TWI596726B - 扇出式指紋辨識模組製造方法及指紋辨識模組 - Google Patents
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Description
本發明相關於一種指紋辨識模組製造方法及指紋辨識模組,特別是相關於一種扇出式指紋辨識模組製造方法以及由該方法所製造的指紋辨識模組。
傳統的指紋辨識模組的製造方法係將一片指紋辨識晶片對應固定於一基板,透過打線接合等方式使指紋辨識晶片電性連接於基板的電路。接著,在指紋辨識晶片的外側佈上絕緣層,並在絕緣層上方透過一黏合膠黏合一面板,使指紋辨識晶片可隔著面板辨識另一側的手指指紋。
然而,每製造一個指紋辨識模組就要重覆上述的封裝作業,不僅效率低落,並且指紋辨識正面至面板的距離過厚而容易導致指紋辨識不成功,更重要的是,難以維持每次封裝所塗佈的絕緣層及黏合膠的厚度,因此每一個指紋辨識模組的指紋辨識正面至面板之間的距離都不盡相同,難以控制產品良率。
因此,為解決上述問題,本發明的目的即在提供一種扇出式指紋辨識模組製造方法及指紋辨識模組。
本發明為解決習知技術之問題所採用之技術手段係提供一種扇出式指紋辨識模組製造方法,包含下列步驟:一倒置步驟,將複數個指紋辨識晶
片的指紋辨識正面朝下貼合於一暫時性基底,該複數個指紋辨識晶片之間相隔預定的距離;一灌膠步驟,形成一絕緣基層於該複數個指紋辨識晶片的指紋辨識背面及該暫時性基底之上,該暫時性基底、該複數個指紋辨識晶片及該絕緣基層形成一暫時結構體;一翻轉去除步驟,上下翻轉該暫時結構體而使該指紋辨識正面朝上,並移除該暫時性基底以顯露該指紋辨識正面;一電接點設置步驟,將複數個電接點元件分別設置該複數個指紋辨識正面,該複數個電接點元件、該複數個指紋辨識晶片及該絕緣基層形成一待佈線結構體;一翻轉鑽孔步驟,上下翻轉該待佈線結構體,於該絕緣基層鑽孔以形成複數個分別連接該複數個電接點元件的連接通道;一重佈線步驟,於該複數個連接通道分別形成複數個電連接該電接點元件的導線而使該待佈線結構體成為一積體電路結構體,該導線自該連接通道而沿該絕緣基層的相反於該指紋辨識晶片的表面延伸;一面板接合步驟,上下翻轉該積體電路結構體以使該指紋辨識正面朝上,並黏著一面板於該指紋辨識正面及該絕緣基層的上表面;以及一切割步驟,以該指紋辨識晶片為裁切範圍中心而以預定的範圍及形狀裁切該積體電路結構體,以形成複數個指紋辨識模組。
在本發明的一實施例中係提供一種扇出式指紋辨識模組製造方法,於該翻轉鑽孔步驟,以雷射鑽孔的方式以形成該複數個連接通道。
在本發明的一實施例中係提供一種扇出式指紋辨識模組製造方法,於該重佈線步驟,以化學製程方法形成該導線於該連接通道中。
在本發明的一實施例中係提供一種扇出式指紋辨識模組製造方法,該暫時性基底係為雷射感光膠材,而於該翻轉去除步驟中以雷射感光自動剝離的方式移除該暫時性基底。
本發明為解決習知技術之問題所採用之另一技術手段係提供一種由前述所述之扇出式指紋辨識模組製造方法所製造的指紋辨識模組。
本發明為解決習知技術之問題所採用之另一技術手段係提供一種指紋辨識模組,包含:一絕緣基層,具有一上下貫穿的連接通道;一指紋辨識晶片,埋設於該絕緣基層,該指紋辨識晶片的指紋辨識正面與該絕緣基層的上表面齊平;一電接點元件,設置於該指紋辨識正面並沿該指紋辨識正面延伸至該絕緣基層的上表面;一導線,設置於該連接通道中且該導線的一端電連接該電接點元件,該導線的另一端沿該絕緣基層的下表面延伸;以及一面板,黏著於該指紋辨識正面及絕緣基層的上表面,以使該指紋辨識晶片透過該面板進行一指紋辨識之偵測。
在本發明的一實施例中係提供一種指紋辨識模組,該面板係透過一絕緣黏著層黏著於該指紋辨識正面及該絕緣基層的上表面。
在本發明的一實施例中係提供一種指紋辨識模組,該絕緣黏著層的厚度係小於20微米。
在本發明的一實施例中係提供一種指紋辨識模組,該絕緣基層係為絕緣膠層。
經由本發明所採用之技術手段,可節省封裝製程的製造成本,並且能大幅降低指紋辨識正面至面板之間的距離,使指紋辨識之偵測更加精準。並且於大量生產時能夠穩定控制指紋辨識晶片與指紋之間的距離,可以使各個指紋辨識正面至面板之間的距離的差異降到最低,以提高產品良率。
本發明所採用的具體實施例,將藉由以下之實施例及附呈圖式作進一步之說明。
100‧‧‧指紋辨識模組
1‧‧‧暫時性基底
2‧‧‧指紋辨識晶片
21‧‧‧指紋辨識正面
22‧‧‧指紋辨識背面
3‧‧‧絕緣基層
31‧‧‧連接通道
4‧‧‧電接點元件
5‧‧‧導線
6‧‧‧面板
7‧‧‧絕緣黏著層
S101‧‧‧倒置步驟
S102‧‧‧灌膠步驟
S103‧‧‧翻轉去除步驟
S104‧‧‧電接點設置步驟
S105‧‧‧翻轉鑽孔步驟
S106‧‧‧重佈線步驟
S107‧‧‧面板接合步驟
S108‧‧‧切割步驟
第1圖為顯示根據本發明一實施例的扇出式指紋辨識模組製造方法之流程圖。
第2a圖至第2h圖為顯示根據本發明的實施例的指紋辨識模組之製作步驟示意圖。
以下根據第1圖至第2h圖,而說明本發明的實施方式。該說明並非為限制本發明的實施方式,而為本發明之實施例的一種。
參閱第1圖所示,並配合參閱第2a圖至第2h圖,本實施例之說明如下。扇出式指紋辨識模組製造方法包括倒置步驟S101、灌膠步驟S102、翻轉去除步驟S103、電接點設置步驟S104、翻轉鑽孔步驟S105、重佈線步驟S106、面板接合步驟S107及切割步驟S108。
參考第2a圖,於倒置步驟S101,將複數個指紋辨識晶片2的指紋辨識正面21朝下貼合於一暫時性基底1,複數個指紋辨識晶片2之間相隔預定的距離。所謂的指紋辨識正面21係指指紋辨識晶片2的經蝕刻、電鍍等半導體製程而具有指紋辨識電路的表面。一個暫時性基底1的表面可貼合大量的指紋辨識晶片2。
參考第2b圖,接著於灌膠步驟S102,將一絕緣膠灌膠(molding)於複數個指紋辨識晶片2及暫時性基底1之上,並控制其厚度使表面平整均勻。待絕緣膠硬化後,即形成一絕緣基層3於複數個指紋辨識晶片2的指紋辨識背面22及暫時性基底1之上,暫時性基底1、複數個指紋辨識晶片2及絕緣基層3形成一暫時結構體。
參考第2c圖,接著於翻轉去除步驟S103,上下翻轉該暫時結構體而使指紋辨識正面21朝上,並移除暫時性基底1以顯露指紋辨識正面21。如此一
來,指紋辨識晶片2即埋設於絕緣基層3,指紋辨識晶片2的指紋辨識正面21與絕緣基層3的上表面齊平。在本實施例中,暫時性基底1係為雷射感光膠材,而在本步驟中以雷射感光自動剝離的方式移除暫時性基底1,但本發明不限於此。
參考第2d圖,接著於電接點設置步驟S104,將複數個電接點元件4分別設置複數個指紋辨識正面21並沿指紋辨識正面21延伸至絕緣基層3的上表面。電接點元件4係為導電材料,可藉由拉線或電鍍等方式設置。複數個電接點元件4、複數個指紋辨識晶片2及絕緣基層3形成一待佈線結構體。
參考第2e圖,接著於翻轉鑽孔步驟S105,上下翻轉該待佈線結構體,並於絕緣基層3鑽孔以形成複數個分別連接複數個電接點元件4的上下貫穿的連接通道31。在本實施例中,係以雷射鑽孔的方式形成複數個連接通道31,但本發明不限於此。這些連接通道31係形成於指紋辨識晶片2的外圍,並對應複數個電接點元件4。
參考第2f圖,接著於重佈線步驟S106,於複數個連接通道31分別形成複數個電連接電接點元件4的導線5而使該待佈線結構體成為一積體電路結構體。在本實施例中,係以化學製程方法形成導線5於連接通道31中。導線5的一端電連接電接點元件4,導線5的另一端自連接通道31而沿絕緣基層3的相反於指紋辨識晶片2的表面(絕緣基層3的沒有設置指紋辨識晶片2的下表面,但在本圖中朝上)延伸。
參考第2g圖,接著於面板接合步驟S107,上下翻轉該積體電路結構體以使指紋辨識正面21朝上,並黏著一面板6於指紋辨識正面21及絕緣基層3的上表面。在本實施例中,係以一絕緣黏著膠形成的絕緣黏著層7將面板6黏著於指紋辨識正面21及絕緣基層3的上表面。絕緣黏著層7兼具將面板6黏著於指紋辨識晶片2的上方的黏著功用以及將指紋辨識正面21絕緣保護的功用,僅需要一層結構及一次封裝,不僅節省封裝製程的製造成本,並且能大幅縮短指紋辨識
正面21至面板6之間的距離,使指紋辨識之偵測更加精準。更重要的是,在僅有一層封裝的結構下,可以使各個指紋辨識正面21至面板6之間的距離的差異降到最低(多次封裝會導致各個指紋辨識正面21至面板6之間的距離的差異更難以控制,因而品質不穩定,良率下降)。
參考第2h圖,接著於切割步驟S108,以指紋辨識晶片2為裁切範圍中心而以預定的範圍及形狀裁切該積體電路結構體及之上的面板6、絕緣黏著層7,以形成複數個指紋辨識模組100。由於絕緣基層3上佈置複數個指紋辨識晶片2,故可裁切出複數個指紋辨識模組100。這樣生產出來的指紋辨識模組100的規格可以容易地統一控制在一定的標準而無個體差異,大幅提高良率。而本發明的扇出式指紋辨識模組製造方法所製造的指紋辨識模組100可以為圓形、橢圓形等具有平滑曲線的輪廓,可應用、配合各種不同的裝置,例如手機上的home按件。
因此,本發明提出一種由前述所述之扇出式指紋辨識模組製造方法(步驟S101至S108)所製造的指紋辨識模組100,其結構即如第2h圖所示。
如第2h圖所示,經由本發明提出的扇出式指紋辨識模組製造方法所製造的指紋辨識模組100包含:一絕緣基層3、一指紋辨識晶片2、一電接點元件4、一導線5及一面板6。
絕緣基層3具有一上下貫穿的連接通道31,在本實施例中,連接通道31係經雷射鑽孔的方式形成。絕緣基層3係為絕緣膠層硬化而成,具有絕緣保護指紋辨識晶片2的效果。
指紋辨識晶片2埋設於絕緣基層3,指紋辨識晶片2的指紋辨識正面21與絕緣基層3的上表面齊平。意即,絕緣基層3絕緣包覆指紋辨識晶片2的指紋辨識背面22及外周緣。
電接點元件4設置於指紋辨識正面21並沿指紋辨識正面21延伸至絕緣基層3的上表面。
導線5設置於連接通道31中且導線5的一端電連接電接點元件4,導線5的另一端沿絕緣基層3的下表面延伸。在本實施例中,導線5係為電鍍導線,以化學製程方法形成於連接通道31中。
面板6係透過一絕緣黏著層7黏著於指紋辨識正面21及絕緣基層3的上表面,以使指紋辨識晶片2透過面板6進行一指紋辨識之偵測。在本實施例中,絕緣黏著層7的厚度係小於20微米。
綜上所述,本發明提供的扇出式指紋辨識模組製造方法以及利用該方法所製造的指紋辨識模組,具有節省封裝製程的製造成本、提高指紋辨識之偵測精準度與成功率、並且可以使各個指紋辨識正面至面板之間的距離的差異降到最低以消除個體化差異等眾多優點。
以上之敘述以及說明僅為本發明之較佳實施例之說明,對於此項技術具有通常知識者當可依據以下所界定申請專利範圍以及上述之說明而作其他之修改,惟此些修改仍應是為本發明之發明精神而在本發明之權利範圍中。
S101‧‧‧倒置步驟
S102‧‧‧灌膠步驟
S103‧‧‧翻轉去除步驟
S104‧‧‧電接點設置步驟
S105‧‧‧翻轉鑽孔步驟
S106‧‧‧重佈線步驟
S107‧‧‧面板接合步驟
S108‧‧‧切割步驟
Claims (5)
- 一種扇出式指紋辨識模組製造方法,包含下列步驟:一倒置步驟,將複數個指紋辨識晶片的指紋辨識正面朝下貼合於一暫時性基底,該複數個指紋辨識晶片之間相隔預定的距離;一灌膠步驟,形成一絕緣基層於該複數個指紋辨識晶片的指紋辨識背面及該暫時性基底之上,該暫時性基底、該複數個指紋辨識晶片及該絕緣基層形成一暫時結構體;一翻轉去除步驟,上下翻轉該暫時結構體而使該指紋辨識正面朝上,並移除該暫時性基底以顯露該指紋辨識正面;一電接點設置步驟,將複數個電接點元件分別設置該複數個指紋辨識正面,該複數個電接點元件、該複數個指紋辨識晶片及該絕緣基層形成一待佈線結構體;一翻轉鑽孔步驟,上下翻轉該待佈線結構體,於該絕緣基層鑽孔以形成複數個分別連接該複數個電接點元件的連接通道;一重佈線步驟,於該複數個連接通道分別形成複數個電連接該電接點元件的導線而使該待佈線結構體成為一積體電路結構體,該導線自該連接通道而沿該絕緣基層的相反於該指紋辨識晶片的表面延伸;一面板接合步驟,上下翻轉該積體電路結構體以使該指紋辨識正面朝上,並黏著一面板於該指紋辨識正面及該絕緣基層的上表面;以及一切割步驟,以該指紋辨識晶片為裁切範圍中心而以預定的範圍及形狀裁切該積體電路結構體,以形成複數個指紋辨識模組。
- 如請求項1所述之扇出式指紋辨識模組製造方法,其中於該翻轉鑽孔步驟,以雷射鑽孔的方式以形成該複數個連接通道。
- 如請求項1所述之扇出式指紋辨識模組製造方法,其中於該重佈線步驟,以化學製程方法形成該導線於該連接通道中。
- 如請求項1所述之扇出式指紋辨識模組製造方法,其中該暫時性基底係為雷射感光膠材,而於該翻轉去除步驟中以雷射感光自動剝離的方式移除該暫時性基底。
- 一種由請求項1所述之扇出式指紋辨識模組製造方法所製造的指紋辨識模組。
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Citations (2)
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TWM515144U (zh) * | 2015-09-18 | 2016-01-01 | Tong Hsing Electronic Ind Ltd | 指紋感測裝置 |
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2016
- 2016-08-30 TW TW105127762A patent/TWI596726B/zh not_active IP Right Cessation
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