TWI576953B - The method of constructing the table and keeping the focus ring - Google Patents

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Description

載置台構造及保持聚焦環之方法
本發明之實施形態係關於載置台構造及保持聚焦環之方法。
半導體裝置的製造中，係藉由載置台之靜電夾具來吸附保持被處理體，亦即晶圓，而對該晶圓進行所謂的蝕刻或是成膜之電漿處理。一般而言，載置台係具備有靜電夾具及支撐該靜電夾具之基部。基部係設置有用以控制晶圓溫度的溫度調整機構。又，為了晶圓的全區域中之處理均勻化，係在基部上及晶圓周圍配置有聚焦環。
又，為了晶圓的全區域中之處理均勻化，係有必要高精度地控制聚焦環的溫度。為了高精度地控制聚焦環的溫度，係有必要降低載置台的基部與聚焦環之間的熱阻抗。為此，以往係採用在基部與聚焦環之間介設有彈性及導熱性之薄板的載置台構造。如此般之載置台構造係記載於例如日本特開2002-16126號公報(專利文獻1)。
記載於同文獻之載置台構造係具備有基部(載置台)、環狀構件以及按壓構件。基部係具有載置面、環狀載置面及突出部。載置面上係設置有靜電夾具。環狀載置面係設置在載置面之外側，而在該環狀載置面上係透過具有彈性及導熱性之薄板來配置聚焦環。突出部係設置在環狀載置面之外側。對於該突出部，環狀構件係以螺絲來固定。環狀構件係接合有按壓構件之下端面，而將該按壓構件係以螺絲固定於該環狀構件。又，按壓構件之凸緣部係藉由從上方接合於聚焦環之薄部來將該聚焦環對環狀載置面來進行按壓。該載置台構造中，係藉由以按壓構件將聚焦環朝下方按壓，來縮小薄板厚度，並密接薄板在聚焦環及基部。藉此，便會減低基部與聚焦環間的熱阻抗。
【以往技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2002-16126號公報
記載於專利文獻1之載置台構造中，薄板厚度的縮小量係一味地由薄板的厚度、環狀構件的厚度、聚焦環薄部的厚度、按壓構件的下端面與凸緣部之高度方向的距離等之尺寸所決定，故無法調整。又，薄板厚度的縮小量係依照製造誤差之該尺寸的變動來加以變動。然後，在薄板厚度的縮小量太小的情況，由於基部與聚焦環間的熱阻抗變大，故會提高接受來自電漿的熱量之聚焦環的溫度。另一方面，在薄板厚度的縮小量太大的情況，會施加過大之力量於聚焦環、按壓構件之所謂按壓薄板的構件，而使得該等構件有破損。
記載於專利文獻1之載置台構造中，為了調整薄板厚度的縮小量，係有必要調整環狀構件與按壓構件的距離。例如，在按壓構件從環狀構件浮出的狀態下，係有必要藉由螺絲將按壓構件對於環狀構件來加以固定。此般狀況的按壓構件與環狀構件之固定，係藉由精密地管理螺絲之扭矩來動作。然而，由於螺絲的扭矩會隨著時間的經過而有所變化，故無法維持薄板厚度的縮小量。
於是，本技術領域中，便需要有一種可調整導熱媒介之薄板厚度的縮小量，並且，可維持已設定之薄板厚度的縮小量之技術。
一面相相關之載置台構造，係具備在其中央區域具有靜電夾具，而可沿著靜電夾具之周緣載置聚焦環的基部。該載置台構造中，係在聚焦環與該基部之間介設具有彈性及導熱性之薄板。又，該載置台構造，係具備有按壓構件及支撐部。按壓構件係沿聚焦環的外周圍加以配置而將聚焦環朝向基部按壓來壓縮薄板。支撐部係與基部連結。按壓構件係具有將聚焦環朝向基部按壓之按壓面，以及朝向下方並在周圍方向中以既定間隔所設置之複數接面。支撐部係具有複數第1被接面及複數第2被接面。複數第1被接面係在該周圍方向中以該既定間隔來設置。複數第2被接面係在該周圍方向中與複數第1被接面以該既定間隔交互地設置。複數第1被接面與複數第2被接面係設置於高度方向中的相異位置。複數接面係以較複數第1 被接面與複數第2接面之該高度方向中之距離要大的距離，從按壓構件的其他部分突出。該載置台構造中，係以按壓構件與該支撐部相接之方式，來設定薄板之縮小量。
該載置台構造中，係藉由選擇支撐部上的按壓構件之周圍方向的位置，而能將接合按壓構件的複數接面之支撐部的被接面，從複數第1被接面及複數第2接面中來加以選擇。藉此，便能調整按壓面之高度方向的位置，而能調整按壓構件之按壓面與基部之間的高度方向中之間隔。其結果，便可調整介設在基部與按壓面之間的薄板厚度之縮小量。例如，可在薄板厚度之縮小量太大的情況，將按壓構件之接面相接於設置在較高位置之被接面，另一方面，在薄板厚度之縮小量太小的情況，以將按壓構件之接面相接於設置於較低位置之被接面的方式，便可調整薄板厚度的縮小量。又，由於可在將按壓構件相接於支撐部之狀態下將該按壓構件針對於支撐部來加以固定，故不受螺絲鬆脫等的影響，而能將該按壓構件針對支撐部來強力地加以固定。其結果，便可維持已設定之薄板厚度的縮小量。
一種形態中，支撐部可進一步地包含有複數第3被接面。複數第3被接面係在該周圍方向中以該既定間隔來設置，並且，複數第1被接面及複數第2接面係設置在該高度方向中之相異位置。該形態中，複數接面係在複數第1被接面、複數第2被接面及複數第3被接面中，在該高度方向中以較分離最遠的被接面之間的距離要大之距離，從該按壓構件的其他部分突出。該形態中，例如複數接面係在複數第1被接面、複數第2被接面及複數第3被接面中，能將在該高度方向中設置於中間位置之複數被接面之該高度方向的位置，對應於薄板厚度的縮小量之設計值，並能將被接面間的高度方向之距離對應於薄板厚度的縮小量之調整值。藉此，在薄板厚度的縮小量之實際值較設計值要大的情況，便會將按壓構件的複數接面相接於設置於較高位置之複數被接面，另一方面，在薄板厚度的縮小量之實際值較設計值要小的情況，便會將按壓構件的複數接面相接於設置於較低位置之複數被接面，而可將薄板厚度的縮小量接近於設計值。
一種形態中，支撐部可與載置台的基部一體化。依據該形態，會減少構成載置台之構件數量，進而減低製造成本。
又，在另一面相中，係提供一種具備在其中央區域具有靜電夾具，而可沿著該靜電夾具之周緣載置聚焦環的基部之載置台構造中，保持該聚焦環的方法。該方法，係包含有(a)以在基部與聚焦環之間介設具有彈性及導熱性的薄板之方式，將聚焦環沿靜電夾具的周緣進行配置之工序；(b)藉由選擇在與基部連結之支撐部上的按壓構件周圍方向之位置來決定按壓構件相接於支撐部之高度方向位置，來調整接觸於聚焦環之按壓構件的按壓面與基部之高度方向的間隔之工序；以及(c)在已決定之高度方向的位置中將按壓構件相接於支持部的狀態下，來將按壓構件固定於支撐部之工序。
該方法中，藉由選擇在支撐部上的按壓構件之周圍方向的位置，可調整按壓構件的按壓面與基部之間的高度方向之距離。其結果，便可調整介設在按壓構件之按壓面與基部之間的薄板厚度之縮小量。又，由於按壓構件係在相接於支撐部之狀態下對支撐部來加以固定，故不受螺絲鬆脫等影響，而可將該按壓構件對於支撐部來強力地加以固定。其結果，便可維持已設定之薄板厚度的縮小量。
一種形態中，工序(b)中，係以薄板的縮小量成為薄板厚度的10%~20%之範圍的方式，來決定按壓構件相接於支撐部之高度方向位置。依據該形態，即便薄板等之尺寸產生有製造誤差，亦可減少在電漿處理時的聚焦環之溫度差異。
依據本發明之各種面相及實施形態，便可調整為導熱媒介的薄板之厚度縮小量，並且，可維持已設定之薄板厚度縮小量。
10‧‧‧電漿處理裝置
PDS、PDS2‧‧‧載置台構造
PD‧‧‧載置台
16‧‧‧下部電極
18‧‧‧基部
18a‧‧‧第1面
18b‧‧‧第2面
20‧‧‧靜電夾具
60‧‧‧按壓構件
60L‧‧‧下面
60a‧‧‧接面
60b‧‧‧區域
60h‧‧‧孔
60h1‧‧‧小徑部
60h2‧‧‧大徑部
60m‧‧‧主部
60p‧‧‧按壓面
60t‧‧‧薄部
62、62A‧‧‧支撐部
62h‧‧‧螺孔
62s‧‧‧面(第1~第3被接面)
SG1、SG2、SG3‧‧‧面群
62i‧‧‧內緣部
64‧‧‧固定構件
72‧‧‧環狀構件
72a‧‧‧外緣部
FR‧‧‧聚焦環
FR1‧‧‧第1薄部
FR2‧‧‧第2薄部
ST、ST2‧‧‧薄板
W‧‧‧晶圓
圖1係概略地顯示一範例之電漿處理裝置的剖面之圖式。
圖2係顯示從上方俯視載置台構造之狀態。
圖3係顯示沿圖2的III-III線所取得的剖面之圖式。
圖4係顯示含有支撐部的基部之俯視圖。
圖5係按壓構件之仰視圖。
圖6係顯示沿圖2之VI-VI線的剖面圖。
圖7係用以說明薄板縮小量的調整方法之概略圖。
圖8係用以說明薄板縮小量的調整方法之概略圖。
圖9係顯示薄板縮小量與聚焦環溫度的關係之圖式。
圖10係顯示一實施形態相關的保持聚焦環之方法的圖式。
圖11係顯示其他實施形態相關的載置台構造之剖面圖。
圖12係顯示其他實施形態相關的載置台構造之支撐部的俯視圖。
以下，參照圖式就各種範例的實施形態進行詳細說明。另外，在各圖式中對相同或是相當之部分會附加相同的符號。
首先，就可具備一實施形態相關之載置台構造的電漿處理裝置進行詳細說明。圖1係概略地顯示一範例之電漿處理裝置的剖面之圖式。圖1所示之電漿處理裝置10係電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置，並具備有略圓筒狀之處理容器12。處理容器12的內壁面係由陽極氧化處理之鋁所構成。該處理容器12係保全接地。
處理容器12之底部上係配置有由絕緣材料所構成之略圓筒狀的支撐部14。支撐部14係在處理容器12內從處理容器12底部延伸於垂直方向。支撐部14係支撐設置於處理容器12內之載置台PD。
載置台PD係在其上面中保持被處理體W(Workpiece)。以下，稱「被處理體」為「晶圓」。載置台PD係可包含有下部電極16、基部18以及靜電夾具20。下部電極16係由例如所謂鋁之金屬所構成，並做成略圓盤形狀。
下部電極16係透過匹配器MU1而連接有第1高頻電源HFS。第1高頻電源HFS係發生電漿生成用之高頻電力的電源，會發生頻率為27~100MHz，在一範例中係40MHz之高頻電力。匹配器MU1係具有用以將第1高頻電源HFS之輸出阻抗與負荷側(下部電極16側)之輸入阻抗加以匹配之電路。又，下部電極16係透過匹配器MU2而連接有第2高頻電源LFS。第2高頻電源LFS係發生用以將離子吸引至晶圓W之高頻電力(高頻偏壓電力)，而將該高頻偏壓電力供給至下部電極16。高頻偏壓電力之頻率係400kHz~13.56MHz之範圍內的頻率，在一範例中為3MHz。匹配器MU2係具有用以匹配第2高頻電源LFS之輸出阻抗與負荷側(下部電極16側)之輸入阻抗的電路。
下部電極16上係設置有基部18。基部18係以所謂的鋁之金屬所構成， 並做成略圓盤形狀。基部18係設置於下部電極16上，並電連接於下部電極16。
靜電夾具20，係設置於基部18上之該基部18的中央區域。靜電夾具20在之後會有更加詳細的描述，而具有將為導電膜之電極配置於一對之絕緣層或是絕緣薄板間的構造。靜電夾具20之電極係以電連接有直流電源22。該靜電夾具20係可藉由來自直流電源22之直流電壓所產生之庫倫力等靜電力來吸附保持晶圓W。
基部18之周緣部上，係以圍繞晶圓W周緣及靜電夾具20周緣之方式來配置聚焦環FR。聚焦環FR係環狀之構件。聚焦環FR係為了提升電漿處理之均勻性而加以設置。聚焦環FR係依電漿處理對象膜的材料所適當選擇之材料來加以構成，例如，可由石英所構成。
基部18的內部係設置有冷媒流道24。冷媒流道24係從設置於外側之冷卻元件透過配管26a、26b來循環供給有既定溫度的冷媒。冷媒係絕緣性之溶液，例如可為GALDEN(註冊商標)溶液。藉由控制如此般循環之冷媒的溫度，來控制載置台所支撐之晶圓W的溫度。
又，電漿處理裝置10係設置有氣體供給管線28。氣體供給管線28係將來自導熱氣體供給機構之導熱氣體，例如He氣體供給至靜電夾具20之上面與晶圓W的內面之間。
又，處理容器12內係設置有上部電極30。該上部電極30係在載置台PD的上方，而與該載置台PD對向配置。下部電極16與上部電極30係相互間略平行地設置。該等上部電極30與下部電極16之間係區劃出用以對晶圓W進行電漿處理之處理空間S。
上部電極30係透過絕緣性遮蔽構件32，而支撐在處理容器12之上部。上部電極30可含有電極板34及電極支撐體36。電極板34係面向處理空間S，而區劃出複數氣體排出孔34a。該電極板34係可由少焦耳熱之低阻抗的導電體或半導體所構成。
電極支撐體36係裝卸自如地支撐電極板34者，例如可由所謂的鋁之導電性材料所構成。該電極支撐體36可具有水冷構造。電極支撐體36內部係設置有氣體擴散室36a。從該氣體擴散室36a係往下方延伸有連通至氣 體排出孔34a之複數氣體流通孔36b。又，電極支撐體36係形成有將處理氣體導入至氣體擴散室36a之氣體導入口36c，而該氣體導入口36c係連接有氣體供給管38。
氣體供給管38係透過閥42及流量控制器44而連接有氣體源40。從氣體源40會透過氣體供給管38、氣體擴散室36a、氣體流通孔36b、以及氣體排出孔34a來將對應於所欲之電漿處理所選擇之一種以上的氣體供給至處理空間S。
在為處理容器12底部側的載置台PD之周圍係設置有排氣板48。排氣板48可藉由披覆Y2O3等陶瓷於鋁材來加以構成。該排氣板48下方的處理容器12係設置有排氣口12e。排氣口12e係透過排氣管52而連接有排氣裝置50。排氣裝置50係具有渦輪分子泵等真空泵，並可減壓處理容器12內至所欲之真空度。又，處理容器12之側壁係設置有晶圓W的搬出入口12g，該搬出入口12g係可藉由閘閥54來開閉。
在使用該電漿處理裝置10而對晶圓W進行電漿處理時，靜電夾具20上係載置有晶圓W。然後，藉由排氣裝置50一邊對處理容器12內進行排氣，一邊將來自氣體源40的氣體供給至處理容器12內，而將處理容器12內之壓力設定在所欲之壓力。然後，藉由供給來自高頻電源HFS及LFS之高頻電力至下部電極16來在處理容器12內發生該氣體的電漿。藉由含有以此所生成之氣體的原子或分子的活性基來處理晶圓W。
以下，便就可使用於電漿處理裝置10的載置台構造之實施形態進行說明。圖2係顯示一實施形態的載置台構造之俯視圖。圖2係顯示從上方俯視載置台構造的狀態。又，圖3係顯示沿圖2之III-III線所取得之剖面的圖式。另外，圖2中，係省略圖1及圖3所示之外罩70。
圖2及圖3所示之載置台構造PDS係具備有載置台PD。又，載置台構造PDS係更包含有按壓構件60、支撐部62及固定構件64。載置台PD係含有基部18及靜電夾具20。基部18係如上述般由金屬所構成，並具有略圓盤形狀。基部18係包含有在其上側之面，亦即作為電漿生成側之面的第1面18a及第2面18b。第1面18a係設置於基部18之中央區域。第1面18a係朝向上方之略平坦的圓形面，該第1面18a之上係設置有靜電夾具 20。靜電夾具20係具有在一對絕緣膜20b之間配置有為導電膜之電極20a的構造。
基部18的第2面18b係在第1面18a之周圍並朝向上方環狀地延伸。第2面18b係在高度方向(Z方向)中設置在較第1面18a要下方處。該第2面18b之上係透過薄板ST而設置有聚焦環FR。亦即，第2面18b係設置在薄板ST的下方，而對峙於該薄板ST。一實施形態中，薄板ST係可在第2面18b上環狀地延伸。又，一實施形態中，薄板ST係以其下面連接至基部18之第2面18b，並以其上面連接至聚焦環FR的下面之方式來加以設置。
薄板ST係具有用以將聚焦環FR之熱傳導至基部18而作為導熱媒介之機能。因此，薄板ST係具有導熱性。又，薄板ST係具有彈性，並藉由在其厚度方向承受壓力，而可在該厚度方向中收縮。如此般之薄板ST係以矽膠製之薄板為範例。
聚焦環FR係用以在晶圓W的徑向中之電漿處理的均勻化，亦即，將晶圓W的中央部分與邊緣部分之處理均勻化之構件。聚焦環FR係以沿靜電夾具20之周緣的方式來加以配置，而以將該靜電夾具20之周緣及晶圓W之周緣圍繞的方式來加以設置。一實施形態中，聚焦環FR係可在第2面18b之上環狀地延伸。
一種實施形態中，聚焦環FR係在其內側緣部上具有較其徑向中間部分厚度要小的第1薄部FR1。第1薄部FR1係設置在較靜電夾具20上面稍微下方，而晶圓W的周緣係位於第1薄部FR1之上。
又，一種實施形態中，聚焦環FR係在其外側緣部上具有較其徑向中間部分厚度要小的第2薄部FR2。第2薄部FR2的上面係相接有將聚焦環FR朝下方按壓之按壓構件60的按壓面60p。藉此，設置在聚焦環FR與第2面18b間之薄板ST會在厚度方向收縮而密接於聚焦環FR與第2面18b，而減低聚焦環FR與第2面18b間的熱阻抗。
載置台構造PDS係以可調整按壓構件60之按壓面60p與第2面18b的距離之方式來加以構成。因此，載置台構造PDS係以藉由變更按壓構件60之支撐部62上周圍方向的位置，而可選擇按壓構件60在高度方向(Z方 向)中相接至支撐部62之位置的方式來加以構成。又，載置台構造PDS係以可將按壓構件60對於第2面18b相接於固定之支撐部62的狀態下而以固定構件64固定之方式來加以構成。
以下，為了更加詳細地說明載置台構造PDS的上述構成，除了圖1~圖3之外，再參照圖4~圖6。圖4係顯示含有支撐部之基部的俯視圖。圖5係按壓構件的仰視圖。又，圖6係顯示沿圖2之VI-VI線的剖面圖。圖4係顯示從上方俯視含有支撐部62的基部18之狀態，圖5係顯示從下方仰視按壓構件60之狀態，圖6係顯示沿圖2之VI-VI線之剖面中之按壓構件60及支撐部62的剖面。
支撐部62係與基部18連結。作為支撐部62與基部18之連結的一樣態，一實施形態中，如圖3及圖4所示，支撐部62係與基部18一體化。亦即，支撐部62係形成在基部18，而對於基部18來加以固定。該實施形態中，支撐部62係不作為個別的構件，來削減構件數量。該支撐部62係在基部18之第2面18b的外周中延伸於周圍方向CFD。在此，所謂周圍方向係在與Z方向正交之面內，以正交於該面之軸線作為中心而延伸為環之方向。
如圖4及圖6所示，支撐部62係具有相接有按壓構件60的面，亦即作為被接面，而配列在周圍方向CFD之複數面62s。該等複數面62s係朝向上方之面。該等複數面62s以配列順序來區分係分成3個面群SG1~SG3。亦即，複數面62s係包含有構成第1面群SG1之複數第1被接面、構成第2面群SG2之複數第2被接面以及構成第3面群SG3之複數第3被接面。
如圖4所示，隸屬於第1面群SG1之複數面62s，亦即，第1被接面係在周圍方向CFD中，以既定間隔IV(參照圖6)來加以設置。隸屬於第2面群SG2之複數面62s，亦即，第2被接面係也在周圍方向CFD中，以既定間隔IV來加以設置。第1被接面及第2被接面係在周圍方向CFD中交互地設置。又，隸屬於第3面群SG3之複數面62s，亦即，第3被接面也在周圍方向CFD中，以既定間隔IV來加以設置。亦即，複數面62s係以在周圍方向CFD中之配列順序來區分為第1~第3面群SG1~SG3。
3個面群SG1~SG3係在高度方向(Z方向)中相互地設置在相異的位置。 亦即，面群SG1所含有之複數面62s(第1被接面)係在高度方向中設置在略相同之位置，面群SG2所含有之複數面62s(第2被接面)係在高度方向中設置在略相同之位置，面群SG3所含有之複數面62s(第3被接面)係在高度方向中設置在略相同之位置。又，面群SG1所含有之複數面62s(第1被接面)、面群SG2所含有之複數面62s(第2被接面)以及面群SG3所含有之複數面62s(第3被接面)係在高度方向中相互地設置在相異的位置。從而，支撐部62係週期地提供在高度方向中相異之位置所設置的面。
又，支撐部62係形成有從複數面62s於Z方向延伸至支撐部62的內部之複數螺孔62h，而區劃出該等螺孔62h之面係形成有母螺紋。該等螺孔62h係如下述般，在將按壓構件60對於支撐部62來加以固定時，會螺合有固定構件64的公螺紋。
按壓構件60係沿聚焦環FR的外周來加以配置，而將該聚焦環FR朝向基部18之第2面18b來按壓。藉此，按壓構件60便會壓縮薄板ST。按壓構件60係以例如所謂氧化鋁之陶瓷來加以構成之構件。如圖5所示，按壓構件60係略環狀之構件。如圖3及圖5所示，按壓構件60係具有主部60m及薄部60t。薄部60t係設置在按壓構件60之內側緣部。薄部60t係連接於主部60m的上側部分，而較主部60m突出至內側。該薄部60t的下面係將聚焦環FR第2薄部FR2上面朝向基部18之第2面18b按壓而具有作為按壓面60p的機能。
又，如圖5及圖6所示，按壓構件60的主部60m係具有下面60L。按壓構件60的下面60L係具有複數接面60a。該等接面60a係在周圍方向CFD中以既定間隔IV來加以設置。複數接面60a係以較複數面62s之周圍方向中的寬度要小之寬度來加以形成。又，複數接面60a係較按壓構件60的其他部分要突出至下方。具體而言，複數接面60a係在下面60L中而較相鄰之接面60a間的區域60b要突出至下方。複數接面60a與下面60L之區域60b間之高度方向(Z方向)中之距離，係較面群SG1~SG3中設置在最高位置的面群與設置在最低位置之面群之間的距離要大。
又，按壓構件60係形成有從複數接面60a於Z方向貫穿該按壓構件60之複數孔60h。複數孔60h係分別含有小徑部60h1及大徑部60h2。小徑部 60h1係從接面60a於Z方向延伸至按壓構件60中間。大徑部60h2係連續於小徑部，而於Z方向延伸至按壓構件60的上面。大徑部60h2之直徑係較小徑部60h1之直徑要大。從而，大徑部60h2與小徑部60h1之間係形成有段差面。該段差面係與為固定構件64之螺絲之頭部相接。
該載置台構造PDS中，如圖6所示，係藉由將按壓構件60在周圍方向CFD中旋轉，而可選擇隸屬於面群SG1~SG3之任一個之複數面62s來作為相接按壓構件60之接面60a的面。亦即，作為相接按壓構件60之接面60a的面，可選擇在複數第1被接面、複數第2被接面以及複數第3被接面中任一面。藉此，便可選擇按壓構件60相接支撐部62的高度方向(Z方向)之位置。其結果，便可調整按壓面60p與第2面18b間之高度方向(Z方向)中之距離。然後，在按壓構件60相接至已選擇接面60a之面群的狀態下，以固定構件64，亦即螺絲64通過按壓構件60之孔60h而將該螺絲螺合於支撐部64之螺孔的方式，便可將按壓構件60對於支撐部62來強力地固定。
如圖3所示，載置台構造PDS中，在按壓構件60固定至支撐部62之狀態下，係以將載置台PD的外周面及按壓構件60的表面覆蓋之方式，來設置有外罩70。外罩70可由例如所謂石英之陶瓷所構成。如圖3所示，外罩70亦可分割為兩個以上之構件。
依據相關載置台構造PDS，即便薄部FR2的厚度、按壓構件60之按壓面60p與第2面18b之間的距離以及薄板ST之厚度產生有製造誤差，藉由選擇面群SG1~SG3之任一者作為相接按壓構件60之接面60a的面，，便可將薄板ST的縮小量接近於設計值。
在此，參照圖7及圖8。圖7及圖8係用以說明薄板縮小量的調整方法之概略圖。載置台構造PDS中，係以按壓構件60的接面60a相接至該面群SG2時，薄板ST厚度的縮小量會為設計值之方式，來預先設定例如高度方向(Z方向)設置於中間位置的面群SG2的高度方向位置之設計值。又，將面群SG2與面群SG1間的高度方向之距離，及面群SG2與面群SG3間的高度方向之距離，亦即，高度方向中的面群間之最短距離預先對應於薄板ST的厚度縮小量之調整幅度(△h)。如此般之載置台構造PDS中，如圖7之(a)及圖8之(b)所示，讓接面60a相接至面群SG2時，會使得第2面18b與按 壓面60p之間的高度方向的間隔為H2，而薄板的厚度為H3。另外，會使得按壓構件60之接面60a與按壓面60p間的高度方向之距離為H1。
然後，在讓按壓構件60之接面60a相接於面群SG2時，薄板ST厚度之縮小量較設計值要大的情況，如圖7之(b)所示，可以接面60a相接有設置在較面群SG2要高之位置的面群SG1之方式，來選擇按壓構件60之周圍方向CFD的位置。圖7之(b)所示之情況，按壓構件60之按壓面60p的高度方向(Z方向)中之位置，係較圖7之(a)所示之按壓面60p的高度方向(Z方向)中之位置僅提高調整幅△h的量。其結果，使得第2面18b與按壓面60p之間的高度方向之間隔為H2+△h。伴隨於此，薄板ST的厚度會成為H3+△h。從而，薄板的厚度縮小量在圖7之(b)所示之情況，相較於圖7之(a)所示之情況，會僅變小△h。
另一方面，在讓按壓構件60之接面60a相接於面群SG2時，薄板ST厚度之縮小量較設計值要小的情況，如圖8之(b)所示，可以接面60a相接有設置在較面群SG2要低之位置的面群SG3之方式，來選擇按壓構件60之周圍方向CFD的位置。圖8之(b)所示之情況，按壓構件60之按壓面60p的高度方向(Z方向)中之位置，係較圖8之(a)所示之按壓面60p的高度方向(Z方向)中之位置僅降低調整幅△h的量。其結果，使得第2面18b與按壓面60p之間的高度方向之間隔為H2-△h。伴隨於此，薄板ST的厚度會成為H3-△h。從而，薄板的厚度縮小量在圖8之(b)所示之情況，相較於圖8之(a)所示之情況，會僅變大△h。
此處，參照圖9。圖9係顯示薄板之縮小量與聚焦環之溫度的關係之圖式。圖9係顯示在圖1所示之電漿處理裝置使用以往之載置台構造而進行電漿處理，並測定薄板之厚度縮小量與聚焦環之溫度的關係之結果。圖9中，橫軸係表示薄板的厚度縮小量(mm)，縱軸係表示聚焦環的溫度。此處，薄板的厚度為1mm，從而，薄板的縮小量為0.1mm係對應於薄板的厚度的縮小率為10%。
如圖9所示，薄板厚度的縮小量設定在0.1mm~0.2mm的範圍內時，亦即，設定薄板厚度的縮小率在10%~20%的範圍內時，會使得聚焦環溫度的變動量變小。亦即，對於薄板厚度的縮小量而設定在10%~20%的範圍時， 即便薄部FR2之厚度、按壓構件60的按壓面p與第2面18b之間的距離以及薄板ST的厚度等產生有製造誤差，亦可減少電漿處理時之聚焦環FR的溫度差異。另一方面，設定薄板厚度的縮小量在0.0mm~0.1mm的範圍內時，亦即，設定薄板厚度的縮小率在0%~10%的範圍內時，會使得聚焦環溫度的變動量變大。又，薄板厚度的縮小量超過0.3mm時，亦即，薄板厚度的縮小率超過30%時，會施加過大的力量至有助於讓薄板厚度縮小的構件，而損傷該構件。
載置台構造PDS中，可以相接按壓構件60之接面60a在該面群SG2時，以薄板ST厚度的縮小量成為設計值之方式，來設定高度方向(Z方向)中設置於中間位置之面群SG2之高度方向位置的設計值。又，可設定高度方向中之面群間的最短距離，亦即調整幅△h為0.1mm，亦即，相對於薄板厚度10%之距離。然後，可以從面群SG1~面群SG3中選擇相接有按壓構件60之接面60a之面群，，來將薄板厚度的縮小量設定在0.1mm~0.2mm的範圍，亦即，薄板厚度的縮小率在10%~20%的範圍。
另外，高度方向中之面群間的最短距離，係依照薄板ST的厚度、薄板厚度的縮小量來適當設定，而不限定於上述之距離。又，上述之實施形態中，雖然設置有3個面群SG1~SG3，但面群個數只要為2個以上即可。藉由設置有2個以上之面群，在薄板ST厚度的縮小量太大的情況，會將按壓構件60之接面60a相接於設置在較高位置之面群，另一方面，在薄板ST厚度的縮小量太小的情況，會將按壓構件60之接面60a相接於設置在較低位置之面群，而可調整薄板ST厚度的縮小量。又，面群的個數，亦可多於3個。
接著，就一實施形態相關的保持聚焦環之方法進行說明。圖10係顯示一實施形態相關的保持聚焦環之方法的圖式。以下說明中，係以上述之實施形態的載置台構造PDS作為範例，來就一實施形態相關的保持聚焦環之方法進行說明。
如圖10所示，該方法中，首先，工序S1中，係在基部18的第2面18b上透過薄板ST來配置聚焦環FR。該工序S1中，聚焦環FR係沿靜電夾具20之周緣來加以配置。接著，工序S2中，選擇按壓構件60之周圍方向CFD 中之位置。在使用載置台構造PDS的情況，工序S2中，係從面群SG1~SG3來選擇相接按壓構件60之接面60a的面群。藉此，工序S2中，便會決定按壓構件60相接至支持部62之高度方向(Z方向)的位置。其結果，便會調整接觸於聚焦環FR之按壓構件60的按壓面60p與基部18之間的高度方向中之間隔。
一實施形態中，工序S2中，係以薄板ST厚度之縮小量成為該薄板ST厚度的10%~20%之範圍的方式，來決定按壓構件60相接至支持部62之高部方向的位置。依據該實施形態，參照圖9而如上述般，即便薄部FR2厚度、按壓構件60之按壓面60p與第2面18b之間的距離以及薄板ST厚度等產生有製造誤差，亦可減少電漿處理時之聚焦環FR的溫度差異。
另外，工序S2中，亦可求出相接按壓構件60之接面60a在支撐部62時的薄板ST厚度的縮小量，來選擇按壓構件60之周圍方向CFD的位置。又，工序S2中，亦可基於有助於薄板ST厚度縮小之構件的尺寸之實際值，以達成薄板ST厚度之所欲縮小量之方式，來選擇按壓構件60之周圍方向CFD中之位置。
接著，工序S3中，在將按壓構件60在已決定之高度方向的位置中相接於支撐部62的狀態下，使用固定構件64來固定按壓構件60在支撐部62。使用載置台構造PDS的情況，係在將按壓構件60之接面60a相接於已選擇之面群的狀態下，使用固定構件64來固定按壓構件60於支撐部62。藉此，可達成薄板ST厚度的所欲之縮小量，並保持聚焦環FR。又，由於係在按壓構件60相接於支撐部62的狀態下固定於支撐部62，故可維持已設定之薄板ST厚度的縮小量。
以下，就其他實施形態相關之載置台構造進行說明。圖11係顯示其他實施形態相關之載置台構造的剖面圖。圖11係顯示在其他實施形態相關之載置台構造PDS2中，與圖3相同之剖面。又，圖12係顯示其他實施形態相關之載置台構造的支撐部之俯視圖。圖12係顯示從上方俯視其他載置台構造相關的支撐部之狀態。
圖11所示之載置台構造PDS2係在支撐部與基部18為不同之構件的這點與載置台構造PDS相異。又，載置台構造PDS2係在聚焦環FR與第2 面18b之間，除了薄板ST，更具有環狀構件72及薄板ST2的這點與載置台構造PDS相異。以下，就載置台構造PDS2與載置台構造PDS之相異點進行說明。
環狀構件72係以例如所謂鋁的金屬所構成。環狀構件72係在第2面18b之上中環狀地延伸。該環狀構件72與聚焦環FR之間係介設有薄板ST。又，該環狀構件72與第2面18b之間係介設有薄板ST2。薄板ST2係與薄板ST同樣地為導熱媒介，會將聚焦環FR的熱傳遞至基部18。該薄板ST2係在第2面18b上環狀地延伸。
如圖11所示，環狀構件75係設置有將該環狀構件72在Z方向貫穿之孔。在對應於環狀構件72之該孔的位置中，係於基部18設置有從第2面18b在Z方向延伸之螺孔。區劃出該螺孔的面係形成有母螺紋。以通過環狀構件72的孔而插入之螺絲螺合於從基部18之第2面18b延伸的螺孔，環狀構件72便會相對於第2面18b來進行按壓，則薄板ST2便會在其厚度方向中縮小。
如圖11所示，環狀構件72之徑向中之外緣部72a係較基部18要突出於外側。載置台構造PDS2中，支撐部62A係相接於環狀構件72之外緣部72a的下面。亦即，載置台構造PDS2中，支撐部62A係透過環狀構件72而間接地連結於基部18，來作為支撐部62A與基部18之連結的形態。
如圖12所示，支撐部62A係環狀的構件。支撐部62A係以所謂氧化鋁之陶瓷所構成。支撐部62A係具有內緣部62i。內緣部62i的上面，如圖11所示，係相接於環狀構件72之外緣部72a的下面。
如圖12所示，支撐部62A係形成有朝向上方之複數面62s。該等複數面62s係設置於較內緣部62i要徑向外側。複數面62s係與載置台PDS之複數面62s同樣地配列在周圍方向CFD。又，複數面62s係與載置台PDS之複數面62s同樣地區分為三個面群SG1~SG3。亦即，載置台構造PDS2之複數面62s也含有隸屬於面群SG1之第1被接面、隸屬於面群SG2之第2被接面以及隸屬於面群SG3之第3被接面。
相關載置台構造PDS2中，與基部18為分件之支撐部62a之內緣部62i係相接至環狀構件72之外緣部72a的下面，並且，在按壓構建60之按壓 面60p相接至聚焦環FR之第2薄部FR2的上面之狀態下，使用固定構件64來讓按壓構件60相對於支撐部62A而加以固定。藉此，按壓構件60便會將聚焦環FR相對於環狀構件72按壓，而縮小薄板ST的厚度。
又，藉由將按壓構件60在周圍方向CFD中旋轉，便可選擇面群SG1~SG3之任一者來作為相接按壓構件60之接面60a的面。藉此，便可在高度方向(Z方向)中選擇按壓構件60相接至支撐部62的位置。其結果，便可調整按壓面60p與第2面18b之間的高度方向(Z方向)中之距離。然後，在按壓構件60之接面60a相接至已選擇之面群的狀態下，以固定構件64，亦即螺絲64通過按壓構件60之孔60h而將該螺絲螺合於支撐部62A之螺孔，便可將按壓構件60對支撐部62進行強力地固定。不需要管理此時之螺絲64的扭矩。
依據相關載置台構造PDS2，即便薄部FR2之厚度、按壓構件60之按壓面60p與第2面18b之間的距離、薄板ST的厚度、薄板ST2的厚度以及環狀構件72的厚度產生有製造誤差，藉由選擇支撐部62A之面群SG1~SG3之任一者來作為相接按壓構件60之接面60a的面，，便可使得薄板ST的縮小量接近於設計值。
該載置台構造PDS2中，也可實施圖10所示的保持聚焦環之方法。該情況，係早於工序S1，將薄板ST2配置在第2面18b上，並在該薄板ST2上配置環狀構件，而將環狀構件72對基部18以螺絲鎖螺。接著，工序S1中，於第2面18b上，具體而言，在環狀構件72上透過薄板ST來配置聚焦環FR。然後，工序S2中，選擇支撐部62A上的按壓構件60之周圍方向的位置，來選擇相接按壓構件60之接面60a的支撐部62A之面群。接著，工序3中，在相接按壓構件60之接面a在已選擇之支撐部62A的面群之狀態下，使用固定構件64而對支撐部62A來固定按壓構件60。藉此，可達成薄板ST厚度之所欲的縮小量，並保持聚焦環FR。又，由於係在按壓構件60相接至支撐部62A的狀態下來固定於支撐部62A，故可維持已設定之薄板ST厚度的縮小量。
以上，雖已就各種的實施形態加以說明，但不限定於上述之實施形態而可構成為各種變形樣態。例如，上述之電漿處理裝置雖係平行平板型之 電漿處理裝置，但並不限定於可具備上述實施形態之載置台構造的電漿處理裝置之電漿源。例如，在使用微波之電漿處理裝置、以及所謂的感應耦合型電漿處理裝置的各種類型之電漿處理裝置中，皆可採用上述實施形態之載置台構造。
又，上述實施形態中，係採用在相異高度位置中具有提供面之複數面群的支撐部。然而，支撐部只要是可藉由變更按壓構件之該支撐部上的周圍方向之位置，來選擇按壓構件在高度方向中相接至該支撐部的位置，則不論任何形狀均可。例如，支持部亦可係在周圍方向中具有連續變化高度位置的面(接面)。
60‧‧‧按壓構件
60L‧‧‧下面
60a‧‧‧接面
60b‧‧‧區域
60h‧‧‧孔
60h1‧‧‧小徑部
60h2‧‧‧大徑部
60m‧‧‧主部
60p‧‧‧按壓面
60t‧‧‧薄部
62、62A‧‧‧支撐部
62h‧‧‧螺孔
62s‧‧‧面(第1~第3被接面)
SG1、SG2、SG3‧‧‧面群
CFD‧‧‧周圍方向
Z‧‧‧高度方向

Claims (6)

  1. 一種載置台構造，係具備有：靜電夾具，係位在中央區域；以及基部，係沿著該靜電夾具之周緣載置聚焦環；其具備有：薄板，係具有彈性及導熱性，並介設於該聚焦環與該基部之間；按壓構件，係沿該聚焦環之外周加以配置，而將該聚焦環朝向該基部按壓而將該薄板壓縮；以及支撐部，係與該基部連結；該按壓構件係具有：將該聚焦環朝向該基部按壓之按壓面；以及朝向下方並在周圍方向中以既定間隔所設置之複數接面；該支撐部係具有複數第1被接面及複數第2被接面；該第1被接面係在該周圍方向中以該既定間隔來設置；該第2被接面係在該周圍方向中與該第1被接面以該既定間隔交互地設置，而在從該支撐部上觀之時，該第2被接面與該第1被接面係形成圈狀；該第1被接面與該第2被接面係設置於高度方向中的相異位置；該接面係以較該第1被接面與該第2接面之該高度方向中之距離要大的距離，從該按壓構件的其他部分突出。
  2. 如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中該支撐部更包含有第3被接面；該第3被接面，係在該周圍方向中以該既定間隔來設置，並設置在與該第1被接面及該第2接面的該高度方向中之相異位置；該接面係在該第1被接面、該第2被接面及該第3被接面中，在該高度方向中以較分離最遠的被接面之間的距離要大之距 離，從該按壓構件的其他部分突出。
  3. 如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中該支撐部係與該載置台的該基部一體化。
  4. 一種方法，係在載置台構造中保持聚焦環之方法，該載置台具備：靜電夾具，係位在中央區域；基部，係載置聚焦環；按壓構件，係於周圍方向具有複數接面；以及支撐部，係具有複數第1被接面及複數第2被接面；該第1被接面係在該周圍方向中以該既定間隔來設置；該第2被接面係在該周圍方向中與該第1被接面以該既定間隔交互地設置，而在從支撐部上觀之時，該第2被接面與該第1被接面係形成環狀；該第1被接面與該第2被接面係設置於高度方向中的相異位置；該方法包含有：以在該基部與該聚焦環之間介設具有彈性及導熱性的薄板之方式，將聚焦環沿該靜電夾具的周緣進行配置之工序；藉由決定在與該基部連結之該支撐部上的該按壓構件周圍方向之位置來決定該按壓構件相接於該支撐部之該高度方向位置，來調整接觸於該聚焦環之該按壓構件的按壓面與該基部之該高度方向的間隔之工序；以及在已決定之該高度方向的位置中將該按壓構件相接於該支持部的狀態下，來將該按壓構件固定於該支撐部之工序。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該調整工序中，係以該薄板厚度的縮小量成為該薄板厚度的10%~20%之範圍的方 式，來決定該按壓構件相接於該支撐部之高度方向位置。
  6. 如申請專利範圍第1項之載置台構造，其中該薄板厚度之縮小量係藉由從該第1被接面及該第2被接面而選擇做為接觸該按壓構件之複數接面的被接面來加以調整。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015115421A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフォーカスリング
JP6345030B2 (ja) * 2014-08-11 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフォーカスリング
US10262886B2 (en) * 2014-09-30 2019-04-16 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck device
KR102424818B1 (ko) * 2015-05-27 2022-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
JP6529357B2 (ja) * 2015-06-23 2019-06-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
KR20180080520A (ko) * 2017-01-04 2018-07-12 삼성전자주식회사 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US10199252B2 (en) * 2017-06-30 2019-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal pad for etch rate uniformity
KR102423380B1 (ko) 2018-09-13 2022-07-22 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 배치 장치
KR102335472B1 (ko) * 2019-09-04 2021-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN112786422B (zh) * 2019-11-08 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种聚焦环、等离子体处理器及方法
KR102495233B1 (ko) * 2020-07-03 2023-02-06 주식회사 동원파츠 정전척
KR20220027509A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 장치에서의 웨이퍼 디척킹 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6723202B2 (en) * 2000-04-25 2004-04-20 Tokyo Electron Limited Worktable device and plasma processing apparatus for semiconductor process
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US20050172904A1 (en) * 1998-07-16 2005-08-11 Tokyo Electron At Limited And Japan Science And Technology Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US20080239691A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Thermally conductive sheet and substrate mounting device including same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100292410B1 (ko) * 1998-09-23 2001-06-01 윤종용 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버
US6475336B1 (en) 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
JP4676074B2 (ja) 2001-02-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及びプラズマ処理装置
US7252738B2 (en) 2002-09-20 2007-08-07 Lam Research Corporation Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
KR100520229B1 (ko) 2004-03-11 2005-10-11 삼성전자주식회사 반도체 식각장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050172904A1 (en) * 1998-07-16 2005-08-11 Tokyo Electron At Limited And Japan Science And Technology Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US6723202B2 (en) * 2000-04-25 2004-04-20 Tokyo Electron Limited Worktable device and plasma processing apparatus for semiconductor process
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US20080239691A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Thermally conductive sheet and substrate mounting device including same

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