TWI623641B - 氣相沉積裝置用樣本固持器及具有該固持器之氣相沉積裝置 - Google Patents

Abstract

本揭露內容揭露用於氣相沉積裝置的樣本固持器、及具有該固持器的氣相沉積裝置，更特別地，用於氣相沉積裝置之能夠有效地控制樣本溫度的樣本固持器，從而達成高沉積品質。

Description

氣相沉積裝置用樣本固持器及具有該固持器之氣相沉積裝置

本發明概括地相關於氣相沉積裝置用樣本固持器及具有該固持器之氣相沉積裝置。更特別地，其相關於氣相沉積裝置用之能夠有效控制樣本溫度的樣本固持器，從而達成高沉積品質。

一般而言，已知進行電磁干擾(EMI, electromagnetic interference)屏蔽的方法，其中屏蔽膜係附著於如電性裝置之樣本的表面上。

以上提及之使用屏蔽膜的方法的問題在於就達成高生產力、確保EMI屏蔽層之均勻性、及確保起因於手動加工製程的穩定性、磨具製造、及織物附著等方面而言係有困難的。然而，因為其就控制生產良率而言係有利的，故已持續使用在先前技術中。

在近些年中，已發展使用例如濺射等的真空沉積技術在樣本上進行EMI屏蔽塗佈的研究。如此之真空沉積技術就藉由自動製程降低製造成本及達成均勻薄膜沉積而言已受到關注。

同時，申請人已使用真空沉積技術進行樣本的EMI屏蔽塗佈，其中樣本係附著於樣本固持器上，且樣本固持器係定位於真空腔室內。

進一步講，樣本係使用粘合膜而附著於樣本固持器上。

然而，因為粘合膜會由於真空腔室內的溫度上升而發生熱變形，故膜在與樣本固持器緊密接觸方面具有困難，從而導致溫度控制效率的下降。

因此，若溫度控制效率在此方式中下降，則樣本的溫度可能不會有效率地加以控制，並且發生EMI屏蔽層之均勻性降低、以及樣本受熱損傷的問題。

進一步講，因為在樣本及樣本固持器之間進行電性絕緣係困難的，所以有導致電損傷的問題。

進一步講，當使膜附著於樣本固持器上時，在膜及樣本固持器之間互相未完全接觸之處可能發生氣泡區域。由於該氣泡區域，樣本可能無法與樣本固持器緊密接觸，因此樣本的溫度可能無法有效率地加以控制。進一步講，在相關領域中通常使用現成膜。然而，現成膜的問題在於其具有有限的尺寸，故一次在複數樣本上實施沉積係困難的。

進一步講，當沉積材料在真空腔室內分散時，沉積材料可能沉積於真空腔室內不必進行沉積的區域上，從而增加清理真空腔室之內側的頻率，並降低沉積裝置之操作的速率。

技術問題

據此，本發明已考量相關領域中發生的以上問題，且本發明意在提出一種樣本固持器及具有固持器的氣相沉積裝置，其能夠藉由使樣本及樣本配接器之間的粘合力最大化而改善EMI屏蔽塗層的沉積品質，以提升溫度控制效率。

進一步講，本發明的另一目標係提出一種樣本固持器及具有固持器的氣相沉積裝置，其能夠藉由維持樣本及樣本配接器之間的絕緣而防止對樣本的電損傷。

進一步講，本發明的進一步目標係提出一種樣本固持器及具有樣本固持器的氣相沉積裝置，無論膜及樣本固持器之間在該膜及該樣本固持器互相未完全接觸之處有無氣泡區域，該樣本固持器皆能夠藉由改善傳熱效率而輕易地控制樣本的溫度

進一步講，本發明的又另一目標係提出一種氣相沉積裝置，其能夠一次同時在大量樣本上進行沉積，即使膜具有尺寸限制亦然。

進一步講，本發明的又另一目標係提出一種氣相沉積裝置，其能夠藉由防止沉積材料沉積於真空腔室內不必進行沉積之區域而降低清理頻率。

進一步講，本發明的又另一目標係建議一種氣相沉積裝置，其能夠藉由將內部屏蔽及重量架(weight frame)卸除至真空腔室外側而有效地達成清理製程及溫度控制。

技術解決方案

為達成以上目標，根據本發明的一實施態樣，提供一種樣本固持器，用以固持作為真空腔室內側氣相沉積之標的的樣本，該樣本固持器包含：控制樣本之溫度的溫度控制卡盤；及定位於該溫度控制卡盤之上部上的樣本配接器，其具有定位於該樣本配接器之上表面上的膜，樣本係附著於該膜上，該樣本配接器將樣本的熱量轉移至溫度控制卡盤、或者將溫度控制卡盤的熱量轉移至樣本，其中樣本配接器的上表面具有曲線形狀。

在一較佳實施例中，溫度控制卡盤及樣本配接器可設置成單一主體。

在一較佳實施例中，緩衝墊可透過塗佈或附著設置於樣本配接器的上表面上，該緩衝墊使膜與樣本配接器的上表面緊密接觸，從而進行熱量轉移。

在一較佳實施例中，樣本配接器之上表面的寬度可小於膜的寬度，或者樣本配接器之上表面的面積小於膜的面積。

在一較佳實施例中，複數溝槽可形成於樣本配接器的上表面上。

在一較佳實施例中，排出管線可設置於樣本配接器內，當膜定位於樣本配接器上時，該排出管線用以將溝槽內的空氣排出至外側，因此使膜與樣本配接器的上表面緊密接觸。

在一較佳實施例中，絕緣層可透過塗佈或附著設置於樣本配接器的上表面上。

在一較佳實施例中，壓塊(pressure block)可設置於該膜之上表面的邊緣上，當膜定位於樣本配接器上時，該壓塊用以對膜的邊緣向下施壓，其未與樣本配接器接觸，因此使膜與樣本配接器的上表面緊密接觸。

在一較佳實施例中，傳熱氣體管線可埋於樣本配接器中，傳熱氣體管線接收來自樣本配接器外側的傳熱氣體，以及將該傳熱氣體排放至溫度控制卡盤的上表面，且將該傳熱氣體排放至設置於樣本配接器之上表面及膜之間的氣泡區域，並在其之間進行熱量轉移。

根據本發明的另一實施態樣，設置氣相沉積裝置，包含真空腔室；及樣本固持器，該樣本固持器係固定於該真空腔室內，或在該真空腔室內移動，以及在該樣本固持器之上表面上固持作為氣相沉積之標的的樣本。

在一較佳實施例中，可設置複數樣本固持器。

在一較佳實施例中，其中流動溫度控制流體的流體流動管線可設置在樣本固持器之溫度控制卡盤的每一者中。

在一較佳實施例中，溫度控制卡盤的流體流動管線可互相連接，因此流體流動管線係設置成單一的流體流動管線。

在一較佳實施例中，氣相沉積裝置可更包含：一陰極，其係設置於真空腔室中，以面向樣本固持器，並且使沉積材料分散至樣本上；以及一內部屏蔽，其係設置於陰極及樣本固持器之間，並且屏蔽陰極及樣本固持器之間區域的一部分，且限制沉積材料分散於其中的區域。

在一較佳實施例中，重量架可設置在內部屏蔽之開口之邊緣的下部中，使得重量架相對於內部屏蔽的內側上下移動，當內部屏蔽向下移動或樣本固持器向上移動時，重量架用以接觸膜之上表面的邊緣，並且將膜壓向樣本固持器，因此使膜與樣本固持器的上表面緊密接觸。

在一較佳實施例中，重量架可由於自身重量而曝露在內部屏蔽之下部的外側，在內部屏蔽向下移動或樣本固持器向上移動至與膜接觸之後，當內部屏蔽進一步向下移動或樣本固持器進一步向上移動時，藉由使重量架插入內部屏蔽，重量架用以由自身重量在膜上施加壓力。

在一較佳實施例中，壓塊可設置於膜之上表面的邊緣上，以維持該膜的形狀，重量架對壓塊的上表面加壓，並且使膜與樣本固持器緊密接觸，以及當重量架與壓塊之上表面接觸時，真空腔室的內部空間係基於內部屏蔽及膜而劃分成分別為上部空間及下部空間的沉積空間及非沉積空間。

在一較佳實施例中，重量架可設置於內部屏蔽及樣本固持器之間，使得重量架上下移動，壓塊可設置於膜之上表面的邊緣上，以維持膜的形狀，重量架的下表面與壓塊的上表面接觸，並將壓塊壓向樣本固持器，因此使膜與樣本固持器的上表面緊密接觸，且當重量架的上表面由於內部屏蔽的下降或樣本固持器的上升而接觸或靠近內部屏蔽之開口之邊緣的下部時，真空腔室的內部空間係基於內部屏蔽及膜而劃分成分別為上部空間及下部空間的沉積空間及非沉積空間。

在一較佳實施例中，內部屏蔽及重量架可與真空腔室分離，並可分別地或一起卸除至真空腔室外側。

在一較佳實施例中，重量架可設置於內部屏蔽及樣本固持器之間，使得重量架上下移動，壓塊可設置於膜之上表面的邊緣上，以維持膜的形狀，重量架的下表面與壓塊的上表面接觸，並將壓塊壓向樣本固持器，因此使膜與樣本固持器的上表面緊密接觸，內部屏蔽係固定在真空腔室內，當重量架的上表面由於樣本固持器的上升而接觸或靠近內部屏蔽之開口之邊緣的下部時，真空腔室之內部空間係基於內部屏蔽及膜而劃分成分別為上部空間及下部空間的沉積空間及非沉積空間，且重量架係自真空腔室分離，並卸除至真空腔室外側。

在一較佳實施例中，氣相沉積裝置可更包含設置於真空腔室內的圓柱狀陰極，該陰極使沉積材料分散，其中在氣相沉積期間，在該陰極的表面上,於該陰極的長度方向上形成橢圓軌道電漿(elliptical track plasma)，其中在該陰極之長度方向上互相平行的兩線性部電漿(linear section plasma)係藉由圍繞該陰極之旋轉軸旋轉10至180度之預定角度而形成。

在一較佳實施例中，N極磁鐵及S極磁鐵可設置於陰極內，而在環向上互相分隔開，且軌道電漿可沿著N極磁鐵及S極磁鐵之間所產生之磁場的內側形成，其中N極磁鐵及S極磁鐵係圍繞陰極之旋轉軸而旋轉一預定角度，因此線性部電漿圍繞圓柱狀陰極的圓周旋轉，從而進行氣相沉積。

在一較佳實施例中，在真空腔室內，樣本固持器可在一方向上移動，或者往復移動，以在樣本上形成沉積層，且N極磁鐵及S極磁鐵可旋轉成使線性部電漿向真空腔室內移動的樣本定向。

在一較佳實施例中，樣本可為具有預定高度的多邊形樣本，且樣本可固持於樣本固持器上，使得樣本的側邊緣係定向於樣本固持器的移動方向上。

在一較佳實施例中，可設置複數個陰極，該複數陰極在真空腔室內係互相平行、且互相分隔開。

有利效果

根據本發明之樣本固持器及具有該樣本固持器的氣相沉積裝置，可藉由使樣本及樣本固持器之間的粘合最大化，以精確控制樣本之溫度，從而改善EMI屏蔽塗層的沉積品質。

根據本發明之樣本固持器及具有該樣本固持器的氣相沉積裝置，可藉由維持樣本及樣本配接器之間的絕緣而在EMI屏蔽塗層之沉積期間防止對樣本的電損傷。

根據本發明之樣本固持器及具有該樣本固持器的氣相沉積裝置，無論有無存在於膜及樣本配接器之間、並干擾膜與樣本固持器之緊密接觸的氣泡區域，可藉由供應傳熱氣體至氣泡區域而改善傳熱效率，從而輕易控制樣本的溫度。

根據本發明之樣本固持器及具有該樣本固持器的氣相沉積裝置，可使用複數樣本固持器在大量樣本上同時進行沉積，即使膜具有尺寸限制亦然。

根據本發明之樣本固持器及具有該樣本固持器的氣相沉積裝置，可藉由利用重量架之自身重量、不使用額外操作裝置對膜加壓而具有簡單結構，且可藉由利用來自重量架之適當負載對膜加壓而防止膜之變形或破裂。

根據本發明之樣本固持器及具有該樣本固持器的氣相沉積裝置，可藉由容許沉積材料僅沉積在沉積區域上、而防止沉積材料沉積在真空腔室內不必進行沉積之區域上，從而降低真空腔室內側的清理頻率。

根據本發明之樣本固持器及具有該樣本固持器的氣相沉積裝置，可藉由將內部屏蔽及重量架卸除至真空腔室外側而輕易地冷卻及清理該內部屏蔽及重量架。

最佳實施例

儘管在本發明中所使用的用語係廣泛使用的一般性用語，但在特定情形中，該等用語可為由申請人任意選擇的用語，且在此情形中，將理解，該等用語(例如，在常用字典中所定義之用語)應解讀為具有與其在本發明之對應描述內容中所揭露之意義一致的意義，且該等用語將不以理想化或過度形式的意義進行解讀，除非在本文中如此明確地定義。

此後，本發明的技術配置將參考隨附圖式中所說明之較佳實施例詳細加以描述。

然而，應理解，本發明不限於以下實施例，且本發明可以不同的方式實施。在圖式及描述內容的全部範圍內將盡可能地使用相同的參考數字，以指相同或相似部件。

第一實施例

參考圖1，根據本發明之第一實施例的樣本固持器100係用以在真空腔室200內藉由將樣本10定位成氣相沉積之標的而執行氣相沉積的固持器。

進一步講，樣本固持器100在沉積製程期間可固定在真空腔室200內、或在真空腔室200內往復移動、或穿過真空腔室200內。

換言之，樣本固持器100可應用於真空腔室200內的批次型(batch-type)沉積製程或線上型(in-line type)沉積製程。

進一步講，沉積的種類可不特別受限。然而，以產生相對大量之熱量為特徵的電磁干擾(EMI, electromagnetic interference)屏蔽塗層的沉積可使沉積的效率最大化。

進一步講，儘管圖示中並未顯示，但用於產生電漿的濺射靶材或電極可設置在真空腔室200內。

進一步講，氣相腔室200可透過物理氣相沉積(PVD)方法或化學氣相沉積(CVD)方法在樣本10上形成EMI屏蔽層。

換言之，用於EMI屏蔽層的沉積方法並非特定地受限。

進一步講，根據本發明之樣本固持器100及真空腔室200可設置成單一主體。

此後，樣本固持器100的配置將參考圖2詳細地加以描述。

參考圖2，樣本固持器100係設置有溫度控制卡盤110及樣本配接器120。

進一步講，樣本配接器120可設置成與溫度控制卡盤110隔開。

作為能夠控制溫度之板件的溫度控制卡盤110可固定於真空腔室200內，或可在真空腔室200內移動。

進一步講，溫度控制卡盤110係設置成具有流體流動管線111，冷卻流體或加熱流體流動於該流體流動管線111中，且扮演控制樣本10之溫度的角色。

一般而言，冷卻流體在流體流動管線111中流動，以執行使樣本10冷卻的功能。然而，加熱流體可在其中流動，以在沉積製程的初始階段將樣本10加熱至預定溫度。

換言之，溫度控制卡盤110可為冷卻卡盤或加熱卡盤。

樣本配接器120係定位於溫度控制卡盤110的上表面上，其中樣本10係定位在樣本配接器的上表面上。

進一步講，圖2顯示溫度控制卡盤110及樣本配接器120係互相隔開，然而如圖4中所示，溫度控制卡盤110及樣本配接器120可製作為單一主體。

進一步講，樣本配接器120扮演將樣本10之熱量轉移至溫度控制卡盤110、或將溫度控制卡盤110之熱量轉移至樣本10的角色。

換言之，樣本配接器120用作冷卻或加熱樣本10的傳熱媒體。

進一步講，較佳地，樣本配接器120係附著且固定於溫度控制卡盤110的上表面上，然而若樣本配接器120能夠穩定地維持其位置，則樣本配接器120可放置於溫度控制卡盤110上，而不是附著於溫度控制卡盤110。

進一步講，參考圖5，樣本配接器120的上表面可形成為具有預定曲率R的曲面。

舉例而言，如圖5中所示，樣本配接器120的上表面可為藉由在長度方向上切割圓柱而形成的曲面、或者藉由從球體切割一矩形或圓形部位而形成的曲面。

進一步講，曲面意指該表面的至少一部分具有曲率，例如，其邊緣為圓形的一表面可包含在曲面中。

進一步講，樣本配接器120在長度方向上可具有三角形或梯形橫剖面。在此情形中，樣本配接器120的上表面可為具有曲線(邊緣)的多邊形表面。

為使樣本10及樣本配接器120之間的粘合最大化，較佳地，樣本配接器120的上表面可為曲面。

進一步講，當從上側審視時，樣本配接器120的上表面可為如圖6中所示之方形、或者可為如圖7中所示之圓形。

進一步講，樣本配接器120的上表面可製作成如三角形、多邊形、及橢圓形等的諸多形狀，或可具有圓形邊緣。

換言之，在樣本配接器120中，從樣本配接器120的上側審視時，表面的形狀係不限的。然而，從樣本配接器120的側邊審視時，表面的形狀應製作成具有預定曲率R的曲面。

進一步講，參考圖2，樣本10係透過膜130附著於樣本配接器120的上表面上。

進一步講，首先使膜130附著於樣本10上，以及然後可使膜130附著於樣本配接器120的上表面上，或者首先可使膜130附著於樣本配接器120的上表面上，以及然後可使樣本10附著於其上。

進一步講，膜130可為例如聚亞醯氨膜(PI film, polyimide film)的粘合膜。

進一步講，參考圖5，樣本配接器120的上表面應完整地被膜130覆蓋。就此而言，樣本配接器120的寬度w1及長度w2應小於膜130的寬度及長度。

換言之，樣本配接器120之上表面的面積應小於膜130的面積。

然而，在樣本配接器120之上表面係藉由沿長度方向切割圓柱所形成之曲面的情形中，僅樣本配接器120的寬度w1可小於膜130的寬度。在此情形中，膜130可僅在寬度方向上覆蓋樣本配接器120的上表面。

進一步講，複數溝槽121可形成於樣本配接器120的上表面上。

進一步講，藉由將樣本配接器120之上表面壓凹一預定深度所形成之溝槽121係連接成互相連通，且如圖4中所示，溝槽121可形成為網格圖案。

然而，溝槽121的形狀可不特定受限，因此使溝槽121均勻地分佈於樣本配接器120的上表面上且互相連通係足夠的。

進一步講，當使膜130附著於樣本配接器120的上表面上時，溝槽121排出溝槽121內的空氣，從而使膜130與樣本配接器120的上表面上緊密接觸。

進一步講，儘管未顯示，但樣本配接器120可設置有排出管線，以排出溝槽121內的空氣。

進一步講，根據本發明之第一實施例之氣相沉積裝置可更包含壓塊140，當膜130係定位於樣本配接器120上時，該壓塊140向下壓膜130的邊緣，因此使膜130與樣本配接器120的上表面緊密接觸，並且同時在膜130上施加一預定張力。

進一步講，如圖3中所示，壓塊140可製作成方環形金屬架，以將膜130的邊緣壓向樣本配接器120。

如圖7中所示，在樣本配接器120之上表面在形狀上為圓形的情形中，壓塊140可製作成環形。

進一步講，較佳地，壓塊140的垂直橫剖面可為方形。

進一步講，樣本配接器120具有預定高度，使得當膜130受壓塊140加壓時，膜130圍繞樣本配接器120的邊緣，並維持其張力。

進一步講，壓塊140可製作成條狀。

進一步講，壓塊140執行將膜130壓向樣本配接器120、並且維持膜130之形狀的功能。

進一步講，參考圖8，可在膜130上穿孔形成複數曝露溝槽131，使得引腳11曝露於膜130的下側。

進一步講，曝露溝槽131的尺寸小於樣本10的表面面積，且曝露溝槽131用以使樣本10之下表面的邊緣附著並固定於曝露溝槽131之上部的邊緣上。

據此，在根據本發明之第一實施例的樣本固持器100中，藉由使樣本10與膜130緊密接觸，可使該樣本10附著於膜130上。

進一步講，參考圖9，絕緣層150可附著於樣本配接器120的上表面上。

進一步講，絕緣層150係使樣本配接器120與樣本10電性絕緣的覆層。

進一步講，絕緣層150可藉由在樣本配接器120的上表面上塗佈絕緣材料或附著絕緣膜而形成。

換言之，當執行EMI屏蔽層之沉積製程時，絕緣層150具有防止對樣本10造成電損傷的優勢。

進一步講，儘管圖中並未顯示，但緩衝墊可進一步設置於樣本配接器120的上表面上，以使膜130與樣本配接器120緊密接觸。

進一步講，緩衝墊用作絕緣層150，並且可為例如矽墊(silicon pad)。

進一步講，當緩衝墊執行絕緣的功能時，可不在樣本配接器120上形成絕緣層150。

進一步講，緩衝墊可為具有預定熱導率的熱墊，例如含有金屬元素的矽墊。

進一步講，根據本發明之第一實施例的氣相沉積裝置可更包含設置於真空腔室200內、且使沉積材料p分散至樣本10中的陰極170。

參考圖10，陰極170係圓柱狀電極，以產生用於分散沉積材料p的電漿。

進一步講，陰極170可為在陰極170的外表面上塗佈有靶材(即為沉積材料)的濺射陰極。

進一步講，圖10顯示一陰極170係設置於真空腔室200內，但陰極170可以複數設置成在橫向上互相平行。

進一步講，具有橢圓軌道形狀的N極磁鐵171、及具有橢圓軌道形狀且與N極磁鐵171隔開一預定距離的S極磁鐵172係設置於陰極170內。

進一步講，N極磁鐵171及S極磁鐵172係在陰極170的環向上互相隔開預定距離。

進一步講，磁場f係從N極磁鐵171向S極磁鐵172呈環形產生。

進一步講，磁場f扮演在該磁場f的內部空間中形成並限制電漿PL的角色。

換言之，電漿PL係藉由N極磁鐵171及S極磁鐵172之間所產生之磁場f而形成為在陰極170的長度方向上圍繞陰極170的橢圓軌道狀電漿(此後稱為軌道電漿)。

進一步講，軌道電漿PL分為設置於陰極170之長度方向上之陰極170之相反側邊上的線性部電漿PL1及PL2、以及延伸於該線性部電漿PL1及PL2之相反末端的彎曲部電漿PL3及PL4。

換言之，參考圖11，當觀察陰極170的橫剖面時，線性部電漿PL1及PL2係圍繞陰極170的中心線(c，旋轉軸)互相隔開一預定角度θ。

進一步講，N極磁鐵171及S極磁鐵172能夠在陰極170內旋轉。

換言之，當線性部電漿PL1及PL2圍繞陰極170的外周旋轉時，能夠使沉積材料p分散。

進一步講，預定角度θ可為10至180度，且如此之角度係在N極磁鐵171及S極磁鐵172設置於陰極170內時所決定的數值，且因此該角度在設置磁鐵之後不發生改變。

換言之，N極磁鐵171及S極磁鐵172能夠僅以以下狀態旋轉：複數磁鐵在陰極170內的相對位置係固定的。

進一步講，在設置複數陰極170的情形中，定位於外側之兩個電極之線性部電漿PL1及PL2的角度可小於其他陰極之線性部電漿PL1及PL2的角度。

當樣本10在移入真空腔室200時受到沉積時，意圖藉由在初始沉積階段或後沉積階段期間以高速進行沉積、且藉由在其餘沉積階段期間以低速進行沉積，使電漿對樣本10造成的損傷最小化。

進一步講，當電源耦合至陰極170時，沉積材料p係在軌道電漿PL的移動方向上分散，且因此在樣本10上形成沉積層。

進一步講，當樣本固持器100在真空腔室200內於一方向上移動或往復移動時，該樣本固持器100能在樣本10上形成沉積層。

進一步講，當N極磁鐵171及S極磁鐵172在陰極170內旋轉時，該N極磁鐵171及S極磁鐵172控制沉積材料p的之分散的方向及數量。

進一步講，因為線性部電漿PL1及PL2相關於一方向在位置上可不固定，所以防止了局部熱量集中，從而達成低溫下沉積。

進一步講，參考圖12，N極磁鐵171及S極磁鐵172可旋轉成使線性部電漿PL1及PL2其之一者朝樣本10的移動方向定向。

意圖不僅在樣本10的上表面上，也在其側表面上形成具有平均高度的沉積層。

進一步講，參考圖13，樣本10可為具有預定高度h的多邊形樣本，且可附著於膜130上，以使樣本10的側邊緣e定向成朝向樣本固持器100在真空腔室200內的移動方向a。

換言之，其優勢在於沉積材料p係對角地向樣本10的側邊緣e分散，從而具有使沉積材料p不僅在樣本10的上表面上，亦在其側表面上均勻沉積的效果。

本發明之實施例

第二實施例

圖14為根據本發明之第二實施例說明樣本固持器及氣相沉積裝置的圖式。

參考圖14，相較於本發明之第一實施例的樣本固持器100，根據本發明之第二實施例的樣本固持器100a具有的差異在於埋有傳熱氣體管線150a，但其他元件係實質上相同。

傳熱氣體管線150a接收來自傳熱氣體供應裝置300的傳熱氣體s，並將該傳熱氣體s排放至樣本配接器120的上表面。

進一步講，傳熱氣體管線150a可由直接連接至傳熱氣體供應裝置300之傳熱氣體供應管線310的主管線151、以及從主管線151分支出來的支管線152組成。

進一步講，支管線152係連接至穿孔於樣本配接器120之上表面上之氣體排放孔122的複數者。

進一步講，傳熱氣體s係排放於氣泡區域b(藉由膜130及樣本配接器120之間的部分附著失效而存在)中，並執行作為將樣本10之熱量轉移至樣本配接器120、或將樣本配接器120之熱量轉移至樣本10之傳熱媒體的功能。

換言之，傳熱氣體s可執行作為加熱氣體之冷卻氣體的功能。

進一步講，較佳地，傳熱氣體s可供應為惰性氣體(例如，氬氣)，其將不影響沉積製程。

因此，具有以下優勢：即使膜130及樣本配接器120之間發生附著失效，仍將有效控制樣本10之溫度。

進一步講，如圖15中所示，當增加傳熱氣體s的排放或壓力時，膜130及樣本配接器120可藉由傳熱氣體層c'而互相分隔開。

在如此之方式中，附著於膜130上之所有樣本10的熱量將透過傳熱氣體層c'而加以轉移，從而使所有樣本10的溫度維持於相同的狀況。

因此，可能在所有樣本10上形成均勻的塗佈層。

第三實施例

圖16為根據本發明之第三實施例說明樣本固持器及氣相沉積裝置的圖式。

參考圖16，根據本發明之第三實施例的樣本固持器100b係配置成包含根據本發明之第一實施例的複數樣本固持器100。

進一步講，圖16顯示如下配置：根據本發明之第三實施例的樣本固持器100b包含在一平坦表面上互相分隔開的四個樣本固持器100。然而，樣本固持器100的數目並非特定受限。

換言之，根據本發明之第三實施例的樣本固持器100b具有的優勢在於同時固持複數樣本10，且不同類的樣本10係固持在不同的樣本固持器100上，從而達成互相不同溫度下的沉積。

進一步講，根據本發明之第三實施例的樣本固持器100b可配置成包含根據本發明之第二實施例的複數樣本固持器100a。

進一步講，如圖17中所示，設置於樣本固持器100之每一者內的流體流動管線111可互相連接成單一管線。

在此情形中，具有簡化流體流動管線111之結構、且於其之間分享單一流體的優勢。然而，因為個別地控制樣本固持器100之每一者的溫度係困難的，故就精確溫度控制而言有所限制。

進一步講，如圖18中所示，流體流動管線111可埋於樣本固持器100的每一者中，且互相可不連通。

在此情形中，具有使流體流動管線111之結構複雜化、且於其之間不分享單一流體的問題。然而，可個別地控制樣本固持器100之每一者的溫度，從而有效地防止局部溫度上升。

進一步講，如圖19中所示，流體流動管線111可設置成部分樣本固持器100的流體流動管線係部分地互相連接。

在此情形中，如此之流體流動管線111部分地具有圖17及18中所示之流體流動管線111的優勢且劣勢。

因此，可根據氣相沉積裝置之規格選擇及設計適當類型的流體流動管線111。

進一步講，根據本發明之第三實施例的樣本固持器100b需要複數之圖3中所示之壓塊140，以對定位於樣本固持器100之每一者上的膜130加壓，如圖20中所示，壓塊140可設置成單一壓塊架140a，其中壓塊140的側表面係互相耦接。

換言之，壓塊架140a係設置有附著開口，膜130係透過該附著開口以對應於樣本固持器100之數目的數目而附著。

因此，這表示複數樣本10可同時地受固持於真空腔室200內，這是因為若干膜130(其為現成膜)係附著於壓塊架140a上。

第四實施例

圖21為根據本發明之第四實施例說明氣相沉積裝置的圖式。相較於根據本發明之第一實施例的氣相沉積裝置，根據本發明之第四實施例的氣相沉積裝置係配置成更包含附加於真空腔室200及樣本固持器100的陰極170及內部屏蔽160。

陰極170亦可設置於根據本發明之第一、第二、及第三實施例的氣相沉積裝置中。

進一步講，樣本固持器100可利用根據第二實施例之樣本固持器100a、或根據第三實施例之樣本固持器100b替代。

陰極170係設置於真空腔室200內，且係使待沉積於樣本10上之沉積材料p分散的電極。

進一步講，當進行物理氣相沉積時，陰極170具有塗佈於其外表面上的靶材(即為沉積材料)，且當進行化學氣相沉積時，其上沒有塗佈靶材的陰極170用作產生電漿的電極。

內部屏蔽160係定位於真空腔室200內之陰極170及樣本固持器100之間，且其上附著樣本10的膜130係定位於內部屏蔽160及樣本固持器100之間。

進一步講，內部屏蔽160藉由阻擋陰極170及樣本固持器100之間的部分區域而限制來自陰極170之沉積材料p進行分散的分散區域。

圖22為說明從上側審視時之內部屏蔽160的圖式，且圖23為說明從下側審視時之內部屏蔽160的圖式。

參考圖22及23，內部屏蔽160具有平板形狀，且係橫向地定位於陰極170及樣本固持器100之間。

進一步講， 內部屏蔽160係其自身之中心部分開放的框架，且該內部屏蔽160係設置有防止自陰極170所分散之沉積材料p落下的覆蓋區域160b，以及容許沉積材料p落下的開放區域160a。

換言之，自陰極170所分散之沉積材料p可藉由穿過開放區域160a落在樣本10上。

進一步講，內部屏蔽160的下表面係在圍繞開放區域160a之邊緣的位置處設置有重量架161。

進一步講，參考圖21，使重量架161插在插入溝槽g中，該插入溝槽g係在內部屏蔽160的下表面上沿開放區域160a之邊緣所形成之具有預定深度的深壓痕區域。

進一步講，重量架161能夠在插入溝槽g內上下移動，其中重量架161之上末端向外凸的伸出停止部(finger stop) r及插入溝槽g之下末端向內凸的卡鎖階部(locking step) l係互相接合，從而防止重量架161偏向內部屏蔽160的下側。

換言之，當向上壓重量架161的下表面時，重量架161係自然地滑入內部屏蔽160的插入溝槽g中，且然後釋放重量架161，從而由於自身重量向下移動並凸向內部屏蔽160的下側。

進一步講，重量架161係製造成對應於維持膜130之壓塊140之形狀及尺寸的形狀及尺寸。

進一步講，當內部屏蔽160下降或樣本固持器上升成重量架161及壓塊140互相接觸的狀態時，重量架161的自身重量係施加於壓塊140上，因此膜130受壓塊140加壓，並且使膜130與樣本固持器100的上表面緊密接觸。

此時，重量架161係自然地滑入內部屏蔽160的插入溝槽g中，從而藉由重量架161的自身重量在壓塊140上施加負載。

進一步講，重量架161可以不鏽鋼製成。

此後，在樣本10上沉積塗佈層的製程將參考圖24至26簡短地加以描述。

首先，如圖24中所示，當使其上附著樣本10的膜130輸入至真空腔室200內，且定位於樣本固持器100之上部一預定距離處時，樣本固持器100上升或膜130下降，且因此使膜130定位於樣本固持器100上。

此時，僅膜130之下表面的中心部位係與樣本固持器100的上表面相接觸，此乃膜130與樣本固持器100互相非完全而是部分接觸的狀態。

接下來，如圖25中所示，當樣本固持器100上升時，使維持膜130的壓塊140及重量架161互相接觸。

然而，當內部屏蔽160下降時，可使壓塊140及重量架161互相接觸。

此時，真空腔室200的內部空間係基於內部屏蔽160及膜130而劃分成陰極170定位於其中的沉積空間200a及樣本固持器100定位於其中的非沉積空間200b。

換言之，因為壓塊140及重量架161係互相接觸，故自陰極170所分散之沉積材料p係僅沉積在內部屏蔽160及膜130的上部上，且因此不會被引入至非沉積空間200b。

因此，具有防止沉積材料p被分散進入真空腔室內不必進行沉積之區域、以及降低真空腔室200之內側之清理頻率的優勢，從而由於操作速率的增加而改善生產良率。

接下來，參考圖26，當內部屏蔽160下降或樣本固持器100上升時，藉由重量架161之自身重量的負載係施加於壓塊140上。

然後，膜130的邊緣被壓向樣本固持器100，因此使膜130與樣本固持器100的整個上表面緊密接觸。

接下來，施加電源至陰極170，且然後沉積材料p係自陰極170分散，並且沉積至樣本10上，從而在樣本10的外表面上形成塗佈層。

因此，在根據本發明之第四實施例的氣相沉積裝置中，當樣本10藉由與樣本固持器100緊密接觸而執行精確溫度控制時，具有改善沉積品質的優勢。

進一步講，在根據本發明之第四實施例的氣相沉積裝置中，當重量架161僅以自身重量而無額外操作裝置對膜130加壓時，具有獲得簡單結構、以及防止膜130變形或破裂的優勢。

進一步講，在根據本發明之第四實施例的氣相沉積裝置中，當重量架161及壓塊140互相接觸時，真空腔室200的內部空間係劃分成沉積空間200a及非沉積空間200b，具有防止沉積材料p沉積至不必進行沉積之區域上的優勢，從而降低清理的頻率。

進一步講，可將內部屏蔽160卸除並在真空腔室200外進行清理。

第五實施例

圖27為根據本發明之第五實施例說明氣相沉積裝置的圖式。相較於根據本發明之第四實施例的氣相沉積裝置，根據本發明之第五實施例的氣相沉積裝置的特徵在於內部屏蔽160'及重量架161'之間的耦接關係互不相同。但其他元件係實質上相同。

進一步講，根據本發明之第五實施例之氣相沉積裝置的真空腔室200係設置有內部屏蔽160'、重量架161'、及樣本10進入的入口210。

進一步講，根據第四實施例，入口210係實質上設置於真空腔室200內。

相較於根據本發明之第四實施例的內部屏蔽160及重量架161，內部屏蔽160'及重量架161'的特徵在於重量架161'及內部屏蔽160'不是互相耦接，而是互相隔開。

進一步講，重量架161'係設置在當重量架161'上升或內部屏蔽160'下降時，使重量架161'之上表面與內部屏蔽160'之開放區域之下表面的邊緣相接觸的位置處。

進一步講，重量架161'係由真空腔室200內的預定支撐件(未顯示)支撐，且重量架161'可自真空腔室200分離、並卸除至真空腔室200外側。

進一步講，重量架161'可在真空腔室200內上下移動。

進一步講，內部屏蔽160'亦可自真空腔室200分離、並卸除至真空腔室外側。

進一步講，根據本發明之第五實施例之氣相沉積裝置的沉積製程將參考圖28至31加以描述。

首先，如圖28中所示，將其上附著有樣本的膜130輸入至真空腔室200內，且係以預定距離定位。此時，亦將內部屏蔽160'及重量架161'輸入至真空腔室200內，且係受支撐於預定位置。

接下來，當膜130下降或樣本固持器100上升時，膜130係定位於樣本固持器100上。

此時，僅膜130之下表面的中心部位係與樣本固持器100的上表面接觸，此乃膜130未完全緊密接觸樣本固持器100之上表面的狀態。

接下來，如圖29中所示，當重量架161'下降或樣本固持器100上升時，使重量架161'與維持膜130的壓塊140接觸。

此時，當在真空腔室200內釋放重量架161'的支撐、且重量架161'由於自身重量向下對壓塊140施壓時，使膜130與樣本固持器100的整個上表面接觸。

接下來，參考圖30，當樣本固持器100上升或內部屏蔽160'下降時，使內部屏蔽160'的下表面及重量架161'的上表面互相接觸。此時，真空腔室200的內部空間係基於內部屏蔽160'及膜130劃分成分別為陰極170定位之上部空間、及樣本固持器100定位之下部空間的沉積空間200a、及非沉積空間200b。

然而，內部屏蔽160'的下表面及重量架161'的上表面可互相稍微隔開。

接下來，當施加電源至陰極170時，沉積材料p係分散於沉積空間200a內，且沉積於樣本10上，從而在樣本10的外表面上形成塗佈層。

進一步講，沉積材料p僅沉積在膜130的上部上，且不容許其引入非沉積空間200b。

因此，可防止沉積材料p分散進入不必進行沉積之區域，因此可降低真空腔室200之內側的清理頻率，且可增加操作速率，因此具有改善生產良率的優勢。

接下來，參考圖31，在完成沉積製程之後，將膜130卸除至真空腔室200外側，因此獲得具有塗佈層形成於其上的樣本10。

此時，亦將內部屏蔽160'及重量架161'卸除至真空腔室200外側，從而降低其於沉積製程期間增加的溫度，並防止樣本的變形。

進一步講，當重量架161'在真空腔室200外側冷卻下來時，在隨後的沉積製程中，防止熱量施加於樣本10或膜130，從而具有無論有無後續沉積製程都維持沉積品質的優勢。

進一步講，沉積至內部屏蔽160'及重量架161'上的沉積材料p係加以清理。

進一步講，在每一沉積製程後、或預定循環後，可將內部屏蔽160'及重量架161'卸除至真空腔室200外側。這意在藉由簡化沉積製程增加生產良率。

換言之，根據本發明之第五實施例的氣相沉積裝置，當將內部屏蔽160'及重量架161'卸除至真空腔室200外側時，具有容許有效清理及冷卻的優勢。

第六實施例

圖32為根據本發明之第六實施例說明氣相沉積裝置的圖式。相較於根據本發明之第五實施例的氣相沉積裝置，根據本發明之第六實施例的氣相沉積裝置的特徵在於以下差異：內部屏蔽160"係固定於真空腔室200內，且其他元件係實質上相同。

進一步講，其中流動溫度控制流體的流體流動管線160a''係埋於內部屏蔽160''中。

換言之，根據本發明之第六實施例的氣相沉積裝置具有以下優勢：儘管不將內部屏蔽160''卸除至真空腔室200外側，但仍可在真空腔室200內使內部屏蔽160''冷卻下來。

因此，如圖33中所示，在根據本發明之第六實施例的氣相沉積裝置中，在完成沉積沉積製程之後，僅將膜130及重量架161'卸除至真空腔室200外側，並冷卻下來。

這表示不必在真空腔室200內配備用以卸除內部屏蔽160''的額外裝置，且因此具有簡化氣相沉積裝置之結構、及降低製造成本的優勢。

同時，流動於內部屏蔽160''之流體流動管線160a''中的溫度控制流體可為冷卻流體或加熱流體。

總的來說，溫度控制流體為冷卻流體，以防止內部屏蔽160''的溫度上升，但在初始沉積階段，溫度控制流體可為加熱流體，以將樣本10加熱至預定溫度。

產業應用性

根據本發明之複數實施例的樣本固持器及氣相沉積裝置可用以在例如電性裝置的樣本上沉積塗佈層。特別地，樣本固持器及氣相沉積腔室在於樣本上進行EMI屏蔽塗佈方面係有利的。

10‧‧‧樣本
11‧‧‧引腳
100‧‧‧樣本固持器
100a‧‧‧樣本固持器
100b‧‧‧樣本固持器
110‧‧‧溫度控制卡盤
111‧‧‧流體流動管線
120‧‧‧樣本配接器
120a‧‧‧樣本配接器
121‧‧‧溝槽
122‧‧‧氣體排放孔
130‧‧‧膜
131‧‧‧曝露溝槽
140‧‧‧壓塊
140a‧‧‧壓塊架
150‧‧‧絕緣層
150a‧‧‧傳熱氣體管線
151‧‧‧主管線
152‧‧‧支管線
160‧‧‧內部屏蔽
160'‧‧‧內部屏蔽
160''‧‧‧內部屏蔽
160a‧‧‧開放區域
160a''‧‧‧流體流動管線
160b‧‧‧覆蓋區域
161‧‧‧重量架
161'‧‧‧重量架
170‧‧‧陰極
171‧‧‧N極磁鐵
172‧‧‧S極磁鐵
200‧‧‧腔室
200a‧‧‧沉積空間
200b‧‧‧非沉積空間
210‧‧‧入口
300‧‧‧傳熱氣體供應裝置
310‧‧‧傳熱氣體供應管線
a‧‧‧移動方向
b‧‧‧氣泡區域
c‧‧‧中心線
c'‧‧‧傳熱氣體層
e‧‧‧側邊緣
f‧‧‧磁場
g‧‧‧插入溝槽
h‧‧‧高度
l‧‧‧卡鎖階部
P‧‧‧沉積材料
PL‧‧‧電漿
PL1‧‧‧線性部電漿
PL2‧‧‧線性部電漿
PL3‧‧‧彎曲部電漿
PL4‧‧‧彎曲部電漿
R‧‧‧曲率
r‧‧‧伸出停止部
s‧‧‧傳熱氣體
w1‧‧‧寬度
w2‧‧‧長度
θ‧‧‧角度

圖1為根據本發明之第一實施例說明樣本固持器及氣相沉積裝置的圖式；

圖2為根據本發明之第一實施例說明樣本固持器之配置的圖式；

圖3為根據本發明之第一實施例說明樣本固持器之壓塊的圖式；

圖4為根據本發明之第一實施例說明作為單一主體之樣本固持器的圖式；

圖5為根據本發明之第一實施例說明樣本固持器之樣本配接器的圖式；

圖6為根據本發明之第一實施例說明樣本固持器之溝槽的圖式；

圖7為根據本發明之第一實施例說明另一類型之樣本固持器的圖式；

圖8為根據本發明之第一實施例說明樣本固持器之膜的圖式；

圖9為根據本發明之第一實施例說明樣本固持器之絕緣層的圖式；

圖10為根據本發明之第一實施例說明氣相沉積裝置之陰極的圖式；

圖11為根據本發明之第一實施例說明產生自氣相沉積裝置之陰極之電漿的方向的圖式；

圖12為根據本發明之第一實施例說明樣本之移動、及氣相沉積裝置之磁鐵之旋轉的圖式；

圖13為根據本發明之第一實施例說明氣相沉積裝置中樣本之附著的圖式；

圖14為根據本發明之第二實施例說明樣本固持器及氣相沉積裝置的圖式；

圖15為根據本發明之第二實施例說明樣本固持器及氣相沉積裝置之傳熱氣體層的圖式；

圖16為根據本發明之第三實施例說明樣本固持器及氣相沉積裝置的圖式；

圖17顯示根據本發明之第三實施例之樣本固持器及氣相沉積裝置之流體流動管線的第一範例；

圖18顯示根據本發明之第三實施例之樣本固持器及氣相沉積裝置之流體流動管線的第二範例；

圖19顯示根據本發明之第三實施例之樣本固持器及氣相沉積裝置之流體流動管線的第三範例；

圖20為根據本發明之第三實施例說明樣本固持器及氣相沉積裝置之壓塊架(pressure block frame)的圖式；

圖21為根據本發明之第四實施例說明氣相沉積裝置的圖式；

圖22為根據本發明之第四實施例說明氣相沉積裝置之內部屏蔽之從上側審視時的圖式；

圖23為根據本發明之第四實施例說明氣相沉積裝置之內部屏蔽之從下側審視時的圖式；

圖24至26為根據本發明之第四實施例說明使用氣相沉積裝置之沉積製程的圖式；

圖27為根據本發明之第五實施例說明氣相沉積裝置的圖式；

圖28至31為根據本發明之第五實施例說明使用氣相沉積裝置之沉積製程的圖式；

圖32為根據本發明之第六實施例說明氣相沉積裝置的圖式；以及

圖33為根據本發明之第六實施例說明使用氣相沉積裝置進行沉積製程後一狀態的圖式。

Claims (23)

1. 一種樣本固持器，用以固持一樣本作為一真空腔室內氣相沉積的標的，該樣本固持器包含：一溫度控制卡盤，其控制該樣本的溫度；以及一樣本配接器，其係定位於該溫度控制卡盤之一上部上、具有定位於該樣本配接器之一上表面上的一膜，且該樣本係附著於該膜上，該樣本配接器將該樣本的熱量轉移至該溫度控制卡盤、或將該溫度控制卡盤的熱量轉移至該樣本，其中該樣本配接器的該上表面具有一曲線形狀，其中該樣本配接器之該上表面的寬度小於該膜的寬度，或者該樣本配接器之該上表面的面積小於該膜的面積，其中一壓塊(pressure block)係設置於該膜之一上表面的邊緣上，當該膜係定位於該樣本配接器上時，該壓塊用以對未與該樣本配接器接觸之該膜的邊緣向下施壓，因此使該膜與該樣本配接器的該上表面緊密接觸。
2. 如申請專利範圍第1項之樣本固持器，其中該溫度控制卡盤及該樣本配接器係設置為一單一主體。
3. 如申請專利範圍第1或2項之樣本固持器，其中一緩衝墊係透過塗佈或附著設置於該樣本配接器的該上表面上，該緩衝墊使該膜與該樣本配接器的該上表面緊密接觸，從而進行熱量轉移。
4. 如申請專利範圍第1或2項之樣本固持器，其中複數溝槽係形成於該樣本配接器的該上表面上。
5. 如申請專利範圍第4項之樣本固持器，其中一排出管線係設置於該樣本配接器內，當該膜係定位於該樣本配接器上時，該排出管線用以將該複數溝槽內的空氣排出至外側，因此使該膜與該樣本配接器的該上表面緊密接觸。
6. 如申請專利範圍第1或2項之樣本固持器，其中一絕緣層係透過塗佈或附著設置於該樣本配接器的該上表面上。
7. 如申請專利範圍第1或2項之樣本固持器，其中一傳熱氣體管線係埋於該樣本配接器中，該傳熱氣體管線接收來自該樣本配接器外側的傳熱氣體，以及將該傳熱氣體排放至該溫度控制卡盤的一上表面，且將該傳熱氣體排放至設置於該樣本配接器之該上表面及該膜之間的一氣泡區域，並在其之間進行熱量轉移。
8. 一種氣相沉積裝置，包含：一真空腔室；以及如申請專利範圍第1或2項之樣本固持器，該樣本固持器係固定於該真空腔室內、或在該真空腔室內移動，並且該樣本固持器在該樣本固持器的一上表面上固持一樣本作為氣相沉積的標的。
9. 如申請專利範圍第8項之氣相沉積裝置，其中設置複數個該樣本固持器。
10. 如申請專利範圍第9項之氣相沉積裝置，其中一溫度控制流體流動於其中的一流體流動管線係設置在該樣本固持器之該溫度控制卡盤的每一者中。
11. 如申請專利範圍第10項之氣相沉積裝置，其中該溫度控制卡盤的流體流動管線係互相連接，因此該流體流動管線係設置成一單一流體流動管線。
12. 如申請專利範圍第8項之氣相沉積裝置，更包含：一陰極，其係設置於該真空腔室中，以面向該樣本固持器，並且使一沉積材料分散至該樣本上；以及一內部屏蔽，其係設置於該陰極及該樣本固持器之間，並且屏蔽該陰極及該樣本固持器之間區域的一部分，且限制該沉積材料分散於其中的區域。
13. 如申請專利範圍第12項之氣相沉積裝置，其中一重量架係設置在該內部屏蔽之一開口之邊緣的下部中，使得該重量架相對於該內部屏蔽的內側上下移動，當該內部屏蔽向下移動或該樣本固持器向上移動時，該重量架用以接觸該膜之一上表面的邊緣，並且將該膜壓向該樣本固持器，因此使該膜與該樣本固持器的該上表面緊密接觸。
14. 如申請專利範圍第13項之氣相沉積裝置，其中該重量架係由於自身重量而曝露在該內部屏蔽之該下部的外側，在該內部屏蔽向下移動或該樣本固持器向上移動至與該膜接觸之後，當該內部屏蔽進一步向下移動或該樣本固持器進一步向上移動時，藉由使該重量架插入該內部屏蔽，該重量架用以由自身重量在該膜上施加壓力。
15. 如申請專利範圍第14項之氣相沉積裝置，其中該壓塊係設置於該膜之該上表面的邊緣上，以維持該膜的形狀，該重量架該對壓塊的一上表面加壓，並且使該膜與該樣本固持器緊密接觸，以及當該重量架與該壓塊的該上表面接觸時，該真空腔室的內部空間係基於該內部屏蔽及該膜而劃分成分別為上部空間及下部空間的一沉積空間及一非沉積空間。
16. 如申請專利範圍第12項之氣相沉積裝置，其中一重量架係設置於該內部屏蔽及該樣本固持器之間，使得該重量架上下移動，該壓塊係設置於該膜之一上表面的邊緣上，以維持該膜的形狀，該重量架的一下表面與該壓塊的一上表面接觸，並將該壓塊壓向該樣本固持器，因此使該膜與該樣本固持器的該上表面緊密接觸，以及當該重量架的一上表面由於該內部屏蔽的下降或該樣本固持器的上升而接觸或靠近該內部屏蔽之一開口之邊緣的下部時，該真空腔室的內部空間係基於該內部屏蔽及該膜而劃分成分別為上部空間及下部空間的一沉積空間及一非沉積空間。
17. 如申請專利範圍第16項之氣相沉積裝置，其中該內部屏蔽及該重量架係與該真空腔室分離，且該內部屏蔽及該重量架係分別地或一起卸除至該真空腔室外側。
18. 如申請專利範圍第12項之氣相沉積裝置，其中一重量架係設置於該內部屏蔽及該樣本固持器之間，使得該重量架上下移動，該壓塊係設置於該膜之一上表面的邊緣上，以維持該膜的形狀，該重量架的一下表面與該壓塊的一上表面接觸，並將該壓塊壓向該樣本固持器，因此使該膜與該樣本固持器的該上表面緊密接觸，該內部屏蔽係固定在該真空腔室內，當該重量架的一上表面由於該樣本固持器的上升而接觸或靠近該內部屏蔽之一開口之邊緣的下部時，該真空腔室的內部空間係基於該內部屏蔽及該膜而劃分成分別為上部空間及下部空間的一沉積空間及一非沉積空間，且該重量架係與該真空腔室隔開，並卸除至該真空腔室外側。
19. 如申請專利範圍第8項之氣相沉積裝置，更包含：一圓柱狀的陰極，其係設置於該真空腔室內，該陰極使一沉積材料分散，其中在氣相沉積期間，在該陰極的一表面上，於該陰極的長度方向上形成一橢圓的軌道電漿，其中藉由圍繞該陰極的一旋轉軸旋轉10至180度的一預定角度，形成在該陰極的該長度方向上互相平行的兩線性部電漿(linear section plasma)。
20. 如申請專利範圍第19項之氣相沉積裝置，其中一N極磁鐵及一S極磁鐵係設置於該陰極內，而在一環向上互相分隔開，且該軌道電漿係沿著該N極磁鐵及該S極磁鐵之間所產生之一磁場的內側形成，其中該N極磁鐵及該S極磁鐵係圍繞該陰極之該旋轉軸而旋轉一預定角度，因此該線性部電漿圍繞圓柱狀之該陰極的圓周旋轉，從而進行氣相沉積。
21. 如申請專利範圍第20項之氣相沉積裝置，其中該樣本固持器在該真空腔室內在一方向上移動，或者往復移動，以在該樣本上形成一沉積層，且該N極磁鐵及該S極磁鐵旋轉成使該線性部電漿朝該真空腔室內移動的該樣本定向。
22. 如申請專利範圍第21項之氣相沉積裝置，其中該樣本係具有一預定高度的一多邊形樣本，且該樣本係固持於該樣本固持器上，使得該樣本的一側邊緣係定向於該樣本固持器的移動方向上。
23. 如申請專利範圍第19項之氣相沉積裝置，其中該陰極係設置成複數，複數個陰極在該真空腔室內係互相平行、且互相分隔開。