TWI575217B - 用於光學量測之次要目標設計 - Google Patents

Description

用於光學量測之次要目標設計

本發明一般而言係關於光學計量之領域，且更特定而言，係關於一種藉助次要目標設計改良光學量測之方法。

本申請案主張由SUNGCHUL YOO等人2011年11月3日提出申請之標題為「METHOD OF OPTIMIZING OPTICAL CRITICAL DIMENSION MEASUREMENTS THROUGH SECONDARY TARGET DESIGN」之序號為61/555,108之美國臨時申請案之優先權，該臨時申請案當前同在申請中或係其一當前同在申請中之申請案被授予申請日期之權益之一申請案。

隨著技術向前發展，繼續以較小級別製作半導體。量測技術必須以類似方式演進以使得可正確地監視及維護較密集裝置規格。當前，通常利用諸如橢圓量測術、反射量測術及諸如此類之計量技術量測樣本。可利用散射量測模型來擬合自樣本之一量測目標收集之資料以以較高精確度及準確度判定樣本參數。

三維記憶體堆疊及其他多層樣本可具有重複結構，該等重複結構在表徵多個層、深接觸孔及其他挑戰性結構屬性之參數之間具有高相關性。複合樣本結構往往使得難以以高準確度及精確度判定樣本參數。可採用多工具或多目標量測技術來改良複合樣本參數之敏感性。然而，自多個工具或多個目標收集之資料繼續受限於結構不確定性。

本發明係針對設計至少一個次要目標以增加一主要目標之至少一個選定參數之敏感性及/或降低其相關性。

本發明之一項實施例係一種用於分析至少一個樣本之系統。該系統可包含一樣本台，該樣本台經組態以接收至少一個樣本。該系統可進一步包含至少一個照射源，該至少一個照射源經組態以照射該樣本之至少一個部分。該系統可進一步包含至少一個偵測器，該至少一個偵測器經組態以接收自該樣本之該經照射部分反射之照射。該系統可進一步包含一計算系統，該計算系統以通信方式耦合至該至少一個偵測器。該計算系統可經組態以自該偵測器接收該樣本之一主要目標之一組主要參數。該計算系統可進一步經組態以自該偵測器接收該樣本之至少一個次要目標之一組次要參數。該次要目標可包含至少一個受控參數，該至少一個受控參數經組態以用於增加該主要目標之至少一個選定參數之敏感性及/或降低該主要目標之至少一個選定參數與該主要目標之其他參數之相關性。該次要目標可進一步包含與該主要目標共同之至少一個參數。該計算系統可進一步經組態以利用該組主要參數及該組次要參數來製備一散射量測模型。該計算系統可進一步經組態以利用該所製備散射量測模型來判定該至少一個樣本之至少一個參數。

本發明之另一實施例係一種設計一次要目標之方法。該方法可包含以下步驟：接收至少一個樣本之一主要目標之 一組主要參數；選擇該主要目標之至少一個參數；接收該至少一個樣本之一次要目標之一組次要參數；控制該次要目標之至少一個參數以增加該主要目標之該選定參數之敏感性及/或降低其相關性；利用該組主要參數及該組次要參數來製備一散射量測模型；利用該散射量測模型來判定該主要目標之該至少一個選定參數之一敏感性位準或一相關性位準；及修改該次要目標之該至少一個受控參數直至達成一選定敏感性位準或一選定相關性位準為止。

在另一實施例中，控制該次要目標之至少一個參數以藉由以下各項中之至少一者增加該主要目標之至少一個選定參數之敏感性及/或降低其相關性：將該次要目標之一臨界尺寸修改為一選定臨界尺寸值；將該次要目標之節距修改為一選定節距值；將該次要目標之裝置佈局修改為一選定裝置佈局；將該次要目標之至少一個膜堆疊之厚度修改為一選定厚度值；將至少一個膜層添加至該次要目標；或自該次要目標移除至少一個膜層。

應理解，前述一般說明及以下詳細說明兩者皆僅係例示性及闡釋性的且未必限制本發明。併入說明書中且構成說明書之一部分之隨附圖式圖解說明本發明之標的物。說明與圖式一起用於闡釋本發明之原理。

熟習此項技術者可藉由參考附圖來更好地理解本發明之眾多優點。

現在將詳細參考隨附圖式中所圖解說明之所揭示標的 物。

圖1A至圖2大體而言圖解說明用於分析一樣本以判定該樣本之至少一個參數或該樣本之一或多個層(下文中稱為「樣本參數」)之一系統及方法。舉例而言，樣本參數可包含厚度、結晶性、組合物、臨界尺寸、線間距、線寬度、壁深度、壁輪廓及諸如此類。複合樣本可包含具有低敏感性或結構屬性(諸如，高度相關之重複層或深接觸孔)之參數，此減小各種樣本參數之量測確定性。舉例而言，一多層樣本可包含通常用於基於兆位元胞陣列電晶體(TCAT)或位元成本可擴充(BICS)之記憶體裝置之一個三維記憶體堆疊。以引用方式併入本文中之第7,478,019號美國專利論述一種用於利用自多個工具或多個目標收集之資料來判定所關注之至少一個樣本參數而改良量測敏感性之方法。本文中進一步提供一種設計至少一個次要目標以改良一主要目標之至少一個選定參數之敏感性及/或降低其相關性之方法。

如本發明通篇中所使用，術語「樣本」大體而言係指代由包含一或多個「層」或「膜」之一半導體或非半導體材料形成之一基板；及通常經挑選以針對光學計量為週期性之經圖案化結構。舉例而言，半導體或非半導體材料包含(但不限於)單晶矽、砷化鎵及磷化銦。形成於基板上之層可包含(但不限於)一抗蝕劑、一介電材料、一導電材料或一半導電材料。此項技術中已知諸多不同類型之樣本層，且如本文中所使用之術語樣本意欲涵蓋一基板及形成於其上之任何類型之層。

圖1A圖解說明根據本發明之一實施例之用於分析至少一個樣本120以判定所關注之至少一個樣本參數之一系統100。僅出於說明性目的，圖1A中所展示之系統100之實施例包含一泛用橢圓量測系統。然而，系統100可包含此項技術中已知之任一計量系統，諸如，光譜橢圓量測系統、反射量測系統、角解析反射量測系統及諸如此類。在某些實施例中，系統100可包含(但不限於)第5,607,800、5,867,276、5,963,329、5,739,909、5,889,593、6,429,943、6,819,426及6,813,034號美國專利中所論述之計量工具或系統中之任一者，所有該等專利皆以引用之方式包含於本文中。

系統100可包含經組態以接收並支撐樣本120之一樣本台102。在一項實施例中，樣本台102可進一步經組態以將樣本120致動至一選定位置。舉例而言，以機械方式耦合至樣本台102之一致動器(諸如，一馬達或齒輪)可經組態以旋轉或平移樣本台102以致動樣本120。另一選擇係，一非接觸致動器(諸如，一磁懸浮機構)可經組態以致動樣本台102。

系統100可進一步包含至少一個照射源104，照射源104經組態以沿一照射路徑提供照射以照射樣本120之至少一個部分。照射路徑可包含照射源104與樣本120之間的一直視線。另一選擇係，照射路徑可由諸如延遲器、四分之一波片、聚焦光學器件、相位調變器、偏光器、反射鏡、分束器、稜鏡、反射器、會聚/發散透鏡及諸如此類之一或 多個光學元件之一配置勾畫。系統100可包含沿照射路徑安置之一或多個照射光學器件106。照射光學器件106可經組態以過濾、聚焦、減弱及/或調變沿照射路徑傳送至樣本120之照射部分之照射。舉例而言，照射光學器件106可包含分別經組態以使遞送至樣本120之經照射部分之照射偏光及聚焦之一偏光器及一聚焦透鏡。

系統100可進一步包含經組態以接收自樣本120之經照射部分反射之照射之至少一部分之至少一個偵測器108。自樣本120之經照射部分反射之照射可沿一偵測路徑引導至偵測器108。該偵測路徑可包含偵測器108與樣本120之經照射部分之間的一直視線。另一選擇係，該偵測路徑可由一或多個光學元件勾畫，如先前關於照射路徑所論述。系統100可進一步包含沿該偵測路徑安置之一或多個偵測光學器件110以用於過濾、聚焦、減弱及/或調變自樣本120之經照射部分反射之照射。舉例而言，偵測光學器件110可包含分別經組態以使遞送至偵測器108之經反射照射偏光及聚焦之一檢偏鏡及一遞送透鏡。僅出於說明性目的而包含系統100之前述實施例且不應將其理解為以任一方式限制本發明。此外，預期系統100可包含以此項技術中已知之任一計量組態配置之任一數目個照射源104、偵測器108或光學器件106、110。

系統100可進一步包含以通信方式耦合至一或多個偵測器108之至少一個計算系統112。計算系統112可包含經組態以執行來自載體媒體114(諸如，此項技術中現在或此後 知曉之一硬碟機、固態磁碟、快閃記憶體、隨機存取記憶體、一光碟、磁帶或任一其他永久或半永久資料儲存媒體)之程式指令116之至少一個處理器。計算系統112可經組態以接收與由偵測器108接收之照射相關聯之資料。自偵測器108接收之資料可包含與利用自樣本120之經照射部分反射之照射來判定之一或多個樣本參數相關聯之資訊。

參考圖1B及圖1C，一或多個樣本120可包含複數個目標。舉例而言，樣本120可包含一主要目標及至少一個次要目標。另一選擇係，主要及次要目標可位於單獨樣本120上。主要及次要目標可包含(但不限於)一或多個未經圖案化膜122或者一或多個經圖案化膜124、126A及126B。該次要目標可具有選定結構屬性，包含(但不限於)以下實施例中所闡述之結構屬性。在一項實施例中，次要目標可包含其中存在所有層之一或多個未經圖案化膜122。在另一實施例中，次要目標可包含經部分地蝕刻之一或多個未經圖案化膜122。在另一實施例中，次要目標可包含具有諸如(但不限於)線、溝渠或接觸孔等週期性特徵之一或多個經圖案化膜124、126A及126B。在一例示性實施例中，次要目標可包含具有複數個二維線間距光柵之一或多個經圖案化膜124。在另一例示性實施例中，次要目標可包含具有複數個接觸孔或溝渠之一或多個經圖案化膜126A，其與主要目標之具有複數個接觸孔或溝渠之一或多個經圖案化膜126B在節距上不同。

主要目標及至少一個次要目標可進一步包含至少一個共 同參數。次要目標可進一步包含至少一個受控參數。該受控參數可包含(但不限於)臨界尺寸、節距、裝置佈局、膜堆疊厚度或膜層之數目。在一實施例中，對受控參數之修改可增加主要目標之至少一個選定參數之敏感性。在另一實施例中，對受控參數之修改可降低主要目標之選定參數與其他參數之間的相關性。在某些實施例中，次要目標之受控參數可進一步允許主要目標之選定參數之經增加敏感性及經降低相關性之一組合。

在一項實施例中，計算系統112可經組態以接收樣本120之主要目標之一組一或多個參數(亦即，「主要組」之參數)，包含選定參數。計算系統112可進一步經組態以接收樣本120之次要目標之一組一或多個參數(亦即，「次要組」之參數)，包含受控參數。計算系統112可進一步經組態以利用該組主要參數及該組次要參數來製備一散射量測模型。計算系統112可經組態以利用前饋處理、側饋處理、多目標並行處理或此項技術中已知之任一其他資料調節技術來將該組主要參數及該組次要參數併入至散射量測模型中。散射量測模型可包含用於對一或多個計量參數進行建模之此項技術中已知之任何分析、數值或數學模型。舉例而言，散射量測模型可包含嚴密耦合波分析(RCWA)演算法及/或相關聯之資料擬合或最佳化演算法。在本文中應注意，僅出於說明性目的而包含前述實例且不應將其理解為對本發明之一限制。

計算系統112可進一步經組態以利用散射量測模型來判 定主要目標之選定參數之一敏感性位準或一相關性位準。可調整次要目標之受控參數直至判定主要目標之選定參數已達成一選定敏感性位準或一選定相關性位準為止。計算系統112可進一步經組態以利用散射量測模型來判定樣本120之至少一個參數。計算系統112可進一步經組態以執行本文中所闡述之方法200之一或多個步驟。

圖2圖解說明設計至少一個次要目標以改良至少一個樣本之一主要目標之至少一個選定參數之敏感性及/或降低該主要目標之選定參數與一或多個額外參數之間的相關性之一方法200。在步驟202處，接收一主要目標一組一或多個主要參數。在步驟204處，選擇該主要目標之至少一個參數。在一項實施例中，該選定參數可包含一高度相關之參數及/或具有低於一選定位準之敏感性之一參數。具有低敏感性之參數及高度相關之參數往往致使量測不確定性。可藉由選擇性地設計至少一個次要目標以增加敏感性及/或降低參數之間的相關性來改良量測確定性。

在步驟206處，接收一次要目標之一組一或多個次要參數。在步驟208處，控制該次要目標之至少一個參數以增加主要目標之選定參數之敏感性及/或降低主要目標之選定參數與至少一個額外參數之間的相關性。可使用任一數目個次要目標。此外，在某些實施例中，次要目標可包含在量測主要目標之前或之後之一次要時間點處所量測之主要目標之一受控版本。在另一實施例中，次要目標可包含利用一第二計量系統或工具來量測之主要目標。在另一實 施例中，可利用一第一計量技術(例如，光譜橢圓量測術)自主要目標獲得該組主要參數，且可利用一第二計量技術(例如，反射量測術)自次要目標獲得該組次要參數，其中次要技術不同於第一技術。此外，次要目標設計可基於第二計量系統之特性或特徵。本文中對次要目標之任何提及意欲涵蓋前述次要目標中之任一者。

在一項實施例中，可將次要目標之一臨界尺寸調整為一選定值。在另一實施例中，可將次要目標之複數個線、溝渠、接觸孔或其他週期性特徵之節距修改為一選定值。在另一實施例中，可將次要目標之裝置佈局修改為一選定裝置佈局。在另一實施例中，可將次要目標之至少一個膜堆疊之厚度修改為一選定厚度值。在另一實施例中，可添加或自次要目標移除一或多個膜層。可在步驟208處控制除本文中所列示之彼等參數之外的一或多個次要目標之替代參數以降低主要目標之參數之間的相關性、增加一或多個選定參數之敏感性、改良精確或準確度量及/或達成選定量測行為。另外，可將主要及次要目標之一或多個參數保持共同以將所擬合資料約束於所製備模型中且降低模型參數之間的相關性。

在步驟210處，可將主要及次要目標之參數組擬合至一散射量測模型中。在一項實施例中，可利用前饋處理或側饋處理來將主要及次要目標之參數併入至散射量測模型。可將該組次要參數擬合至一次要散射量測模型中。可將來自次要模型之結果饋送至主要目標之散射量測模型中。在 前饋處理中，在一較早時間點處，次要目標之參數可包含主要目標之參數。在另一實施例中，可利用多目標處理來併入該等參數。在多目標處理中，可將該組主要參數及該組次要參數擬合至具有保持共同之一子組參數之各別模型中，同時並行地同時最佳化該等模型。

在步驟212處，可實施利用散射量測模型之模擬以判定主要目標之選定參數之一敏感性位準或一相關性位準。在步驟214處，可操縱次要目標之一或多個受控參數直至判定達成選定參數之一選定敏感性位準及/或選定參數與其他參數之間的相關性降低至一選定相關性位準為止。可執行光學模擬以利用與隨波長、入射角及偏光而變之近光學場空間分佈相關聯之資訊來測試光學敏感性以指導次要目標設計。舉例而言，可回應於近場強度增強或改變之速率而修改次要目標之一或多個受控參數。在另一實施例中，可利用諸如多個層中之波導模式等本徵模式來判定受控參數或受控參數之一選定值。可操縱次要目標之一或多個受控參數以用於支援一或多個本徵模式來達成選定敏感性及/或降低散射量測模型之參數之間的相關性。

可利用二維(2D)及/或三維(3D)次要目標來幫助量測主要目標之一或多個選定參數。在一例示性實施例中，主要目標可包含3D鰭式場效電晶體(FinFet)中之鰭(Fin)高度，其中Fin高度敏感性為低。可設計一2D次要目標以增加具有低敏感性之一選定參數(諸如，氧化物溝渠高度)之敏感性。2D次要目標可與3D主要目標之參數一起併入以允許更準確及穩健之量測。

在另一例示性實施例中，主要目標可包含在參數之間具有高相關性之一隔離微影結構，從而使得難以判定中間臨界尺寸(CD)、高度(HT)及側壁角(SWA)。可利用比主要目標之隔離微影結構密集之一次要目標以降低相關性，藉此允許同時判定CD、HT及SWA參數。

預期上文所闡述之方法之實施例中之每一者可包含本文中所闡述之任一(任何)其他方法之任一(任何)其他步驟。另外，上文所闡述之方法之實施例中之每一者可由本文中所闡述之系統中之任一者執行。

應認識到，本發明通篇中所闡述之各種步驟可由一單個計算系統或由多個計算系統實施。此外，該系統之不同子系統可包含適合於實施上文所闡述之步驟中之至少一部分之一計算系統。因此，上文說明不應解釋為對本發明之一限制而僅為一圖解說明。此外，一或多個計算系統可經組態以執行本文中所闡述之方法實施例中之任一者之任一(任何)其他步驟。

計算系統可包含(但不限於)一個人計算系統、大型電腦計算系統、工作站、影像電腦、並行處理器或此項技術中已知之任一其他裝置。一般而言，術語「計算系統」可廣泛地定義為涵蓋具有執行來自一記憶體媒體之指令之一或多個處理器之任一裝置。

熟習此項技術者將瞭解，存在本文中所闡述之程序及/或系統及/或其他技術可受其影響之各種載具(例如，硬體、軟體及/或韌體)，且較佳載具將隨其中部署該等程序 及/或系統及/或其他技術之上下文而變化。實施方法之程式指令(諸如本文中所闡述之彼等指令)可經由載體媒體傳輸或儲存於載體媒體上。該載體媒體可係諸如一導線、電纜或無線傳輸鏈路之一傳輸媒體。該載體媒體亦可包含諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟或者一磁帶之一儲存媒體。

本文中所闡述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。該等結果可包含本文中所闡述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任一方式來儲存。該儲存媒體可包含本文中所闡述之任一儲存媒體或此項技術中已知之任一其他適合儲存媒體。在已儲存該等結果之後，該等結果可在該儲存媒體中存取且由本文中所闡述之方法或系統實施例中之任一者使用，經格式化以用於向一使用者顯示，由另一軟體模組、方法或系統等使用。此外，可「永久地」、「半永久地」、暫時地儲存該等結果或儲存該等結果達某段時間。舉例而言，該儲存媒體可係隨機存取記憶體(RAM)，且該等結果可未必無限期地存留於該儲存媒體中。

儘管已圖解說明本發明之特定實施例，但顯而易見，熟習此項技術者可在不背離前述揭示內容之範疇及精神之情形下做出本發明之各種修改及實施例。因此，本發明之範疇應僅受隨附申請專利範圍限制。

100‧‧‧系統

102‧‧‧樣本台

104‧‧‧照射源

106‧‧‧照射光學器件/光學器件

108‧‧‧偵測器

110‧‧‧偵測光學器件/光學器件

112‧‧‧計算系統

114‧‧‧載體媒體

116‧‧‧程式指令

120‧‧‧樣本

122‧‧‧未經圖案化膜

124‧‧‧經圖案化膜

126A‧‧‧經圖案化膜

126B‧‧‧經圖案化膜

圖1A係圖解說明根據本發明之一實施例之用於分析至少 一個樣本之一系統之一方塊圖；圖1B係根據本發明之各種實施例之次要目標設計之一概念性圖解，其中該次要目標包含一未經圖案化膜或一經圖案化膜；圖1C係根據本發明之一實施例之一次要目標設計之一概念性圖解，其中該次要目標包含具有複數個接觸孔或溝渠之一經圖案化膜；及圖2係圖解說明根據本發明之一實施例之設計一次要目標之一方法之一流程圖。

100‧‧‧系統

102‧‧‧樣本台

104‧‧‧照射源

106‧‧‧照射光學器件/光學器件

108‧‧‧偵測器

110‧‧‧偵測光學器件/光學器件

112‧‧‧計算系統

114‧‧‧載體媒體

116‧‧‧程式指令

120‧‧‧樣本

Claims (32)

1. 一種用於分析至少一個樣本之系統，其包括：一樣本台，其經組態以接收至少一個樣本；至少一個照射源，其經組態以照射該至少一個樣本之至少一個部分；至少一個偵測器，其經組態以接收自該至少一個樣本之該至少一個經照射部分反射之照射；及一計算系統，其以通信方式耦合至該至少一個偵測器，該計算系統經組態以：自該至少一個偵測器接收該至少一個樣本之一主要目標之一組主要參數；自該至少一個偵測器接收該至少一個樣本之一次要目標之一組次要參數，該次要目標包含與該主要目標共同之至少一個參數，該次要目標進一步包含至少一個受控參數，該受控參數經組態以用於以下各項中之至少一者：增加該主要目標之至少一個選定參數之敏感性；或降低該主要目標之至少一個選定參數與該主要目標之至少一個額外參數之相關性；利用該組主要參數及該組次要參數來製備一散射量測模型；及利用該散射量測模型來判定該至少一個樣本之至少一個參數。
2. 如請求項1之系統，其中該至少一個樣本之該次要目標包含一或多個未經圖案化膜。
3. 如請求項2之系統，其中該一或多個未經圖案化膜經部分地蝕刻。
4. 如請求項1之系統，其中該至少一個樣本之該次要目標包含一或多個經圖案化膜。
5. 如請求項4之系統，其中該一或多個經圖案化膜包含複數個線間距光柵。
6. 如請求項4之系統，其中該一或多個經圖案化膜包含複數個接觸孔。
7. 如請求項4之系統，其中該一或多個經圖案化膜包含複數個溝渠。
8. 如請求項1之系統，其中該次要目標之該至少一個受控參數包含以下各項中之至少一者：臨界尺寸、節距、裝置佈局、膜堆疊厚度或膜層之數目。
9. 如請求項1之系統，其中該計算系統進一步經組態以利用以下各項中之至少一者來製備該散射量測模型：前饋處理、側饋處理或多目標處理。
10. 如請求項1之系統，其中該至少一個樣本包含一個三維記憶體堆疊。
11. 如請求項10之系統，其中該三維記憶體堆疊包含以下各項中之至少一者：一兆位元胞陣列電晶體(TCAT)記憶體堆疊或一位元成本可擴充(BICS)記憶體堆疊。
12. 如請求項1之系統，其中該至少一個樣本包含一鰭式場 效電晶體(FinFET)結構。
13. 如請求項1之系統，其中該至少一個樣本包含一隔離微影結構。
14. 如請求項1之系統，其中該系統經組態以用於以下各項中之至少一者：光譜橢圓量測術、反射量測術或角解析反射量測術。
15. 如請求項1之系統，其中該系統經組態以用於利用一第一計量技術來獲得該主要目標之該組主要參數，其中該系統進一步經組態以用於利用一第二計量技術來獲得該次要目標之該組次要參數，其中該第二計量技術不同於該第一計量技術。
16. 一種設計至少一個次要目標之方法，其包括：接收至少一個樣本之一主要目標之一組主要參數；選擇該主要目標之至少一個參數；接收該至少一個樣本之一次要目標之一組次要參數；控制該次要目標之至少一個參數以用於以下各項中至少之一者：增加該主要目標之該至少一個選定參數之敏感性；或降低該主要目標之該至少一個選定參數與該主要目標之至少一個額外參數之相關性；利用該組主要參數及該組次要參數來製備一散射量測模型；利用該散射量測模型來判定該主要目標之該至少一個選定參數之一敏感性位準或一相關性位準；及修改該次要目標之該至少一個受控參數直至達成一選 定敏感性位準或一選定相關性位準為止。
17. 如請求項16之方法，其中該至少一個樣本之該次要目標包含一或多個未經圖案化膜。
18. 如請求項17之方法，其中部分地蝕刻該一或多個未經圖案化膜。
19. 如請求項16之方法，其中該至少一個樣本之該次要目標包含一或多個經圖案化膜。
20. 如請求項19之方法，其中該一或多個經圖案化膜包含複數個線間距光柵。
21. 如請求項19之方法，其中該一或多個經圖案化膜包含複數個接觸孔。
22. 如請求項19之方法，其中該一或多個經圖案化膜包含複數個溝渠。
23. 如請求項16之方法，其中該次要目標之該至少一個受控參數包含以下各項中之至少一者：臨界尺寸、節距、裝置佈局、膜堆疊厚度或膜層之數目。
24. 如請求項16之方法，其中製備該散射量測模型包含利用以下各項中之至少一者：前饋處理、側饋處理或多目標處理。
25. 如請求項16之方法，其中該至少一個樣本包含一個三維記憶體堆疊。
26. 如請求項16之方法，其中該三維記憶體堆疊包含以下各項中之至少一者： 一TCAT記憶體堆疊或一BICS記憶體堆疊。
27. 如請求項16之方法，其中該至少一個樣本包含一FinFET結構。
28. 如請求項16之方法，其中該至少一個樣本包含一隔離微影結構。
29. 如請求項16之方法，其中利用以下各項中之至少一者來獲得該組主要參數或該組次要參數：一光譜橢圓量測系統、一反射量測系統或一角解析反射量測系統。
30. 如請求項16之方法，其中利用一第一計量技術來獲得該主要目標之該組主要參數，其中利用一第二計量技術來獲得該次要目標之該組次要參數，其中該第二計量技術不同於該第一計量技術。
31. 一種設計至少一個次要目標之方法，其包括：接收至少一個樣本之一主要目標之一組主要參數；選擇該主要目標之至少一個參數；接收該至少一個樣本之一次要目標之一組次要參數；及控制該次要目標之至少一個參數以用於以下各項中之至少一者：增加該主要目標之該至少一個選定參數之敏感性；或降低該主要目標之該至少一個選定參數與該主要目標之至少一個額外參數之相關性，其中控制該至少一個參數包含以下各項中之至少一者：將該次要目標之一臨界尺寸修改為一選定臨界尺寸值； 將該次要目標之節距修改為一選定節距值；將該次要目標之裝置佈局修改為一選定裝置佈局；將該次要目標之至少一個膜堆疊之厚度修改為一選定厚度值；將至少一個膜層添加至該次要目標；或自該次要目標移除至少一個膜層。
32. 如請求項31之方法，其中該方法進一步包含：利用該組主要參數及該組次要參數來製備一散射量測模型；利用該散射量測模型來判定該主要目標之該至少一個選定參數之一敏感性位準或一相關性位準；及修改該次要目標之該至少一個受控參數直至達成一選定敏感性位準或一選定相關性位準為止。