TW201517251A

TW201517251A - 可撓式元件及其製造方法

Info

Publication number: TW201517251A
Application number: TW102139102A
Authority: TW
Inventors: Guan-Ren Wang; Cheng-Yi Cheng; Tai-Yen Lai; Chi-Jen Lin; Chien-Min Tsai
Original assignee: Wintek Corp
Priority date: 2013-10-24
Filing date: 2013-10-29
Publication date: 2015-05-01

Abstract

一種可撓式元件，包括一第一可撓式基板、一緩衝層及一電子元件。緩衝層配置於第一可撓式基板上。電子元件配置於緩衝層上。本發明更提供一種可撓式元件的製造方法，包括下列步驟，首先，提供一硬質基板。接著，形成一離型層於硬質基板上。再來，形成一緩衝層於離型層上。其後，形成一電子元件於緩衝層上。再來，藉由離型層將緩衝層以及電子元件自硬質基板上分離。最後，將一第一可撓式基板形成緩衝層以及電子元件上，其中緩衝層位於電子元件與第一可撓式基板之間。

Description

可撓式元件及其製造方法

本發明是有關於一種可撓式元件及其製造方法。

目前，可撓式元件的製作方式，通常是在一玻璃基板上塗抹塑膠溶液並將其固化以形成一可撓式基板，或是直接在玻璃基板上黏合一層可撓式基板。接著，在可撓式基板上製作所需要的電子元件，以形成可撓式元件。

電子元件以薄膜電晶體層為例，一般而言，薄膜電晶體的製程溫度可能高達600度。然而，可撓式基板例如是聚亞醯胺(PI)、乙烯對苯二甲酸酯(PET)或聚乙烯(PEN)等的材料，其玻璃轉換溫度通常僅在300度至400度上下，較難承受上述的高溫製程。

本發明提供一種可撓式元件及其製造方法，其可避免可撓式基板在製造的過程中發生變質或是熔化的狀況。

本發明的一種可撓式元件的製造方法，包括下列步驟，首先，提供一硬質基板。接著，形成一離型層於硬質基板上。再來，形成一緩衝層於離型層上。接著，形成一電子元件於緩衝層上。再來，藉由離型層將緩衝層以及電子元件自硬質基板上分離。最後，將一第一可撓式基板形成緩衝層以及電子元件上，其中緩衝層位於電子元件與第一可撓式基板之間。

在本發明的一實施例中，上述形成離型層於硬質基板上的方法包括使離型層覆蓋硬質基板的一表面。

在本發明的一實施例中，上述形成離型層於硬質基板上的方法包括使離型層覆蓋硬質基板的一表面的一第一區。

在本發明的一實施例中，上述形成緩衝層的方法包括使緩衝層覆蓋於位在第一區的離型層，並且延伸至表面的一第二區以覆蓋於硬質基板。

在本發明的一實施例中，上述藉由離型層將緩衝層以及電子元件自硬質基板上分離之前，更進一步切除基板的第二區以及位於第二區的緩衝層。

在本發明的一實施例中，上述將第一可撓式基板形成緩衝層以及電子元件上的方法包括：塗佈一膠層於緩衝層之遠離電子元件的一側；以及貼附第一可撓式基板至膠層。

在本發明的一實施例中，上述將第一可撓式基板形成緩衝層以及電子元件上的方法包括：塗佈一塑膠溶液於緩衝層之遠離電子元件的一側；以及固化塑膠溶液以形成第一可撓式基板。

在本發明的一實施例中，更包括在將第一可撓式基板形成緩衝層以及電子元件上之後，形成一顯示元件至電子元件上。

在本發明的一實施例中，更包括配置一第二可撓式基板於顯示元件之遠離電子元件的一側。

在本發明的一實施例中，上述顯示元件包括有機發光二極體(Organic light emitting diode,OLED)、電泳顯示器(Eletrophoretic Display,EPD)、電濕潤顯示器(Electrowetting Display,EWD)或液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)。

在本發明的一實施例中，上述離型層的材料包括片狀六方結構的無機材料。

在本發明的一實施例中，上述離型層的材料包括硫化鎘微奈米材料、氫氧化鎂奈米材料、片狀六方結構銀、氮化硼、雲母或滑石。

在本發明的一實施例中，上述離型層以塗佈或是噴灑的方式形成於硬質基板上。

在本發明的一實施例中，上述離型層的材料的玻璃轉換溫度高於600℃。

在本發明的一實施例中，上述緩衝層包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其組合。

在本發明的一實施例中，上述第一可撓式基板包括一超薄玻璃、一塑膠膜或一不銹鋼層。

在本發明的一實施例中，上述硬質基板為一玻璃基板、一陶瓷基板或一硬質塑膠基板。

本發明提供一種可撓式元件，包括一第一可撓式基板、一緩衝層及一電子元件。緩衝層配置於第一可撓式基板上。電子元件配置於緩衝層上。

在本發明的一實施例中，更包括一離型層，位於第一可撓式基板與緩衝層之間，離型層的材料包括片狀六方結構的無機材料。

在本發明的一實施例中，上述離型層不均勻地分布於第一可撓式基板與緩衝層之間。

在本發明的一實施例中，更包括一顯示元件，配置於電子元件上。

在本發明的一實施例中，更包括一第二可撓式基板，配置於顯示層上。

在本發明的一實施例中，更包括一膠層，配置於第一可撓式基板與緩衝層之間。

在本發明的一實施例中，上述電子元件包括多個薄膜電晶體層或是多個觸控元件。

基於上述，本發明之可撓式元件及其製造方法，利用可耐高溫的硬質基板作為支撐的基板，先在硬質基板上形成離型層，接著在離型層上形成緩衝層。在緩衝層上完成高溫的電子元件的製備之後，透過離型層可輕易地將緩衝層與電子元件脫離於硬質基板，其後將可撓式基板配置於緩衝層與電子元件上，以製作出可撓式元件。由於可撓式基板在電子元件之後才形成於緩衝層與電子元件上，可避免不耐高溫的可撓式基板在電子元件的高溫製程時發生熔化的狀況。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

11~17、21~29‧‧‧步驟

30‧‧‧硬質基板

32‧‧‧表面

34‧‧‧第一區

36‧‧‧第二區

100、200‧‧‧可撓式元件

100’‧‧‧可撓式顯示面板

110、210‧‧‧離型層

120、220‧‧‧緩衝層

130、230‧‧‧電子元件

235、255‧‧‧膠層

140‧‧‧第一可撓式基板

150、250‧‧‧顯示元件

240、260‧‧‧可撓式基板

圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的一種可撓式元件的製造方法的流程示意圖。

圖1G是圖1A至圖1F之可撓式元件的製造方法的步驟示意圖。

圖2A至圖2I是依照本發明的另一實施例的一種可撓式元件的製造方法的流程示意圖。

圖2J是圖2A至圖2I之可撓式元件的製造方法的步驟示意圖。

圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的一種可撓式元件的製造方法的流程示意圖。圖1G是圖1A至圖1F之可撓式元件的製造方法的步驟示意圖。本實施例之可撓式元件的製造方法10，包括下列步驟，首先，請參閱圖1A，提供一硬質基板30(步驟11)。在本實施例中，硬質基板30為一玻璃基板，在其他實施例中，硬質基板30亦可為一陶瓷基板或一不銹鋼鋼板等可耐高溫材料。在本實施例中，由於在之後的步驟中會在硬質基板30上製作薄膜電晶體，因此，硬質基板30需要可以耐受薄膜電晶體製程的高溫，例如硬質基板30可承受高於600℃的溫度。當然，隨著製程的不同，硬質基板30的材質以及耐溫上限亦可隨之調整，並不以上述為限制，只要硬質基板30可以耐受後續的製程溫度即可。

接著，形成一離型層110於硬質基板30上(步驟12)，在本實施例中，離型層110覆蓋硬質基板30的整個表面32。離型層110的材料包括片狀六方結構的無機材料，例如是硫化鎘微奈米材料、氫氧化鎂奈米材料、片狀六方結構銀、氮化硼、雲母或滑石。

舉例而言，離型層110的材料可選用六角片狀的硫化鎘的微奈米材料，其粒徑為微米級，厚度為奈米級。關於六角片狀的硫化鎘晶體的製造方式可參考人工晶體學報(JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS)2005年8月第34卷第4期的「六方柱與六角片狀CdS晶體的水熱法生長」而製成。其後將六角片狀的硫化鎘晶體溶於甲苯(Toluene)、己烷(Hexanes)、三氯甲烷(Chloroform)、二氯甲烷(Dichloromethane)、甲醇(Methanol)或水中，製成硫化鎘溶液以利於塗佈於硬質基板30上。

或者，離型層110的材料也可選用六方片狀銀粉，關於六方片狀銀粉的製造方式可參考粉末冶金技術(Powder Metallurgy Techonology)2003年8月第21卷第4期的「六方片狀銀粉的合成」而製備。製備好的離型層110的溶液或粉末可以塗佈或是噴灑的方式形成於硬質基板30上。

當然，上述僅舉出部分的離形層110的材料與可實施的製備方式，離形層110的材料與製備方式並不以上述為限制。在本實施例中，離型層110為了能夠耐受後續的高溫製程，其玻璃轉換溫度需高於600℃，在其他實施例中，離型層110的材料所需的玻璃轉換溫度可視製程的溫度需求而異，不以此為限制。

再來，請參閱圖1B，形成一緩衝層120於離型層110上(步驟13)。在本實施例中，緩衝層120具有較高的親水性，可讓後續形成在緩衝層120上方的材料能夠更平整地形成在硬質基板30與離型層110上，緩衝層120之材料可為氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其組合(SiOx/SiNx)等，但緩衝層120的材料並不以此為限制。

接著，請參閱圖1C，形成一電子元件130於緩衝層120上(步驟14)。在本實施例中，電子元件130包括多個薄膜電晶體或多個觸控元件等，但電子元件130的種類不以此為限制。

再來，藉由離型層110將緩衝層120以及電子元件130自硬質基板30上分離(步驟15)。在本實施例中，離型層110可剝離於硬質基板30，以使緩衝層120以及電子元件130自硬質基板30上分離。本實施例之緩衝層120在離形的過程中，可用來當作電子元件130的暫時支撐層，以使電子元件130能夠完整地脫離於硬質基板30。此外，在圖1D中，剝離硬質基板30後，緩衝層120上的離型層110仍相當地完整，但在其他實施例中，離型層110亦可能會不均勻地分布於緩衝層120上。也就是說，離型層110可以有一部分殘留於硬質基板30上而另一部分隨著緩衝層120自硬質基板30上分離，甚至還有一部分的離型層110可能會剝落。

再來，請參閱圖1E，將一第一可撓式基板140形成緩衝層120以及電子元件130上，其中緩衝層120位於電子元件130與第一可撓式基板140之間(步驟16)。第一可撓式基板140可為一超薄玻璃、一塑膠膜或一不銹鋼層等，其中塑膠膜例如是聚亞醯胺(PI)、乙烯對苯二甲酸酯(PET)，聚乙烯(PEN)或聚碳酸酯(PC)等的材料，但第一可撓式基板140的種類不以此為限制。

在本實施例中，第一可撓式基板140形成在離型層110、緩衝層120以及電子元件130的下方，離型層110位於第一可撓式基板140與緩衝層120之間。但在其他實施例中，製造者也可以將離型層110去除於緩衝層120之後，再將第一可撓式基板140形成緩衝層120以及電子元件130的下方，以使第一可撓式基板140直接與緩衝層120接觸。

此外，在本實施例中，藉由塗佈一塑膠溶液於緩衝層120之遠離電子元件130的一側，並固化塑膠溶液以形成第一可撓式基板140，而完成可撓式元件100的製備。在其他實施例中，第一可撓式基板140亦可以黏合的方式形成緩衝層120以及電子元件130上，第一可撓式基板140的形成方式不以上述為限制。

如圖1E所示，本實施例之可撓式元件100包括一第一可撓式基板140、一離型層110、一緩衝層120及一電子元件130。在本實施例中，緩衝層120配置於第一可撓式基板140上方，且離型層110均勻地分布於第一可撓式基板140與緩衝層120之間，電子元件130配置於緩衝層120上。但在其他實施例中，由於離型層110與硬質基板30分離時，可能會有部分殘留在硬質基板30上，因此，離型層110亦有可能是不均勻地分布於第一可撓式基板140與緩衝層120之間，甚至製造者亦可以事先將離型層110自緩衝層120上去除，而使得後續形成的第一可撓式基板140直接與緩衝層120接觸。

若要製作顯示面板，在將第一可撓式基板140上形成緩衝層120以及電子元件130之後，請參閱圖1F，可以進一步地形成一顯示元件150至電子元件130上(步驟17)以形成一可撓式顯示面板100’。顯示元件150可包括有機發光二極體(Organic light emitting diode,OLED)、電泳顯示器(Eletrophoretic Display,EPD)、電濕潤顯示器(Electrowetting Display,EWD)或液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)等，但顯示元件150的種類不以此為限制。

整體而言，本實施例之可撓式元件的製造方法包括至少以下步驟。利用可耐高溫的硬質基板30作為支撐的基板，先在硬質基板30上形成離型層110，在離型層110上形成緩衝層120，且在緩衝層120上完成高溫的電子元件130的製備之後，透過離型層110輕易地將緩衝層120與電子元件130脫離於硬質基板30，其後將可撓式基板140配置於緩衝層120與電子元件130上，以製作出可撓式元件100。由於第一可撓式基板140的玻璃轉換溫度低於電子元件130的製程溫度，在本實施例中，第一可撓式基板140在電子元件130之後才形成於緩衝層120與電子元件130上，可避免不耐高溫的第一可撓式基板140在進行電子元件130的高溫製程時發生熔化的狀況。

圖2A至圖2I是依照本發明的另一實施例的一種可撓式元件的製造方法的流程示意圖。圖2J是圖2A至圖2I之可撓式元件的製造方法的步驟示意圖。本實施例之可撓式元件的製造方法20包括下列步驟。請參閱圖2A，提供一硬質基板30(步驟21)，且形成一離型層210於硬質基板30上(步驟22)。在本實施例中，硬質基板30的表面32包括一第一區34及一第二區36。離型層210覆蓋硬質基板30的第一區34，也就是指硬質基板30的表面32的中央區域。

接著，請參閱圖2B，形成一緩衝層220於離型層210上(步驟23)。在本實施例中，緩衝層220覆蓋於位在第一區34上的離型層210，並且延伸至表面32的第二區36以覆蓋於硬質基板30。在本實施例中，第二區36為在表面32上之第一區34以外的部位。如圖2B所示，第二區36位於第一區34的周圍。緩衝層220在第二區36的厚度可選擇性地接近於第一區34中緩衝層220的厚度加上離型層210的厚度，以使緩衝層220在遠離硬質基板30的表面能夠齊平。

再來，請參閱圖2C，形成電子元件230於緩衝層220上(步驟24)。接著，請參閱圖2D，切除硬質基板30的第二區36、位於第二區36的部分緩衝層220以及部分電子元件230(步驟25)。在本實施例中，由於電子元件230形成在整個緩衝層220上，因此在進行切除的動作的時候，會切除到電子元件230落在第二區36的一部分。但在其他實施例中，電子元件230亦可只形成於第一區34內，如此一來，此在進行切除的動作的時候，便只會切除到硬質基板30的第二區36以及位於第二區36的部分緩衝層 220。

在進行上述的切除動作之後，如圖2E所示，硬質基板30將只剩下第一區34並且緩衝層220與硬質基板30之間會存在有離型層210。若要製作顯示面板，則接著，請參閱圖2F，將顯示元件250形成於電子元件230上(步驟26)。再來，如圖2G所示，配置一可撓式基板260於顯示元件250之遠離電子元件230的一側(步驟27)，以保護顯示元件250，其中可撓式基板260可為一超薄玻璃或一透明塑膠膜，但可撓式基板260的種類不以此為限制。在本實施例中，可撓式基板260配置於顯示元件250的方式是藉由先塗佈一膠層255於顯示元件250之遠離電子元件230的一側，再將可撓式基板260透過膠層255貼附至顯示元件250。當然，在其他實施例中，亦可直接在顯示元件250上塗佈塑膠溶液並且對其進行固化的動作，而形成可撓式基板260。

接著，如圖2H所示，藉由離型層210將緩衝層220以及電子元件230自硬質基板30上分離(步驟28)。最後，如圖2I所示，將另一可撓式基板240形成於緩衝層220以及電子元件230上，以完成可撓式元件200(步驟29)，本實施例之可撓式元件200為可撓式顯示面板，但可撓式元件200的種類不以此為限制。在本實施例中，離型層210位於可撓式基板240以及緩衝層220之間。製造者亦可先將離型層210自緩衝層220上去除之後，再將第一可撓式基板240形成於緩衝層220以及電子元件230上。

此外，在本實施例中，將可撓式基板240形成於緩衝層 220以及電子元件230上的方式是先塗佈一膠層235於緩衝層220之遠離電子元件230的一側，再將可撓式基板240透過膠層235貼附至離型層210。在其他實施例中，可撓式元件200亦可省去配置可撓式基板260的步驟，也就是說，省去步驟27，在步驟26之後直接進行步驟28。

值得一提的是，在本實施例中，是先在電子元件230上製作顯示元件250與可撓式基板260之後，再進行離型的步驟。在其他實施例中，由於高溫製程已在形成電子元件230時完成，因此，在切除硬質基板30的第二區36、位於第二區36的部分緩衝層220以及部分電子元件230(步驟25)之後，亦可也先進行如步驟28的動作，也就是說，先將緩衝層220與電子元件230藉由離型層210而自硬質基板30上分離。之後，再進行步驟26，將可撓式基板240形成於緩衝層220以及電子元件230上。接著，再進行步驟27，在電子元件230上形成顯示元件250以及可撓式基板260。當然，可撓式元件200的製作順序並不以上述為限制，只要可撓式基板240在電子元件230的高溫製程完成之後再形成於緩衝層220與電子元件230上即可。

綜上所述，本發明之可撓式元件及其製造方法，利用可耐高溫的硬質基板作為支撐的基板，先在硬質基板上形成離型層，在離型層上形成緩衝層，且在緩衝層上完成高溫的電子元件的製備之後，透過離型層可輕易地將緩衝層與電子元件脫離於硬質基板，其後將可撓式基板配置於緩衝層與電子元件上，以製作出可撓式元件。由於可撓式基板在電子元件之後才形成於緩衝層與電子元件上，可避免不耐高溫的可撓式基板在電子元件的高溫製程時發生熔化或是變質的狀況。

100‧‧‧可撓式元件

110‧‧‧離型層

120‧‧‧緩衝層

130‧‧‧電子元件

140‧‧‧第一可撓式基板

Claims

一種可撓式元件的製造方法，包括：提供一硬質基板；形成一離型層於該硬質基板上；形成一緩衝層於該離型層上；形成一電子元件於該緩衝層上；藉由該離型層將該緩衝層以及該電子元件自該硬質基板上分離；以及將一第一可撓式基板形成該緩衝層以及該電子元件上，其中該緩衝層位於該電子元件與該第一可撓式基板之間。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中形成該離型層於該硬質基板上的方法包括使該離型層覆蓋該硬質基板的一表面。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中形成該離型層於該硬質基板上的方法包括使該離型層覆蓋該硬質基板的一表面的一第一區。
如申請專利範圍第3項所述的可撓式元件的製造方法，其中形成該緩衝層的方法包括使該緩衝層覆蓋於位在該第一區的該離型層，並且延伸至該表面的一第二區以覆蓋於該硬質基板。
如申請專利範圍第4項所述的可撓式元件的製造方法，其中藉由該離型層將該緩衝層以及該電子元件自該硬質基板上分離之前，更進一步切除該硬質基板的該第二區以及位於該第二區的該緩衝層。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中將該第一可撓式基板形成該緩衝層以及該電子元件上的方法包括：塗佈一膠層於該緩衝層之遠離該電子元件的一側；以及貼附該第一可撓式基板至該膠層。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中將該第一可撓式基板形成該緩衝層以及該電子元件上的方法包括：塗佈一塑膠溶液於該緩衝層之遠離該電子元件的一側；以及固化該塑膠溶液以形成該第一可撓式基板。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，更包括在將該第一可撓式基板形成該緩衝層以及該電子元件上之後，形成一顯示元件至該電子元件上。
如申請專利範圍第8項所述的可撓式元件的製造方法，更包括：配置一第二可撓式基板於該顯示層之遠離該電子元件的一側。
如申請專利範圍第8項所述的可撓式元件的製造方法，其中該顯示層包括有機發光二極體(Organic light emitting diode,OLED)、電泳顯示器(Eletrophoretic Display,EPD)、電濕潤顯示器(Electrowetting Display,EWD)或液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該離型層的材料包括片狀六方結構的無機材料。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該離型層的材料包括硫化鎘微奈米材料、氫氧化鎂奈米材料、片狀六方結構銀、氮化硼、雲母或滑石。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該電子元件包括多個薄膜電晶體或多個觸控元件。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該離型層以塗佈或是噴灑的方式形成於該硬質基板上。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該離型層的材料的玻璃轉換溫度高於600℃。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該緩衝層包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其組合。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該第一可撓式基板包括一超薄玻璃、一塑膠膜或一不銹鋼層。
如申請專利範圍第17項所述的可撓式元件的製造方法，其中該塑膠膜包括聚亞醯胺(PI)、乙烯對苯二甲酸酯(PET)，聚乙烯(PEN)或聚碳酸酯(PC)。
如申請專利範圍第1項所述的可撓式元件的製造方法，其中該硬質基板為一玻璃基板、一陶瓷基板或一不銹鋼鋼板。
一種可撓式元件，包括：一第一可撓式基板；一緩衝層，配置於該第一可撓式基板上；以及一電子元件，配置於該緩衝層上。
如申請專利範圍第20項所述的可撓式元件，更包括一離型層，位於該第一可撓式基板與該緩衝層之間，該離型層的材料包括片狀六方結構的無機材料。
如申請專利範圍第21項所述的可撓式元件，其中該離型層不均勻地分布於該第一可撓式基板與該緩衝層之間。
如申請專利範圍第21項所述的可撓式元件，其中該離型層的材料包括硫化鎘微奈米材料、氫氧化鎂奈米材料、片狀六方結構銀銀、氮化硼、雲母或滑石。
如申請專利範圍第21項所述的可撓式元件，其中該離型層的材料的玻璃轉換溫度高於600℃。
如申請專利範圍第20項所述的可撓式元件，其中該緩衝層包括氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)或其組合。
如申請專利範圍第20項所述的可撓式元件，更包括一顯示元件，配置於該電子元件上。
如申請專利範圍第26項所述的可撓式元件，更包括：一第二可撓式基板，配置於該顯示元件上。
如申請專利範圍第20項所述的可撓式元件，更包括一膠層，配置於該第一可撓式基板與該緩衝層之間。
如申請專利範圍第20項所述的可撓式元件，其中該電子元件包括多個薄膜電晶體或是多個觸控元件。
如申請專利範圍第20項所述的可撓式元件，其中該顯示元件包括有機發光二極體(Organic light emitting diode,OLED)、電泳顯示器(Eletrophoretic Display,EPD)、電濕潤顯示器(Electrowetting Display,EWD)或液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)。
如申請專利範圍第20項所述的可撓式元件，其中該第一可撓式基板包括一超薄玻璃、一塑膠膜或一不銹鋼層。
如申請專利範圍第31項所述的可撓式元件，其中該塑膠膜包括聚亞醯胺(PI)、乙烯對苯二甲酸酯(PET)，聚乙烯(PEN)或聚碳酸酯(PC)。