TWI580733B - 硬化性組成物及其製造法、硬化物及光學半導體裝置 - Google Patents

硬化性組成物及其製造法、硬化物及光學半導體裝置 Download PDF

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Description

硬化性組成物及其製造法、硬化物及光學半導體裝置
本發明關於一種硬化性組成物、硬化物及光學半導體裝置。
加成硬化型矽酮橡膠組成物可形成耐候性、耐熱性、硬度、延伸等橡膠性質優異的硬化物，因此於LED的封裝體密封劑等各種用途中使用。然而，於其硬化物的表面具有黏性而附著塵埃，而且在產品的篩選中所使用的送料器中，存在封裝體彼此黏著等問題。
為了使黏性喪失，使用硬質矽酮樹脂即可，但其硬化物存在耐衝擊性低，特別是有容易由於熱衝擊而產生裂痕的問題。
因此，提出了利用兩者的特性，藉由於加成硬化型矽酮橡膠組成物中調配樹脂狀有機聚矽氧烷而使硬化物的強度提高的方法、及於加成硬化型矽酮橡膠組成物的硬化物上被覆樹脂的方法等(專利文獻1、專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-99835號公報
[專利文獻2]日本專利特開2007-103494號公報
本發明的目的在於提供可獲得黏性降低的硬化物的硬化性組成物、及由該硬化性組成物而所得的硬化物、包含 該硬化物的光學半導體裝置。
達成所述目的的本發明如下所述。
[1]一種硬化性組成物，其含有：具有烯基的聚矽氧烷(A)、飽和烴化合物(B)及每1分子中具有至少2個與矽原子鍵結的氫原子的聚矽氧烷(D)。
[2]根據上述[1]所述的硬化性組成物，飽和烴化合物(B)的沸點於1大氣壓下為50℃~150℃。
[3]根據上述[1]或[2]所述的硬化性組成物，飽和烴化合物(B)的含有比例是0.1 ppm~5000 ppm。
[4]根據上述[1]~[3]中任一項所述的硬化性組成物，飽和烴化合物(B)是飽和脂環族烴化合物。
[5]根據上述[1]~[4]中任一項所述的硬化性組成物，具有烯基的聚矽氧烷(A)是具有芳基的聚矽氧烷。
[6]一種硬化性組成物的製造方法，其是含有具有烯基的聚矽氧烷(A)、飽和烴化合物(B)及每1分子中具有至少2個與矽原子鍵結的氫原子的聚矽氧烷(D)的硬化性組成物的製造方法，其使用所述飽和烴化合物(B)作為合成溶劑而合成所述聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(D)的至少任一方，使用所得的含有聚矽氧烷的合成溶液的濃縮物。
[7]一種硬化物，其藉由對根據上述[1]~[5]中任一項所述的硬化性組成物進行硬化而獲得。
[8]一種光學半導體裝置，其包含：半導體發光元件、與被覆該半導體發光元件的根據上述[7]所述的硬化物。
本發明的硬化性組成物可形成黏性充分減低的硬化物。包含由本發明的硬化性組成物所形成的硬化物作為密封材等的光學半導體裝置於硬化物的表面附著塵埃等的可能性小，而且在產品的篩選中所使用的送料器中，產生封裝體彼此黏著等問題的可能性小。
<硬化性組成物>
本發明的硬化性組成物含有：具有烯基的聚矽氧烷(A)、飽和烴化合物(B)及每1分子中具有至少2個與矽原子鍵結的氫原子的聚矽氧烷(D)。本發明的硬化性組成物除此以外亦可含有矽氫化反應用催化劑(C)或添加劑。
另外，於本發明中，所謂“聚矽氧烷”是表示具有鍵結有2個以上矽氧烷單元(Si-O)的分子骨架的化合物。
聚硅氧烷(A)
聚硅氧烷(A)是具有烯基的聚硅氧烷。聚矽氧烷(A)是本組成物的主成分，藉由與聚矽氧烷(D)的矽氫化反應而硬化，成為硬化物的主體。
聚矽氧烷(A)只要可藉由與聚矽氧烷(D)的矽氫化反應而硬化，則並無特別限制。
聚矽氧烷(A)亦可為與聚矽氧烷(D)相同的化合物。亦即，聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(D)亦可為於同一分子內具有烯基與至少2個與矽原子鍵結的氫原子的聚矽氧烷。此種聚矽氧烷成為本組成物的主劑的同時作為交聯劑 而發揮功能。
聚矽氧烷(A)所具有的烯基例如可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、庚烯基、己烯基及環己烯基等。該些基中優選乙烯基、烯丙基及己烯基。
作為聚矽氧烷(A)中的烯基的含量，於將聚矽氧烷(A)中所含的所有Si原子數設為100 mol%時，優選為3 mol%~50 mol%，更優選為5 mol%~40 mol%，進一步更優選為10 mol%~30 mol%。若烯基的含量為所述範圍內，則聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(D)的矽氫化反應適宜地進行，獲得強度較強的硬化物。
聚矽氧烷(A)優選為具有芳基的聚矽氧烷。
若聚矽氧烷(A)具有芳基，則表現出如下特性：於作為LED密封材而使用時獲得高的亮度。於將聚矽氧烷(A)中所含的所有Si原子數設為100 mol%時，則聚矽氧烷(A)中所含的芳基的含量優選為30 mol%~120 mol%，更優選為50 mol%~110 mol%，進一步更優選為70 mol%~100 mol%。於芳基的含量為30 mol%~120 mol%的範圍內時，由本組成物獲得亮度高、折射率高的硬化膜。所述芳基可列舉苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等。
聚矽氧烷(A)優選為下述式(1)所表示的聚矽氧烷。聚矽氧烷(A)若具有如上所述地於構成聚矽氧烷鏈的同一矽原子上鍵結有2個芳基的矽氧烷單元，則由本申請的硬化性組成物所得的硬化物的耐濕性變高。
[化1](R1 3SiO1/2)a(RAr1 2SiO2/2)b(R2 2SiO2/2)c(R3SiO3/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f (1)
(式中，R1、R2及R3分別獨立地表示烷基、烯基、芳基或縮水甘油氧基(glycidoxy)烷基。RAr1表示芳基。X表示氫原子或碳數為1~3的烷基。a、c、e及f分別獨立地表示0以上的整數。b及d分別獨立地表示1以上的整數)
式(1)中，R1、R2及R3分別獨立地表示烷基、烯基、芳基或縮水甘油氧基烷基。亦即，關於附有符號a的1個矽氧烷單元(結構單元)，3個所存在的R1分別獨立地可為烷基，亦可為烯基，亦可為芳基，亦可為縮水甘油氧基烷基。例如在3個R1中的2個以上R1為烷基的情況下，該烷基可為相同的烷基，亦可為不同的烷基。在符號a為2以上的整數的情況下，附有符號a的各矽氧烷單元可相同亦可不同。關於R2及R3，亦與R1同樣。
其中，附有符號a的矽氧烷單元中所存在的R1、附有符號c的矽氧烷單元中所存在的R2及附有符號d的矽氧烷單元中所存在的R3中的至少2個是烯基，在1分子上述式(1)所表示的聚矽氧烷(A)中存在至少2個的烯基。例如，可以是附有符號a的1個矽氧烷單元中所存在的3個R1中的1個為烯基，該矽氧烷單元存在2個以上。可以是附有符號a的1個矽氧烷單元中所存在的3個R1中的2個 以上為烯基，該矽氧烷單元存在1個以上。可以是附有符號a的1個矽氧烷單元中所存在的3個R1中的1個為烯基，該矽氧烷單元存在1個，附有符號c的1個矽氧烷單元中所存在的2個R2中的1個為烯基，該矽氧烷單元存在1個以上。
而且，關於附有符號c的矽氧烷單元，鍵結於同一矽原子上的2個R2中的其中一個R2為芳基的情況下，另一個R2並非芳基。
所述烷基可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、環丙基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、冰片基、降冰片基、金剛烷基等。該些基中優選甲基。
所述烯基可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、庚烯基、己烯基及環己烯基等。該些基中優選乙烯基、烯丙基及己烯基。
所述芳基可列舉苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等。該些基中優選苯基。
所述縮水甘油氧基烷基可列舉縮水甘油氧基丙基等。
式(1)中，RAr1表示芳基。RAr1所表示的芳基与所述R1、R2及R3所表示的芳基相同。
式(1)中，X表示氫原子或碳數為1~3的烷基。
式(1)中，a、c、e及f分別獨立地表示0以上的整數。b及d分別獨立地表示1以上的整數。
聚矽氧烷(A)具有附有符號b的矽氧烷單元、亦即於構成聚矽氧烷鏈的同一矽原子上鍵結有2個芳基的矽氧 烷單元，因此由本硬化性組成物所得的硬化物的耐濕性提高。
於將a、b、c、d、e及f的合計設為100%時，a的比例優選為0%~70%，更優選為0%~40%。b的比例優選為1%~70%，更優選為1%~40%。c的比例優選為0%~70%，更優選為0%~40%。d的比例優選為1%~80%，更優選為30%~70%。e的比例優選為0%~50%，更優選為0%~20%。f的比例優選為0%~40%，更優選為0%~10%。
聚矽氧烷(A)優選利用凝膠滲透色譜法而測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量為100~50000的範圍，更優選為500~5000的範圍。若聚矽氧烷(A)的重量平均分子量為所述範圍內，則使用本組成物而製造密封材時容易操作，而且由本組成物所得的硬化物作為光學半導體密封材而具有充分的強度。
聚矽氧烷(A)的製造方法可列舉日本專利特開平6-9659號公報、日本專利特開2003-183582號公報、日本專利特開2007-008996號公報、日本專利特開2007-106798號公報、日本專利特開2007-169427號公報及日本專利特開2010-059359號公報等所記載的公知的方法，例如於適當的合成溶劑中對成為各單元源的氯矽烷或烷氧基矽烷進行共水解的方法或者利用鹼金屬催化劑等對共水解物進行平衡化反應的方法等。若使用飽和烴化合物(B)作為合成溶劑而合成聚矽氧烷(A)，則於所得的含有聚矽氧烷(A)的合成溶液中含有飽和烴化合物(B)，因此若使用其濃縮 物調製硬化性組成物，則可省略添加飽和烴化合物(B)的操作。
飽和烴化合物(B)
本發明的硬化性組成物藉由與聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(D)一同含有飽和烴化合物(B)而可形成黏性充分減低的硬化物。
飽和烴化合物(B)可列舉正戊烷(36℃)、正己烷(69℃)、正庚烷(98℃)、正辛烷(126℃)等飽和脂肪族烴化合物；甲基環己烷(101℃)、環己烷(81℃)、乙基環己烷(130℃)、二甲基環己烷(124℃)、環庚烷(118℃)、環辛烷(149℃)等飽和脂環族烴化合物(括號內表示於1大氣壓下的沸點)。自可更有效地減低硬化物的黏性的方面考慮，該些化合物中優選飽和脂環族烴化合物。
飽和烴化合物(B)的沸點於1大氣壓下優選為50℃~150℃，更優選為70℃~140℃，進一步更優選為80℃~130℃。若飽和烴化合物(B)的沸點於1大氣壓下為50℃~150℃，則可更進一步減低硬化物的黏性。
於本發明的硬化性組成物中，飽和烴化合物(B)的含有比例優選為0.1 ppm~5000 ppm，更優選為0.1 ppm~1000 ppm，進一步更優選為0.1 ppm~100 ppm。若飽和烴化合物(B)的含有比例為所述範圍內，則可更有效地減低硬化物的黏性。
聚矽氧烷(D)
聚矽氧烷(D)是每1分子中具有至少2個與矽原子 鍵結的氫原子的聚矽氧烷。亦即，聚矽氧烷(D)於每1分子中具有至少2個Si-H基(氫矽烷基)。聚矽氧烷(D)是相對於聚矽氧烷(A)的交聯劑，藉由與聚矽氧烷(A)的矽氫化反應而形成硬化物。
聚矽氧烷(D)若為於先前的氫矽烷基類聚矽氧烷組成物中作為交聯劑而使用的每1分子中具有至少2個與矽原子鍵結的氫原子的聚矽氧烷即可。
如上所述，聚矽氧烷(D)亦可與聚矽氧烷(A)為同一化合物。
聚矽氧烷(D)的具體例可列舉於專利文獻1~專利文獻2中所記載的有機氫聚矽氧烷等。
聚矽氧烷(D)例如可藉由用公知的方法使苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷等烷氧基矽烷與1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等二氫矽氧烷在適當的合成溶劑中反應而獲得。若使用飽和烴化合物(B)作為合成溶劑而合成聚矽氧烷(D)，則於所得的含有聚矽氧烷(D)的合成溶液中含有飽和烴化合物(B)，因此若使用其濃縮物而調製硬化性組成物，則可省略添加飽和烴化合物(B)的操作。
作為本發明的硬化性組成物中的聚矽氧烷(D)的含量，優選聚矽氧烷(D)中的與矽原子鍵結的氫原子量相對於聚矽氧烷(A)中的烯基量的摩爾比成為0.1~5的量，更優選成為0.5~2的量，進一步更優選成為0.7~1.4的量。若聚矽氧烷(D)的含量為所述範圍內，則組成物的硬化充分地進行，而且所得的硬化物具有充分的耐熱性。
矽氫化反應用催化劑(C)
矽氫化反應用催化劑(C)是用以促進矽氫化反應的催化劑。
矽氫化反應用催化劑(C)若為於先前的氫矽烷基類聚矽氧烷組成物中作為矽氫化反應用催化劑而使用的催化劑，則可並無特別限制地使用。
矽氫化反應用催化劑(C)的具體例可列舉鉑類催化劑、銠類催化劑、鈀類催化劑。自促進本組成物的硬化的觀點考慮，該些催化劑中優選鉑類催化劑。鉑類催化劑可列舉鉑-烯基矽氧烷絡合物等。烯基矽氧烷例如可列舉1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等。特別是自絡合物的穩定性的觀點考慮，優選為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。
本發明的硬化性組成物中的矽氫化反應用催化劑(C)使用聚矽氧烷(A)與聚矽氧烷(D)的矽氫化反應實際進行的量、例如於硬化性組成物中為0.01 ppm~10000 ppm。
添加劑
本發明的硬化性組成物只要可達成本發明的目的，則可視需要含有例如氣相二氧化矽、石英粉末等微粒子狀二氧化矽、氧化鈦、氧化鋅等無機填充劑，乙炔基環己醇、環-四甲基四乙烯基四矽氧烷等反應阻滯劑，二苯基雙(二甲基乙烯基矽烷氧基)矽烷、苯基三(二甲基乙烯基矽烷氧基)矽烷、二苯基雙(二甲基羥基矽烷氧基)矽烷等稀釋劑，顏料，阻燃劑，耐熱劑，抗氧化劑等添加劑。
組成物的製造方法
本發明的硬化性組成物可藉由利用混合機等公知方法將所述各成分，亦即聚矽氧烷(A)、飽和烴化合物(B)、聚矽氧烷(D)、視需要的矽氫化反應用催化劑(C)及添加劑均一地混合而進行製造。
而且，亦可藉由如下方式而製造：使用飽和烴化合物(B)作為合成溶劑而合成聚矽氧烷(A)或聚矽氧烷(D)等聚矽氧烷，將所得的含有聚矽氧烷的合成溶液的濃縮物混合於矽氫化反應用催化劑(C)等其他成分中。
本發明的硬化性組成物於25℃下的黏度優選為1 mPa‧s~1000000 mPa‧s，更優選為10 mPa‧s~10000 mPa‧s。若黏度為該範圍內，則本組成物的操作性提高。
本發明的硬化性組成物可調製為1液，亦可分為2液而調製，於使用時將2液混合而使用。亦可視需要添加少量乙炔醇等硬化抑制劑。
<硬化物>
藉由對本發明的硬化性組成物進行硬化而獲得硬化物。
對本發明的硬化性組成物進行硬化的方法例如可列舉將硬化性組成物塗布於基板上後，於100℃~180℃下加熱1小時~13小時的方法。
<光學半導體裝置>
本發明的光學半導體裝置包含：半導體發光元件、對該半導體發光元件進行被覆的所述硬化物。本發明的光學 半導體裝置藉由於半導體發光元件上被覆所述硬化性組成物，對該組成物進行硬化而獲得。對硬化性組成物進行硬化的方法如上所述。
光學半導體裝置可列舉發光二極體(Light Emitting Diode，LED)及雷射二極體(Laser Diode，LD)等。
圖1是本發明的光學半導體裝置的一具體例的模式圖。光學半導體裝置1包含：電極6；半導體發光元件2，設置於電極6上，藉由導線7而與電極6電性連接；反射器3，以收容半導體發光元件2的方式而配置；密封材4，填充於反射器3內，對半導體發光元件2進行密封。密封材4是對本發明的硬化性組成物進行硬化而獲得。於密封材4中分散有二氧化矽或熒光體等粒子5。
如上所述，對本發明的硬化性組成物進行硬化而所得的密封材(硬化物)的黏性小，因此於密封材上附著塵埃等的可能性小，而且於產品的篩選中所使用的送料器中，封裝體彼此黏著的可能性小。
[實例] 1.聚矽氧烷的合成 1-1.結構分析
聚矽氧烷的結構可利用29Si NMR及13C NMR而分析。
1-2.重量平均分子量
重量平均分子量(Mw)是利用凝膠滲透色譜法(GPC)而於下述條件下測定，求出為聚苯乙烯換算值。
裝置：HLC-8120C(東曹公司製造)
管柱：TSK-gel MultiporeHXL-M(東曹公司製造)
洗脫液：THF、流量為0.5 mL/min、負載量為5.0%、100 μL
1-3.聚硅氧烷的合成 [合成例1]聚硅氧烷(A-1)的合成
於附有攪拌機、回流冷凝管、投入口、溫度計的四口燒瓶中投入1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷37.3 g、苯基三甲氧基矽烷234 g、二苯基二甲氧基矽烷97.7 g、水55 g、三氟甲磺酸0.3 g及作為聚合溶劑的甲基環己烷146 g而加以混合，進行1小時的加熱回流。冷卻後，將下層分離除去，對上層的甲基環己烷溶液層進行水洗。於水洗的甲基環己烷溶液層中加入水30 g與氫氧化鉀0.3 g與3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷4.4 g而進行1小時的加熱回流。繼而，將甲醇蒸餾除去，藉由共沸脫水將過剩的水除去。繼而進行4小時的加熱回流。反應後的甲基環己烷溶液冷卻後，用乙酸0.3 g加以中和而進行水洗。將水除去後，於減壓下將甲基環己烷蒸餾除去，對甲基環己烷溶液進行濃縮而獲得含有平均單元式為(ViMe2SiO1/2)20(PhSiO3/2)59(Ph2SiO2/2)20(EpMeSiO2/2)1(Vi表示乙烯基，Me表示甲基，Ph表示苯基，Ep表示縮水甘油氧基丙基)所表示的聚矽氧烷(A-1)的甲基環己烷溶液。該聚矽氧烷(A-1)的重量平均分子量為1600。
[合成例2]聚矽氧烷(A-2)的合成
於附有攪拌機、回流冷凝管、投入口、溫度計的四口 燒瓶中投入1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷37.3 g、苯基三甲氧基矽烷234 g、二苯基二甲氧基矽烷97.7 g、水55 g、三氟甲磺酸0.3 g及作為聚合溶劑的甲苯146 g而加以混合，進行1小時的加熱回流。冷卻後，將下層分離除去，對上層的甲苯溶液層進行水洗。於水洗的甲苯溶液層中加入水30 g與氫氧化鉀0.3 g與3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷4.4 g而進行1小時的加熱回流。繼而，將甲醇蒸餾除去，藉由共沸脫水將過剩的水除去。繼而進行4小時的加熱回流。反應後的甲苯溶液冷卻後，用乙酸0.3 g加以中和而進行水洗。將水除去後，於減壓下將甲苯蒸餾除去，對甲苯溶液進行濃縮而獲得含有平均單元式為(ViMe2SiO1/2)20(PhSiO3/2)59(Ph2SiO2/2)20(EpMeSiO2/2)1(Vi表示乙烯基，Me表示甲基，Ph表示苯基，Ep表示縮水甘油氧基丙基)所表示的聚矽氧烷(A-2)的甲苯溶液。該聚矽氧烷(A-2)的重量平均分子量為1600。
[合成例3]聚矽氧烷(D-1)的合成
於附有攪拌機、回流冷凝管、投入口、溫度計的四口燒瓶中投入二苯基二甲氧基矽烷220 g與三氟甲磺酸0.6 g而加以混合，加入1,1,3,3-四甲基二矽氧烷60.5 g，一面進行攪拌一面以30分鐘滴加乙酸108 g。於滴加結束後，一面對混合液進行攪拌一面升溫至50℃而使其反應3小時。其次，升溫至80℃而使其反應2小時。反應結束後，冷卻至室溫後加入甲苯與水，充分混合後進行靜置，將水層分離除去。對上層的甲苯溶液層進行3次水洗後，進行減壓 濃縮，獲得下述式(2)所表示的聚矽氧烷(D-1)。
[合成例4]聚硅氧烷(A-3)的合成
於附有攪拌機、回流冷凝管、投入口、溫度計的四口燒瓶中投入二苯基二甲氧基矽烷81 g與三氟甲磺酸0.2 g而加以混合，加入1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷62 g，一面進行攪拌一面以30分鐘滴加乙酸60 g。滴加結束後，一面對混合液進行攪拌一面升溫至50℃而進行3小時的反應。反應結束後，冷卻至室溫，然後加入甲苯與水，充分混合而進行靜置，將水層分離除去。對上層的甲苯溶液層進行3次水洗後，進行減壓濃縮，獲得二苯基雙(二甲基乙烯基矽烷氧基)矽烷(以下記為聚矽氧烷(A-3))。
2.硬化性組成物的調製 2-1.甲基環己烷的含有比例
甲基環己烷及甲苯的含有比例是利用氣相色譜法 (GC)而於下述條件下測定。
裝置：安捷倫科技(Agilent Technologies)7890A
管柱：DB-1701
檢測器：FID.
2-2.硬化性組成物的調製 [實例1]
對合成例1中所得的聚矽氧烷(A-1)的甲基環己烷溶液進行濃縮，獲得含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(1)。將含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(1)、聚矽氧烷(A-3)、下述C-1、下述D-1及下述E-1成分以下述表1中所示的比例加以混合，獲得實例1的硬化性組成物。硬化性組成物中所含的甲基環己烷(B成分)源自合成例1的聚合溶劑。
[實例2及實例3]
對合成例1中所得的聚矽氧烷(A-1)的甲基環己烷溶液進行濃縮，獲得濃縮度比實例1的含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(1)更高的含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(2)、以及濃縮度進一步更高的含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(3)。使用含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(2)代替含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(1)，除此以外利用與實例1同樣的順序而以下述表1中所示的比例將各成分加以混合，獲得實例2的硬化性組成物。使用含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(3)代替含有聚矽氧烷(A-1)的濃縮液(1)，除此以外利用與實例1同樣的順序而以下述表1中所示的 比例將各成分加以混合，獲得實例3的硬化性組成物。各硬化性組成物中所含的甲基環己烷(B成分)源自合成例1的聚合溶劑。
[比較例1]
自合成例2中所得的聚矽氧烷(A-2)的甲苯溶液中將甲苯蒸餾除去，獲得聚矽氧烷(A-2)。以下述表1中所示的比例將各成分加以混合，獲得不含甲基環己烷(B成分)的比較例1的硬化性組成物。
表1中的各成分的詳細如下所述。
C-1：鉑與1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷的絡合物(鉑金屬量為4質量%)
E-1：乙炔基環己醇
3.硬化性組成物的評價
關於實例1~實例3及比較例1的硬化性組成物，利 用下述3-1~3-3的方法進行評價。將評價結果示於所述表1中。
3-1.黏度
使用E型黏度計，於25℃下測定硬化性組成物的黏度。
3-2.硬度
於鐵氟龍的平板上固定2 mm厚的框，以成為框的高度的方式塗布硬化性組成物，於150℃的熱風循環式烘箱中進行5小時的加熱，由此製作縱50 mm、橫50 mm、高1 mm的硬化物。利用JIS K6253中所規定的D型硬度計而測定該硬化物的硬度。
3-3-1.黏性(利用觸覺的評價)
於鐵氟龍(商標名)的平板上固定2 mm厚的框，以成為框的高度的方式塗布硬化性組成物，於150℃的熱風循環式烘箱中進行5小時的加熱，由此製作縱50 mm、橫50 mm、高1 mm的硬化物。用手指觸碰該硬化物的表面而以下述所示的基準評價其黏性。
A：不發黏
B：發黏
3-3-2.黏性(利用黏性試驗裝置的評價)
以成為100 μm厚的方式將硬化性組成物塗布於平滑基板上，於150℃的熱風循環式烘箱中進行5小時的加熱，由此製作硬化物。利用黏性試驗裝置而測定所得的硬化物的黏性。測定方法的詳細如下所述。
裝置名：TAC-1000(力世科株式會社(RHESCA Corporation Limited)製造)
端子：不銹鋼(SUS)製造10 mmφ
端子溫度：25℃
壓入壓力：0.05 MPa
壓入時間：60秒
1‧‧‧光學半導體裝置
2‧‧‧半導體發光元件
3‧‧‧反射器
4‧‧‧密封材
5‧‧‧粒子
6‧‧‧電極
7‧‧‧導線
圖1是表示光學半導體裝置的一具體例的模式圖。
1‧‧‧光學半導體裝置
2‧‧‧半導體發光元件
3‧‧‧反射器
4‧‧‧密封材
5‧‧‧粒子
6‧‧‧電極
7‧‧‧導線

Claims (7)

  1. 一種硬化性組成物，其含有：具有烯基的聚矽氧烷(A)、飽和烴化合物(B)及每1分子中具有至少2個與矽原子鍵結的氫原子的聚矽氧烷(D)，其中所述飽和烴化合物(B)是甲基環己烷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的硬化性組成物，其中基於所述硬化性組成物的總重量，所述飽和烴化合物(B)的含有比例是0.1ppm~5000ppm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的硬化性組成物，其中基於所述硬化性組成物的總重量，所述飽和烴化合物(B)的含有比例是0.1ppm~1000ppm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的硬化性組成物，所述具有烯基的聚矽氧烷(A)是具有芳基的聚矽氧烷。
  5. 一種硬化性組成物的製造方法，其是含有具有烯基的聚矽氧烷(A)、飽和烴化合物(B)及每1分子中具有至少2個與矽原子鍵結的氫原子的聚矽氧烷(D)的硬化性組成物的製造方法，其使用所述飽和烴化合物(B)作為合成溶劑而合成所述聚矽氧烷(A)及聚矽氧烷(D)的至少任一方，使用所得的含有聚矽氧烷的合成溶液的濃縮物，其中所述飽和烴化合物(B)是甲基環己烷。
  6. 一種硬化物，其藉由對如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的硬化性組成物進行硬化而獲得。
  7. 一種光學半導體裝置，其包含：半導體發光元件、與被覆該半導體發光元件的如申請專利範圍第6項所述的 硬化物。
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