TWI624906B - 高介電係數介電層形成方法、影像感測裝置與其製造方法 - Google Patents

高介電係數介電層形成方法、影像感測裝置與其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI624906B
TWI624906B TW105102033A TW105102033A TWI624906B TW I624906 B TWI624906 B TW I624906B TW 105102033 A TW105102033 A TW 105102033A TW 105102033 A TW105102033 A TW 105102033A TW I624906 B TWI624906 B TW I624906B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
dielectric layer
sensing device
image sensing
chloride
Prior art date
Application number
TW105102033A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201640612A (zh
Inventor
蔡宗翰
曾鴻輝
黃信傑
周俊豪
李國政
許永隆
鄭允瑋
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW201640612A publication Critical patent/TW201640612A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI624906B publication Critical patent/TWI624906B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02181—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing hafnium, e.g. HfO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28194—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation by deposition, e.g. evaporation, ALD, CVD, sputtering, laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

用於在基板上形成高介電係數介電層的方法，包含在基板的表面上引入氯化物前驅物。氧化劑引入至表面以在基板上形成高介電係數介電層。高介電係數介電層之氯濃度低於大約8原子/立方公分。

Description

高介電係數介電層形成方法、影像 感測裝置與其製造方法
本揭露係關於一種影像感測裝置。
積體電路(integrated circuit；IC)技術係不斷改良。此等改良經常涉及按比例縮小裝置幾何形狀以實現較低製造成本、較高裝置整合密度、較高速度及較好效能。不但從減小幾何形狀尺寸實現優勢，且直接改良IC裝置。如此的IC裝置係影像感測裝置。影像感測裝置包含用於偵測光且記錄所偵測光之強度(亮度)的像素陣列(或柵格)。像素陣列藉由累積電荷來響應光--舉例而言，光之強度愈高，像素陣列中累積之電荷愈高。隨後，(例如由其他電路)使用累積之電荷以提供用於例如數位攝影機之適宜應用的顏色及亮度。
影像感測裝置之一種類型係背照射(bacκside illuminated；BSI)影像感測裝置。背照射影像感測裝置用 於感測基板(其支撐背照射影像感測裝置之影像感測器電路)之背表面所投影的光體積。像素柵格位於基板之前側，且基板足夠薄以使得向基板之背側所投影的光可達到像素柵格。與前照射(front-side illuminated；FSI)影像感測裝置相比，背照射影像感測裝置提供高填充因子及減小之有害干擾。由於裝置之尺寸縮小，背照射技術之改良持續進行以進一步改良背照射影像感測裝置之影像品質。
根據本揭露之一些實施方式，用於在基板上形成高介電係數介電層之方法包含在基板之表面上引入氯化物前驅物。將氧化劑引入至表面以在基板上形成高介電係數介電層。高介電係數介電層之氯濃度低於大約8原子/立方公分。
根據本揭露之一些實施方式，用於製造影像感測裝置之方法包含在基板中形成光感測區域。光感測區域面向基板之前表面。使用原子層沉積製程，高介電係數介電層在基板之與前表面相對的背表面上形成。原子層沉積製程之前驅物包含氯化物，且在實質上等於或大於大約0.5秒之原子層沉積製程期間引入氧化劑。
根據本揭露之一些實施方式，影像感測裝置包含基板及高介電係數介電層。基板具有前表面及與前表面相對之背表面。基板更具有面向前表面之光感測區域。高介電 係數介電層安置在基板之背表面上。高介電係數介電層之氯濃度低於大約8原子/立方公分。
根據上述之實施方式，高介電係數介電層可使用原子層沉積製程形成。氯化物前驅物用於形成高介電係數介電層。由於在實質上等於或大於大約0.5秒之原子層沉積製程期間引入氧化劑，氯化物前驅物之氯化物可藉由氧化劑之離子被有效替代，以使得所形成之高介電係數介電層之氯濃度可減少且低於大約8原子/立方公分。低氯濃度改良高介電係數介電層之分層問題，且增加高介電係數介電層與基板之間的黏著。
102‧‧‧光感測區域
110‧‧‧基板
112‧‧‧前表面
114‧‧‧背表面
120‧‧‧隔離特徵
130‧‧‧互連結構
132‧‧‧通孔
134‧‧‧線
140‧‧‧緩衝層
150‧‧‧載體晶圓
160‧‧‧高介電係數介電層
162‧‧‧金屬氧化物接合
170‧‧‧彩色濾光片
202、204、206‧‧‧線段
210‧‧‧氯化物前驅物
220‧‧‧氧化劑
P‧‧‧像素
當結合隨附圖式閱讀時，自以下詳細描述將很好地理解本揭露之態樣。應注意，根據工業中的標準實務，各特徵並非按比例繪製。事實上，出於論述清晰之目的，可任意增加或減小各特徵之尺寸。
第1A圖至第1F圖係根據本揭露之一些實施例之用於製造處於各階段之影像感測裝置之方法的剖面圖。
第2圖係各原子濃度相對第1F圖之影像感測裝置之彩色濾光片、高介電係數介電層及基板之深度的圖表。
以下揭示內容提供許多不同實施例或範例，以便實施所提供標的之不同特徵。下文描述組件及排列之特定 範例以簡化本揭露。當然，此等範例僅為示例且並不意欲為限制性。舉例而言，以下描述中在第二特徵上方或第二特徵上形成第一特徵可包含以直接接觸形成第一特徵及第二特徵的實施例，且亦可包含可在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵及第二特徵可不處於直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各範例中重複元件符號與/或字母。此重複係出於簡明性及清晰之目的，且本身並不指示所論述之各實施例與/或配置之間的關係。
進一步地，為了便於描述，本文可使用空間相對性術語(例如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者)來描述諸圖中所圖示一個元件或特徵與另一元件(或多個元件)或特徵(或多個特徵)之關係。除了諸圖所描繪之定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置之不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且因此可同樣解讀本文所使用之空間相對性描述詞。
在形成背照射(BSI)影像感測裝置之一些實施方式中，形成高介電係數(高κ)介電層在基板上，以成為影像感測裝置之底部抗反射塗覆(bottom anti-reflective coating；BARC)層。由高介電係數介電層形成之底部抗反射塗覆層具有累積電荷能力，改良暗電流、白色像素及暗影像非一致性(darκ image non-uniformity；DINU)的品質問題。在一些實施方式中，高介電係數介電層藉由原子層沉積製程形成且使用金屬氯化物作為前驅物。所形成之高介電 係數介電層的氯濃度與高介電係數介電層及基板之間的黏著相關。為改良高介電係數介電層之黏著及分層問題，在以下段落中提供影像感測裝置及其製造方法。
第1A圖至第1F圖係根據本揭露之一些實施方式用於製造影像感測裝置之方法於各階段的剖面圖。影像感測裝置包含像素P之陣列，且像素P可排列成行及列。詞「像素」指示含有用於將電磁輻射轉換至電信號之特徵(舉例而言，可包含各半導體裝置之光電偵測器及各電路)的基本單元。為簡單起見，影像感測裝置包含本揭露描述之單個像素P；然而，通常這些像素之陣列可形成第1A圖所圖示之影像感測裝置。
像素P可包含光電二極體、互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor；CMOS)影像感測裝置、電荷耦合裝置(charged coupling device；CCD)感測器、主動感測器、被動感測器、其他感測器，或上述之組合。像素P可經設計為具有各感測器類型。舉例而言，像素P之一個群組可為CMOS影像感測裝置且像素P之另一群組可為被動感測器。此外，像素P可包含色像感測裝置與/或單色影像感測裝置。在範例中，至少一像素P為例如CMOS影像感測裝置之主動像素感測器。在第1A圖中，像素P可包含光電偵測器(例如光電閘(photogate)類型之光電偵測器)，用於記錄光(輻射)之強度或亮度。像素P亦可包含各半導體裝置，例如包含轉移電晶體、重置電晶體、源極隨耦器電晶體、選擇電晶體、其他適宜電晶體或 上述之組合的各電晶體。額外電路、輸入與/或輸出可耦合至像素陣列以提供用於像素P之操作環境，且支援與像素P之外部通訊。舉例而言，像素陣列可與讀出電路與/或控制電路耦合。但同等示意繪製之像素P可彼此相異以具有不同之接合面深度、厚度、寬度等等。
在第1A圖中，影像感測裝置係背照射影像感測裝置。影像感測裝置可為積體電路(IC)晶片、晶片上系統(system on chip；SoC)，或上述之部分，此晶片或系統包含各被動及主動微電子組件，例如電阻器、電容器、電感器、二極體、金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(metal-oxide-semiconductor field effect transistors；MOSFETs)、CMOS電晶體、雙極接合面電晶體(bipolar junction transistors；BJTs)、橫向擴散MOS(laterally diffused MOS；LDMOS)電晶體、大功率MOS電晶體、類鰭式場效應電晶體(fin-liκe field effect transistors；FinFETs)、其他適宜組件，或上述之組合。為了清晰起見，第1A圖已被簡化以更好地理解本揭露之發明概念。額外特徵可添加在影像感測裝置中，且對於影像感測裝置之其他實施方式，下文描述之特徵的一些可被替代或消除。
影像感測裝置包含具有前表面112與背表面114之基板110。在第1A圖中，基板110係包含矽之半導體基板。或者或另外，基板110包含例如鍺與/或金鋼石之另一元素半導體；包含碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦與/或銻化銦之化合物半導體；包含矽鍺(SiGe)、磷砷 化鎵(GaAsP)、砷化銦鋁(AlInAs)、砷化鎵鋁(AlGaAs)、砷化銦鎵(GaInAs)、磷化銦鎵(GaInP)與/或磷砷化銦鎵(GaInAsP)之合金半導體；或上述之組合。基板110可為絕緣體上半導體(semiconductor on insulator；SOI)。基板110可包含梯度半導體層，與/或覆蓋不同類型之另一半導體層的半導體層，此另一半導體層例如在鍺化矽層上之矽層。在第1A圖中，基板110可為p型基板。基板110所摻雜之p型摻雜物包含硼、鎵、銦、其他適宜之p型摻雜物，或上述之組合。基板110可或者為n型摻雜基板。基板110可摻雜之n型摻雜物包含磷、砷、其他適宜n型摻雜物，或上述之組合。基板110可包含各p型摻雜區域與/或n型摻雜區域。可在各步驟及技術中使用例如離子植入或擴散之製程實施摻雜。基板110之厚度可範圍在大約100微米(microns；μm)及大約3000微米之間。
基板110包含例如矽之局部氧化(local oxidation of silicon；LOCOS)與/或淺溝槽隔離(shallow trench isolation；STI)之隔離特徵120，以分離(或隔離)形成在基板110上或形成在基板110內的各區域與/或裝置。舉例而言，隔離特徵120隔離像素P與鄰接像素。在第1A圖中，隔離特徵120為STI。隔離特徵120包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其他絕緣材料，或上述之組合。隔離特徵120藉由任何適宜之製程形成。作為一些範例，形成STI包含光微影製程，在基板中蝕刻溝槽(例如藉由使用乾式蝕刻、濕式蝕刻或上述之組合)，且由一或更多個介電質材料 填充溝槽(舉例而言，藉由使用化學氣相沉積製程)。在一些範例中，所填充之溝槽可具有多層結構，例如由氮化矽或氧化矽填充之熱氧化襯墊層。在一些其他範例中，STI結構可由下列製程順序製成：生成墊氧化物，在墊氧化物上方形成低壓化學氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition；LPCVD)氮化物層，使用光阻劑及遮罩在墊氧化物及氮化物層中圖案化STI開口，在STI開口中蝕刻基板中之溝槽，視需要生成熱氧化溝槽襯墊以改良溝槽介面，以氧化物填滿溝槽，使用化學機械研磨法(chemical mechanical polishing；CMP)處理以回蝕刻且平坦化，並使用氮化物剝離製程移除氮化物層。
如上文所提及，形成像素P在基板110中。像素P偵測直接射向基板110之背表面114的輻射強度(亮度)。入射輻射為可見光。或者，輻射為紅外線(infrared；IR)、紫外線(ultraviolet；UV)、x射線、微波、其他適宜輻射類型，或上述之組合。像素P可經配置以與例如紅光、綠光、或藍光波長之特定光波長對應。換言之，像素P可經配置以偵測光之特定波長的強度(亮度)。在第1A圖中，像素P包含例如光電二極體之光電偵測器，此光電偵測器包含光感測區域(或光子(photo)感測區域)102。光感測區域102為具有沿著基板110之前表面112在基板110中形成之n型與/或p型摻雜物的摻雜區域，以使得光感測區域102面向前表面112。在第1A圖中，光感測區域102可為n型摻雜區域。光感測區域102藉由例如擴散與/或離子植入之方法來形成。儘管在 第1A圖中未繪示，像素P更包含各電晶體，例如與轉移閘極關聯之轉移電晶體、與重置閘極關聯之重置電晶體、源極隨耦器電晶體、選擇電晶體、其他適宜電晶體，或上述之組合。光感測區域102及各電晶體(可共同被稱作像素電路)允許像素P偵測特定光波長之強度。額外電路、輸入與/或輸出可供應給像素P以提供用於像素P之操作環境與/或支援與像素P之通訊。
隨後，形成互連結構130在基板110之前表面112的上方，包含在像素P上方。互連結構130耦合至例如像素P之背照射影像感測裝置之各組件，以使得背照射影像感測裝置之各組件為可操作的適當響應照射光(影像輻射)。互連結構130可包含提供影像感測裝置之各摻雜特徵、電路與輸入/輸出之間之互連(例如，佈線)的複數個圖案化介電層及導電層。互連結構130可更包含層間介電質(interlayer dielectric；ILD)及多層互連(multilayer interconnect；MLI)結構。在第1A圖中，互連結構130包含各導電特徵，這些導電特徵可為例如通孔132之垂直互連，與/或例如線134之水平互連。各導電特徵(亦即，通孔132與線134)包含例如金屬之導電材料。在一些範例中，可使用包含鋁、鋁/矽/銅合金、鈦、氮化鈦、鎢、多晶矽、金屬矽化物或上述之組合的金屬。在一些實施方式中，各導電特徵(亦即，通孔132及線134)可被稱作鋁互連。鋁互連可藉由包含物理氣相沉積(physical vapor deposition；PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)或上述之組合的製 程形成。用於形成各導電特徵(亦即，通孔132及線134)之其他製造技術可包含光微影處理及蝕刻以便圖案化導電材料以形成垂直連接及水平連接。仍可實施其他製造製程以形成互連結構130，其他製造製程例如熱退火以形成金屬矽化物。用於多層互連之金屬矽化物可包含矽化鎳、矽化鈷、矽化鎢、矽化鉭、矽化鈦、矽化鉑、矽化鉺、矽化鈀，或上述之組合。或者，各導電特徵(亦即，通孔132及線134)可為銅多層互連，這些銅多層互連包含銅、銅合金、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、多晶矽、金屬矽化物，或上述之組合。銅互連可藉由包含PVD、CVD或上述之組合之製程形成。應理解，圖示之導電特徵(亦即，通孔132及線134)是示範性的，且導電特徵(亦即，通孔132及線134)之實際定位及配置可取決於設計需要而相異。
在一些實施方式中，可形成緩衝層140在互連結構130上。在第1A圖中，緩衝層140包含例如氧化矽之介電質材料。或者，緩衝層140可視需要包含氮化矽。緩衝層140係藉由CVD、PVD或其他適宜技術形成。緩衝層140可藉由CMP製程平面化以形成平滑表面。
隨後，載體晶圓150可經由緩衝層140進一步與基板110接合，藉此執行基板110之背表面114上的製程。在本實施方式中，載體晶圓150類似於基板110且包含矽材料。或者，載體晶圓150可包含玻璃基板或另一適宜材料。載體晶圓150可藉由分子力接合至基板110--此分子力被 稱為直接接合或光熔融接合之技術--或藉由例如金屬擴散或陽極接合之此項技術中已知的其他接合技術。
緩衝層140提供基板110與載體晶圓150之間的電隔離。載體晶圓150提供形成在基板110之前表面112上例如像素P之各特徵的保護。載體晶圓150亦提供機械強度且如下文論述之支撐處理基板110之背表面114。在接合之後，基板110及載體晶圓150可視需要經退火以增強接合強度。
請參照第1B圖。在完成基板110之前表面112上的CMOS製程之後，翻轉基板110自背表面114執行薄化製程以薄化基板110。薄化製程可包含機械研磨製程及化學薄化製程。在機械研磨製程期間，可自基板110首先移除大量基板材料。此後，化學薄化製程可將蝕刻化學物質應用至基板110之背表面114，以進一步將基板110薄化至所要厚度。當基板110為SOI類型時，嵌入之氧化埋層(buried oxide layer；BOX)可充當蝕刻終止層。背照射影像感測裝置之基板110的厚度大約為5-10微米。在一些實施方式中，厚度可小於大約5微米，甚至降至大約2-3微米。基板110之厚度可取決於影像感測裝置之應用類型來實施。
隨後，形成高介電係數介電層160(參見第1E圖)於基板110之背表面114上。高介電係數介電層160可為影像感測裝置之底部抗反射塗覆(BARC)層。更詳細地說，可執行基板110之背表面114的預清洗製程以移除背表面114上之原生氧化物，以產生氫端基(OH)表面。此可使用 稀氫氟酸(diluted hydrofluoric acid；DHF)處理或蒸汽氫氟酸(vapor hydrofluoric acid；VHF)處理達適宜時間來實現。
請參照第1C圖與第1D圖。基板110之背表面114上引入氯化物前驅物210之脈衝達第一時段。在一些實施方式中，氯化物前驅物為例如氯化鑭(lanthanum chloride；LaCl3)、四氯化鉿(hafnium tetrachloride；HfCl4)，或四氯化鋯(zirconium tetrachloride；ZrCl4)之金屬氯化物。第1C圖之氯化物前驅物210與OH表面(亦即，背表面114)反應，以形成如第1D圖所示之金屬氧化物接合162。氯化物前驅物210之非反應部分自背表面114移除。在一些實施方式中，取決於實際情況，第一時段為大約0.5秒至大約2秒。
請參照第1D圖及第1E圖。隨後將氧化劑220引入至背表面114達第二時段。在一些實施方式中，氧化劑220為水(H2O)。水分子與金屬氧化物接合162反應。金屬氧化物接合162之氯化物可藉由水之OH離子替代，以形成如第1E圖所示之高介電係數介電層160。在一些實施方式中，高介電係數介電層160由氧化鑭、氧化鉿、氧化鋯或上述之組合所製成。高介電係數介電層160之介電係數高於SiO2之介電係數，亦即介電係數大於大約3.9。舉例而言，藉由引入氯化物前驅物與OH端基表面反應，製程循環可繼續。在一些實施方式中，第二時段等於或大於大約0.5秒。在一些其 他實施方式中，取決於實際情況，第二時段為大約0.5秒至大約1.5秒。
在一些實施方式中，引入氧化劑220之後，可將另一氧化劑引入至背表面114以進一步替代金屬氧化物接合162之氯化物達第二時段。氧化劑可為臭氧。由於氯化物被有效替代，進一步減少高介電係數介電層160之氯化物。在一些實施方式中，高介電係數介電層之氯濃度低於大約8原子/立方公分(atoms/cm3)。在一些其他實施方式中，高介電係數介電層之氯濃度低於大約5原子/立方公分。
在影像感測裝置之製造製程期間，若使用水，則水會解離釋放氫離子，這些氫離子與氯化物反應以形成氫氯酸(hydrochloric acid；HCl)。氫氯酸將腐蝕高介電係數介電層160，從而減少高介電係數介電層160與基板110之間的黏著，且導致高介電係數介電層160分層。然而，在第1E圖中，由於高介電係數介電層160之氯濃度低於大約8原子/立方公分，所形成氫氯酸之濃度相對低。因此，如以下表一中所示可改良黏著及分層問題。
表一為高介電係數介電層與基板之間之分層缺陷密度的實驗結果。在第1表中，高介電係數介電層由氧化鉿(HfO2)製成，基板由矽製成，且氯化物前驅物為四氯化鉿(HfCl4)。表一顯示當第二時段增加時，氯(chloride；Cl)濃度減小，且當高介電係數介電層之氯濃度較低時，缺陷密度減小。舉例而言，當第二時段為大約0.5秒時，氯濃度減小至大約8原子/立方公分，且缺陷密度自大約55數目/平方 毫米(NO./mm2)下降至大約16數目/平方毫米。此外，當第二時段為大約1.5秒時，氯濃度減小至大約5原子/立方公分，且缺陷密度進一步下降至大約0數目/平方毫米。
請參照第1E圖。作為BARC層之高介電係數介電層160主要具有累積電荷(主要為負電荷但在一些情況下為正電荷)。高介電係數介電層160之電荷累積能力改良暗電流、白色像素及暗影像非一致性(DINU)品質問題，此暗電流為在影像感測裝置上缺乏入射光時流入影像感測裝置之電流，此白色像素發生於過量電流洩漏導致自像素之異常高信號。當高介電係數介電層160具有負(正)電荷累積時，其將基板110中的正(負)電荷吸引至高介電係數介電層160/基板110之介面以形成電偶極。即，負(正)電荷增加處 於介面之電洞(電子)累積且產生處於或接近於介面之空乏區域。電偶極起電荷阻障層之作用，捕集例如懸浮鍵之不完美或缺陷。
請參照第1F圖。可執行額外處理以完成影像感測裝置之製造。舉例而言，鈍化層可在影像感測裝置周圍形成用於保護(舉例而言防塵或防濕)。彩色濾光片170在高介電係數介電層160上形成且與像素P之光感測區域102對準。彩色濾光片170可經定位以使得進入光直接導向在彩色濾光片170上及穿過彩色濾光片170。彩色濾光片170可包含基於染料(或基於顏料)聚合物或樹脂，用於過濾進入光之特定波長帶，此特定波長帶與顏色光譜對應(例如，紅色、綠色及藍色)。
在一些實施方式中，形成微透鏡在彩色濾光片170上以便向基板110中之特定輻射感測區域引導且聚焦進入光，此特定輻射感測區域例如像素P。微透鏡可定位在各排列中且具有各形狀，取決於用於微透鏡之材料的折射率及與感測器表面的距離。亦應理解，基板110亦可在彩色濾光片170或微透鏡形成之前經歷任選的雷射退火製程。
第2圖係各原子濃度相對第1F圖之影像感測裝置之彩色濾光片170、高介電係數介電層160及基板110之深度的圖表。在第2圖中，彩色濾光片170由氧化物製成，高介電係數介電層160由HfO2製成，且基板110由矽製成。線段202表示氯濃度，線段204表示氟化物濃度，且線段206表示碳濃度。在第2圖中，氯濃度低於1原子/立方公分。
根據上述之實施方式，高介電係數介電層可使用原子層沉積製程形成。氯化物前驅物用於形成高介電係數介電層。由於在實質上等於或大於大約0.5秒之原子層沉積製程期間引入氧化劑，氯化物前驅物之氯化物可藉由氧化劑之離子被有效替代，以使得所形成之高介電係數介電層之氯濃度可減少且低於大約8原子/立方公分。低氯濃度改良高介電係數介電層之分層問題，且增加高介電係數介電層與基板之間的黏著。
根據本揭露之一些實施方式，用於在基板上形成高介電係數介電層之方法包含在基板之表面上引入氯化物前驅物。將氧化劑引入至表面以在基板上形成高介電係數介電層。高介電係數介電層之氯濃度低於大約8原子/立方公分。
根據本揭露之一些實施方式，用於製造影像感測裝置之方法包含在基板中形成光感測區域。光感測區域面向基板之前表面。使用原子層沉積製程，高介電係數介電層在基板之與前表面相對的背表面上形成。原子層沉積製程之前驅物包含氯化物，且在實質上等於或大於大約0.5秒之原子層沉積製程期間引入氧化劑。
根據本揭露之一些實施方式，影像感測裝置包含基板及高介電係數介電層。基板具有前表面及與前表面相對之背表面。基板更具有面向前表面之光感測區域。高介電係數介電層安置在基板之背表面上。高介電係數介電層之氯濃度低於大約8原子/立方公分。
上文概述若干實施方式之特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭露之態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本揭露作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便實施本文所介紹之實施方式的相同目的與/或實現相同優勢。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效結構並未脫離本揭露之精神及範疇，且可在不脫離本揭露之精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、替代及更改。

Claims (10)

  1. 一種形成一高介電係數介電層於在一基板上之方法，包含：處理該基板以形成一氫端基(OH)表面於該基板的一表面上；在該表面上引入一氯化物前驅物，使得該氯化物前驅物與該氫端基(OH)表面反應；以及在該氯化物前驅物與該氫端基(OH)表面反應之後，在該表面上引入一氧化劑，以在該基板上形成該高介電係數介電層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該氯化物前驅物係一金屬氯化物。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該基板係由矽製成。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該處理該基板以形成該氫端基(OH)表面於該基板的該表面上包含：在該基板之該表面上執行一預清洗製程。
  5. 一種用於製造一影像感測裝置之方法，該方法包含：在一基板中形成一光感測區域，其中該光感測區域面向該基板之一前表面；處理該基板以形成一氫端基(OH)表面於該基板中與該前表面相對的一背表面上；以及藉由使用一原子層沉積製程，在該背表面上形成一高介電係數介電層，其中該原子層沉積製程於一第一時段引入包含一氯化物之一前驅物，使得該前驅物與該氫端基(OH)表面反應，且於一第二時段引入一氧化劑，以在該基板上形成該高介電係數介電層，且該第二時段進行於該第一時段之後。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該前驅物更包含鉿(hafnium；Hf)、鋯(zirconium；Zr)、鑭(lanthanum；La)或上述之組合。
  7. 如請求項5所述之方法，其中該原子層沉積製程包含：移除在該基板之該背表面上的一原生氧化物。
  8. 一種影像感測裝置，包含：一基板，具有一前表面及與該前表面相對之一背表面，其中該基板更具有面向該前表面之一光感測區域；以及一高介電係數介電層，置於該基板之該背表面上，其中該高介電係數介電層之一氯濃度低於大約8原子/立方公分。
  9. 如請求項8所述之影像感測裝置，其中該高介電係數介電層由氧化鑭、氧化鉿、氧化鋯或上述之組合製成。
  10. 如請求項8述之影像感測裝置，其中該基板之材質為矽。
TW105102033A 2015-05-07 2016-01-22 高介電係數介電層形成方法、影像感測裝置與其製造方法 TWI624906B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562158437P 2015-05-07 2015-05-07
US62/158,437 2015-05-07
US14/934,648 2015-11-06
US14/934,648 US10177185B2 (en) 2015-05-07 2015-11-06 High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201640612A TW201640612A (zh) 2016-11-16
TWI624906B true TWI624906B (zh) 2018-05-21

Family

ID=57178981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105102033A TWI624906B (zh) 2015-05-07 2016-01-22 高介電係數介電層形成方法、影像感測裝置與其製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US10177185B2 (zh)
KR (2) KR20160131863A (zh)
CN (1) CN106129073B (zh)
DE (1) DE102016100020A1 (zh)
TW (1) TWI624906B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6879919B2 (ja) * 2015-09-17 2021-06-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法
US10134801B2 (en) * 2015-11-30 2018-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method of forming deep trench isolation in radiation sensing substrate and image sensor device
CN107578990A (zh) * 2017-09-06 2018-01-12 德淮半导体有限公司 图像传感器的形成方法
CN110828490B (zh) * 2018-08-07 2023-05-23 联华电子股份有限公司 背照式影像传感器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201041037A (en) * 2009-03-26 2010-11-16 Tokyo Electron Ltd Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness
TW201436183A (zh) * 2013-03-14 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Mfg 影像感測器裝置及其製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6780704B1 (en) * 1999-12-03 2004-08-24 Asm International Nv Conformal thin films over textured capacitor electrodes
US6613695B2 (en) 2000-11-24 2003-09-02 Asm America, Inc. Surface preparation prior to deposition
US7034387B2 (en) 2003-04-04 2006-04-25 Chippac, Inc. Semiconductor multipackage module including processor and memory package assemblies
KR101159070B1 (ko) 2003-03-11 2012-06-25 삼성전자주식회사 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이구비된 커패시터 및 그 제조방법
US6930060B2 (en) * 2003-06-18 2005-08-16 International Business Machines Corporation Method for forming a uniform distribution of nitrogen in silicon oxynitride gate dielectric
US20050059233A1 (en) 2003-09-12 2005-03-17 Ming-Tsong Wang Process for forming metal damascene structure to prevent dielectric layer peeling
US8486845B2 (en) 2005-03-21 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Plasma enhanced atomic layer deposition system and method
US7265015B2 (en) 2005-06-30 2007-09-04 Promos Technologies Inc. Use of chlorine to fabricate trench dielectric in integrated circuits
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
JP4992446B2 (ja) 2006-02-24 2012-08-08 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ
FR2933143B1 (fr) 2008-06-26 2011-06-10 Airbus France Nacelle pour aeronef comportant des moyens inverseurs de poussee et aeronef comportant au moins une telle nacelle
JP5365345B2 (ja) 2009-05-28 2013-12-11 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8883270B2 (en) 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
KR20110105159A (ko) 2010-03-18 2011-09-26 주식회사 하이닉스반도체 적층 반도체 패키지 및 그 형성방법
US8890273B2 (en) * 2012-01-31 2014-11-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for an improved reflectivity optical grid for image sensors
US9659981B2 (en) 2012-04-25 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside illuminated image sensor with negatively charged layer
US8803306B1 (en) 2013-01-18 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fan-out package structure and methods for forming the same
US9147736B2 (en) * 2013-03-01 2015-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High-K film apparatus and method
US10109507B2 (en) * 2016-06-01 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fluorine contamination control in semiconductor manufacturing process
JP2019029448A (ja) * 2017-07-27 2019-02-21 キヤノン株式会社 撮像装置、カメラおよび撮像装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201041037A (en) * 2009-03-26 2010-11-16 Tokyo Electron Ltd Method for forming a high-k gate stack with reduced effective oxide thickness
TW201436183A (zh) * 2013-03-14 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Mfg 影像感測器裝置及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200343279A1 (en) 2020-10-29
CN106129073A (zh) 2016-11-16
US11195867B2 (en) 2021-12-07
US20190157320A1 (en) 2019-05-23
CN106129073B (zh) 2019-10-08
KR20180062441A (ko) 2018-06-08
US10177185B2 (en) 2019-01-08
KR20160131863A (ko) 2016-11-16
US10636824B2 (en) 2020-04-28
US20200127024A1 (en) 2020-04-23
US10720460B2 (en) 2020-07-21
DE102016100020A1 (de) 2016-11-10
KR102010703B1 (ko) 2019-08-13
US20160329364A1 (en) 2016-11-10
TW201640612A (zh) 2016-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230335572A1 (en) Extra doped region for back-side deep trench isolation
KR101738248B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
US9142709B2 (en) Process for enhancing image quality of backside illuminated image sensor
TWI645555B (zh) 影像感測裝置及其製造方法
US11728365B2 (en) Semiconductor device with a radiation sensing region and method for forming the same
US8890273B2 (en) Methods and apparatus for an improved reflectivity optical grid for image sensors
US9768214B2 (en) Structure of dielectric grid for a semiconductor device
US11195867B2 (en) High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof
TW201731085A (zh) 半導體影像感測裝置
US9601535B2 (en) Semiconducator image sensor having color filters formed over a high-K dielectric grid
US20130082342A1 (en) Polishing process for enhancing image quality of backside illuminated image sensor
CN104051479A (zh) 用于半导体器件的高k介电网格结构