TWI589358B - 帶電粉體導引裝置 - Google Patents

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Description

帶電粉體導引裝置
本發明係有關一種用於形成均勻粉體層於加工件上之裝置，尤指一種帶電粉體導引裝置。
隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品在型態上趨於輕薄短小，在功能上則逐漸邁入高性能、高功能、高速度化的研發方向。
習知LED之製程中可藉由點膠或噴塗方式於其上形成螢光體。於一般塗佈方式中，因不易控制被塗佈物件上各區之塗佈量，故容易造成螢光體各處之量不一致，亦即螢光體之厚度高低不平。
另外，亦可使用流化床之噴塗方式，係如第1圖所示，一供應裝置1係包括：一具有複數微孔(圖略)之流化板10、設於該流化板10下方之供應部11、以及一其上設有複數發光二極體元件13之承載座12，該流化板10上係承載粉體8。
使用時，該承載座12設於該流化板10上方，且該供應部11由側邊供應氣體，以提供風力A至該流化板10下方，令該風力A經由該流化板10之微孔帶動該些粉體8 上升至該承載座12，使該些粉體8附著於承載座12上。
然而，該供應裝置1提供之風力A係直接帶動該些粉體8，且該風力A對著該流化板10之下表面全面吹動，但風經由該些微孔後即無法控制其吹向，致使該風力A通過該流化板10後容易產生不定向流動，如紊流，致使該些粉體8無法平均地上升，因而無法平均地分佈於該承載座12，故該些粉體8無法均勻地附著於各該發光二極體元件13上，因而無法達到最高均勻度。例如，如第1’圖所示，附著於該發光二極體元件13之側面13c上之粉體8極少，導致該粉體8於該發光二極體元件13之側面13c之厚度t遠薄於該粉體8於該發光二極體元件13之頂面13a之厚度d(d>t)。
再者，由於該流化板10之微孔之尺寸極小，於使用中，該些粉體8容易堵塞該些微孔，致使該風力A無法通過該流化板10之部分區域，導致該些粉體8無法均勻地附著於該承載座12上，因而無法達到最高均勻度。
因此，如何克服習知技術之種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。
鑑於上述習知技術之缺失，本發明提供一種帶電粉體導引裝置，係包括：本體，係供承載被塗佈物件；以及導電元件，係對應該被塗佈物件之位置而結合於該本體上。
於前述裝置之一具體實施例中，該導電元件係埋設於該本體中。
於前述裝置之一具體實施例中，復包括一設於該導電元件上之結合層，以供結合該被塗佈物件。
於前述裝置之一具體實施例中，該導電元件係為金屬塊或可導引電場之塊體。
於前述裝置之一具體實施例中，該導電元件係設於該本體上，使該本體與該被塗佈物件位於該導電元件之相對兩側。
於前述裝置之一具體實施例中，該導電元件中設有對應該被塗佈物件之通孔。於又一具體實施例中，前述裝置復包括一設於該導電元件上之絕緣層，使該絕緣層與該被塗佈物件位於該導電元件之相對兩側，且該通孔係延伸穿透該絕緣層。
於前述裝置之一具體實施例中，復包括一設於該導電元件上之導電層，使該導電層與該被塗佈物件位於該導電元件之相對兩側。例如，該導電層與該導電元件係為一體成型。
於前述裝置之一具體實施例中，該導電元件與導電層中設有彼此連通且對應該被塗佈物件之通孔。
於具有導電層之另一具體實施例中，該導電元件係埋設於該本體中，且該帶電粉體導引裝置復包括間隔件，係埋設於該本體中並位於該導電元件周圍，且該間隔件的電性與該帶電粉體的電性相斥。此外，該帶電粉體導引裝置復可包括一設於該導電元件上並供結合該被塗佈物件之結合層、及設於該本體或導電層之定位部，以供該結合層對 準設於該導電元件上。
於前述裝置之一具體實施例中，該導電元件之寬度與該被塗佈物件之寬度之比為0.7至1.5。
另外，於前述裝置之一具體實施例中，復包括間隔件，係結合該本體並位於該導電元件周圍。
由上可知，本發明之帶電粉體導引裝置，主要藉由該導電元件之設計，以略微調整電場方向，使該些帶電粉體之向上移動軌跡呈弧線方向，故相較於習知技術，能增加附著於該被塗佈物件之側面上之粉體，使該粉體於該被塗佈物件之各外露表面之厚度能趨近相等，因而能達到均勻度之需求。
1‧‧‧供應裝置
10‧‧‧流化板
11‧‧‧供應部
12‧‧‧承載座
13‧‧‧發光二極體元件
2,3a,3b,3c,3d,3e,3f,4a,4b‧‧‧帶電粉體導引裝置
20,30‧‧‧本體
21‧‧‧導電元件
22‧‧‧結合層
221‧‧‧凸部
23‧‧‧被塗佈物件
13a、23a‧‧‧頂面
13c、23c‧‧‧側面
31‧‧‧絕緣層
32‧‧‧通孔
33‧‧‧導電層
34‧‧‧定位部
40‧‧‧間隔件
5‧‧‧承載件
5a‧‧‧第一側
5b‧‧‧第二側
6‧‧‧作用源
8,9‧‧‧粉體
90‧‧‧粉粒
91‧‧‧膠材
A‧‧‧風力
S‧‧‧弧線方向
d,t‧‧‧厚度
w,r‧‧‧寬度
第1圖係為習知供應裝置的剖面示意圖；第1’圖係為第1圖的局部放大圖；第2圖係為具有本發明帶電粉體導引裝置之靜電沉積設備的剖面示意圖；第2’圖係為第2圖之帶電粉體導引裝置的局部放大圖；第3A至3F圖係為本發明之帶電粉體導引裝置之不同實施例之剖面示意圖；以及第4A及4B圖係為本發明之帶電粉體導引裝置之其它實施例之剖面示意圖。
以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方 式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。
須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“第一”、“第二”及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。
於本發明之以下實施例中，所述之作用源係可為撞擊力傳導、流體動力、聲波或超音波等任何可震動帶電粉體之作用力，且所述之被塗佈物件，包括LED元件，但不以此為限。
再者，本發明係用作用源作動靜止之帶電粉體或落至承載件中之帶電粉體，並可配合承載件上之一致性電場，以令震起之帶電粉體形成均勻之粉層附著於一接收處，而非使用風力帶動帶電粉體至接收處。又，較佳地，配合震起後上升之高度設計，可使該些帶電粉體形成更均勻之粉層。
如第2圖所示，該帶電粉體導引裝置2係與一承載件 5與一作用源6相互配合使用。
所述之承載件5係具有相對之第一側5a與第二側5b，且該承載件5之第一側5a上係用以佈設一粉體9。
於本實施例中，該粉體9係包括複數粉粒90與膠材91，例如，該膠材91係為固態顆粒狀，且該膠材91係可與該粉粒90相黏或分離、亦可包覆該粉粒90。再者，該粉粒90如螢光粉、奈米管(nano tube)、量子點(quantum dot)、碳管(carbon tube)、石墨烯(graphene)等粉粒。
所述之作用源6係位於該承載件5之第二側5b並與該第二側5b分離，以供作用該承載件5而震動位於該第一側5a上之粉粒90與膠材91。於其它實施例中，該作用源6可接觸該承載件5之第二側5b，例如，該作用源可為撞擊力、凸塊或水柱。
所述之帶電粉體導引裝置2係位於該承載件5之第一側5a上方且與該第一側5a分離，該帶電粉體導引裝置2係用以接收帶電粉粒90與膠材91，故可於該帶電粉體導引裝置2上承載被塗佈物件23，如LED元件，以供該些帶電粉粒90與膠材91形成於該些如LED元件之被塗佈物件23上。
於用於複數被塗佈物件23之實施例中，該帶電粉體導引裝置2係包括一本體20、埋設於該本體20中並對應該被塗佈物件23之複數相隔之導電元件21、及一設於該本體20上以結合該被塗佈物件23之結合層22。具體地，該本體20係為絕緣體，且該導電元件21係為金屬塊或其它 可導引電場之塊體，而該結合層22係為熱化離形膜(thermal release film)或膠帶等，但不限於上述。
當第2圖之靜電沉積設備運作時，係先令該承載件5上帶有直流高壓以產生電場，使該些粉粒90與膠材91帶有電荷(例如帶負電，如圖所示之”-”)，藉以使該承載件5與該帶電粉體導引裝置2間所產生之電場一致，再啟動該作用源6，使該作用源6將作用力傳遞至該承載件5，而造成該承載件5發生震動，以震動位於該第一側5a上帶電粉粒90與膠材91，並配合電場，使該些帶電粉粒90與膠材91震起離開該第一側5a以上升至該帶電粉體導引裝置2，並使該些帶電粉粒90藉由該膠材91附著於該些被塗佈物件23上。
因此，當該作用源6震動該承載件5而間接帶動該些帶電粉粒90與膠材91後，該些帶電粉粒90與膠材91即被震起而立即受電場導引附著於該些被塗佈物件23上，亦即於該承載件5與該帶電粉體導引裝置2之間增強向上作用力(即稱靜電吸引力或電場吸引力)，且於該承載件5與該帶電粉體導引裝置2之間並無其它外力(如習知風力)干擾向上作用力，故能有效控制該些帶電粉粒90與膠材91之方向(即向上)，使每一震動處所震起之帶電粉粒90與膠材91之高度分布一致，以確保附著於該些被塗佈物件23上之粉粒90之均勻度。
再者，可於該承載件5之第一側5a上設置一供電配備(圖略)，以提供電荷至該承載件5上，以令該承載件5 與該帶電粉體導引裝置2間所產生之電場一致。於另一具體實施例中，該承載件5係具有供電配備，而非於外部電性連接一供電配備。
於其它實施例中，該承載件5亦可帶正電。
本發明之帶電粉體導引裝置2係藉由在對應各該被塗佈物件23之位置上設置該些導電元件21，使該導電元件21能調整電場方向，故該些帶電粉粒90與膠材91之向上軌跡呈現弧線方向S，使該粉體9能大量附著於該被塗佈物件23之側面23c上，如第2’圖所示，而使該粉體9於該被塗佈物件23之側面23c之厚度略等於該粉體9於該被塗佈物件23之頂面23a之厚度，因而能達到均勻度之需求。
另外，該導電元件21之寬度r約為該被塗佈物件23之寬度w之0.7至1.5(即r=0.7w~1.5w)，以利於調整電場方向。
第3A至3F圖係為本發明之帶電粉體導引裝置3a,3b,3c,3d,3e,3f之不同實施例之剖面示意圖。
如第3A圖所示，所述之帶電粉體導引裝置3a係包括一本體30、設於該本體30上並對應該被塗佈物件23之複數相隔之導電元件21、及一設於該導電元件21上以結合該被塗佈物件23之結合層22。具體地，該導電元件21係為金屬塊或其它可導引電場之塊體，且該結合層22係為熱化離形膜(thermal release film)或膠帶等，但不限於上述。
於本實施例中，各該導電元件21中設有至少一通孔32，以供真空吸附該結合層22，以強化該被塗佈物件23 之定位，此外，該本體30可為真空吸附裝置。
如第3B圖所示，所述之帶電粉體導引裝置3b係包括一本體20、及埋設於該本體20中並對應該被塗佈物件23之複數相隔之導電元件21，該導電元件21係為金屬塊或其它可導引電場之塊體，但不限於上述。
於本實施例中，該導電元件21中設有通孔32，以真空吸附該被塗佈物件23，其中，該通孔32係連通一真空吸附裝置(圖略)。
如第3C圖所示，所述之帶電粉體導引裝置3c係於第3B圖之結構中增設絕緣層31。具體地，該絕緣層31設於該本體20與導電元件21上並與該被塗佈物件23位於該導電元件21之相對兩側，且該通孔32係延伸穿透該絕緣層31，以令該通孔32可真空吸附該被塗佈物件23。
如第3D圖所示，所述之帶電粉體導引裝置3d係於第3B圖之結構中增設導電層33。具體地，該導電層33係為板材，其設於該本體20與該導電元件21上並與該被塗佈物件23位於該導電元件21之相對兩側，且該導電元件21與該導電層33中未形成有上述之通孔32。
於本實施例中，該導電層33與該導電元件21係為一體成型，故於製作時，可於一導電板上移除部分材質以形成凸塊，使該凸塊供作為該導電元件21。
此外，如第3E圖所示，該帶電粉體導引裝置3e亦可形成有上述之通孔32，亦即該導電元件21與導電層33中設有彼此連通且對應該被塗佈物件23之通孔32。
如第3F圖所示，所述之帶電粉體導引裝置3f之該導電元件21係埋設於該本體20中，且該帶電粉體導引裝置3f復包括間隔件40，係埋設於該本體20中並位於該導電元件21周圍，且該間隔件40的電性與該帶電粉體的電性相斥。再者，該帶電粉體導引裝置3f復可包括一設於該導電元件21及本體20上並供結合該被塗佈物件23之結合層22、及設於該本體20或導電層33之定位部34，其可為一標記或如圖所示之凹部或其他可供該結合層對準設於該導電元件上設計。例如，第3F圖中之結合層22之凸部221對準插設在定位部34中。
第4A圖係為本發明之供應帶電粉體裝4a之其它實施例之剖面示意圖。
如第4A圖所示，所述之帶電粉體導引裝置4a係包括一本體20、埋設於該本體20中並對應該被塗佈物件23之複數相隔之導電元件21、及結合該本體20並位於該導電元件21周圍之間隔件40。
於本實施例中，該間隔件40圍繞該被塗佈物件23之側面，且該間隔件40與該帶電粉體之電性相斥，以利於該粉體附著於該被塗佈物件23之側面上。具體地，如第4A圖所示，該些粉體帶負電，該導電元件21則可接地或令其帶正電，且該間隔件40亦帶負電，故當該些粉體靠近該間隔件40時，該些粉體會因電性相斥之緣故而強制附著於該被塗佈物件23之側面。
此外，在如第4B圖所示之具體實施例中，所述之帶 電粉體導引裝置4b之該導電元件21和間隔件40皆係埋設於該本體20中，俾調整帶電粉體附著於該被塗佈物件23之側面的程度。
上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
2‧‧‧帶電粉體導引裝置
20‧‧‧本體
21‧‧‧導電元件
22‧‧‧結合層
23‧‧‧被塗佈物件
5‧‧‧承載件
5a‧‧‧第一側
5b‧‧‧第二側
6‧‧‧作用源
9‧‧‧粉體
90‧‧‧粉粒
91‧‧‧膠材
S‧‧‧弧線方向

Claims (15)

  1. 一種帶電粉體導引裝置，係包括：本體，係供承載被塗佈物件；以及導電元件，係對應該被塗佈物件之位置而結合於該本體上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件係埋設於該本體中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，復包括一設於該導電元件上之結合層，以供結合該被塗佈物件。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件係為金屬塊或可導引電場之塊體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件係設於該本體上，使該本體與該被塗佈物件位於該導電元件之相對兩側。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件中設有對應該被塗佈物件之通孔。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之帶電粉體導引裝置，復包括一設於該導電元件上之絕緣層，使該絕緣層與該被塗佈物件位於該導電元件之相對兩側，且該通孔係延伸穿透該絕緣層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，復包括一設於該導電元件上之導電層，使該導電層與該被塗佈物件位於該導電元件之相對兩側。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電層與該導電元件係為一體成型。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件與導電層中設有彼此連通且對應該被塗佈物件之通孔。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件係埋設於該本體中，且該帶電粉體導引裝置復包括間隔件，係埋設於該本體中並位於該導電元件周圍，且該間隔件的電性與該帶電粉體的電性相斥。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之帶電粉體導引裝置，復包括一設於該導電元件上並供結合該被塗佈物件之結合層、及設於該本體或導電層之定位部，以供該結合層對準設於該導電元件上。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件之寬度與該被塗佈物件之寬度之比為0.7至1.5。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粉體導引裝置，復包括間隔件，係結合該本體並位於該導電元件周圍，且該間隔件的電性與該帶電粉體的電性相斥。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之帶電粉體導引裝置，其中，該導電元件和間隔件皆係埋設於該本體中。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH06320067A (ja) * 1993-05-17 1994-11-22 Nippon Parkerizing Co Ltd 静電粉体塗装装置
US6399143B1 (en) * 1996-04-09 2002-06-04 Delsys Pharmaceutical Corporation Method for clamping and electrostatically coating a substrate
US9586216B2 (en) * 2013-10-28 2017-03-07 Achrolux Inc. Charged powder supply device

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