TWI599490B - 離形層、應用其之可撓式裝置及可撓式基板的製造方法 - Google Patents

離形層、應用其之可撓式裝置及可撓式基板的製造方法 Download PDF

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Description

離形層、應用其之可撓式裝置及可撓式基板的製造方 法
本揭露內容是有關於一種離形層、應用其之可撓式裝置、及應用其之可撓式基板的製造方法，且特別是有關於一種相對兩個表面上的氫氧基數量不同之離形層、應用其之可撓式裝置、及應用其之可撓式基板的製造方法。
玻璃顯示器具有易碎、不耐衝擊以及高重量及厚度的缺點，已無法滿足目前個人數位隨身產品對於輕量化、薄型化及可撓曲使用等需求。以軟性基板取代玻璃作為顯示器基板不但可以解決上述問題，更可提供平面顯示器在外型與捲曲性的設計自由度，因此可撓式顯示器已逐漸成為目前主要的研究趨勢。
目前在可撓式顯示器的製程中，通常會先在一載具上先行製作離型層後並塗佈軟性基板，並在軟性基板上完成後段元件製程(例如薄膜電晶體陣列製程等)後，再取下載具，即完成整個可撓式顯示器的製作流程。
因此，在整個製程完成後，如何將可撓式顯示器元件輕易地且有效地自載具上離型並且不破壞元件，已經成為相關業者致力研究的目標。
本揭露內容係有關於一種離形層、應用其之可撓式裝置、及應用其之可撓式基板的製造方法。離形層中之之第 一表面上氫氧基(hydroxyl group)的數量小於相對之第二表面上氫氧基的數量，含有較少數量之氫氧基的表面和具有含氧官能基的膜層之間具有較低的附著力，因此，具有含氧官能基的膜層可以輕易地自離形層之含有較少數量之氫氧基的表面脫離。
根據本揭露內容之一實施例，係提出一種離形層。離形層包括一包含氫氧基(hydroxyl group)之矽氧烷類材料，離形層之一第一表面上氫氧基的數量小於相對之一第二表面上氫氧基的數量。
根據本揭露內容之另一實施例，係提出一種可撓式裝置。可撓式裝置包括一離形層以及一可撓式基板。離形層包括一包含氫氧基之矽氧烷類材料，離形層之一第一表面上氫氧基的數量小於相對之一第二表面上氫氧基的數量。可撓式基板形成於離形層之第二表面上。
根據本揭露內容之再一實施例，係提出一種可撓式基板的製造方法。製造方法包括以下步驟。提供一硬質基板(rigid substrate)。形成一離形層於硬質基板上，離形層包括一包含氫氧基之矽氧烷類材料，離形層之一第一表面上氫氧基的數量小於相對之一第二表面上氫氧基的數量，硬質基板係鄰接於離形層之第一表面和第二表面其中之一。提供一可撓式基板材料層於離形層之第一表面和第二表面中之另一者上。接合可撓式基板材料層以形成一可撓式基板於離形層上。
為了對本揭露內容之上述及其他方面有更佳的瞭 解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本揭露內容之實施例中，離形層之第一表面上氫氧基的數量小於相對之第二表面上氫氧基的數量，含有較少數量之氫氧基的表面和具有含氧官能基的膜層之間具有較低的附著力，因此，具有含氧官能基的膜層可以輕易地自離形層之含有較少數量之氫氧基的表面脫離。以下係參照所附圖式詳細敘述本揭露內容之實施例。圖式中相同的標號係用以標示相同或類似之部分。需注意的是，圖式係已簡化以利清楚說明實施例之內容，實施例所提出的細部結構僅為舉例說明之用，並非對本揭露內容欲保護之範圍做限縮。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些結構加以修飾或變化。
第1圖繪示本揭露內容之一實施例之離形層之示意圖。請參照第1圖，離形層100包括一包含氫氧基(hydroxyl group)之矽氧烷類材料，離形層100具有第一表面100a和相對的第二表面100b，第一表面100a上氫氧基的數量小於第二表面100b上氫氧基的數量。換句話說，第二表面100b上氫氧基的數量大於第一表面100a上氫氧基的數量，因此，離形層100的第二表面100b和具有含氧官能基(oxygen-containing functional group)的膜層之間具有較高的附著力，而第一表面100a和具有含氧官能基的膜層 之間具有較低的附著力。需注意的是，此處所指的第一表面100a和第二表面100b僅用以明確表示及區分離形層100具有相對的兩個表面。
一實施例中，例如是離形層100中之氫氧基的數量自第一表面100a朝向相對的第二表面100b遞增。
實施例中，該包含氫氧基之矽氧烷類材料亦包括甲基(methyl group)，第一表面100a上甲基的數量大於第二表面100b上氫氧基的數量。
一實施例中，例如是離形層100中之甲基的數量自第一表面100a朝向相對的第二表面100b遞減。也就是說，離形層100具有一密度梯度(density gradient)，離形層100中之氫氧基的數量自第一表面100a朝向第二表面100b遞增伴隨著甲基的數量遞減。實施例中，在第二表面100b上，氫氧基的數量例如是大於甲基的數量。
實施例中，離形層100之厚度T1例如是1奈米至10微米。
第2圖繪示本揭露內容之另一實施例之離形層之示意圖。請參照第2圖，離形層200包括一包含氫氧基之矽氧烷類材料，離形層200具有第一表面200a和相對的第二表面200b，第一表面200a上氫氧基的數量小於相對的第二表面200b上氫氧基的數量。一實施例中，離形層200中之氫氧基的數量例如自第一表面200a朝向相對的第二表面200b遞增。
實施例中，如第2圖所示，離形層200包括第一離形層210和第二離形層220，第一離形層210位於第一表面 200a側，第二離形層220位於第二表面200b側，第一離形層210中之氫氧基的數量小於第二離形層220中之氫氧基的數量。
實施例中，離形層200之厚度T2例如是1奈米至10微米。
第3圖繪示本揭露內容之又一實施例之離形層之示意圖。請參照第3圖，離形層300包括一包含氫氧基之矽氧烷類材料，離形層300具有第一表面300a和相對的第二表面300b，第一表面300a上氫氧基的數量小於相對的第二表面300b上氫氧基的數量。一實施例中，離形層300中之氫氧基的數量自第一表面300a朝向相對的第二表面300b遞增。
實施例中，如第3圖所示，本實施例與第2圖之實施例之差別在於，離形層300更包括介面層330位於第一離形層210和第二離形層220之間。本實施例之第一離形層210和第二離形層220同前述第2圖所示之實施例之第一離形層210和第二離形層220，其相關說明請參考前述，在此不再贅述。
實施例中，離形層300之厚度T3例如是1奈米至10微米。
第4圖繪示本揭露內容之一實施例之可撓式裝置之示意圖。請參照第4圖，可撓式裝置10包括離形層100以及可撓式基板400。可撓式基板400形成於離形層100之第二表面100b上。實施例中，可撓式裝置10中之離形層100亦可由前述實施例之離形層200或300所取代，可 撓式基板400形成於離形層200或300之第二表面200b或300b上。本實施例之離形層100、200及300同前述第1~3圖所示之實施例之離形層100、200及300，其相關說明請參考前述，在此不再贅述。
實施例中，可撓式基板400之材質例如包括聚亞醯胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PA)、聚原冰烯(polynorbornene，PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)和聚醚亞醯胺(polyetherimide，PEI)之其中之一。實施例中，可撓式基板400也可以是具有複數個無機粒子之可撓式基板，無機粒子之材質例如是黏土(clay)和二氧化矽(SiO2)之其中之一或兩者之組合。
一實施例中，可撓式裝置10更可包括一顯示元件(display element)形成於可撓式基板400上(未繪示於圖中)。一實施例中，可撓式裝置10更可包括一電子元件(electronic element)形成於可撓式基板400上(未繪示於圖中)。
以下係提出實施例之一種可撓式基板的製造方法，然該些步驟僅為舉例說明之用，並非用以限縮本發明。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些步驟加以修飾或變化。請參照第5A圖至第5D圖。第5A圖至第 5D圖繪示依照本發明之一實施例之一種可撓式基板之製造方法示意圖。本實施例之離形層100、200及300和可撓式基板400同前述第1~4圖所示之實施例之離形層100、200及300和可撓式基板400，其相關說明請參考前述，在此不再贅述。
請參照第5A圖。提供一硬質基板(rigid substrate)500。實施例中，硬質基板500之材質例如包括石英、玻璃及金屬之其中之一。
請參照第5B圖。形成離形層100於硬質基板500上。離形層100包括一包含氫氧基之矽氧烷類材料，離形層100具有第一表面100a和相對的第二表面100b，第一表面100a上氫氧基的數量小於相對的第二表面100b上氫氧基的數量。一實施例中，離形層100中之氫氧基的數量例如是自離形層100之第一表面100a朝向相對之第二表面100b遞增。硬質基板500例如是鄰接於離形層100之第一表面100a和第二表面100b其中之一。如第5B圖所示，本實施例中，硬質基板500例如是鄰接於離形層100之第一表面100a。
實施例中，形成離形層100於硬質基板500上，且以第一表面100a鄰接於硬質基板500的製造方法例如包括以下步驟。
首先，提供一矽氧烷類前驅物氣體於硬質基板500上。矽氧烷類前驅物氣體例如可以如下所示之化學式I表示：
提供矽氧烷類前驅物氣體於硬質基板500上經過一預定時間區間後，此時已經沈積一部份的離形層於硬質基板500上，此部分的離形層鄰接於硬質基板500的表面係為第一表面100a，其中甲基的數量大於氫氧基的數量。
持續提供矽氧烷類前驅物氣體經過此預定時間區間後，接著開始提供氧氣於硬質基板500上。提供氧氣時也仍持續提供矽氧烷類前驅物氣體，並且對於此氣體混合物施加電漿以使其游離化，游離化後之氣體混合物例如包括如下所示之化學式II表示的結構：
游離化後之氣體混合物(如化學式II所示)繼續沈積於之前已經沈積的部分離形層上，於是形成離形層100，使得離形層100中之氫氧基的數量自離形層100之第一表面100a朝向相對之第二表面100b遞增，第一表面100a上氫氧基的數量小於相對之第二表面100b上氫氧基的數量，且離形膜100以第一表面100a鄰接於硬質基板500。
實施例中，經由控制前述預定時間區間的長短以及矽氧烷類前驅物氣體的種類，可以適當地控制離形層100的 兩個表面100a和100b上氫氧基及甲基的含量，則可以控制表面100a和100b和可撓式基板400或硬質基板500之間的附著力。
實施例中，形成離形層100之步驟亦可由形成如前述實施例之離形層200或300所取代，離形層200和300之結構特徵的相關說明請參考前述，在此不再贅述。
一實施例中(請參照第2圖)，形成離形層200於硬質基板500上的製造方法例如包括以下步驟：形成第一離形層210，以及形成第二離形層220於第一離形層210上，以形成離形層200，其中第一離形層210中之氫氧基的數量小於第二離形層220中之氫氧基的數量，硬質基板500係鄰接於第一離形層210和第二離形層220其中之一。
一實施例中(請參照第3圖)，形成離形層300於硬質基板500上的製造方法例如包括以下步驟：形成第一離形層210，形成第二離形層220於第一離形層210上，以及形成介面層330於第一離形層210和第二離形層220之間，以形成離形層300，其中第一離形層210中之氫氧基的數量小於第二離形層220中之氫氧基的數量，硬質基板500係鄰接於第一離形層210和第二離形層220其中之一。
以下係繼續以離形層100說明本揭露內容實施例之一種可撓式基板的製造方法。然具有通常知識者，當可將形成離形層100之步驟以形成離形層200或300之步驟取代後，依據實際實施態樣的需要對後續之步驟加以修飾或變化。
請參照第5C圖。提供一可撓式基板材料層於離形層 100之第一表面100a和第二表面100b中之另一者上，以及接合可撓式基板材料層以形成可撓式基板400於離形層100上。實施例中，係以塗佈方式提供可撓式基板材料層於離形層100之第一表面100a和第二表面100b中之另一者上，以及固化可撓式基板材料層以接合可撓式基板材料層並形成可撓式基板400於離形層100上。也就是說，將可撓式基板材料層塗佈於離形層100未鄰接於硬質基板500的另一表面上。本實施例中，例如是將可撓式基板材料層塗佈於離形層100之第二表面100b上，可撓式基板400形成於離形層100之第二表面100b上。
實施例中，可撓式基板材料層之材質例如包括聚亞醯胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PA)、聚原冰烯(polynorbornene，PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)和聚醚亞醯胺(polyetherimide，PEI)之其中之一。實施例中，可撓式基板材料層也可以是具有複數個無機粒子之可撓式基板材料層，無機粒子之材質例如是黏土(clay)和二氧化矽(SiO2)之其中之一或兩者之組合。
請參照第5D圖。移除硬質基板500。實施例中，由於離形層100的第二表面100b上氫氧基的數量大於第一表面100a上氫氧基的數量，離形層100的第一表面100a和具有含氧官能基的膜層之間具有較低的附著力，而第二 表面100b和具有含氧官能基的膜層之間具有較高的附著力。因此，實施例中，如第5D圖所示，硬質基板500自離形層100的第一表面100a脫離，離形層100經由第二表面100b仍接合於可撓式基板400(例如是聚亞醯胺材質之基板)。
實施例中，離形層100之第一表面100a上氫氧基的數量小於甲基的數量(例如甲基的數量自第一表面100a朝向相對第二表面100b遞減)，因此第一表面100a和具有含氧官能基的膜層之間具有較低的附著力，使得硬質基板500(例如是玻璃基板)可輕易地自離形層100的第一表面100a脫離。
請同時參照第5A圖及第6A圖至第6B圖。第6A圖至第6B圖繪示依照本發明之另一實施例之一種可撓式基板之製造方法示意圖。本實施例之離形層100、200及300和可撓式基板400同前述第1~4圖所示之實施例之離形層100、200及300和可撓式基板400，其相關說明請參考前述，在此不再贅述。
首先，如第5A圖所示，提供硬質基板500。
接著，請參照第6A圖，形成離形層100於硬質基板500上，以及形成可撓式基板400於離形層100上。本實施例與前述第5B圖至第5C圖之實施例不同之處在於，本實施例中，硬質基板500例如是鄰接於離形層100之第二表面100b，可撓式基板400形成於離形層100之第一表面100a上。
實施例中，形成離形層100於硬質基板500上，且以第二表面100b鄰接於硬質基板500的製造方法例如包括以下步驟。
首先，提供一矽氧烷類前驅物氣體及氧氣於硬質基板500上。並且，對於矽氧烷類前驅物氣體和氧氣的氣體混合物施加電漿以使其游離化，游離化後之氣體混合物例如包括如前述化學式II表示的結構。提供矽氧烷類前驅物氣體和氧氣於硬質基板500上經過一預定時間區間後，此時已經沈積一部份的離形層於硬質基板500上，此部分的離形層鄰接於硬質基板500的表面係為第二表面100b，其中氫氧基的數量大於甲基的數量。
持續提供矽氧烷類前驅物氣體和氧氣經過此預定時間區間後，接著停止提供氧氣而繼續提供矽氧烷類前驅物氣體於硬質基板500上。氧氣停止提供後，在接下來的沈積過程中，如前述化學式II表示的氣體前驅物則漸漸減少，沈積於之前已經沈積的部分離形層上中如前述化學式I表示的矽氧烷類前驅物則漸增。於是，形成之離形層100中，第一表面100a上氫氧基的數量小於相對之第二表面100b上氫氧基的數量，氫氧基的數量自離形層100之第一表面100a朝向相對之第二表面100b遞增，且離形膜100以第二表面100b鄰接於硬質基板500。
請參照第6B圖。移除硬質基板500。實施例中，硬質基板500接合於離形層100之第二表面100b且離形層100係一起被移除。
實施例中，離形層100之第一表面100a上氫氧基的 數量小於相對之第二表面100b上氫氧基的數量，第一表面100a上氫氧基的數量小於甲基的數量，因此第一表面100a和具有含氧官能基的膜層之間具有較低的附著力，使得可撓式基板400(例如是聚亞醯胺材質之基板)可輕易地與離形層100的第一表面100a分離。
實施例中，由於離形層100的第二表面100b上氫氧基的數量大於第一表面100a上氫氧基的數量，離形層100的第一表面100a和具有含氧官能基的膜層之間具有較低的附著力，而第二表面100b和具有含氧官能基的膜層之間具有較高的附著力。因此，實施例中，如第6B圖所示，硬質基板500(例如是玻璃基板)接合於離形層100之第二表面100b，且離形層100和硬質基板500一起被移除。
綜上所述，雖然本揭露內容已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露內容之保護範圍。本揭露內容所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本揭露內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧可撓式裝置
100、200、300‧‧‧離形層
100a、200a、300a‧‧‧第一表面
100b、200b、300b‧‧‧第二表面
210‧‧‧第一離形層
220‧‧‧第二離形層
330‧‧‧介面層
400‧‧‧可撓式基板
500‧‧‧硬質基板
T1~T3‧‧‧厚度
第1圖繪示本揭露內容之一實施例之離形層之示意圖。
第2圖繪示本揭露內容之另一實施例之離形層之示意圖。
第3圖繪示本揭露內容之又一實施例之離形層之示 意圖。
第4圖繪示本揭露內容之一實施例之可撓式裝置之示意圖。
第5A圖至第5D圖繪示依照本發明之一實施例之一種可撓式基板之製造方法示意圖。
第6A圖至第6B圖繪示依照本發明之另一實施例之一種可撓式基板之製造方法示意圖。
100‧‧‧離形層
100a‧‧‧第一表面
100b‧‧‧第二表面
T1‧‧‧厚度

Claims (35)

  1. 一種離形層，包括一包含氫氧基(hydroxyl group)之矽氧烷類材料，該離形層之一第一表面上氫氧基的數量小於相對之一第二表面上氫氧基的數量，其中該第一表面由一矽氧烷類前驅物沈積而成，該第二表面係由一游離化後之該矽氧烷類前驅物和氧氣之氣體混合物沈積而成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之離形層，該離形層中之氫氧基的數量自該離形層之該第一表面朝向相對之該第二表面遞增。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之離形層，其中，該離形層中之甲基(methyl group)的數量自該離形層之該第一表面朝向相對之該第二表面遞減。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之離形層，其中在該第二表面上，氫氧基的數量係大於甲基的數量。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之離形層，其中該離形層之厚度係為1奈米至10微米。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之離形層，更包括：一第一離形層位於該第一表面側；以及一第二離形層位於該第二表面側，其中該第一離形層中之氫氧基的數量小於該第二離形層中之氫氧基的數量。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之離形層，更包括一介面層位於該第一離形層和該第二離形層之間。
  8. 一種可撓式裝置，包括：一離形層，包括一包含氫氧基之矽氧烷類材料，該離形層之一第一表面上氫氧基的數量小於相對之一第二表 面上氫氧基的數量，其中該第一表面由一矽氧烷類前驅物沈積而成，該第二表面係由一游離化後之該矽氧烷類前驅物和氧氣之氣體混合物沈積而成；以及一可撓式基板，形成於該離形層之該第二表面上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式裝置，其中該離形層中之氫氧基的數量自該離形層之該第一表面朝向相對之該第二表面遞增。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式裝置，其中，該離形層中之甲基的數量自該離形層之該第一表面朝向相對之該第二表面遞減。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之可撓式裝置，其中在該第二表面上，氫氧基的數量係大於甲基的數量。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之離形層，其中該離形層之厚度係為1奈米至10微米。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式裝置，該可撓式基板之材質包括聚亞醯胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PA)、聚原冰烯(polynorbornene，PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)和聚醚亞醯胺(polyetherimide，PEI)之其中之一。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式裝置，其中該可撓式基板之材質包括複數個無機粒子。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之可撓式裝置，其 中該些無機粒子之材質係為黏土(clay)和二氧化矽(SiO2)之其中之一或兩者之組合。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式裝置，更包括一顯示元件(display element)形成於該可撓式基板上。
  17. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式裝置，更包括一電子元件(electronic element)形成於該可撓式基板上。
  18. 如申請專利範圍第8項所述之可撓式裝置，其中該離形層更包括：一第一離形層位於該第一表面側；以及一第二離形層位於該第二表面側，其中該第一離形層中之氫氧基的數量小於該第二離形層中之氫氧基的數量。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之可撓式裝置，其中該離形層更包括一介面層位於該第一離形層和該第二離形層之間。
  20. 一種可撓式基板的製造方法，包括：提供一硬質基板(rigid substrate)；形成一離形層於該硬質基板上，該離形層包括一包含氫氧基之矽氧烷類材料，該離形層之一第一表面上氫氧基的數量小於相對之一第二表面上氫氧基的數量，其中該硬質基板係鄰接於該離形層之該第一表面和該第二表面其中之一，其中該第一表面由一矽氧烷類前驅物沈積而成，該第二表面係由一游離化後之該矽氧烷類前驅物和氧氣之氣體混合物沈積而成；提供一可撓式基板材料層於該離形層之該第一表面和該第二表面中之另一者上； 接合該可撓式基板材料層以形成一可撓式基板於該離形層上。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，其中該離形層中之氫氧基的數量自該離形層之該第一表面朝向相對之該第二表面遞增。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，更包括移除該硬質基板。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式基板的製造方法，其中於移除該硬質基板時，該可撓式基板係接合於該離形層之該第二表面。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之可撓式基板的製造方法，其中於移除該硬質基板時，該硬質基板係接合於該離形層之該第二表面且該離形層係一起被移除。
  25. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，其中該硬質基板之材質包括石英、玻璃及金屬之其中之一。
  26. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，其中，該離形層中之甲基的數量自該離形層之該第一表面朝向相對之該第二表面遞減。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之可撓式基板的製造方法，其中在該第二表面上，氫氧基的數量係大於甲基的數量。
  28. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，其中該離形層之厚度係為1奈米至10微米。
  29. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製 造方法，其中形成該離形層之步驟包括：提供該矽氧烷類前驅物之氣體於該硬質基板上；以及提供該矽氧烷類前驅物之氣體經過一預定時間區間後，開始提供氧氣於該硬質基板上；其中，該離形膜形成後係以該第一表面鄰接於該硬質基板。
  30. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，其中形成該離形層之步驟包括：提供該矽氧烷類前驅物之氣體和氧氣於該硬質基板上；以及經過一預定時間區間後，停止提供氧氣而繼續提供該矽氧烷類前驅物之氣體於該硬質基板上；其中，該離形膜形成後係以該第二表面鄰接於該硬質基板。
  31. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，其中形成該離形層之步驟包括：形成一第一離形層；以及形成一第二離形層於該第一離形層上，其中該第一離形層中之氫氧基的數量小於該第二離形層中之氫氧基的數量，該硬質基板係鄰接於該第一離形層和該第二離形層其中之一。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之可撓式基板的製造方法，更包括：形成一介面層於該第一離形層和該第二離形層之間。
  33. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製 造方法，其中該可撓式基板材料層之材質包括聚亞醯胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醚碸(polyethersulfone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PA)、聚原冰烯(polynorbornene，PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)和聚醚亞醯胺(polyetherimide，PEI)之其中之一。
  34. 如申請專利範圍第20項所述之可撓式基板的製造方法，其中該可撓式基板材料層之材質包括複數個無機粒子。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之可撓式基板的製造方法，其中該些無機粒子之材質係為黏土(clay)和二氧化矽(SiO2)之其中之一或兩者之組合。
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