TWI607492B - 離子佈植過程中控制壓力的方法及其離子佈植裝置 - Google Patents

Description

離子佈植過程中控制壓力的方法及其離子佈植裝置

本發明係有關一種離子佈植技術，特別是一種離子佈植過程中控制壓力的方法及其離子佈植裝置。

離子佈植技術常常被使用於半導體產品等的製造，用來將離子佈植到基板(workpiece)，例如半導體晶圓，藉以改變基板被佈植部份之導電性。目前商業化離子佈植裝置大多包含離子產生裝置、波束線腔室(beamline chamber)與製程腔室(process chamber)。離子產生裝置持續地產生大量的離子，而在波束線腔室中這些離子中具有特定電荷-質量比的離子會被選取出來並被調整其能量與空間分佈等等而形成一離子束。製程腔室內有基板固持器，其可以承載基板並讓自波束線腔室進入到製程腔室之離子束佈植到基板。通常，波束線腔室內有質量分析器(mass analyzer)、至少一個磁鐵與至少一個電極。其中，質量分析器係用來過濾掉不具有需要之特定電荷-質量比的離子與其它粒子，磁鐵係用來施加磁場改變具有特定電荷-質量比之離子的運動軌跡以進而操控離子束的形狀，例如是用以提高離子束之平行程度的準直器(collimater)，電極係用來施加電場改變具 有特定電荷-質量比的離子之能量(甚至運動軌跡)以進而操控離子束的能量(甚至形狀)，例如是加減速電極(acceleration/deceleration electrodes)。

一般而言，在進行離子佈植程序時，基板固持器係相對於離子束移動，使得離子束沿著一系列掃描路徑掃過基板固持器上的基板。當然，移動離子束但固定基板不動也是可以的。無論如何，在離子佈植程序中，離子束會先被佈植到基板上用以定義將要轉移到目標基板圖案(如電晶體結構之源極與汲極的位置)的圖案化光阻層，然後才會穿過圖案化光阻層而進入基材(通常是穿過圖案化光阻層中空白部份而進入目標基板之暴露部份)。此時，離子束不僅對基板表面的暴露部分有影響，也會與圖案化光阻層相互作用。

離子束之離子往往會使光阻材料內的化學鍵斷裂，從而釋放出揮發性有機化學物質和/或其它微粒進入到製程腔室(甚至進入到波束線腔室)，導致光阻釋氣(photoresist outgas)的產生。光阻釋氣會造成腔室內部壓力增加或是波動，影響到被佈值到目標基材之離子束。特別是，光阻釋氣所釋放出之釋氣微粒經常與離子束相互作用而與離子交換電荷，使得具有特定電荷的離子可能失去電荷而變成中性粒子。由於離子佈植裝置中的離子劑量測定系統(一般稱之為法拉第杯/Faraday cup)係透過偵測打到目標基材之離子束在單位時間的電流量來推算離子束所包含的離子數量(具有特定電荷質量比之離子的數量)，這些因為光阻釋氣所產生之中性粒子雖會被佈植至基板但無法被劑量測定系統所偵測到，將導致使用離子劑量測定系統所得到的測量基板摻雜濃度低於基板的實際摻雜濃度。此時，為了達到讓測量基板摻雜濃度符合預定摻雜濃度，往往需要再提高離子束的電流量，結果便是導致基板的實際摻雜濃度高於預定摻雜濃度。

因此，有必要發展新的離子佈植技術，以有效改善光阻釋氣所造成之基板實際摻雜濃度高於預定摻雜濃度的缺失。

本發明提供一種離子佈植過程中控制壓力的方法，在對具有特定厚度及特定圖案之圖案化光阻層的目標基板進行離子佈植前，先對具有同樣圖案化光阻層的測試基板以相同的離子束與相同的離子佈植參數值進行離子佈植，並量測腔室內部的壓力變化量曲線，以便於後續進行目標基板的離子佈植期間，依據壓力變化量曲線調節進入及/或離開腔室的氣體，以維持腔室內部的恆壓狀態。進而藉由離子與氣體結合而形成中性粒子的比例固定，使得中性粒子撞擊到目標基板的比例固定在一定範圍內，減少基板的實際摻雜濃度與預定摻雜濃度的差異。在此，離子佈植參數值至少包含了離子束電流大小、離子束橫截面的輪廓、離子束中離子的能量、離子束打到測試基板的入射方向、離子束與測試基板之相對運動的軌跡等等。

本發明提供一種離子佈植裝置，其中藉由質流控制器(mass flow controller)、可改變開口率之流量閥及/或可改變抽氣速率的真空幫浦的設置，使得在進行離子佈植的過程中，腔室組內部的壓力起伏可以明顯地減少，以消除因光阻釋氣或其他污染物所造成之壓力增加或壓力波動而導致之基板實際摻雜濃度與預定摻雜濃度的差異。

本發明一實施例為離子佈植過程中控制壓力的方法。首先，對設置有具特定厚度及特定圖案之圖案化光阻層的測試基板，以特定離子束進行離子佈 植，以取得測試基板在使用特定佈植參數值進行離子佈植程序時，特定離子束所經之腔室的內部壓力隨時間變化之特定壓力變化量曲線。然後，對設置此特定光阻層的目標基板，以此特定離子束與此特定佈植參數值進行離子佈植，並於目標基板進行離子佈植程序的期間，依據特定壓力變化量曲線同時進行壓力調節步驟，減少腔室之內部壓力的變化量。

本發明某些實施例，壓力調節步驟或者是調控質流控制器的流率，藉由流率的改變來調控此腔室的內部壓力；或者是調控流量閥的開口率，藉由開口率的改變來調控此腔室的內部壓力；或者是調控真空幫浦的抽氣速率，藉由抽氣速率的改變來調控此腔室的內部壓力；或者是應用此三者之任二者；或者是同時應用此三者。

本發明一實施例為一種離子佈植裝置，至少包含：離子源，用以產生複數離子；腔室組，包含波束線腔室與製程腔室；氣體供應裝置，供應氣體至腔室組；以及質流控制器，連通腔室組與氣體供應裝置。在此，波束線腔室係用以選擇這些離子中具有特定電荷質量比的多數特定離子並且將所選擇之這些特定些離子形成一離子束。在此，製程腔室係用以透過基板固持器承載基板並讓自波束線腔室進入製程腔室之離子束可對基板進行離子佈植。在此，質流控制器係用以調節進入腔室組之此氣體的流率，藉由流率增加及減少來調控腔室組內部之壓力；一真空計(vacuum meter)，其設置於直接連接至氣體供應裝置與質流控制器之一腔室，用以量測至少此腔室之內部壓力；一多孔性結構，其設置於直接連接至氣體供應裝置與質流控制器之一腔室的內部，以控制進入腔室之氣體的分布狀態。

本發明另一實施例，氣體供應裝置與質流控制器係連接至製程腔室及/或波束線腔室。

本發明一實施例為一種離子佈植裝置，至少包含：離子源，用以產生複數離子；腔室組，包含一波束線腔室與一製程腔室；以及真空幫浦，透過流量閥連接至此腔室組，用以將至少一氣體抽離腔室組。在此，波束線腔室係用以選擇這些離子中具有特定電荷質量比的多數特定離子並且將所選擇之特定這些離子形成一離子束，製程腔室係用以透過基板固持器承載基板並讓自波束線腔室進入製程腔室之離子束可對基板進行離子佈植。在此，流量閥之開口率係可以調整的，藉由開口率增加及減少來調控腔室組內部之壓力。

本發明某些實施例，流量閥可以是節流閥、鐘擺閥及/或針閥。本發明另一實施例，流量閥係連接至製程腔室及/或波束線腔室。本發明另一實施例，更包含一真空計，其設置於直接連接至流量閥之腔室，用以量測至少此腔室之內部壓力。

本發明一實施例為一種離子佈植裝置，至少包含：離子源，用以產生多數離子；腔室組，包含一波束線腔室與一製程腔室；以及真空幫浦，連接至腔室組，用以將至少一氣體抽離腔室組。在此，波束線腔室係用以選擇這些離子中具有特定電荷質量比的多數特定離子並且將所選擇之此特定這些離子形成離子束。在此，製程腔室係用以透過基板固持器承載基板並讓自波束線腔室進入製程腔室之離子束可對基板進行離子佈植。在此，真空幫浦之抽氣速率係可以調整的，藉由抽氣速率增加及減少來調控此腔室組內部之壓力。

本發明另一實施例，流量閥係連接至製程腔室及/或波束線腔室。本發明另一實施例，更包含一真空計，其設置於直接連接至流量閥之腔室，用以量測至少此腔室之內部壓力。

S10、S12、S14‧‧‧步驟

S40、S42、S44‧‧‧步驟

S50、S52、S54‧‧‧步驟

Po‧‧‧壓力

Pm‧‧‧壓力

20‧‧‧腔室組

21‧‧‧真空計

22‧‧‧氣體供應裝置

24‧‧‧真空幫浦

26‧‧‧質流控制計

28‧‧‧流量閥

36‧‧‧多孔性結構

38‧‧‧箭頭

圖1所示為本發明一較佳實施例離子佈植過程中控制壓力的方法之流程示意圖。

圖2所示為本發明一實施例測試基板進行離子佈植程序時，腔室內部之壓力變化量曲線示意圖。

圖3所示為本發明一第二實施例離子佈植過程中控制壓力的方法之流程示意圖。

圖4所示為本發明一第三實施例離子佈植過程中控制壓力的方法之流程示意圖。

圖5所示為本發明一實施例目標板進行離子佈植程序時，壓力調節步驟所產生之壓力變動曲線示意圖。

圖6所示為本發明一實施例目標基板進行離子佈植程序時，腔室內部之壓力曲線示意圖。

圖7所示為本發明一實施例製程腔室與周邊設備之結構示意圖。

圖8所示為本發明一實施例製程腔室與周邊設備之結構示意圖。

圖9所示為本發明一實施例製程腔室與周邊設備之結構示意圖。

本發明的一些實施例將詳細描述如下。這些實施例將伴隨圖式進行說明。然而，除了如以下實施例所描述之外，本發明的範圍並不受這些實施例 之限定。相反地，本發明涵蓋其他符合本發明精神與申請專利範圍定義的替代、修改與等效實施例。在以下的描述中，提及許多具體細節以透徹了解本發明。本發明可在缺乏部分或所有具體細節的條件下實施。在其他情況下，習知的系統設備與製程操作將不會被詳細描述以避免混淆本發明。

本發明之第一實施例為離子佈植過程中控制壓力的方法。如圖1所示，對設置有具特定厚度及特定圖案之圖案化光阻層的測試基板，以特定離子束與特定佈植參數值進行離子佈植，並取得在進行離子佈植程序時特定離子束所經過之腔室的內部壓力隨時間變化之特定壓力變化量曲線，此為步驟S10。其中腔室係為特定離子束行進期間所經過之腔室，像是製程腔室(process chamber)及/或一波束線(beamline)組件腔室。如先前討論的，波束線腔室中設有質量分析器、至少一個磁鐵與至少一個電極，用以處理離子產生裝置所持續產出的大量離子並將其調整為此特定離子束。測試基板係設置於製程腔室中，當進行離子佈植程序時，佈值到圖案化光阻的離子束將導致部份光阻材料內的化學鍵斷裂，進而導致光阻釋氣的產生，造成製程腔室(特別是測試基板附近)的內部壓力增加或發生波動。惟不限於此，製程腔室內部壓力的改變亦可能來自離子佈植過程中測試基板來回移動通過特定離子束時所導致之特定離子束佈植至測試基板之數量的週期性變化。在離子佈植程序時因為光阻釋氣或甚至其它因素所造成之腔室內部壓力的變化係被偵測記錄而得到上述之特定壓力變化量曲線。

圖2所示為本發明一實施例於測試基板進行離子佈植程序時，腔室內部之特定壓力變化量曲線示意圖。其中橫軸係為時間，縱軸係為壓力，壓力Po是腔室內在整個離子佈值程序中所達到的壓力下限，也可視為是在沒有光阻釋氣等問題時離子佈植程序中腔室的壓力。每當離子束打到測試基板時，光阻釋氣 會使得腔室內部壓力維持在明顯高於壓力Po的壓力範圍。其中由於圖案光阻層上有特定圖案層的設計，並非整個圖案化光阻層到處皆具有相同數量的光阻材料可被離子束打出光阻釋氣，所以由光阻釋氣所壓力的壓力會在一個範圍內震盪，而Pm是這個震盪範圍的上限。再者，由於離子束與測試基板之間的相對運動會使得離子束係週期性的佈植測試基板，因此光阻釋氣的產生亦為週期性的。惟不限於此，於其他實施例中，當離子束係可持續撞擊於測試基板時，則光阻釋氣即會持續產生。

請繼續參閱圖1，於取得腔室內部之壓力變化量曲線之後，透過輸入氣體至腔室內以及使用真空幫浦抽氣等方式，使腔室內部之壓力達到一預設壓力值，此為步驟S12。其中目標基板與測試基板完全相同，所輸入之氣體大多為惰性氣體或氮氣以免影響到目標基板之離子佈值，又預設壓力值係選擇為壓力變化量曲線所表現之最小壓力值Po。

接著，對設置此特定光阻層的目標基板以此特定離子束與此特定佈植參數值進行離子佈植，並於目標基板進行離子佈植程序的期間，依據特定壓力變化量曲線同時調整質流控制器的流率，減少腔室之內部壓力的變化量，此為步驟S14。

本實施例調整質流控制器的流率，藉由調整氣體流經此質流控制器而流入腔室的流率，來調整腔室內部之壓力。舉例說明，當在某一時間點時由特定壓力變化量曲線得知腔室內部之壓力將在下一時間點會隨著光阻釋氣而發生壓力增加時，則依據特定壓力變化量曲線所呈現之增加量來適當降低質流控制器的流速。由於輸入腔室內之氣體係處於持續輸入的狀態以與真空幫浦之持續抽氣達到平衡來固定腔室內的壓力，當質流控制器允許的氣體流速降低而使 得輸入至腔室之氣體減少時，腔室內之氣體壓力會隨之降低，藉此得以抵消腔室內部因為光阻釋氣之發生所導致之壓力增加，使得腔室之內部壓力得以維持在(至少逼近於)預定壓力變化量曲線上所表現之最小壓力值Po。

本發明之第二實施例為離子佈植過程中控制壓力的方法。如圖3所示，對設置有具特定厚度及特定圖案之圖案化光阻層的測試基板，以特定離子束與特定佈植參數值進行離子佈植，並取得在進行離子佈植程序時特定離子束所經過之腔室的內部壓力隨時間變化之特定壓力變化量曲線，此為步驟S40。其中腔室係為特定離子束所經過之腔室，腔室可為一製程腔室或一波束線腔室。

接著，於取得腔室內部之壓力變化量曲線之後，透過使用真空幫浦抽氣等方式，使腔室內部之壓力達到一預設壓力值，此為步驟S42。預設壓力值係選擇為壓力變化量曲線所表現之最小壓力值Po(示於圖2)。接著，對設置此特定光阻層的目標基板以此特定離子束與此特定佈植參數值進行離子佈植，並於目標基板進行離子佈植程序的期間，依據特定壓力變化量曲線同時調整流量閥的開口率，減少腔室之內部壓力的變化量，此為步驟S44。

與第一實施例不同地，第二實施例中調整流量閥的開口率，藉由開口率的改變調整腔室內部之壓力。在此，流量閥係連接腔室與真空幫浦，使得腔室內氣體經由流量閥被抽到真空幫浦並被進一步排除。因此，當在某一時間點時由壓力變化量曲線得知腔室之內部壓力在下一時間點將隨著光阻釋氣而壓力增加時，則依據壓力變化量曲線所呈現之增加量來適當增加調節流量閥的開口率。由於輸入腔室內之氣體係處於持續輸入的狀態以與真空幫浦之持續抽氣達到平衡來固定腔室內的壓力，當流量閥的開口率增加而使得被真空幫浦抽離腔室之氣體變多時，腔室內之氣體壓力會隨之降低，藉此得以抵消腔室內部因為光 阻釋氣之發生所導致之壓力增加，使得腔室之內部壓力得以維持在(至少逼近於)預定壓力變化量曲線上所表現之最小壓力值Po。

本發明之第三實施例為離子佈植過程中控制壓力的方法。如圖4所示，對設置有具特定厚度及特定圖案之圖案化光阻層的測試基板，以特定離子束與特定佈植參數值進行離子佈植，並取得在進行離子佈植程序時特定離子束所經過之腔室的內部壓力隨時間變化之特定壓力變化量曲線，此為步驟S50。其中腔室係為特定離子束所經過之腔室，腔室可為一製程腔室或一波束線腔室。

接著，於取得腔室內部之壓力變化量曲線之後，透過使用真空幫浦抽氣等方式，使腔室內部之壓力達到一預設壓力值，此為步驟S52。預設壓力值係選擇為壓力變化量曲線所表現之最小壓力值Po(示於圖2)。接著，對設置此特定光阻層的目標基板以此特定離子束與此特定佈植參數值進行離子佈植，並於目標基板進行離子佈植程序的期間，依據特定壓力變化量曲線同時調整真空幫浦的抽氣速率，減少腔室之內部壓力的變化量，此為步驟S54。

與前面二個實施例不同地，第三實施例調整真空幫浦的抽氣速率，藉由抽氣速率的改變調整製程腔室內部之壓力。舉例說明，當在某一時間點時由壓力變化量曲線得知製程腔室內部之壓力將在下一時間點隨著光阻釋氣而增加時，則依據壓力變化量曲線所呈現之增加量來適當提高真空幫浦的抽氣速率，不論是調整單一真空幫浦的抽氣速率或是在有多組真空幫浦時增加使用之真空幫浦的數量。當抽氣速率增加而使得被真空幫浦抽離腔室之氣體變多時，腔室內之氣體壓力會隨之降低，藉此得以抵消腔室內部因為光阻釋氣之發生所導致之壓力增加，使得腔室之內部壓力得以維持在(至少逼近於)預定壓力變化量曲線上所表現之最小壓力值Po。

在上述三個實施例中，係藉由主動調節氣體被輸入或被抽離腔室的速率等等壓力調節步驟來平衡離子佈植期間因光阻釋氣等因素所導致的壓力波動。若光阻釋氣等因素所導致的壓力波動為圖2所示之特定壓力變化量曲線時，則主動調節氣體被輸入或被抽離腔室的速率所產生之壓力變動曲線如圖5所示。其中，圖5之壓力變動曲線的最大值與最小值的差異與圖5之特定壓力變動曲線的最大值與最小值的差異相同，都是為Pm與Po的差別。只是，圖5之壓力變動曲線的變動與圖2之特定壓力變動曲線的變動剛好相反。其中當特定壓力變化量曲線在某一段時期為壓力隨時間上升時，則在同一段時期內壓力變動曲線的壓力為隨時間下降，如此可以將腔室內部壓力的變化量予以減少，甚至可以讓腔室內部壓力持續處於恆壓狀態。

圖6所示即為腔室內部壓力在經過到壓力調節步驟以後的之針空壓力曲線圖，如圖所示，腔室內部壓力處於恆壓狀態，且恆壓之壓力則為圖2所示之特定壓力變化量曲線的最小壓力值，即壓力Po。當然，圖6所示為理想狀態，實務上可能因為硬體調整反應需要時間或是離子束本身不夠穩定等因素而會在Po之上有所起伏變化。但是，一定會比都沒有經過任何壓力調節步驟處理的先前技術，來得沒有多少與沒有多大的壓力變化。

先前三個實施例係分別描述實現壓力調節步驟之調整質流控制器流速、調整流量閥開口率與調整真空幫浦抽氣速率的三種方式。由於這三種方式所調整的硬體是可以獨立調整的，在本發明中這三種方式係可單獨使用、依據需求選擇任兩種方式或著是三種方式一起使用。其中，對於腔室內部壓力的調整效果而言，調整質流控制器流速之方式最佳，調整真空幫浦抽氣速率之方式次之，而調整調節流量閥的開口率的壓力調節效果較弱。雖然，調整質流控制器流速之 方式的硬體變動較大，需要加上一組硬體以透過質流控制器將氣體輸入到腔室，而調整流量閥開口率與調整真空幫浦抽氣速率較不需額外變動硬體。其中，可以調整抽氣速率的真空幫浦可以是渦輪分子幫浦(turbomolecular pump)，而可以調整開口率的流量閥可以是節流閥(throttle valve)、鐘擺閥(pendulum valve)或是針閥(needle valve)。除此之外，先前三個實施例都只有提到腔室而未限定是製程腔室或是波束線腔室，亦即可以是只處理製程腔室、只處理波束線腔室或是同時處理製程腔室與波束線腔室二者。但一般來說，由於將被離子束所佈植的基材是放置於製程腔室中，因此本發明只應用在製程腔室的機率比較高，雖本發明的應用並不限於此。

圖7所示為本發明又一實施例之一種可於離子佈植過程中控制壓力的離子佈植裝置。如圖7所示，腔室組20透過質流控制器26連接到氣體供應裝置22。由於氣體供應裝置22所供應之氣體在進入腔室組20前會受到質流控制器26對流率的調節，因此可以機動地藉由調整質流控制器26來調控自氣體供應裝置22流入腔室組20的氣體數量，進而調整腔室組20之內部之壓力。此外，可以視需要選擇性地將真空計21連接到腔室組20內部來量測腔室組20的內部壓力，也可以視需要選擇性地在腔室組20設置多孔性結構36，藉以將自質流控制器26進入至腔室組20的氣體均勻分布於腔室組20中，如圖2中箭頭38所示之輸入氣體的流動方向。

圖8所示為本發明又一實施例之一種可於離子佈植過程中控制壓力的離子佈植裝置。如圖8所示，腔室組20透過可以調整開口率之流量閥28連接到真空幫浦24。由於腔室組20內部之氣體(如光阻釋氣時所放出的氣體)會先流經流量閥28然後才會被真空幫浦24抽離排放掉，因此可以機動地藉由調整流量閥28的開口率來調控自腔室組20被抽到真空幫浦24的氣體數量，進而調整腔室組20之 內部之壓力。此外，可以視需要選擇性地將真空計21連接到腔室組20內部來量測腔室組20的內部壓力。在此，流量閥28可以是節流閥、鐘擺閥、針閥或是任何可以調整開口率的閥(valve)。

圖9所示為本發明又一實施例之一種可於離子佈植過程中控制壓力的離子佈植裝置。如圖9所示，腔室組20透過流量閥28連接到可以調整抽氣速率之真空幫浦24。由於腔室組20內部之氣體(如光阻釋氣時所放出的氣體)會被真空幫浦24所抽離排放掉，因此可以機動地藉由調整真空幫浦24的排氣速率來調控自腔室組20被抽離排放掉的氣體數量，進而調整腔室組20之內部之壓力。此外，可以視需要選擇性地將真空計21連接到腔室組20內部來量測腔室組20的內部壓力。在此，真空幫浦24可以是渦輪分子幫浦，並且可以是僅調整單一個真空幫浦的抽氣速率，也可以是在有多數個真空幫浦時或改變各個真空幫浦的抽氣速率或改變使用之真空幫浦的數目。

在此，為求簡化圖示與強調本實施例之特徵，在圖7到圖9都沒有畫出離子佈植裝置中用以產生複數離子的離子源，也僅以腔室組20代表波束線腔室與製程腔室。在此，如前面所討論，波束線腔室係用以選擇這些離子中具有特定電荷質量比的多數特定離子並且將所選擇之這此特定些離子形成一離子束，而製程腔室係用以透過基板固持器承載基板並讓自波束線腔室進入製程腔室之離子束可對基板進行離子佈植，同時不同實施例可以或是製程腔室、或是波束線腔室、或是製程腔室與波束線腔室的組合。

圖7到圖9所示之三個實施例係分別描述實現壓力調節步驟之三種離子佈植裝置。由於這三種離子佈植裝置所使用之硬體是相互獨立的，在本發 明中這三種硬體係可單獨使用，或依據需求選擇任兩種硬體來使用，或同時使用三種硬體。

以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。

S10、S12、S14‧‧‧步驟

Claims (10)

1. 一種離子佈植過程中控制壓力的方法，包含：對設置有具特定厚度及特定圖案之圖案化光阻層的測試基板，以特定離子束與特定佈植參數值進行離子佈植，並取得在進行離子佈植程序時定離子束所經之腔室的內部壓力隨時間變化之特定壓力變化量曲線；以及對設置此特定光阻層的目標基板，以此特定離子束與此特定佈植參數值進行離子佈植，並於目標基板進行離子佈植程序的期間，依據特定壓力變化量曲線同時進行壓力調節步驟，減少腔室之內部壓力的變化量，其中於開始佈植前先將腔室之內部壓力調整到一預設壓力值，再於離子佈植程序的期間依據壓力變化量曲線調控流量閥的開口率，以隨時間改變自此腔室經此流量閥被真空幫浦抽走之氣體的量，使腔室之內部壓力於離子佈植程序的期間持續維持在此預設壓力值。
2. 如請求項1所述之離子佈植過程中控制壓力的方法，其中腔室係選自下列之一：波束線腔室、一製程腔室及其組合。
3. 如請求項1所述之離子佈植過程中控制壓力的方法，其中此壓力變化量曲線至少包含在此離子佈植程序期間此圖案化光阻層被此特定離子束佈植所釋氣而造成的壓力波動。
4. 如請求項1所述之離子佈植過程中控制壓力的方法，當此壓力變化量曲線中壓力為上升時則調高此流量閥的開口率，而當此壓力變化量曲線中壓力為下降時則降低此流量閥的開口率。
5. 一種離子佈植過程中控制壓力的方法，包含：對設置有具特定厚度及特定圖案之圖案化光阻層的測試基板，以特定離子束與特定佈植參數值進行離子佈植，並取得在進行離子佈植程序時定離子束所經之腔室的內部壓力隨時間變化之特定壓力變化量曲線；以及對設置此特定光阻層的目標基板，以此特定離子束與此特定佈植參數值進行離子佈植，並於目標基板進行離子佈植程序的期間，依據特定壓力變化量曲線同時進行壓力調節步驟，減少腔室之內部壓力的變化量，其中於開始佈植前先將此腔室之內部壓力調整到一預設壓力值，再於離子佈植程序的期間依據壓力變化量曲線調控真空幫浦的抽氣速率，以隨時間改變自此腔室被此真空幫浦抽走之氣體的量，使腔室之內部壓力於進行離子佈植程序的期間持續維持在此預設壓力值。
6. 如請求項5所述之離子佈植過程中控制壓力的方法，其中腔室係選自下列之一：波束線腔室、一製程腔室及其組合。
7. 如請求項5所述之離子佈植過程中控制壓力的方法，其中此壓力變化量曲線至少包含在此離子佈植程序期間此圖案化光阻層被此特定離子束佈植所釋氣而造成的壓力波動。
8. 如請求項5所述之離子佈植過程中控制壓力的方法，當此壓力變化量曲線中壓力為上升時則提高此真空幫浦的抽氣速率，而當此壓力變化量曲線中壓力為下降時則降低真空幫浦的抽氣速率。
9. 一種離子佈植裝置，至少包含：一離子源，產生複數離子；一腔室組，包含一波束線腔室與一製程腔室，此波束線腔室係用以選擇此些離子中具有特定電荷質量比的多數特定離子並且將所選擇之此特定些離子形成一離子束，此製程腔室係用以透過一基板固持器承載一基板並讓自此波束線腔室進入此製程腔室之此離子束可對此基板進行離子佈植；一氣體供應裝置，供應一氣體至此腔室組；一質流控制器，連通此腔室組與此氣體供應裝置，以調節進入此腔室組之此氣體的流率，藉由此流率的變動來調控此腔室組內部之壓力；一真空計，設置於直接連接至此氣體供應裝置與此質流控制器之一腔室，用以量測至少此腔室之內部壓力；以及一多孔性結構，設置於直接連接至此氣體供應裝置與此質流控制器之一腔室的內部，以控制進入此腔室之此氣體的分布狀態。
10. 如請求項9所述之離子佈植裝置，此氣體供應裝置與此質流控制器係連接至少下列之一：製程腔室、波束線腔室及其組合。