TWI632731B - 天線基板 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種天線基板，係具備：積層有複數個介電質層之介電質基板；接地導體層；帶狀導體；第1補片導體；第2補片導體；第3補片導體；及貫通導體；第1補片導體、第2補片導體、及第3補片導體係電性獨立，貫通導體係由朝帶狀導體之延伸方向彼此鄰接排列之至少2個貫通導體所構成。

Description

天線基板

本發明係關於一種藉由將介電質層與導體層積層為多層而形成之天線基板。

天線基板係在例如第14A圖及第14B圖之剖視圖及俯視圖中，如第15圖之分解立體圖所示，具備：積層有多數個介電質層11a至11e之介電質基板11；遮蔽用之接地導體層12；用以輸出輸入高頻信號之帶狀導體13；及用以傳送接收電磁波之補片(patch)導體14。

介電質基板11係例如將5層之介電質層11a至11e予以上下積層而成者。介電質層11a至11e係例如由含有玻璃布之樹脂層或不含玻璃布之樹脂所形成。接地導體12係被覆在最下層之介電質層11a的下表面整體。接地導體12係例如由銅所構成。帶狀導體13係隔介著介電質層11a而與接地導體12相對向，且配設在介電質層11a、11b之間。帶狀導體13係使介電質基板11之內部從外周緣往中央部朝一方向延伸之細帶狀的導體，且在介電質基板11之中央部具有終端部1。帶狀導體13係例如由銅所構成。

補片導體14係由第1補片導體14a、第2 補片導體14b、及第3補片導體14c所構成。該等補片導體14a至14c係形成四角形。補片導體14a至14c係例如由銅所構成。

第1補片導體14a係以覆蓋到帶狀導體13 之終端部13a之位置的方式配設在介電質層11c與11d之間。第1補片導體14a係透過貫通介電質層11c之貫通導體15及貫通介電質層11b的貫通導體16而連接在帶狀導體13的終端部13a。

第2補片導體14b係以覆蓋到形成有第1 補片導體14a之位置的方式配置在介電質層11d與11e之間。第2補片導體14b係電性獨立。第3補片導體14c係以覆蓋到形成有第2補片導體14b之位置的方式配設在介電質層11e之上表面。第3補片導體14c係電性獨立。

在該天線基板中，當對帶狀導體13供給高 頻信號時，該信號係經由貫通導體15及16而傳送至第1補片導體14a。該信號係透過第1補片導體14a、第2補片導體14b及第3補片導體14c，作為電磁波而放射至外部。 然而，在該天線基板中，除了第1補片導體14a之外，亦具備電性獨立之第2補片導體14b及第3補片導體14c，係由於藉由該構成而可使天線之頻寬變得寬頻化。該種以往之天線基板係記載在例如日本特開平5-145327號公報。

然而，例如，在無線個人區域網路所使用之頻寬係在各國不同，為了使一個天線基板在全世界都可 以使用，必須涵蓋可在全世界使用一個天線基板所需之廣域的頻寬。因此，必須提供具有比習知之天線基板更廣域之頻寬的天線基板。

本發明之課題係在於提供一種在廣域之頻寬中可進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

本發明之天線基板係具備：第1介電質層；帶狀導體，以具有終端部之方式配置在前述第1介電質層之上表面，且朝該終端部延伸；接地導體層，配置在前述第1介電質層之下表面側；第2介電質層，積層在前述第1介電質層及前述帶狀導體之上表面側；第1補片導體，以覆蓋到前述終端部之位置的方式配置在前述第2介電質層之上表面；第3介電質層，積層在前述第2介電質層及前述第1補片導體上；第2補片導體，以至少一部分覆蓋到形成有前述第1補片導體之位置的方式配置在前述第3介電質層之上表面，且電性獨立；第4介電質層，積層在前述第3介電質層及前述第2補片導體上；第3補片導體，以至少一部分覆蓋到形成有前述第2補片導體之位置的方式配置在前述第4介電質層之上表面，且電性獨立；及貫通導體，貫通前述第2介電質層且連接前述終端部與前述第1補片導體；前述貫通導體係由朝前述帶狀導體之延伸方向彼此鄰接排列之至少2個貫通導體所構成。

依據本發明之天線基板，連接隔介第2介電 質層而配置之帶狀導體的終端部與第1補片導體之貫通導體，係由朝帶狀導體之延伸方向彼此鄰接排列之至少2個貫通導體所構成。因此，藉由如上述方式配置之至少2個貫通導體而在第1至第3補片導體會良好地產生複合性共振，因此可提供一種可在廣域之頻寬中進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

1、111‧‧‧介電質基板

1a至1e、11a至11c、111a、111b‧‧‧介電質層

2‧‧‧接地導體層

3、13‧‧‧帶狀導體

3a、13a‧‧‧終端部

4、14‧‧‧補片導體

4a、14a‧‧‧第1補片導體

4b、14b‧‧‧第2補片導體

4c、14c‧‧‧第3補片導體

5a、5b、6、15、16‧‧‧貫通導體

7‧‧‧輔助補片導體

第1A圖及第1B圖係分別顯示本發明之天線基板之第1實施形態的剖視圖及俯視圖。

第2圖係第1圖所示之天線基板之分解立體圖。

第3圖係顯示利用第1圖所示之本發明之天線基板的解析模型及第14圖所示之習知之天線基板的解析模型來模擬信號之反射損失的結果之曲線圖。

第4A圖及第4B圖係分別顯示本發明之天線基板之第2實施形態的剖視圖及俯視圖。

第5圖係利用第4圖所示之本發明之天線基板的解析模型及第14圖所示之習知之天線基板的解析模型來模擬信號之反射損失的結果之曲線圖。

第6A圖及第6B圖係分別顯示本發明之天線基板之第3實施形態的剖視圖及俯視圖。

第7圖係利用第6圖所示之本發明之天線基板的解析模型及第14圖所示之習知之天線基板的解析模型來模擬 信號之反射損失的結果之曲線圖。

第8A圖及第8B圖係分別顯示本發明之天線基板之第4實施形態的剖視圖及俯視圖。

第9圖係利用第8圖所示之本發明之天線基板的解析模型及第14圖所示之習知之天線基板的解析模型來模擬信號之反射損失的結果之曲線圖。

第10A圖及第10B圖係分別顯示本發明之天線基板之第5實施形態的剖視圖及俯視圖。

第11圖係利用第10圖所示之本發明之天線基板的解析模型及第14圖所示之習知之天線基板的解析模型來模擬信號之反射損失的結果之曲線圖。

第12A圖及第12B圖係分別顯示本發明之天線基板之第6實施形態的剖視圖及俯視圖。

第13圖係利用第12圖所示之本發明之天線基板的解析模型及第14圖所示之習知之天線基板的解析模型來模擬信號之反射損失的結果之曲線圖。

第14A圖及第14B圖係分別顯示習知之天線基板之第3實施形態的剖視圖及俯視圖。

第15圖係第14圖所示之習知之天線基板的分解立體圖。

接著，依據第1A圖、第1B圖及第2圖說明本發明之天線基板的第1實施形態。該天線基板係如第1A圖及第1B圖之剖視圖及俯視圖、及第2圖之分解立體 圖所示，具備：積層有多數個介電質層1a至1e之介電質基板1；遮蔽用之接地導體層2；用以將高頻信號予以輸入輸出之帶狀導體3；及用以傳送接收電磁波之補片導體4。

介電質層1a至1e係例如由在玻璃布含浸有 環氧樹脂、BT樹脂(Bismaleimide Triazine Resin)、丙烯變性PPE樹脂等熱硬化性樹脂之樹脂系的介電質材料所構成。介電質層1a至1e之厚度為30至100μm左右。介電質層1a至1e之介電常數為3至5左右。介電質層1a至1e係分別為第1介電質層1a、中間介電質層1b、第2介電質層1c、第3介電質層1d及第4介電質層1e。

接地導體2係被覆在最下層之第1介電質層 1a之下表面的整面。接地導體2係發揮遮蔽之功能。接地導體2之厚度為5至20μm左右。接地導體2係例如由銅所構成。

帶狀導體3係隔介第1介電質層1a而與接 地導體2相對向，且配設在第1介電質層1a與中間介電質層1b之間。帶狀導體3係在介電質基板1之中央部具有終端部3a之細帶狀的導體，使介電質基板1之內部往終端部3a朝一方向(以下，稱為延伸方向)延伸。帶狀導體3係在本發明之天線基板中，發揮作為用以將高頻信號輸入輸出之傳輸路的功能，將高頻信號傳輸至該帶狀導體3。帶狀導體3之寬度為50至350μm左右。帶狀導體3之厚度為5至20μm左右。帶狀導體3係例如由銅所構成。

補片導體4係由第1補片導體4a、第2補 片導體4b、及第3補片導體4c所構成。該等補片導體4a至4c係電性彼此地獨立。補片導體4a至4c係形成具有以下邊之四角形：與帶狀導體3之延伸方向平行的邊(以下，稱為縱邊)；與相對於延伸方向呈直角之方向平行的邊(以下、稱為橫邊)。補片導體4a至4c之各邊的長度為0.5至5mm左右。補片導體4a至4c之厚度為分別5至20μm左右。補片導體4a至4c係例如分別由銅所構成。

第1補片導體4a係以覆蓋到帶狀導體3之 終端部3a之位置的方式，配設在第2介電質層1c與第3介電質層1d之間。因此，在第1補片導體4a與帶狀導體3之間介設有2層之介電質層1b、1c。

第1補片導體4a係透過貫通第2介電質層 1c之貫通導體5a、5b及貫通中間介電質層1b之貫通導體6而連接在帶狀導體3之終端部3a。2個貫通導體5a、5b係朝帶狀導體3之延伸方向彼此鄰接排列而設置，其直徑分別為30至200μm左右，且呈圓柱狀或厚度為5至20μm左右的圓筒狀。2個貫通導體5a、5b彼此之中心間距離為50至300μm左右。貫通導體6係呈直徑為30至100μm左右之圓柱狀或圓錐台狀。貫通導體5a、5b及貫通導體6係例如分別由銅所構成。第1補片導體4a係接收來自帶狀導體3之高頻信號的供給而將電磁波放射至外部。或者，接收來自外部之電磁波而使帶狀導體3產生高頻信號。

第2補片導體4b係以覆蓋到形成有第1補片導體4a之位置的方式，配置在第3介電質層1d與第4 介電質層1e之間。藉此，第2補片導體4b係隔介第3介電質層1d而與第1補片導體4a靜電電容結合。第2補片導體4b係接收來自第1補片導體4a之電磁波，將對應於該電磁波的電磁波放射至外部。或者，接收來自外部之電磁波，將對應於該電磁波的電磁波供給至第1補片導體4a。第2補片導體4b係以其各邊比第1補片導體4a之各邊分別大0至0.5mm左右為佳。

第3補片導體4c係以覆蓋到形成有第2補 片導體4b之位置的方式，配設在最上層之第4介電質層1e的上表面。藉此，第3補片導體4c係隔介第4介電質層1e而與第2補片導體4b靜電電容結合。第3補片導體4c係接收來自第2補片導體4b之電磁波，將對應於該電磁波的電磁波放射至外部。或者，接收來自外部之電磁波，將對應於該電磁波的電磁波供給至第2補片導體4b。第3補片導體4c係以其各邊比第2補片導體4b之各邊分別大0至0.5μm左右為佳。

在本發明之天線基板中，較重要為將連接 帶狀導體3與第1補片導體4a之貫通導體5a、5b，朝帶狀導體3之延伸方向彼此鄰接排列來設置。因此，藉由如上述方式配置之2個貫通導體5a、5b而在第1至第3補片導體良好地產生複合性共振，因此可提供一種可在廣域之頻寬中進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

在將第1圖所示之本發明之天線基板及第 14圖所示之習知之天線基板予以模型化的解析模型中，藉 由電磁場模擬器來模擬將高頻信號輸入至帶狀導體時的反射損失。將該結果顯示在第3圖。在第3圖中，以實線所示之曲線圖為由第1實施形態之天線基板所產生之解析模型的反射損失，而以虛線所示之曲線圖為由習知之天線基板所產生之解析模型的反射損失。在第3圖中，係要求粗線所示之反射損失為-10dB以下之頻帶寬度儘可能為寬。 由第3圖得知，在習知之天線基板的解析模型中，天線基板所要求之反射損失-10dB以下的頻帶寬度為約6.9GHz之窄頻。相對於此，在第1實施形態之天線基板的解析模型中，反射損失-10dB以下之頻帶為約10.7GHz的寬頻。

模擬之條件係如以下所述。在第1實施形態 之天線基板的解析模型中，將第1圖之介電質層1a至1e的介電常數設為3.35。分別將介電質層1a、1b、1d及1e之厚度設為50μm，將介電質層1c之厚度設為100μm。 帶狀導體3、接地導體層2及補片導體4a至4c係由銅所形成，將厚度分別設為18μm。帶狀導體3係將寬度設為85μm，將長度設為3mm，使介電質層1a、1b之間從介電質基板1之外周緣往中央部朝一方向延伸，將終端部3a配置成位於介電質基板1之中央部。以200μm之中心間距離將直徑為180μm之圓形的島圖案設置在帶狀導體3之終端部3a。

第1補片導體4a係將與帶狀導體3之延伸 方向平行的縱邊設為1mm，將與該縱邊呈直角之橫邊設為1.4mm。藉由直徑為90μm之圓柱狀的貫通導體5a、5b及 直徑為90μm之貫通導體6來連接設在第1補片導體4a與帶狀導體3之終端部3a的島圖案。貫通導體5a、5b之連接位置係在第1補片導體4a之2個縱邊之間的中央，且設為貫通導體5a、5b之中心分別配置在距離帶狀導體3所延伸之側的橫邊50μm之位置及200μm之位置。貫通導體5a、5b及貫通導體6係由銅所形成者。

第2補片導體4b係將與帶狀導體3之延伸 方向平行的縱邊設為1mm，將與縱邊呈直角之橫邊設為1.5mm。第2補片導體4b係以使其中心位置與第1補片導體4a之中心位置重疊之方式配設。

第3補片導體4c係將與帶狀導體3之延伸 方向平行的縱邊設為1.2mm，將與縱邊呈直角之橫邊設為1.6mm。第3補片導體4c係以使其中心位置與第1補片導體4a之中心位置及第2補片導體4b之中心位置重疊之方式配設。

習知之天線基板之解析模型係在第1實施 形態之天線基板的解析模型中，除了在帶狀導體3之終端部3a僅設置1個島狀圖案，且僅設置貫通導體5a及連接於貫通導體5a之貫通導體6以外，皆使用全部相同之模型。

接著，依據第4A圖及第4B圖說明本發明 之天線基板的第2實施形態。此外，在第2實施形態天線基板中，針對與第1實施形態之天線基板共通的部分，標示與第1實施形態之天線基板相同之符號，並省略其詳細說明。

在第2實施形態之天線基板中，與第1實施 形態之天線基板相比較，相異點如下：第2補片導體4b之中心係相對於前述第1補片導體4a之中心，朝帶狀導體3之延伸方向偏離，第3補片導體4c之中心係相對於第2補片導體4b之中心，朝帶狀導體3之延伸方向偏離。第2補片導體4b之偏離，係設為覆蓋到形成有第1補片導體4a之位置的80%以上之面積的程度。第3補片導體4c之偏離係設為覆蓋到形成有第2補片導體4b之位置的80%以上之面積的程度。其他點係與第1實施形態之天線基板相同。補片導體之中心係指補片導體為四角形時2個對角線之交點。

依據第2實施形態之天線基板，第1補片導 體4a、第2補片導體4b、及第3補片導體4c，係由朝帶狀導體3之延伸方向偏離而配置。因此，在藉由如上述方式配置之第1至3補片導體4a至4c會進一步良好地產生複合性共振，因此可提供一種可在廣域之頻寬中進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

在將第4圖所示之第2實施形態之天線基板 及第14圖所示之習知之天線基板予以模型化的解析模型中，藉由電磁場模擬器來模擬將高頻信號輸入至帶狀導體時的反射損失。將該結果顯示在第5圖。在第5圖中，以實線所示之曲線圖為由第2實施形態之天線基板所產生之解析模型的反射損失，而以虛線所示之曲線圖為由習知之天線基板所產生之解析模型的反射損失。在第5圖中，係 要求粗線所示之反射損失為-10dB以下之頻帶寬度儘可能為寬。由第5圖得知，在習知之天線基板的解析模型中，天線基板所要求之反射損失-10dB以下的頻帶寬度為約6.9GHz之窄頻。相對於此，在第2實施形態之天線基板的解析模型中，反射損失-10dB以下之頻帶的寬度為約14.2GHz的寬頻。

第2實施形態之天線基板的解析模型與第1 實施形態之天線基板的解析模型相比較，除了第2補片導體4b之位置及第3補片導體4c之位置不同以外，全部使用相同之模型。第2補片導體4b係以覆蓋到形成有第1補片導體4a之位置的90%之面積的方式，使其中心位置從第1補片導體4a的中心位置朝帶狀線路3之延伸方向偏離而配置。第3補片導體4c係以覆蓋到形成有第2補片導體4b之位置的90%之面積的方式，使其中心位置從第2補片導體4b的中心位置朝帶狀線路3之延伸方向偏離而配置。

接著，依據第6A圖及第6B圖說明本發明 之天線基板的第3實施形態。此外，在第3實施形態天線基板中，針對與第1實施形態之天線基板共通的部分，標示與第1實施形態之天線基板相同之符號，並省略其詳細說明。

在第3實施形態之天線基板中，與第1實施 形態之天線基板相比較，相異點如下：輔助補片導體7係配設在最上層之第4介電質層1e之上表面。輔助補片導體7係在第3補片導體4c之與帶狀導體3之延伸方向正交的 方向之兩側，隔著距離第3補片導體4c0.1至1mm左右之間隔各配設有1個。輔助補片導體7係形成與第3補片導體4c之縱邊平行的縱邊及與第3補片導體4c之橫邊平行之橫邊的1邊之長度為0.1至5mm左右的四角形。輔助補片導體7係以覆蓋到形成有第1補片導體4a及第2補片導體4b之位置的方式配置。輔助補片導體7係與補片導體4同樣地，例如由銅所構成。其他之點係與第1實施形態之天線基板相同。

依據第3實施形態之天線基板，在第3補片 導體4c之與帶狀導體3之延伸方向正交的方向之兩側，具備有以覆蓋到形成有第1補片導體4a及第2補片導體4b之位置的方式配置之輔助補片導體7。因此，藉由如上述方式配置之第1至3補片導體4a至4c及輔助補片導體7而會更良好地產生複合性共振，因此可提供一種可在廣域之頻寬中進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

在將第6圖所示之第3實施形態之天線基板 及第14圖所示之習知之天線基板予以模型化的解析模型中，藉由電磁場模擬器來模擬將高頻信號輸入至帶狀導體時的反射損失。將該結果顯示在第7圖。在第7圖中，以實線所示之曲線圖為由第3實施形態之天線基板所產生之解析模型的反射損失，而以虛線所示之曲線圖為由習知之天線基板所產生之解析模型的反射損失。在第7圖中，係要求粗線所示之反射損失為-10dB以下之頻帶寬度儘可能為寬。由第7圖得知，在習知之天線基板的解析模型中， 天線基板所要求之反射損失-10dB以下的頻帶寬度為約6.9GHz之窄頻。相對於此，在第3實施形態之天線基板的解析模型中，反射損失-10dB以下之頻帶為約10.8GHz的寬頻。

第3實施形態之天線基板的解析模型，係與 第1實施形態之天線基板的解析模型進行比較，除了設置輔助補片導體7以外，皆使用相同之模型。輔助補片導體7係由銅所形成，將與帶狀導體3之延伸方向平行的縱邊設為1.1mm，將與縱邊垂直之橫邊設為0.5mm。輔助補片導體7係以使其縱邊朝第3補片導體4c之縱邊的正橫向排列之方式，在第3補片導體4c之長邊方向的兩側各設置1個。第3補片導體4c與輔助補片導體7之間隔係設為0.35mm。

接著，依據第8A圖及第8B圖說明本發明 之天線基板的第4實施形態。此外，在第4實施形態天線基板中，針對與第2實施形態之天線基板共通的部分，標示與第2實施形態之天線基板相同之符號，並省略其詳細說明。

在第4實施形態之天線基板中，與第2實施 形態之天線基板相比較，相異點如下：輔助補片導體7係配設在最上層之第4介電質層1e之上表面。輔助補片導體7之詳細係如上所述，並省略說明。其他之點係與第2實施形態之天線基板相同。

依據第4實施形態之天線基板，第1補片導 體4a、第2補片導體4b及第3補片導體4c係朝帶狀導體3之延伸方向偏離而配置，並且在第3補片導體4c之與帶狀導體3之延伸方向正交的方向之兩側，具備有以覆蓋到形成有第1補片導體4a及第2補片導體4b之位置的方式配置之輔助補片導體7。因此，藉由如上述方式配置之第1至3補片導體4a至4c及輔助補片導體7而會更良好地產生複合性共振，因此可提供一種可在廣域之頻寬中進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

在將第8圖所示之第4實施形態之天線基板 及第14圖所示之習知之天線基板予以模型化的解析模型中，藉由電磁場模擬器來模擬將高頻信號輸入至帶狀導體時的反射損失。將該結果顯示在第9圖。在第9圖中，以實線所示之曲線圖為由第4實施形態之天線基板所產生之解析模型的反射損失，而以虛線所示之曲線圖為由習知之天線基板所產生之解析模型的反射損失。在第9圖中，係要求粗線所示之反射損失為-10dB以下之頻帶寬度儘可能為寬。由第9圖得知，在習知之天線基板的解析模型中，天線基板所要求之反射損失-10dB以下的頻帶寬度為約6.9GHz之窄頻。相對於此，在第4實施形態之天線基板的解析模型中，反射損失-10dB以下之頻帶為約13.7GHz的寬頻。

第4實施形態之天線基板的解析模型與第2 實施形態之天線基板的解析模型進行比較，除了設置輔助補片導體7以外，皆使用相同之模型。輔助補片導體7係 由銅所形成，將與帶狀導體3之延伸方向平行的縱邊設為1.1mm，將與縱邊垂直之橫邊設為0.5mm。輔助補片導體7係以使其縱邊朝第3補片導體4c之縱邊的正橫向排列之方式，在第3補片導體4c之長邊方向的兩側各設置1個。第3補片導體4c與輔助補片導體7之間隔係設為0.3mm。

接著，依據第10A圖及第10B圖說明本發 明之天線基板的第5實施形態。此外，在第5實施形態之天線基板中，針對與第3實施形態之天線基板共通的部分，標示與第3實施形態之天線基板相同之符號，並省略其詳細說明。

在第5實施形態之天線基板中，與第3實施 形態之天線基板相比較，相異點如下：輔助補片導體7係相對於第3補片導體4c，朝帶狀導體3之延伸方向偏離。 輔助補片導體7係偏離成：其縱邊之約一半部分比第3補片導體4c更朝帶狀導體3之延伸方向突出之程度。其他點係與第3實施形態之天線基板相同。

依據第5實施形態之天線基板，輔助補片導 體7係相對於第3補片導體4c，朝帶狀導體3之延伸方向偏離。因此，藉由如上述方式配置之第1至3補片導體4a至4c及輔助補片導體7而更良好地產生複合性共振，因此可提供一種可在廣域之頻寬中進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

在將第10圖所示之本發明之天線基板及第 14圖所示之習知之天線基板予以模型化的解析模型中，藉 由電磁場模擬器來模擬將高頻信號輸入至帶狀導體時的反射損失。將該結果顯示在第11圖。在第11圖中，以實線所示之曲線圖為由第5實施形態之天線基板所產生之解析模型的反射損失，而以虛線所示之曲線圖為由習知之天線基板所產生之解析模型的反射損失。在第11圖中，係要求粗線所示之反射損失為-10dB以下之頻帶寬度儘可能為寬。由第11圖得知，在習知之天線基板的解析模型中，天線基板所要求之反射損失-10dB以下的頻帶寬度為約6.9GHz之窄頻。相對於此，在第5實施形態之天線基板的解析模型中，反射損失-10dB以下之頻帶為約16.8GHz的寬頻。

第5實施形態之天線基板的解析模型與第3 實施形態之天線基板的解析模型相比較，除了輔助補片導體7係偏離成比第3補片導體4c更朝帶狀導體3之延伸方向突出0.5mm之程度以外，全部使用相同之模型。

接著，依據第12A圖及第12B圖說明本發 明之天線基板的第6實施形態。此外，在第6實施形態天線基板中，針對與第4實施形態之天線基板共通的部分，標示與第4實施形態之天線基板相同之符號，並省略其詳細說明。

在第6實施形態之天線基板中，與第4實施形態之天線基板相比較，相異點如下：輔助補片導體7係相對於第3補片導體4c，朝帶狀導體3之延伸方向偏離。輔助補片導體7係偏離成：其縱邊之約一半部分比第3補 片導體4c更朝帶狀導體3之延伸方向突出之程度。其他點係與第4實施形態之天線基板相同。

依據第6實施形態之天線基板，輔助補片導 體7係相對於第3補片導體4c，朝帶狀導體3之延伸方向偏離。因此，藉由如上述方式配置之第1至3補片導體4a至4c及輔助補片導體7而更良好地產生複合性共振，因此可提供一種可在廣域之頻寬中進行良好之信號的傳送接收之寬頻的天線基板。

在將第12圖所示之本發明之天線基板及第 14圖所示之習知之天線基板予以模型化的解析模型中，藉由電磁場模擬器來模擬將高頻信號輸入至帶狀導體時的反射損失。將該結果顯示在第13圖。在第13圖中，以實線所示之曲線圖為由第6實施形態之天線基板所產生之解析模型的反射損失，而以虛線所示之曲線圖為由習知之天線基板所產生之解析模型的反射損失。在第13圖中，係要求粗線所示之反射損失為-10dB以下之頻帶寬度儘可能為寬。由第13圖得知，在習知之天線基板的解析模型中，天線基板所要求之反射損失-10dB以下的頻帶寬度為約6.9GHz之窄頻。相對於此，在第6實施形態之天線基板的解析模型中，反射損失-10dB以下之頻帶為約17.1GHz的寬頻。

第6實施形態之天線基板的解析模型與第4 實施形態之天線基板的解析模型相比較，除了輔助補片導體7係偏離成比第3補片導體4c更朝帶狀導體3之延伸方 向突出0.5mm之程度以外，全部使用相同之模型。

如第5及第6實施形態之天線基板，當輔助 補片導體7以比第3補片導體4c更朝帶狀導體3之延伸方向突出之方式形成時，較佳為偏離成：輔助補片導體7之整體不會比第3補片導體4c更朝帶狀導體3之延伸方向突出之程度。這是由於當偏離成輔助補片導體7之整體不會比第3補片導體4c更朝帶狀導體3之延伸方向突出而配置的情形，難以將反射損-10dB以下之頻帶寬度設為比第5及第6實施形態之天線基板更寬廣之故。

本發明並非限定在上述實施形態者，可在申請專利範圍記載之範圍內進行各種之變更。在上述1第至第6實施形態中，雖補片導體及輔助補片導體具有四角形，但亦可具有例如圓形、四角形以外的多角形等其他形狀。

Claims (7)

1. 一種天線基板，係具備：第1介電質層；帶狀導體，以具有終端部之方式配置在前述第1介電質層之上表面，且朝該終端部延伸；接地導體層，配置在前述第1介電質層之下表面側；第2介電質層，積層在前述第1介電質層及前述帶狀導體之上表面側；第1補片導體，以覆蓋到前述終端部之位置的方式配置在前述第2介電質層之上表面；第3介電質層，積層在前述第2介電質層及前述第1補片導體上；第2補片導體，以至少一部分覆蓋到形成有前述第1補片導體之位置的方式配置在前述第3介電質層之上表面，且電性獨立；第4介電質層，積層在前述第3介電質層及前述第2補片導體上；第3補片導體，以至少一部分覆蓋到形成有前述第2補片導體之位置的方式配置在前述第4介電質層之上表面，且電性獨立；以及貫通導體，貫通前述第2介電質層且將前述終端部與前述第1補片導體予以連接；前述貫通導體係在對前述第1補片導體而言偏倚 在該帶狀導體延伸而來之側部的位置，由朝前述帶狀導體之延伸方向彼此鄰接排列之至少2個貫通導體所構成。
2. 如申請專利範圍第1項所述之天線基板，其中，前述第2補片導體之中心係相對於前述第1補片導體之中心，朝前述帶狀導體之延伸方向偏離，前述第3補片導體之中心係相對於前述第2補片導體之中心朝前述帶狀導體之延伸方向偏離。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之天線基板，其中，輔助補片導體係以不覆蓋到形成有前述第3補片導體之位置的方式，在前述第3補片導體之與前述帶狀導體之延伸方向正交之方向的兩側配置在前述第4介電質層之上表面，且該輔助補片導體係與第3補片導體電性獨立。
4. 如申請專利範圍第3項所述之天線基板，其中，前述輔助補片導體之至少1個係相對於前述第3補片導體朝前述帶狀導體之延伸方向偏倚而配置。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之天線基板，其中，前述2個貫通導體係以具有50至300μm之中心間距離的方式設置。
6. 如申請專利範圍第2項所述之天線基板，其中，前述第2補片導體係以覆蓋到形成有前述第1補片導體之位置之80%以上之面積的方式配置。
7. 如申請專利範圍第2項所述之天線基板，其中，前述第 3補片導體係以覆蓋到形成有前述第2補片導體之位置之80%以上之面積的方式配置。