TWI610095B - 空間光調變器及曝光裝置 - Google Patents

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TWI610095B
TWI610095B TW102123438A TW102123438A TWI610095B TW I610095 B TWI610095 B TW I610095B TW 102123438 A TW102123438 A TW 102123438A TW 102123438 A TW102123438 A TW 102123438A TW I610095 B TWI610095 B TW I610095B
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Junji Suzuki
Yoshihiko Suzuki
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Nikon Corp
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    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Abstract

本發明涉及一種空間光調變器，包括：基板；固定電極，設置於基板的表面上；連結部，一端與表面相連結；可動部，與連結部的另一端相連結，通過連結部的彈性形變而相對於基板擺動；支柱部，一端與可動部相接合，沿基板的厚度方向延伸，與可動部一體擺動；反射部件，與支柱部的另一端相接合，具有與可動部及支柱部一體擺動的反射面；可動電極，設置於反射部件的面向固定電極的面上；及導體層，具有比可動電極的膜厚更大的膜厚，設置在支柱部，將可動部與可動電極之間電氣接合。

Description

空間光調變器及曝光裝置
本發明涉及一種空間光調變器及曝光裝置。
有一種空間光調變器，由光刻技術製成，通過靜電能驅動由鈕鉸鏈支撐的鏡子(參照專利文獻1)。
專利文獻1：特開平09-101467號公報
[發明所欲解決之問題]
空間光調變器由於具有從基板支撐浮起的鏡子的立體結構，因此在製造過程中，無法在基板到鏡子之間形成良好的電性結合。
本發明第一形態提供一種空間光調變器基板，包括：基板；固定電極，設置於基板的表面上；連結部，一端與表面相連結；可動部，與連結部的另一端相連結，通過連結部的彈性形變而相對於基板擺動；支柱部，一端與可動部相接合，沿基板的厚度方向延伸，與可動部一體擺動；反射部件，與支柱部的另一端相接合，具有與可動部及支柱部一體擺動的反射面；可動電極，設置於反射部件的面向固定電極的面上；及導體層，具有比可動電極的膜厚更大的膜厚，設置在支柱部，將可動部與可動電極之間電氣接合。
本發明第二形態提供另一種空間光調變器，包括：基板；固定 電極，設置於基板的表面上；連結部，一端與表面相連結；可動部，與連結部的另一端相連結，通過連結部的彈性形變而相對於基板擺動；反射部件，包含半導體層並具有與可動部一體擺動的反射面；金屬層，與半導體層相鄰接；及歐姆結部，將半導體層與金屬層進行歐姆連結。
本發明第三形態提供又一種空間光調變器，包括：基板；連結部，一端與基板的表面相連結；可動部，與連結部的另一端相連結，通過連結部的彈性扭轉變形而以連結部為擺動軸相對於基板擺動；反射部件，與可動部一體擺動；可動電極，設置於反射部件的面向表面的面上；固定電極，設置於表面的面向可動電極的區域上，且不遮擋連結部及可動部。
本發明第四形態提供一種曝光裝置，具備上述空間光調變器。
另外，上述發明的概要並未列舉出本發明的全部可能特徵，所述特徵組的子組合也有可能構成發明。
100‧‧‧空間光調變器
200、201、202、203、204、205、206‧‧‧空間光調變元件
210‧‧‧基板
212、214‧‧‧固定電極
220‧‧‧遮光部
222‧‧‧遮光板
224、232、248‧‧‧支柱
230、231、233‧‧‧萬向架部
234‧‧‧固定框
235、237‧‧‧扭轉軸部
236‧‧‧可動框
238‧‧‧擺動部
240‧‧‧反射部
242‧‧‧支撐層
244‧‧‧反射層
246‧‧‧可動電極
311‧‧‧第一犧牲層
312‧‧‧第二犧牲層
313‧‧‧第三犧牲層
321、322‧‧‧接觸孔
331‧‧‧第一金屬層
332‧‧‧第二金屬層
333‧‧‧第三金屬層
334‧‧‧第四金屬層
335‧‧‧第五金屬層
336‧‧‧第六金屬層
340‧‧‧非晶矽層
344、346‧‧‧高濃度p型層
350‧‧‧反射膜
400‧‧‧曝光裝置
500‧‧‧照明光產生部
510‧‧‧控制部
520‧‧‧光源
530‧‧‧稜鏡
532、534‧‧‧反射面
540、640‧‧‧成像光學系統
550‧‧‧分光鏡
560‧‧‧測量部
600‧‧‧照明光學系統
612‧‧‧入射面
610‧‧‧複眼透鏡
620‧‧‧聚光光學系統
630‧‧‧視場光圈
700‧‧‧投影光學系統
710‧‧‧光罩
720‧‧‧光罩台
730‧‧‧開口光圈
810‧‧‧基板
820‧‧‧基板台
圖1為顯示空間光調變器100的外觀的模式圖。
圖2為顯示空間光調變元件200單獨的外觀的立體圖。
圖3為空間光調變元件200的分解立體圖。
圖4為空間光調變元件200的截面圖。
圖5為空間光調變元件200的截面圖。
圖6為空間光調變元件200的截面圖。
圖7為空間光調變元件200的截面圖。
圖8為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖9為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖10為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖11為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖12為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖13為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖14為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖15為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖16為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖17為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖18為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖19為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖20為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖21為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖22為製造過程中的空間光調變元件200的截面圖。
圖23為空間光調變元件201的截面圖。
圖24為製造過程中的空間光調變元件201的截面圖。
圖25為製造過程中的空間光調變元件201的截面圖。
圖26為製造過程中的空間光調變元件201的截面圖。
圖27為製造過程中的空間光調變元件201的截面圖。
圖28為製造過程中的空間光調變元件201的截面圖。
圖29為製造過程中的空間光調變元件201的截面圖。
圖30為空間光調變元件201的截面圖。
圖31為製造過程中的空間光調變元件202的截面圖。
圖32為製造過程中的空間光調變元件202的截面圖。
圖33為製造過程中的空間光調變元件202的截面圖。
圖34為製造過程中的空間光調變元件202的截面圖。
圖35為製造過程中的空間光調變元件202的截面圖。
圖36為空間光調變元件202的截面圖。
圖37為製造過程中的空間光調變元件203的截面圖。
圖38為製造過程中的空間光調變元件203的截面圖。
圖39為製造過程中的空間光調變元件203的截面圖。
圖40為製造過程中的空間光調變元件203的截面圖。
圖41為空間光調變元件203的截面圖。
圖42為空間光調變元件204的截面圖。
圖43為空間光調變元件205的截面圖。
圖44為空間光調變元件206的截面圖。
圖45為曝光裝置400的模式圖。
圖46為顯示曝光裝置400中的空間光調變器100的動作的圖。
以下通過發明實施方式對本發明進行說明，但以下實施方式並非對申請專利範圍所涉及的發明進行限定。並且，實施方式中說明的特徵組合也並非全部為本發明的必要特徵。
圖1為顯示空間光調變器100的外觀的立體示意圖。空間光調變器100包括：基板210及反射部240。
多個反射部240在基板210上進行二維排列並形成陣列。各個反射部240具有一邊為幾微米到一百幾十微米左右的正方形的反射面，成為相對於基板210可單獨擺動的空間光調變元件200的一部分。
如圖所示，反射部240在產生互不相同擺動的傾斜狀態下使空間光調變器100對光進行反射，從而使反射光產生亮度分佈。因此，通過控制反射部240的擺動，便能夠使反射光形成各種各樣的亮度分佈。
圖2為將單個的空間光調變元件200取出進行顯示的立體圖。空間光調變元件200具有在基板210上層疊有兩層的結構物。
基板210上的結構物的下層具有包含遮光板222和支柱224的遮光部220。遮光板222沿空間光調變元件200的四個邊設置。支柱224將遮光板222支撐於基板210的上方。從而使遮光板222在包圍空間光調變元件200的狀態下相對於基板210固定，以防止與空間光調變器100中的相鄰空間光調變元件200之間產生電磁干擾。
另外，在圖1所示空間光調變器100中，當相鄰地配置有多個空間光調變元件200時，遮光板222能夠遮擋從相鄰反射部240之間進入到基板210的光。從而能夠抑制由照射光對基板210造成的加熱。
基板210上的結構物的上層具有包含支撐層242、反射層244和可動電極246的反射部240。支撐層242在圖中上面具有平坦面，以支撐反射層244。可動電極246設置於支撐層242的圖中下面。反射部240可相對於基板210整體自由擺動地支撐於基板210上。
圖3為顯示空間光調變元件200的結構的分解立體示意圖。對圖1與圖2共用的元件標註相同的參考標記，並省略重複的說明。
空間光調變元件200包括：基板210、遮光部220、萬向架(gimbal)部230及反射部240。遮光部220及萬向架部230固定於基板210的上面。反射部240相對於萬向架部230進行裝設。
在基板210上設置有彼此具有相同形狀的兩對固定電極212、214。基板210例如由單晶矽製成，包含向固定電極212、214提供驅動電能的CMOS電路。固定電極212、214由金屬等導電性材料製成，與基板210的四條邊相平行，並相對於基板210的中心對稱設置。
遮光部220具有：沿基板210的四條邊設置的遮光板222、支 撐遮光板222的支柱224。遮光板222在設置有固定電極212、214的區域的外側，沿基板210的四條邊設置。另外，支柱224在基板210的表面上位於設置有固定電極212、214的區域的外側設置於基板210的四個角處。
另外，空間光調變元件200中的基板210是形成空間光調變器100的基板210的一部分。因此，基板210雖然不具有圖中所示形狀，但在關注單個空間光調變元件200時，該空間光調變元件200所佔有的基板210的形狀如圖所示，是比反射部240稍大的矩形。
萬向架部230具有：支柱232、固定框234、可動框236及擺動部238，在基板210的表面中設置於設置有固定電極212、214的區域的內側。支柱232位於萬向架部230本體的四個角處，將固定框234相對於基板210固定。
可動框236與固定框234同心地設置於固定框234的內側，通過扭轉軸部235接合於固定框234上。可動框236通過扭轉軸部235的彈性扭轉變形而相對於固定框234擺動。
擺動部238與固定框234及可動框236同心地設置於可動框236的內側，通過扭轉軸部237接合於可動框236上。擺動部238通過扭轉軸部237的彈性扭轉變形而相對於可動框236擺動。因此，通過將可動框236自身的擺動與擺動部238相對於可動框236的擺動進行組合，便能夠使擺動部238相對於基板210朝任意方向傾斜。
另外，擺動部238通過扭轉軸部235、237的彈性形變而擺動。因此，使可動框236相對於固定框234擺動的扭轉軸部235以及使擺動部238相對於可動框236擺動的扭轉軸部237最好採用相同材料，以相同形狀及相同尺寸形成。從而使擺動部238在進行擺動時的負荷穩定，以提高空間光調變元件200的可控性。
反射部240在設置有可動電極246的支撐層242的底面中央處具有支柱248。上端與支撐層242相接合的支柱248的下端與萬向架部230的擺動部238相接合。從而能夠使反射部240以相對於基板210朝任意方向傾斜的狀態下支撐於基板210上。
另外，在上述空間光調變元件200中，萬向架部230被設置為相對於基板210具有與遮光部220相同的高度。因此，當採用光刻技術製造空間光調變元件200時，能夠並行地形成萬向架部230和遮光部220。
出於使遮光部220具有電磁遮光功能的目的，或者出於使萬向架部230將基板210上的電路與可動電極電性導通的目的，最好使雙方都由導體製成。因此，遮光部220及萬向架部230最好由TiAl合金等金屬稜的導電性材料製成。
另一方面，反射部240的支撐層242最好是剛性高，重量輕。因此，例如可以通過將氧化物、氮化物、碳化物沉積成薄膜而製成。進一步地，也可以由非晶矽製成支撐層242。由於非晶矽能夠使厚的薄膜在低溫下成膜，因此能夠形成重量又輕、且抗彎剛度又高的支撐層242，而不損壞已有的結構物。
反射層244是通過在支撐層242上層疊金屬膜、絕緣體多層膜等而形成的薄膜。在形成反射層244時，也可以將成為下底的支撐層242的表面預先進行鏡面研磨，以達到高精度地平坦化。
可動電極246可以由金屬等導體材料構成。當使用非晶矽製成支撐層242時，雖然可以將其自身作為可動電極246，但進一步地，通過使用金屬製成可動電極246，能夠提高作為電極的電氣特性。另外，通過採用金屬製的可動電極246，可以使造成反射部240翻轉的熱應力在支撐層242的表面和背面達到平衡，從而能夠抑制反射部240的變形。
圖4為空間光調變元件200的截面示意圖，表示圖3所示的AA截面。對與圖3共用的元件標註相同的參考符號，並省略重複的說明。
在空間光調變元件200的基板210上，遮光板222被設置為比固定電極214更靠近邊緣側。而且，萬向架部230被設置為比固定電極214更靠近基板210的中心。
因此，遮光板222、固定框234、可動框236等在與基板210相垂直的方向上不與固定電極214相重疊。從而使固定電極214的整個面都面向位於圖中上方的可動電極246。
圖5為空間光調變元件200的截面示意圖，表示在與圖4相同的截面中向位於圖中左側的固定電極214的一方供應驅動電能的狀態。施加有驅動電能的固定電極214與可動電極246之間由靜電能發揮作用，使可動電極246隨著反射部240朝固定電極214吸引。從而使扭轉軸部235發生變形，使反射部240整體擺動。
圖6為空間光調變元件200的截面示意圖，表示圖3所示的BB截面。對與圖3共用的元件標註相同的參照符號，並省略重複的說明。
在空間光調變元件200的基板210上，遮光板222被設置為比固定電極212更靠近邊緣側。而且，萬向架部230被設置為比固定電極212更靠近基板210的中心。
因此，遮光板222、固定框234、可動框236等在與基板210相垂直的方向上不與固定電極212相重疊。從而使固定電極212的整個面都面向位於圖中上方的可動電極246。
圖7為空間光調變元件200的截面示意圖，表示在與圖6相同的截面中為位於圖中左側的固定電極212的一方供應驅動電能的狀態。在施加有驅動電能的固定電極212與可動電極246之間，通過靜電能的作用 使可動電極246隨著反射部240朝固定電極214吸引。從而使扭轉軸部237發生了變形，使反射部240的整體擺動。
如上所述，在空間光調變元件200中，通過向固定電極212、214中的任意一個施加驅動電能，能夠使反射部240發生擺動。而且，通過向在固定電極212、214中相鄰的一對固定電極212、214同時施加驅動電能，能夠任意地改變反射部240的傾斜方向。從而使空間光調變元件200能夠電性控制反射部240的反射層244相對於基板210的傾斜。
另外，在由靜電能驅動的空間光調變元件200中，使固定電極212、214與可動電極246的間隔比兩者有可能直接接觸的間隔更寬，從而避免可動電極246被固定於固定電極212、214側時的牽引現象(pull-in phenomenon)。在空間光調變元件200中，由於可動電極246設置於離開基板210的反射部240的下面，比達到發生牽引現象程度的間距還大。換言之，能夠使反射部240擺動而不發生牽引現象的範圍變寬。
進一步地，在空間光調變元件200中，各個扭轉軸部235、237設置於固定電極212、214與可動電極246之間形成的電場以外。因此，抑制了靜電能對扭轉軸部235、237的影響，也抑制了懸吊於扭轉軸部235、237上的可動框236、擺動部238及反射部240被通過靜電能下拉的情形。
而且進一步地，在空間光調變元件200中，由於通過設置在基板210的外邊緣附近的固定電極212、214來驅動反射部240，因此能夠有效地通過施加於固定電極212、214上的驅動電能來驅動反射部240。進一步地，由於彼此具有相同形狀和麵積的固定電極212、214對稱設置，固定電極212、214相互的驅動條件相等，因此能夠以較好可控性來驅動反射部240。
再次參照圖1，在空間光調變器100中，通過對施加於各個空 間光調變元件200的驅動電能進行控制，便能夠單獨地控制多個反射部240的傾斜。另外，在各個空間光調變元件200中，由於遮光部220遮擋了與其他相鄰空間光調變元件200之間的電磁性相互干擾，因此使各個空間光調變元件200的動作比較穩定。據此，由於通過使空間光調變器100進行反射從而能夠形成任意的照射圖案，因此能夠將空間光調變器100用作可變光源、曝光裝置、圖像顯示裝置、光開關等。
圖8~圖24為表示空間光調變元件200的製造過程的截面圖。
另外，圖8~圖23根據圖3中的箭頭C所示截面繪製而成。因此，雖然在這些圖中所示截面中出現了遮光部220及萬向架部230的支柱224、232，但沒有出現基板210上的固定電極212、214及萬向架部230的扭轉軸部235、237。
另外，由於圖8~圖22表示製造過程，因此在空間光調變元件200中相應的元件有時會包含與截止到圖7的內容不同的形狀。因此，在表示製造過程的各圖中對各元件標註固有的參考符號並進行說明，在圖23中說明了空間光調變元件200完成後的的階段中與空間光調變元件200所示元件之間的對應關係。
首先，如圖8所示，準備平坦的基板210。作為基板210的材料，除了單晶矽基板以外，還可以廣泛使用化合物半導體基板、陶瓷基板等具有平坦表面的部件。
另外，認為在基板210中已經形成有向固定電極212、214提供驅動電能的CMOS電路。而且，認為在CC截面上未出現的固定電極212、214已經形成於基板210上了。
固定電極212、214例如可以通過將鋁、銅等金屬以物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等沉積於基板210上而形成。另外，沉 積於基板210上的金屬層可以使用光刻膠構圖成為固定電極212、214的形狀。
然後，如圖9所示，沉積光刻膠材料直到埋沒固定電極212、214的厚度，在基板210上形成第一犧牲層311。第一犧牲層311的厚度與空間光調變元件200中的遮光部220及萬向架部230的支柱224、232的高度相對應。第一犧牲層311可以通過旋塗、噴塗等方式塗佈光刻膠材料並進行預焙而形成。從而使基板210的表面平坦化。
接下來，如圖10所示，對第一犧牲層311進行構圖。第一犧牲層311通過對所塗佈的光刻膠材料依次執行曝光、顯像、預焙而被進行構圖。另外，也可以通過等離子刻蝕等乾法刻蝕方法來加工光刻膠材料。
通過構圖，在第一犧牲層311上形成貫穿直達基板210表面的接觸孔321。接觸孔321形成於設置有遮光部220及萬向架部230的支柱224、232的區域。
然後，如圖11所示，通過沉積金屬並埋設接觸孔321，從而形成第一金屬層331，成為遮光部220及萬向架部230的支柱224、232的一部分。第一金屬層331例如通過採用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等沉積TiAl合金等金屬材料而形成。
然後，如圖12所示，在第一金屬層331及第一犧牲層311的整個表面上形成第二金屬層332。第二金屬層332例如通過採用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等沉積TiAl合金等金屬材料而形成。
接下來，如圖13所示，對第二金屬層332進行構圖。第二金屬層332的構圖方法可以適當地選擇各種干刻或濕刻方法。從而在累加已有的第一金屬層331的各圖案的同時，形成未出現在圖示的截面中的遮光板222。
然後，如圖14所示，在剩餘的第二金屬層332之間露出的第一犧牲層311的表面上沉積第二犧牲層312，使整個表面平坦化。第二犧牲層312採用旋塗、噴塗等方式塗佈光刻膠材料並進行預焙而形成。
進一步地，如圖15所示，在第二金屬層332及第二犧牲層312的整個表面上沉積金屬，形成由萬向架部230的固定框234、可動框236及擺動部238構成的第三金屬層333。第三金屬層333例如可以通過採用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等沉積TiAl合金等金屬材料而形成。
接下來，如圖16所示，對第三金屬層333進行構圖。從而形成萬向架部230的固定框234、可動框236及擺動部238。第三金屬層333的構圖方法可以適當地選擇各種干刻或濕刻方法。
接下來，如圖17所示，通過第三犧牲層313對第三金屬層333及第二犧牲層312的整個表面進行平坦化。第三犧牲層313也可以通過旋塗、噴塗等方式塗佈光刻膠材料並進行預焙而形成。
位於第三金屬層333的上方的第三犧牲層313的厚度與空間光調變元件200的反射部240中的支柱248的高度相對應。因此，第三犧牲層313被沉積成比第三金屬層333的厚度更厚，第三金屬層333被埋設於第三犧牲層313的內部。
然後，如圖18所示，對第三犧牲層313進行構圖，並形成到達第三金屬層333的頂面的接觸孔322。接觸孔322設置於空間光調變元件200中形成有反射部240的支柱248的區域。第三犧牲層313可以由等離子刻蝕等乾刻法進行構圖。
然後，如圖19所示，在第三犧牲層313的表面以及在接觸孔322的內面和整個底面沉積金屬，從而形成第四金屬層334作為反射部240的可動電極246。第四金屬層334例如可以通過採用物理氣相沉積法、化學 氣相沉積法、鍍金法等方法沉積TiAl合金等金屬材料而形成。
然後，如圖20所示，在整個第四金屬層334上沉積成為反射部240的支撐層242的非晶矽層340。非晶矽層340的形成方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中選擇。另外，由於形成於第三犧牲層313上的接觸孔322很深，因此有時會在非晶矽層340的表面形成與接觸孔322的形狀相似的陷沒部。
進一步地，如圖21所示，在非晶矽層340的整個表面形成有成為反射層244的反射膜350。反射膜350可以由金屬材料形成。另外，反射膜350也可以由絕緣體多層膜形成。反射膜350的形成方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中進行選擇。
另外，也可以在形成反射膜350之前對非晶矽層340的表面進行鏡面研磨。從而提高反射膜350表面的平坦性，並能夠提高反射膜350的反射率。
接下來，如圖22所示，對第四金屬層334、非晶矽層340及反射膜350進行統一地修整。修整最好可以利用等離子刻蝕等乾刻法。從而在第四金屬層334的邊緣部附近露出第三犧牲層313的表面。
然後，如圖23所示，去除從第三犧牲層313到第一犧牲層311的犧牲層從而完成空間光調變元件200。從第三犧牲層313到第一犧牲層311的犧牲層均直接或間接相連，因此能夠通過使用氣體或液體的刻蝕進行統一去除。
在通過上述過程製成的空間光調變元件200中，可動電極246通過金屬製的萬向架部230電性接合到基板210的表面。因此，通過基板210上的電路，使可動電極246與基準電壓，例如接地電位相接合。從而能夠在施加有驅動電能的固定電極212、214與所面向的可動電極246與之間 形成穩定的電場。
另外，在空間光調變元件200中，自身是金屬製的遮光部220形成於基板210上。因此，遮光部220通過基板210上的電路與基準電壓，例如接地電位相接合。從而在使遮光部220有效地阻止來自於外部的電磁波侵入的同時，還阻擋了從空間光調變元件200自身向外部放射電磁波。因此，在將多個空間光調變元件200相鄰接配置的空間光調變器100中，各個空間光調變元件200的動作很穩定。
進一步地，在空間光調變元件200中，由於可動電極246設置於離開基板210的反射部240的下面，因此使達到發生牽引現象程度的間距很大。因此，不用靠加厚犧牲層來擴大固定電極212、214與可動電極246的間隔。
據此，能夠避免當加厚犧牲層時所產生的裂紋等，從而能夠降低生產過程中的風險。另外，由於可以不用急劇增加擺動的反射部240的高度，因此能夠抑制反射部240在基板210的面方向上的變位量的增加量。因此，當在空間光調變器100中排列多個空間光調變元件200時，能夠堵住相鄰空間光調變元件200的彼此之間的間隙，從而能夠提高空間光調變器100的開口率。
另外，在上述一連串的製造過程中，在去除圖23所示第一犧牲層311、第二犧牲層312及第三犧牲層313的步驟之前，也可以導入對反射膜350的表面進行鏡面研磨的步驟。從而能夠進一步提高反射膜350中的反射率。
另外，雖然對單個空間光調變元件200的製造過程進行了說明，但也可以在一個基板210上同時製造多個空間光調變元件200。進一步地，在一個基板210上製造更多空間光調變元件200的基礎上，切割各個基板 210，將每一個具有多個空間光調變元件200的空間光調變器100同軸地製造多個。從而能夠提高生產率，以便提供廉價的空間光調變器100。
圖24~圖30表示另一空間光調變元件201的製造過程。在這些圖中，為與空間光調變元件200的製造過程共用的元件標註相同的參考符號，並省略重複的說明。
另外，參照圖8~圖18針對空間光調變元件200進行說明的步驟與空間光調變元件201的製造過程相同。因此，圖24表示圖18所示步驟接下來的步驟。
在空間光調變元件201的製造過程中，如圖24所示，在設置有接觸孔322的第三犧牲層313的表面以及位於接觸孔322內部的第三金屬層333的表面的整個面上沉積金屬。從而形成第五金屬層335作為反射部240的支柱248的一部分。
第五金屬層335被形成為即便在接觸孔322的側壁上也未產生斷裂。換言之，第五金屬層335是進行沉積直到達到在接觸孔322的側壁上直立的部分也不會斷裂的厚度。
第五金屬層335例如可以通過採用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等沉積TiAl合金等金屬材料而形成。另外，第五金屬層335是為了與已有的另一金屬層相區別才取了「第五」這個名字，而並不意味著在後述第四金屬層334之後形成。
進一步地，如圖25所示，對第五金屬層335進行構圖，並去除除接觸孔322內部和周圍以外的部分。第五金屬層335的構圖方法可以適當選擇各種干刻或濕刻方法。
接下來，如圖26所示，在第三犧牲層313及第五金屬層335的整個表面上沉積金屬，從而形成第四金屬層334作為反射部240的可動 電極246。第四金屬層334例如可以採用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等方法沉積TiAl合金等金屬材料而形成。第四金屬層334的膜厚比第五金屬層335的膜厚更薄。
然後，如圖27所示，在第四金屬層334的整體上沉積非晶矽層340作為反射部240的支撐層242。非晶矽層340的形成方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中進行選擇。
另外，在作為非晶矽層340的成膜下底的第三犧牲層313及第五金屬層335中，第五金屬層335突出。因此，在第五金屬層335的圖中上方，非晶矽層340的表面有時會稍微隆起。
然後，如圖28所示，在非晶矽層340的整個表面上形成反射膜350作為反射層244。當非晶矽層340的一部分隆起時，在反射膜350的表面上也會反覆出現非晶矽層340的隆起。
反射膜350可以由金屬材料製成。另外，反射膜350也可以由絕緣體多層膜製成。反射膜350的製造方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中選擇。
另外，在形成反射膜350之前，還可以對非晶矽層340的表面進行鏡面研磨。從而能夠提高反射膜350表面的平坦性，並提高反射膜350中的反射率。
接下來，如圖29所示，對第四金屬層334、非晶矽層340及反射膜350統一進行修整。修整最好可以利用等離子刻蝕等乾刻法。從而使第四金屬層334的邊緣部附近露出第三犧牲層313的表面。
然後，如圖30所示，去除從第三犧牲層313到第一犧牲層311的犧牲層，從而完成空間光調變元件201。由於從第三犧牲層313到第一犧牲層311的犧牲層都直接或間接相連，因此可以通過使用氣體或液體的刻 蝕方法統一進行去除。
在經過上述過程製成的空間光調變元件201中，可動電極246借助於形成支柱248的一部分的第五金屬層335與萬向架部230相接合。正如已經說明的那樣，第五金屬層335具有比形成可動電極246的第四金屬層334的膜厚更大的膜厚，從而在支柱248的側壁上也不會產生斷裂。
因此，在空間光調變元件201中，可動電極246與萬向架部230電性牢固接合。而且，支柱248中的電阻也很低，使得可動電極246與萬向架部230的電位變得相等。從而使空間光調變元件201的電氣特性比較穩定，以提高可控性。
另外，由於形成支柱248時的接觸孔322是被第五金屬層335填埋，因此作為反射膜350的成膜下底的非晶矽層340表面變得近似平坦。因此提高了反射膜350的平坦性，也提高了作為空間光調變元件201的有效開口率。
圖31~圖36表示另一空間光調變元件202的製造過程。在這些圖中，為與空間光調變元件200、201共用的元件標註相同的參考符號，並省略重複的說明。另外，參照圖8~圖18針對空間光調變元件200進行了說明的步驟與空間光調變元件202的製造過程相同。因此，圖31表示圖18所示步驟接下來的步驟。
在空間光調變元件202的製造過程在，如圖31所示，在第三犧牲層313上形成的接觸孔322內沉積金屬材料。從而具有與第三犧牲層313的膜厚相同的膜厚，在空間光調變元件202中形成第六金屬層336作為反射部240的支柱248。
第六金屬層336例如可以通過採用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等方式沉積TiAl合金等金屬材料而形成。另外，第六金屬 層336是為了與已有的第四金屬層334及第五金屬層335相區別才起了「第六」這個名字，而並不意思著要在第四金屬層334之後形成。
接下來，如圖32所示，在第三犧牲層313及第五金屬層335的整個表面上沉積金屬，形成第四金屬層334作為可動電極246。第四金屬層334可以通過採用物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、鍍金法等沉積TiAl合金等金屬材料而形成。
然後，如圖33所示，在第四金屬層334的整體上沉積非晶矽層340作為支撐層242。非晶矽層340的製造方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中選擇。
另外，雖然作為非晶矽層340的成膜下底的第三犧牲層313及第六金屬層336的表面為近似平坦，但對應於下底材料的差異，非晶矽層340的表面在第六金屬層336的圖中上方有時也會稍微隆起。
然後，如圖34所示，在非晶矽層340的整個表面上形成反射膜350作為反射層244。當非晶矽層340的一部分隆起時，非晶矽層340在反射膜350的表面也會反复隆起。
反射膜350可以由金屬材料製成。而且，反射膜350也可以由絕緣體多層膜形成。反射膜350的製造方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中選擇。另外，在形成反射膜350之前也可以對非晶矽層340的表面進行鏡面研磨。從而能夠提高反射膜350表面的平坦性，並提高反射膜350中的反射率。
接下來，如圖35所示，對第四金屬層334、非晶矽層340及反射膜350統一進行修整。修整時最好利用等離子刻蝕等乾刻法。從而使第三犧牲層313的表面在第四金屬層334的邊緣部附近露出。
然後，如圖36所示，去除從第三犧牲層313到第一犧牲層311 的犧牲層，從而完成空間光調變元件202。由於從第三犧牲層313到第一犧牲層311的犧牲層均直接或間接相連，因此可以通過使用氣體或液體的刻蝕方法統一去除。
在經上述過程製成的空間光調變元件202中，可動電極246借助於形成支柱248的第六金屬層336與萬向架部230相接合。此處，由於支柱248的整體均由金屬製成，因此可動電極246與萬向架部230能夠電性牢固接合。
另外，也降低了支柱248的電阻，使可動電極246與萬向架部230之間不容易產生電位差。從而使空間光調變元件202的電氣特性穩定，提高了可控性。
另外，由於非晶矽層340的成膜下底是平坦的，因此使反射膜350的表面也變得平坦。從而提高了反射膜350的平坦性，並提高了作為空間光調變元件202的有效開口率。
圖37~圖41表示另一空間光調變元件203的製造過程。在這些圖中，對與空間光調變元件200的製造過程共用的元件標註相同的參考符號，並省略重複的說明。
另外，參照圖8~圖19針對空間光調變元件200進行了說明的步驟與空間光調變元件203的製造過程相同。因此，圖37表示圖19所示步驟接下來的步驟。
在空間光調變元件203的製造過程中，如圖37所示，在成為可動電極246的第四金屬層334上層疊並形成高濃度p型層344。高濃度p型層344是在採用與形成支撐層242相同的方法沉積非晶矽之後，通過離子注入而高濃度地摻雜入摻雜劑雜質而形成。
然後，如圖38所示，在高濃度p型層344的整個表面上沉積 非晶矽層340作為支撐層242。非晶矽層340的形成方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中選擇。
接下來，如圖39所示，在非晶矽層340的整個表面上形成反射膜350作為反射層244。反射膜350可以由金屬材料或絕緣體多層膜製成。反射膜350的製造方法可以從各種物理氣相沉積法、化學氣相沉積法中選擇。另外，在形成反射膜350之前，也可以對非晶矽層340的表面進行鏡面研磨。從而能夠提高反射膜350的反射率。
接下來，如圖40所示，對第四金屬層334、非晶矽層340及反射膜350統一進行修整(triming)。修整時可以採用等離子刻蝕等乾刻法。從而使第三犧牲層313的表面在第四金屬層334的邊緣部附近露出。
然後，如圖41所示，去除從第三犧牲層313到第一犧牲層311的犧牲層從而完成空間光調變元件203。由於從第三犧牲層313到第一犧牲層311的犧牲層均直接或間接相連，因此可以通過使用氣體或液體的刻蝕方法統一進行去除。
在經上述過程製成的空間光調變元件203中，在非晶矽層340與可動電極246的交界面處間隔有高濃度p型層344。從而在非晶矽層340與可動電極246之間形成歐姆結。
當作為半導體的非晶矽層340與作為金屬的可動電極246直接接觸時，在二者之間會形成肖特基結，從而產生整流效應。然而，當在非晶矽層340與可動電極246的交界面處形成歐姆結時，由於不產生整流效應，因此可動電極246的電位穩定，對所施加的驅動電能的響應也穩定。
另外，空間光調變元件203在非晶矽層340與可動電極246的整個交界面上具有形成有高濃度p型層344的結構。然而，如圖42所示的空間光調變元件204，如果在交界面的一部分上形成高濃度p型層346，在 非晶矽層340與可動電極246之間便會形成歐姆結，從而使由肖特基結引起的整流效應變得無效。因此，通過進行部分離子注入，在非晶矽層340與可動電極246的交界面的一部分處形成高濃度p型層346，也會產生同樣的效果。
另外，空間光調變元件204、205除了具有高濃度p型層344、346以外，具有與圖23等所示空間光調變元件200相同的結構。然而，在圖30所示空間光調變元件201、圖36所示空間光調變元件202等中，作為半導體的非晶矽層340與作為金屬的可動電極246的交界面處也可以設置高濃度p型層344、346並形成歐姆結，從而使交界面處的整流效應變得無效，使反射部240電性穩定。進一步地，通過採用與使用萬向架部230的空間光調變元件200、201、202不同的結構，如撓曲體(Flexure)等對反射部240進行支撐，也能夠適用於通過高濃度p型層344、346來打消整流效應的結構。
圖43為另一空間光調變元件205的平面示意圖。空間光調變元件205除了以下所說明的部分以外，具有與圖3等所示空間光調變元件200相同的結構。因此，對共用的元件標註相同的參考符號，並省略重複的說明。
在空間光調變元件205中，萬向架部231具有與空間光調變元件200的萬向架部230不同的結構。也就是說，萬向架部231具有借用於扭轉軸部235被從一對支柱232直接支撐的可動框236以及借助於扭轉軸部237被從可動框236支撐的擺動部238。
據此，空間光調變元件205的萬向架部231與具有固定框234的空間光調變元件200的萬向架部230相比，在基板210的表面上佔有的面積更小。因此，能夠增大被設置為不與萬向架部231相重疊的固定電極 212、214的面積，從而為反射部240的可動電極246提高較大的驅動力。
另外，在空間光調變元件205中，例如將扭轉軸部235作為擺動軸而使反射部240擺動時，由相鄰兩個固定電極212、214產生靜電能。從而使作用於可動電極246的驅動力與由一個固定電極產生靜電能的情形相比，變得更大。
圖44為又一空間光調變元件206的平面示意圖。空間光調變元件206除了以下說明的部分以外，具有與圖43等所示空間光調變元件205相同的結構。因此，為共用的元件標註相同的參考符號，並省略重複的說明。
空間光調變元件206的萬向架部233在可動框236借助於扭轉軸部237被從支柱232支撐這一點上與空間光調變元件205的萬向架部231相同。只不過在空間光調變元件206的萬向架部233中，與遮光板222的長度方向相平行地排列有一對支柱232，扭轉軸部235、237中的每一個均沿著與遮光板222的長度方向相平行的方向設置。
通過這種支柱的配置結構，設置於基板210表面的固定電極212、214相互之間的間隙並不在基板210的對角線上，而是在由遮光部220包圍的矩形區域的各邊中央處與各邊垂直設置。從而使固定電極212、214的間隙長度變短，從而增加固定電極的有效面積。
另外，固定電極212、214設置在基板210上距離擺動部238的擺動中心最遠的基板210的各個角部處。因此，固定電極212、214與可動電極246之間產生的靜電能高效地驅動反射部240。
圖45為曝光裝置400的示意圖。曝光裝置400包括：照明光產生部500、照明光學系統600及投影光學系統700。曝光裝置400具有空間光調變器100，在執行光源光罩優化方法時，能夠向照明光學系統600入 射具有任意亮度分佈的照明光。
照明光產生部500包括：控制部510、光源520、空間光調變器100、稜鏡530、成像光學系統540、分光鏡550及測量部560。光源520產生照明光L。由光源520產生的照明光L具有與光源520的發光機構的特性相應的亮度分佈。因此，照明光L在與照明光L的光路相垂直的截面上具有原圖像I1。
從光源520射出的照明光L入射到稜鏡530。稜鏡530將照明光L引導至空間光調變器100後，再向外部射出。空間光調變器100在控制部510的控制下對入射的照明光L進行調變。關於空間光調變器100的結構和動作，如已經說明的那樣。
經空間光調變器100從稜鏡530射出的照明光L經成像光學系統540入射到後段的照明光學系統600。成像光學系統540在照明光學系統600的入射面612上形成照明光圖像I3。
分光鏡550在成像光學系統540與照明光學系統之間，設置於照明光L的光路上。分光鏡550將入射到照明光學系統600之前的照明光L的一部分分離並引導到測量部560。
測量部560在與照明光學系統600的入射面612為光學共軛的位置處測量照明光L的圖像。據此，測量部560對與入射到照明光學系統600的照明光圖像I3相同的圖像進行測量。因此，控制部510能夠參照由測量部560測量的照明光圖像I3對空間光調變器100進行反饋控制。
照明光學系統600包括：複眼透鏡610、聚光光學系統620、視場光圈630及成像光學系統640。在照明光學系統600的射出端上設置有保持光罩710的光罩台720。
複眼透鏡610具有並排緊密設置的多個透鏡元件，在後側焦點 面上形成包含與透鏡元件相同數量的照明光圖像I3的二次光源。聚光光學系統620對從複眼透鏡610射出的照明光L進行聚光，並重疊地照射視場光圈630。
經過了視場光圈630的照明光L通過成像光學系統640在光罩710的圖案面上形成照射光圖像I4作為角視光圈630的開口部的像。這樣一來，照明光學系統600通過照射光圖像I4對設置於該射出端的光罩710的圖案面進行柯勒照明。
另外，作為照明光學系統600的入射面612的複眼透鏡610的入射端處所形成的亮度分佈表現出與在複眼透鏡610的射出端處形成的二次光源的整體的全局性亮度分佈高度相關。因此，照明光產生部500入射到照明光學系統600的照明光圖像I3也被反映在作為由照明光學系統600向光罩710照射的照明光L的亮度分佈的照射光圖像I4上。
投影光學系統700設置於光罩台720的正後方，具有開口光圈730。開口光圈730設置於與照明光學系統600的複眼透鏡610的射出端為光學共軛的位置處。在投影光學系統700的射出端處設置有用於保持塗佈有感光材料的基板810的基板台820。
保持在光罩台720上的光罩710所具有的光罩圖案由使照明光學系統600照射的照明光L進行反射或透過的區域以及進行吸收的區域構成。因此，通過向光罩710照射照明光圖像I4，由於光罩710的光罩圖案與照明光圖像I4自身的亮度分佈之間的相互作用而生成投影光圖像I5。投影光圖像I5被投影到基板810的感光材料上，從而在基板810的表面上形成具有所需圖案的光刻膠層。
另外，雖然在圖44中將照明光L的光路繪製成直線狀，但通過使照明光L的光路彎曲，能夠實現曝光裝置400的小型化。另外，圖44 中雖然繪製了照明光L透過光罩710，但有時也可以使用反射型的光罩710。
圖46為照明光產生部500的部分放大圖，是表示曝光裝置400中的空間光調變器100的功能圖。稜鏡530具有一對反射面532、534。入射到稜鏡530的照明光L從一側的反射面532朝空間光調變器100照射。
如前所述，空間光調變器100具有可單獨擺動的多個反射部240。因此，通過由控制部510對空間光調變器100進行控制，便能夠形成滿足需求的任意光源圖像I2。
從空間光調變器100射出的光源圖像I2被稜鏡530的另一側反射面534反射，從圖中的稜鏡530的右端面射出。從稜鏡530射出的光源圖像I2通過成像光學系統540在照明光學系統600的入射面612上形成照明光圖像I3。
以上，使用本發明的實施方式進行了說明，但本發明的技術範圍不限於上述實施方式所記載的範圍。另外，本領域技術人員應當清楚，在上述實施方式的基礎上可加以增加各種變更和改進。此外，由請求項的記載可知，這種加以變更或改進的實施方式也包含在本發明的技術範圍內。
應當注意的是，申請專利範圍、說明書及圖式中所示的裝置、系統、程序以及方法中的動作、順序、步驟及階段等各個處理的執行順序，只要沒有特別明示「更早」、「早於」等，或者只要前面處理的輸出並不用在後面的處理中，則可以以任意順序實現。關於申請專利範圍、說明書及圖式中的動作流程，為方便起見而使用「首先」、「然後」等進行了說明，但並不意味著必須按照這樣的順序實施。

Claims (9)

  1. 一種空間光調變器，包括：基板；固定電極，設置於所述基板的表面上；連結部，一端與所述表面相連結；可動部，與所述連結部的另一端相連結，通過所述連結部的彈性形變而相對於所述基板擺動；支柱部，一端與所述可動部相接合，沿所述基板的厚度方向延伸，與所述可動部一體擺動；反射部件，與所述支柱部的另一端相接合，具有一反射面及一支撐層，該反射面及該支撐層皆與所述可動部及所述支柱部一體擺動；可動電極，設置於所述反射部件的面向所述固定電極的面上；及導體層，具有比所述可動電極的膜厚更大的膜厚，設置在所述支柱部，將所述可動部與所述可動電極之間電氣接合。
  2. 根據申請專利範圍第1項中所記載之空間光調變器，其中，所述支柱部由金屬製成。
  3. 一種空間光調變器，包括：基板；固定電極，設置於所述基板的表面上；連結部，一端與所述表面相連結；可動部，與所述連結部的另一端相連結，通過所述連結部的彈性形變而相對於所述基板擺動；反射部件，包含半導體層並具有與所述可動部一體擺動的反射面；金屬層，與所述半導體層相鄰接；及 歐姆結部，將所述半導體層與金屬層進行歐姆連結。
  4. 根據申請專利範圍第3項中所記載之空間光調變器，其中，所述歐姆結部是通過在與所述金屬層相鄰接的區域的至少一部分中摻雜入摻雜劑從而形成為所述半導體層的一部分。
  5. 根據申請專利範圍第3項中所記載之空間光調變器，其中，所述歐姆結部是通過在與所述金屬層的整個交界面上摻雜入摻雜劑從而形成為所述半導體層的厚度方向的一部分。
  6. 一種空間光調變器，包括：基板；連結部，一端與所述基板的表面相連結；可動部，與所述連結部的另一端相連結，通過所述連結部的彈性扭轉變形而以所述連結部為擺動軸相對於所述基板擺動；反射部件，具有一反射面及一支撐層，該反射面及該支撐層皆與所述可動部一體擺動；可動電極，設置於所述反射部件的面向所述表面的面上；固定電極，設置於所述表面的面向所述可動電極的區域上，且不被所述連結部及所述可動部遮擋。
  7. 根據申請專利範圍第6項中所記載之空間光調變器，其中，所述固定電極包括彼此電性絕緣且具有相互對稱形狀的多個區域。
  8. 根據申請專利範圍第7項中所記載之空間光調變器，其中，所述固定電極包括具有彼此相同形狀的多個區域。
  9. 一種曝光裝置，具備申請專利範圍第1至8項中任一項所記載之空間光調變器。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6492893B2 (ja) * 2015-04-01 2019-04-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
JP6519284B2 (ja) * 2015-04-01 2019-05-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
CN105589202A (zh) * 2016-03-18 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置、显示方法和显示系统
JP7065311B2 (ja) 2017-11-22 2022-05-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040114110A1 (en) * 2001-10-09 2004-06-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro mirror device and projector employing the same
TW200930653A (en) * 2007-11-12 2009-07-16 Hoya Corp Micro-device and method for manufacturing the same
TW201024204A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Silverbrook Res Pty Ltd Method of fabricating micro-mirror assembly

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2075026A1 (en) * 1991-08-08 1993-02-09 William E. Nelson Method and apparatus for patterning an imaging member
US5650881A (en) * 1994-11-02 1997-07-22 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
US5629794A (en) 1995-05-31 1997-05-13 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator having an analog beam for steering light
FR2820833B1 (fr) * 2001-02-15 2004-05-28 Teem Photonics Micro-miroir optique a pivot, matrice de tels micro-miroirs et procede de realisation dudit micro-miroir
KR100389865B1 (ko) 2001-03-02 2003-07-04 삼성전자주식회사 마이크로미러 디바이스 및 이를 채용한 프로젝터
CN101120278A (zh) * 2004-12-21 2008-02-06 麦克罗尼克激光系统公司 包括半导体材料的空间光调制器
US7522330B2 (en) * 2005-10-28 2009-04-21 Miradia Inc. High fill ratio silicon spatial light modulator
US7428092B2 (en) * 2005-11-30 2008-09-23 Spatial Photonics, Inc. Fast-response micro-mechanical devices
GB2434877A (en) 2006-02-06 2007-08-08 Qinetiq Ltd MOEMS optical modulator
US20080123176A1 (en) * 2006-08-29 2008-05-29 Texas Instruments, Incorporated Process for creating ohmic contact
US8059329B2 (en) * 2006-10-04 2011-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate and method of manufacturing the same
US7404909B2 (en) * 2006-12-06 2008-07-29 Texas Instruments Incorporated Mirror including dielectric portions and a method of manufacturing the same
US8314984B2 (en) * 2008-02-14 2012-11-20 Miradia Inc. Method and system for optical MEMS with flexible landing structures
JP5509912B2 (ja) * 2010-02-22 2014-06-04 株式会社ニコン 空間光変調器、照明装置、露光装置およびそれらの製造方法
KR101623632B1 (ko) * 2011-08-25 2016-05-23 가부시키가이샤 니콘 공간광 변조 소자의 제조 방법, 공간광 변조 소자, 공간광 변조기 및 노광 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040114110A1 (en) * 2001-10-09 2004-06-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro mirror device and projector employing the same
TW200930653A (en) * 2007-11-12 2009-07-16 Hoya Corp Micro-device and method for manufacturing the same
TW201024204A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Silverbrook Res Pty Ltd Method of fabricating micro-mirror assembly

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