TWI592222B - 清潔光罩的系統、清潔基板的系統、與清潔方法 - Google Patents

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Description

清潔光罩的系統、清潔基板的系統、與清潔方法
本揭露關於清潔方法，更特別關於其清潔裝置。
半導體積體電路(IC)產業已快速成長一段時日。IC材料與設計的技術進步，使每一代的IC比前一代的IC更小且其電路更複雜。新一代的IC具有較大的功能密度(比如固定晶片面積中的內連線元件數目)，與較小的尺寸(比如製程形成的最小構件或連線)。製程尺寸縮小往往有利於增加製程效率並降低相關成本。製程尺寸縮小會增加製程複雜度，但製程尺寸縮小的優點顯而易見，因此需要更小的IC製程。舉例來說，對高解析度微影製程的需求持續成長。
微影技術之一為極紫外線微影(EUVL)。EUVL在極紫外線區中曝光光罩，以形成圖案於基板上。一般而言，EUVL所用之光罩稱作EUV光罩，而EUVL所用的光波長介於約1nm至約100nm之間。
現有的微影技術通常適用於特定目的，而無法用於所有領域。舉例來說，重複使用EUVL製程中的EUV光罩將產生一些問題。
本揭露一實施例提供之清潔光罩的系統，包括：托架，設置以支撐光罩且位於光罩的第一側；聲音能量產生器，設置以產生聲音能量，其包括超音波的頻率與波長之機械振動；以及流體施加器，耦接至聲音能量產生器，使流體施加器接收聲音能量產生器產生的聲音能量，以產生聲音攪動的流體流導向光罩的第二側，其中光罩的第一側與第二側對向設置，且其中光罩的第一側包括圖案。
本揭露一實施例提供之清潔基板的系統，包括：托架，設置以支撐並水平地旋轉基板，基板具有相反兩側之上表面與下表面，且基板之上表面包括圖案；第一噴嘴，位於與基板之下表面相鄰處，且設置以施加依超音波頻率振動的流體流至基板的下表面上，使基板依超音波頻率機械振動；以及第二噴嘴，位於與基板之上表面相鄰處，且設置以釋放化學溶液至基板的上表面上。
本揭露一實施例提供之清潔方法，包括：將聲音攪動之流體流導向基板的第一表面，使基板依超音波頻率機械振動，以移除基板的第一表面上的污染粒子，其中基板的第一表面與第二表面反向設置，且其中基板的第二表面包括一圖案。
θ‧‧‧角度
100‧‧‧系統
102、200、402‧‧‧光罩
102-A‧‧‧正面
102-B‧‧‧背面
104‧‧‧支撐指
106‧‧‧支撐柱
108、118、404‧‧‧噴嘴
110‧‧‧聲音能量產生器
119‧‧‧噴霧
120‧‧‧流體流
122‧‧‧托架
202‧‧‧光罩基板
204‧‧‧導電層
206‧‧‧ML
208‧‧‧保護層
210‧‧‧吸收層
230‧‧‧不透明區
240‧‧‧反射區
300‧‧‧方法
302、304、306、308‧‧‧步驟
401、403、405、407‧‧‧感測器
406‧‧‧聲音攪動的流體流
420、430、440、450‧‧‧曲線
421‧‧‧虛線
第1圖係本揭露實施例中，用以清潔光罩之系統的圖式。
第2圖係本揭露某些實施例中，極紫外線(EUV)光罩的圖式。
第3圖係本揭露某些實施例中，以第1圖之系統清潔光罩之 方法的圖式。
第4A至4B圖係本揭露某些實施例中，回應聲音能量產生器之光罩其多個點位上之感測聲壓的圖式。
下述內容提供的不同實施例可實施本發明的不同結構。特定構件與排列的實施例係用以簡化本發明而非侷限本發明。舉例來說，形成第一構件於第二構件上的敘述包含兩者直接接觸，或兩者之間隔有其他額外構件而非直接接觸。此外，本發明之多種實例將重複標號及/或符號以簡化並清楚說明。不同實施例中具有相同標號的元件並不必然具有相同的對應關係及/或排列。
此外，空間性的相對用語如「下方」、「其下」、「較下方」、「上方」、「較上方」、或類似用語可用於簡化說明某一元件與另一元件在圖示中的相對關係。空間性的相對用語可延伸至以其他方向使用之元件，而非侷限於圖示方向。元件亦可轉動90°或其他角度，因此方向性用語僅用以說明圖示中的方向。
第1圖係某些實施例中，用以清潔光罩102之系統100的簡化圖。在下述的特定實施例中，光罩102為極紫外線(EUV)光罩。EUV光罩的詳細結構如第2圖所示之光罩200。然而系統100可用以清潔其他元件如基板及/或晶圓，其仍屬本揭露之範疇。
如第1圖所示，系統100包含托架122以支撐並旋轉光罩102。托架122亦包含支撐指104與支撐柱106。在此實施例 中的支撐指104支撐光罩102(比如接觸光罩的背面102-B)，但某些其他實施例中的支撐指104可作為光罩102的鉗夾。光罩102之正面102-A包含結構的圖案。這些結構圖案有關於半導體裝置或其部份，比如多個閘極結構(例如多晶矽結構、金屬閘極結構、或類似物)、源極/汲極區、內連線線路或通孔、虛置結構、及/或其他合適圖案。光罩102之背面102-B不包含結構的圖案。如圖所示，光罩102之背面102-b與正面102-A對向設置。
如第1圖所示，系統100包含噴嘴118朝向光罩102之正面102-A(或與其相鄰)，噴嘴108朝向光罩102之背面102-B(或與其相鄰)，以及聲音能量產生器110耦接至光罩102之背面102-B的噴嘴108。在某些實施例中，噴嘴118朝光罩102之正面102-A施加噴霧119(如化學溶液)。同樣地，噴嘴108朝光罩102之背面102-B施加流體流(或流體徑)120。
在下述某些特定實施例中，自噴嘴108施加之流體流120以角度θ入射至光罩102的背面。聲音能量產生器110與背面的噴嘴108之操作，將搭配第3圖的流程圖詳述於下。
對非常小的半導體技術節點如14nm來說，極紫外線微影(EUVL)為可靠的圖案化技術。EUVL非常類似需要光罩以印刷晶圓的光學微影，除了其採用的射線為EUV區(波長範圍介於1nm至約100nm之間)。一般而言，用於EUVL製程的射線波長為約13.5nm。
第2圖係多種實施例中，用於EUVL中的EUV之光罩200。一般而言，多種光罩可用於EUVL，而這些光罩之清理 方法仍屬本揭露範疇。舉例來說，EUV光罩可包含雙光強度光罩(BIM)與相轉移光罩(PSM)。BIM幾乎都是吸收區(亦稱作不透明區)，以及吸收區以外的反射區。不透明區中的吸收物幾乎完全吸收入射光。反射區不含吸收物，且其包含的多層結構(ML)將反射入射光。PSM包含吸收區與反射區。吸收區反射之部份入射光，與反射區反射之入射光具有相位差異(通常為180°)，可增加解析度與影像品質。PSM可為衰減型PSM(AttPSM)與間隔型PSM(AltPSM)。AttPSM之吸收物通常具有2%至15%之反射率，而AltPSM之吸收物通常具有大於50%之反射率。
如第2圖所示，光罩200包含光罩基板202，其由低熱膨脹材料(LTEM)所組成。LTEM可包含掺雜氧化鈦之氧化矽，及/或其他低熱膨脹材料。LTEM的光罩基板202可使加熱光罩所造成的影像扭曲問題最小化。在一實施例中，LTEM基板包含的材料具有低缺陷等級與平滑表面。此外為了靜電固定，導電層204可形成於LTEM的光罩基板202之背側表面上如第2圖所示。在一實施例中，導電層204包含氮化鉻或其他合適導電材料。
光罩200包含反射式的ML(多層)206於光罩基板202上的前側表面(與導電層204形成其上之背側表面相對)上。依據Fresnel方程式，當光穿過不同折射率之兩種材料的界面時，會產生光反射的現象。當折射率差異越大，反射光越大。在某些實施例中為增加反射光強度，可增加交替的材料之多層界面數目，使光建設性干涉於每一不同界面處。ML 206包含多 個膜對，比如鉬/矽(Mo/Si)膜對，即每一膜對中的鉬層位於矽層之上或之下。在另一實施例中，ML 206包含鉬/鈹(Mo/Be)膜對，或對EUV波長具有高反射率的任何合適材料。ML 206的每一層厚度取決於EUV之波長及入射角。調整ML 206之厚度，可使每一界面反射之EUV光具有最大的建設性干涉，且使ML 206對EUV光具有最小吸收。ML 206可選自對選定射線種類及/或波長具有高反射率。在特定例子中，ML 206中的膜對數目介於20至80之間，不過任何數目的膜對均有可能。在一例中，ML 206包含四十對的Mo/Si層。在此例中，每一Mo/Si膜對之厚度為約7nm，而ML 206之總厚度為280nm。在此例中，反射率可達約70%。
光罩200包含保護層208形成於ML 206上以具有一或多個功能。在一實例中，保護層208作為圖案化製程或其他步驟(如修補或清潔)中的蝕刻停止層。在其他實例中，保護層可避免氧化ML 206。保護層208可包含單一膜或多層膜以具有額外功能。在某些實施例中，保護層包括緩衝層位於ML 206上，以及蓋層位於緩衝層上。緩衝層係設計以避免氧化ML 206。在某些實例中，緩衝層包含厚度為約4nm至7nm的矽。在其他實例中，可採用低溫沉積製程形成緩衝層，以避免ML 206之相互擴散。蓋層係形成於緩衝層上，以作為吸收層之圖案化或修補製程中的蝕刻停止層。蓋層與吸收層具有不同的蝕刻特性。在多種實例中，蓋層包含釕、釕化合物如硼化釕或釕矽、鉻、氧化鉻、或氮化鉻。低溫沉積製程常擇以形成蓋層，以避免ML 206的相互擴散。
光罩200亦包含吸收層210形成於保護層208上。在此實施例中，吸收層210吸收照射至圖案化光罩上之EUV波長範圍中的射線。吸收層210包含多層膜層，且每一膜層包含鉻、氧化鉻、氮化鉻、鈦、氧化鈦、氮化鈦、鉭、氧化鉭、氮化鉭、氮氧化鉭、氮化硼鉭、氧化硼鉭、氮氧化硼鉭、鋁、鋁-銅、氧化鋁、銀、氧化銀、鈀、釕、鉬、其他合適材料、或上述之組合。
如第2圖所示之某些實施例中，可依據IC佈局圖案(或單純的IC圖案)圖案化吸收層140，以定義不透明區230與反射區240。在不透明區230中保留吸收層210於光罩200上，並在反射區240中移除吸收層210。
雖然EUVL製程的操作環境保持於相對清潔，但仍有污染形成於光罩的正面/背面上。舉例來說，某些污染有機物(如殘留的光阻剝除液)可形成於光罩正面上。這些污染有機物通常的分佈尺寸介於約50nm至約100nm之間，且通常分佈成圖案。另一方面，某些較大的污染粒子可能形成於光罩背面上。這些光罩背面上的污染粒子通常介於約3微米至50微米之間。不論是哪種污染物形成於光罩上，都會干擾圖案化製程。舉例來說，污染粒子可能會導致散焦或失焦等問題。如此一來，需在每次微影製程後進行清潔製程，以移除上述污染物。由於不同尺寸的污染物形成於光罩的每一側上，習知方法需採用兩道以上的清潔製程以移除光罩兩側上的污染物。在一實例中，可採用第一強度的噴霧清潔光罩正面上的污染有機物，接著以第二強度的噴霧清潔光罩背面上的污染粒子。如前所述， 由於光罩兩側之污染物的尺寸不同，第一強度可與第二強度不同。此外，由於習知清潔系統只包含單一噴嘴施加不同強度的噴霧，且需翻轉光罩的製程。此翻轉製程在清潔光罩背面時可能產生額外污染物於光罩正面上，並在清潔光罩時消耗額外時間。
如此一來，本揭露提供系統與方法，以臨場清潔光罩的兩側。即使有兩種不同尺寸的污染物形成於光罩兩側上，下述實施例仍可同時移除光罩兩側上的污染物。
第3圖係多種實施例中，清潔光罩之方法300的流程圖。方法300將搭配第1圖之系統100、第1圖之光罩102、及/或第2圖之光罩200說明。雖然下述說明中的第3圖之方法300係用以清潔EUV光罩，但本揭露的方法300可用於清潔多種光罩及/或晶圓。
方法300之步驟302支撐並旋轉光罩102/200。如前所述，拖架122可用以支撐與旋轉光罩102/200。在某些實施例中，光罩102/200之轉速可介於0rpm(每分鐘轉幾圈)至500rpm之間。如此一來，光罩102/200在步驟304至308中可為靜態(例如0rpm)或水平地旋轉。
接著進行方法300之步驟304，經由噴嘴108將流體流120施加至光罩背面(如102-B)上。流體流之組成為清潔液體(第一化學溶液)如臭氧水、氫氧化四甲基銨(TMAH)、溶於水中的二氧化碳(CO2)、溶於水中的氫(H2)、或標準清潔品1(SC1)。更特別的是，第1圖中的角度θ可介於約60度至約90度之間。
接著進行方法300之步驟306，以聲音能量產生器 110產生機械振動，且經由流體流120傳至光罩102/200。上述聲音能量產生器110耦接至噴嘴108並產生聲波。聲波攪動流體流120後，施加至光罩102/200之背面的流體流120可機械振動光罩102/200。上述聲音攪動的流體流120中具有依特定頻率機械振動的微泡，且振動的微泡可用以移除光罩102/200背面上的污染物。一般而言，這些微泡的直徑尺寸為約3微米。
在多種實施例中的方法300其步驟306中，聲音能量產生器110產生的機械振動頻率可介於約1MHz(百萬赫)至約3MHz。上述頻率一般稱作超音波(Megasonic)頻率。在其他實施例中，系統100可採用多種頻率以清潔光罩，比如聲音能量產生器110產生之約2萬赫茲至約4萬赫茲之超音波(Ultrasonic)頻率。
接著進行方法300之步驟308，使噴嘴118施加噴霧119至光罩200的正面上。在某些實施例中，噴霧119可包含第二化學溶液，其與前述之第一化學溶液不同。在其他實施例中，第一化學溶液與第二化學溶液相同。第二化學溶液可包含硫化氫酸、過氧化氫、或上述之組合(如SPM)。在某些其他實施例中，噴嘴118可結合產生電漿、臭氧水溶液(DIO3)、及/或聲波(如超音波)之設備，以移除形成於光罩102/200正面上的污染物(如光阻剝除液)。在使用聲波的例子中，聲音能量產生器(可與聲音能量產生器110相同或不同)可耦接至噴嘴118，以產生聲音攪動的流體流。
可以理解的是，在步驟302至308之前、之中、及/或之後可進行其他步驟/製程，且可結合某些上述製程。舉例 來說，步驟304至308可結合為單一步驟。在清潔光罩102/200之製程中，可將噴霧119與超音波頻率振盪之流體流120各自同時施加至光罩102/200之正面與背面上。值得注意的是，某些實施例中的步驟302至308不需翻轉光罩，即可避免或限制清潔製程所移除的污染物再次黏附回光罩。
第4A與4B圖係某些實施例中，光罩上多個點所測得的聲壓。如前所述，當聲音攪動的流體流施加至光罩表面上時，流體流中產生的微泡可移除表面上的污染物。一般而言，施加於光罩表面上之聲音攪動流體流其強度及/或效果，可由表面上測得的聲壓定量。在第4A圖中，噴嘴404(可視作前述之噴嘴108及/或118)產生聲音攪動的流體流406於光罩402(可視作前述之光罩102/200)的背面上。當聲音攪動的流體流406施加至光罩402上時，感測器401、403、405、與407將監測光罩402上不同點位的聲壓。在第4A圖所示之實施例中，感測器401位於光罩背面，且位於聲音攪動的流體流406入射光罩處；感測器403位於光罩正面，且位於聲音攪動的流體流406入射光罩處；感測器405與407則位於光罩正面，且分別位於與聲音攪動的流體流406入射光罩處相隔不同水平距離處。第4B圖係感測器401、403、405、與407所測得之聲壓曲線。曲線420對應感測器401測得之聲壓，與聲音能量產生器110提供之聲音功率之相對曲線。曲線430對應感測器403測得之聲壓，與聲音能量產生器110提供之聲音功率之相對曲線。曲線440對應感測器405測得之聲壓，與聲音能量產生器110提供之聲音功率之相對曲線。曲線450對應感測器407測得之聲壓，與聲音能量產生器110 提供之聲音功率之相對曲線。
如第4B圖所示，曲線420之聲壓高於曲線430、440與450之聲壓，顯示雖然聲音攪動的流體流係由光罩402背面入射，但仍振動光罩整體。此外，第4B圖之虛線421之右側中，感測器401所測得的聲壓趨於穩定，即聲音能量產生器提供之超音波功率超過臨界值後，將不會進一步增加聲壓。
依據上述內容可知本揭露的諸多優點。然而需理解的是，上述內容不需包含所有優點，其他實施例可具有不同優點，且所有實施例不需具有特定優點。
本揭露的優點之一為提供新穎的方法清潔光罩。如前所述，藉由本揭露之方法可系統，可依光罩之正面與背面分別採用兩種不同的方式，以同時清潔光罩之正面與背面。在某些實施例中，由於一般形成於光罩背面上的污染物比形成於光罩正面上的污染物具有較大尺寸，本揭露的方法與系統可進行臨場清潔製程。此外，由於各自清潔光罩的正面與背面，因此不需進行翻轉製程，即有利於避免翻轉製程造成的交叉污染。
本揭露某些實施例提供清潔光罩的系統，包括：托架，設置以支撐光罩且位於光罩的第一側；聲音能量產生器，設置以產生聲音能量，其包括超音波的頻率與波長之機械振動；以及流體施加器，耦接至聲音能量產生器，使流體施加器接收聲音能量產生器產生的聲音能量，以產生聲音攪動的流體流導向光罩的第二側，其中光罩的第一側與第二側對向設置，且其中光罩的第一側包括圖案。
本揭露某些實施例提供清潔基板的系統，包括：托架，設置以支撐並水平地旋轉基板，基板具有相反兩側之上表面與下表面，且基板之上表面包括圖案。此系統亦包括第一噴嘴，位於與基板之下表面相鄰處，且設置以施加依超音波頻率振動的流體流至基板的下表面上，使基板依超音波頻率機械振動；以及第二噴嘴，位於與基板之上表面相鄰處，且設置以釋放化學溶液至基板的上表面上。
本揭露多種實施例提供基板之清潔方法，包括：將聲音攪動之流體流導向基板的第一表面，使基板依超音波頻率機械振動，以移除基板的第一表面上的污染粒子，其中基板的第一表面與第二表面反向設置，且其中基板的第二表面包括一圖案。
上述實施例之特徵有利於本技術領域中具有通常知識者理解本發明。本技術領域中具有通常知識者應理解可採用本申請案作為基礎，設計並變化其他製程與結構以完成上述實施例之相同目的及/或相同優點。本技術領域中具有通常知識者亦應理解，這些等效置換並未脫離本發明之精神與範疇，並可在未脫離本發明之精神與範疇的前提下進行改變、替換、或更動。
θ‧‧‧角度
100‧‧‧系統
102‧‧‧光罩
102-B‧‧‧背面
102-A‧‧‧正面
104‧‧‧支撐指
106‧‧‧支撐柱
108、118‧‧‧噴嘴
110‧‧‧聲音能量產生器
119‧‧‧噴霧
120‧‧‧流體流
122‧‧‧托架

Claims (8)

  1. 一種清潔光罩的系統，包括：一托架，設置以支撐一光罩且位於該光罩的第二側；一聲音能量產生器，設置以產生聲音能量，其包括超音波的頻率與波長之機械振動；以及一流體施加器，耦接至該聲音能量產生器，使該流體施加器接收該聲音能量產生器產生的聲音能量，以產生聲音攪動的流體流導向該光罩的一第二側，其中該光罩的第一側與第二側對向設置，且其中該光罩的第一側包括一圖案，且該光罩的第二側不包括圖案，其中該聲音攪動的流體流以一角度導向該光罩的第二側，且該角度大於或等於約60度且小於約90度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之清潔光罩的系統，其中聲音攪動的流體流之組成為清潔流體，其包含臭氧水、氫氧化四甲基銨、溶於水中的二氧化碳、溶於水中的氫、或標準清潔品1。
  3. 一種清潔基板的系統，包括：一托架，設置以支撐並水平地旋轉一基板，該基板具有相反兩側之上表面與下表面，該基板之上表面包括一圖案，且該基板之下表面不包括圖案；一第一噴嘴，位於與該基板之下表面相鄰處，且設置以施加依超音波頻率振動的一流體流至該基板的下表面上，使該基板依超音波頻率機械振動；以及一第二噴嘴，位於與該基板之上表面相鄰處，且設置以釋 放一化學溶液至該基板的上表面上，其中該第一噴嘴位於該基板下且該第一噴嘴與該基板之間的角度大於或等於60度且小於90度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之清潔基板的系統，其中該第一噴嘴施加依超音波頻率振動的該流體流至該基板的下表面上之步驟，與該第二噴嘴釋放一化學溶液至該基板的上表面上之步驟同時進行。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之清潔基板的系統，其中該流體流之組成為清潔流體，其包含臭氧水、氫氧化四甲基銨、溶於水中的二氧化碳、溶於水中的氫、或標準清潔品1。
  6. 一種清潔方法，包括：將一聲音攪動之流體流以一角度導向一基板的第一表面，且該角度大於或等於約60度且小於約90度，使該基板依超音波頻率機械振動，以移除該基板的第一表面上的污染粒子，其中該基板的第一表面與第二表面反向設置，且其中該基板的第二表面包括一圖案，且該基板的第一表面不包括圖案。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之清潔方法，其中該聲音攪動之流體流的組成為清潔流體，其包含臭氧水、氫氧化四甲基銨、溶於水中的二氧化碳、溶於水中的氫、或標準清潔品1。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之清潔方法，更包括在將該聲音攪動之流體流導向該基板的第一表面時，同時施加一化學溶液至該基板的第二表面上，且該化學溶液的組成不同於該聲音攪動之流體流的組成。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9885952B2 (en) 2015-07-29 2018-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods of EUV mask cleaning
KR101972212B1 (ko) 2017-04-27 2019-04-25 한양대학교 에리카산학협력단 Euv 마스크 세정 용액 및 그 세정 방법
EP3486721A1 (en) 2017-11-17 2019-05-22 IMEC vzw Mask for extreme-uv lithography and method for manufacturing the same
US10684559B2 (en) * 2017-11-20 2020-06-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for cleaning reticle stage
US10722925B2 (en) * 2017-12-04 2020-07-28 Suss Micro Tec Photomask Equipment Gmbh & Co Kg Treatment head, treatment system and method for treating a local surface area of a substrate
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
DE102020114854A1 (de) * 2019-09-27 2021-04-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Verfahren zum reinigen eines substrats
US11440060B2 (en) * 2019-09-27 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for cleaning substrate
CN110976377B (zh) * 2019-12-10 2022-08-19 爱阔特(上海)清洗设备制造有限公司 一种用于晶圆清洗的超声清洗装置
KR102566723B1 (ko) * 2021-04-14 2023-08-14 아레텍 주식회사 반도체의 리소그래피용 포토 마스크에 이용되는 오존수를 이용한 스핀 세정방법
US11687012B2 (en) * 2021-06-25 2023-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduce mask defect impact by contamination decompose
KR102495224B1 (ko) * 2021-12-20 2023-02-06 에스케이엔펄스 주식회사 적층체의 제조방법 및 적층체
TWI806788B (zh) * 2022-10-11 2023-06-21 邱俊榮 光罩清潔設備、光罩翻轉機構及光罩清潔方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2879505B2 (ja) 1993-03-04 1999-04-05 シャープ株式会社 スクリーン版洗浄装置
TW464970B (en) 1999-04-21 2001-11-21 Sharp Kk Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device
CN1707746A (zh) 2004-06-10 2005-12-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于处理半导体器件的光掩模的方法
US20060027248A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaning with minimized interference
US20070068558A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for mask cleaning
US7682457B2 (en) * 2007-10-04 2010-03-23 Applied Materials, Inc. Frontside structure damage protected megasonics clean
JP2010027816A (ja) 2008-07-18 2010-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US9595457B2 (en) * 2008-12-12 2017-03-14 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
SG174616A1 (en) * 2009-03-31 2011-11-28 Acm Res Shanghai Inc Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
US20130206165A1 (en) * 2010-03-03 2013-08-15 Ahmed Busnaina Damage Free Cleaning Using Narrow Band Megasonic Cleaning
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
US8715890B2 (en) 2012-01-31 2014-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor mask blanks with a compatible stop layer
JP5842645B2 (ja) 2012-02-02 2016-01-13 旭硝子株式会社 ガラス基板の洗浄方法
US8709682B2 (en) 2012-02-08 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask and method for forming the mask
US8841047B2 (en) 2012-04-02 2014-09-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8628897B1 (en) 2012-07-05 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask
US8877409B2 (en) 2012-04-20 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reflective mask and method of making same
US8722286B2 (en) 2012-05-31 2014-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices and methods for improved reflective electron beam lithography
US20130340838A1 (en) * 2012-06-25 2013-12-26 Sematech, Inc. Facilitating streaming fluid using acoustic waves
US8679707B2 (en) 2012-08-01 2014-03-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a lithography mask
US8765330B2 (en) 2012-08-01 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase shift mask for extreme ultraviolet lithography and method of fabricating same
US8828625B2 (en) 2012-08-06 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same
US8785084B2 (en) 2012-09-04 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for mask fabrication and repair
US8765582B2 (en) 2012-09-04 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for extreme ultraviolet electrostatic chuck with reduced clamp effect
US8753788B1 (en) 2013-01-02 2014-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus of repairing a mask and a method for the same
US20150158056A1 (en) * 2013-12-06 2015-06-11 Sematech, Inc. Light-assisted acoustic cleaning tool
US9885952B2 (en) 2015-07-29 2018-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods of EUV mask cleaning

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