TWI574245B - 顯示器及其畫素結構 - Google Patents

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陳冠宇
葉俊顯
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Description

顯示器及其畫素結構
本發明係有關於一種顯示器及其畫素結構，尤指一種半源極驅動(Half source driving；HSD)的顯示器及其畫素結構。
平面顯示器，例如液晶顯示器、電漿顯示器等，具有高畫質、體積小、重量輕及應用範圍廣等優點，因此被廣泛應用於行動電話、筆記型電腦、桌上型顯示器以及電視等消費性電子產品，並已經逐漸取代傳統的陰極射線管顯示器而成為顯示器的主流。而在現今液晶顯示面板的畫素陣列(pixel array)結構當中，有一類被稱為半源極驅動(half source driving，以下簡稱為HSD)畫素架構。採用半源極畫素架構的顯示器係藉著將掃描線的數目加倍而使得資料線的數目可以減半，且由於資料線的數目減半，所以源極驅動器(source driver)的製作價格也會相對地降低。然而，在目前的半源極驅動(Half source driving；HSD)顯示器中，資料線到各薄膜電晶體之汲極的導線長度過長，而導致源極驅動器與薄膜電晶體的汲極之間的電阻電容負載過大，而使得源極驅動器的驅動能力略顯不足，並進而導致由不同的源極驅動器所驅動的子畫素之亮度並不匹配，而使顯示器出現所謂的「半畫面」現象，而導致其畫質不如預期。其中，上述「半畫面」現象係指當同一液晶顯示器由兩個源極驅動器所驅動時，在兩源極驅動器皆以相同的畫素資料進行子畫素之驅動的情況下，可能會出現由其中一個源極驅動器所驅動的半數子畫素的亮度會高於另一個源極驅動器所驅動的半數子畫素的亮度之情況。
本發明一實施例提供一種顯示器。上述顯示器包含第一子畫素、第一閘極線、資料線、第二子畫素及第二閘極線。第一子畫素包含第一畫素電極以及第一電晶體。第二子畫素包含第二畫素電極以及第二電晶體。第一畫素電極形成在基板上，並沿第一方向具有第一寬度。第一電晶體用以驅動第一畫素電極，並包含第一端、第二端及控制端。第一閘極線沿第一方向延伸設置，並耦接於第一電晶體的閘極。資料線沿第二方向延伸設置，第二方向與第一方向不平行。其中第一電晶體的第一端具有第一導體耦接至資料線。第一導體沿第一方向具有第一佈線長度，而第一導體的第一佈線長度不大於第一畫素電極的第一寬度。第一電晶體的第二端具有第二導體，用以連接至第一畫素電極。第二畫素電極形成在基板上，並沿第一方向具有第二寬度。第二電晶體用以驅動第二畫素電極，第二電晶體包含第一端、第二端及控制端。第二閘極線沿第一方向延伸設置，並耦接於第二電晶體的閘極。其中第一閘極線不同於第二閘極線，第二電晶體的第一端具有第三導體耦接至資料線，第三導體沿第一方向具有第二佈線長度，且第三導體的第二佈線長度不大於第二畫素電極的第二寬度，且第二電晶體的第二端包含第四導體，用以連接第二畫素電極。
本發明一實施例提供一種畫素結構。畫素結構包括第一資料線、第一子畫素以及第二子畫素。第一子畫素包括第一電晶體及第一畫素電極。第一電晶體具有第一端及第二端，第一端連接至第一資料線，第二端連接至第一畫素電極，第一畫素電極具有第一寬度，而第一端與第一資料線之間的距離小於第一寬度。第二子畫素包括第二電晶體及第二畫素電極，第二電晶體具有一第一端及一第二端，第二電晶體的第一端連接至第一資料線，第二電晶體的第二端電連接至第二畫素電極，第二畫素電極具有第二寬度，其中第一子畫素沿垂直第一資料線的方向設置於第二子畫素與第一資料線之間，且第二電晶體的第一端與第一資料線之間的距離小於第一寬度。
本發明係根據提供一種半源極驅動顯示器的畫素結構，使得每個子畫素感受到來自資料線的等效負載大致上相等，以提升顯示品質。
請參考第1圖。第1圖為本發明一實施例之顯示器100的佈線圖。顯示器100包含基板110、多個子畫素50、複數條資料線14以及複數條閘極線20a及20b。子畫素50形成在基板110上，且每一子畫素50包含畫素電極10及電晶體12。畫素電極10形成在基板110上，而電晶體12用以驅動對應之畫素電極10。在本實施例中，顯示器100為一種半源極驅動(Half source driving；HSD)顯示器，其藉著將閘極線的數目加倍而使得資料線的數目可以減半，且由於資料線的數目減半，而使源極驅動器(source driver)不需要過多個接腳，降低成本。在本發明一實施例中，顯示器100還可包含共同電極(common electrode)60。共同電極60用以提供共同電壓至上述的畫素電極10。所述可畫素電極10可以是具有多個狹縫(slit，圖未示)的畫素電極，圖示僅為示意畫素電極10的佈置範圍，亦可表示為可使光透過的顯示區範圍，畫素電極10可以依據應用之顯示領域不同而有不同的設計，本發明並不以此為限。
請參考第2圖至第4圖。第2圖亦為第1圖之顯示器100的佈線圖，第3圖為第1圖之顯示器之佈線圖於區域32內的局部放大圖，而第4圖為第1圖之顯示器之佈線圖於區域34內的局部放大圖。其中，第2圖與第1圖所繪示的顯示器100之佈線完全相同，但為避免同一圖式中因出現過多的元件符號而造成看圖上困擾，故將顯示器100的元件及結構所對應的多個符號分別繪示在第1圖及第2圖，以使觀看者便於理解顯示器100的各元件及結構之間的關係及相對位置。電晶體12具有第一端12d、第二端12s及控制端12g，控制端12g耦接至一條閘極線20a或20b，用以依據閘極線20a或20b所提供的電壓控制電晶體12的導通。當電晶體12導通時，第一端12d與第二端12s之間的電性連接會被建立；反之，當電晶體12不導通時，第一端12d與第二端12s之間的電性連接會被切斷。另外，第一端12d連接到畫素電極10，而第二端12s連接到資料線14。在本發明之一實施例中，第一端12d可以是汲極，第二端12s可以是源極，而控制端12g可以是閘極，然並不以此為限，在本發明之另一實施例中，控制端12g仍是閘極，但第一端12d也可以是源極，而第二端12s可以是汲極，需要注意的是電晶體的汲極與源極並非用來限制本發明的保護範圍。一般而言，電晶體12的控制端12g可連接到閘極線20a用以接收閘級驅動電壓；電晶體12的第一端12d可連接到資料線14用來接收來自資料線14的資料電壓；電晶體12的第二端12s可連接到畫素電極10用以當電晶體12導通時，將資料電壓輸出到畫素電極10。
每一電晶體12包含第一端12d、第二端12s及控制端12g。每一第一端12d包含導體16，而每一第二端12s包含導體18a或18b。導體16用以耦接至對應的資料線14，而導體18a及18b用以耦接至對應的畫素電極10。畫素電極10沿方向X的寬度為W，導體16具有佈線長度Wa，導體18a具有佈線長度Wb，而導體18b具有佈線長度Wc。其中，佈線長度Wa小於寬度W，佈線長度Wb大於寬度W，而佈線長度Wc不大於寬度W。閘極線20a及20b耦接於電晶體12的控制端12g。當閘極驅動電壓提供至閘極線20a或20b時，其所耦接的電晶體12即被導通。當電晶體12導通時，顯示器100即可透過資料線14、導體16以及對應的導體18a或18b可將資料電壓提供至畫素電極10，以更新畫素電極10所在的子畫素50之灰階。所述的導體16的佈線長度Wa為每個電晶體12的導體16從資料線14延伸到電晶體12的控制端12g的長度；導體18a或18b的佈線長度Wb或Wc為每個電晶體12的導體18a或18b從電晶體12的控制端12g延伸到畫素電極10的長度。
在本發明之一實施例中，為了使每個子畫素與資料線之間的等效負載大體上相似或相等，可通過設計顯示器100內的子畫素50的電晶體12之第一端12d到資料線14佈線長度，使得導體16的佈線長度Wa大體上皆小於畫素電極10的寬度W。藉由上述的佈線方式規範導體16的佈線長度Wa不大於畫素電極10的寬度W，可使每個子畫素50的電晶體12的第一端12d之間的等效負載或者等效阻抗大體上相等，而可避免如半源極驅動顯示器之畫素設計因各個畫素的導體16的佈線長度Wa不相等使得資料線14等效電阻電容負載不一致而造成的顯示品質不佳的問題，避免顯示器發生顯示缺陷現象。
請參考第5圖，第5圖亦為第1圖之顯示器100的佈線圖。其中，第5圖與第1圖及第2圖所繪示的顯示器100之佈線完全相同，但同樣地為避免同一圖式中因出現過多的元件符號而造成看圖上困擾，故將顯示器100的元件及結構所對應的多個符號分別繪示在第1圖、第2圖及第5圖，以使觀看者便於理解顯示器100的各元件及結構之間的關係及相對位置。如第5圖所示，基板110上包含複數個畫素電極區22及複數個閘極線區24交錯排列，閘極線20a及20b設置於閘極線區24內，而每一畫素電極區22介於兩條相鄰的資料線14及兩相鄰閘極線區24之間，且每一畫素電極區22內包含沿著方向X平行設置的第一行與第二行分別具有一個畫素電極10。也就是說，任兩相鄰資料線14與兩相鄰閘極線20所圍成的區域包含兩個沿著方向X平行設置的子畫素50。如第5圖所示，每一閘極線區24內設置有一條閘極線20a及一條閘極線20b分別用以提供閘極驅動電壓至閘極線區24兩側的子畫素50，且連接到一閘極線區24的閘極線20a的子畫素50與閘極線20b的子畫素50分別位於閘極線區24兩側的畫素電極區22的第一行與第二行，且分別接收來自不同資料線14的資料電壓。
此外，每一閘極線區24還可具有多個子區域26，而每一子區域26介於兩相鄰資料線14之間。每一閘極線20a或20b在同一子區域26內各具有一直線結構27及一ㄇ形結構28。其中，ㄇ形結構28具有開口29，每一閘極線20a的所包含的各ㄇ形結構28之開口29皆朝向顯示器100的一側邊101，而每一閘極線20b的所包含的各ㄇ形結構28之開口29皆朝向顯示器100的另一側邊102，而側邊101與側邊102彼此相對。換言之，各ㄇ形結構28之開口29皆朝向與ㄇ形結構28耦接的子畫素50。再者，方向X為與資料線14垂直的方向，資料線14係以與方向Y平行的方向延伸，其中方向Y與方向X不平行。在本發明另一實施例中，方向Y與方向X互相垂直。如第5圖所示，在同一子區域26內之各閘極線20a的直線結構27與各閘極線20b的直線結構27完全不重疊，亦極閘極線20a與閘極線20b為獨立驅動。且閘極線20a的ㄇ形結構28與閘極線20b的ㄇ形結構28係沿方向X的方向交錯地設置，在單一個閘極線區24內設置兩條閘極線20a及20b的情況下，藉由這樣的佈局設計可使基板110上用以佈線的面積得要有效地運用，並可進一步地使閘極線區24的寬度不致太寬，故可相對地提高使子畫素50的開口率。
請參考第6圖。第6圖為依據本發明一實施例應用於第1圖之顯示器100之電晶體12的剖面圖。基板110上形成有一第一金屬層120，而電晶體12的控制端12g以及閘極線20a、20b皆形成在第一金屬層120。第一金屬層120上形成有氮化矽(SiNx)層130，而氮化矽(SiNx)層130 上形成有n+擴散區140及第二金屬層150，其中電晶體12的第二端12s和第一端12d形成在第二金屬層150。換言之，第一端12d的導體16以及第二端12s的導體18a和18b皆形成在第二金屬層150。n+擴散區140及第二金屬層150上則形成有另一氮化矽層160。
請參考第7圖。第7圖為依據本發明另一實施例應用於第1圖之顯示器100之電晶體12的剖面圖。在本實施例中，電晶體12為應用於廣視角顯示面板(Advanced Hyper-Viewing Angle；AHVA)的畫素電晶體，基板110上形成有一第一金屬層120，而電晶體12的控制端12g以及閘極線20a、20b皆形成在第一金屬層120。第一金屬層120上形成有氮化矽(SiNx)層130，而氮化矽(SiNx)層130 上形成有n+擴散區140及第二金屬層150，其中電晶體12的第二端12s和第一端12d形成在第二金屬層150。換言之，第一端12d的導體16以及第二端12s的導體18a和18b皆形成在第二金屬層150。n+擴散區140及第二金屬層150上則形成有另一氮化矽層160。第二金屬層150與氮化矽層160之間形成有一透明電極層170，以構成子畫素50的畫素電極10。此外，氮化矽層160上方還包含另一透明電極層180，以構成共同電極60。其中，透明電極層170及180可以是氧化銦錫(ITO)層。
請再參考第2圖，電晶體12的第二端12s可包含具有導體18a的第一群組，以及具有導體18b的第二群組。其中，每一個導體18a的佈線長度Wb皆大於畫素電極10的寬度W，而每一個導體18b佈線長度皆不大於畫素電極10的寬度W。請參考第3圖及第4圖，第一群組的導體18a可包含主支部18a’’，主支部18a’’的一端延伸至閘極線20連接電晶體12的控制端12g、另一端延伸至畫素電極10。第二群組的導體18b可包含主支部18b’’，主支部18b’’的一端延伸至閘極線20用以連接電晶體12的控制端12g、另一端延伸至畫素電極10。電晶體12透過導體18a及18b提供資料電壓至畫素電極10。
在本發明之一實施例中，第一群組的導體18a還可包含副支部18a’，副支部18a’的一端連接到主支部18a’’、另一端延伸至閘極線20a或20b。第二群組的導體18b還可包含副支部18b’，副支部18b’的一端連接到主支部18b’’、另一端延伸至閘極線20a或20b。其中第一群組的主支部18a’’的一端與閘極線20具有重疊；第一群組的副支部18a’的一端與閘極線20具有重疊，形成主支部18a’’的第二金屬層150與形成閘極線20的第一金屬層120會形成耦合電容，形成副支部18a’的第二金屬層150與形成閘極線20的第一金屬層120也會形成耦合電容，透過副支部18a’與閘極線20重疊形成的耦合電容可補償因對位誤差(mis-alignment)造成主支部18a’’與閘極線20重疊形成的耦合電容發生改變，使每個子畫素50的等效耦合電容大體上相等。第二群組的主支部18b’’的一端與閘極線20具有重疊；副支部18b’的一端與閘極線20具有重疊，形成主支部18b’’的第二金屬層150與形成閘極線20的第一金屬層120會形成耦合電容，形成副支部18b’的第二金屬層150與形成閘極線20的第一金屬層120也會形成耦合電容，透過副支部18b’與閘極線20重疊形成的耦合電容可補償因對位誤差造成主支部18b’’與閘極線20重疊形成的耦合電容發生改變，使每個子畫素50的等效耦合電容大體上相等。
在本發明之一實施例中，第二群組的副支部18b’的一端與閘極線20的重疊面積為第一群組的副支部18a’的一端與閘極線20的重疊面積的M倍，且副支部18b’與閘極線20的重疊面積需大於副支部18a’與閘極線20的重疊面積，其中面積比例的設計可以為2≦M≦4，可依照實際電晶體等效耦合電容大小而設計。藉由副支部18a’及副支部18b’面積上的設計，在第一端12d及第二端12s分別為電晶體12的汲極與源極的情況下，即可縮小上述因導體18a與導體18b的佈線長度Wb及Wc所造成的電晶體12閘極-源極電容值的差異，而當閘極-源極電容值的差異縮小時，源極驅動器在驅動各子畫素50的能力也會趨於一致，而有助於提升顯示器100的畫質。相似地，在第一端12d及第二端12s分別為電晶體12的源極與汲極的情況下，藉由副支部18a’及副支部18b’面積上的設計，即可縮小上述因導體18a與導體18b的佈線長度Wb及Wc所造成的電晶體12閘極-汲極電容值的差異，而當閘極-汲極電容值的差異縮小時，源極驅動器在驅動各子畫素50的能力也會趨於一致，而有助於提升顯示器100的畫質。
縮小因導體18a與導體18b的佈線長度Wb及Wc所造成的閘極-源極電容值或閘極-汲極電容值上的差異，除了可透過上述使副支部18b’的面積大於副支部18a’的面積的方式之外，亦可藉由調整導體18a與導體18b與所對應之畫素電極10的交疊面積來達成。請參考第3圖及第4圖，導體18b與對應畫素電極10的交疊部分為主支部18b’’，而導體18a與對應畫素電極10的交疊部分為主支部18a’’，其中主支部18b’’的面積大於副支部18a’的面積。藉由上述主支部18a’’及主支部18b’’面積上的設計，可降低因製程上因對位造成的缺失而使得電晶體等效耦合電容不相等的問題，亦即可縮小因導體18a與導體18b的佈線長度Wb及Wc所造成的閘極-汲極電容值或閘極-汲極電容值上的差異。
在本發明一實施例中，顯示器100為單色顯示器，而在本發明另一實施例中，顯示器100可為彩色顯示器。請參考第8圖，第8圖即為第1圖之顯示器100為彩色顯示器時子畫素50的配置圖。在本實施例中，顯示器100之多個子畫素50可包含多個第一顏色子畫素R、多個第二顏色子畫素G及多個第三顏色子畫素B。其中，第一顏色子畫素R可為紅色子畫素，第二顏色子畫素G可為綠色子畫素，而第三顏色子畫素B可為藍色子畫素，但本發明並不以此為限。在本實施例中，第一顏色子畫素R耦接於閘極線20a，而第二顏色子畫素G耦接於閘極線20b。此外，第三顏色子畫素B排列成複數個第三顏色子畫素行52，其中第N個第三顏色子畫素行52的第三顏色子畫素B耦接於閘極線20a，而第N-1個及第N+1個第三顏色子畫素行52中的第三顏色子畫素B則耦接於閘極線20b，而N為大於1的正整數。換言之，倘若某一第三顏色子畫素行52的第三顏色子畫素B耦接於閘極線20a，則其鄰近的第三顏色子畫素行52的第三顏色子畫素B即耦接於閘極線20b；相對地，倘若某一第三顏色子畫素行52的第三顏色子畫素B耦接於閘極線20b，則其鄰近的第三顏色子畫素行52的第三顏色子畫素B即耦接於閘極線20a。然本發明並不以顏色配置為限，只要半源極驅動顯示器的畫素設計，每個電晶體12的導體16佈線長度小於一個畫素電極的寬度W即為本發明所涵蓋的發明範圍。
請參考第9圖，第9圖為第1圖之顯示器100的電路示意圖。顯示器100包含多個子畫素50、複數條資料線14以及複數條閘極線20。每個子畫素50都包含畫素電極10，其中子畫素50包含子畫素50a及子畫素50b。子畫素50a設置於子畫素50b與資料線14之間，包括電晶體12A及畫素電極10。其中電晶體12A的第一端連接至資料線14，而電晶體12A的第二端連接至畫素電極10。其中，在本實施例中，上述電晶體12A的第一端及第二端分別為電晶體12A的汲極與源極。但本發明並不以此為限，在本發明另一實施例中，上述電晶體12A的第一端及第二端可以分別是電晶體12A的源極與汲極。子畫素50a及子畫素50b的畫素電極10分別具有寬度W1及寬度W2，其中寬度W1大體上等於寬度W2。電晶體12A的第一端與資料線14之間的距離小於寬度W1，電晶體12B的第一端與資料線14之間的距離亦小於寬度W1，且電晶體12B的第二端與畫素電極10之間的距離大於寬度W2。子畫素50b包括電晶體12B及畫素電極10。電晶體12B的第一端連接至資料線14，而電晶體12B的第二端電連接至畫素電極10。其中，閘極線20A與閘極線20B設置在電晶體12A與電晶體12B的兩側，電晶體12A連接至閘極線20A，電晶體12B連接至閘極線20B。在本實施例中，上述電晶體12B的第一端及第二端分別為電晶體12B的汲極與源極。但本發明並不以此為限，在本發明另一實施例中，上述電晶體12B的第一端及第二端可以分別是電晶體12B的源極與汲極。
顯示器100的畫素結構還可包含資料線14b、子畫素50c及子畫素50d。子畫素50a及50b設置於資料線14a與資料線14b之間，而子畫素50c設置於子畫素50d與資料線14b之間。子畫素50c設置於資料線14a與資料線14b之間，並包括電晶體12C及畫素電極10c。電晶體12C的第一端連接至資料線14b，電晶體12C的第二端連接至畫素電極10c。在本實施例中，上述電晶體12C的第一端及第二端分別為電晶體12C的汲極與源極。但本發明並不以此為限，在本發明另一實施例中，上述電晶體12C的第一端及第二端可以分別是電晶體12C的源極與汲極。畫素電極10c、10d分別具有寬度W3及W4，而電晶體12C的第一端與資料線14b之間的距離小於寬度W3，電晶體12C的第二端與畫素電極10c之間的距離也小於寬度W3，電晶體12D的第一端與資料線14b之間的距離亦小於寬度W3，且電晶體12D的第二端與畫素電極10d之間的距離大於寬度W4。子畫素50d設置於資料線14a與資料線14b之間，並包括電晶體12D及畫素電極10d。電晶體12D的第一端連接至資料線14b，電晶體12D的第二端電連接至畫素電極10d。寬度W1、W2、W3與W4大體上相等。在本實施例中，上述電晶體12D的第一端及第二端分別為電晶體12D的汲極與源極。但本發明並不以此為限，在本發明另一實施例中，上述電晶體12D的第一端及第二端可以分別是電晶體12D的源極與汲極。
上述顯示器100的畫素結構可另包含閘極線20A、20B、20C及20D。其中，閘極線20B與閘極線20C相鄰，子畫素50a及子畫素50b設置於閘極線20A及閘極線20B之間，而子畫素50c及子畫素50d設置於閘極線20C及閘極線20D之間。電晶體12A、12B、12C及12D各另包括閘極，而電晶體12A、12B、12C及12D的閘極分別耦接至閘極線20A、20B、20C及20D。此外，電晶體12A的第二端藉由導體18a耦接至畫素電極10，而電晶體12B的第二端藉由導體18b耦接至畫素電極10。
綜上所述，本發明之顯示器及其畫素結構，藉由規範子畫素電晶體第一端的佈線長度小於畫素電極的寬度及設計子畫素電晶體第一端的佈線長度不同，使資料線與電晶體之間的等效負載不致過大，而可避免如習知技術因電阻電容負載過大而導致源極驅動器的驅動能力不足的問題，並避免顯示器發生所謂的「半畫面」現象。   以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10、10、10、10c、10d‧‧‧畫素電極
12、12A、12B、12C、12D‧‧‧電晶體
12s‧‧‧第二端
12d‧‧‧第一端
12g‧‧‧控制端
14、14、14b‧‧‧資料線
16、18a、18b‧‧‧導體
18a’、18b’ ‧‧‧副支部
18a’’、18b’’‧‧‧主支部
20A、20B、20C、20D‧‧‧閘極線
20a‧‧‧閘極線
20b‧‧‧閘極線
22 ‧‧‧畫素電極區
24‧‧‧閘極線區
26‧‧‧子區域
27‧‧‧直線結構
28‧‧‧ㄇ形結構
29‧‧‧開口
32、34‧‧‧區域
50、50a、50b、50c、50d‧‧‧子畫素
52‧‧‧第三顏色子畫素行
60‧‧‧共同電極
100‧‧‧顯示器
101、102‧‧‧側邊
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一金屬層
130、160‧‧‧氮化矽層
140‧‧‧n+擴散區
150‧‧‧第二金屬層
170、180‧‧‧透明電極層
R‧‧‧第一顏色子畫素；紅色子畫素
G‧‧‧第二顏色子畫素；綠色子畫素
B‧‧‧第三顏色子畫素；藍色子畫素
W、W1、W2、W3、W4‧‧‧寬度
Wa、Wb、Wc‧‧‧佈線長度
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
第1圖及第2圖為本發明一實施例之顯示器的佈線圖。 第3圖及第4圖為第1圖之顯示器之佈線圖的局部放大圖。 第5圖為第1圖之顯示器的佈線圖。 第6圖為依據本發明一實施例應用於第1圖之顯示器之電晶體的剖面圖。 第7圖為依據本發明另一實施例應用於第1圖之顯示器之電晶體的剖面圖。 第8圖為第1圖之顯示器為彩色顯示器時其子畫素的配置圖。 第9圖為第1圖之顯示器的等效電路示意圖。
10‧‧‧畫素電極
12‧‧‧電晶體
14‧‧‧資料線
20a‧‧‧閘極線
20b‧‧‧閘極線
50‧‧‧子畫素
60‧‧‧共同電極
100‧‧‧顯示器
110‧‧‧基板
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
W‧‧‧寬度

Claims (14)

  1. 一種畫素結構，包括：一第一資料線；一第一子畫素，包括一第一電晶體及一第一畫素電極，該第一電晶體具有一第一端及一第二端，該第一端連接至該第一資料線，該第二端連接至該第一畫素電極，該第一畫素電極具有一第一寬度，而該第一端與該第一資料線之間的距離小於該第一寬度；及一第二子畫素，包括一第二電晶體及一第二畫素電極，該第二電晶體具有一第一端及一第二端，該第二電晶體的該第一端連接至該第一資料線，該第二電晶體的該第二端電連接至該第二畫素電極，該第二畫素電極具有一第二寬度，其中該第一子畫素沿垂直該第一資料線的方向設置於該第二子畫素與該第一資料線之間，且該第二電晶體的該第一端與該第一資料線之間的距離小於該第一寬度。
  2. 如請求項1所述之畫素結構，其中該第一電晶體的該第二端與該第一畫素電極之間的距離小於該第一寬度。
  3. 如請求項1所述之畫素結構，還包含：一第二資料線，其中該第一子畫素與該第二子畫素設置於該第一資料線與該第二資料線之間；一第三子畫素，設置於該第一資料線與該第二資料線之間，並包括一第三電晶體及一第三畫素電極，該第三電晶體具有一第一端及一第二端，該第三電晶體的該第一端連接至該第二資料線，該第三電晶體的該第二端連接至該第三畫素電極，該第三畫素電極具有一第三寬度，而該 第三電晶體的該第一端與該第二資料線之間的距離小於該第三寬度；及一第四子畫素，設置於該第一資料線與該第二資料線之間，並包括一第四電晶體及一第四畫素電極，該第四電晶體具有一第一端及一第二端，該第四電晶體的該第一端連接至該第二資料線，該第四電晶體的該第二端電連接至該第四畫素電極，該第四畫素電極具有一第四寬度，其中該第三子畫素沿垂直該第一資料線的方向設置於該第四子畫素與該第二資料線之間，且該第四電晶體的該第一端與該第二資料線之間的距離小於該第三寬度。
  4. 如請求項3所述之畫素結構，其中該第一寬度、該第二寬度、該第三寬度與該第四寬度大體上相等。
  5. 如請求項4所述之畫素結構，其中該第三電晶體的該第二端與該第三畫素電極之間的距離小於該第三寬度。
  6. 如請求項4所述之畫素結構，另包含第一閘極線、一第二閘極線、一第三閘極線及一第四閘極線，其中該第二閘極線與該第三閘極線相鄰，該第一子畫素及該第二子畫素設置於該第一閘極線及該第二閘極線之間，而該第三子畫素及該第四子畫素設置於該第三閘極線及該第四閘極線之間；其中該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體各另包括一控制端，而該第一電晶體、該第二電晶體、該第三電晶體及該第四電晶體的該控制端分別耦接至該第一閘極線、該第二閘極線、該第三閘極線及該第四閘極線。
  7. 如請求項1所述之畫素結構，另包含一第一閘極線及一第二閘極線，其中該第一電晶體及該第二電晶體各另包括一控制端，該第一電晶體的該控制端耦接至該第一閘極線，該第二電晶體的該控制端耦接至該第二閘極線，該第一電晶體的該第二端藉由一第一導體耦接至該第一畫素電極，該第二電晶體的該第二端藉由一第二導體耦接至該第二畫素電極，該第一閘極線與該第二閘極線形成在一第一金屬層，而該第一導體及該第二導體形成在一第二金屬層，該第一導體與該第二閘極線的交疊面積為該第二導體與該第一閘極線的交疊面積的M倍，而2≦M≦4。
  8. 一種顯示器，包含：一第一子畫素，包含：一第一畫素電極，形成在該基板上，並沿一第一方向具有一第一寬度；以及一第一電晶體，用以驅動該第一畫素電極，該第一電晶體包含一第一端、一第二端及一控制端；一第一閘極線，沿該第一方向延伸設置，並耦接於該第一電晶體的該控制端；一資料線，沿一第二方向延伸設置，該第二方向與該第一方向不平行，其中該第一電晶體的該第一端包含一第一導體，耦接至該資料線，該第一導體沿該第一方向具有一第一佈線長度，且該第一導體的該第一佈線長度不大於該第一畫素電極的該第一寬度，且該第一電晶體的該第二端包含一第二導體，用以連接該第一畫素電極；一第二子畫素，該第二子畫素包含： 一第二畫素電極，形成在該基板上，並沿該第一方向具有一第二寬度；以及一第二電晶體，用以驅動該第二畫素電極，該第二電晶體包含一第一端、一第二端及一閘極；以及一第二閘極線，沿該第一方向延伸設置，並耦接於該第二電晶體的該控制端，其中該第一閘極線不同於該第二閘極線，該第二電晶體的該第一端包含一第三導體，耦接至該資料線，該第三導體沿該第一方向具有一第二佈線長度，且該第三導體的該第二佈線長度不大於該第二畫素電極的該第二寬度，且該第二電晶體的該第二端包含一第四導體，用以連接該第二畫素電極。
  9. 如請求項8所述之顯示器，其中該第一畫素電極設置於該資料線及該第二畫素電極之間。
  10. 如請求項9所述之顯示器，其中該第一電晶體的該第二端的該第二導體的佈線長度不大於該第一畫素電極的該第一寬度；及其中該第二電晶體的該第二端的該第四導體的佈線長度大於該第一畫素電極的該第一寬度。
  11. 如請求項10所述之顯示器，其中該第一閘極線及該第二閘極線形成在一第一金屬層，該第一導體、該第二導體、該第三導體及該第四導體形成在一第二金屬層；其中該第二導體與該第一閘極線的交疊面積為該第四導體與該第二閘極線的交疊面積的M倍，而2≦M≦4。
  12. 如請求項8所述之顯示器，其中該第一子畫素及該第二子畫素設置於該第一閘極線與該第二閘極線之間。
  13. 如請求項8所述之顯示器，其中該第一閘極線與該第二閘極線設置於該第一子畫素及該第二子畫素之間，且該第一閘極線與該第二閘極線平行設置。
  14. 如請求項13所述之顯示器，該第一閘極線具有一ㄇ形結構，且該第二閘極線具有另一ㄇ形結構，其中該些ㄇ形結構分別具有一開口，該第一閘極線的ㄇ形結構的開口朝向該第一子畫素，該第二閘極線的ㄇ形結構的開口朝向該第二子畫素。
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