TWI586516B - Ic承載盤之靜電消散打包帶、其製造方法及設備 - Google Patents

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Description

IC承載盤之靜電消散打包帶、其製造方法及設備
本發明係關於一種靜電消散打包帶、及其製造方法與設備,特別係關於一種用於捆綁固定IC承載盤的靜電消散打包帶、及其製造方法與設備。
相較於一般用於捆綁固定物品之打包帶,在電子產業中所用於固定複數個IC承載盤之打包帶不僅需要具有良好的機械性質以達成牢固的捆綁固定功能,更需要具有良好的導靜電能力,以避免因為靜電蓄積造成承載盤中電子元件受損。
中華民國發明專利第591072號揭露了一種用於固定IC承載盤之結束帶,該結束帶包含一基材及添加劑,其製法係將前述材料混合後經由押出機擠壓成帶狀體,後續再經過冷卻、滾壓等程序,產出具有特定紋路、厚度及物理性質之結束帶;其中,該專利所揭露之結束帶,具有7~8毫米的厚度,使用之抗靜電添加劑為銨類,且表面電阻值為1010~1011歐姆。然而,為使打包帶使用時能夠更加貼合承載盤之轉角處或凹槽,以減少複數個承載盤的晃動,實有必要提供厚度更薄的打包帶。此外,為能更有效率的導除靜電,以避免電子元件因為靜電蓄積受損,亦有必要使用電阻值 較低的基底材料,或改善打包帶之結構,以得到表面電阻值更低的打包帶。
中華民國新型專利M455318揭露一種捆包帶結構,該帶體由熱塑性塑料、抗靜電劑、柔軟劑及發泡劑等材料混煉而製成,所製得之捆包帶厚度為0.3~0.45mm,且採用例如導電碳黑、石墨粉、石墨烯、乙炔碳粉、或碳纖維之材料作為抗靜電劑而使其表面電阻值降低至約104~109歐姆。為能達到較佳的抗靜電效果,此種以混煉方式所製得之帶體中必須添加大量的抗靜電劑,以藉由混煉而均勻分散於帶體塑料中;然而,由於例如導電碳黑及石墨烯等此類材料的價格較為昂貴,明顯高於帶體中其他材料的價格,如此,必然會增加打包帶的生產成本。
有鑑於上述先前技術之缺點,目前仍亟需一種成本低、可靠度高之打包帶、及其相應製法。
基於上述先前技術的不足之處,本發明之一目的在於提供一種靜電消散打包帶,以在其用於捆綁IC承載盤時,提供更佳的抗靜電效果,避免靜電蓄積對IC元件造成損害。
本發明之另一目的在於減少打包帶中抗靜電劑的所需用量,以進一步降低靜電消散打包帶之生產成本。
鑑於上述目的,在本發明之一構想中,係提出一種製造IC承載盤之靜電消散打包帶的方法,其包含一基底材料混煉步驟,以提供一帶體基底材料;一帶體製作步驟,使該帶體基底材料通過一押出成型機,押出製成一打包帶帶體;一電暈處理步驟,對該打包帶帶體的表面進行電暈處理;一表層塗佈步驟,於經過前述電暈處理步驟處理之該打包帶帶體 表面塗佈一含碳之靜電導流層;以及一固化步驟,使塗佈有該含碳之靜電導流層之該打包帶帶體固化,即製得該靜電消散打包帶。較佳地,本發明可以選擇性地在該固化步驟之後提供一退火處理步驟,對該靜電消散打包帶進行一退火處理。更佳為,前述帶體製作步驟可以選擇性地在180℃至220℃間的溫度下押出成型該打包帶帶體。
根據上述構想,前述基底材料包含一結晶性聚丙烯、一非結 晶性聚丙烯、以及一結晶性聚丙烯與非結晶性聚丙烯之共聚物中之至少一種材料。較佳地,該基底材料進一步包含一柔軟劑,其包含一聚乙氧基烷、一聚烷基酯、以及一聚酯中之至少一種材料。更佳為,該基底材料可以選擇性地包含一顏料,使該打包帶帶體具有一特定顏色。
根據上述構想,前述帶體製作步驟進一步包含在該打包帶帶 體之一正面表面及一反面表面分別壓製出一凹紋或一凸紋。較佳地,該正面表面之一凹紋或一凸紋與該反面表面之一凹紋或一凸紋交錯排列。
根據上述構想,該固化步驟係一在80℃至120℃的溫度下 進行的熱風乾燥固化步驟。該表層塗佈步驟係浸塗、噴塗、及滾塗中其中一步驟。
根據上述構想,該表層塗佈步驟係一表面沉積步驟,該表面沉積步驟包含一物理氣相沉積步驟與一化學氣相沉積步驟。
根據上述構想,前述方法製得之該靜電消散打包帶厚度係介於0.35至0.45毫米,表面電阻值係介於104~108歐姆。
鑑於前述目的,在本發明之另一構想中,係提出一種IC承載盤之靜電消散打包帶的連續式製造設備,其包含一混煉裝置,其使一靜 電消散打包帶之一基底材料均勻混合;一押出成型裝置,設於該混煉裝置之下游處,其將經均勻混合之該基底材料押出成型為一打包帶帶體;一電暈處理裝置,設於該押出成型裝置之下游處,其對該打包帶帶體進行電暈處理,藉以提高該打包帶帶體表面之表面能量;一塗佈裝置,設於該電暈處理裝置之下游處,其於經電暈處理之該打包帶帶體表面塗佈一含碳之靜電消散層;以及一固化裝置,設於該塗佈裝置之下游處,其加速該打包帶帶體表面之該含碳之靜電消散層之固化,其中該固化裝置係包含一乾燥裝置。
根據上述構想,前述連續式製造設備包含在該固化裝置之下游處設置一加熱裝置,於150℃至170℃下對該含碳之靜帶消散層進行退火。
鑑於上述目的,本發明之又一構想在於提供由前述方法與設備所製得之靜電消散打包帶,其於捆綁IC承載盤時可提供更佳的抗靜電效果,避免靜電蓄積對IC元件造成損害。此外,該靜電消散打包帶所需之抗靜電劑用量較低,故可降低靜電消散打包帶之生產成本。
S11、S21‧‧‧基底材料混煉步驟
S12、S22‧‧‧帶體製作步驟
S13、S23‧‧‧電暈處理步驟
S14、S24‧‧‧表層塗佈步驟
S15、S25‧‧‧固化步驟
S26‧‧‧加熱步驟
100、200‧‧‧靜電消散打包帶製作方法
300‧‧‧連續式處理設備
10、20‧‧‧靜電消散打包帶
11、21‧‧‧基材
12、22‧‧‧含碳之靜電導流層
23‧‧‧凹紋
24‧‧‧凸紋
30、40‧‧‧帶體基底材料
30A、40A‧‧‧打包帶帶體
31、41‧‧‧混煉裝置
32、42‧‧‧押出成型裝置
33、43‧‧‧電暈處理裝置
331、332、360‧‧‧輥子
431、432、460‧‧‧輥子
34、44‧‧‧塗佈或沉積裝置、塗佈裝置
35、45‧‧‧固化裝置
36、47‧‧‧收料捲取裝置
46‧‧‧加熱裝置
本發明得藉由下列圖式及詳細說明,俾得以令讀者更深入瞭解:第一圖是本發明一種實施方式之靜電消散打包帶製作方法流程圖。
第二圖是本發明一種實施方式中製作靜電消散打包帶之連續設備示意圖。
第三圖是本發明一種實施方式之靜電消散打包帶截面示意圖。
第四圖是本發明另一種實施方式之靜電消散打包帶立體示意圖。
第五圖是本發明另一種實施方式之靜電消散打包帶截面示意圖。
第六圖是本發明另一種實施方式之靜電消散打包帶製作方法流程圖。
第七圖是本發明另一種實施方式中製作靜電消散打包帶之連續設備示意圖。
下文係參照本案圖式說明本發明之具體實施方式;然需瞭解的是,這些圖式中所標示之元件係為說明清晰之用,其並不代表實際的尺寸與比例,且為求圖面簡潔以利於瞭解,部分圖式中亦省略了習知元件之繪製。
請參考第一圖,其係一流程圖,該圖係示意性說明了根據本發明之一具體實施方式之靜電消散打包帶製作方法100。此外,本發明之靜電消散打包帶製作方法100係可藉由如第二圖所示之連續式處理設備300而實施。
如第一圖所示,根據本發明之一具體實施例,該靜電消散打包帶製作方法100係包括如下步驟。在基底材料混煉步驟S11中,提供一帶體基底材料進行混煉;一種例示的帶體基底材料組成係如下表一所示。 具體而言,本發明實施例之帶體基體材料主要係包含結晶性聚丙烯與非結晶性聚丙烯之共聚物、柔軟劑、增韌劑以及架橋劑。在一例示組成中,所使用之柔軟劑係一聚烷基酯材料,增韌劑係一聚醯胺(Nylon 6)材料,而架橋劑為馬來酸酐(maleic anhydride);其組成比例(重量百分比)分別為3%、3%、以及4.5%。經由一混煉裝置31(示於第二圖),使前述帶體基底材料30(示於第二圖)在其中均勻混合。較佳的是,本發明之帶體基底材料可以是選自結晶性聚丙烯、非結晶性聚丙烯以及結晶性聚丙烯與非結晶性聚丙烯之共聚物中至少一種材料。更佳的是,本發明之柔軟劑可以是選自聚乙氧基烷、聚烷基酯、聚酯中至少一種材料。值得一提的是,在本發明中,可以選擇性地於帶體基體材料中加入一顏料,使製作完成之打包帶帶體具有一特定顏色。
接著,在帶體製作步驟S12中,使用設置在混煉裝置31下游之一押出成型裝置32(示於第二圖),在180~220℃的溫度下,將前述 均勻混合後之帶體基底材料押出製成一打包帶帶體30A(示於第二圖)。
在本發明方法之電暈處理步驟S13中,使打包帶帶體30A 進入設置在押出成型裝置32下游之一電暈處理裝置33(示於第二圖),在電暈處理裝置33內對打包帶帶體30A的表面進行電暈處理(corona processing),以提高打包帶帶體30A之表面能量。在本發明之實施例中,電暈處理裝置33中係設有二組電極,以同時在打包帶帶體30A之正面及反面進行電暈處理。
接著,在表層塗佈步驟S14中,使經過電暈處理之打包帶 帶體通過設置在電暈處理裝置下游之一塗佈裝置34(示於第二圖),利用噴塗方式,在經過電暈處理之打包帶帶體表面塗佈一含碳之靜電導流層,例如石墨烯層、或奈米碳管層。熟知本發明所屬領域技術者可知,在本發明之實施例中,亦可以係使用浸塗方式或滾塗方式進行表層塗佈。在一較佳實施例中,進行表層塗佈時,可使用分散於例如(但不限於)聚氨酯、丙烯酸、環氧樹脂之奈米碳管所為含碳原料,進而形成本創作之靜電導流層;具體而言,靜電導流層的厚度係與使用之含碳原料的奈米碳管含量以及所欲實現之表面電阻率有關,而可介於1微米(奈米碳管含量為1~3%)至5微米(奈米碳管含量為1%)之間。此外,在本發明之其他實施例中,亦可使用任何表面沉積方式於打包帶帶體表面上形成含碳之靜電導流層,包含、但不限於真空濺鍍等之物理沉積方式。
根據本發明實施例,在以奈米碳管作為含碳原料時,可先利 用研磨機對縱長介於8至17微米間之奈米碳管進行2至10小時之奈米級研磨,以形成長約1微米之奈米碳管,以作為靜電導流層之含碳原料。然 需注意的是,研磨時間係依奈米碳管的原始管徑與長度、以及成形之導流層厚度等因子加以選擇,以避免奈米碳管因過度研磨而產生質變。
接著,在本發明方法之固化步驟S15中,使表面塗有含碳 之靜電導流層的打包帶帶體通過設置在塗佈裝置34下游之一固化裝置35(示於第二圖)以進行固化。舉例而言,在本發明實施例中,固化裝置35係具有風扇之一乾燥裝置,其使塗佈於前述打包帶帶體上之含碳之靜電導流層可在80~120℃溫度下的熱風循環中,經過一段預定時間完成固化。 在一較佳實例中,塗佈於前述打包帶帶體上之含碳之靜電導流層係於100℃溫度下的熱風循環中,經過預定時間乾燥後完成固化。根據本發明之實施例,經前述固化之打包帶帶體係於收料捲取裝置36中捲收為捲材。
藉由本發明之前述實施細節所製成的靜電消散打包帶具有基本物理特性如下:厚度為0.4毫米、帶寬為7.5毫米、靜電導流層厚度為1微米、表面電阻為106歐姆、強度(拉力測試)為可承受40~45公斤。此外,在本發明之靜電消散打包帶製作方法中,更可以選擇性地改變塗佈厚度,以視實際應用所需以及含碳原料的含碳量而調整含碳之靜電導流層的厚度(例如介於0.5至5微米),進一步調整其表面電阻值為介於104~108歐姆之間。
值得一提的是,在本發明中,用於實施本發明之靜電消散打包帶製作方法100之設備係一連續式處理設備300(如第二圖所示),其藉由設置在設備中之輥子進行帶料的捲收,以進行連續式處理。舉例而言,在押出成型裝置32下游係設有輥子331、332,以利捲收由押出成型裝置32所押出成型之打包帶帶體30A。此外,在固化裝置35下游的收料捲取裝 置36中,亦藉由輥子360進行收料捲取動作,使連續地通過電暈處理裝置33、塗佈或沉積裝置34以及固化裝置35進行處理之打包帶帶體得以捲收而形成捲材以利運輸與收納,至此完成本發明之靜電消散打包帶的製作。 藉此,本實施方式得以在單一的連續式設備中,完成靜電消散打包帶的所有製作步驟,以達到提高生產效率及降低生產成本之目的。
第三圖係根據本發明之一具體實施例的靜電消散打包帶之 截面示意圖,其示意說明了由本發明所提出之前述製造方法與設備所製得之靜電消散打包帶的示意結構。如第三圖所示,本發明之靜電消散打包帶10包含一基材11,基材11之外圍係形成有一含碳之靜電導流層12。根據本發明之實施例,含碳之靜電導流層12可選自石墨烯以及奈米碳管中至少一種材料。
當使用本發明之靜電消散打包帶10以固定IC承載盤時,靜 電電荷能夠經由打包帶表層的含碳之靜電導流層12而傳導至外界,藉此,靜電電荷即不會蓄積在IC元件或是IC承載盤中。此外,帶有靜電電荷之人體或機器在接觸IC元件或是IC承載盤時,電荷亦能夠藉由靜電消散打包帶表層的含碳之靜電導流層12接地導出,以避免IC元件因為靜電電荷蓄積造成的靜電放電現象及靜電放電現象造成的損害。
除前述優勢外,藉由本發明之構想,僅需在帶體基材外側塗 佈一含碳之靜電導流層,而無須在靜電消散打包帶的整個帶體中均勻混合大量的含碳材料;如此,本發明之靜電消散打包帶可以節省含碳之靜電導流層的材料用量,以達到節省成本的目的。
請參閱第四圖與第五圖,其分別為根據本發明另一實施方式 之靜電消散打包帶的立體示意圖與截面示意圖。如圖所示,在此一實施例中,靜電消散打包帶20係包含基材21以及形成於基材21外圍的含碳之靜電導流層22。此外,在靜電消散打包帶20的兩表面(例如正面與反面)上,係分別形成有相應地交錯排列之凹紋23與凸紋24,以增加靜電消散打包帶20之表面磨擦力,及加強靜電消散打包帶20沿著押出成型方向的材料強度。藉此,本實施方式得以在維持適當強度的情況下,減少靜電消散打包帶之厚度,進而減少用料與製作成本。
如前述說明者,當使用本發明之靜電消散打包帶20以固定IC承載盤時,靜電電荷能夠經由靜電消散打包帶表層的含碳之靜電導流層22傳導至外界,避免因靜電電荷蓄積造成的靜電放電現象損害IC承載盤中的IC元件。帶體基底材料的組成並不限於表一所列比例。在本發明另一具體實施例中(請參閱第六及七圖),係採用如下表二所示之例示帶體基底材料40組成來製作靜電消散打包帶。如前所述,本發明實施例之帶體基體材料40主要係包含結晶性聚丙烯、柔軟劑、增韌劑以及架橋劑。在例示組成中,所使用之柔軟劑係由一聚酯材料組成,增韌劑係一聚醯胺(Nylon 6)材料,而架橋劑係一聚矽氧烷材料;其組成比例(重量百分比)分別為6%、2%、以及4%。架橋劑之主要作用係在次一實施塗層施工中加強極性材料奈米碳管及非極性材,一個多帶基材結晶生聚丙烯及原酯等之表層附著力強化電暈處理之效力。值得一提的是,可於前述帶體基底材料中加入顏料,以使製作完成之打包帶帶體具有一特定顏色。
表二、另一種實施方式中靜電消散打包帶之基底材料成份
接著,請參閱第六圖及第七圖,說明本具體實施例之靜電消散打包帶之製作方法200如下。
在基底材料混煉步驟S21中,將前述帶體基底材料40(示於第七圖)置入混煉裝置41中均勻混合後,在帶體製作步驟S22中,使用設置在混煉裝置41下游之一押出成型裝置42(示於第七圖),在180至220℃的溫度下,將前述均勻混合後之帶體基底材料押出製成一打包帶帶體40A(示於第七圖)。
在電暈處理步驟S23中,使打包帶帶體40A進入設置在押出成型裝置42下游之一電暈處理裝置43(示於第七圖),在電暈處理裝置43內對打包帶帶體40A的表面進行電暈處理(corona processing),以提高打包帶帶體40A之表面能量。在本發明之實施例中,電暈處理裝置43中係設有二組電極,以同時在打包帶帶體40A之正面及反面進行電暈處理。
接著,在表層塗佈步驟S24中,使經過電暈處理之打包帶帶體通過設置在電暈處理裝置下游之一塗佈裝置44(示於第七圖),利用滾塗方式,在經過電暈處理之打包帶帶體表面塗佈一含碳之靜電導流層,例 如石墨烯層、或奈米碳管層。熟知本發明所屬領域技術者可知,在本發明之實施例中,亦可以係使用浸塗方式或噴塗方式進行表層塗佈。在一較佳實施例中,進行表層塗佈時,可使用分散於例如(但不限於)聚氨酯、丙烯酸、環氧樹脂之奈米碳管所為含碳原料,進而形成本創作之靜電導流層;具體而言,靜電導流層的厚度係與使用之含碳原料的奈米碳管含量以及所欲實現之表面電阻率有關,而可介於1微米(奈米碳管含量為1~3%)至5微米(奈米碳管含量為3%)之間。此外,在本發明之其他實施例中,亦可使用任何表面沉積方式於打包帶帶體表面上形成含碳之靜電導流層,包含、但不限於真空濺鍍等之物理沉積方式。
如前所述,在本發明實施例中以奈米碳管作為含碳原料時, 可先利用研磨機對縱長介於8至17微米間之奈米碳管進行2至10小時之奈米級研磨,以形成長約1微米之奈米碳管,以作為本發明靜電導流層之含碳原料。然需注意的是,研磨時間係依奈米碳管的原始管徑與長度、以及成形之導流層厚度等因子加以選擇,以避免奈米碳管因過度研磨而產生質變。
接著,在本發明方法之固化步驟S25中,使表面塗有含碳之靜電導流層的打包帶帶體通過設置在塗佈裝置44下游之一固化裝置45(示於第七圖)以進行固化。舉例而言,在本發明實施例中,固化裝置45係具有風扇之一乾燥裝置,其使塗佈於前述打包帶帶體上之含碳之靜電導流層可在80~120℃溫度下的熱風循環中,經過一段預定時間完成固化。在一較佳實例中,塗佈於前述打包帶帶體上之含碳之靜電導流層係於100℃溫度下的熱風循環中,經過預定時間乾燥後完成固化。
接著,在本發明之退火步驟中,使用設置在固化裝置下游之 一加熱裝置,在約150~170℃的溫度下,對前述打包帶帶體之含碳之靜電導流層進行退火處理,使含碳之靜電導流層中的奈米碳管經由退火處理而團聚,並消除奈米碳管間的間隙,使前述打包帶帶體之含碳之靜電導流層具有更佳的導電性。
根據本發明之實施例,經前述退火步驟之打包帶帶體係於收料捲取裝置47中捲收為捲材。
在本實施方式中,經由上述方法製成的靜電消散打包帶具有基本物理特性如下為厚度為0.45毫米、帶寬為7.5毫米、靜電導流層厚度為1微米、表面電阻為104歐姆、強度(拉力測試)為可承受45~50公斤。此外,在本發明之靜電消散打包帶製作方法中,更可以選擇性地改變塗佈厚度,以視實際應用所需與含碳原料的碳含量而調整含碳之靜電導流層的厚度(例如介於0.5至5微米),進一步調整其表面電阻值為介於104~108歐姆之間。
值得一提的是,在本發明中,用於實施本發明之靜電消散打包帶製作方法200之設備係一連續式處理設備400(如第七圖所示),其藉由設置在設備中之輥子進行帶料的捲收,以進行連續式處理。舉例而言,在押出成型裝置42下游係設有輥子431、432,以利捲收由押出成型裝置42所押出成型之打包帶帶體40A。此外,在加熱裝置46下游的收料捲取裝置47中,亦藉由輥子470進行收料捲取動作,使連續地通過電暈處理裝置43、塗佈裝置44、固化裝置45以及加熱裝置46進行處理之打包帶帶體得以捲收而形成捲材以利運輸與收納,至此完成本發明之靜電消散打包帶的 製作。在一替代具體實施例中,本發明之連續式處理設備亦可進一步設有棚架,以供經退火處理之打包帶帶體懸掛其上,可進一步避免打包帶帶體在捲取後扭曲變形。藉此,本實施方式得以在單一的連續式設備中,完成靜電消散打包帶的所有製作步驟,以達到提高生產效率及降低生產成本之目的。
藉由本發明之IC承載盤之靜電消散打包帶的製作方法及設備所製成的靜電消散打包帶具有形成於打包帶帶體外圍表面之一含碳之靜電導流層,其中,藉由含碳之靜電導流層厚度與材料組成的調整,即可進一步調整靜電消散打包帶的表面電阻值,使其表面電阻值介於104~109歐姆之間;因此,在使用本發明之靜電消散打包帶以捆綁IC承載盤時,即可提供比傳統添加抗靜電劑之打包帶更為優異的抗靜電效果,有效避免靜電蓄積對IC元件造成損害。此外,本發明有效地減少了昂貴的含碳材料之用量,進以降低靜電消散打包帶之生產成本。值得一提的是,藉由本發明之方法及設備,得以在單一連續性設備中完成靜電消散打包帶的所有製作步驟,達到提高生產效率及大量降低生產成本之目的。
以上所述僅為舉例性,而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇,而對其進行之等效修改或變更,均應包含於後附之申請專利範圍中。
100‧‧‧靜電消散打包帶製作方法
S11‧‧‧基底材料混煉步驟
S12‧‧‧帶體製作步驟
S13‧‧‧電暈處理步驟
S14‧‧‧表層塗佈步驟
S15‧‧‧固化步驟

Claims (17)

  1. 一種用於製造IC承載盤之靜電消散打包帶的方法,包含:一基底材料混煉步驟,以提供一帶體基底材料;一帶體製作步驟,使該帶體基底材料通過一押出成型機,押出製成一打包帶帶體;一電暈處理步驟,對該打包帶帶體的表面進行電暈處理;一表層塗佈步驟,於經過前述電暈處理步驟處理之該打包帶帶體表面塗佈一含碳之靜電導流層;以及一固化步驟,使塗佈有該含碳之靜電導流層之該打包帶帶體固化,即製得該靜電消散打包帶。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中,在該固化步驟之後,該方法進一步包含:一退火步驟,係於150℃至170℃下對該靜電消散打包帶進行一退火處理。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該基底材料包含由以下材料所組成之族群中所選擇之至少一種材料:一結晶性聚丙烯;一非結晶性聚丙烯;以及一結晶性聚丙烯與非結晶性聚丙烯之共聚物。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該基底材料進一步包含一柔軟劑,其選自由以下材料所組成之族群中所選擇之至少一種材料:一聚乙氧基烷; 一聚烷基酯;以及一聚酯。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該基底材料進一步包含一顏料,使該打包帶帶體具有一特定顏色。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該帶體製作步驟係於180℃至220℃下進行。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該帶體製作步驟包含在該打包帶帶體之一正面表面及一反面表面分別壓製出一凹紋或一凸紋。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法,其中該正面表面之一凹紋或一凸紋與該反面表面之一凹紋或一凸紋交錯排列。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該含碳之靜電導流層包含由以下成分所組成之族群中所選擇之一種成分:一石墨烯;以及一奈米碳管。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該表層塗佈步驟係包含浸塗、噴塗、及滾塗中其一。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該表層塗佈步驟係一表面沉積步驟,該表面沉積步驟包含一物理氣相沉積步驟與一化學氣相沉積步驟。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該固化步驟係一乾燥固化步驟,其是在80℃至120℃下進行。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該含碳之靜電導流層之厚度係介於0.5至20微米。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法,其所製得之該靜電消散打包帶的厚度係介於0.35至0.45毫米。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法,其所製得之該靜電消散打包帶的表面電阻值係介於104~108歐姆。
  16. 一種IC承載盤之靜電消散打包帶的製造設備,包含:一混煉裝置,其使一靜電消散打包帶之一基底材料均勻混合;一押出成型裝置,設於該混煉裝置之下游處,其將經均勻混合之該基底材料押出成型為一打包帶帶體;一電暈處理裝置,設於該押出成型裝置之下游處,其對該打包帶帶體進行電暈處理,藉以提高該打包帶帶體表面之表面能量;一塗佈或沉積裝置,設於該電暈處理裝置之下游處,其於經電暈處理之該打包帶帶體表面塗佈或沉積一含碳之靜電導流層;以及一固化裝置,設於該塗佈裝置之下游處,其加速該打包帶帶體表面之該含碳之靜電消散層之固化,其中該固化裝置係包含一乾燥裝置。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之設備,進一步包含一加熱裝置,其設於該固化裝置之下游處而於150℃至170℃下對該含碳之靜電導流層進行退火。
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