TWI597874B - 經塗覆物件及／或具有光學外部耦合層堆疊（ｏｃｌｓ）之裝置及／或其等之製造方法 - Google Patents

經塗覆物件及／或具有光學外部耦合層堆疊（ｏｃｌｓ）之裝置及／或其等之製造方法 Download PDF

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Description

經塗覆物件及/或具有光學外部耦合層堆疊(OCLS)之裝置及/或其等之 製造方法
某些例示實施例係有關於經塗覆物件及/或具有光學外部耦合層堆疊(OCLS)之裝置及/或其等之製造方法。更特別地，某些例示實施例係有關於含有助於降低OLED及/或其它裝置內之波導模式之似米氏(Mie-like)“軟性”散射體之外部耦合層堆疊，含有其等之裝置，及/或如上之方法。
背景及某些例示實施例之概要
一有機發光二極體(OLED)係其中發射電致發光層係回應一電流而發光之一有機化合物膜之一發光二極體(LED)。於某些情況，此有機半導體材料層係位於二電極之間。一般，例如，此等電極之至少一者係透明。OLED(以聚合物及/或可蒸發之小分子為主)有時係用於電視螢幕；電腦顯示器；小或可攜式系統螢幕，諸如，於行動電話及PDA中發現者；及/或相似者。OLED有時亦可用於空間照明及大面積發光元件之光源。OLED裝置係描述於，例如，美國 專利第7,663,311；7,663,312；7,662,663；7,659,661；7,629,741；及7,601,436號案，其等之每一者的完整內容在此併入本案以為參考資料。
一典型OLED包含二有機層-即，電子及電洞傳輸層-其等係被埋置於二電極之間。上電極典型上係具有高反射性之一金屬鏡。陽極典型上係一透明導電層，其係藉由一玻璃基材支撐。上電極一般係陰極，且下電極一般係陽極。氧化銦錫(ITO)通常係用於陽極。
圖1係一OLED之例示截面圖。玻璃基材102支撐一透明陽極層104。於某些情況，電洞傳輸層106可為一以碳奈米管(CNT)為主之層，但其係以適當摻雜劑摻雜。傳統電子傳輸及發射層與陰極層108及110亦可被提供。
當一電壓施加至電極，於電場影響下，電荷開始於此裝置移動。電子離開陰極，且電洞自陽極以相反方向移動。此等電荷之重組導致具有以發射分子之LUMO與HOMO能階間之能量間隙(E=hν)提供之頻率的光子，意指施加至電極之電力被轉換成光。不同材料及/或摻雜物可用以產生不同顏色，且此等顏色可被組合達成另外顏色。
此技術具有諸如大視角、快速回應時間、高對比，及朗伯(Lambertian)分佈之所欲特性。
雖然對於發射層及電荷載體層之電子品質已取得顯著進步，一重大部份之發射光係由玻璃上之ITO塗層及底下之玻璃基材所捕集，例如，藉由干擾效應促進之波導模式。因為此無效率，一些此等裝置係以比正常所需者更 高之電流密度驅動。此不幸地對其壽命具負面影響。即使於此等非公稱驅動條件下，OLED之發光效率會明顯低於螢光燈者。
所欲地係改良OLED裝置之光輸出，例如，經由一光外部耦合策略。如此可改良此裝置之壽命及/或整體發光效率。已提出數種改良光效率之技術，但此等方法不幸地無法符合實際製造需求。
如上所暗指，已有數種用以改良光萃取效率之技術的努力。例如，已努力藉由使微折射或繞射結構(例如，微透鏡或角錐物之陣列、散射層等)添加至基材表面而增加從基材至空氣內之萃取。依OLED堆疊之反射率而定，從基材至空氣內之萃取可以相當量增加，典型上係最高達30%。但是，不幸地，此等結構極易碎裂。
另一努力係有關於單色發光裝置。於此等裝置，發射至基材內之光線的角度分佈係依OLED堆疊之層厚度而定(例如，由於微腔效應)。藉由適當設計，基材逃逸錐內之光線量可被增加且最高達40%之外部效率可於設計波長達成。
另一方式係涉及藉由使有序或無規之散射結構引入OLED堆疊內而利用表示約50%之產生光子之”有機模式”。但是，以對於電性能之可能負面影響而言具有缺點，因為陽極會係粗糙，且對裝置性能不利之局部化電流熱點會發展出。
持續性之挑戰包含努力使玻璃基材與有機層之 折射率相配，使得有機模式變成基材模式。萃取於基材內之光線量確實可以2-3之因子增加，至少理論上。
只要OLED具有一高反射性陰極且係足夠厚，80%之於OLED內產生之光子可被萃取至一高指數基材內。但是，留下問題仍係此光線外部耦合至空氣內，而未回到上述策略之一。
圖2顯示與一OLED裝置之示意圖有關之不同主要光模式。可見到，主要模式包含於空氣模式之光(A)、於玻璃模式之光(B)，捕集於有機層及/或ITO內之光。會瞭解若玻璃較厚及/或更具吸收性，會有更多“B-模式”。注意於陰極亦具有與電漿子損失有關之另一組件，即使於圖2示意圖未描述。
基於前述，會瞭解於此項技藝需要改良OLED裝置之發光效率之技術。
某些例示實施例之一方面係有關於在一基材(例如，於一玻璃基材)上之一光外部耦合層堆疊(OCLS)，其係為了降低波導模式。
某些例示實施例之另一方面係有關於在OLED達成較高發光效率之可擴展技術。
某些例示實施例係有關於提供一種製造電子裝置之方法。一光學外部耦合層堆疊(OCLS)係直接或間接置於一基材上。一包含一透明導電塗層(TCC)(例如，一透明導電氧化物或或TCO)之層係直接或間接置於OCLS上。一 或多個發光層係直接或間接置於包含TCC之層上。一包含導電材料之層係直接或間接置於此一或多個發光層上。OCLS包含一含有一有機金屬螯合物混雜材料之等向性層基質，及一含有經分散之散射體的基質芯材。OCLS具有至少約1.8之折射率。經分散之散射體具有大於1之似米氏散射效率，導致大於1之與OCLS的外部耦合效率相配之指數。
某些例示實施例係有關於一種提供一種製造包含有機發光二極體(OLED)之裝置的方法。一包含一透明導電塗層(TCC)之層係直接或間接置於一玻璃基材上。第一及第二有機層係直接或間接置於包含TCC之層上。一包含一導電材料之層係直接或間接置於此一或多個發光層上，且包含導電材料之層係反射性。一光學外部耦合層堆疊(OCLS)係直接或間接置於基材上，且OCLS包含一等向性層基質，其含有一其內分散有散射體之有機金屬螯合物混雜基質。OCLS之相對折射率m、散射體之尺寸r，及散射體之濃度(1/s3)被選擇，以便使自此裝置外部耦合之總整合光增加至此裝置之總外部耦合效率係大於未提供OCLS者之量。
某些例示實施例係有關於提供一包含有機發光二極體(OLED)之裝置。提供一玻璃基材。一包含一透明導電塗層(TCC)之層係藉由此基材支撐。第一及第二有機層係藉由含有TCC之層支撐。一反射導電層係藉由第一及第二有機層支撐。一外部耦合層堆疊(OCLS)係置於有機層與此裝置之一觀察器之間。OCLS包含一混雜有機-無機聚合物基質，其具有以使得每一散射體係位於其最近相鄰物之遠 場的方式分散於各處之散射體。散射體係相對於彼此而定尺寸、形狀，及位置，以便(a)具有一高ξ電位，及(b)促進通過OCLS之光的似米氏散射。
此等及其它之實施例、特徵、方面，及優點可以任何適合組合或次組合而組合產生另外實施例。
102‧‧‧玻璃基材
104‧‧‧透明陽極層
106‧‧‧電洞傳輸層
108‧‧‧電子傳輸
110‧‧‧發射層與陰極層
602‧‧‧入口
604‧‧‧腔室
606‧‧‧狹縫
608‧‧‧半月形
610‧‧‧狹縫出口
802a‧‧‧基質部份
802b‧‧‧平面化劑部份
此等及其它之特徵及優點參考結合圖式之下列例示說明實施例之詳細說明會更佳且更完全地瞭解，其中：圖1係一OLED之一例示截面圖；圖2顯示連同一OLED裝置之示意圖之不同主要光模式；圖3顯示為波長及入射角之函數的某些例示實施例之指數相配層基質之效率；圖4a及4b係圖示具有不同間距(inter-distance)間隔及不同ξ電位之單分散的散射體；圖5a係描繪與某些例示實施例有關之一散射體之散射效率的圖；圖5b顯示與某些例示實施例有關之於不同散射角之在圖上半部之Γ(θ)及在圖下半部之Γ(Φ)的半角分佈；圖6係依據某些例示實施例以散射體分配一基質的一狹縫式半月形塗覆機的示意圖；圖7係欲被解決之光補集問題之圖示配方；圖8係依據某些例示實施例之一OLED裝置之示 意截面圖；圖9係圖8範例所示之OCLS系統之放大圖；圖10係顯示不同散射體密度之為波長的函數之於一半球上整合之理論發光效率的圖；且圖11係描繪二例示PLED裝置之實際發射光譜之圖。
某些例示實施例之詳細說明
一顯著量之來自一有機發光二極體(OLED)之發射光會因數層及界面(例如，發光-陽極、陽極-玻璃，及玻璃-空氣之界面)內之總內部反射(TIR)而被捕集。已觀察到僅約50%之發射光進入玻璃基材內，且被捕集者係被吸收於陽極/有機層/陰極層堆疊內。某些例示實施例係以幫助改良光之前向散射的方式，使一指數相配層與玻璃之一或二側上之一總內部反射(TIR)阻撓介質組合而增加光萃取效率。例如，一現行OLED結構之模型係以Mie-Lorenz理論為基準而發展出，以此模型為基礎，可藉由解出S矩陣而模擬前向Mie散射及使其最佳化。只要陰極係完全反射體，若散射體半徑、散射體指數分佈、基質與散射體間之折射率比率，及散射體濃度被小心選擇，幾乎100%之被TIR捕集的光可被萃取。光萃取係藉由方程式Γo/Γi=ηimL X ηs定義。某些例示實施例利用此方式且包含一OCLS層堆疊系統。數據被提供以支持高指數基質內之球形散射體情況之有利作用。雖然某些例示實施例可與固態光源相關而使用，此處 所述之例示方式可此外或另外用於一特定立體角之分佈光源之光萃取係需要或所欲之其它應用。
如上所示，某些例示實施例助於改良OLED裝置之發光效率，例如，經由一光學外部耦合層堆疊(OCLS)系統。一OCLS可助於在玻璃及ITO/有機堆疊(及/或聚合物LED堆疊)間提供一指數相配層，例如，另外耦合於玻璃內之光。藉由OCLS造成之似米氏散射可助於阻撓玻璃內之波導模式，例如，藉由破壞同相同調(in-phase coherence)。以一相關方式，似米氏前向散射會增加，即使以降低之光譜分散。
例如，Γi(Ω,k)可定義為入射至玻璃表面之光子通量，且Γo(Ω,k)可定義為空氣中之輸出通量，其中，符號Ω及k個別係立體角及波向量。此比率現係以因子ηiml x ηs(Ω,k)增加，其中，η係OCLS基質/相鄰平面化劑(planarizer)之指數相配效率，且其中，ηs係散射效率。總通量輸出可藉由記算整個相空間之雙積分ʃʃ Γi(Ω,k)ηiml x ηs(Ω,k)d Ω dk而算得。但是，以此模式為基礎，可看到需要條件係ηiml X ηs之積>1。下述之某些例示實施例證實此方式如何被實施。
OCLS於某些例示實施例可為一多層系統，且其功能性至少部份係以其各種組件如何最佳化以便達成所欲性能為基礎。於某些例示實施例，OCLS可包含一厚等向性層基質，具有包含經分散之球形散射體之一基質層芯材，及一選擇性之平面化層。此等組件之每一者於下更詳細探 討。
如上所示，OCLS可包含，例如，位於玻璃與陽極間之一厚等向性層基質。此層可包含具有高折射率，較佳係大於1.7，更佳係1.8-1.9，且於某些情況可更高之一有機金屬螯合物混雜物。吸收係數於某些情況可為接近0。基質層之化學係於，例如，美國公開第2012/0088319號案中說明，其全部內容在此併入本案以為參考資料。
如‘319號案公開案所述，某些例示實施例可包含以聚合型二氧化鈦為主之混雜塗覆系統及/或以聚合型氧化鋯為主之系統。有機-無機混雜聚合物溶液係藉由先使烷氧化鈦與一螯合劑反應使高反應性四配位體鈦物種轉化成較不具反應性之六配位體物種而製備。然後，其它所欲聚合物組份可添加至經穩定化之含鈦溶液，且充分混合。由於穩定化，混雜聚合物溶液於室溫可穩定最高達6個月，於顏色及黏度係具有可忽視之變化。混雜聚合物溶液可經旋塗或垂直狹縫式塗覆至基材上至一所欲厚度。
一富二氧化鈦膜係藉由於少於約250℃之高溫使混雜塗層熱分解而產生。形成之經乾燥的膜可製成薄到0.2um且最高達約4um或更多。當固化溫度係300℃或更高時，此等膜於整個可見區域可具有良好透明性，且具有高達約1.90或更高之折射率。厚度超過300nm之無裂紋膜係以單塗覆塗敷獲得。多重塗覆可應用以獲得一較厚的膜，且由SEM截面影像，於二連續塗層間未見到明顯界面。混雜高折射率膜於機械性上係堅固，曝露於熱及紫外線輻射係穩 定，且可應用於廣泛之各種不同光學應用。材料係與半導性材料相容。
於某些例示實施例，有機-無機混雜聚合物可被引入一可層合介質內，諸如，乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)、聚矽氧、聚芳醯胺等。然後，此能使用真空結合或除氣，有時不使用高壓釜。
選擇之有機聚合物含有數個羥基官能性。其等亦係選擇以容許聚合物及二氧化鈦相間之主要或次要化學健結，以增強相相容性及高分散度。如其等之高透明及折射率分散曲線證實，螯合之聚(二丁基鈦酸鹽)聚合物及有機聚合物可於溶液及於固化膜以所有或實質上所有比例相容。典型上，對於0.4um之厚度，高達1.9或更高之指數係於550nm獲得。當沉積於任何無機發光二極體上時，即使薄到0.4微米之膜典型上係以70%之增量範圍顯著地戲劇性改良來自高折射率材料之光外部耦合。
提供一以無機為主之先質。於某些例示實施例，以無機為主之先質可為一以鈦為主之先質，諸如，烷氧化鈦，以鈦為土之磷酸鹽錯合物等。以無機為主之先質可直接或間接沉積於欲被塗覆之裝置及/或基材上。例如，於某些例示實施例，一以烷氧化鈦為主之先質可經由原子層沉積(ALD)沉積，一以鈦為主之磷酸鹽層可被印刷等。當然，會瞭解於某些例示實施例，其它高指數無機材料可用以替代此鈦，或除此鈦外另被使用。
螯合物可被使用，且一有機組份可與選擇性之添 加劑一起添加。某些例示例示之螯合物可為水楊酸。某些例示實施例之有機組份可為一樹脂、聚矽氧、聚醯亞胺、聚醯胺等。選擇性之添加劑亦可被引入。例如，其它無機材料(例如，替代以鈦為主之先質，或另外地)可被引入以調整折射率。事實上，折射率可藉由選擇包含氧化鋯、二氧化矽及/或矽酸鹽等向上或向下調整。光散射元件及/或散熱元件亦可被引入。作為光散射劑及散熱劑之一例示材料係氮化硼。於某些例示實施例，亦可包含塑化劑。
經螯合之以鈦為主之先質及有機組份可交聯產生一有機-無機混雜溶液。於一範例，烷氧化鈦可與一螯合劑反應，使四配位Ti物種轉化成較不具反應性之六配位物種，例如，產生經螯合之聚(二丁基鈦酸鹽)。當然，於本發明不同實施例，其它鈦酸鹽可被產生及/或使用。混雜聚合物於某些例示例子可藉由使經螯合之聚(二丁基鈦酸鹽)與一含有羥基之有機樹脂混合在一起而造成。於某些例示實施例，有機及無機組份可以等重量百分率提供。於某些例示實施例，有機及無機組份可以60/40重量比率提供。當然，於本發明之不同實施例，其它比率及/或百分率係可能。
混雜溶液於某些例示實施例可為完全液態。於此一情況，混雜溶液可經濕式塗敷、垂直狹縫式半月形塗覆，或其它方式提供一所欲厚度。例示之塗覆技術係描述於，例如，美國專利第6,383,571號案，其全部內容在此併入本案以為參考資料。但是，於某些例示實施例，所欲地可提供，例如，可被擠塑之一更具黏性的混雜層合物(例如，包 含於一有機結合劑內之無機及/或其它材料，諸如，EVA、聚矽氧、聚芳醯胺等)。一更具黏性之混雜層合物以“更澄清”或“較不污穢”之應用而言係有利。
經塗覆混雜聚合物或層合物可被乾燥及/或固化。乾燥及/或固化可肋於移除溶劑及水，於某些例示實施例，留下比有機材料更多之無機材料。乾燥可發生於少於約250℃之第一升高溫度，而固化可發生於大於或等於約300℃之第二升高溫度。某些例示實施例可包含於此等及/或任何其它適合溫度之乾燥及固化之一或二者。
因此，綜述此等例示基本配製，交聯，及固化步驟，會瞭解一經螯合之以Ti為主之先質與一樹脂結合劑接觸；樹脂結合劑及經交聯之以Ti為主之先質交聯；溶劑經由一加熱方法蒸發；且經固化之膜與一基材(例如，一膜、硬表面、玻璃等)附著。如此，(a)有機-無機混雜溶液係塗敷於在至少一LED上之基材上，或(b)有機-無機混雜溶液被引入一載體介質內，然後，載體介質擠塑於至少一LED上之基材上。有機-無機混雜溶液係於一旦置於基材(例如，形成塗層)時固化。
基質之流變性質較佳係使得其可藉由區域鑄製或狹縫半月形塗覆分配於大面積玻璃上且，例如，藉由曝露於熱及/或紫外線快速固化。固化時，可助於使陽極(例如，包含ITO)及發光(例如，有機)層有效地指數相配。於某些情況，此部份之OCLS厚度可為10-100um。此層之平滑性較佳係於玻璃平滑性等級，且具有少於或等於1.0nm且 更佳係少於或等於約0.5nm之RMS粗糙度。
基質實施路徑之一係使用添加鈦、鉿，及/或鋯氧簇團之玻璃質聚合物單體，當單體之聚合化係於，例如，10-30重量%之Zr4O2(OMc)12存在中進行，產生具有高撓曲強度及與玻璃基材格外良好黏著性之一澄清且高指數之膜。使用適當界面活性劑及耦合劑可助於狹縫式分配之均勻性。Ti16O16(OEt)32簇團之有機表面可藉由醇解選擇性改質。此產生新的官能性簇團，Ti16O16(OEt)32-x(OR)x，其中，R可為甲基丙烯酸酯或苯乙烯，且x係經改質之烷氧基的數量，範圍係從4至16，其係依，例如，pH而定。
形成之基質因此結合聚合物之優點(例如，加工性、撓曲強度等)及無機建構組元之優點(諸如，過渡生物鹼(transition alkaloid)情況之高折射率，及化學惰性、熱及環境穩定性等)。單獨之指數相配層(imL)對於接近0之入射角具有良好外部耦合效率，且亦係依角度而定。
圖3顯示某些例示實施例之imL基質之效率，其係波長及入射角的函數。於500nm為1.9之折射率及金屬有機聚合物典型之分散被用以產生圖3之數據，例如，依據‘319公開案。
基質層芯材包含一般為球形之散射體，其較佳係以不會叢集在一起之方法分配。使用之散射體膠體之ξ電位為了系統之良好穩定性較佳係高，且有時甚至大於70mV。如所知，ξ電位係指膠體系統之電動力學電位。ξ電位係分散介質及與分散顆粒附接之靜流體層間之電位差。 熟習此項技藝者一般認為25mV之值作為使低電荷表面與高電荷表面分離之值。注意ξ電位值有時係與膠體分散穩定性有關，例如，諸如高數值指示較大穩定性等。此等數值亦助於確保散射體填充密度係於使得球體係以約3個球直徑(或6r)之顆粒間距離單分散之數值範圍。若此條件符合，則其分離係足夠大，使得次要波對激發每一顆粒之場的貢獻係遠小於外場(external field)。
因此，總散射場可藉由個別獨立之散射體產生之散射場總和約略計算。此方法稱為單一散射過程。於此方法，每一散射體較佳係位於其最近相鄰物之遠場，且較佳係不具有系統相關係。一例外係真正前向散射之情況，其一般皆係同調。於其它極端，當顆粒密度大時，則每一顆粒使已由其它顆粒散射之光線散射。此狀況產生擴散散射，此會具有大的反散射回應。擴散散射之情況可藉由對散射體密度設定為臨界極限而增強。因此，散射體可以使得其具有表面靜電荷之方式產生，且當置於經預固化之基質層時，助於使顆粒保持分開。散射體可由光學上軟性但低k值材料(例如，少於中間值之折射率，因此，係例如於1.3-1.7間之某處)製成，使得ns/nl=m之比率<1。但是，於其它例示實施例，可使用使得m1之值。
圖4a及4b示意地顯示具有不同間距間隔及具有不同ξ電位之單分散的散射體。於圖4a，間距係大於3d，此助於確保單一散射體。圖4a之ξ電位高，例如，於大於75mV之值。相反地，圖4b顯示於高指數等向性基質內之聚 結或簇集之散射體。圖4b之ξ電位低，例如，於約10mV。
圖5a係描繪與某些例示實施例有關之一散射體之散射效率圖。此圖係x=2πrm/λ之函數，其中，符號π、r，及λ係維持其等之平常意義，且其中，m係相對折射率比率(ns/nm)。於單一散射過程之方法，總散射函數係於一特定體積之所有散射的總和。圖5b顯示依據某些例示實施例，於不同散射角，於此圖上半部之Γ(θ)及於此圖下半部之Γ(Φ)半角分佈。二函數係以水平軸呈實質上對稱。因此，由圖5b可看出具有二半曲線，其等係散射分佈函數之(i)極極(上半部)及(ii)方位角(下半部)。會瞭解到圖(i)可藉由以此圖之x軸基本反射而以完整繪製，且相同應用於圖(ii)。因為每一半圖係以x軸呈實質上對稱，整個散射函數如何運作之方法被傳達。
圖6係依據某些例示實施例以散射體分配一基質之一狹縫式半月形塗覆機之示意圖。於圖6之實施例，塗覆機於基材600與其呈相對移動時係靜止，即使此需求於不同例示實施例並非皆係此情況(例如，塗覆機可於基材600係靜止時移動)。欲被塗覆之材料係於入口602處嵌入塗覆機內。於剩餘者於狹縫606持續向下時，過量之材料係至少暫時保留於一腔室604內。狹縫606之寬度h係助於形成鄰近狹縫出口610之半月形608。
當然，會瞭解較高或更低之分隔可於某些例示實施例提供。亦會瞭解散射體無需必要地為完全球形，且其它形狀(例如，眼狀球體、橢圓球體等)可於不同例示實施例 使用(且可能係“混合及相配”)。例如，由於其等之異向性，圓柱體亦可於某些情況使用且提供益處。
一選擇性之平面化層可外塗於經固化之基質及散射層上。此平面化層可包含以鋅為主螯合物(例如，包含ZnO之聚合物層)，且可助於自散射層留下之粗糙消除。此層可藉由一狹縫式半月形塗覆機分配，且藉由熱及/或紫外線固化。固化後，含有ZnO之聚合物層亦可助於作為置於其上之陽極的晶種。例如，此平面化層可作為藉由，例如，MSVD或其它適合方法沉積之一含有ITO之膜的晶種。平面化層因而可與ITO沉積及加工技術相容。
因此，會瞭解一透明導電氧化物(TCO)，諸如，ITO等，可直接或間接置於平面化層上。此TCO可助於確保最終之OLED堆疊係以一電光學上所欲之方式作用。但是，TCO層無需於所有例示實施例必需地被考量作為OCLS之一部份。
助於瞭解於OLED裝置之光捕集的一自然模型化方式係以光線追蹤技術為基礎。此等技術亦可用於散射矩陣之許多性質之模型化。但是，不幸地，光線追蹤係些微不利，因為易低估反散射。因此，某些例示實施例係有利地使用米氏散射模型。散射係數an、bn、cn及dn被計算，且散射矩陣被推算。然後，散射場之振幅可以入射場之函數推算：
振幅散射矩陣之元素一般係依散射角及方位角而定。斯托克士(Stokes)參數(一般係指描述電磁幅射之平面化狀態之數值組)被併入振幅散射矩陣，且按照van de Hulst(例如，於“Light Scattering by Small Particles,”Dover Books on Physics,1981)之程序可被依循。為了測試假設之正確性，多次散射之開始可對簡單球狀散射體推算，由Chandrasekhar描述之輻射轉移方法(例如，“Radiative Transfer,”Dover Books on Physics,2011)可被依循。
圖7係解決光捕集問題之一圖式配方。具有週期a=S之一週期性方格之直徑b=2R之介電桿之二維截面陣列顯示於圖7之配方。
再次參考圖5a，可看到於x等於約4時之散射效率之第一最大值。以4之x值且對於等於約0.45之m值，此係相對應於從約0.8-1.6微米之d值。現在，使用s係約3*d之條件，達成範圍係每立方微米從0.5至1個顆粒之數值密度，其係依填充密度而定。此等參數亦解釋為何散射層厚度係於至少10微米等級。
有效介質近似(EMA)係指以其組份之性質及相對分率為基礎描述一介質之巨觀性質的物理模型。下列方程式可助於以不同模式決定基質之有效介質似近(EMA)：對於具p極性化之其中於z方向無磁場之橫向磁模式(TMz模式)：
對於具有s極性化之其中於z方向不具磁場之橫向電模式(TEz模式)：
符號(例如，π及εeff)係採用其等之平常意義。此外，於如上之方程式：，ε 0=ε 2 f-ε 1(1-f)，且。
注意OCLS之折射率n可等於約ε之平方根。此指數於某些例示實施例可被分級，例如，以OCLS之厚度(或z軸)之函數。.分級可從接近n=2(例如，若陽極係具有或包含ITO)向著玻璃下降至約1.5。亦注意於某些例示實施例可使用金屬格柵替代ITO而用於陽極。例如，格柵可以一場矩陣電洞注射層塗覆，其後以EL層塗覆，且於此特殊情況，OCLS之指數可，例如，以z之函數從約1.88至玻璃之數值而分級。
於某些例示實施例，以直徑或各種分佈之主要距離而言，散射體於接近表面可變得更小。例如，尺寸分級可為從2微米平均直徑或主要距離至表面處之0.5微米且甚至係奈米等級。
圖8係依據某些例示實施例之一OLED裝置之示意截面圖，且圖9係圖8所示之OCLS系統之放大圖。如圖8-9所示，OCLS系統包含基質部份802a及平面化劑部份802b。OCLS系統係介於基材102與陽極104(例如，具有或包含ITO)之間。包含於基質部份802a之似米氏散射體助於降低總內 部反射量，否則會大部份地構成“失光”。各種不同層之例示厚度及平面化劑部份802b之粗糙度係如上所示。圖8之陰極110可為反射性，例如，助於降低TIR。於某些情況，陰極110之反射率係大於50%，更佳係大於75%，且更佳係大於80%。於某些情況，反射率可為85-90%，或甚至更高。
於某些例示實施例，散射層可替換地或另外地被置於玻璃之表面1上。如此於某些情況可增加外部耦合之可能性，同時助於減弱自OLED之反射。OCLS系統之耐刮擦。環境穩定性，及/或其它耐用性方面可被增加助其生存於可能更嚴苛環境。
圖10係顯示不同散射體密度之為波長的函數之於一半球上整合的理論發光效率之圖。由圖10之圖可看出，較高散射密度於所有波長係轉換成較高理論發光效率。
圖11之圖一般係確認更具理論性之圖10之圖。即，圖11係繪製二例示PLED裝置之實際發射光譜。圖11之下線表示缺乏一OCLS系統之一PLED裝置，而上線係相對應於具有一具有經平面化之一35微米厚的散射體層之OCLS系統之一PLED裝置。於後者之範例，陽極包含一包含ITO之層，其係藉由一包含氧化鋅之晶種層支撐，且包含ITO之層係經離子束蝕刻，例如，以改良其平滑性。使用之散射體係於一以Ti為主之螯合物內之光學上軟性之矽酸鹽。
由上所瞭解，於某些例示情境，指數相配外部耦合效率(>1)係以大於1之似米氏散射效率增進。含有散射體 之基質本身係一高指數無機螯合物。散射體被製備，例如，使得其包含一或多種材料。例如，於某些情況散射體可具有增加散射之一同心組成物。相對折射率m、尺寸r，及散射體濃度(1/s3)被選擇，使得其助於自此等裝置外部耦合之總整合光。
於某些例示實施例，OCLS系統可具有下列及/或其它有利特徵之一或多者：．誘發前向散射之能力；．改變光波導模式之能力；．促進似米氏散射之能力，藉此降低(且有時甚至去除)光譜分散；．具有可能吸濕劑之吸濕性散射體材料；．非集叢及非吸收性之散射體及基質；．與底下層(例如，ITO及發光有機層組成物)指數相配之平面化劑；及/或．與真空沉積及熱處理之相容性(包含典型上用於，例如，ITO沉積者)。
某些例示實施例可用於關於鈉鈣矽玻璃，及/或所謂之低鐵玻璃。例如，圖8之基材102，例如，可為一低鐵玻璃基材。低鐵玻璃係描述於，例如，美國專利第7,893,350；7,700,870；7,557,053；6,299,703；及5,030,594號案，及美國公開第2006/0169316；2006/0249199；2007/0215205；2009/0223252；2010/0122728；2010/0255980；及2011/0275506號案。此等文件之每一者的 全部內容在此併入本案以為參考資料。
雖然某些例示實施例已以與OLED及/或PLED相關作描述，但會瞭解此處所述技術可與其它型式之發光裝置(LED)相關而使用，包含，例如，無機發光二極體，及/或其它發光系統等。
於某些例示實施例，提供一種製造電子裝置之方法。一光學外部耦合層堆疊(OCLS)係直接或間接置於一基材上。一包含一透明導電塗層(TCC)之層係直接或間接置於OCLS上。一或多個發光層係直接或間接置於此包含TCC之層上。一包含導電材料之層係直接或間接置於此一或多個發光層上。OCLS包含一含有一有機金屬螯合物混雜材料之等向性層基質，及一含有經分散之散射體的基質芯材。OCLS具有至少約1.8之折射率。經分散之散射體具有大於1之似米氏散射效率，導致大於1之OCLS指數相配外部耦合效率。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，基質可包含添加氧簇團之一聚合型單體。
除前段落之特徵外，氧簇團可包含Ti、Hf及/或Zr氧簇團。
除前二段落之特徵外，於某些例示實施例，單體之聚合化可於10-30重量%之Zr4O2(OMc)12存在中實施。
除前四段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，基質可至少起始時具有一含有Ti16O16(OEt)32之有機表面，其係經由醇解改質及/或可經由醇解改質。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，醇解可產生包含Ti16O16(OEt)32-x(OR)x之新官能性簇團。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，R可為甲基丙烯酸酯或苯乙烯，且x可為經改質烷氧基之數量，x較佳係於4與16(包含)之間。
除前七段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，散射體可係一般為球形及/或一般為圓柱形。
除前八段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，散射體之填充密度可為使得散射體係以約3個直徑或主要距離之顆粒間距離單分散之數值範圍。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，每一散射體係位於其最近相鄰物之遠場，且除同調真正前向散射外，可無系統相關係。
除前二段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，OCLS之折射率可為1.8-1.9，且OCLS之吸收係數可為0或接近0。
除前11段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，電子裝置可為一包含有機發光二極體(OLED)之裝置，其中，此一或多個發光層可包含第一及第二有機層，且其中，包含導電材料之層可為反射性。
除前12段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，一平面化層可置於基質與包含TCC之層間。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，平面化層之RMS粗糙度可為少於1.0nm。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，平面化層可包含一以鋅為主之螯合物。
於某些例示實施例，提供一種製造包含有機發光二極體(OLED)之裝置的方法。一包含一透明導電塗層(TCC)之層係直接或間接置於一玻璃基材上。第一及第二有機層係直接或間接置於此包含TCC之層上。一包含一導電材料之層係直接或間接置於一或多個發光層上，此包含導電材料之層係反射性。一光學外部耦合層堆疊(OCLS)係直接或間接置於基材上，OCLS包含一等向性層基質，其係含有一具有分散於內之散射體的有機金屬螯合物混雜基質。OCLS之相對折射率m、散射體之尺寸r，及散射體之濃度(1/s3)係選擇用以使自此裝置外部耦合之總整合光增至此裝置之總外部耦合效率係大於未提供OCLS者之程度。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，基質可包含添加氧簇團之一聚合型單體。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，散射體可為一般為球形，且具有大於70mV之ζ電位。
除前三段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，散射體之填充密度可為使得散射體係以約3個直徑或主要距離之顆粒間距離單分散之數值範圍。
除前四段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，OCLS可位於基材之與第一及第二有機層相反之一表面上。
於某些例示實施例，提供一包含有機發光二極體 (OLED)之裝置。提供一玻璃基材。一包含一透明導電塗層(TCC)之層係藉由基材支撐。第一及第二有機層係藉由包含TCC之層支撐。一反射導電層係藉由第一及第二有機層支撐。一外部耦合層堆疊(OCLS)係介於有機層與此裝置之觀察器之間。OCLS包含一混雜有機-無機聚合物基質，其具有以使得每一散射體係位於其最近相鄰物之遠場的方式分散於各處之散射體，散射體係相對於彼此而定尺寸、形狀，及位置，以便(a)具有一高ζ電位，及(b)增強通過OCLS之光的似米酒氏散射。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，除同調真正前向散射外，有關於經分散之散射體可無或實質上無系統相關係。
除前二段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，基質可包含添加Ti、Hf及/或Zr氧簇團之一聚合型單體。
除前段落之特徵外，於某些例示實施例，OCLS之折射率可為1.8-1.9，且OCLS之吸收係數可為0或接近0。
除前四段落任一者之特徵外，於某些例示實施例，包含TCC之層可包含氧化錫，可設置為一陽極，且其中，反射性導電層可設置為一陰極。
於此處使用時，除非明確表示外，術語“上”、“支撐”等不應被解釋為二元件係彼此直接相鄰。換言之，即使其間具有一或多層，一第一層可被稱為於一第二層之“上”或以其“支撐”。
雖然本發明已關於現今認為最實際且較佳之實 施例作說明，但瞭解本發明不限於所揭露之實施例，相反地，係意欲函蓋包含於所附申請之精神及範圍內之各種修改及等化配置。
102‧‧‧玻璃基材
104‧‧‧透明陽極層
106‧‧‧電洞傳輸層
108‧‧‧電子傳輸
110‧‧‧發射層與陰極層
802a‧‧‧基質部份
802b‧‧‧平面化劑部份

Claims (25)

  1. 一種製造電子裝置之方法，該方法包含：使一光學外部耦合層堆疊(OCLS)直接或間接置於一基材上；使一包含一透明導電塗層(TCC)之層直接或間接置於該OCLS上；使一或多個發光層直接或間接置於包含該TCC之該層上；及使一包含導電材料之層直接或間接置於該一或多個發光層上，其中，該OCLS包含一含有一有機金屬螯合物混雜材料之等向性層基質(matrix)，及一含有經分散之散射體的基質芯材，其中，該OCLS具有至少約1.8之折射率，且其中，該經分散之散射體具有大於1之似米氏(Mie)散射效率，導致大於1之該OCLS的指數相配外部耦合效率。
  2. 如請求項1之方法，其中，該基質包含添加氧簇團(oxo-clusters)之一聚合型單體。
  3. 如請求項2之方法，其中，該氧簇團包含Ti、Hf及/或Zr氧簇團。
  4. 如請求項2至3中任一項之方法，其中，該單體之聚合化係於10-30重量%之Zr4O2(OMc)12存在下實施。
  5. 如請求項1之方法，其中，該基質至少起始時具有一含 有Ti16O16(OEt)32之有機表面，其係經由醇解改質及/或可經由醇解改質。
  6. 如請求項5之方法，其中，該醇解產生包含Ti16O16(OEt)32-x(OR)x之新官能性簇團。
  7. 如請求項6之方法，其中，R係甲基丙烯酸酯或苯乙烯，且x係經改質烷氧基之數量，x係於4與16(包含)之間。
  8. 如請求項1之方法，其中，該等散射體係一般為球形及/或一般為圓柱形。
  9. 如請求項1之方法，其中，該等散射體之填充密度係於使得該等散射體係以約3個直徑或主要距離之顆粒間距離單分散之數值範圍。
  10. 如請求項1之方法，其中，每一散射體係位於其最近相鄰物之遠場，且除同調真正前向散射外，可無系統相關係。
  11. 如請求項1之方法，其中，該OCLS之折射率係1.8-1.9，且該OCLS之吸收係數係0或接近0。
  12. 如請求項1之方法，其中，該電子裝置係一包含有機發光二極體(OLED)之裝置，其中，該一或多個發光層包含第一及第二有機層，且其中，包含導電材料之該層係反射性。
  13. 如請求項1之方法，進一步包含使一平面化層置於該基質與包含該TCC之該層間。
  14. 如請求項13之方法，其中，該平面化層之RMS粗糙度係少於1.0nm。
  15. 如請求項1至14中任一項之方法，其中，該平面化層包含一以鋅為主之螯合物。
  16. 一種製造包含有機發光二極體(OLED)之裝置的方法，該方法包含：使一包含一透明導電塗層(TCC)之層直接或間接置於一玻璃基材上；使第一及第二有機層直接或間接置於包含該TCC之該層上；使一包含一導電材料之層直接或間接置於一或多個發光層上，該包含導電材料之層係反射性；及使一光學外部耦合層堆疊(OCLS)直接或間接置於該基材上，該OCLS包含一等向性層基質，其係含有一具有分散於內之散射體的有機金屬螯合物混雜基質，其中，該OCLS之相對折射率m、該等散射體之尺寸r，及該等散射體之濃度(1/s3)係選擇來使自該裝置外部耦合之總整合光增至該裝置之總外部耦合效率係大於未提供OCLS者之程度。
  17. 如請求項16之方法，其中，該基質包含添加氧簇團之一聚合型單體。
  18. 如請求項16之方法，其中，該等散射體係一般為球形，且具有大於70mV之ζ電位。
  19. 如請求項16之方法，其中，該等散射體之填充密度係於使得該等散射體係以約3個直徑或主要距離之顆粒間距離單分散之數值範圍。
  20. 如請求項16之方法，其中，該OCLS係位於該基材之與該第一及第二有機層相反之一表面上。
  21. 一種包含有機發光二極體(OLED)之裝置，包含：一玻璃基材；一包含一透明導電塗層(TCC)之層，其係藉由該基材支撐；第一及第二有機層，其係藉由包含該TCC之該層支撐；一反射導電層，其係藉由該第一及第二有機層支撐；及一外部耦合層堆疊(OCLS)，其係介於等有機層與該裝置之一觀察器之間，其中，該OCLS包含一混雜有機-無機聚合物基質，其具有以使得每一散射體係位於其最近相鄰物之遠場的方式分散於各處之散射體，該等散射體係相對於彼此而定尺寸、形狀，及位置，以便(a)具有一高ζ電位，及(b)增強通過該OCLS之光的似米酒氏散射。
  22. 如請求項21之裝置，其中，除同調真正前向散射外，有關於該等經分散之散射體係無或實質上無系統相關係。
  23. 如請求項21至22中任一項之裝置，其中，該基質包含添加Ti、Hf及/或Zr氧簇團之一聚合型單體。
  24. 如請求項21之裝置，其中，該OCLS之折射率係1.8-1.9，且該OCLS之吸收係數係0或接近0。
  25. 如請求項21之裝置，其中，包含該TCC之該層包含氧化錫且係設置為一陽極，且其中，該反射性導電層係設置為一陰極。
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