TWI627424B - 靜電偵測裝置以及方法 - Google Patents
靜電偵測裝置以及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI627424B TWI627424B TW106113886A TW106113886A TWI627424B TW I627424 B TWI627424 B TW I627424B TW 106113886 A TW106113886 A TW 106113886A TW 106113886 A TW106113886 A TW 106113886A TW I627424 B TWI627424 B TW I627424B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electronic device
- electrostatic
- region
- detecting
- magnetic field
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/001—Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing
- G01R31/002—Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing where the device under test is an electronic circuit
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/16—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using capacitive devices
- G01R15/165—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using capacitive devices measuring electrostatic potential, e.g. with electrostatic voltmeters or electrometers, when the design of the sensor is essential
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/24—Arrangements for measuring quantities of charge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
一種靜電偵測裝置,用以偵測引發電子裝置發生特定事件之靜電敏感區域,包括:靜電金屬板、偵測器以及控制器。靜電金屬板用以產生電場且包括第一表面,其中第一表面係與電子裝置相互平行。當偵測器偵測到特定事件時,發出偵測信號。控制器控制第一表面相對於電子裝置移動以及接收偵測信號。當接收到偵測信號時,控制器判斷靜電敏感區域係為電子裝置與第一表面重疊之第一區域。
Description
本發明係有關於一種用來偵測電子裝置之靜電敏感區域之裝置與方法。
現今的電子裝置隨著半導體的製程尺寸越來越小及使用者對攜帶便利性的要求,使得電子產品內的印刷電路板越來越小,在印刷電路板上的電子零件也更密集,再加上為了滿足更複雜的電子功能,積體電路內部的高邏輯位準跟接地位準也會變得更接近,使得電子產品更難達到對靜電的耐受度之規範。
然而對於工程師而言,提昇靜電的耐受度最大的困難在於如何找到系統受靜電干擾的區域,使得在找尋的過程中會耗費大量的時間。因此,急需有效的靜電偵測裝置以及方法來提昇搜尋靜電干擾的區域的效率。
本發明提供一組利用電磁感應原理製作的製具,進而提昇找尋系統受靜電干擾的區域之效率。
有鑑於此,本發明提出一種靜電偵測裝置,用以偵測引發一電子裝置發生一特定事件之一靜電敏感區域,包括:一靜電金屬板、一偵測器以及一控制器。上述靜電金屬板用以產生一電場且包括一第一表面,其中上述第一表面係與上述電子裝置相互平行。當上述偵測器偵測到上述電子裝置發生上述特定事件時,發出一偵測信號。上述控制器控制上述第一表面相對於上述電子裝置移動以及接收上述偵測信號,其中當上述控制器接收到上述偵測信號時,上述控制器判斷上述靜電敏感區域係為上述電子裝置與上述第一表面重疊之一第一區域。
根據本發明之一實施例,靜電偵測裝置更包括一第一支撐件。上述第一支撐件用以固定上述靜電金屬板且根據一第一控制信號而移動,其中上述控制器更產生上述第一控制信號,使得上述第一表面相對於上述電子裝置移動。
根據本發明之一實施例,上述特定事件係為一黑屏事件、一重新啟動事件或一關機事件。
根據本發明之一實施例,靜電偵測裝置更包括一磁場產生裝置。上述磁場產生裝置用以產生一時變磁場,其中上述磁場產生裝置包括:一金屬棒以及一金屬線。上述金屬棒由具有磁性之一鐵磁材料組成且包括一第二表面,其中上述第二表面係小於上述第一表面且與上述電子裝置相互平行。上述金屬線纏繞於上述金屬棒且流過一高頻電流,其中上述控制器更控制上述第二表面相對於上述第一區域移動,其中當接收到上述偵測信號時,上述控制器判斷上述靜電敏感區域係為上述
電子裝置與上述第二表面重疊之一第二區域。
根據本發明之一實施例,靜電偵測裝置更包括一第二支撐件。上述第二支撐件用以固定上述磁場產生裝置且根據一第二控制信號而移動,其中上述控制器更產生上述第二控制信號,使得上述第二表面相對於上述第一區域移動。
本發明更提出一種靜電偵測方法,用以偵測引發一電子裝置發生一特定事件之一靜電敏感區域,包括:控制一靜電金屬板之一第一表面相對於上述電子裝置移動,其中上述靜電金屬板用以產生一電場,上述第一表面係與上述電子裝置相互平行;偵測上述電子裝置是否發生上述特定事件;以及當偵測到上述電子裝置發生上述特定事件時,判斷上述靜電敏感區域係為上述電子裝置與上述第一表面重疊之一第一區域。
根據本發明之一實施例,上述控制上述靜電金屬板之上述第一表面相對於上述電子裝置移動之步驟包括:利用一第一支撐件,固定上述靜電金屬板;以及移動上述第一支撐件,使得上述第一表面相對於上述電子裝置移動。
根據本發明之一實施例,上述特定事件係為一黑屏事件、一重新啟動事件或一關機事件。
根據本發明之一實施例,靜電偵測方法更包括:控制一磁場產生裝置之一第二表面相對於上述第一區域移動,其中上述磁場產生裝置用以產生一時變磁場,上述第二表面係小於上述第一表面且與上述電子裝置相互平行;偵測上述電子裝置是否發生上述特定事件;以及當偵測到上述電子裝置發生上述特定事件時,判斷上述靜電敏感區域係為上述電子裝
置與上述第二表面重疊之一第二區域。
根據本發明之一實施例,上述控制上述磁場產生裝置之上述第二表面相對於上述第一區域移動之步驟包括:利用一第二支撐件,固定上述磁場產生裝置;以及移動上述第二支撐件,使得上述第二表面相對於上述相對於上述第一區域移動。
10‧‧‧電子裝置
100、200‧‧‧靜電偵測裝置
110‧‧‧靜電金屬板
120‧‧‧第一支撐件
130‧‧‧偵測器
140‧‧‧控制器
210‧‧‧磁場產生裝置
220‧‧‧第二支撐件
211‧‧‧金屬棒
212‧‧‧金屬線
I‧‧‧高頻電流
SF1‧‧‧第一表面
SF2‧‧‧第二表面
SC1‧‧‧第一控制信號
SC2‧‧‧第二控制信號
SD‧‧‧偵測信號
A‧‧‧第一區域
B‧‧‧第二區域
C‧‧‧第三區域
D‧‧‧第四區域
B1‧‧‧第一子區域
B2‧‧‧第二子區域
B3‧‧‧第三子區域
B4‧‧‧第四子區域
S1~S4‧‧‧步驟流程
第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之靜電偵測裝置之方塊圖;第2圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之靜電偵測裝置之方塊圖;第3A、3B圖係顯示根據本發明之一實施例所述之利用靜電偵測裝置偵測靜電敏感區域之示意圖;以及第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之靜電偵測方法之流程圖。
以下說明為本發明的實施例。其目的是要舉例說明本發明一般性的原則,不應視為本發明之限制,本發明之範圍當以申請專利範圍所界定者為準。
值得注意的是,以下所揭露的內容可提供多個用以實踐本發明之不同特點的實施例或範例。以下所述之特殊的
元件範例與安排僅用以簡單扼要地闡述本發明之精神,並非用以限定本發明之範圍。此外,以下說明書可能在多個範例中重複使用相同的元件符號或文字。然而,重複使用的目的僅為了提供簡化並清楚的說明,並非用以限定多個以下所討論之實施例以及/或配置之間的關係。此外,以下說明書所述之一個特徵連接至、耦接至以及/或形成於另一特徵之上等的描述,實際可包含多個不同的實施例,包括該等特徵直接接觸,或者包含其它額外的特徵形成於該等特徵之間等等,使得該等特徵並非直接接觸。
第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之靜電偵測裝置之方塊圖。如第1圖所示,靜電偵測裝置100用以偵測引發電子裝置10發生特定事件之靜電敏感區域,其中靜電偵測裝置100包括靜電金屬板110、第一支撐件120、偵測器130以及控制器140。根據本發明之一實施例,特定事件係為電子裝置10之靜電敏感區域因靜電干擾而發生之黑屏事件、重新啟動事件或關機事件。根據本發明之其他實施例,特定事件係為電子裝置10之靜電敏感區域因靜電干擾而發生之任何錯誤事件。
靜電金屬板110用以產生電場,且與電子裝置10不相互接觸。根據本發明之一實施例,靜電金屬板110係與電子裝置10相互平行。根據本發明之一實施例,係利用靜電槍將電荷施加於靜電金屬板110上,使得靜電金屬板110產生電場。根據本發明之一實施例,靜電金屬板110可為任何形狀以及任何厚度的金屬板。根據本發明之一實施例,靜電金屬板110可為導電的銅箔或鋁箔。根據本發明之另一實施例,靜電金屬板110
可為任意金屬之金屬箔。
第一支撐件120用以固定靜電金屬板110,使得靜電金屬板110之第一表面SF1與電子裝置10不相接觸。根據本發明之一實施例,第一表面SF1與電子裝置10相互平行。根據本發明之另一實施例,第一表面SF1與電子裝置10相距一既定距離。此外,第一支撐件120更根據第一控制信號SC1,而將靜電金屬板110相對於電子裝置10移動而不接觸電子裝置10,藉以尋找電子裝置10之靜電敏感區域。根據本發明之一實施例,第一支撐件120係為絕緣體,使得電荷能夠維持於靜電金屬板110上。
偵測器130用以偵測電子裝置10是否發生特定事件,當偵測器130偵測到電子裝置10發生特定事件時,發出偵測信號SD至控制器140。控制器140用以產生第一控制信號SC1來控制第一支撐件120移動,使得第一表面SF1相對於電子裝置10而移動。當控制器140接收偵測信號SD時,控制器140判斷靜電敏感區域係為電子裝置10與第一表面SF1重疊之區域。
根據本發明之一實施例,當特定事件係為黑屏事件時,偵測器130係為感光耦合元件(Charge-coupled Device,CCD),用以偵測電子裝置10之顯示器。根據本發明之另一實施例,當特定事件係為重新啟動事件或關機事件時,偵測器130係為電流偵測器,用以偵測電子裝置10之電流變化,使得控制器140根據偵測信號SD而判斷特定事件係為重新啟動事件或是關機事件。
第2圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之靜
電偵測裝置之方塊圖。如第2圖所示,靜電偵測裝置200用以偵測引發電子裝置10發生特定事件之靜電敏感區域,其中靜電偵測裝置200包括磁場產生裝置210、第二支撐件220、偵測器130以及控制器140。根據本發明之一實施例,特定事件係為電子裝置10之靜電敏感區域因靜電問題而發生之任何錯誤事件。根據本發明之其他實施例,特定事件係為黑屏事件、重新啟動事件或關機事件。
磁場產生裝置210包括金屬棒211以及金屬線212。金屬棒211係由具有磁性之鐵磁材料所組成且包括第二表面SF2,其中第二表面SF2係小於第一表面SF1,且第二表面SF2係與電子裝置10相互平行。金屬線212纏繞於金屬棒211且流過高頻電流I,使得磁場產生裝置210產生時變磁場。根據本發明之一實施例,高頻電流I係利用靜電槍所產生。
第二支撐件220用以固定磁場產生裝置210,使得磁場產生裝置210之第二表面SF2與電子裝置10不相接觸。根據本發明之一實施例,第二表面SF2與電子裝置10相互平行。根據本發明之另一實施例,第二表面SF2與電子裝置10相距一既定距離。此外,第二支撐件220更根據第二控制信號SC2,而將磁場產生裝置210相對於電子裝置10移動而不接觸電子裝置10,藉以尋找電子裝置10之靜電敏感區域。根據本發明之一實施例,第二支撐件220係為絕緣體。
偵測器130用以偵測電子裝置10是否發生特定事件,當偵測器130偵測到電子裝置10發生特定事件時,發出偵測信號SD至控制器140。控制器140用以產生第二控制信號SC2
來控制第二支撐件220移動,使得第二表面SF2相對於電子裝置10而移動。當控制器140接收偵測信號SD時,控制器140判斷靜電敏感區域係為電子裝置10與第二表面SF2重疊之區域。
根據本發明之一實施例,控制器140僅利用靜電金屬板110以及磁場產生裝置210之任一者,來搜尋電子裝置10之靜電敏感區域。根據本發明之另一實施例,控制器140利用靜電金屬板110而判斷靜電敏感區域係為電子裝置10與第一表面SF1重疊之區域後,控制器140可再利用磁場產生裝置210於電子裝置10與第二表面SF2重疊之區域進行搜索。如第1圖以及第2圖所示,由於磁場產生裝置210之第二表面SF2小於靜電金屬板110之第一表面SF1,使用磁場產生裝置210將有助於縮小靜電敏感區域的可能範圍。
根據本發明之一實施例,以下將針對第1圖之靜電偵測裝置100以及第2圖之靜電偵測裝置200如何偵測靜電敏感區域,進行詳細說明。
第3A、3B圖係顯示根據本發明之一實施例所述之利用靜電偵測裝置偵測靜電敏感區域之示意圖。當電子裝置10接受靜電測試時發生特定事件,如第3A圖所示,控制器140利用靜電金屬板110搜尋引起電子裝置10發生該特定事件之靜電敏感區域係位於第一區域A、第二區域B、第三區域C以及第四區域D之任一者。
根據本發明之其他實施例,特定事件係為黑屏事件、重新啟動事件或關機事件。根據本發明之一實施例,電子裝置10可根據靜電金屬板110之第一表面SF1劃分為任意正整
數個區域,在此電子裝置10劃分為第一區域A、第二區域B、第三區域C以及第四區域D僅作為說明解釋之用,並非以任何形式限制本發明之範圍。
舉例來說,當控制器140利用靜電金屬板110移動到電子裝置10之第二區域B時,偵測器130偵測到電子裝置10發生特定事件而產生偵測信號SD。根據本發明之一實施例,當控制器140根據偵測信號SD判斷重複發生相同的特定事件時,控制器140判斷第二區域B係為靜電敏感區域。
舉例來說,電子裝置10遭受到靜電干擾而發生了關機事件。當控制器140利用靜電金屬板110移動到第一區域A時,控制器140根據偵測信號SD判斷發生了重新啟動事件而非關機事件,代表靜電金屬板110移動到第一區域A所發生之特定事件與電子裝置10遭受到靜電干擾而發生之特定事件不相符,因此將靜電金屬板110移動至第二區域B。
當靜電金屬板110移動至第二區域B時,控制器140判斷電子裝置10發生了關機事件,代表第二區域B係為引起電子裝置10發生關機事件之靜電敏感區域。因此,控制器140判斷第二區域B係為引起電子裝置10發生該特定事件之靜電敏感區域。
如第3B圖所示,控制器140更利用磁場產生裝置210來進一步探索電子裝置10之靜電敏感區域位於第一子區域B1、第二子區域B2、第三子區域B3以及第四子區域B4之任一者,藉以縮小電子裝置10之靜電敏感區域。第3B圖之第二區域B對應至第3A圖之第二區域B,其中第3B圖之第二區域B係劃分
為第一子區域B1、第二子區域B2、第三子區域B3以及第四子區域B4。
根據本發明之一實施例,電子裝置10可根據磁場產生裝置210之第二表面SF2而劃分為任意正整數個區域,在此第二區域B劃分為第一子區域B1、第二子區域B2、第三子區域B3以及第四子區域B4僅作為說明解釋之用,並非以任何形式限制本發明之範圍。
由於磁場產生裝置210之第二表面SF2較小於靜電金屬板110之第一表面SF1,因此磁場產生裝置210能夠有效地縮小電子裝置10之靜電敏感區域。根據本發明之一實施例,當磁場產生裝置210移動至第二子區域B2時,偵測器130偵測到電子裝置10發生特定事件而產生偵測信號SD。
當控制器140根據偵測信號SD而判斷相同的特定事件時,控制器140判斷第二子區域B2係為引起電子裝置10發生該特定事件之靜電敏感區域。因此,經過靜電金屬板110以及磁場產生裝置210之搜尋後,電子裝置10之靜電敏感區域縮小至第二表面SF2之大小,使得工程師更容易分析發生靜電干擾的原因。
第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之靜電偵測方法之流程圖。第4圖之流程圖將搭配第1圖以及第2圖之方塊圖,以利說明解釋。如第4圖所示,控制靜電金屬板110之第一表面SF1相對於電子裝置10移動(步驟S1)。偵測電子裝置10是否發生特定事件(步驟S2)。當偵測到電子裝置10發生特定事件時,判斷靜電敏感區域係為電子裝置10與靜電金屬板
110重疊之區域(步驟S3)。回到步驟S2,當未偵測到特定事件時,回到步驟S1。
接著,再控制磁場產生裝置210之第二表面SF2相對於第一區域移動(步驟S4)。偵測電子裝置10是否發生特定事件(步驟S5)。當偵測到電子裝置10發生特定事件時,判斷靜電敏感區域係為電子裝置10與磁場產生裝置210重疊之第二區域(步驟S6)。回到步驟S5,當未偵測到特定事件時,回到步驟S4。
透過本發明所提供之靜電偵測裝置以及靜電偵測方法,工程師能夠有系統性地且有效率地找到電子裝置之靜電敏感區域,進而縮短工程時間以及降低生產成本。
以上所述為實施例的概述特徵。所屬技術領域中具有通常知識者應可以輕而易舉地利用本發明為基礎設計或調整以實行相同的目的和/或達成此處介紹的實施例的相同優點。所屬技術領域中具有通常知識者也應了解相同的配置不應背離本創作的精神與範圍,在不背離本創作的精神與範圍下他們可做出各種改變、取代和交替。說明性的方法僅表示示範性的步驟,但這些步驟並不一定要以所表示的順序執行。可另外加入、取代、改變順序和/或消除步驟以視情況而作調整,並與所揭露的實施例精神和範圍一致。
Claims (8)
- 一種靜電偵測裝置,用以偵測引發一電子裝置發生一特定事件之一靜電敏感區域,包括:一靜電金屬板,用以產生一電場且包括一第一表面,其中上述第一表面係與上述電子裝置相互平行;一偵測器,其中當上述偵測器偵測到上述電子裝置發生上述特定事件時,發出一偵測信號;一控制器,控制上述第一表面相對於上述電子裝置移動以及接收上述偵測信號,其中當上述控制器接收到上述偵測信號時,上述控制器判斷上述靜電敏感區域係為上述電子裝置與上述第一表面重疊之一第一區域;以及一第一支撐件,用以固定上述靜電金屬板且根據一第一控制信號而移動,其中上述控制器更產生上述第一控制信號,使得上述第一表面相對於上述電子裝置移動。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電偵測裝置,其中上述特定事件係為一黑屏事件、一重新啟動事件或一關機事件。
- 如申請專利範圍第1項所述之靜電偵測裝置,更包括:一磁場產生裝置,用以產生一時變磁場,其中上述磁場產生裝置包括:一金屬棒,由具有磁性之一鐵磁材料組成且包括一第二表面,其中上述第二表面係小於上述第一表面且與上述電子裝置相互平行;以及 一金屬線,纏繞於上述金屬棒且流過一高頻電流,其中上述控制器更控制上述第二表面相對於上述第一區域移動,其中當接收到上述偵測信號時,上述控制器判斷上述靜電敏感區域係為上述電子裝置與上述第二表面重疊之一第二區域。
- 如申請專利範圍第3項所述之靜電偵測裝置,更包括:一第二支撐件,用以固定上述磁場產生裝置且根據一第二控制信號而移動,其中上述控制器更產生上述第二控制信號,使得上述第二表面相對於上述第一區域移動。
- 一種靜電偵測方法,用以偵測引發一電子裝置發生一特定事件之一靜電敏感區域,包括:控制一靜電金屬板之一第一表面相對於上述電子裝置移動,其中上述靜電金屬板用以產生一電場,上述第一表面係與上述電子裝置相互平行,其中上述控制上述靜電金屬板之上述第一表面相對於上述電子裝置移動之步驟包括:利用一第一支撐件,固定上述靜電金屬板;以及移動上述第一支撐件,使得上述第一表面相對於上述電子裝置移動;偵測上述電子裝置是否發生上述特定事件;以及當偵測到上述電子裝置發生上述特定事件時,判斷上述靜電敏感區域係為上述電子裝置與上述第一表面重疊之一第一區域。
- 如申請專利範圍第5項所述之靜電偵測方法,其中上述 特定事件係為一黑屏事件、一重新啟動事件或一關機事件。
- 如申請專利範圍第5項所述之靜電偵測方法,更包括:控制一磁場產生裝置之一第二表面相對於上述第一區域移動,其中上述磁場產生裝置用以產生一時變磁場,上述第二表面係小於上述第一表面且與上述電子裝置相互平行;偵測上述電子裝置是否發生上述特定事件;以及當偵測到上述電子裝置發生上述特定事件時,判斷上述靜電敏感區域係為上述電子裝置與上述第二表面重疊之一第二區域。
- 如申請專利範圍第7項所述之靜電偵測方法,其中上述控制上述磁場產生裝置之上述第二表面相對於上述第一區域移動之步驟包括:利用一第二支撐件,固定上述磁場產生裝置;以及移動上述第二支撐件,使得上述第二表面相對於上述相對於上述第一區域移動。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106113886A TWI627424B (zh) | 2017-04-26 | 2017-04-26 | 靜電偵測裝置以及方法 |
CN201710368796.XA CN108802507B (zh) | 2017-04-26 | 2017-05-23 | 静电检测装置以及方法 |
US15/675,973 US10473705B2 (en) | 2017-04-26 | 2017-08-14 | Devices and methods for detecting electrostatically sensitive areas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106113886A TWI627424B (zh) | 2017-04-26 | 2017-04-26 | 靜電偵測裝置以及方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI627424B true TWI627424B (zh) | 2018-06-21 |
TW201839420A TW201839420A (zh) | 2018-11-01 |
Family
ID=63256138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106113886A TWI627424B (zh) | 2017-04-26 | 2017-04-26 | 靜電偵測裝置以及方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10473705B2 (zh) |
CN (1) | CN108802507B (zh) |
TW (1) | TWI627424B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116298648B (zh) * | 2023-05-12 | 2023-09-19 | 合肥联宝信息技术有限公司 | 一种静电路径的检测方法、装置及电子设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200541043A (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | Cascaded gate-driven ESD clamp |
JP2006098158A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hitachi Ltd | 電界分布測定方法及び電界分布測定装置 |
WO2012108258A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 静電気帯電計測方法及び装置 |
CN104698156A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-10 | 沭阳鑫达新材料有限公司 | 平板玻璃质量检测装置及其使用方法 |
CN105431744A (zh) * | 2013-07-20 | 2016-03-23 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 静电分布测量装置以及静电分布测量方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000028338A1 (en) * | 1998-11-06 | 2000-05-18 | Trek, Inc. | Electrostatic force detector with cantilever and shield |
KR101107932B1 (ko) * | 2008-02-20 | 2012-01-25 | 베리지 (싱가포르) 피티이. 엘티디. | 정전기 방전 이벤트 검출 시스템, 정전기 방전 이벤트 검출 방법 및 컴퓨터 판독가능한 저장 매체 |
TWI435089B (zh) * | 2011-10-28 | 2014-04-21 | Wistron Corp | 靜電場干擾測試裝置與其方法 |
JP5781002B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-09-16 | 株式会社コガネイ | 電位測定装置 |
TWI469115B (zh) * | 2012-08-31 | 2015-01-11 | Raydium Semiconductor Corp | 時序控制器、顯示裝置及其驅動方法 |
KR101554509B1 (ko) * | 2014-07-01 | 2015-09-22 | (주)선재하이테크 | 대전체의 정전하 감지기 및 그 측정 장치 |
-
2017
- 2017-04-26 TW TW106113886A patent/TWI627424B/zh active
- 2017-05-23 CN CN201710368796.XA patent/CN108802507B/zh active Active
- 2017-08-14 US US15/675,973 patent/US10473705B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200541043A (en) * | 2004-06-11 | 2005-12-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | Cascaded gate-driven ESD clamp |
JP2006098158A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hitachi Ltd | 電界分布測定方法及び電界分布測定装置 |
WO2012108258A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 静電気帯電計測方法及び装置 |
CN105431744A (zh) * | 2013-07-20 | 2016-03-23 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 静电分布测量装置以及静电分布测量方法 |
CN104698156A (zh) * | 2015-02-12 | 2015-06-10 | 沭阳鑫达新材料有限公司 | 平板玻璃质量检测装置及其使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10473705B2 (en) | 2019-11-12 |
CN108802507A (zh) | 2018-11-13 |
TW201839420A (zh) | 2018-11-01 |
US20180313881A1 (en) | 2018-11-01 |
CN108802507B (zh) | 2021-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI620471B (zh) | 射頻傳輸模型之一變數値的決定 | |
JP2009543298A (ja) | プラズマ処理チャンバの非拘束状態の検出方法および装置 | |
TW200732678A (en) | Insulation inspecting device and insulation inspecting method | |
JP2015028712A (ja) | タッチ検出装置、タッチパネルおよび画像表示装置 | |
TW201441608A (zh) | 使用模型化以決定與電漿系統有關的晶圓偏壓 | |
TWI435089B (zh) | 靜電場干擾測試裝置與其方法 | |
TWI627424B (zh) | 靜電偵測裝置以及方法 | |
CN110031188A (zh) | 集成电路光学芯片光圈测试方法 | |
JP2016129023A (ja) | 容量差を測定する装置と方法 | |
CN103675595A (zh) | 线路板内外层线路的短路探测方法 | |
JP3696507B2 (ja) | 試験装置、試験方法、及び生産方法 | |
JP2002202343A5 (zh) | ||
TW201122501A (en) | Electrical connection defect detection device | |
JP6325907B2 (ja) | 静電気発生ガン | |
JP5805333B1 (ja) | ワイヤ放電加工装置 | |
JP2011085506A (ja) | 電力変換装置の試験装置 | |
CN115166400A (zh) | 一种检测装置、方法及系统 | |
JP2011186232A5 (zh) | ||
JP2003197556A (ja) | 光加熱装置 | |
JP2019211447A (ja) | 部分放電検出装置、部分放電検出方法、部分放電検出システム及びコンピュータプログラム | |
US6566901B2 (en) | Printed circuit board testing apparatus | |
CN103163361A (zh) | 电子元件与检测系统的组合与电子元件的检测方法 | |
JP2015114149A (ja) | ボンディングワイヤ劣化検出装置及びボンディングワイヤ劣化検出方法 | |
CN104253059A (zh) | 电迁移可靠性测试结构及其使用方法 | |
TW201335605A (zh) | 用以觸控面板之偵測線的檢測設備及其檢測方法 |