TWI605610B - 形成薄膜於基板或太陽能電池上之方法 - Google Patents
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Description
本文所述之技術特徵之實施例大致係關於形成薄膜於基板上之化學氣相沉積(CVD)技術。更確切地，技術特徵之實施例係關於用於形成包含氮化矽之抗反射塗層(ARC)於太陽能電池上之電漿化學氣相沉積且關於太陽能電池製造製程。
化學氣相沉積(CVD)技術為形成薄膜於基板上之公知製程。化學氣相沉積(CVD)技術包含常壓化學氣相沉積(APCVD)、低壓化學氣相沉積(LPCVD)及電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)。
這些技術可形成包含二氧化矽(SiO2)、多晶矽(Si)及氮化矽(SiN)之薄膜於基板上。用於化學氣相沉積(CVD)技術之基板包含積體電路、液晶顯示器及太陽能電池。
當其為標準裝置製造程序之固有部分時，用於改進製造期間形成薄膜於基板上之技術係非常有益的。這些技術可改進整體輸出產量、減少整體製造時間及增加可用產品之產量。在太陽能電池的例子中，這些技術可包含改進包含氮化矽之抗反射塗層(ARC)於矽基板上之形成。因此可顯著改進太陽能電池之整體效率。
揭露一種用於形成薄膜於基板上之方法，該方法包含：
藉由通入包含氟之第一氣體於處理室中以清潔處理室；藉由通入第二氣體於處理室第一期間，以包含非晶矽之第一封裝層塗層處理室，其中第一封裝層抵禦氟汙染；以第一封裝層塗層處理室後，載入基板於處理室中；藉由通入第三氣體於處理室中以沉積薄膜於基板上；以及從處理室卸除基板。
揭露一種用於形成氮化矽膜於太陽能電池上之方法，該方法包含：藉由通入包含氟之第一氣體於處理室中，清潔處理室，以移除過多之氮化矽(SiN)；藉由通入第二氣體於處理室第一期間，以非晶矽塗層處理室，其中非晶矽形成抵禦氟汙染之第一封裝層；載入太陽能電池於處理室中；藉由電漿輔助化學氣相沉積沉積氮化矽膜於太陽能電池上；以及從處理室卸除太陽能電池。
揭露一種用於形成氮化矽膜於太陽能電池上之方法，太陽能電池具有設置以於正常操作期間面對太陽之前側，以及相對於前側之背側，而該方法包含：藉由通入三氟化氮(NF3)氣體，清潔處理室，以移除過多之氮化矽(SiN)；藉由通入矽甲烷氣體於處理室至多5分鐘，以非晶矽塗層處理室，其中非晶矽形成抵禦氟污染之第一封裝層；載入太陽能電池於處理室中；藉由矽甲烷(SiH4)、氨(NH3)及氮(N2)氣體之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)法沉積包含氮化矽(SiN)膜之抗反射塗層(ARC)於太陽能電池之前側上；以及從處理室卸除太陽能電池。
100、200、300‧‧‧基板
110、210、310‧‧‧處理室
112、212、312‧‧‧噴頭
114、214、314‧‧‧加工托板
115、215、315‧‧‧腔體角落
116、216、316‧‧‧腔體壁
118、218、318‧‧‧真空通道
130、270、‧‧‧薄膜
224‧‧‧來源氣體
240‧‧‧氟殘留物
319‧‧‧托板角落
320‧‧‧第一氣體
322‧‧‧第二氣體
324‧‧‧第三氣體
330‧‧‧殘留薄膜
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370‧‧‧薄膜
400、420、440‧‧‧第一操作
402、422、442‧‧‧第二操作
404、424、444‧‧‧第三操作
406、426、446‧‧‧第四操作
408、428、448‧‧‧第五操作
410、430、450‧‧‧最後操作
可藉由參照詳細敘述及申請專利範圍並參考附圖而推導
出對於技術特徵更加完整之理解，其中所有圖式中之相似參考標號代表相似元件。
第1圖係為根據用以形成薄膜於基板上之標準製程之處理室之橫截面代表圖；第2圖及第3圖係為根據用於形成薄膜於基板上之標準製程之處理室之橫截面代表圖；第4圖至第8圖係為根據本發明之實施例之處理室之橫截面代表圖；第9圖係為根據本發明之實施例使用之製程配方間折射係數比較測試結果之代表圖表；第10圖係為根據本發明之實施例使用之製程配方間太陽能電池效率之比較之代表圖表；第11圖係為根據本發明之實施例，形成薄膜於基板上之代表流程圖；以及第12圖及第13圖係為根據本發明之實施例，形成氮化矽薄膜於太陽能電池上之代表流程圖。
下方之敘述於僅具說明性質，並不限制本實施例之技術特徵或此些實施例之應用及使用。如本文所用之用語「示例性(exemplary)」係指「作為示例、實例或說明」。此處描述作為示例性之任何實施例並不須被解讀為相較於其他實施例為首選或有利的。此外，不意圖被表示於上述技術領域、背景、簡介或以下之詳細描述之明示或暗示之理論所束縛。此外，闡述許多具體細節，如具體處理流程之操作，以提供對於本發明的實施例之透徹理解。顯而易見的是。本發明實施例之領域之習知技術者沒有這
些具體細節也可實施。在其他情況下，將不詳細描述公知之製造技術，如光刻、蝕刻技術和標準的薄膜沉積，以避免不必要地模糊的本發明之實施例。此外應當理解的是，圖中所示的各種實施例僅為說明性之表示，而不必然按比例繪製。
揭露薄膜於基板上之形成方法。方法包含通入包含氟之第一氣體以清潔處理室，其後通入第二氣體第一期間，以用由非晶矽形成之第一封裝層塗層處理室，且其中第一封裝層抵禦氟汙染。此方法同樣包含載入基板於處理室中，藉由通入第三氣體於處理室中以沉積薄膜於基板上及從處理室卸除基板。一實施例中，此方法包含太陽能電池基板。其他實施例中，此方法包含形成包含氮化矽之抗反射塗層於太陽能電池上。另一實施例中，該基板可為液晶顯示器(LCD)。此實施例中，形成薄膜於液晶顯示器(LCD)上包含形成絕緣層於液晶顯示器上。又一實施例中，第一期間可為於0.5至5分鐘之範圍內。
揭露形成氮化矽薄膜於太陽能電池上之方法。方法包含通入具有氟之第一氣體以清潔處理室之過量氮化矽，通入第二氣體第一期間以用非晶矽塗層處理室，且其中非晶矽形成第一封裝層以抵禦氟汙染。此方法同樣包含載入太陽能電池於處理室中，藉由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)法沉積氮化矽膜於太陽能電池上及從處理室卸除太陽能電池。一實施例中，第一期間可為於0.5至5分鐘之範圍內。另一實施例中，非晶矽以於0.05至0.5微米之範圍內之厚度形成第一封裝層。
此處揭露形成氮化矽薄膜於太陽能電池上之方法。此方法包含提供具有設置以於正常操作期間面對太陽之前側，以及相對於前側之背側。此方法包含通入三氟化氮(NF3)氣體以清潔處理
室之過量氮化矽；通入矽甲烷(SiH4)氣體至少5分鐘，以用非晶矽塗層處理室，且其中非晶矽形成第一封裝層以抵禦氟汙染。此方法進一步包含載入太陽能電池於處理室中，藉由矽甲烷(SiH4)、氨(NH3)及氮(N2)氣體之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)沉積包含氮化矽(SiN)膜之抗反射塗層(ARC)於太陽能電池之前側上及從處理室卸除太陽能電池。一實施例中，方法包含形成抗反射塗層(ARC)於太陽能電池之背側(BARC)。另一實施例中，方法包含提供由包含背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池及碲化鎘太陽能電池之群組中選擇之太陽能電池。又一實施例中，非晶矽以0.05至0.5微米範圍內之厚度形成第一封裝層。
第1圖描繪形成薄膜130於基板100上所使用之處理室110。處理室內具噴頭112、腔體角落115、腔體壁116、真空通道118及加工托板114。處理室可為任何使用於化學氣相沉積(CVD)製程之腔體，包含電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)腔體。
氣體輸入口或噴頭112用以通入氣體於處理室110中。真空通道118作為將抽出處理室110之氣體之出口。加工托板114用以支撐基板100。
第2圖及第3圖描繪形成薄膜於基板上之標準製程之操作。操作包含提供具有噴頭212、腔體角落215、腔體壁216、真空通道218及加工托板214之處理室210。處理室210之元件具有與第1圖所繪之處理室110相似之功能。操作亦包含清潔步驟及薄膜沉積步驟。清潔步驟可包含通入含氟氣體於處理室210中。
含氟氣體用以與處理室210內之任何剩餘物質反應。此些剩餘物
質可包含薄膜，如來自前沉積或清潔過程之氮化矽(SiN)。通入含氟氣體於處理室210中之副產物為氟殘留物240之薄膜。氟殘留物可累積於處理室210周圍，如第2圖所示。氮化矽(SiN)層可沉積於處理室210中以封裝及移除氟殘留物240。清潔步驟後，沉積步驟可包含載入基板200於處理室210之加工托板214上。來源氣體224通入處理室210以形成薄膜270於基板200上，如第3圖所示。標準製程之實施例中，基板200可為太陽能電池。另一實施例中，電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)可用於形成薄膜於太陽能電池上。又一實施例中，薄膜可包含氮化矽(SiN)。在又一實施例中，形成薄膜270可包含以電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)於太陽能電池上形成抗反射塗層(ARC)。
參考表1，其呈現用以形成抗反射塗層(ARC)之氮化矽(SiN)的電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)後，數個太陽能電池之二次離子質質譜術(SIMS)測試之結果。結果呈現於太陽能電池之中心及其邊緣，不同之元素汙染程度。取樣元素包含氟、鉻、鎂、鐵及鎳。結果清楚表示於矽基板邊緣之氟汙染大於中心四倍。已知的是，包含於電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)之氮化矽膜內部之殘留氟可能阻礙氫擴散至矽表面。氫擴散至矽表面亦以鈍化矽表面之未結合鍵而為人所知悉，其降低矽表面上電子缺陷之密度數量，並降低表面重組。藉由阻礙氫擴散至矽表面，氟減少太陽能電池裝置之正極氫鈍化效果或表面鈍化。氮化矽(SiN)膜中之殘留氟汙染物可能也會使降低整體太陽能電池之折射率(RI)之氮化(SiN)膜之介電常數降低。因氟為電負度最大之元素，氮化矽(SiN)膜中之殘留氟汙染物可能累積負電荷，吸引少數載子於表面並增加表面重組損失。因此，因低表面鈍化之損失、低折射率(RI)及
增加之重組可能降低太陽能電池之整體效率。
發明人假設來自上述測試之太陽能電池之邊緣係最靠近處理室中氟殘留物累積之區域。這些區域包含腔體壁、腔體角落及托板角落。如上所述，移除氟殘留物之解決方法為在清潔步驟期間沉積氮化矽(SiN)於處理室中。此程序之缺點為需要較厚層之氮化矽氮化矽(SiN)以完成可接受之氟殘留物封裝及避免汙染。執行此程序之成本過高且所需時間過長。於是，氮化矽(SiN)單獨沉積可能不足以完整封裝腔體角落及托板角落之氟殘留物，如於上述測試結果所觀察到的。因此發明人提出用以形成薄膜於基板上之方法，其提供對氟汙染之額外抵禦。提出解決方案之方法如下所述，包含呈現改進之折射率(RI)及太陽能電池效率表現之測試結果。
參考第4圖及第5圖，其呈現形成薄膜於基板上之方法。
此方法包含提供具有噴頭312、腔體壁316、真空通道318及具有托板角落319之加工托板314之處理室310。處理室310內之元件具有與第1圖所繪之處理室110相似之功能。方法並包含藉由通入含氟之第一氣體320清潔處理室310，如第4圖所示。第一氣體320用以與處理室310內之任何殘留薄膜330反應。殘留
薄膜330由前面之沉積或清潔製程而來。一實施例中，第一氣體包含三氟化氮(NF3)，而薄膜可為氮化矽(SiN)。含氟之第一氣體320與殘留薄膜330間之反應產生第一產物氣體360。第一產物氣體360藉由透過真空通道318將其流出以自處理室310移除。一實施例中，第一產物氣體360可包含四氟化矽(SiF4)及氮氣(N2)。流入含氟之第一氣體320於處理室310中之副產物為薄層狀之氟殘留物340。氟殘留物340可累積於處理室310周圍，特別是沿如第5圖所示之腔體壁316、腔體角落315及托板角落319。
第6圖描繪形成薄膜於基板300上之方法的延續。方法進一步包含通入第二氣體322於處理室310中以移除氟殘留物340。第二氣體322與氟殘留物340反應，包含沿腔體角落315及托板角落319之氟殘留物340，以產生第二產物氣體362，其中第二產物氣體362透過真空通道318自處理室310流出，如第6圖所示。持續通入第二氣體322，以抵禦氟汙染之第一封裝層350其完整覆於充分塗層處理室。實施例中，第二氣體322為矽甲烷(SiH4)而第一封裝層350包含非晶矽(A-Si)。另一實施例中，第二產物氣體362為氣態氫氟酸(HF)。又另一實施例中，第一封裝層350可具有0.05至0.5微米範圍內之厚度。另一實施例中，第一封裝層350可包含非晶矽且可具有0.05至0.5微米範圍內之厚度。又一實施例中，處理室310中之水氣(H2O)於形成第一封裝層350之期間被移除。又另一實施例中，處理室310中之水氣(H2O)於形成非晶矽封裝層350(A-Si)之期間被移除，其中非晶矽(A-Si)將水氣(H2O)轉為二氧化矽(SiO2)及氫氣(H2)。氫氣(H2)可透過真空通道318自處理室310移除。又另一實施例中，提供包含非晶矽(A-Si)之第一封裝層350抵禦剩餘摻雜物之汙染。於其中第一
封裝層350抵禦剩餘摻雜物之汙染之相同實施例中，剩餘摻雜物可包含磷化氫(PH3)及乙硼烷(B2H6)。另一實施例中，第二封裝層可於後沉積於第一封裝層350上。於其中第二封裝層可被沉積之相同實施例中，第二封裝層可包含氮化矽(SiN)而第一封裝層可包含非晶矽(A-Si)。於又一實施例中，兩層非晶矽(A-Si)與氮化矽(SiN)封裝層形成抵禦金屬汙染之阻障膜。
參考第7圖及第8圖，其呈現形成薄膜於基板300上之方法之延續。此方法進一步提供載入於處理室310基板300於加工托板314上。通入第三氣體324於處理室310中以形成薄膜370於基板300上。一實施例中，薄膜370可沉積於處理室310周圍，包含於腔體壁316、腔體角落315、加工托板314及加工托板角落319上，如第7圖及第8圖所示。另一實施例中，第三氣體可包含由包含矽甲烷(SiH4)、氨(NH3)及氮(N2)之群組中選擇之氣體。
又一實施例中，薄膜370可包含氮化矽(SiN)。又另一實施例中，基板300可為來自太陽電力公司(SunPower Corporation)之太陽能電池。一實施例中，第一期間可為於0.5至5分鐘之範圍內。一實施例中，形成薄膜370於基板300上可包含形成抗反射塗層(ARC)於太陽能電池上。另一實施例中，形成薄膜370於基板300上可包含形成抗反射塗層於太陽能電池之後側上(BARC)。於又一實施例中，基板可來自於由包含前接觸式太陽能電池、背接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池及碲化鎘太陽能電池之群組中選擇之太陽能電池。
表2至表4描繪描述包含於用以形成薄膜於基板上之實施例中之化學反應之表格。表2揭露三氟化氮(NF3)清潔包含之化
學反應，表3揭露移除氟包含之化學反應及表4揭露移除額外水氣包含之化學反應。
表5顯示清潔及陳化(seasoning)操作之一般製程條件，包含步驟名稱、流入速率、腔體壓力、(RF)射頻電源及製程時間。
第一例中，三氟化氮(NF3)氣體之流入可於每分鐘5至20標準公升(slm)間變動，但可使用較大之範圍。第二例中，矽甲烷(SiH4)之氣體之流入可於每分鐘1至5標準公升(slm)間變動，其中可使用較大之範圍。第三例中，氬(Ar)氣之流入可於每分鐘1至6標準公升(slm)間變動，但亦可使用較大之範圍。第四例中，氮(N2)氣體之流入可於每分鐘10至30標準公升(slm)間變動，其中可使用較大之範圍。第五例中，腔體之壓力可於0.4至6毫托(mTorr)間變動。第六例中，腔體之壓力可於0.1至6毫托(mTorr)間變動，
但亦可使用較大之範圍。第七例中，射頻電源可於0.1至4千瓦(kW)間變動。第八例中，射頻電源可於0至6千瓦(kW)間變動，其中亦可使用較大之範圍。第九例中，一般操作之期間可由包含2至20秒、5至20秒、5至200秒及、20至1200秒之群組選擇之期間之間變動。表5顯示可以上述各種流入速率、腔體壓力、射頻電源及製程時間選擇性地實行之例示性範圍。
第9圖表示於氮化物抗反射塗層(ARC)之折射率(RI)陳化腔體之效應。使用0.6微米(μm)厚之一般氮化矽(SiN)，於腔體清潔及陳化後，氮化物抗反射塗層(ARC)之折射率(RI)低。當抗氮化物抗反射塗層(ARC)膜沿腔體壁噴頭累積，氮化物薄膜抗反射塗層(ARC)之折射率(RI)上升。當累積3微米之氮化物薄膜抗反射
塗層(ARC)於腔體內之後，氮化物之折射率趨於穩定。使用非晶矽陳化，可解決清潔腔體後低折射率之問題。因此偏向使用非晶矽陳化以增進折射率(RI)之表現。
第10圖比較不同陳化配方之太陽能電池效率。1分鐘之氮化矽(SiN)陳化後製造之太陽能電池具有最低之太陽能電池效率。增加氮化矽陳化至3分鐘輕微改善太陽能電池效率。當腔體由厚氮化矽膜，如3至6微米覆蓋時，太陽能電池效率顯著上升。
如第10圖所示，包含上方討論之非晶矽(A-Si)陳化技術之基準配方之結果可與來自厚氮化矽(SiN)膜之結果比較。相較於形成非晶矽(A-Si)膜，沉積此厚層之氮化矽(SiN)膜之成本過高且花費更長時間來製造。因此，因為於減少的製造時間下改進太陽能電池之整體效率，非晶矽(A-Si)陳化配方為優選。
雖然上述所示之結果聚焦於太陽能電池基板，但是上述之方法可與形成薄膜之任何類型之基板一起使用。一實施例中，基板可包含液晶顯示器(LCD)。於其中基板為液晶顯示器之相一實施例中，形成薄膜於基板上可包含形成絕緣層於液晶顯示器(LCD)上。又一實施例中，電漿輔助化學氣相沉積可用以形成絕緣層於液晶顯示器(LCD)上。
參考第11圖，呈現形成薄膜於基板上之實施例之流程圖。
如上所述，第一操作400可包含提供處理室310。第二操作402可包含通入含氟之第一氣體320以清潔處理室310。第三操作404可包含通入第二氣體322第一期間以用具有非晶矽之第一封裝層350塗層處理室310，且其中第一封裝層350抵禦氟汙染。第四操作406可包含載入基板300於處理室310中。第五操作408可包含通入第三氣體324於處理室310中以沉積薄膜370於基板300
上。最後操作410可包含從處理室310卸除基板300。
第12圖描繪呈現形成氮化矽膜於太陽能電池上之實施例之流程圖。如上所述，第一操作420可包含提供處理室310。
第二操作422可包含通入含氟之第一氣體320以清潔處理室310之過量氮化矽(SiN)330。第三操作424可包含通入第二氣體322第一期間以用非晶矽塗層處理室310，且其中非晶矽形成第一封裝層350以抵禦氟汙染。第四操作426可包含載入太陽能電池300於處理室310中。第五操作428可包含藉由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)沉積氮化矽(SiN)薄膜370於太陽能電池300上。最後操作430包含從處理室310卸除太陽能電池300。
參考第13圖，呈現形成氮化矽膜於太陽能電池上之實施例之流程圖。如上所述，第一操作440可包含提供處理室310及具有設置以於正常操作期間面對太陽之前側與相對於前側之背側之太陽能電池300。第二操作442可包含通入三氟化氮(NF3)氣體320以清潔處理室310之過量氮化矽(SiN)330。第三操作444可包含通入矽甲烷(SiH4)氣體322最長5分鐘，以用非晶矽塗層處理室310，且其中非晶矽形成第一封裝層350以抵禦氟汙染。
第四操作446可包含載入太陽能電池300於處理室310中。第五操作448可包含藉由矽甲烷(SiH4)、氨(NH3)及氮(N2)氣體之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)沉積包含氮化矽(SiN)膜之抗反射塗層(ARC)370於太陽能電池300之前側上。最後操作450可包含從處理室310卸除太陽能電池300。
雖然至少一例示性實施例已呈現於前述詳細描述中，應理解的是存在多種不同之變形。應理解的是，此處所述之例示性實施例及實施例不意圖以任何方式限制主張之技術特徵之範疇、
適用性及配置。相反地，前述之描述係為了提供該領域具通常知識者實施上述實施例或實施例之方便導引。應理解的是，在不背離其中包含於提出本申請案之時點已知之等效配置及可預見之等效配置的發明精神及範圍之狀況下，可在功能與元件排列上進行各種改變。
100‧‧‧基板
110‧‧‧處理室
112‧‧‧噴頭
114‧‧‧加工托板
115‧‧‧腔體角落
116‧‧‧腔體壁
118‧‧‧真空通道
130‧‧‧薄膜
Claims (10)
- 一種形成一氮化矽膜於一太陽能電池上之方法，該方法包含：藉由通入包含氟之一第一氣體於一處理室中，清潔該處理室，以移除過多之氮化矽(SiN)；藉由通入一第二氣體於該處理室一第一期間，以非晶矽塗層該處理室，其中非晶矽形成抵禦氟汙染之一第一封裝層；載入一太陽能電池於該處理室中；藉由電漿輔助化學氣相沉積，利用一第三氣體沉積該氮化矽膜於該太陽能電池上；以及從該處理室卸除該太陽能電池。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一氣體包含三氟化氮(NF3)。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二氣體包含矽甲烷(SiH4)。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第三氣體包含由包含矽甲烷(SiH4)、氨(NH3)及氮(N2)之群組選擇之一氣體。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一期間係於0.5至5分鐘之範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中非晶矽以 0.05至0.5微米範圍內之厚度形成一第一封裝層。
- 一種形成一氮化矽膜於一太陽能電池上之方法，該太陽能電池具有設置以於正常操作期間面對太陽之一前側，以及相對於該前側之一背側，而該方法包含：藉由通入三氟化氮(NF3)氣體於一處理室中，清潔該處理室，以移除過多之氮化矽(SiN)；藉由通入矽甲烷氣體於該處理室至多5分鐘，以非晶矽塗層該處理室，其中非晶矽形成抵禦氟污染之一第一封裝層；載入該太陽能電池於該處理室中；藉由矽甲烷(SiH4)、氨(NH3)及氮(N2)氣體之電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)沉積包含該氮化矽(SiN)膜之一抗反射塗層(ARC)於該太陽能電池之該前側上；以及從該處理室卸除該太陽能電池。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中形成該氮化矽膜(SiN)於該太陽能電池之該前側包含形成一抗反射塗層於該太陽能電池之該背側。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該太陽能電池包含由包含背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池及碲化鎘太陽能電池之群組中選擇之一 太陽能電池。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中非晶矽以0.05至0.5微米範圍內之厚度形成一第一封裝層。
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