TWI593958B - 鑑別光學薄膜缺陷方法 - Google Patents
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Description
本發明有關一種用於鑑別光學薄膜缺陷的方法。更特別的是，用於鑑別光學薄膜缺陷的方法，能夠減少鑑別錯誤以決定光學薄膜是否為非缺陷的產品。
相關技術領域的描述
已廣泛地發展出並使用各種影像顯示裝置，例如液晶顯示器、有機發光顯示器、場發射顯示器(FED)以及電漿顯示屏(PDP)。
同時，在到市場之前，影像顯示裝置在製程期間可能具有各種缺陷，因此會進行各種檢查過程。在這裡，已在影像顯示裝置中主要使用的元件範例可包括各種類型的光學薄膜，例如偏光薄膜以及相位差薄膜。因此，光學薄膜的缺陷為造成影像顯示裝置缺陷的其中一個主要原因。為了準確地偵測光學薄膜的缺陷，首先鑑別該光學薄膜是否為有缺陷的。接下來，如果決定該光學薄膜是有缺陷的，由於缺陷所造成的修復、丟棄或缺陷原因的移除以及諸如此類可視為關於產量的重要元素。
對於光學薄膜的量產，一般使用生產線製程。因此，光學薄
膜的缺陷是藉由在生產線的特定位置對該光學薄膜連續拍照，並鑑別所拍照部分處的缺陷來偵測。
在鑑別缺陷中，相關的技術對於完全偵測各種類型的缺陷而言是很重要的。與這有關的是，韓國專利公開案編號2010-24753揭露了一種藉由比較包括外來材料的封密曲線以及該外來材料的面積來鑑別生產線類型外來材料的方法。
然而，隨著光學薄膜的尺寸變得更大，部件的成本增加，因此，為了改進光學薄膜的生產力，需要一種用於更準確鑑別缺陷的方法。
因此，本發明的一個目的是提供一種用於在光學薄膜的缺陷以及非缺陷之間準確鑑別的方法。
本發明的另一個目的是提供一種用於鑑別光學薄膜缺陷的方法，能夠將並非為實際缺陷但在相關技術中會被鑑別成缺陷的缺陷鑑別成非缺陷的。
為了完成上述目的，本發明提供了下述。
(1)一種用於鑑別光學薄膜缺陷的方法，包括：(S1)拍照轉送的光學薄膜，以選擇其中存在外來材料的區域；以及(S2)在該區域中的該外來材料之中，當配置有與轉送方向平行的兩邊以及與該轉送方向垂直的兩邊的長方形包括具有最小面積的外來材料時，如果與該轉送方向平行的邊大於與該轉送方向垂直的邊，該外來材料被鑑別為線性非缺陷的外來材料，並排除於該缺陷之外。
(2)如上述第(1)項所述的方法，其長方形的長邊長度是5個像素或更多，且短邊長度小於或等於長邊長度之0.8倍的外來材料被鑑
別為線性非缺陷外來材料。
(3)如上述第(1)項所述的方法，該方法更包括：在未被鑑別為線性非缺陷外來材料的該外來材料之中，當包括具有最小面積的外來材料的長方形的長邊長度是30個像素或更少，根據下述等式1的缺陷密度是40%或更低，以及該外來材料的中線短軸長度是3個像素或更少時，將該外來材料鑑別為筆直類型的非缺陷外來材料，並將該外來材料排除於該缺陷之外。
(4)如上述第(3)項所述的方法，當外來材料的長邊長度超過30個像素時，該外來材料被鑑別為大的缺陷。
(5)如上述第(3)項所述的方法，當外來材料的長邊長度為30個像素或更少，根據等式1的缺陷密度為40%或更低，以及該外來材料的中線短軸長度超過3個像素時，外來材料被鑑別為彎曲缺陷。
(6)如上述第(3)項所述的方法，該方法更包括：關於其長邊長度為30個像素或更少以及等式1的缺陷密度超過40%的外來材料，將其缺陷密度為75%或更低的外來材料鑑別為菱形非缺陷的外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
(7)如上述第(6)項所述的方法，該方法更包括：在其缺陷密度超過75%的外來材料之中，將具有二或更多個點、根據在圓圈中的位置其亮度圖表的斜率值從正改變為負的外來材料鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
(8)如上述第(7)項所述的方法，具有三或更多個點、存
在其圖表的斜率值從正改變為負的外來材料被鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料。
(9)如上述第(1)至(8)項任一所述的方法，在該區域中的外來材料為不對應於聚集缺陷的外來材料，以及基於任一外來材料，當二或更多種其他外來材料存在於具有5mm半徑的圓圈內時，聚集外來材料是包括中心的外來材料的一組外來材料。
(10)如上述第(1)至(8)項任一所述的方法，在該區域中的外來材料為不對應於精細缺陷的外來材料，以及該精細缺陷被包括在8個像素x 8個像素的正方形中。
(11)如上述第(1)至(8)項任一所述的方法，該區域中的外來材料為不對應於聚集缺陷或精細缺陷的外來材料，基於任一外來材料，當多於兩種其他外來材料存在於具有5mm半徑的圓圈中時，該聚集缺陷包括中心的外來材料，以及該精細缺陷被包括在8個像素x 8個像素的正方形中。
(12)一種鑑別光學薄膜缺陷的方法，包括：(S1)拍照轉送的光學薄膜，以選擇其中存在外來材料的區域；以及(S1-A)基於該區域中的任一該外來材料，當多於兩種其他外來材料存在於具有5mm半徑的圓圈中時，將包括中心的外來材料的一組該外來材料鑑別為聚集缺陷；(S1-B)在不被鑑別為該聚集缺陷的該外來材料之中，將包括在8個像素x 8個像素的正方形中的外來材料鑑別為精細缺陷；以及(S2)在不被鑑別為該精細缺陷的該外來材料之中，當配置有與轉送方向平行的兩邊以及與該轉送方向垂直的兩邊的長方形包括具有最小面積的外來材料時，如果與該轉送方向平行的邊大於與該轉送方向垂直的邊，該外來材料被鑑別為線性非缺陷的外來材料，並排除於該缺陷之外。
(13)如上述第(12)項所述的方法，在該步驟(S2)中，其長方形的長邊長度是5個像素或更多，且短邊長度小於或等於長邊長度之0.8倍的外來材料被決定為線性非缺陷外來材料。
(14)如上述第(12)項所述的方法，該方法更包括：在未被鑑別為線性非缺陷外來材料的該外來材料之中，當長邊長度是30個像素或更少，根據下述等式1的缺陷密度是40%或更低，以及該外來材料的中線影像短軸長度是3個像素或更少時，將該外來材料鑑別為筆直類型的非缺陷外來材料，並將該外來材料排除於該缺陷之外。
(15)如上述第(14)項所述的方法，當外來材料的長邊長度超過30個像素時，該外來材料被鑑別為大的缺陷。
(16)如上述第(14)項所述的方法，當外來材料的長邊長度為30個像素或更少，根據等式1的缺陷密度為40%或更低，以及該外來材料的中線短軸長度超過3個像素時，外來材料被鑑別為彎曲缺陷。
(17)如上述第(14)項所述的方法，該方法更包括：關於其長邊長度為30個像素或更少以及等式1的缺陷密度超過40%的外來材料，將其缺陷密度為75%或更低的外來材料鑑別為菱形非缺陷的外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
(18)如上述第(17)項所述的方法，該方法更包括：在其缺陷密度超過75%的外來材料之中，將具有二或更多個點、根據在圓圈中的位置其亮度圖表的斜率值從正改變為負的外來材料鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
(19)如上述第(18)項所述的方法，具有三或更多個點、存在其圖表的斜率值從正改變為負的外來材料被鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料。
根據本發明用於鑑別光學薄膜缺陷的方法可準確地鑑別實際上非為有缺陷、但在相關技術中將被鑑別為缺陷的缺陷，藉此顯著地增加光學薄膜的製造產率。
此外，根據本發明用於鑑別光學薄膜缺陷的方法可大大地降低製造成本，並預防資源的浪費。
310‧‧‧外來材料
A-A’‧‧‧位置座標軸
P‧‧‧門檻亮度質
X‧‧‧短邊
Y‧‧‧長方形長邊
第1圖是根據本發明具體實施例而示意性示例一種用於鑑別線性非缺陷外來材料的方法的流程圖。
第2圖是四種線性非缺陷外來材料的照片。
第3圖是示意性示例線性非缺陷外來材料的範例的示意圖。
第4圖是根據本發明另一個具體實施例而示意性示例一種用於鑑別線性非缺陷的外來材料、大的缺陷、筆直非缺陷的外來材料以及彎曲缺陷的方法的流程圖。
第5圖是示意性示例筆直缺陷的範例的示意圖。
第6圖是根據本發明另一個具體實施例而示意性示例一種用於鑑別線性非缺陷外來材料、大的缺陷、筆直非缺陷的外來材料、彎曲缺陷以及菱形非缺陷的外來材料的方法的流程圖。
第7圖是菱形非缺陷的外來材料的照片。
第8圖是根據本發明另一個具體實施例而示意性示例一種用於鑑別線
性非缺陷外來材料、大的缺陷、筆直非缺陷的外來材料、彎曲缺陷、菱形非缺陷的外來材料、點狀類型(點狀)缺陷以及凸起類型(浮雕)的非缺陷外來材料的方法的流程圖。
第9圖是凸起類型的非缺陷外來材料的照片，其中(a)是示例該凸起類型的非缺陷外來材料的各種類型的影像照片，以及(b)是當產生該凸起類型的非缺陷外來材料時，示例存在於離形薄膜中的缺陷的剖面SEM照片。
第10圖是有關凸起類型的非缺陷外來材料的示意圖，其中(a)以及(b)為示例該凸起類型的非缺陷外來材料的示意圖，以及(c)為示例亮度圖表的示意圖。
第11圖是示意性示例聚集缺陷的範例的示意圖。
第12圖是根據本發明另一個具體實施例而示意性示例一種用於鑑別聚集缺陷、精細缺陷、線性非缺陷外來材料、大的缺陷、筆直非缺陷的外來材料、彎曲缺陷、菱形非缺陷的外來材料、點狀類型缺陷以及凸起類型的非缺陷外來材料的方法的流程圖。
本發明揭露了一種用於鑑別光學薄膜缺陷的方法，包括(S1)拍照轉送的光學薄膜，以選擇其中存在外來材料的區域；以及(S2)在該區域中的該外來材料之中，當配置有與轉送方向平行的兩邊以及與該轉送方向垂直的兩邊的長方形包括具有最小面積的外來材料時，如果與該轉送方向平行的邊大於與該轉送方向垂直的邊，該外來材料被鑑別為線性非缺陷的外來材料，並排除於該缺陷之外，藉此顯著地增加光學薄膜的製造產率。
此後，將參照伴隨圖式來更詳細地描述本發明的示範性具體實施例。
第1圖是根據本發明具體實施例而示意性示例一種用於鑑別光學薄膜缺陷的方法的流程圖。
首先，藉由拍照轉送的光學薄膜來選擇其中存在外來材料的區域(S1)。
一般而言，光學薄膜在被轉送的同時藉由連續製程來製造，例如，卷對卷製程。因此，為了鑑別該光學薄膜的缺陷，藉由從以預定方向轉送的光學薄膜的上部來對該光學薄膜拍照而擷取該光學薄膜的影像。如果其中存在外來材料的區域在所擷取的影像中，執行選擇該區域以鑑別該區域是否有缺陷的過程。
根據本發明的具體實施例，偏光薄膜用以作為光學薄膜，並藉由將垂直於將被檢查的樣本偏光薄膜的偏光方向的另一個偏光薄膜配置於將被檢查的薄膜的上部上，將光源配置在該樣本之下，然後拍照光穿過兩個偏光薄膜，來獲得檢查影像。如果將被檢查的該偏光薄膜為非缺陷的產品，沒有光會穿過其偏光方向彼此垂直的兩個偏光薄膜，使得獲得到黑色的影像，但是如果外來材料存在於將被檢查的該偏光薄膜中，改變了存在外來材料的部分處的偏光方向，使得光漏出，藉此獲得存在明亮部分(也就是，外來材料部分)的影像。
根據本發明的具體實施例，「外來材料」是偏離光學薄膜平均一致性的部分，以及作為鑑別結果，是被鑑別為存在於正常範圍內的部分(非缺陷的外來材料)或被鑑別為是產品缺陷原因的「缺陷」。
在所擷取影像中存在外來材料的區域可藉由設定光學薄膜的平均一致性，然後使用影像處理軟體以及諸如此類來鑑別包括從所設定
的一致性偏離的部分(外來材料部分)的區域影像而選擇。
接下來，在該區域中的外來材料之中，當配置有與轉送方向平行的兩邊以及與該轉送方向垂直的兩邊的長方形包括具有最小面積的外來材料時，如果與該轉送方向平行的邊大於與該轉送方向垂直的邊，該外來材料被鑑別為線性非缺陷的外來材料，並因此排除於該缺陷之外(S2)。當工業製造光學薄膜時，為了方便儲存以及轉移該光學薄膜，離形薄膜以及諸如此類被同時形成在該光學薄膜的兩側上，並在鑑別缺陷期間檢查在貼附了該離形薄膜的狀態的光學薄膜，使得該光學薄膜的外來材料、該離形薄膜的損害、在該離形薄膜中的外來材料、或該光學薄膜以及該離形薄膜之間的外來材料被偵測到。然而，當該離形薄膜的損害、該離形薄膜中的外來材料或該光學薄膜以及該離形薄膜之間的外來材料被導入到影像顯示裝置中時，該外來材料隨著該離形薄膜而被移除，其非為實際的缺陷。然而，相關的技術不採用用於分別鑑別有關該離形薄膜的缺陷的方法，使得非缺陷的產品常被誤判為有缺陷的產品。此問題可能為增加製造成本的原因。特別是，在近期隨著影像顯示裝置的尺寸已增加且該光學薄膜很大的情況中，此問題可能更為嚴重。因此，本發明的具體實施例藉由鑑別線性非缺陷外來材料而解決了此問題，該線性非缺陷外來材料為與離形薄膜有關的缺陷。特別是，當該光學薄膜根據製程而轉移時，具有方向與轉送方向平行的長形可常發生在該離形薄膜中。該損害，其為該離形薄膜的損害，不是該光學薄膜本身的損害，因此本發明將該離形薄膜的損害鑑別為線性非缺陷外來材料，其被排除在該光學薄膜的缺陷之外。第2圖示例了一個該線性非缺陷外來材料範例的影像照片。示例於第2圖中的該影像照片是藉由對該光學薄膜拍照來獲得，該光學薄膜的垂直方向是轉送方向。
第3圖示意性示例了用於鑑別線性非缺陷外來材料110的方
法的一個範例。當配置有與傳遞方向平行的兩邊以及與該傳遞方向垂直的的兩邊的長方形包括最小面積的外來材料時，如果與該傳遞方向平行的邊大於與該傳遞方向垂直的邊，該外來材料被決定為線性非缺陷的外來材料110，且非實際的缺陷，並排除於該缺陷之外。較佳的是，該長方形長邊y的長度是5個像素或更多，以及短邊x的長度比長邊長度大了0.8倍或等於該長邊長度。一個像素意指在具有預定義解析度的影像中最基本的單位像素。當該長邊長度少於5個像素，或該短邊長度比該長邊大超過0.8倍時，該外來材料可為實際的缺陷。
此外，如果需要的話，根據本發明的另一個具體實施例，在未被鑑別為線性非缺陷外來材料的外來材料之中，當具有包括外來材料的最小面積的長方形的長邊長度是30個像素或更少，根據下述等式1的缺陷密度是40%或更低，以及中線的影像的短軸長度是3個像素或更少時，用於鑑別線性非缺陷外來材料110的方法更包括將外來材料鑑別為筆直非缺陷的外來材料，並將所鑑別的外來材料排除於該缺陷之外的過程。
較佳的是，當缺陷密度是30%或更低，以及中線短軸長度是2個像素或更少時，外來材料可被鑑別為筆直非缺陷的外來材料。
第4圖示意性示例了用於決定筆直非缺陷外來材料的流程圖。在如上所述的鑑別線性非缺陷外來材料的過程中，當與轉送方向平行的邊的長度等於或小於與該轉送方向垂直的邊的長度時，鑑別筆直非缺陷外來材料的過程對應於對不屬於線性非缺陷外來材料的外來材料進行的額外鑑別缺陷過程。前述線性非缺陷外來材料不限於在該轉送方向中具有長
形的外來材料，但實際上不管特定方向而在任一方向中具有長形的大部分外來材料相對應於形成於離形薄膜中的損害的一個案例。因此，本發明的具體實施例額外地提供了不管特定的方向、用於決定在任一方向中具有長形的非缺陷的外來材料的方法，以更佳地鑑別實際非缺陷的產品，藉此更減少非缺陷的產品被誤判為有缺陷產品的案例。
詳細而言，先參照第4圖，在鑑別筆直非缺陷外來材料的過程中，包括具有最小面積的外來材料的長方形的長邊長度是30個像素或更少。當該長方形的長邊長度超過30個像素時，這可被鑑別為光學薄膜的實際缺陷(此後稱之為「大的缺陷」)。
此外，第5圖示意性示例了在用於鑑別筆直非缺陷的外來材料210的方法中使用包括該外來材料中線的短軸的一個範例。在第5圖中，(a)是外來材料的影像，以及(b)是該外來材料210的中線220的影像。該外來材料中線的影像可藉由本領域技術人員已知的方法來獲得。可使用例如，影像處理方法，例如細化骨架以及諸如此類，但是本發明不限於此。在第5圖中，(c)示例了該中線的短軸221。對於該中線的長軸以及短軸，在形成該中線的像素之中，在任何兩個像素之間的距離之中的最長距離被定義為長軸，以及在其他像素與該長軸之間的垂直距離被定義為短軸。在第5圖中由黃色箭頭代表的該中線短軸221與由另一個黃色箭頭代表的長軸具有垂直關係。根據本發明具體實施例的筆直非缺陷的外來材料的該中線短軸221的長度是3個像素或更少。當筆直非缺陷的外來材料的該中線短軸221的長度超過3個像素時，此可被鑑別為該光學薄膜的實際缺陷(此後提及為「彎曲缺陷」)。
此外，即使當缺陷密度超過40%時，外來材料可為實際的缺陷。
此外，如果需要的話，根據本發明的另一個具體實施例，一種用於鑑別線性非缺陷外來材料的方法可進一步包括關於其缺陷密度超過等式1的40%的外來材料，將其缺陷密度為75%或更低的外來材料鑑別為菱形非缺陷的外來材料，並將所鑑別的外來材料排除於該缺陷之外。
第6圖示意性示例了用於鑑別菱形非缺陷的外來材料的流程圖，以及第7圖示例了具有58%的缺陷密度的菱形非缺陷外來材料。在第7圖中，(a)示例了該菱形非缺陷的外來材料的影像，以及(b)示例了加入示意圖的影像，以進一步理解出該菱形非缺陷外來材料的形狀。
在如上所述的決定筆直非缺陷外來材料的過程中，當與長邊長度是30個像素或更少，但缺陷密度超過40%時，鑑別菱形非缺陷外來材料的過程相對應於在不屬於筆直非缺陷外來材料的外來材料上進行的額外鑑別缺陷過程，藉此進一步藉由額外地鑑別為與離形薄膜有關的缺陷的菱形非缺陷外來材料，而減少其中非缺陷產品被誤判為缺陷產品的頻率。在鑑別菱形非缺陷外來材料的過程中，不需要使用鑑別筆直非缺陷的外來材料的過程的中線短軸的鑑別標準。當缺陷密度超過75%，該外來材料可能為實際的缺陷。
此外，如果需要的話，根據本發明的另一個具體實施例，用於鑑別筆直非缺陷外來材料的方法可進一步包括在其缺陷密度超過75%的外來材料之中，將具有二或更多個點、根據在圓圈中的位置其亮度圖表的斜率值從正改變為負的外來材料鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料，並將該外來材料排除於該缺陷之外的過程。較佳的是，具有三或更多個點、其亮度圖表的斜率值從正改變為負的外來材料可被鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料。
第8圖示意性示例了用於鑑別凸起類型的非缺陷外來材料
的流程圖，且在如上所述的鑑別菱形非產品外來材料的過程中，當缺陷密度超過75%時，鑑別凸起類型的非缺陷外來材料的過程相對應於對不屬於菱形非缺陷外來材料的外來材料進行的額外鑑別缺陷過程。大部分的凸起類型的非缺陷外來材料可能由於離形薄膜中外來材料的存在而產生。
第9圖是凸起類型的非缺陷外來材料的照片，其中(a)是各種類型的示例凸起類型的非缺陷外來材料的影像照片，以及(b)是示例當產生凸起類型的非缺陷外來材料時，存在於離形薄膜中的缺陷的剖面SEM照片。
因此，藉由額外鑑別由於離形薄膜的缺陷所造成的凸起類型的非產品外來材料，可能進一步降低其中非缺陷的產品被鑑別為有缺陷的產品的案例。
第10圖示例了凸起類型的非缺陷外來材料的一個範例，以及示例了在圓圈中配置有四個區域的外來材料310以及該區域的亮度圖表，該圓圈包括具有最小面積的外來材料。在第10圖中，(a)示例了凸起類型的非缺陷外來材料的影像，(b)示例了加入示意圖的影像，以進一步理解出凸起類型的非缺陷外來材料的形狀，以及(c)示例了亮度圖表。
參照示例了外來材料中所測量的亮度的圖表，以鑑別外來材料是否為凸起類型的非缺陷外來材料。該亮度圖表產生自該外來材料區域比正常區域顯示得較亮的影像。一般用以作為亮度圖表的圖表是灰階圖表，且該灰階是將黑色0至白色255劃分成從0至255的階級的標準，以鑑別暗與亮的程度。
參照第10圖，為了準確地鑑別外來材料310內的亮度改變，決定了在指出亮度改變最大的點的圓圈內的位置座標軸(A-A’)。當沿著定義座標軸而藉由測量外來材料310內的亮度(灰階)來描述圖表時，其
斜率值從正(+)改變為負(-)的部分存在二或更多個的情況可被鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料。較佳的是，藉由在亮度圖表中設定門檻亮度值p，在具有高於門檻亮度值的亮度值圖表區域中，在二或更多個部分中存在其斜率值從正(+)改變為負(-)的案例可被鑑別為凸起類型的非缺陷外來材料。該門檻亮度值p可被定義為在其斜率從正改變為負的各自峰之中最低峰的最大亮度值以及其斜率從負改變為正的各自波谷之中最高谷的最小亮度值之間的值，較佳的是，可為在其斜率從正改變為負的各自峰之中最低峰的最大亮度值以及其斜率從負改變為正的各自波谷之中最高谷的最小亮度值之間的平均值。
參照第8圖，在鑑別凸起類型的非缺陷外來材料的過程中，在其斜率值從正改變為負的點存在於一個之中的案例可能實際上是有缺陷的(此後提及為「點狀類型缺陷」)。
根據本發明具體實施例用於鑑別缺陷的方法包括一種鑑別前述非缺陷外來材料以及將所鑑別的非缺陷外來材料排除於該缺陷之外的過程，以顯著地降低其中可被商業化的非缺陷產品被誤判為有缺陷產品的案例，藉此顯著地節省製造光學薄膜過程中的製造成本。
根據本發明具體實施例，如果需要的話，為了增加鑑別前述非缺陷外來材料的過程的速度以及可靠性，用於鑑別缺陷的方法可在鑑別非缺陷的外來材料之前事先額外進行鑑別缺陷的過程。
例如，根據本發明的具體實施例，當二或更多的其他外來材料存在於集中在區域中任一該外來材料上、具有5mm半徑的圓圈中時，包括中央外來材料的一組外來材料可被鑑別為缺陷(此後稱之為「聚集缺陷」)，以及鑑別非缺陷外來材料的過程可只在聚集缺陷之外的外來材料上進行。該圓圈可較佳地具有3mm的半徑，以及更佳具有1mm的半徑。
在第11圖中示例了聚集缺陷的一個範例。參照第11圖，基於外來材料2，外來材料1、2以及3存在於具有預定義半徑的圓圈中，使得每個鄰近的外來材料存在於兩個中，並屬於該聚集缺陷。
聚集缺陷具有非常高的可能導致缺陷產品，該聚集缺陷被首先鑑別，且不包括鑑別非缺陷外來材料的過程的目標，藉此增加鑑別非缺陷外來材料的過程的速度以及可靠性。
根據本發明的另一個具體實施例，如同另一個範例，當區域中的外來材料包括在8個像素x 8個像素的正方形時，該外來材料可被鑑別為缺陷(此後稱之為「精細缺陷」)，以及鑑別非缺陷的外來材料的過程可對該精細缺陷之外的外來材料進行。該正方形可較佳為5個像素x 5個像素，且更佳的是，3個像素x 3個像素。
精細缺陷具有非常高的可能導致缺陷產品，該精細缺陷被首先鑑別，且不包括鑑別非缺陷外來材料的過程的目標，藉此增加鑑別非缺陷外來材料的過程的速度以及可靠性。
根據本發明的具體實施例，鑑別聚集缺陷的過程以及鑑別精細缺陷的過程的每個可單獨進行，較佳的是，每個過程可連續地進行。當進行所有的過程時，可進行每個過程而無特定限制順序。較佳的是，首先進行鑑別聚集缺陷的過程，然後可進行鑑別精細缺陷的過程。作為參考，第12圖示意性地示例了在鑑別非缺陷外來材料之前鑑別聚集缺陷以及精細缺陷的流程圖。
根據本發明的具體實施例，用於鑑別缺陷的方法可應用於各種光學薄膜。光學薄膜的範例可包括偏光薄膜、相位差薄膜以及諸如此類，但不限於此。
雖然已結合示例於圖式中的示範性具體實施例而描述了本
發明，其僅為示例性。本領域技術人員將了解的是，各種修飾以及均等物可做成本發明。因此，本發明的真實技術範圍應由附帶的申請專利範圍來定義。
Claims (18)
- 一種用於鑑別一光學薄膜的缺陷的方法，包含：拍照一轉送的光學薄膜，選擇其中存在外來材料的一區域；在該區域中的該外來材料之中，當配置有與一轉送方向平行的兩邊以及與該轉送方向垂直的兩邊的一長方形包括具有一最小面積的一外來材料時，如果與該轉送方向平行的邊大於與該轉送方向垂直的邊，該外來材料被鑑別為一線性非缺陷外來材料，並排除於該缺陷之外；以及在未被鑑別為一線性非缺陷外來材料的該外來材料之中，當包括具有一最小面積的該外來材料的該長方形的一長邊長度是30個像素或更少，根據下述等式1的一缺陷密度是40%或更低，以及該外來材料的一中線的一短軸的一長度是3個像素或更少時，將該外來材料鑑別為一筆直類型的非缺陷外來材料，並將該外來材料排除於該缺陷之外：
- 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中對於一外來材料，其長方形的一長邊長度是5個像素或更多，且其一短邊長度小於或等於一長邊長度之0.8倍，該外來材料被鑑別為一線性非缺陷外來材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中當一外來材料的該長邊長度超過30個像素時，該外來材料被鑑別為一大的缺陷。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中當一外來材料的該長邊長度為30個像素或更少，根據等式1的該缺陷密度為40%或更低，以及該外來材料的該中線的該短軸長度超過3個像素時，一外來材料被鑑別為 一彎曲缺陷。
- 如申請專利範圍第1項所述的方法，更包含：關於其該長邊長度為30個像素或更少以及等式1的該缺陷密度超過40%的外來材料，將其該缺陷密度為75%或更低的一外來材料鑑別為一菱形非缺陷的外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
- 如申請專利範圍第5項所述的方法，更包含：在其該缺陷密度超過75%的該外來材料之中，將具有二或更多個點、根據在該圓圈中的位置其一亮度圖表的斜率值從正改變為負的一外來材料鑑別為一凸起類型的非缺陷外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
- 如申請專利範圍第6項所述的方法，其中具有三或更多個點、存在其該圖表的該斜率值從正改變為負的一外來材料被鑑別為一凸起類型的非缺陷外來材料。
- 如申請專利範圍第1項至第7項任一所述的方法，其中在該區域中的該外來材料為不對應於一聚集缺陷的一外來材料，以及基於任一外來材料，當二或更多種其他外來材料存在於具有5mm的一半徑的一圓圈內時，一聚集外來材料是包括一中心的一外來材料的一組外來材料。
- 如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述的方法，其中在該區域中的外來材料為不對應於一精細缺陷的一外來材料，以及該精細缺陷被包括在8個像素x 8個像素的一正方形中。
- 如申請專利範圍第1項至第7項任一項所述的方法，其中該區域中的該外來材料為不對應於一聚集缺陷或一精細缺陷的一外來材料，基於任一外來材料，當多於兩種其他外來材料存在於具有5mm的一半徑的一圓圈中時，該聚集缺陷包括一中心的一外來材料，以及該精細缺陷被包括在8個像素x 8個像素的一正方形中。
- 一種鑑別一光學薄膜的缺陷的方法，包含：拍照一轉送的光學薄膜，以選擇其中存在外來材料的一區域；以及基於該區域中該外來材料中任一外來材料，當多於兩種其他外來材料存在於具有5mm的一半徑的一圓圈中時，將包括一中心的一外來材料的一組該外來材料鑑別為一聚集缺陷；在不被鑑別為該聚集缺陷的該外來材料之中，將包括在8個像素x 8個像素的一正方形中的一外來材料鑑別為一精細缺陷；以及在不被鑑別為該精細缺陷的該外來材料之中，當配置有與一轉送方向平行的兩邊以及與該轉送方向垂直的兩邊的一長方形包括具有一最小面積的一外來材料時，如果與該轉送方向平行的邊大於與該轉送方向垂直的邊，該外來材料被鑑別為一線性非缺陷的外來材料，並排除於該缺陷之外。
- 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中在該步驟(S2)中，其該長方形的一長邊長度是5個像素或更多，且其一短邊長度小於或等於一長邊長度之0.8倍的一外來材料被決定為一線性非缺陷外來材料。
- 如申請專利範圍第11項所述的方法，更包含：在未被鑑別為一線性非缺陷外來材料的該外來材料之中，當一長邊長度是30個像素或更少，根據下述等式1的一缺陷密度是40%或更低，以及該外來材料的一中線的一影像的一短軸長度是3個像素或更少時，將該外來材料鑑別為一筆直類型的非缺陷外來材料，並將該外來材料排除於該缺陷之外：
- 如申請專利範圍第13項所述的方法，其中當一外來材料的該長邊長度超過30個像素時，該外來材料被鑑別為一大的缺陷。
- 如申請專利範圍第13項所述的方法，其中當一外來材料的該長邊長度為30個像素或更少，根據等式1的該缺陷密度為40%或更低，以及該外來材料的該中線的該短軸長度超過3個像素時，一外來材料被鑑別為一彎曲缺陷。
- 如申請專利範圍第13項所述的方法，更包含：關於其該長邊長度為30個像素或更少以及等式1的該缺陷密度超過40%的外來材料，將其該缺陷密度為75%或更低的一外來材料鑑別為一菱形非缺陷的外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
- 如申請專利範圍第16項所述的方法，更包含：在其該缺陷密度超過75%的該外來材料之中，將具有二或更多個點、根據在該圓圈中的位置其一亮度圖表的斜率值從正改變為負的一外來材料鑑別為一凸起類型的非缺陷外來材料；以及將該外來材料排除於該缺陷之外。
- 如申請專利範圍第17項所述的方法，其中具有三或更多個點、存在其該亮度圖表的該斜率值從正改變為負的一外來材料被鑑別為一凸起類型的非缺陷外來材料。
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