TWI611603B - 熱電變換裝置之製造方法 - Google Patents

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Norio Gouko
Atusi Sakaida
Toshihisa Taniguchi
Yoshihiko Shiraishi
Keiji Okamoto
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Description

熱電變換裝置之製造方法
本發明係有關加以連接有熱電變換元件與配線圖案之熱電變換裝置之製造方法。
以往，例如，對於專利文獻1，係提案有於對向加以配置之第1，第2基板之間，配置有複數之熱電變換元件，而該複數之熱電變換元件則與形成於第1基板之表面圖案及形成於第2基板之背面圖案加以連接之熱電變換裝置。
具體而言，在此熱電變換裝置中，熱電變換元件係在與第1，第2基板之面方向平行的方向之剖面積中，與背面圖案加以連接之端部的剖面積則作為較與表面圖案加以連接之端部，及連結此等各端部之中間部的剖面積為大。
如根據此，與熱電變換元件則在中間部之剖面積作為一定之情況做比較，可加大在背面圖案與熱電變換元件之界面產生的熱電變換之效果。另外，與熱電變換元件則在背面圖案側之端部之剖面積作為一定之情況做比 較，可抑制熱電變換元件之熱阻抗變小者，進而可抑制第1，第2基板之溫度差變小之情況。
如此之熱電變換裝置係如以下而加以製造。即，首先，於加以形成有背面圖案之第2基板上，配置熱電導體部件。之後，從與第2基板側相反側，以切粒機等分離熱電導體部件，形成複數之熱電變換元件。此時，作為切粒機，使用刀刃前端部的寬度則作為朝向前端而從兩側連續性變窄之前細狀之構成。經由此，在切斷熱電導體部件時，可形成背面圖案側之端部的剖面積則較表面圖案側的端部之剖面積及中間部之剖面積為大之熱電變換元件。之後係經由配置夾持各熱電變換元件而於與第2基板相反側，加以形成有表面圖案之第1基板之時，加以製造上述熱電變換裝置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-165366號公報
但近年中，為了更提高熱電變換元件之熱電變換的效果，加上於與背面圖案加以連接之端部的剖面積，與表面圖案加以連接之端部的剖面積亦作為較中間部的剖面積為大者則為佳。
但在上述熱電變換裝置之製造方法中，由從與第2基板側相反側，以切粒機分離熱電導體部件者，形成熱電變換元件之故，將表面圖案側之端部的剖面積，作為較中間部的剖面積為大者則為困難。
本發明係有鑑於上述點，其目的係提供：具有與表面圖案加以連接之端部及與背面圖案加以連接之端部之剖面積則作為較連結各端部之中間部的剖面積為大之熱電變換元件的熱電變換裝置之製造方法。
為了達成上述目的，具備：加以配置有複數之熱電變換元件的絕緣基材，和加以配置於絕緣基材之表面，形成有與特定之熱電變換元件加以電性連接之表面圖案的表面保護構件，和加以配置於與絕緣基材之表面相反側之背面，形成有與特定之熱電變換元件加以電性連接背面圖案的背面保護構件，熱電變換元件係具有與表面圖案加以連接之第1端部，與背面圖案加以連接之第2端部，連結第1，第2端部之中間部，在與絕緣基材之平面方向平行之方向的剖面積中，第1，第2端部之剖面積則作為較中間部的剖面積為大之熱電變換裝置之製造方法中，將以下的點作為特徵。
即，具有：準備形成有貫通於厚度方向之複數之貫穿孔，於貫穿孔加以配置中間部或構成中間部的導電性電糊之絕緣基材之工程，和準備加以形成有表面圖案之表面保護構件的工程，和準備加以形成有背面圖案之背 面保護構件的工程，和於絕緣基材表面配置表面保護構件之同時，於絕緣基材背面配置背面保護構件而構成層積體之工程，和將層積體作為一體化之工程，在構成層積體之工程中，構成於中間部或構成中間部之導電性電糊與表面圖案之間，加以配置有第1端部或構成第1端部之導電性電糊之同時，於中間部或構成中間部之導電性電糊與背面圖案之間，加以配置有第2端部或構成第2端部之導電性電糊之層積體，前述中間部之剖面積係前述第1、第2端部之剖面積之一半以下，而在將層積體作為一體化之工程中，經由加熱層積體之同時，從層積方向進行加壓之時，形成具有第1，第2端部及中間部之熱電變換元件者，作為特徵。
另外，具有：準備形成有貫通於厚度方向之複數之貫穿孔，於貫穿孔加以配置中間部或構成中間部的導電性電糊之絕緣基材之工程，和準備加以形成有表面圖案之表面保護構件的工程，和於絕緣基材表面側，配置表面保護構件而構成中間構成體之工程，和將中間構成體作為一體化之工程，和準備加以形成有背面圖案之背面保護構件的工程，和於絕緣基材背面側配置背面保護構件而構成層積體之工程，和將層積體作為一體化之工程，在構成中間構成體之工程中，於中間部或構成中間部之導電性電糊與表面圖案之間，構成加以配置有第1端部或構成第1端部之導電性電糊之中間構成體，而在將中間構成體作為一體化之工程中，經由加熱中間構成體之同時，從層積方向進行加壓之時，形成具有第1端部及中間部之熱電變換 元件之一部分，而在構成層積體之工程中，於中間部與背面圖案之間，構成加以配置有第2端部或構成第2端部之導電性電糊之層積體，而在將層積體作為一體化之工程中，經由加熱層積體之同時，從層積方向進行加壓之時，形成具有第1，第2端部及中間部之熱電變換元件者，作為特徵。
如根據此等發明，在與絕緣基材之平面方向平行之方向的剖面積中，可製造具有第1，第2端部之剖面積則作為較中間部的剖面積為大之熱電變換元件的熱電變換裝置。
1‧‧‧熱電變換裝置
10‧‧‧絕緣基材
10a‧‧‧表面
10b‧‧‧背面
20‧‧‧表面保護構件
21‧‧‧表面圖案
30‧‧‧背面保護構件
31‧‧‧背面圖案
40、50‧‧‧第1，第2層間連接構件(熱電變換元件)
40a、50a‧‧‧第1端部
40b、50b‧‧‧第2端部
40c、50c‧‧‧中間部
圖1係在本發明之第1實施形態之熱電變換裝置的平面圖。
圖2係顯示圖1所示之熱電變換裝置之製造工程之剖面圖。
圖3係顯示持續圖2之熱電變換裝置之製造工程之剖面圖。
圖4係顯示本發明之第2實施形態之熱電變換裝置之製造工程的剖面圖。
圖5係顯示本發明之第3實施形態之熱電變換裝置之製造工程的剖面圖。
以下，對於本發明之實施形態，依據圖面加以說明。然而，在以下各實施形態互相中，對於相互同一或均等之部分，係附上同一符號而進行說明。
(第1實施形態)
對於本發明之第1實施形態，參照圖面同時加以說明。如圖1所示，本實施形態之熱電變換裝置1係絕緣基材10，表面保護構件20，背面保護構件30則作為一體化，在此作為一體化之構成之內部，交互加以串聯地連接異種金屬之第1層間連接構件40與第2層間連接構件50而加以構成。然而，在本實施形態中，第1層間連接構件40與第2層間連接構件50則相當於本發明之熱電變換元件。
絕緣基材10係在本實施形態中經由包含聚醚醚酮(PEEK)或聚醚亞醯胺(PEI)之平面矩形狀之熱可塑性樹脂薄膜而加以構成。
並且，對於此絕緣基材10係呈將該絕緣基材10貫通於厚度方向地，配置有第1層間連接構件40，和與該第1層間連接構件40異種金屬之第2層間連接構件50。在本實施形態中，此等第1層間連接構件40及第2層間連接構件50係呈相互不同地配置成千鳥格子狀圖案。
然而，雖無特別加以限定，但例如，第1層間連接構件40係構成P型之Bi-Sb-Te合金之粉末(金屬 粒子)則由呈維持燒結前之複數的金屬原子的結晶構造地加以固相燒結之金屬化合物(燒結合金)而加以構成。另外，第2層間連接構件50係構成N型之Bi-Te合金粉末(金屬粒子)則由呈維持燒結前之複數的金屬原子的結晶構造地加以固相燒結之金屬化合物(燒結合金)而加以構成。
對於絕緣基材10之表面10a，係加以配置有由包含聚醚醚酮(PEEK)或聚醚亞醯胺(PEI)之平面矩形狀之熱可塑性樹脂薄膜所成之表面保護構件20。此表面保護構件20係作為與絕緣基材10平面形狀相同尺寸，對於與絕緣基材10對向之一面20a側，加以圖案化銅箔等之複數的表面圖案21則相互隔離之同時，呈與第1，第2層間連接構件40，50地加以形成。
另外，對於絕緣基材10之背面10b，係加以配置有由包含聚醚醚酮(PEEK)或聚醚亞醯胺(PEI)之平面矩形狀之熱可塑性樹脂薄膜所成之背面保護構件30。此背面保護構件30係作為與絕緣基材10平面形狀相同尺寸，對於與絕緣基材10對向之一面30a側，加以圖案化銅箔等之複數的背面圖案31則相互隔離之同時，呈與第1，第2層間連接構件40，50地加以形成。
然而，複數之表面圖案21及背面圖案31係第1，第2層間連接構件40，50則呈藉由此等表面圖案21及背面圖案31而交互地串連加以連接地，適宜與第1，第2層間連接構件40，50加以電性連接。
在此，對於本實施形態之第1，第2層間連接構件40，50之構成，具體地加以說明。第1，第2層間連接構件40，50係具有：與表面圖案21加以連接之第1端部40a，50a，與背面圖案31加以連接之第2端部40b，50b，連結此等第1，第2端部40a，40b，50a，50b之中間部40c，50c。並且，第1，第2層間連接構件40，50係在與絕緣基材10之平面方向平行的方向之剖面積中，第1端部40a，50a及第2端部40b，50b之剖面積則作為較中間部40c，50c之剖面積為大。也就是，第1，第2層間連接構件40，50係在與絕緣基材10之平面方向正交之方向的剖面中，作為所謂剖面I字狀。
然而，對於詳細係雖未圖示，但在與圖1另外剖面中，對於背面保護構件30，係與背面圖案31加以電性連接之同時，加以形成有背面保護構件30之中，從與絕緣基材10側相反側之一面露出之接點部。並且，成為經由此接點部而呈謀求與外部的電性連接。
以上為在本實施形態之熱電變換裝置1之構成。在如此之熱電變換裝置1中，第1，第2層間連接構件40，50係在與絕緣基材10之平面方向平行的方向之剖面積中，第1端部40a，50a及第2端部40b，50b之剖面積則作為較中間部40c，50c之剖面積為大。即前述中間部之剖面積係前述第1、第2端部之剖面積之一半以下。因此，第1，第2層間連接構件40，50則與以中間部40c，50c之剖面積作為一定之情況做比較，可提高熱電變換之效果。另外，第1，第2層間連接構件40，50則與以第1，第2端 部40a，40b，50a，50b之剖面積作為一定之情況做比較，可抑制第1，第2層間連接構件40，50之熱阻抗變小者。也就是，可抑制表面保護構件20與背面保護構件30之溫度差變小者。
接著，對於如此之熱電變換裝置1之製造方法，參照圖2及圖3同時加以說明。
首先，如圖2(a)所示，準備絕緣基材10，經由鑽孔機等而複數形成圓筒狀之第1，第2貫穿孔11，12。然而，複數之第1，第2貫穿孔11，12係呈成為相互不同地形成為千鳥格子狀圖案。
接著，如圖2(b)所示，經由使用加以形成有複數之貫通孔60a之光罩60及塗刷器70之印刷法等，於第1貫穿孔11，充填第1導電性電糊41。
具體而言，首先，作為第1導電性電糊41，在本實施形態中，準備將金屬原子則維持特定之結晶構造之合金粉末，加上熔點為常溫之品醇等之有機溶劑而作為電糊化之構成。然而，作為構成第1導電性電糊41之合金的粉末，係例如，使用以機械合金化所形成之Bi-Sb-Te合金粉末。
並且，背面10b則呈與吸附紙80對向地配置絕緣基材10之同時，於絕緣基材10之表面10a側，配置光罩60。之後，使第1導電性電糊41熔融同時，藉由貫通孔60a而於第1貫穿孔11內，充填第1導電性電糊41。
接著，如圖2(c)所示，經由使用形成有複數之貫通孔61a之光罩61及塗刷器70之印刷法等，於第2貫穿孔12，充填第2導電性電糊51。
具體而言，首先，作為第2導電性電糊51，在本實施形態中，準備將與構成第1導電性電糊41之金屬原子不同之金屬原子則維持特定之結晶構造之合金粉末，加上熔點為常溫之品醇等之有機溶劑而作為電糊化之構成。然而，作為構成第2導電性電糊51之合金的粉末，係例如，使用以機械合金化所形成之Bi-Te合金粉末。
並且，於絕緣基材10之表面10a側，配置光罩61，使第2導電性電糊51熔融之同時，藉由貫通孔61a而於第2貫穿孔12內，充填第2導電性電糊51。
然而，吸附紙80係如為可吸收第1，第2導電性電糊41，51之有機溶劑之構成即可，而一般使用上質紙等。另外，在本實施形態中，作為含於第1，第2導電性電糊41，51之有機溶劑，使用熔點為常溫之品醇。因此，在充填第1，第2導電性電糊41，51時，有機溶劑則蒸發，經由配置吸附紙80之時，更可從第1，第2導電性電糊41，51中除去有機溶劑者。也就是，於第1，第2貫穿孔11，12，可緊密配置含於第1，第2導電性電糊41，51之合金的粉末。
由如以上作為，準備充填有第1，第2導電性電糊41，51之絕緣基材10。
另外，在與上述各工程另外之工程中，如圖2(d)所示，於表面保護構件20之中，與絕緣基材10對向之一面20a，形成銅箔等。並且，經由適宜圖案化此銅箔之時，形成相互隔離之複數之表面圖案21。
之後，如圖2(e)所示，經由使用形成有複數之貫通孔62a之光罩62及塗刷器70之印刷法等，於表面圖案21上之特定處，塗佈第1導電性電糊41。
接著，如圖2(f)所示，經由使用形成有複數之貫通孔63a之光罩63及塗刷器70之印刷法等，於表面圖案21上之特定處，塗佈第2導電性電糊51。
然而，塗佈表面圖案21之中的第1導電性電糊41之特定處係指在構成後述之層積體90時，與充填於第1貫穿孔11之第1導電性電糊41對向的處所。同樣地，塗佈表面圖案21之中的第2導電性電糊51之特定處係指在構成後述之層積體90時，與充填於第2貫穿孔12之第2導電性電糊51對向的處所。
另外，第1，第2導電性電糊41，51係作為有機溶劑，使用熔點為常溫之品醇而加以構成之故，正在加以塗佈中，有機溶劑則蒸發，對於塗佈之後係幾乎未流動。因此，經由適宜調整光罩62，63之貫通孔62a，63a之時，可抑制塗佈於表面圖案21之第1，第2導電性電糊41，51則濕擴散而混合者。
更且，在本實施形態中，貫通孔62a，63a係作為口徑較第1，第2貫穿孔11，12為大之圓筒狀。也 就是，塗佈於表面圖案21上及背面圖案31上之第1，第2導電性電糊41，51係在構成後述之層積體90時，呈從與充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51之處所漏出地加以塗佈。
另外，如圖3(a)~圖3(c)所示，進行與圖2(d)~圖2(f)同樣的工程，準備塗佈第1，第2導電性電糊41，51於背面圖案31上之特定處之構成。
之後，如圖3(d)所示，依序層積背面保護構件30，絕緣基材10，表面保護構件20而構成層積體90。具體而言，於絕緣基材10之表面10a側，塗佈於表面圖案21上之第1導電性電糊41與充填於第1貫穿孔11之第1導電性電糊41則呈接觸地，配置表面保護構件20。另外，塗佈於表面圖案21上之第2導電性電糊51與充填於第2貫穿孔12之第2導電性電糊51則呈接觸地，配置表面保護構件20。另外，於絕緣基材10之背面10b側，塗佈於背面圖案31上之第1導電性電糊41與充填於第1貫穿孔11之第1導電性電糊41則呈接觸地，配置背面保護構件30。另外，塗佈於背面圖案31上之第2導電性電糊51與充填於第2貫穿孔12之第2導電性電糊51則呈接觸地，配置背面保護構件30。經由此，構成有於充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51與表面圖案21之間，加以配置有第1，第2導電性電糊41，51之同時，充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51與背面圖案31之間，加 以配置有第1，第2導電性電糊41，51之層積體90。
接著，如圖3(e)所示，將此層積體90，配置於未圖示之一對的壓板之間，從層積方向之上下兩面，以真空狀態進行加熱之同時，進行加壓，進行將層積體90作為一體化之一體化工程。
此時，經由壓接含於第1，第2導電性電糊41，51之合金的粉末彼此而加以固相燒結之時，以維持在燒結前之複數之金屬原子之結晶構造的金屬化合物(燒結合金)，加以構成第1，第2層間連接構件40，50。具體而言，從塗佈於表面圖案21上之第1，第2導電性電糊41，51，加以形成在第1，第2層間連接構件40，50之第1端部40a，50a。另外，從塗佈於背面圖案31上之第1，第2導電性電糊41，51，加以形成在第1，第2層間連接構件40，50之第2端部40b，50b。更且，從充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51，加以形成在第1，第2層間連接構件40，50之中間部40c，50c。並且，此等第1端部40a，50a，第2端部40b，50b，中間部40c，50c亦加以一體化之故，加以構成有剖面I字狀之第1，第2層間連接構件40，50。
另外，在此一體化工程中，亦加以壓接構成第1，第2層間連接構件40，50之合金的粉末與表面圖案21及背面圖案31，亦加以連接第1，第2層間連接構件40，50與表面圖案21及背面圖案31。
然而，雖無特別加以限定，對於在將層積體 90作為一體化時，亦可於層積體90與壓板之間，配置石綿紙等之緩衝材。
如以上說明，在本實施形態中，於絕緣基材10之第1，第2貫穿孔11，12，配置構成中間部40c，50c之第1，第2導電性電糊41，51。另外，於表面圖案21上，配置構成第1端部40a，50a之第1，第2導電性電糊41，51，於背面圖案31上，配置構成第2端部40b，50b之第1，第2導電性電糊41，51。並且，依序層積背面保護構件30，絕緣基材10，表面保護構件20而構成層積體90，經由將此等作為一體化之時，構成熱電變換裝置1。
因此，經由適宜變更第1，第2貫穿孔11，12之口徑，或配置於表面圖案21及背面圖案31上之第1，第2導電性電糊41，51的塗佈量，將層積體90作為一體化時之條件等之時，可容易地製造具有上述構成之第1，第2層間連接構件40，50的熱電變換裝置1。
然而，在本實施形態中，對於作為第1導電性電糊41而使用含有Bi-Sb-Te合金粉末之構成，而作為第2導電性電糊51而使用含有Bi-Te合金粉末之構成的例，已做過說明，但合金粉末係並不限定於此等者。例如，作為構成第1，第2導電性電糊41，51之合金粉末，銅，鎳銅合金，鎳鉻合金，鋁鎳合金等則亦可從與鐵，鎳，鉻，銅，矽等加以合金化之構成適宜選擇。另外，從碲，鉍，銻，硒之合金，或矽，鐵，鋁之合金等適 宜選擇亦可。
(第2實施形態)
對於本發明之第2實施形態加以說明。本實施形態係對於第1實施形態之製造方法而言，於絕緣基材10之表面10a及背面10b，塗佈第1，第2導電性電糊41，51之構成，關於其他係與第1實施形態同樣之故，在此係省略說明。
如圖4(a)所示，在本實施形態中，在進行圖2(a)~圖2(c)之工程之後，在絕緣基材10之表面10a中，於充填於第1貫穿孔11之第1導電性電糊41上，更塗佈第1導電性電糊41。
接著，如圖4(b)所示，在絕緣基材10之表面10a中，於充填於第2貫穿孔12之第2導電性電糊51上，更塗佈第2導電性電糊51。
然而，圖4(a)之工程係可經由使用在圖2(e)及圖3(b)之工程說明之光罩62及塗刷器70之印刷法等而進行者。同樣地，圖4(b)之工程係可經由使用在圖2(f)及圖3(c)之工程說明之光罩63及塗刷器70之印刷法等而進行者。另外，在本實施形態中，貫通孔62a，63a亦作為口徑較第1，第2貫穿孔11，12為大之圓筒狀。也就是，在圖4(a)及圖4(b)之工程中，對於位置於在絕緣基材10之表面10a之第1，第2貫穿孔11，12周圍之部分，亦呈溢出地，塗佈第1，第2導 電性電糊41，51。
接著，如圖4(c)所示，準備於與第1，第2貫穿孔11，12對應之處，加以形成有貫通孔100a之支持基座100。並且，從絕緣基材10之表面10a突起之第1，第2導電性電糊41，51則呈收容於貫通孔100a地，固定於支持絕緣基材10之基座100。並且，在絕緣基材10之背面10b中，於充填於第1貫穿孔11之第1導電性電糊41上，更塗佈第1導電性電糊41。
接著，如圖4(d)所示，在絕緣基材10之背面10b，於充填於第2貫穿孔12之第2導電性電糊51上，更塗佈第2導電性電糊51。
然而，圖4(c)及圖4(d)之工程係與圖4(a)及圖4(b)之工程同樣地，可經由使用光罩62，63及塗刷器70之印刷法等而進行者。也就是，在圖4(c)及圖4(d)之工程中，對於位置於在絕緣基材10之背面10b之第1，第2貫穿孔11，12周圍之部分，亦呈溢出地，塗佈第1，第2導電性電糊41，51。
之後，如圖4(e)所示地，構成層積體90。具體而言，對於絕緣基材10之表面10a，更塗佈於充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51上之第1，第2導電性電糊41，51與表面圖案21則呈接觸地，配置表面保護構件20。另外，對於絕緣基材10之背面10b更塗佈於充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51上之第1，第2導電 性電糊41，51與背面圖案31則呈接觸地，配置背面保護構件30。
之後，雖未特別加以圖示，但進行與上述圖3(e)同樣之工程。經由此，從塗佈於充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51上之第1，第2導電性電糊41，51，加以形成第1，第2端部40a，40b，50a，50b之同時，從充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51，加以形成中間部40c，50c而製造上述熱電變換裝置1。
如此，在絕緣基材10之表面10a及背面10b中，即使作為呈更塗佈第1，第2導電性電糊41，51於充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51上，亦可得到與上述第1實施形態同樣的效果。
(第3實施形態)
對於本發明之第3實施形態加以說明。本實施形態係對於第2實施形態之製造方法而言，將絕緣基材10與表面保護構件20作為一體化之後，將此等，與背面保護構件30作為一體化者，關於其他係與第2實施形態同樣之故，在此係省略說明。
在本實施形態中，首先，如圖5(a)所示地，準備至圖4(b)之工程為止進行之構成。
並且，如圖5(b)所示，於絕緣基材10之表面10a側，配置表面保護構件20而構成中間構成體90a。 具體而言，對於絕緣基材10之表面10a，更塗佈於充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51上之第1，第2導電性電糊41，51與表面圖案21則呈接觸地，配置表面保護構件20。
之後，如圖5(c)所示，進行將此中間構成體90a，從層積方向之上下兩面，以真空狀態進行加熱同時，進行加壓作為一體化之一體化工程。此時，從塗佈於充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51上之第1，第2導電性電糊41，51，加以形成第1端部40a，50a。另外，從充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51，加以形成中間部40c，50c。也就是，在本實施形態中，先加以形成第1，第2層間連接構件40，50之中的第1端部40a，50a及中間部40c，50c。
接著，如圖5(d)所示，在絕緣基材10之背面10b，於配置於第1，第2貫穿孔11，12之中間部40c，50c上，更塗佈第1，第2導電性電糊41，51。
然而，此工程係如進行與上述圖4(c)及圖4(d)同樣之工程即可，但既於絕緣基材10之表面10a，加以配置有表面保護構件20之故，支持基座100係不需要。
並且，如圖5(e)所示，於絕緣基材10之背面10b側，配置背面保護構件30而構成層積體90。具體而言，於絕緣基材10之背面10b，更塗佈於配置於第1， 第2貫穿孔11，12之中間部40c，50c上之第1，第2導電性電糊41，51與背面圖案31則呈接觸地，配置背面保護構件30。
之後，如圖5(f)所示，進行將此層積體90，從層積方向之上下兩面，以真空狀態進行加熱同時，進行加壓作為一體化之一體化工程。此時，從更塗佈配置在於第1，第2貫穿孔11，12之中間部40c，50c上的第1，第2導電性電糊41，51，加以形成在第1，第2層間連接構件40，50之第2端部40b，50b。
如此，呈作為將絕緣基材10與表面保護構件20作為一體化之同時，形成第1端部40a，50a及中間部40c，50c之後，將此等，與背面保護構件30作為一體化之同時，形成第2端部40b，50b，亦可得到與上述第1實施形態同樣的效果。
(其他的實施形態)
本發明係不限定於上述之實施形態，在不脫離本發明之內容的範圍內，可做適宜變更。
例如，在上述各實施形態中，在充填第1，第2導電性電糊41，51於第1，第2貫穿孔11，12時，未使用吸附紙80亦可。
另外，在上述各實施形態中，對於在塗佈第1，第2導電性電糊41，51時，係並非印刷法而以電鍍處理等形成亦可。
並且，在上述各實施形態中，作為含於第1，第2導電性電糊41，51之有機溶劑，例如，亦可使用熔點為43℃烷烴等之有機溶劑。然而，對於使用如此之有機溶劑之情況，例如，在進行圖2(e)及圖2(f)、圖3(b)及圖3(c)之工程後等，使有機溶劑蒸發，未使第1，第2導電性電糊41，51流動者為佳。也就是，抑制使有機溶劑蒸發而與第1，第2導電性電糊41，51混合之情況者為佳。
更且，在上述第1實施形態中，貫通孔62a、63a則口徑作為較第1，第2貫穿孔11，12為小亦可。也就是，塗佈於表面圖案21上及背面圖案31上之第1，第2導電性電糊41，51係在構成層積體90時，僅於與充填於第1，第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51對向之處所內側加以塗佈亦可。如此之情況，經由適宜控制第1，第2導電性電糊41，51之塗佈量或將層積體90作為一體化時之條件等之時，在與絕緣基材10之平面方向平行之方向的剖面積中，如形成第1端部40a，50a及第2端部40b，50b之剖面積作為較中間部40c，50c之剖面積為大之第1，第2層間連接構件40，50即可。
同樣地，在上述第2，第3實施形態中，貫通孔62a、63a則口徑作為較第1，第2貫穿孔11，12為小亦可。
另外，在上述第1實施形態中，進行圖2 (c)之工程之後，預先燒結第1，第2導電性電糊41，51而形成中間部40c，50c亦可。另外，準備埋入在第1，第2層間連接構件40，50之中間部40c，50c於絕緣基材10之構成亦可。更且，在進行圖2(f)之工程之後，燒結塗佈於表面圖案21上之第1，第2導電性電糊41，51亦可。也就是，準備加以形成有在第1，第2層間連接構件40，50之第1端部40a，50a於表面圖案21上之構成亦可。同樣地，在進行圖3(c)之工程之後，燒結塗佈於背面圖案31上之第1，第2導電性電糊41，51亦可。也就是，準備加以形成有在第1，第2層間連接構件40，50之第2端部40b，50b於背面圖案31上之構成亦可。
並且，在圖3(d)之工程中構成層積體90時，於絕緣基材10加以配置中間部40c，50c，於中間部40c，50c與表面圖案21之間，加以配置第1端部40a，50a，於中間部40c，50c與背面圖案31之間，加以配置第2端部40b，50b亦可。在構成如此之層積體90，亦在圖3(e)之工程中作為一體化時，經由加以連接第1端部40a，50a與中間部40c，50c，第2端部40b，50b與中間部40c，50c之時，加以製造上述構成之熱電變換裝置1。
然而，在構成層積體90時，並非燒結第1，第2導電性電糊41，51之所有者，而為僅燒結一部分者亦可。例如，在構成層積體90時，僅燒結充填於第1， 第2貫穿孔11，12之第1，第2導電性電糊41，51而作為中間部40c，50c亦可，而組合係可做適宜變更。
同樣地，在上述第2實施形態中，在構成層積體90時，僅燒結第1，第2導電性電糊41，51之一部分亦可。更且，在上述第3實施形態中，在構成中間構成體90a及層積體90時，僅燒結第1，第2導電性電糊41，51之一部分亦可。
另外，在上述各實施形態中，由Ag-Sn系等之金屬粒子而構成第2層間連接構件50亦可。也就是，作為第2層間連接構件50，並非主要為了使熱電變換的效果發揮之構成，而形成為了謀求導通之構成亦可。此情況，經由適宜變更形成第1，第2貫穿孔11，12之場所之同時，適宜變更表面圖案21及背面圖案31之形狀之時，作為將第1層間連接構件40，呈藉由第2層間連接構件50而各並聯連接亦可。
更且，熱電變換係如加以連接不同之2種類的金屬而發生之故，在上述各實施形態中，於絕緣基材10，僅形成第1貫穿孔11之同時，於第1貫穿孔11，僅加以配置第1層間連接構件40亦可。也就是，亦可適用本發明於僅配置有1種類之層間連接構件於絕緣基材10之熱電變換裝置者。
1‧‧‧熱電變換裝置
10‧‧‧絕緣基材
10a‧‧‧表面
10b‧‧‧背面
11‧‧‧第1貫穿孔
12‧‧‧第2貫穿孔
20‧‧‧表面保護構件
20a‧‧‧絕緣基材10對向之一面
21‧‧‧表面圖案
30‧‧‧背面保護構件
30a‧‧‧絕緣基材10對向之一面
31‧‧‧背面圖案
40、50‧‧‧第1，第2層間連接構件(熱電變換元件)
40a、50a‧‧‧第1端部
40b、50b‧‧‧第2端部
40c、50c‧‧‧中間部
41‧‧‧第1導電性電糊
51‧‧‧第2導電性電糊
62‧‧‧光罩
62a‧‧‧貫通孔
63‧‧‧光罩
63a‧‧‧貫通孔
70‧‧‧塗刷器
90‧‧‧層積體

Claims (8)

  1. 一種熱電變換裝置之製造方法，係具備：加以配置有複數之熱電變換元件(40、50)之絕緣基材(10)，和加以配置於前述絕緣基材之表面(10a)，加以形成有與特定之前述熱電變換元件加以電性連接之表面圖案(21)之表面保護構件(20)，和加以配置於與前述絕緣基材的表面相反側之背面(10b)，加以形成有與特定之前述熱電變換元件加以電性連接之背面圖案(31)之背面保護構件(30)，前述熱電變換元件係具有與前述表面圖案加以連接之第1端部(40a、50a)、與前述背面圖案加以連接之第2端部(40b、50b)，連結前述第1，第2端部之中間部(40c、50c)，在與前述絕緣基材之平面方向平行之方向的剖面積中，前述第1，第2端部的剖面積則作為較前述中間部之剖面積為大之熱電變換裝置之製造方法，其特徵為具有：準備加以形成有貫通於厚度方向之複數之貫穿孔(11、12)，加以配置有前述中間部或構成前述中間部之導電性電糊(41、51)於前述貫穿孔之前述絕緣基材之工程，和準備加以形成有前述表面圖案之前述表面保護構件之工程，和準備加以形成有前述背面圖案之前述背面保護構件之工程， 和於前述絕緣基材之表面，配置前述表面保護構件之同時，於前述絕緣基材之背面，配置前述背面保護構件而構成層積體(90)之工程，和將前述層積體作為一體化之工程，在構成前述層積體之工程中，構成於前述中間部或構成前述中間部之前述導電性電糊與前述表面圖案之間，加以配置前述第1端部或構成前述第1端部之前述導電性電糊之同時，於前述中間部或構成前述中間部之前述導電性電糊與前述背面圖案之間，加以配置前述第2端部或構成前述第2端部之前述導電性電糊之前述層積體，前述中間部之剖面積係前述第1、第2端部之剖面積之一半以下，在將前述層積體作為一體化之工程中，經由加熱前述層積體之同時，從層積方向進行加壓之時，形成具有前述第1，第2端部及前述中間部之前述熱電變換元件者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之熱電變換裝置之製造方法，其中，在準備前述絕緣基材之工程中，準備加以填充前述導電性電糊於前述貫穿孔者，在準備前述表面保護構件之工程中，準備加以填充前述導電性電糊於前述表面圖案上者，在準備前述背面保護構件之工程中，準備加以填充前述導電性電糊於前述背面圖案上者，在構成前述層積體之工程中，於前述絕緣基材表面，加以配置於前述表面圖案上之前述導電性電糊與加以充填 於前述貫穿孔之前述導電性電糊則呈接觸地配置前述表面保護構件之同時，於前述絕緣基材之背面，加以配置於前述背面圖案上之前述導電性電糊與加以充填於前述貫穿孔之前述導電性電糊則呈接觸地配置前述背面保護構件，在將前述層積體作為一體化之工程中，燒結加以配置於填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊與前述表面圖案之間之前述導電性電糊，加以配置於填充於前述貫通孔之前述導電性電糊與前述背面圖案之間之前述導電性電糊，加以填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊，經由從加以配置於填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊與前述表面圖案之間之前述導電性電糊，形成前述第1端部，而從加以配置於填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊與前述背面圖案之間之前述導電性電糊，形成前述第2端部，從加以充填於前述貫穿孔之前述導電性電糊，形成前述中間部之時，構成具有前述第1，第2端部及前述中間部之前述熱電變換元件者。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之熱電變換裝置之製造方法，其中，在準備前述絕緣基材之工程中，具有充填前述導電性電糊於前述貫穿孔之工程，和在前述絕緣基材之表面側中，於充填於前述貫穿孔之前述導電性電糊上，更配置前述導電性電糊之工程，和在前述絕緣基材之背面側中，於充填於前述貫穿孔之前述導電性電糊上，更配置前述導電性電糊之工程，在構成前述層積體之工程中，於前述絕緣基材表面， 更加以配置於加以充填於前述貫穿孔之前述導電性電糊上之前述導電性電糊與前述表面圖案則呈接觸地配置前述表面保護構件之同時，於前述絕緣基材之背面，更加以配置於填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊上之前述導電性電糊與前述背面圖案則呈接觸地配置前述背面保護構件，在將前述層積體作為一體化之工程中，燒結加以配置於填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊與前述表面圖案之間之前述導電性電糊，加以配置於填充於前述貫通孔之前述導電性電糊與前述背面圖案之間之前述導電性電糊，加以填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊，經由從加以配置於填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊與前述表面圖案之間之前述導電性電糊，形成前述第1端部，而從加以配置於填充於前述貫穿孔之前述導電性電糊與前述背面圖案之間之前述導電性電糊，形成前述第2端部，從加以充填於前述貫穿孔之前述導電性電糊，形成前述中間部之時，構成具有前述第1，第2端部及前述中間部之前述熱電變換元件者。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項記載之熱電變換裝置之製造方法，其中，作為前述導電性電糊，使用加上有機溶劑於複數之金屬原子維持特定之結晶構造之合金粉末而作為電漿化之構成，在將前述層積體作為一體化之工程中，作為前述熱電變換元件，形成在維持該金屬原子之結晶構造之狀態，加以燒結前述複數之金屬原子之燒結合金者。
  5. 一種熱電變換裝置之製造方法，係具備加以配置有複數之熱電變換元件(40、50)之絕緣基材(10)，和加以配置於前述絕緣基材之表面(10a)，加以形成有與特定之前述熱電變換元件加以電性連接之表面圖案(21)之表面保護構件(20)，和加以配置於與前述絕緣基材的表面相反側之背面(10b)，加以形成有與特定之前述熱電變換元件加以電性連接之背面圖案(31)之背面保護構件(30)，前述熱電變換元件係具有與前述表面圖案加以連接之第1端部(40a、50a)、與前述背面圖案加以連接之第2端部(40b、50b)，連結前述第1，第2端部之中間部(40c、50c)，在與前述絕緣基材之平面方向平行之方向的剖面積中，前述第1，第2端部的剖面積則作為較前述中間部之剖面積為大之熱電變換裝置之製造方法，其特徵為具有：準備加以形成有貫通於厚度方向之複數之貫穿孔(11、12)，加以配置有前述中間部或構成前述中間部之導電性電糊(41、51)於前述貫穿孔之前述絕緣基材之工程，和準備加以形成有前述表面圖案之前述表面保護構件之工程，和於前述絕緣基材之表面側，配置前述表面保護構件而構成中間構成體(90a)之工程，和將前述中間構成體作為一體化之工程， 和準備加以形成有前述背面圖案之前述背面保護構件之工程，和於前述絕緣基材之背面側，配置前述背面保護構件而構成層積體(90)之工程，和將前述層積體作為一體化之工程，在構成前述中間構成體之工程中，於前述中間部或構成前述中間部之前述導電性電糊與前述表面圖案之間，構成加以配置有前述第1端部或構成前述第1端部之前述導電性電糊之前述中間構成體，在將前述中間構成體作為一體化之工程中，經由加熱前述中間構成體之同時，從層積方向進行加壓之時，形成具有前述第1端部及前述中間部之前述熱電變換元件之一部分，在構成前述層積體之工程中，於前述中間部與前述背面圖案之間，構成加以配置有前述第2端部或構成前述第2端部之前述導電性電糊之前述層積體，在將前述層積體作為一體化之工程中，經由加熱前述層積體之同時，從層積方向進行加壓之時，形成具有前述第1，第2端部及前述中間部之前述熱電變換元件者。
  6. 如申請專利範圍第1項記載之熱電變換裝置之製造方法，其中，前述中間部係延伸設置於與前述表面保護構件及前述背面保護構件之面方向正交之方向者。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之熱電變換裝置之製造方法，其中，前述中間部係延伸設置於與前述第1端部及 第2端部正交之方向者。
  8. 如申請專利範圍第1項記載之熱電變換裝置之製造方法，其中，前述第1端部及第2端部之前述表面保護構件之面方向之長度係較前述中間部之與前述表面保護構件之面方向正交之方向之長度為長者。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6447577B2 (ja) 2016-05-27 2019-01-09 株式会社デンソー 熱電変換装置およびその製造方法
JP6249126B1 (ja) * 2016-07-12 2017-12-20 株式会社デンソー 熱流束センサおよびその製造方法
JP6304338B1 (ja) * 2016-10-07 2018-04-04 株式会社デンソー 熱電変換装置の製造方法
CN112038478B (zh) * 2020-09-15 2023-09-26 上海商皓电子科技有限公司 一种半导体制冷元件的制造工艺及元件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130218241A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 Nanohmics, Inc. Membrane-Supported, Thermoelectric Compositions

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08153899A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Mitsubishi Materials Corp 熱電変換用サーモモジュール及びその製造方法
US6127619A (en) * 1998-06-08 2000-10-03 Ormet Corporation Process for producing high performance thermoelectric modules
JP2004165366A (ja) 2002-11-12 2004-06-10 Seiko Instruments Inc 熱電変換素子とその製造方法
US20090007952A1 (en) * 2004-10-18 2009-01-08 Yoshiomi Kondoh Structure of Peltier Element or Seebeck Element and Its Manufacturing Method
DE102006055120B4 (de) * 2006-11-21 2015-10-01 Evonik Degussa Gmbh Thermoelektrische Elemente, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
JP2009117792A (ja) 2007-10-19 2009-05-28 Ube Ind Ltd 熱電変換モジュール及びその製造方法
WO2013069347A1 (ja) * 2011-11-08 2013-05-16 富士通株式会社 熱電変換素子及びその製造方法
JP5376087B1 (ja) 2012-05-30 2013-12-25 株式会社デンソー 熱電変換装置の製造方法
JP2014007376A (ja) 2012-05-30 2014-01-16 Denso Corp 熱電変換装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130218241A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 Nanohmics, Inc. Membrane-Supported, Thermoelectric Compositions

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