TWI635238B - 發光裝置 - Google Patents

Abstract

一種發光裝置，包含一主載板、一突出部、一次載板、及一形成在次載板上之第一發光單元。主載板具有一第一板邊及一第二板邊。突出部係自第一板邊向外延伸並具有一第一表面以及一與此第一表面相對之第二表面，其中，第一表面與第二板邊大體上共平面。次載板係自第二表面向外延伸，並相對突出部具有一傾斜角。

Description

發光裝置

本發明係關於一種發光裝置，尤關於一種具有均勻光場之發光裝置。

發光二極體（Light-Emitting Diode；LED）具有耗能低、壽命長、體積小、反應速度快、以及光學輸出穩定等特性，因此逐漸取代傳統之照明光源被應用於各式家用照明裝置中。但是，發光二極體是一種點光源，且多數光線通常僅朝單一方向放射，因此要產生類似白熾燈泡的全周光光場往往需要使用繁複的結構設計或製造流程。

本發明係揭露一種發光裝置，包含一主載板，具有一第一板邊及一第二板邊；一突出部，自第一板邊延伸且具有一第一表面以及一與此第一表面相對之第二表面，其中，第一表面與第二板邊共平面。一次載板，自第二表面延伸，並與突出部具有一傾斜角。一第一發光單元位於次載板上。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，說明如下。

以下實施例將伴隨圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀或厚度可以擴大或是縮小。

第1A圖顯示本發明一實施例中一發光組件100之立體示意圖。發光組件100包含一載板10、複數個發光單元11、16設置於載板10上、電極12A、12B分別為正負極且設置於載板10上、及一導線結構（圖未示）使複數個發光單元11、16之間產生電性連接。載板10包含一主載板102、四個突出部103A、103B、103C、103D、以及四個次載板101A、101B、101C、101D。發光單元16與電極12A、12B位於主載板102的同一側。於另一實施例中，電極12A、12B與發光單元16位於主載板102的相反側。

在本實施例中，主載板102具有一四邊形的形狀及四個板邊1021、1022、1023、1024，並定義一通過主載板102之形心且垂直於主載板102的中心軸C 。在此，主載板102係涵蓋近似四邊形的區域。突出部103A、103B、103C、103D分別具有一四邊形的形狀，且分別位於主載板102之四個角落（corner）。突出部103A、103B、103C、103D各自從主載板102的四個板邊1021、1022、1023、1024向外凸出且係於XY平面上朝不同方向延伸。突出部103A、103B、103C、103D係與主載板102大體上共平面。在一實施例中，突出部103A、103B、103C、103D與主載板102為一體成形，並無額外的連接件形成於兩者之間。再者，突出部103A、103B、103C、103D各自具有一第一表面與主載板102之板邊1021、1022、1023、1024共平面。如第1A圖及第1C圖所示，以突出部103D為例，突出部103D係自板邊1024朝X方向延伸，且突出部103D之第一表面1031與板邊1023共平面。突出部103D與主載板102相連接的長度（H1）小於1/3的主載板102之板邊1024的長度（H2）。突出部103A、103B、103C與主載板102的關係可參考前述突出部103D之內容，於此不再贅述。

參照第1A～1B圖，突出部103A、103B、103C、103D各自具有一相對於第一表面之第二表面。次載板101A、101B、101C、101D各自從相對應之突出部103A、103B、103C、103D的第二表面大致上朝Z軸方向延伸。如第1B圖所示，以次載板101D為例，次載板101D具有一彎折區101D1自突出部103D之第二表面1032向外延伸（Y軸方向），以及一延伸區101D2以一傾斜角θ自彎折區101D1朝上延伸（Z軸方向），其中，θ定義為延伸區101D2與突出部103D的夾角，其可為 0° ～345°。於一實施例中，θ皆介於90°～145°。類似的，次載板101A、101B、101C與相對應之突出部103A、103B、103C亦夾一傾斜角。次載板101A～101D與各自相對應之突出部103A～103D所夾之傾斜角可以相同或不相同。例如，在另一實施例中，根據光型的設計，使一部分之傾斜角θ介於0° ～180°，另一部分之傾斜角θ介於181° ～345°。此外，次載板101A、101B、101C的相對應描述可參考次載板101D之描述，於此將不在撰述。

參照第1A圖及第1C圖，次載板101A、101B、101C、101D的一側邊與相對應之突出部103A、103B、103C、103D 的一第三表面彼此相距一個距離 d。為了清楚表示，第1C圖係為第1B圖旋轉90度之圖式。以次載板101D為例，次載板101D具有一側邊141與突出部103D之第三表面1033相距一個距離 d，d介於0～10 mm。次載板101A、101B、101C之一側邊與相對應之突出部103A、103B、103C之關係，可參考前開關於次載板101D與突出部103D之描述，在此不再贅述。

如第1A圖所示，複數個發光單元11位於次載板101A～101D上，複數個發光單元16位於主載板102上。位於不同次載板101A～101D上的發光單元11分別朝向不同方向放射光線。複數個發光單元16位於主載板102上，且圍繞中心軸C以類似四邊形的形狀排列。結合發光單元11與發光單元16在不同方向上的出光，發光組件100可達到近似全周光的光型。此處全周光的定義可參考美國能源之星（ENERGY STAR）的定義。在另一實施例中，複數個發光單元16之排列方式也可以為其他形式，例如：圓形、三角形、任意多邊形、或矩陣等。視發光單元16之光電特性與發光組件100對光型的需求，發光單元16可做更緊密或是更鬆散的配置，例如，發光單元16可以同心圓方式配置，或以多層不同幾何形狀方式配置（例如，內層為單點、三角形、四邊形，外層為圓形、五角形、六角形等）。

發光組件100的次載板101A～101D為一長方形，具有一寬度及一長度。在一實施例中，次載板101A～101D之長度為18mm～30mm，寬度小於5 mm；位於次載板101A～101D上的發光單元11，該寬度為0.5 mm～1.5 mm，長度為1 mm～3 mm，並沿著次載板101A～101D的長度方向以單行的形式排列（一維陣列）。因此，次載板與位於其上的發光單元11形成一細長型的發光結構，在此定義為一燈絲（filament）結構。所以，發光組件100具有複數個燈絲結構。每個發光單元11間的距離以及數量可以視發光組件100所需的光型與亮度做適當增加或減少。在另一個實施例中，次載板101A～101D的寬度大於5mm，使得複數個發光單元11在次載板101A～101D得以複數排的形式排列（二維陣列）。

主載板、突出部、與次載板可以是一體成形的結構並具有相同的材料。載板10較佳地為由導熱性佳並可彎折的材料所形成，例如：陶瓷散熱基板或金屬基印刷電路板（MCPCB）。金屬基印刷電路板包含一電路結構層以及一金屬板，電路結構層透過一絕緣介電層與金屬板相黏接，金屬板的材料為銅或鋁等熱傳導性佳的材料。由於金屬材料的導熱係數大於陶瓷材料，且陶瓷材料的導熱係數大於玻璃材料，因此當載板具有相同尺寸的條件下，發光組件100採用金屬基印刷電路板（MCPCB）作為載板10比採用陶瓷散熱基板作為載板10時，可承受較高的操作電流。發光組件100採用陶瓷散熱基板作為載板10時，比採用玻璃基板作為載板10，可承受較高的操作電流。例如，金屬基印刷電路板（MCPCB）作為載板10的發光組件100可操作電流為90～120 mA，陶瓷散熱基板作為載板10的發光組件100可操作電流為60～80 mA，玻璃基板作為載板10的發光組件100可操作電流為30～50 mA。進一步，由於陶瓷散熱基板或是金屬基印刷電路板（MCPCB）作為載板10的發光組件100，可承受較高的操作電流，相較於採用玻璃基板作為載板10的發光組件100，可配置較少的發光單元即能夠達到相同的流明值。

第1D圖與第1E圖分別為發光組件100之不同實施例的等效電路示意圖。第1D圖顯示一實施例之等效電路示意圖，位於同一個次載板101A～101D上的發光單元11與位於主載板102上的發光單元16彼此串聯形成不同的發光單元串。所有的發光單元串彼此並聯，並電連接於電極12A、12B。第1E圖顯示另一實施例之等效電路示意圖，單一個次載板（101A、101B、101C或101D）上的發光單元11形成一個發光單元串，位於主載板102上的發光單元16也形成一個發光單元串。每個發光單元串彼此串聯連接，再電連接至電極12 A、12B。在另一實施例中，部分發光單元串先彼此串聯連接，再與其他發光單元串並聯，或者部分發光單元串先彼此並聯連接，再與其他發光單元串串聯。

第2A圖至第2D圖顯示當第1C圖中d＝0時的發光組件100的製作流程圖。參照第2A圖，提供一四邊形載板10'，電極12A、12B、以及一用以電性連接發光單元的導線結構（圖未示）形成於載板10'上。利用一切割或沖壓方式於載板10'上形成四個溝槽17，藉此定義次載板101A、101B、101C、101D、主載板102、以及突出部103A、103B、103C、103D。溝槽17具有1mm～10mm的寬度。隨後，參照第2B圖，設置發光單元11、16於主載板102以及次載板101A～101D上。

參照第2C圖，利用測試設備T電性導通電極12A、12B，測試發光單元11、16的光電特性（例如：操作電壓、亮度）。因電極12A、12B經由導線結構電性連接到所有的發光單元11、16，當測試設備T與電極12A、12B電性導通時，可一次性地測試載板10'上所有發光單元11、16的光電特性。選擇性地，可設計載板10'上之導線結構使其可以分開或同時量測每個次載板與主載板上的發光單元。參照第2D圖，彎折次載板101A～101D以形成發光組件100。選擇性地，可利用一切割刀預先形成一折彎線（L），再沿著折彎線（L）彎折次載板101A～101D。因此，可避免於彎折過程中突出部及/或次載板101A～101D因過大的應力而斷裂。（參考第1A圖）

於一實施例中，發光組件100中之次載板101A～101D與主載板102以及發光單元11、16可以視為固定於一光板上（主載板102以及發光單元16）的四根燈絲（次載板101A～101D與及發光單元11）。相較於使用四根獨立的燈絲與一光板製作發光組件100，四根獨立的燈絲需要一一測試後，才能與光板進行組裝。然，利用本實施例之結構或製程可以一次性地測試所有燈絲，再彎折次載板101A～101D即可製得發光組件100，可以大幅簡化發光組件100的製作流程（減少測試步驟、縮短測試時間、以及組裝時間）。

第2E圖顯示依據本發明一實施例之五邊形載板10"之示意圖。第2E圖顯示載板10"未彎折之狀態。五個直線形溝槽17形成於載板10"上，藉此定義五個次載板101"A～101"E與一主載板102"。其他相關描述可參考相對應第2A圖之段落。在本實施例中，載板10"的形狀並不限於五邊形載板10"亦可以為其他多邊形，例如三角形、六角形、七邊形、八邊形等。因此，當載板為一N邊形時（N為不小於3之正整數），可形成N個溝槽以定義N個次載板與一主載板，再參考第2A～2D圖的步驟以製作一具有N個次載板的發光組件。

第2F圖顯示依據本發明一實施例之圓形載板10'"之示意圖。第2F圖顯示載板10'"未彎折之狀態。在本實施例中，三個弧形溝槽17形成於載板10'"上，藉此定義三個次載板101'"A～101'"C與一主載板102'"。在另一實施例中，亦可形成四個弧形溝槽以定義四個次載板與一主載板。因此，當形成M個弧形溝槽以定義M個次載板與一主載板（M為不小於2之正整數），再參考第2B～2D圖的步驟以製作一具有M個次載板的發光組件。

第3圖顯示依據本發明另一實施例之發光組件200之立體示意圖。發光組件200包含一載板20、複數個發光單元11、16設置於載板20上、電極22A、22B分別為正負極且設置於載板20上、及一導線結構（圖未示）用以電連接發光單元11、16。發光單元16與電極22A、22B位於載板20的同一側。另一實施例中，電極22A、22B與發光單元16位於載板20的相反側。載板20包含主載板202、及四個次載板201A～201D。主載板202的外板邊具有一四邊形的形狀，並定義兩對角線A1、A2以及一通過兩對角線焦點並垂直於主載板202的中心軸C。主載板202具有四個板邊2021～2024以及四個突出部203A～203D。突出部203A～203D係具有似三角形的外型，分別從板邊2021～2024向內並往中心軸C方向延伸。以突出部203D為例，突出部203D的一底邊為主載板202的板邊2024，一弧角203D1位於靠近中心軸C處且相對於底邊或板邊2024的位置，但不碰觸到中心軸C。突出部203D的第一斜邊203D2以及第二斜邊203D3各自與相鄰的突出部203C、203A的一斜邊間隔一大於0的距離。突出部203A～203D共同定義一十字形開孔204，且十字形開孔204的位置實質上位於兩對角線A1、A2上。次載板201A～201D係分別位於兩鄰近突出部之間且大致上朝Z軸方向延伸。舉例來說，兩鄰近突出部203B、203C間的距離（H3）大於次載板201C的寬度（H4）；H3-H4=1mm～10mm。發光組件200之製作流程與發光組件100類似，即先行利用切割或沖壓方式於載板20上形成溝槽，藉此定義次載板201A～201D、主載板202、以及突出部203A～203D的輪廓及位置。待利用測試設備對載板20上所有發光單元做一次性測試後，再進行彎折次載板201A～201D的步驟，以形成發光組件200。因此，在彎折步驟中，當H3＞ H4時有利於彎折次載板201A～201D。此外，次載板201A～201D與主載板202之夾角θ為0° ～180°。在另一實施例中，次載板201A～201D與主載板202之夾角θ為181°～345°；或者，一部分次載板之傾斜角θ介於 0° ～ 180°，且另一部分次載板之傾斜角θ介於 181°～345°。次載板201A～201D與主載板202間的連接關係可參考前開第1A圖之說明內容，在此不再贅述。

如第3圖所示，發光組件200中，複數個發光單元11位於次載板201A～201D上，複數個發光單元16位於主載板202上，且圍繞中心軸C排列。結合發光單元11與發光單元16在不同方向上的出光，發光組件200可達到近乎全周光的光型。同樣地，視發光單元16之光電特性與發光組件200光型的需求，發光單元16可做更緊密或是更鬆散的配置。次載板201A～201D與複數個發光單元11的尺寸以及排列方式類似發光組件100，因此，次載板201A～201D與位於其上的發光單元11可以視為一燈絲（filament）結構，且發光組件200可視為具有複數個燈絲的發光結構。

於一實施例中，次載板201A～201D、主載板202、以及發光單元11、16可以視為固定於一光板上（主載板202以及發光單元16）的四根燈絲（次載板201A～201D以及發光單元11）。相較於使用四根獨立的燈絲與一光板製作發光組件200時，四根獨立的燈絲結構需要一一測試後，才能與光板進行組裝。然，利用本實施例之結構或製程可以一次性地測試所有燈絲後再彎折次載板201A～201D，如此，大幅簡化製作發光組件200的流程（減少測試步驟、縮短測試時間、以及組裝時間）。

在另一實施例中，載板20具有一N邊形的形狀，且具有N個頂角（N為不小於3的正整數）。載板20具有N個自中心軸（通過形心且垂直於載板的虛擬線段）向頂角延伸之線段，使載板30被均分成N個似三角形的突出部，並共同定義出一自中心軸向外發射的輻射狀開孔，此開孔的位置實質上位於N個線段上。N個次載板係分別位於兩鄰近突出部之間，且大致上朝Z軸方向延伸。次載板與主載板之連接關係的詳細說明可以參閱前述相應段落，於此不再贅述。

第4圖顯示本發明另一實施例中發光組件300之立體示意圖。發光組件包含一圓形載板30，複數個發光單元設置於載板30上、電極32A、32B分別為正負極設置於載板30上、及一導線結構（圖未示）用以電連接發光單元11、16。發光單元16與電極32A、32B位於載板30的同一側。另一實施例中，電極32A、32B與發光單元16位於載板30的相反側。載板30包含主載板302、以及四個次載板301A～301D。主載板302的外板邊具有一圓型的輪廓、一通過圓心並垂直於主載板302的中心軸C、以及四個自中心軸向外延伸的半徑B1～B4。兩相鄰半徑間的夾角為90度，並將主載板302的外板邊均分成四個板邊3021～3024。此外，主載板302具有四個突出部303A～303D，係具有似扇形形狀，分別從板邊3021～3024向內並往中心軸C方向延伸。突出部303A～303D共同定義一十字形開孔304，且十字形開孔304的位置實質上位於四個半徑B1～ B4上。

次載板301A～301D係分別位於兩鄰近突出部303A～303D之間且大致上朝Z軸延伸。舉例來說，兩鄰近突出部303A、303B間的距離（H5）大於次載板301A的寬度（H6）；H5-H6=1mm～10mm。發光組件300之製作流程係先利用切割或沖壓方式於載板30上形成溝槽，藉此定義次載板301A～301D與主載板302。待利用測試設備對載板30上所有發光單元做一次性導通測試後，再進行彎折次載板301A～301D的步驟，以形成發光組件300。因此，在彎折步驟中，H5＞H6的設計可利於彎折次載板201A～201D。此外，次載板301A～301D與主載板302之夾角θ為0° ～180°。在另一實施例中，為了照射載板30下方的位置，次載板301A～301D與主載板302之夾角θ可為181° ～345°；或者，一部分次載板的傾斜角θ介於 0 ～ 180度且另一部分次載板的傾斜角θ介於 181° ～345°。次載板301A～301D與主載板302的詳細連接關係參考前開第1A圖之描述，於此不在贅述。

如第4圖所示，發光組件300中，複數個發光單元11位於次載板301A～301D上，複數個發光單元16位於主載板302上，且圍繞中心軸C排列。結合發光單元11與發光單元16的出光方向，發光組件300可達到近乎全周光的光型。同樣地，視發光單元16之光電特性與發光組件300光型的需求，發光單元16可做更緊密或是更鬆散的配置。

於一實施例中，次載板301A～301D、主載板302、以及發光單元11、16可以視為固定於一光板上（主載板302以及發光單元16）的四根燈絲（次載板301A～301D以及發光單元11）。相較於使用四根獨立的燈絲與一光板製作發光組300，四根獨立的燈絲需要一一測試後，才能與光板進行組裝。然，利用本實施例之結構或製程可以一次性的測試所有燈絲，再彎折次載板301A～301D，進而大幅簡化發光組件300的製作流程（減少測試步驟、縮短測試時間、以及組裝時間）。

在另一實施例中，載板30可具有N個自中心軸C向載板30之外板邊延伸的半徑（N為不小於3的正整數），使載板30被均分成N個似扇形的突出部。N個自外板邊向中心軸延伸的突出部，共同定義出一自中心軸向外發射的輻射狀開孔，此開孔的位置實質上位於該些N個半徑上。N個次載板係分別位於兩鄰近突出部之間，且大致上朝Z軸方向延伸。

第5圖顯示發光裝置1000之立體示意圖。在此實施例中將以發光組件100為例，但其目的並非用以限制本發明之範圍，其他發光組件200、發光組件300等亦可應用於發光裝置1000中。如第5圖所示，發光裝置1000包含一燈罩1003、一承載板1001、及一散熱件1002。發光組件100設置於承載板1001上，並被燈罩1003包覆。承載板1001可以金屬材料、陶瓷材料或是導熱塑膠。發光組件100係藉由焊料、導電黏著劑、卡扣、或螺絲固接於承載板1001上，使發光組件100上的發光單元所產生的熱可以透過承載板1001傳導至散熱件1002。散熱件1002之材料包含金屬、導熱塑膠、或陶瓷。散熱件1002與承載板1001接合的方式，可以藉由卡榫、黏著、焊接、螺絲固定、或是採用模塑方式（molding）。散熱件1002內部具有一空腔（圖未示）。一電控元件（圖未示）設置於空腔內且電連接發光組件100以及外部電路（圖未示）。在一實施例中，電控元件與發光單元可於同一步驟中（例如：第2B圖）設置於主載板與次載板上。

燈罩1003之形狀可為球狀、管狀或蠟燭狀。燈罩1003的形狀可參考美國國家標準協會（American National Standard Institute, ANSI）之標準，例如A系列（A series）、B系列（B series）、S系列（S series）、F系列（F series）和G系列（G series）。燈罩1003可由透明、半透明之透光材質所組成。於燈罩1003內可填充空氣、透明材料或上述二者之組合。在燈罩1003的內表面也可以選擇性的包含一薄膜（未顯示），薄膜包含波長轉換材料、擴散粒子、或其組合。波長轉換材料用於將發光組件100所發出的光進行波長轉換，例如發光組件100發出藍光，經過波長轉換材料將光轉為黃光，藍光與黃光混合後即產生白光。擴散粒子係用於散射藍光、黃光、白光或/且其他發光組件100所產生之光線。

第6A圖顯示本發明另一實施例中發光組件400之立體示意圖。發光組件400，包含一圓形載板40，複數個發光單元11設置於載板40上。圓形載板40包含一主載板402、複數個第一型次載板401、以及複數個第二型次載板403。複數個發光單元11分佈於第一型次載板401上。主載板402具有一圓形的外板邊4022以及一似圓形的內板邊4021，因此主載板402大致上呈現一環形形狀。其中，外板邊4022與內板邊4021具有相同的圓心。第一型次載板401與第二型次載板403自內板邊4021大體上朝Z軸方向延伸，且彼此間隔排列。第一型次載板401與主載板402之夾角θ為90o ～180o。第二型次載板403與主載板402之夾角θ1為90° ～180°。θ與θ1可以相同或是不相同。第一型次載板401具有一寬度W1、以及一長度L1。第二型次載板403具有一近似梯形的外型，具有一上底寬W2、以及一斜邊長L2。第二型次載板403的上底寬W2與斜邊長L2可以與第一型次載板401的寬度W1與長度L1相同或不相同。不同之第一型次載板401的W1與L1可以相同或是不同，不同之第二型次載板403的W2與L2也可以相同或是不同。第一型次載板401的數量與第二型次載板403的數量也可以相同或是不同。在本實施例中，發光組件400具有四個第一型次載板401，四個第二型次載板403，W2＞W1，L2＜ L1，且所有第一型次載板401的寬度W1與長度L1皆相同，所有第二型次載板403的寬度W2與長度L2皆相同。

如第6A圖顯示，複數個發光單元11位於第一型次載板401上，第二型次載板403以及主載板402上並無配置發光單元。主載板402上可選擇性的設置發光單元（未顯示），增加發光組件400在正Z方向上的亮度。

第6B圖顯示發光組件400設置於一承載板1001'之示意圖。承載板1001'係例如第5圖中之承載板1001，但其中心具有一突出部10011，例如一平截頭體（frustum）、角錐、角柱、或圓柱體。若突出部10011下方或內部具有一個容置空間，則可容置一電控元件（圖未示）。電控元件電連接發光組件400以及外部電路。由於此額外的容置空間可以收納全部或部分的電控元件，位於承載板1001'下方之散熱件1002（參考第5圖之1002）的體積可縮小。因此，發光裝置（如第五圖所示）在維持相同的高度下，可以增加燈罩1003的高度，降低散熱件1002的高度，亦即可以提高燈罩1003與散熱件1002的高度比。由於燈罩1003的體積變大，更靠近燈座，出光表面積也增大，側向及向下的出光量（負Z方向）也可以增加

如第6B圖所示，第二型次載板403與突出部10011的側表面10012完全貼合，用以增加發光組件400的散熱效率。在一實施例中，承載板1001'為金屬材料，為防止第一型次載板401上的發光單元11發生短路，可使第一型次載板401不與突出部10011的側表面10012 （意即θ＜θ1）接觸。或者，形成一絕緣層材料於第一型次載板401與突出部10011之側表面10012間（絕緣層材料形成於第一型次載板401或/且側表面10012），因此第一型次載板401及第二型次載板403可與突出部10011的側表面10012相接觸（意即θ=θ1）。又，可不配置導線結構於第一型次載板401面向突出部10011的一側，而將導線結構配置在第一型次載板401用以放置發光單元11之側或第一型次載板401之內。

第7A圖以及第7B圖顯示依據本發明另一實施例之發光組件500之示意圖。第7A圖顯示未折彎前的發光組件500之上視圖。第7B圖顯示折彎後發光組件500之立體示意圖。如第7A圖以及第7B圖所示，發光組件500包含一圓形載板50，四個發光結構503A～503D、及一導線結構（圖未示）。每一發光結構503A～503D包含一載板5031A～5031D以及複數個發光單元11設置於載板5031A～5031D上。如第7A圖所示，未折彎前的圓形載板50具有四個彼此不互相連通的溝槽17，定義出一主載板502以及四個次載板501A～501D。主載板502的外板邊具有一圓型的形狀，並定義一垂直於主載板502的中心軸C以及兩個穿過中心軸的直徑 C1、C2。C1以及C2彼此間的夾角為90度。溝槽17以直徑C1或C2為對稱軸呈現ㄇ字形，藉此，所定義出的次載板501A～501D實質上位於直徑C1以及C2上。如第7B圖所示，折彎次載板501A～501D，使次載板501A～501D大體上自主載板502的外板邊朝Z軸方向偏轉，且與主載板502間具有一傾斜角θ為0° ～180°。

如第7A圖以及第7B圖所示，載板5031A～5031D具有一大致上與次載板501A～501D大致上相同的寬度，且一端與次載板501A～501D相連接。位於載板5031A～5031D上的發光單元11可電連接至位於載板50上的導線結構（圖未示）。發光結構503A～503D藉由焊料、導電黏著劑、卡扣、或是螺絲固接於次載板501A～501D上。換言之，載板5031A～5031D與載板50為兩個獨立的結構。發光組件500如同發光組件100、200、300，可置於如第5圖之發光裝置1000之中。

第8圖顯示發光單元11之剖面示意圖。發光單元16與發光單元11類似，在此僅就發光單元11做詳細說明。發光單元11包含一發光主體111、一第一透明體112、一光學轉換結構113、一第二透明體114、一第三透明體115、以及一光學層119。發光主體111包含一第一型半導體層、一活性層、一第二型半導體層（圖未示）以及兩電極120A、120B。當發光主體111為一異質結構時，第一型半導體層及第二型半導體層，例如為包覆層（cladding layer）及/或限制層（confinement layer），可分別提供電子、電洞，使電子、電洞於活性層中結合以發光。第一型半導體層、活性層、及第二型半導體層可包含Ⅲ-Ⅴ族半導體材料，例如Al_x In_y Ga_{（ 1-x-y ）} N或Al_x In_y Ga_{（ 1-x-y ）} P，其中0≦x，y≦1；（x+y）≦1。依據活性層之材料，發光主體111可發出一峰值（Peak wavelength）或主波長 （dominant wavelength）介於610 nm及650 nm之間的紅光、峰值或主波長介於530 nm及570 nm之間的綠光、或是峰值介於450 nm及490 nm之間的藍光。發光單元11更包含一反射絕緣層116A、116B形成於第一透明體112、一光學轉換結構113及第二透明體114下方且未覆蓋發光主體111之兩電極120A、120B；及延伸電極117A、117B係分別形成於兩電極120A、120B上並與兩電極120A、120B電連接。第一透明體112、第二透明體114及第三透明體115對於光為透明，像是太陽光或發光主體111所發出的光。在一實施例中，第一透明體112、第二透明體114或/及第三透明體115可包含擴散粒子，例如：二氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。

在一實施例中，光學轉換結構113包含複數個螢光粉顆粒（圖未示）並順應第一透明體112之輪廓形成。部分相鄰的螢光粉顆粒彼此接觸，然部分相鄰的螢光粉顆粒彼此未接觸。螢光粉顆粒具有約5 um~100 um的顆粒尺寸（直徑）且可包含一種或兩種以上種類之螢光粉材料。螢光粉材料包含但不限於黃綠色螢光粉及紅色螢光粉。黃綠色螢光粉之成分係例如鋁氧化物（YAG或是TAG）、矽酸鹽、釩酸鹽、鹼土金屬硒化物、或金屬氮化物。紅色螢光粉之成分係例如氟化物（K₂ TiF₆ ：Mn⁴⁺ 、K₂ SiF₆ ：Mn⁴⁺ ）、矽酸鹽、釩酸鹽、鹼土金屬硫化物、金屬氮氧化物、或鎢鉬酸鹽族混合物。光學轉換結構113可吸收發光主體111所發出的第一光並轉換成與第一光不同頻譜之第二光。第一光與第二光混和會產生一混合光，例如白光。在此實施例中，發光單元11於熱穩態下產生的光具有一白光色溫為2200K~6500K（例如：2200K、2400K、2700K、3000K、5700K、6500K），其色點值（CIE x, y）會落於七個麥克亞當橢圓（MacAdam ellipse）之範圍，並具有一大於80或大於90之演色性（CRI）。在另一實施例，第一光與第二光混合可產生紫光、黃光或其他非白光的色光。

第一透明體112及第二透明體114分別包含矽膠（Silicone）、環氧樹脂（Epoxy）、聚亞醯胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、SU8、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚醯亞胺（Polyetherimide）、氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer）、氧化鋁（Al₂ O₃ ）、SINR、或旋塗玻璃（SOG）。第三透明體115包含藍寶石（Sapphire）、鑽石（Diamond）、玻璃（Glass）、環氧樹脂（Epoxy）、石英（quartz）、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、氧化矽（SiO_X ）、氧化鋁（Al₂ O₃ ）、氧化鋅（ZnO）、或矽膠（Silicone）。反射絕緣層116包含一基質及高反射率物質之混和物。基質可為矽膠基質（silicone-based）或環氧基質（epoxy-based）；高反射率物質可包含二氧化鈦、二氧化矽或氧化鋁。此外，反射絕緣層126可具有反射光或擴散光之作用。延伸電極117A、117B包含金屬，例如：銅、鈦、金、鎳、或及其組合。

如第8圖所示，第三透明體115形成於第二透明體114之上方，具有一上寬下窄的形狀，詳言之，第三透明體115具有一第一部份1151、及一第二部分1152。第二部分1152較靠近第二透明體114且其寬度小於第一部份1151之寬度。第一部分1151的厚度約為第三透明體115厚度的1%～20%或是1%～10%。在本實施例中，第一部分1151與第二部分1152之相接處為一弧形。第一部分1151具有一側表面1151S較第二透明體114之側表面1142遠離發光主體111。選擇性地，側表面1151S也可大致上與側表面1142齊平。位於延伸電極117A、117B之間的反射絕緣層116B下表面具有一隆起的弧狀結構，其隆起的最大厚度比電極120A、120B厚。位於電極120A、120B兩側的反射絕緣層116A亦具有弧狀的下表面，且其厚度從電極120A、120B向發光單元11的外側方向漸漸變厚，最終反射絕緣層116A的外側表面與第二透明體的側表面1142共平面。部分的反射絕緣層116A之下表面被延伸電極117A、117B所覆蓋並相接觸，另一部分遠離發光主體111的下表面並未被延伸電極117A、117所覆蓋。

如第8圖顯示，光學層119形成於第三透明體115與第二透明體114之間。光學層119可以是單層或者多層結構，單層結構例如為一金屬層，包含例如銀或鋁，或是一氧化物層，包含例如二氧化鈦。多層結構可以是金屬與金屬氧化物的疊層或是分散式布拉格反射鏡（Distributed Bragg reflector、DBR）以達到反射的效果。金屬與金屬氧化物的疊層例如鋁與氧化鋁的疊層。分散式布拉格反射鏡可為非半導體疊層或半導體疊層。非半導體疊層之材料可選自下列群組之一：氧化鋁（Al2O3）、氧化矽（SiO₂ ）、二氧化鈦（TiO₂ ）、五氧化二鈮（Nb₂ O₅ ）、氮化矽（SiN_x ）。半導體疊層之材料可選自下列群組之一：氮化鎵（GaN）、氮化鋁鎵（AlGaN）、氮化铝铟镓（AlInGaN）、砷化鋁（AlAs）、砷化鋁鎵（AlGaAs）、砷化鎵（GaAs）。在本實施例中，不論是單層結構或者多層結構，都不會完全反射光線，因此至少有部分的光線會直接穿過反射結構129。

在一實施例中，光學層119係由非半導體材料組成（例如SiO₂ 、TiO₂ 等氧化物）之分散式布拉格反射鏡，具有如第9A～9B圖所示的光學特性。光學層119對於波長在420～750nm的光線，具有接近100%的反射率，可以反射發光主體111發出的光，包含紅光、黃光、藍光以及綠光。光學層119對於波長在350～420nm以及大於750nm的光線則具有低於50~10%或低於10%的反射率。如第9A圖所示，光學層119可進一步包含第一光學層1191與第二光學層1192。第一光學層1191與第二光學層1192具有不同的疊層數以及／或不同疊層的厚度。第一光學層1191在420～600nm之間，而第二光學層1192在550～750nm之間均具有接近100%的反射率。藉由兩個光學層的組合可以提供相當於第9A圖的反射效果。在第9B圖中，光學層119由第一光學層1191、第二光學層1192與第三光學層1193組成，三個光學層各自具有不同的光學特性，堆疊後在420～750nm之間具有接近100%的反射率。第9A～9B圖為根據本發明實施例的光學層119之光學特性示意圖，其中第一光學層1191、第二光學層1192與第三光學層1193的厚度不同。在其他實施例中，上述的三個光學層的厚度相同。在其他實施例中，光學層119可以是由三層以上厚度相同或者不同的材料層所組成。光學層119所包含的複數個材料層各自具有不同的光學特性，並且可以在同樣的波長範圍內提供類似的反射率，例如第9A圖中，第一光學層1191與第二光學層1192在550～600nm之間都具有接近100%的反射率。在其他實施例中，光學層119更可以在380～980nm之間具有接近100%反射率。在其他實施例中，光學層119對於波長範圍為450 nm~475 nm之間的光線具有大於85%的反射率；對於波長範圍介於400 nm~600 nm的光線具有大於80%的反射率。未被光學層119反射的光線可以進入第三透明體115，並由第三透明體115的上方或側面離開發光單元11。

如第8圖所示，光學層119實質上覆蓋整個發光單元11的橫截面，亦即光學層119覆蓋發光主體111與反射絕緣層116。發光主體111發出的光線在經過第三透明體115之前必然經過光學層119。而被光學層119反射的部份，有一部分會經過側表面1142直接離開發光單元，有一部分則會先經過反射絕緣層116A反射，再由側表面1142離開發光單元11。因此，對發光單元11而言，可於水平方向上獲得較多的光強度。

第10圖顯示依據本發明之另一實施例之發光單元11之剖面圖（發光單元11的輪廓由上視圖觀之可以是正方形、長方形、菱形、三角形或其他多邊形）。發光單元11包含一發光主體111。兩個電極120A、120B位於發光主體111之下表面1111（下表面1111可以是一個平面或數個平面/曲面的組合），兩個電極120A、120B的側表面1201不超過發光主體111的側表面1112。一光學轉換結構113覆蓋於發光主體111之上表面1113、側表面1112、以及兩個電極的側表面1201。光學轉換結構113亦填入兩個電極120A、120B之間。兩個電極120A、120B的下表面1202係未被光學轉換結構113所覆蓋且用以電連接到外部電路。光學轉換結構113之下表面1131大體上與電極120A、120B之下表面1202共平面（例如，下表面1202與下表面1131之落差不大於1/2或1/3的電極高度）。發光單元11可以為一六面發光之發光體且具有一約140度之發光角度。在此所描述之發光角度定義為當亮度為最大亮度之50%時所包含的角度範圍即為發光角度。發光角度之詳細描述可參考台灣申請案104103105之內容。

第11圖顯示依據本發明之另一實施例之發光單元11之剖面圖（發光單元11的輪廓由上視圖觀之可以是正方形、長方形、菱形、三角形或其他多邊形）。發光單元11包含一發光主體111。兩個電極120A、120B位於發光主體111之下表面1111，兩個電極的側表面1201不超過發光主體111的側表面1112。光學轉換結構113覆蓋於發光主體111之上表面1113、側表面1112、以及兩個電極的側表面1201。光學轉換結構113亦填入兩個電極120A、120B之間。兩個電極120A、120B的下表面1202係未被光學轉換結構113所覆蓋且用以電連接到外部電路。光學轉換結構113之下表面1131大體上與電極120A、120B之下表面1202共平面（例如，下表面1202與下表面1131之落差不大於1/2或1/3的電極高度）。反射絕緣層116位於光學轉換結構113之上，覆蓋發光主體111以及光學轉換結構113。反射絕緣層116的側表面1161大體上與光學轉換結構113的側表面1132共平面。反射絕緣層116包含一基質及高反射率物質之混和物。基質可為或矽膠基質（silicone-based）或環氧基質（epoxy-based）；高反射率物質可包含二氧化鈦、二氧化矽或氧化鋁。在本實施例中，發光單元11所形成的光場在水平方向的各個角度上具有類似的光強度。

相較於第10圖的發光單元，第8圖或是第11圖的發光單元於水平方向具有較大的光強度。因此，在第5圖之發光裝置1000中，發光組件100於次載板上使用第10圖的發光單元11，相較於使用第8圖或是第11圖的發光單元11，發光組件100上次載板數量可以減少。或者，每一次載板上使用的發光單元亦可以較少。反之，若主載板上需要正Z方向的出光，可以配置如第10圖的發光單元，以增加發光裝置1000於正Z方向上的發光量。然而，主載板與次載板所需的發光單元組合不限制於上述的組合，可以視實際發光裝置1000的光型以及亮度的需求交錯配置不同結構的發光單元於主載板與次載板上，例如在次載板上同時配置第8圖的發光單元以及第10圖的發光單元。此外，其他發光組件200~500中，發光單元的配置考量如同發光組件100，在此即不再重複贅述。

需了解的是，本發明中上述之實施例在適當的情況下，是可互相組合或替換，而非僅限於所描述之特定實施例。本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易見之修飾或變更接不脫離本發明之精神與範圍。

100、200、300、400、500‧‧‧發光組件
101A～101D、201A～201D、301A～301D、501A～501D‧‧‧次載板
101"A～101"E、101'"A～101'"C‧‧‧次載板
102、202、302、402、502 、102"、102'"‧‧‧主載板
10 、20、30、40、50、10'、10"、10'"、5031A～5031D‧‧‧載板
12A、12B、22A、22B、32A、32B‧‧‧電極
103A～103D 、203A～203D、303A～303D、10011‧‧‧突出部
θ、θ1‧‧‧傾斜角
11、16‧‧‧發光單元
C‧‧‧中心軸
d、H5‧‧‧距離
1021～1024、2021～2024、3021～3024‧‧‧板邊
H1、H2、H3、L1、L2‧‧‧長度
101D1‧‧‧彎折區
101D2‧‧‧延伸區
141‧‧‧側邊
1031‧‧‧第一表面
1032‧‧‧第二表面
1033‧‧‧第三表面
T‧‧‧測試設備
L‧‧‧折彎線
17‧‧‧溝槽
A1、A2‧‧‧對角線
204、304‧‧‧開孔
203D1‧‧‧弧角
203D2‧‧‧第一斜邊
203D3‧‧‧第二斜邊
B1～B4‧‧‧半徑
1000‧‧‧發光裝置
1003‧‧‧燈罩
1001、1001'‧‧‧承載板
1002‧‧‧散熱件
401‧‧‧第一型次載板
403‧‧‧第二型次載板
H4、H6、W1、W2‧‧‧寬度
4021‧‧‧內板邊
4022‧‧‧外板邊
10012‧‧‧側表面
503A～503D‧‧‧發光結構
C1、C2‧‧‧直徑
111‧‧‧發光主體
112‧‧‧第一透明體
113‧‧‧光學轉換結構
114‧‧‧第二透明體
115‧‧‧第三透明體
120A、120B‧‧‧電極
116、116A、116B‧‧‧反射絕緣層
117A、117B‧‧‧延伸電極
119‧‧‧光學層
1151‧‧‧第一部份
1152‧‧‧第二部份
1151S、1142、1112、1201、1132、1161‧‧‧側表面
1191‧‧‧第一光學層
1192‧‧‧第二光學層
1193‧‧‧第三光學層
1113‧‧‧上表面
1111、1131、1202‧‧‧下表面

第1A圖為依據本發明一實施例之一發光組件之立體示意圖。

第1B圖、第1C圖為第1A圖之發光組件的局部放大圖。

第1D圖為第1A圖之發光組件上發光單元的一等效電路示意圖。

第1E圖為第1A圖之發光組件上發光單元的另一等效電路示意圖。

第2A～2D圖為依據本發明一實施例之發光組件之製作流程圖。

第2E圖為本發明另一實施例之一發光組件的載板示意圖。

第2F圖為本發明又一實施例之一發光組件的載板示意圖。

第3圖為依據本發明一實施例之一發光組件之立體示意圖。

第4圖為依據本發明再一實施例之一發光組件之立體示意圖。

第5圖為依據本發明一實施例之一發光裝置之立體示意圖。

第6A圖為依據本發明另一實施例之一發光組件之立體示意圖。

第6B圖為本發明一實施例之一發光組件置於一承載板上的立體示意圖。

第7A、7B圖為依據本發明另一實施例之一發光組件之立體示意圖。

第8圖為依據本發明一實施例的發光單元之剖面示意圖。

第9A、9B圖為依據本發明一實施例的光學層的反射率與波長之關係圖。

第10圖為依據本發明另一實施例的發光單元之剖面示意圖。

第11圖為依據本發明另一實施例的發光單元之剖面示意圖。

Claims (10)

1. 一種發光裝置，包含：一第一發光主體，具有一上表面、一相對於上表面的下表面、以及複數個側表面位於該上表面與該下表面之間；一光學轉換結構，具有一第一外側表面，並且覆蓋該上表面與該複數個側表面；以及一反射絕緣層形成於光學轉換結構以及該上表面之上，具有一第二外側表面，並且直接接觸該光學轉換結構；其中，該第一外側表面與該第二外側表面大體上共平面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該反射絕緣層包含一基質以及一高反射率物質。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該反射絕緣層包含二氧化鈦、或二氧化矽。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中，該光學轉換結構包含螢光粉顆粒。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包含一第一電極以及一第二電極，各位於該下表面上並包含一最外側表面。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中，該第一電極以及該第二電極的該些最外側表面不超過該第一發光主體的該複數個側表面。
7. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其中，該光學轉換結構覆蓋該第一電極以及該第二電極之該些最外側表面。
8. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，更包含一可彎折的載板，該載板上具有一導線結構，該導線結構與該第一電極以及該第二電極電性連接。
9. 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置，更包含一第二發光主體位於該載板上並與該導線結構電性連接。
10. 如申請專利範圍第9項所述之發光裝置，該第二發光主體與該第一發光主體串聯連接。