TWI620726B - 高透過附ito膜玻璃 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種高透過附ITO膜玻璃,其作為利用紅外線之光通訊所使用的光開關,透過率較高而可減低反射,且能以較少步驟用便宜成本作成。
本發明係利用1530nm~1570nm之波長區域之紅外線為入射光之液晶裝置所使用的高透過附ITO膜玻璃;該高透過附ITO膜玻璃10係配置為將液晶層夾入,ITO膜2成形於為玻璃基板1之內側的液晶層側;且於ITO膜2與玻璃基板1之間,有SiOx膜11(1≦x<2)成膜。
Description
本發明係關於利用紅外線之光通訊裝置所使用的高透過附ITO膜玻璃。
傳統上,進行光通訊之情形下,利用複數之波長之光可有效進行,且雷射光源係作為其複數之波長之光的光源被利用。此雷射光源,一般而言,係利用1500nm~1600nm之波長的紅外光。
此外,近年來,已知光通訊所使用之光開關,除了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)以外,有使用液晶裝置(液晶面板)之方法。
例如專利文獻1,係記載利用接近1.55μm之紅外線之光通訊裝置,於ITO電極等透明電極加壓電壓而使液晶之折射率變化,可使雷射波長變化。
亦即,使用液晶裝置之情形下,配置將液晶層包夾且設有ITO電極的附ITO膜之玻璃基板,藉由於包夾液晶層且對向之ITO電極加壓電壓而使液晶之折射率變化,可使光之前進方向變化。
另一方面,使用液晶裝置作為利用紅外線之光通訊所使用之光開關的情形下,由於在紅外線之波長區域1500nm~1600nm,
係ITO電極之消光係數大,光被吸收而衰減,因此有需求係將一般所使用偏光狀態之紅外線(波長區域1530nm~1570nm之光)效率良好地讀出,不使其雷射光衰減,僅變化偏光狀態。
因此,為了盡可能地降低反射,於使用液晶裝置之情形下,一般會於透明玻璃基板之外側(與液晶層係相反側)裝設防反射膜而對應。此等係由於玻璃之折射率為1.4~1.5,而空氣之折射率為1.0,因此目的係減少折射率有差異之玻璃基板與空氣之界面的反射。
【專利文獻1】日本專利特表2000-514566號公報
【專利文獻2】日本專利特開2009-3440號公報
然而,傳統的附ITO膜玻璃,由於玻璃基板之液晶層側所設之ITO電極之折射率為1.9~2.0;玻璃之折射率為1.4~1.5;液晶之折射率為1.4~1.5,因此ITO電極與玻璃基板之界面,或ITO電極與液晶之界面於折射率有差異,但關於此卻未特別採取對策,有雖輕微但仍發生反射之課題。
此外,例如於專利文獻2,為了解決上述之課題而在玻璃基板與ITO電極(透明導電膜13)之間亦形成有防反射膜(12),但此
防反射膜(12)為高折射率層(14)與低折射率層(15)之積層膜,因此亦有步驟複雜、成本亦變高之課題。
本發明,係為了解決如上述之課題而成者,目的在於作為利用紅外線之光通訊所使用之光開關,提供一種透過率較高而可減低反射,且能以較少步驟用便宜成本作成的高透過附ITO膜玻璃。
為了達成上述目的,本發明係利用1530nm~1570nm之波長區域之紅外線為入射光之液晶裝置所使用的高透過附ITO膜玻璃,其特徵為該高透過附ITO膜玻璃係配置為將液晶層夾入,ITO膜成形於為玻璃基板之內側的前述液晶層側;且於前述ITO膜與前述玻璃基板之間,有SiOx膜(1≦x<2)成膜。
藉由本發明之高透過附ITO膜玻璃,作為利用波長區域1530nm~1570nm之紅外光之光通訊所使用的光開關,可提供透過率較高而可減低反射,且能以較少步驟用便宜成本作成的液晶裝置。
1‧‧‧玻璃基板
2‧‧‧ITO電極
3‧‧‧防反射膜
4‧‧‧間隔物
5‧‧‧液晶層
10,20,30‧‧‧高透過附ITO膜玻璃
11,12,13,14‧‧‧SiOx膜(1≦x<2)
51,52,53,54‧‧‧液晶分子
L‧‧‧紅外線(紅外光)
L1~L4‧‧‧入射光之偏光狀態
L5~L8‧‧‧射出光之偏光狀態
【圖1】表示用於光通訊所使用之光開關之一般液晶裝置的概略構成,及光之偏光狀態的說明圖。
【圖2】表示傳統之附ITO膜玻璃之概略構成之圖。
【圖3】表示實施型態1之高透過附ITO膜玻璃之概略構成之圖。
【圖4】表示光由折射率n1之物質射向折射率n2之物質之情形下,在界面之反射率R與透過率T之關係的代表圖。
【圖5】表示對於紅外線波長,實施型態1之高透過附ITO膜玻璃之透過率的測定實驗結果之圖表。
【圖6】表示對於SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度,實施型態1之高透過附ITO膜玻璃之透過率的測定實驗結果之圖表。
【圖7】表示實施型態2之高透過附ITO膜玻璃之概略構成之圖。
【圖8】表示對於紅外線波長,實施型態2之高透過附ITO膜玻璃之透過率的測定實驗結果之圖表。
【圖9】表示對於SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度,實施型態2之高透過附ITO膜玻璃之透過率的測定實驗結果之圖表。
【圖10】表示實施型態3之高透過附ITO膜玻璃之概略構成之圖。
【圖11】表示對於紅外線波長,實施型態3之高透過附ITO膜玻璃之透過率的測定實驗結果之圖表。
【圖12】表示對於SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度,實施型態3之高透過附ITO膜玻璃之透過率的測定實驗結果之圖表。
本發明之高透過附ITO膜玻璃,係作為光通訊所使用之光開關利用的液晶裝置所使用者,能將一偏光狀態之紅外線(波長區域1530nm~1570nm之光)效率良好地讀出,不使其雷射光衰減,僅
變化偏光狀態。亦即,係利用1530nm~1570nm之波長區域之紅外線為入射光之液晶裝置所使用者。
以下,關於本發明之實施型態,參照圖式進行詳細說明。
圖1,係表示用於光通訊所使用之光開關之一般液晶裝置的概略構成,及光之偏光狀態的說明圖。
此液晶裝置,係於對向之玻璃基板1,1之間,介由間隔物4,4而具有液晶層5者。此外,玻璃基板1,1之內側(液晶層5側)係設有ITO電極2,2,而於玻璃基板1,1之外側(與液晶層相反側)係設有防反射膜3,3。
在此,於一偏光狀態之紅外線(波長區域1530nm~1570nm之光)L如圖中之箭頭所示由左向右入射之情形,入射光係如圖1中之L1、L2、L3、L4所示為偏光狀態。又,在此為了簡化說明,入射之紅外光L為4道。
此時,如圖1所示,藉由使最上方之紅外光L之對應位置的液晶分子51,51、由上數來第3道及第4道紅外光之對應位置的液晶分子53,53及54,54為橫向(使其躺平狀態);並僅使由上數來第2道紅外光對應位置的液晶分子52,52為縱向(使其站立狀態),可僅使由上數來第二道射出光之偏光狀態如L6所示,與入射光之偏光狀態L2為相反方向。
又,最上方之射出光之偏光狀態L5、由上數來第3道及第4道射出光之偏光狀態L7及L8,係保持為與入射光之偏光狀態L1、L3及L4為同方向。
如此,藉由使液晶分子之方向為縱向或橫向,可改變光之行進方向(射出方向)。
圖2,係表示傳統之附ITO膜玻璃之概略構成之圖。此係僅將圖1之玻璃基板1及其內側(液晶層5側)所設ITO電極2放大顯示,此ITO電極2之膜厚度為8nm±3nm。此膜厚度,若未滿5nm,有過薄使片材電阻變大,從而驅動電壓變高之問題;相反地,若例如比11nm厚,則無法期望高透過率,因此以8nm±3nm之厚度為佳。
此時,如先前技術中所述,玻璃基板1之內側(液晶層5側)所設ITO電極2之折射率為1.9~2.0,玻璃之折射率為1.4~1.5、液晶之折射率為1.4~1.5,因此ITO電極2與玻璃基板1之界面,或ITO電極2與液晶層5之界面於折射率有差異,有雖然輕微但仍發生反射之問題。
本發明,係為了使該輕微反射亦減少,實現可使紅外光效率良好而無衰減之光通訊所使用的液晶裝置,由本發明申請人重複各種實驗所完成者。
實施型態1
圖3係表示本發明之實施型態1之高透過附ITO膜玻璃之概略構成之圖,且為與圖2所示傳統之附ITO膜玻璃相對應之圖。
此實施型態1之高透過附ITO膜玻璃10,係配置為將液晶層夾入,ITO膜成形於為玻璃基板之內側的前述液晶層側;且如圖3所示,於ITO電極2與玻璃基板1之間,成膜有SiOx膜11(1≦x<2)。
SiOx膜(1≦x<2)之成膜方法,係使單矽烷(Si
H4)與笑氣(N2O)混合,使用一般的電漿化學氣相沈積法(CVD)等即可,因此在此省略詳細說明。
又,於玻璃基板1與ITO電極2之間所成形之膜,並非積層膜之Al2O3膜或SiO2膜等,而係藉由成膜為單層之SiOx膜(1≦x<2),步驟少而成本便宜,並且,可作成透過率較高的高透過附ITO膜玻璃10。關於此點,於以下之實施型態亦為相同。
在此,說明於玻璃基板1與ITO電極2之間成形之膜為SiOx膜(1≦x<2)的情形下,透過率將比為SiO2膜之情形更高(透過強度較大)之原因。如圖4所示,光從折射率n1之物質進入折射率n2之物質的情形下,在界面之反射率R與透過率T,可表示為下述式(1)、式(2)。
R=((n1-n2)/(n1+n2))2‧‧‧(1)
T=4‧n1‧n2/(n1+n2)2‧‧‧(2)
圖4,係表示光由折射率n1之物質射向射率n2之物質之情形下,在界面之反射率R與透過率T之關係的代表圖。又,R+T=1。
若以圖3中玻璃基板1之折射率為n1;ITO電極2之折射率為n3;於玻璃基板1與ITO電極2之間所成形SiOx膜11之折射率為n2,其透過率T〔SiOx〕,可表示為下述式(3)。於是,例如x=1.5的情形下,若代入玻璃之折射率n1=1.52;SiOx之折射率n2=1.75;ITO之折射率n3=2.00,則T〔SiOx〕=0.991。
另一方面,圖3中玻璃基板1與ITO電極2之間成形之膜為SiO2之情形的透過率T〔SiO2〕,若SiO2之折射率為n2,並與上述式(3)相同,於上述式(3)中代入玻璃之折射率n1=1.52;SiO2之折射率n2=1.45;ITO之折射率n3=2.00,則T〔SiO2〕=0.974。
如此,相對於玻璃基板1與ITO電極2之間成形之膜為SiO2膜時的透過率為97.4%,而為SiOx膜(x=1.5)時的透過率為99.1%。此係由於相對於SiO2之折射率為1.45,SiOx(1≦x<2)之折射率為大於1.45,因此透過率較高。其結果,於玻璃基板1與ITO電極2之間成形之膜,比起為SiO2膜之情形,形成為SiOx(1≦x<2)時,可作成透過率更高的高透過附ITO膜玻璃10。
然而,由於ITO電極2之膜厚度、及SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度的干涉,光之透過率變化,因此為了提供透過率較高、可降低反射的高透過附ITO膜玻璃,應配合ITO電極2之膜厚度8nm±3nm,調整SiOx膜11之膜厚度。
圖5,係表示對於紅外線波長,此實施型態1之高透過附ITO膜玻璃10之透過率的測定實驗結果之圖表。在此,係表示當ITO電極2之膜厚度為8nm,且SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度為
50nm、100nm、200nm之3種下,1500nm~1600nm之波長之光的透過率測定結果。
此外,為了比較,亦示有圖2所示傳統之附ITO膜玻璃之透過率。圖5中之虛線A,係表示傳統之附ITO膜玻璃之透過率,而實線B、C、D係分別表示於ITO電極2與玻璃基板1之間裝設膜厚度50nm、膜厚度100nm、膜厚度200nm之SiOx膜11(1≦x<2)的高透過附ITO膜玻璃10之透過率。
又,圖5中SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度僅代表性地表示3種,惟關於其他種膜厚度,本發明申請人亦重複實驗,並發現藉由ITO電極2之膜厚度及SiOx膜11之膜厚度的干涉所產生,相對於SiOx膜11之膜厚度的透過率變化傾向,其結果示於圖6。
圖6,係表示對於SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度,實施型態1之高透過附ITO膜玻璃10之透過率的測定實驗結果之圖表。此情形下,亦係ITO電極2之膜厚度為8nm,透過率係紅外線波長取1530nm~1570nm之平均值。
此時,進行SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度在10nm~200nm之間,且以10nm為一刻度之實驗結果,如圖6所示,發現其傾向係可描繪為SiOx膜11之膜厚度接近50nm時透過率最大,而膜厚度接近130nm時透過率最小的平緩曲線。
此外,發現SiOx膜11之膜厚度為50nm之情形下,與圖2所示傳統之附ITO膜玻璃相比,透過率係上升0.4%。
又,SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度0nm處所示
的×標記,係表示未裝設SiOx膜11之ITO電極2單體情形下(圖2所示傳統之附ITO膜玻璃的情形)的透過率,為了與曲線比較,×標記之透過率係以一點鏈線之直線P表示。
此結果,發現此實施型態1之高透過附ITO膜玻璃10,於ITO電極2之膜厚度為8nm之情形下,SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度若為20nm~80nm(50±30nm),可確實成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
在此,ITO電極2之膜厚度,同前述,被要求為8nm±3nm之厚度,因此若ITO電極2之膜厚度留有3nm之調整空間,基於膜厚度之干涉,此情形下SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度亦必須有約10nm的調整空間。
亦即,可認為此實施型態1之高透過附ITO膜玻璃10,藉由使ITO電極2之膜厚度為8nm±3nm,且SiOx膜11(1≦x<2)之膜厚度為50±20nm,可成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
藉由如上所述之此實施型態1之高透過附ITO膜玻璃10,作為利用波長區域1530nm~1570nm之紅外光之光通訊所使用的光開關,可提供透過率較高而可減低反射,且能以較少步驟用便宜成本作成的液晶裝置。
實施型態2
圖7,係表示本發明之實施型態2之高透過附ITO膜玻璃之概略構成之圖,並為與圖2所示傳統之附ITO膜玻璃相對應之圖。又,與實施
型態1所說明者為相同之構成處,係以同一符號標示而省略重複說明。
此實施型態2之高透過附ITO膜玻璃20,係配置為將液晶層夾入,ITO膜成形於為玻璃基板之內側的液晶層側,且如圖7所示,於ITO電極2之進一步內側的液晶層側,成膜有SiOx膜12(1≦x<2)。
又,SiOx膜(1≦x<2)之成膜方法,與實施型態1相同,因此省略說明。
在此,此圖7中,亦說明於ITO電極2之進一步內側的液晶層側成形之膜為SiOx膜(1≦x<2)的情形下,透過率將比為SiO2膜之情形更高(透過強度較大)之原因。
若以圖7中玻璃基板1之折射率為n1;ITO電極2之折射率為n2;於ITO電極2之進一步內側的液晶層側成形之SiOx膜12之折射率為n3,則其透過率T〔SiOx〕,可表示為與前述式(3)相同之式。於是,例如x=1.5的情形下,若代入玻璃之折射率n1=1.52;ITO之折射率n2=2.00;SiOx之折射率n3=1.75,則T〔SiOx〕=0.977。
另一方面,圖7中於ITO電極2之進一步內側的液晶層側成形之膜為SiO2膜之情形的透過率T〔SiO2〕,若SiO2之折射率為n3,並與前述式(3)相同,於式(3)中代入玻璃之折射率n1=1.52;ITO之折射率n2=2.00;SiO2之折射率n3=1.45,則T〔SiO2〕=0.956。
如此,相對於ITO電極2之進一步內側的液晶層側成形之
膜為SiO2時透過率為95.6%,而為SiOx膜(x=1.5)時的透過率為97.7%。此係由於相對於SiO2之折射率為1.45,SiOx(1≦x<2)之折射率為大於1.45,因此透過率較高。其結果,於ITO電極2之進一步內側的液晶層側成形之膜,比起為SiO2膜之情形,形成為SiOx膜(1≦x<2)時,可作成透過率更高的高透過附ITO膜玻璃20。
並且,此實施型態2中,亦由於ITO電極2之膜厚度、及SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度的干涉,光之透過率變化,因此為了提供透過率較高、可降低反射的高透過附ITO膜玻璃,應配合ITO電極2之膜厚度8nm±3nm,調整SiOx膜12之膜厚度。
圖8,係表示對於紅外線波長,此實施型態2之高透過附ITO膜玻璃20之透過率的測定實驗結果之圖表。在此,係表示當ITO電極2之膜厚度為8nm,且SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度為50nm、100nm、200nm之3種下,1500nm~1600nm之波長之光的透過率測定結果。
此外,為了比較,亦示有圖2所示傳統之附ITO膜玻璃之透過率。圖8中之虛線A,係表示傳統之附ITO膜玻璃之透過率,而實線E、F、G係分別表示於ITO電極2之內側(液晶層側,亦即,與玻璃基板1相反側)裝設膜厚度50nm、膜厚度100nm、膜厚度200nm之SiOx膜12(1≦x<2)的高透過附ITO膜玻璃20之透過率。
又,圖8中SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度僅代表
性地表示3種,惟關於其他種膜厚度,本發明申請人亦重複實驗,並發現藉由ITO電極2之膜厚度及SiOx膜12之膜厚度的干涉所產生,相對於SiOx膜12之膜厚度的透過率變化傾向,其結果示於圖9。
圖9,係表示對於SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度,實施型態2之高透過附ITO膜玻璃20之透過率的測定實驗結果之圖表。此情形下,亦係ITO電極2之膜厚度為8nm,透過率係紅外線波長取1530nm~1570nm之平均值。
此時,進行SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度在10nm~200nm之間,且以10nm為一刻度之實驗結果,如圖9所示,發現其傾向係可描繪為透過率隨著SiOx膜12之膜厚度越厚而上升,且在膜厚度接近200nm時透過率最大的平緩曲線。
此外,發現SiOx膜12之膜厚度為200nm之情形下,與圖2所示傳統之附ITO膜玻璃相比,透過率係上升2.1%。
又,SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度0nm處所示的×標記,係表示未裝設SiOx膜12之ITO電極2單體情形下(圖2所示傳統之附ITO膜玻璃的情形)的透過率,為了與曲線比較,×標記之透過率係以一點鏈線之直線P表示。
此結果,發現此實施型態2之高透過附ITO膜玻璃20,於ITO電極2之膜厚度為8nm之情形下,SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度越接近200nm,越可能成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
此外,可預測即使為200nm以上之膜厚度,至少到35
0nm左右仍為透過率較傳統高的附ITO膜玻璃,因此可認為SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度若為50nm~350nm(200nm±150nm),可確實成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
在此,ITO電極2之膜厚度,如同前述,被要求為8nm±3nm之厚度,因此若ITO電極2之膜厚度留有3nm之調整空間,基於膜厚度之干涉,此情形下SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度亦必須有約10nm的調整空間。
亦即,可認為此實施型態2之高透過附ITO膜玻璃20,藉由使ITO電極2之膜厚度為8nm±3nm,且SiOx膜12(1≦x<2)之膜厚度為200±140nm,可成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
藉由如上所述之此實施型態2之高透過附ITO膜玻璃20,作為利用波長區域1530nm~1570nm之紅外光之光通訊所使用的光開關,可提供透過率較高而可減低反射,且能以較少步驟用便宜成本作成的液晶裝置。
實施型態3
圖10,係表示本發明之實施型態3之高透過附ITO膜玻璃之概略構成之圖,為與圖2所示傳統之附ITO膜玻璃相對應之圖。又,與實施型態1所說明者為相同之構成處,係以同一符號標示而省略重複說明。
此實施型態3之高透過附ITO膜玻璃30,係配置為將液晶層夾入,ITO膜成形於為玻璃基板之內側的液晶層側,且如圖10所示,於ITO電極2之上下,亦即,於ITO電極2與玻璃基板1之間,
以及,於ITO電極2之進一步內側的前述液晶層側,個別成膜有SiOx膜13(1≦x<2)及SiOx膜14(1≦x<2)。
又,SiOx膜(1≦x<2)之成膜方法,與實施型態1相同,因此省略說明。
此實施型態3中,亦由於ITO電極2之膜厚度、及SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度的干涉,光之透過率變化,因此為了提供透過率較高、可降低反射的高透過附ITO膜玻璃,應配合ITO電極2之膜厚度8nm±3nm,調整SiOx膜13,14之膜厚度。
圖11,係表示對於紅外線波長,此實施型態3之高透過附ITO膜玻璃30之透過率的測定實驗結果之圖表。在此,係表示當ITO電極2之膜厚度為8nm,且SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度皆為50nm、100nm、200nm之3種下,1500nm~1600nm之波長之光的透過率測定結果。
此外,為了比較,亦示有圖2所示傳統之附ITO膜玻璃之透過率。圖11中之虛線A,係表示傳統之附ITO膜玻璃之透過率,而實線H、J、K係分別表示於ITO電極2之內側及外側(與玻璃基板1之間及液晶層側)裝設膜厚度50nm、膜厚度100nm、膜厚度200nm之SiOx膜13及14(1≦x<2)的高透過附ITO膜玻璃30之透過率。
又,圖11中SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度僅代表性地表示3種,惟關於其他種膜厚度,本發明申請人亦重複實驗,並發現藉由ITO電極2之膜厚度及SiOx膜13,14之膜厚度的干
涉所產生,相對於SiOx膜13,14之膜厚度的透過率變化傾向,因此其結果示於圖12。又,SiOx膜13與SiOx膜14為相同膜厚度。
圖12,係表示對於SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度,實施型態3之高透過附ITO膜玻璃30之透過率的測定實驗結果之圖表。此情形下,亦係ITO電極2之膜厚度為8nm,透過率係紅外線波長取1530nm~1570nm之平均值。
此時,進行SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度在10nm~200nm之間,且以10nm為一刻度之實驗結果,如圖12所示,發現其傾向係可描繪為SiOx膜13,14之膜厚度在接近130nm時透過率最大,且在接近10nm時透過率最小的平緩曲線。
此外,在SiOx膜13,14之膜厚度為100nm之情形下,與圖2所示傳統之附ITO膜玻璃相比,透過率係上升2.3%。
又,SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度0nm處所示的×標記,係表示未裝設SiOx膜13及14之ITO電極2單體情形下(圖2所示傳統之附ITO膜玻璃的情形)的透過率,為了與曲線比較,×標記之透過率係以一點鏈線之直線P表示。
此結果,發現此實施型態3之高透過附ITO膜玻璃30,於ITO電極2之膜厚度為8nm之情形下,SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度若為30nm以上,可成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
此外,可預測即使為200nm以上之膜厚度,至少到23
0nm左右仍為透過率較傳統高的附ITO膜玻璃,因此可認為SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度若為30nm~230nm(130nm±100nm),可確實成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
在此,ITO電極2之膜厚度,如同前述,被要求為8nm±3nm之厚度,因此若ITO電極2之膜厚度留有3nm之調整空間,基於膜厚度之干涉,此情形下SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度亦必須有約10nm的調整空間。
亦即,可認為此實施型態3之高透過附ITO膜玻璃30,藉由使ITO電極2之膜厚度為8nm±3nm,且SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度個別為130±90nm,可成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
然而,在此實施型態3之情形下,由於在ITO電極2之內側及外側其兩側係形成相同膜厚度的SiOx膜(1≦x<2)(13及14),若一側的SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度超過200nm時,整體的膜厚度將過厚,組裝於光開關時有困難,因此以一側之膜厚度不超過200nm,亦即,SiOx膜13,14之膜厚度個別為130±70nm為佳。
藉此,可認為此實施型態3之高透過附ITO膜玻璃30,藉由使ITO電極2之膜厚度為8nm±3nm,且SiOx膜13,14(1≦x<2)之膜厚度個別為130±70nm,可成為與傳統相比,透過率較高的附ITO膜玻璃。
藉由如上所述之此實施型態3之高透過附ITO膜玻璃30,作為利用波長區域1530nm~1570nm之紅外光之光通訊所使用的光開關,可提供透過率較高而可減低反射,且能以較少步驟用便宜成本作成的液晶裝置。
又,本發明係只要於其發明之範圍內,則可為各實施型態之自由組合、或各實施型態之任意之構成要素之變形、抑或各實施型態中任意之構成要素的省略。
Claims (3)
- 一種高透過附ITO膜玻璃,其係利用1530nm~1570nm之波長區域之紅外線為入射光之液晶裝置所使用的高透過附ITO膜玻璃,其特徵係該高透過附ITO膜玻璃係配置為將液晶層夾入,ITO膜成形於為玻璃基板之內側的前述液晶層側;且於前述ITO膜與前述玻璃基板之間,成膜有SiOx膜(1≦x<2);前述ITO膜之膜厚度為8nm±3nm,前述SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度為50nm±20nm。
- 一種高透過附ITO膜玻璃,其係利用1530nm~1570nm之波長區域之紅外線為入射光之液晶裝置所使用的高透過附ITO膜玻璃,其特徵係該高透過附ITO膜玻璃係配置為將液晶層夾入,ITO膜成形於為玻璃基板之內側的前述液晶層側;且於為前述ITO膜之進一步內側的前述液晶層側,成膜有SiOx膜(1≦x<2);前述ITO膜之膜厚度為8nm±3nm,前述SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度為200nm±140nm。
- 一種高透過附ITO膜玻璃,其係利用1530nm~1570nm之波長區域之紅外線為入射光之液晶裝置所使用的高透過附ITO膜玻璃,其特徵係該高透過附ITO膜玻璃係配置為將液晶層夾入,ITO膜成形於為玻璃基板之內側的前述液晶層側;且於前述ITO膜與前述玻璃基板之間,以及,於前述ITO膜之進一步內側的前述液晶層側,個別成膜有SiOx膜(1≦x<2);前述ITO膜之膜厚度為8nm±3nm,前述SiOx膜(1≦x<2)之膜厚度個別為130nm±70nm。
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