TWI621195B - 用以處理晶圓狀物體之裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

一種用以處理晶圓狀物體的方法與裝置係利用新穎的夾持機制，其允許以對夾頭銷的減少磨耗來執行晶圓位移。使一旋轉夾頭上的一晶圓狀物體轉動，該旋轉夾頭具有複數個位在該晶圓狀物體之周邊的銷。該等銷各自具有一頭部，該頭部在位於一工作位置(service position)時係在徑向上朝該晶圓狀物體內延伸並且在該晶圓狀物體的上方延伸。以足以使該晶圓狀物體向上移動而與該等銷之該等頭部接觸的一流率，將氣體供應到面向該旋轉夾頭之該晶圓狀物體的一表面上。此用以抵著該等銷的該等頭部而夾持該晶圓狀物體。然而，該等銷僅接觸該晶圓狀物體的向上晶圓表面，並且僅藉由該氣流從下方支撐該晶圓狀物體。

Description

用以處理晶圓狀物體之裝置及方法
本發明係關於用以處理例如半導體晶圓之晶圓狀物體的方法與裝置。
半導體晶圓經歷了例如蝕刻、清理、研磨以及材料沉積的各種表面處理程序。為了接受這些程序，吾人可藉由連接於一可轉動載體的一夾頭來支撐單一晶圓而使此晶圓相對於一或多個處理流體噴嘴，此係敘述於例如美國專利第4,903,717號以及第5,513,668號中。
這些夾頭包含圓形系列的銷，這些銷係位在晶圓的邊緣。這些銷係與夾頭上的晶圓對準並且限制其橫向移動。在某些設計中，這些銷亦可將晶圓固持在夾頭上方的某一距離。例如，在共同擁有之美國專利公開案第2011/0151675號(對應於WO 2011/073840)中，這些銷具有蘑菇狀頭部，此頭部用以夾持晶圓邊緣並且使晶圓維持在夾頭之表面上方的一固定距離。
如該申請案所述，在某些程序中，晶圓邊緣的某些區域(包含與銷接觸的區域)可能會遭受到與晶圓邊緣之其他區域不同的程序條件。為了抵消此現象，期望在此種處理期間執行「晶圓位移」，亦即，使晶圓相對於圓形系列的銷而在限制的角度範圍轉動。
在US 2011/0151675中，晶圓位移係藉由下列方式執行：在處理期間對旋轉夾頭進行短暫的加速或減速，此接著會因為環齒輪的慣性而在夾頭本體與所結合之環齒輪之間造成相對移動，環齒輪的設置係使這些銷從其徑向朝內工作位置移動到其徑向朝外裝載與卸載位置。因此，環齒輪與夾頭的相對移動使這些銷短暫地放鬆其在晶圓邊緣上的夾持，藉以允許 晶圓位移的發生。
然而，如在習知晶圓位移期間發生於晶圓與這些銷之間的相對移動會造成銷的過度磨耗並且明顯降低其工作壽命。再者，過早磨耗的銷無法均勻地夾持晶圓，並且可能會在此種旋轉夾頭所使用之相對高rpm下引起晶圓破裂發生率的增加。
本案發明人發現用以減輕因晶圓位移所引起之銷磨耗問題的新方法與裝置，並且在此種情況下設計出更通用於支撐晶圓狀物體而與目前所使用之裝置不同的方法與設備。
因此，在一實施態樣中，本發明係關於一種用以處理晶圓狀物體的方法，其包含下列步驟：使旋轉夾頭上的晶圓狀物體轉動，此旋轉夾頭包含複數個位在晶圓狀物體之周邊的銷。複數個銷各自包含一頭部，在位於銷的一工作位置時，此頭部在徑向上朝晶圓狀物體內延伸並且在晶圓狀物體的上方延伸。以足以使晶圓狀物體向上移動而與銷之頭部接觸的一流率，將氣體供應到面向旋轉夾頭的晶圓狀物體之表面上。藉以使晶圓狀物體抵著銷的頭部而受到夾持。銷僅接觸晶圓狀物體的向上晶圓表面，以及僅藉由氣體從下方支撐晶圓狀物體。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，將供應到面向旋轉夾頭之晶圓狀物體之表面上之氣體的流率降低到使晶圓狀物體下降而不與複數個銷接觸的一流率，藉以允許晶圓狀物體與複數個銷的相對轉動。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，在使旋轉夾頭上的晶圓狀物體轉動之前，將複數個銷移動到一裝載位置，在位於裝載位置時，這些銷的頭部係整個位在晶圓狀物體的直徑之外，藉以允許將晶圓狀物體裝載到旋轉夾頭上。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，在複數個銷位於裝載位置時，以一降低的流率將氣體供應到晶圓狀物體的下側，以從下方支撐晶圓狀物體，而不使晶圓狀物體上升到當複數個銷位於工作位置時與複數個銷之頭部接觸的一高度。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，複數個銷各自包含從各頭 部向下延伸的一頸部，此頸部在位於銷之工作位置時係整個位在晶圓狀物體的直徑之外，以使晶圓狀物體在與旋轉夾頭對準時不與複數個銷的頸部接觸。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，足以使晶圓狀物體向上移動而與銷之頭部接觸的流率為100-500 l/min，較佳為200-400 l/min，以及更佳為約300 l/min。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，使晶圓狀物體下降而不與複數個銷接觸的流率為5-40 l/min，較佳為10-30 l/min以及更佳為10-20 l/min。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，當晶圓狀物體抵著銷的頭部而受到夾持時，旋轉夾頭係以1000-1800 rpm的一速度進行轉動，較佳為1200-1600 rpm，以及更佳為約1500 rpm；以及當晶圓狀物體下降而不與複數個銷接觸時，旋轉夾頭係以100-800 rpm的一速度進行轉動，較佳為200-600 rpm，更佳為300-500 rpm，以及最佳為約400 rpm。
在依照本發明之方法的較佳實施例中，此氣體為氮。
在另一實施態樣中，本發明係關於一種用以處理晶圓狀物體的裝置，其包含：旋轉夾頭，用以容納具有一預定直徑的一晶圓狀物體，此晶圓狀物體係與旋轉夾頭的一轉軸對準。旋轉夾頭包含圓形系列的銷，這些銷能夠從一徑向朝外裝載與卸載位置移動到一徑向朝內工作位置。一氣體供應部以一預定流率將氣體提供到旋轉夾頭，以衝擊面向旋轉夾頭之晶圓狀物體的一表面。這些銷的其中每一者包含一頭部以及一頸部，此頭部在位於工作位置時係在預定直徑內延伸，此頸部在位於工作位置時係位在預定直徑之外。在以預定流率供應氣體期間，這些銷的頭部抵抗晶圓狀物體的向上移動而將晶圓狀物體侷限在一夾持位置。這些銷的頸部不妨礙晶圓狀物體從夾持位置的向下移動。
在依照本發明之裝置的較佳實施例中，此裝置設有一微處理器，此微處理器用以控制氣體供應部，俾能以預定流率以及一第二流率的其中每一者將氣體提供到旋轉夾頭，以衝擊面向旋轉夾頭之晶圓狀物體的一表面，第二流率係相對於預定流率而降低，晶圓狀物體在第二流率下係相對於圓形系列的銷而下降。
在依照本發明之裝置的較佳實施例中，此預定流率為100-500 l/min，較佳為200-400 l/min，以及更佳為約300 l/1min；以及第二流率為5-40 l/min，較佳為10-30 l/min以及更佳為10-20 l/min。
在依照本發明之裝置的較佳實施例中，這些圓形系列的銷可在徑向上朝工作位置內移動至一對準位置，在位於對準位置時，這些銷的頸部係靠近預定直徑。
在依照本發明之裝置的較佳實施例中，此微處理器控制旋轉夾頭的一轉動速度，以使旋轉夾頭在以預定流率供應氣體期間係以一第一速度進行轉動，以及使旋轉夾頭在以第二流率供應氣體期間係以小於第一速度的一第二速度進行轉動。
在依照本發明之裝置的較佳實施例中，第一速度為1000-1800 rpm，較佳為1200-1600 rpm，以及更佳為約1500 rpm；以及第二速度為100-800 rpm，較佳為200-600 rpm，更佳為300-500 rpm，以及最佳為約400 rpm。
1‧‧‧處理模組
2‧‧‧旋轉夾頭
3‧‧‧配送器
4‧‧‧處理液體供應部
5‧‧‧馬達
6‧‧‧氣體供應部
7‧‧‧微處理器
10‧‧‧下部件
15‧‧‧螺栓
20‧‧‧中間部件
25‧‧‧空間
30‧‧‧上部件
32‧‧‧內噴嘴陣列
33‧‧‧中間噴嘴陣列
34‧‧‧外噴嘴陣列
49‧‧‧凹穴
50‧‧‧環
51‧‧‧安裝螺栓
60‧‧‧銷
62‧‧‧放大頭部
64‧‧‧頸部
73‧‧‧鋸齒齒輪
V‧‧‧細部
W‧‧‧晶圓
吾人可在閱讀以下參照隨附圖式所敘述之本發明較佳實施例的詳細說明內容之後更加明白本發明之其他實施態樣、特徵以及優點，其中：圖1係依照本發明之一實施例之用於單一晶圓溼式處理之裝置1的概略立體圖；圖2係圖1之旋轉夾頭的更詳細部分剖面立體圖；圖3係圖1之旋轉夾頭的軸向剖面圖；圖4係如圖3所示之銷60的立體圖；圖5a係圖3之細部V的放大圖，其顯示位於其裝載/卸載位置時的銷60；圖5b係圖3之細部V的放大圖，其顯示當晶圓W尚未抵著銷之頭部而受到夾持時位於其工作位置的銷60；及圖5c係圖3之細部V的放大圖，其顯示當晶圓W抵著銷之頭部而受到夾持時位於其工作位置的銷60。
在圖1中，僅藉由氣體襯墊從下方將晶圓W支撐在旋轉夾頭2上，並且藉由銷(將於以下敘述)將其夾持在旋轉夾頭2的上方。從處理液體供應部4透過配送器3將處理液體配送到晶圓上。馬達5驅使旋轉夾頭2轉動，以及氣體供應部6提供氣體以衝擊晶圓W的下側。如在此更完整地敘述經由微處理器7來控制處理液體供應部4、馬達5以及氣體供應部6。一般而言，用於單一晶圓溼式處理的處理模組1可包含一群並聯操作且受到共用微處理器7控制的旋轉夾頭2。
如在共同擁有之美國專利公開案第2011/0151675號(對應於WO 2011/073840)中更完整地敘述，將環50設置成防止處理液體處理晶圓的下側或者防止處理液體將晶圓的下側處理得比晶圓邊緣表面的預定量還多。
如圖2所示，旋轉夾頭2包含三個基體元件：下部件10、中間部件20、以及上部件30。較佳係以螺栓將下與中間基體元件固定在一起，其中一個螺栓係顯示為15。
藉由安裝螺栓51將環50安裝於此夾頭。環50具有開口，以允許夾持銷60延伸穿過並且允許該等夾持銷在夾頭的上平面上方延伸。將六個凹穴49形成到此環中，俾能使僅邊緣接觸(edge-contact-only)夾具(例如，如美國專利第5,762,391號所述)可從夾頭移除晶圓或將晶圓放置到夾頭上。
在中間部件20與上部件30之間存在有可填充清淨加壓氣體(例如氮)的空間25。空間25內的加壓氣體流過三個同心排列的噴嘴陣列：內噴嘴陣列32、中間噴嘴陣列33、以及外噴嘴陣列34。透過噴嘴32、33、34所排放的氣體提供氣體襯墊(晶圓係飄浮於其上)，並且亦可經由白努力原理而協助將晶圓固定於夾頭。
在圖3中，顯示鋸齒齒輪73，其係經由設置在每一銷60之基座的嚙合齒而共同驅動夾持銷60。藉由彈簧(未圖示)使鋸齒齒輪73保持在關閉位置。在所示之實施例中，此旋轉夾頭包含圓形系列的六個夾持銷60，然而該數量可少如三個或多如十二個。
如圖4所示，銷60各自具有放大頭部62，此頭部用以在其處理期間將晶圓夾持於旋轉夾頭2。環50包含孔洞，此孔洞允許銷60通過此環並在其偏心運動範圍內進行樞轉(參見圖3)。鋸齒齒輪73控制這些銷從卸 載與裝載位置到工作位置的移動。
尤其，在位於圖5a所示的裝載與卸載位置時，銷60已藉由鋸齒齒輪73轉向，以使放大頭部64整個位在藉由晶圓W之周邊所形成之圓的直徑之外。因此，在位於銷60的此位置時，吾人可例如藉由使用如上所述之僅邊緣接觸夾具而從夾頭裝載與卸載晶圓W。
在裝載與卸載期間，將相對低的氣流供應到晶圓W的下側，此足以使晶圓W的下側保持不與旋轉夾頭2接觸，但不足以將此晶圓舉起超過銷60之頸部64的高度。此種相對低的氣流可例如係5-40升/min的氮氣流，較佳係10-30l/min，更佳係10-20l/min。
如圖5b所示，在將晶圓W裝載到旋轉夾頭2上之後，藉由鋸齒齒輪73將銷60共同轉向其工作位置。在位於此位置時，銷60的頭部62伸入到藉由晶圓W之外周邊所形成的圓中，亦即，其係從上方與晶圓W重疊。
然而，銷60不像共同擁有之美國專利公開案第2011/0151675號(對應於WO 2011/073840)中所敘述的銷56，因為在位於圖5b所示的工作位置時，銷60的頸部64與晶圓W保持隔開一小間隙「a」。因此，銷60不對晶圓W提供下方支撐，並且除了在向上傾斜表面上經由頭部62接觸以外，也不與晶圓W接觸。
接著，如圖5c所示，將較高的氣體流率供應到晶圓W的下側，此足以相對於旋轉夾頭2而舉起晶圓W，並且使此晶圓抵著頭部62而受到夾持。實務上，較佳係再次使用氮氣，在此種情況下，其流率為100-500l/min，較佳為200-400l/min，更佳為約300l/min。因此，係以新穎的方式來固持晶圓W，因為其並非係藉由銷60所夾持，而係藉由下方氣流的力量抵著銷60而受到夾持。
相反地，當氣流降低到不再使晶圓W上升的程度時，因為銷60的頸部64在位於工作位置時係不與晶圓W接觸，所以銷60不會阻礙晶圓W下降。
如上所述，因此，此種新穎固持技術亦提供在旋轉夾頭上處理晶圓狀物體期間產生晶圓位移的優質機制。亦即，無關於晶圓W的裝載與卸載，如圖5b所示，可藉由使通往晶圓W之下側的氣體流率降低到使晶圓 W下降而不與銷60之頭部62接觸的程度，而輕易地產生晶圓位移。之後由於晶圓W與銷60之間不產生接觸，所以相對轉動會因為晶圓W的慣性而在其之間發生。
吾人可明白晶圓位移的範圍可藉由改變旋轉夾頭在較低氣體流率施加至晶圓期間的轉動速度、以及改變較低氣體流率的持續時間而加以調整。例如，在正常處理期間，當藉由高氣流使晶圓W抵著銷60而受到夾持時，旋轉夾頭通常係以1000-1800rpm的相對高rpm來進行轉動，較佳係1200-1600rpm，更佳係約1500rpm。
另一方面，當降低氣流而使晶圓W下降到圖5b所示的位置以產生晶圓位移時，較佳係亦將夾頭的轉動速度降低到100-800rpm的速度，較佳係200-600rpm，更佳係300-500rpm，最佳係約400rpm。例如，當氮氣流在5秒內從300l/min的流率(圖5c)降低到10l/min(圖5b)時，沿著300mm半導體晶圓之周邊所量測之晶圓位移的量係約略從當旋轉夾頭以200rpm進行轉動時的約5mm線性變化至當旋轉夾頭以600rpm進行轉動時的35mm。
晶圓位移的範圍亦隨著氣體流率呈相反變化，以使晶圓位移期間的最佳流率範圍為10-30l/min，在較低的流率下難以可再現地執行晶圓位移，反之，在明顯較高的流率下會發生相對小的位移。
再者，晶圓位移的範圍會隨著低速率氣流的時間變化，較佳為從數秒到約10秒的持續時間。在數秒以下不足以使晶圓位移發生，反之，假使晶圓位移持續經過明顯大於10秒的時間，則晶圓位移的範圍可能會太大而無法使效果再現。

Claims (49)

  1. 一種用以處理晶圓的方法，包含下列步驟：使一旋轉夾頭上的一晶圓轉動；該旋轉夾頭包含複數個位在該晶圓之周邊的銷，該複數個銷各自包含一頭部，在位於該等銷的一工作位置時，該頭部在徑向上朝該晶圓內延伸並且在該晶圓的上方延伸；以足以使該晶圓向上移動而與該等銷之該等頭部接觸的一流率，將氣體供應到面向該旋轉夾頭的該晶圓之一表面上，藉以使該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持；其中該等銷僅接觸該晶圓的向上晶圓表面，以及僅藉由該氣體從下方支撐該晶圓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用以處理晶圓的方法，更包含下列步驟：將供應到面向該旋轉夾頭的該晶圓之該表面上的該氣體之流率降低到使該晶圓下降而不與該複數個銷接觸的一流率，藉以允許該晶圓與該複數個銷的相對轉動。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用以處理晶圓的方法，更包含下列步驟：在使該旋轉夾頭上的該晶圓轉動之前，將該複數個銷移動到一裝載位置，在位於該裝載位置時，該等銷的該等頭部係整個位在該晶圓的直徑之外，藉以允許將該晶圓裝載到該旋轉夾頭上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之用以處理晶圓的方法，更包含下列步驟：在該複數個銷位於該裝載位置時，以一降低的流率將氣體供應到該晶圓的下側，以從下方支撐該晶圓，而不使該晶圓上升到當該複數個銷位於該工作位置時與該複數個銷之該等頭部接觸的一高度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用以處理晶圓的方法，其中該複數個銷各自包含從各頭部向下延伸的一頸部，該等頸部在位於該等銷之工作位置時係整個位在該晶圓的直徑之外，以使該晶圓在與該旋轉夾頭對準時不與該複 數個銷的該等頸部接觸。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用以處理晶圓的方法，其中足以使該晶圓向上移動而與該等銷之該等頭部接觸的該流率為100-500l/min。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用以處理晶圓的方法，其中足以使該晶圓向上移動而與該等銷之該等頭部接觸的該流率為200-400l/min。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之用以處理晶圓的方法，其中足以使該晶圓向上移動而與該等銷之該等頭部接觸的該流率為約300l/min。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中使該晶圓下降而不與該複數個銷接觸的該流率為5-40l/min。
  10. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中使該晶圓下降而不與該複數個銷接觸的該流率為10-30l/min。
  11. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中使該晶圓下降而不與該複數個銷接觸的該流率為10-20l/min。
  12. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1000-1800rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以100-800rpm的一速度進行轉動。
  13. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1000-1800rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以200-600rpm的一速度進行轉動。
  14. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1000-1800rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以300-500rpm的一速度進行轉動。
  15. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1000-1800rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以約400rpm的一速度進行轉動。
  16. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1200-1600rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以100-800rpm的一速度進行轉動。
  17. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1200-1600rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以200-600rpm的一速度進行轉動。
  18. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1200-1600rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以300-500rpm的一速度進行轉動。
  19. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以1200-1600rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以約400rpm的一速度進行轉動。
  20. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以約1500rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以100-800rpm的一速度進行轉動。
  21. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以約1500rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以200-600rpm的一速度進行轉動。
  22. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以約1500rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以300-500rpm的一速度進行轉動。
  23. 如申請專利範圍第2項所述之用以處理晶圓的方法，其中當該晶圓抵著該等銷的該等頭部而受到夾持時，該旋轉夾頭係以約1500rpm的一速度進行轉動；以及當該晶圓下降而不與該複數個銷接觸時，該旋轉夾頭係以約400rpm的一速度進行轉動。
  24. 如申請專利範圍第1項所述之用以處理晶圓的方法，其中該氣體為氮。
  25. 一種用以處理晶圓的裝置，包含：一旋轉夾頭，用以容納具有一預定直徑的一晶圓，該晶圓係與該旋轉夾頭的一轉軸對準，該旋轉夾頭包含圓形系列的銷，該等銷能夠從一徑向朝外裝載與卸載位置移動到一徑向朝內工作位置；一氣體供應部，以一預定流率將氣體提供到該旋轉夾頭，以衝擊面向該旋轉夾頭之該晶圓的一表面；其中該等銷的其中每一者包含一頭部以及一頸部，該頭部在位於該工作位置時係在該預定直徑內延伸，該頸部在位於該工作位置時係位在該預 定直徑之外，在以該預定流率供應氣體期間，該等銷的該等頭部抵抗該晶圓的向上移動而將該晶圓侷限在一夾持位置，以及該等銷的該等頸部不妨礙該晶圓從該夾持位置的向下移動。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之用以處理晶圓的裝置，更包含一微處理器，該微處理器用以控制該氣體供應部，俾能以該預定流率以及一第二流率的其中每一者將氣體提供到該旋轉夾頭，以衝擊面向該旋轉夾頭之該晶圓的一表面，該第二流率係相對於該預定流率而降低，該晶圓在該第二流率下係相對於該等圓形系列的銷而下降。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為100-500l/min；以及該第二流率為5-40l/min。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為100-500l/min；以及該第二流率為10-30l/min。
  29. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為100-500l/min；以及該第二流率為10-20l/min。
  30. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為200-400l/min；以及該第二流率為5-40l/min。
  31. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為200-400l/min；以及該第二流率為10-30l/min。
  32. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為200-400l/min；以及該第二流率為10-20l/min。
  33. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為約300l/min；以及該第二流率為5-40l/min。
  34. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為約300l/min；以及該第二流率為10-30l/min。
  35. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該預定流率為約300l/min；以及該第二流率為10-20l/min。
  36. 如申請專利範圍第25項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該等圓形系列的銷可在徑向上朝該工作位置內移動至一對準位置，在位於該對準位置時，該等銷的該等頸部係靠近該預定直徑。
  37. 如申請專利範圍第26項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該微處理器控制該旋轉夾頭的一轉動速度，以使該旋轉夾頭在以該預定流率供應氣體期間係以一第一速度進行轉動，以及使該旋轉夾頭在以該第二流率供應氣體期間係以小於該第一速度的一第二速度進行轉動。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1000-1800rpm；以及該第二速度為100-800rpm。
  39. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1000-1800rpm；以及該第二速度為200-600rpm。
  40. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1000-1800rpm；以及該第二速度為300-500rpm。
  41. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1000-1800rpm；以及該第二速度為約400rpm。
  42. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1200-1600rpm；以及該第二速度為100-800rpm。
  43. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1200-1600rpm；以及該第二速度為200-600rpm。
  44. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1200-1600rpm；以及該第二速度為300-500rpm。
  45. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為1200-1600rpm；以及該第二速度為約400rpm。
  46. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為約1500rpm；以及該第二速度為100-800rpm。
  47. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為約1500rpm；以及該第二速度為200-600rpm。
  48. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為約1500rpm；以及該第二速度為300-500rpm。
  49. 如申請專利範圍第37項所述之用以處理晶圓的裝置，其中該第一速度為約1500rpm；以及該第二速度為約400rpm。
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