控制部21係預先在「順序」之操作畫面20A中，對於設定指針18之適宜的移動路徑之情況，係對於構成此移動路徑之各複數的位置座標，選擇對於指針18的驅動而言之指針驅動機構19之驅動軸(或驅動方向)。

另外，移動路徑之設定係除了指定複數位置之座標的登錄方法以外，使用使指針18移動，再指定移動後之位置之登錄方法亦可。即，使指針18移動，確認對於荷電粒子束裝置10內之構件，例如，聚焦離子束鏡筒14，指針18則未干擾之同時，各一點使移動後之位置登錄。經由此，可更安全地使指針18移動者。

控制部21係當在操作畫面20A加以選擇第3操作選單31c時，使「偏心補正」之操作畫面(略圖示)，顯示於顯示裝置20。「偏心補正」之操作畫面係具備：為了補正自指針18之中心軸周圍的旋轉軌跡所得到之指針18的位置偏移之複數的選單(略圖示)。

控制部21係使用在經由指針驅動機構19之旋轉機構(略圖示)而使指針18旋轉於中心軸周圍時之至少3點以上的不同角度之指針18位置，將指針18之偏心軌跡作為近似橢圓。例如，控制部21係經由以正弦波而演算在3點以上之各不同角度的指針18之位置變化之時，將指 針18之偏心軌跡作為近似於橢圓或圓。並且，控制部21係使用指針18之偏心軌跡，對於各特定角度，補正指針18之位置偏移。

控制部21係當在操作畫面20A加以選擇第4操作選單31d時，使「速度限制」之操作畫面(略圖示)，顯示於顯示裝置20。「速度限制」之操作畫面係具備：因應指針18之位置，及驅動量等而為了自動變更指針18之驅動速度的複數之選單(略圖示)。

控制部21係例如，在指針18之順序驅動時中，伴隨指針18接近於移動路徑之終點位置者，驅動速度則呈變化為減少傾向地設定。

另外，控制部21係經由指針18的接觸感測機能而使指針18移動亦可。例如，檢測指針18則與荷電粒子束裝置10內之構件或試料S接觸時之電性阻抗變化，檢查接觸。控制部21係檢查到接觸之情況，使指針18的移動停止。經由此，可安全地使指針18移動者。

控制部21係當在操作畫面20A加以選擇第5操作選單31e時，使「參數」之操作畫面(略圖示)，顯示於顯示裝置20。「參數」之操作畫面係具備：為了設定對於經由指針驅動機構19之指針18的驅動而言之各種參數的複數之選單(略圖示)。

如上述，如根據經由本發明之實施形態的荷電粒子束裝置10，因具備控制在預先所設定之移動路徑的指針18的移動之控制部21之故，可使在荷電粒子束裝 置10內自動使指針18移動時之安全性提升者。更且，因具備對於各構成移動路徑之複數之位置座標，選擇對於指針18的驅動而言之指針驅動機構19的驅動軸(或驅動方向)之控制部21之故，可簡略化使指針18移動之指針驅動機構19的控制處理者。

更且，因從構成移動路徑之複數之位置座標之中，抽出最接近於指針18之現在位置之位置座標，從此位置座標，在移動路徑上，自動地使指針18移動之故，可更一層使自動地使指針18移動時之安全性提升者。

以下，對於上述之實施形態之第1變形例加以說明。

在上述之實施形態中，使畫像資料上的指針像41跟隨於畫像顯示畫面20B之游標42的移動情況，控制部21係因應荷電粒子束(也就是聚焦離子束及電子束)之照射方向，選擇指針驅動機構19之驅動軸(或驅動方向)亦可。

在以下中，聚焦離子束及電子束之各照射方向相互所成角度為特定角度(例如，50°~90°之間的適宜之角度55°等)，將聚焦離子束之照射方向則於指針驅動機構19之Z軸為平行之情況，作為一例加以說明。

此情況，經由聚焦離子束所得到之畫像資料係成為經由指針驅動機構19之X軸及Y軸的XY平面之畫像。經由電子束所得到之畫像資料係成為傾斜特定角度於指針驅動機構19之Z軸之畫像(例如，XZ平面等之畫像)。

控制部21係首先，使用聚焦離子束之畫像資料，因應畫像顯示畫面20B之游標42的位置而設定指針18的目標位置，僅在指針驅動機構19之X軸及Y軸而驅動指針18。經由此，指針18係移動於包含實際的目標位置之Z軸方向之適宜的位置。

接著，控制部21係使用電子束之畫像資料，因應畫像顯示畫面20B之游標42的位置而設定指針18的目標位置，僅在指針驅動機構19之Z軸而驅動指針18。經由此，指針18係從包含實際的目標位置之Z軸方向之適宜的位置，移動於實際之目標位置。

然而，控制部21係對於使用電子束之畫像資料而驅動指針18之情況，因應必要，加上於指針驅動機構19之Z軸而在X軸，驅動指針18亦可。

如根據此第1變形例，因應荷電粒子束(也就是聚焦離子束及電子束)之照射方向，而選擇指針驅動機構19之驅動軸(或驅動方向)之故，可容易地進行3維方向之指針18的驅動控制者。

以下，對於上述之實施形態之第2變形例加以說明。

在上述之實施形態中，使畫像資料上的指針像41跟隨於畫像顯示畫面20B之游標42的移動情況，控制部21係因應荷電粒子束(也就是聚焦離子束及電子束)之掃描方向，選擇指針驅動機構19之驅動軸(或驅動方向)亦可。

在以下中，例如因試料S及指針18之相對位置等引起，聚焦離子束的掃描方向則對於指針驅動機構19之X軸而言，僅特定角度θ使其旋轉之情況，作為一例而加以說明。

此情況，控制部21係使用經由聚焦離子束的畫像資料，對於在從畫像顯示畫面20B之游標42位置所得到之基準位置而言之相對距離(X，Y)，對於指針驅動機構19之X軸及Y軸，賦予驅動指令(Xcos θ-Ysin θ，Xsin θ+Ycos θ)。

如根據此第2變形例，因應荷電粒子束(也就是聚焦離子束及電子束)之掃描方向，而選擇指針驅動機構19之驅動軸(或驅動方向)之故，可精確度佳地進行3維方向之指針18的驅動控制者。

以下，對於上述之實施形態之第3變形例加以說明。

在上述之實施形態中，使指針18進行順序驅動之情況，控制部21係對於指針18的現在位置則存在於特定位置範圍內之情況，對於預先所設定之移動路徑而言，設定將指針18之現在位置作為基準之相對路徑亦可。然而，特定位置範圍係例如，相對路徑則呈未干擾於荷電粒子束裝置10內之構件的範圍。

例如，依序，如圖7之上圖，中央側上圖，中央側下圖，及下圖所示，經由對應於實際空間的複數之位置座標的第1位置A、第2位置B、第3位置C、及第 4位置D而加以設定移動路徑時，首先，控制部21係設定相對路徑。例如，控制部21係從構成預先所設定之移動路徑之複數之位置座標之中，抽出最接近於指針18之現在位置F的第3位置C。並且，控制部21係對於預先所設定之移動路徑之中第3位置C之後的路徑而言，設定將指針18之現在位置F作為基準之相對路徑。

接著，控制部21係作為呈指針18移動於在相對路徑上所設定之移動方向(例如，依序，移動至現在位置F、第5位置G、及第6位置H的方向)，經由指針驅動機構19而驅動指針18。

然而，控制部21係對於指針18則到達至相對路徑之終點位置(也就是第6位置H)之情況，係作為呈指針18移動於預先所設定之移動路徑之終點位置(也就是第1位置A)，經由指針驅動機構19而驅動指針18亦可。

如根據第3變形例，可簡略化使指針18進行順序驅動時之控制處理者。

然而，在上述之實施形態中，控制部21係亦可為軟體機能部，或LSI等之硬體機能部。

然而，本發明之技術範圍係不限定於上述之實施形態，而在不脫離本發明之內容範圍中，包含加上種種變更於上述實施形態者。即，上述之實施形態的構成係不過為一例，可作適宜變更。

Claims (3)

1. 一種荷電粒子束裝置，其特徵為具備：對照射對象照射荷電粒子束之荷電粒子束鏡筒，和檢測經由前述荷電粒子束之照射而從前述照射對象所釋放之二次粒子的檢測器，和在前述荷電粒子束之照射範圍內，成為前述照射對象之指針，和使前述指針移動之移動機構，和控制預先所設定之目標位置及歷經位置所成之移動路徑之前述移動機構所造成前述指針移動之控制手段，前述控制手段係對於各前述歷經位置，控制前述移動機構之驅動方向；前述控制手段係對於前述指針之現在位置則存在於特定位置範圍內之情況，在將前述現在位置作為基準之前述移動路徑之相對路徑，使前述指針移動者。
2. 如申請專利範圍第1項記載之荷電粒子束裝置，其中，前述控制手段係在複數之前述歷經位置之中，從最接近於前述指針之現在位置的前述歷經位置，使在前述移動路徑之前述指針之移動開始者。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之荷電粒子束裝置，其中，前述控制手段係因應前述指針之位置而控制前述指針之移動速度者。