TWI572040B - 溝槽型－垂直式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法 - Google Patents

溝槽型－垂直式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法 Download PDF

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Description

溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方 法
本發明係有關於半導體元件，特別是指一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半功率電晶體結構及其製造方法。
具有耐高電壓的能力的功率MOS電晶體，要屬雙擴散金氧半電晶體DMOS了，而其中，垂直式雙擴散金氧半電晶體VDMOS又比橫向雙擴散金氧半電晶體LDMOS受到更多的關注。LDMOS是平面式的結構，而VDMS則是溝渠式結構具有低成本和低開啟電阻(low on-resistance；RON)的優勢。優勢的部分理由是後者元件密度高並將整塊基板的背面都作為汲極。溝渠MOS是VDMOS中的一种，元件密度比一般的VDMOS更高。
圖1a示習知的溝渠MOS結構，可參考美國專利第8304825號。溝渠側壁及底部形成了溝渠氧化層12，再填入導電雜質摻雜的多晶矽13形成於重摻雜的n+半導體基板10上方的n-磊晶層15內形成閘極G。溝渠之間平台下 的區域則形成p導電雜質摻雜的本體14及n+重摻雜區11。內連線介電層17則形成於上述結構的上方而內金屬層19則透過介層18穿越內連線介電層17而與源極的n+重摻雜區11連接於14。另一內金屬導線(未圖示)則與溝渠閘極連接。汲極則是形成於重摻雜的n+半導體基板10背面的金屬層。
圖1b示俯視圖，如圖示，俯視圖中示內金屬層19透過源極接觸墊Scp連接源極區11。而閘極的內連線Gp透過閘極接觸墊Gcp連接多晶矽13。
本發明的第一實施例揭露一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，至少包含：複數個溝渠分別相距一平台單位平行形成於重摻雜的n+半導體基板上的n-磊晶層內，該些溝渠內具有溝渠氧化層形成於溝渠底部及側壁，一導電性雜質摻雜之第一多晶矽層填滿溝渠；一平面閘極氧化層形成於該些平台及該第一多晶矽層上；一導電性雜質摻雜之第二多晶矽層形成於該平面閘極氧化層上，該第二多晶矽層及其下的平面閘極氧化層被圖案化，以形成複數個MOS結構於每一平台上；複數個p本體-n+離子佈植區佈植於該些MOS結構兩側之平台下方的n-磊晶層內；一內金屬介電層形成於包含第二多晶矽層及平台上，內金屬介電層更包含複數列分立的源極連接介層洞形成於其中，用以連接第一多晶矽層及n+離子佈植區，及複數列閘極連接介層洞，連接該第二多晶矽層，該些介層洞更包含p+離子佈植區形成於介層洞底部；及一內金屬連接導線層 形成於內金屬介電層上並填滿該些介層洞以形成介層，內金屬連接導線層並且被圖案化為閘極連接內連線及源極連接內連線；一第二金屬層形成於n+半導體基板的背面做為汲極。
依據本發明的第二較佳實施例之一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，至少包含：複數個溝渠分別相距一平台單位平行形成於重摻雜的n+半導體基板上的n-磊晶層內，該些溝渠內具有溝渠氧化層形成於該些溝渠底部及側壁，一導電性雜質摻雜之第一多晶矽層形成於該些溝渠內再被一第一氧化層所填滿；一平面閘極氧化層形成於該些平台上；一導電性雜質摻雜之第二多晶矽層形成於該平面閘極氧化層上，該第二多晶矽層及其下的平面閘極氧化層被圖案化，以形成垂直於該些溝渠走向之複數列MOS結構；一內金屬介電層形成於包含第二多晶矽層及平台上，該內金屬介電層更包含複數列分立的源極連接介層洞形成於其中，用以連接第一多晶矽層及n+離子佈植區，該些介層洞更包含p+離子佈植區形成於該些介層洞底部；及一內金屬連接導線層形成於該內金屬介電層上並填滿該些介層洞；一第二金屬層形成於該n+半導體基板的背面做為汲極。
100‧‧‧重摻雜的n+半導體基板
105‧‧‧n-磊晶層
115‧‧‧溝渠
118‧‧‧平台
188‧‧‧介層
120‧‧‧溝渠氧化層
127‧‧‧平面閘極氧化層
135p‧‧‧型本體
130‧‧‧第一多晶矽層
191、192‧‧‧內連線金屬層
140‧‧‧第二多晶矽層
132、142、186‧‧‧光阻圖案
165‧‧‧p+摻雜區
155‧‧‧n+摻雜區
185‧‧‧內金屬介電層
187‧‧‧介層洞
137‧‧‧氧化層
圖1a顯示習知溝渠MOS電晶體元件的橫截面示意圖。
圖1b顯示習知溝渠MOS電晶體元件的俯視示意圖。
圖2a顯示依據本發明第一實施例製造之溝渠型VDMOS電晶體元件(不含頂層金屬層)的俯視示意圖。
圖2b顯示依據本發明第二實施例製造之溝渠型VDMOS電晶體元件(不含頂層金屬層)的俯視示意圖。
圖3示依據本發明的第一實施例，溝渠形成於n-磊晶層內，溝渠內並有主溝渠氧化層形成的橫截面示意圖。
圖4示依據本發明的第一實施例，第一多晶矽層回填於圖3的溝渠後，再施以回蝕以移除高出主平台上的第一多晶矽層及平台上溝渠氧化層的橫截面示意圖。
圖5A示依據本發明的第一實施例，沿著圖2a之AA’切割線的橫截面示意圖，進行第二多晶矽層沈積後，再以光阻圖案定義第二多晶矽層後的橫截面示意圖。
圖5B、示沿著圖2a切割線BB’的橫截面示意圖。
圖5C示沿著圖2a切割線CC’的橫截面示意圖。
圖6A、圖GB、圖6C分別示依據本發明的第一實施例，沿著圖2a之AA’切割線、BB’及CC’切割線的橫截面示意圖，圖案化第二多晶矽層後，再進行第一次p型本體佈植及第二次n+離子佈植技術形成n+重摻雜區的橫截面示意圖。
圖7A、圖7B、圖7C分別示依據本發明的第一實施例，沿著圖2a之AA’切割線、BB’及CC’切割線的橫載面示意圖，內金屬介電層形成及光阻圖案形成以定義閘極、源極接觸洞，再進行內金屬介電層蝕刻。
圖8A、圖8B、圖8C分別示沿著圖2a之AA’切 割線、BB’及CC’切割線的橫截面示意圖，圖示依據本發明的第一實施例之溝渠-VDMOS整流元件正面的最終結構。
圖9示依據本發明的第二實施例，形成第一多晶矽層其滿溝渠再進行回蝕的橫截面示意圖。
圖10示依據本發明的第二實施例，形成氧化層填滿溝渠的橫截面示意圖。
圖11示依據本發明的第二實施例，回蝕氧化層，以n-磊晶層為蝕刻終止層的橫截面示意圖。
圖12A、圖12B、圖12C分別示沿著圖2b之AA’切割線、BB’及CC’切割線的橫截面示意圖，圖示依據第二實施例，第二多晶矽層140已定義。
圖13A、圖13B、圖13C分別示沿著圖2b之AA’切割線、BB’及CC’切割線的橫截面示意圖，示，依據本發明的第二實施例，圖案化第二多晶矽層後，再進行第一次p型本體佈植及第二次n+離子佈植技術形成n+重摻雜區155的橫截面示意圖。
圖14A、圖14B、圖14C分別示沿著圖2b平面俯視圖之AA’切割線、BB’及CC’切割線的橫截面示意圖，內金屬介電層形成及光阻圖案形成以定義源極接觸洞，再進行內金屬介電層蝕刻。
圖15、圖15B、圖15C分別示沿著圖2b之AA’切割線、BB’及CC’切割線的橫截面示意圖，示，依據本發明的第二實施例之溝渠-VDMOS整流元件正面的最終結構。
本發明揭示一溝槽型-垂直式雙擴散金氧半整流二極體結構結構，請參考圖2a的平面俯視圖及圖8A至圖8C的橫截面示意圖，此處及以下所述之圖#A、圖#B、圖#C中之#指的是第#圖，#後的大寫英文A、B、C所表示的是沿平面俯視圖所繪的AA’切割線、BB’切割線、CC’切割線。為利於了解細部結構，平面俯視圖並不包含內金屬層191、192和元件結構的關係。相關連接關係請參見圖8A~圖8C及圖15A~圖15B所示的橫截面示意圖。
請參考圖2a的平面俯視圖及圖8A至圖8C的橫截面示意圖。依據本發明的第一實施例，一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體元件結構，包含：複數個溝渠115分別相距一平台距離118，平行形成於重摻雜的n+半導體基板100上的n-磊晶層105內，溝渠115內具有溝渠氧化層120形成於溝渠115底部及側壁，一導電性雜質摻雜的第一多晶矽層130填滿該些溝渠115；一平面閘極氧化層127形成於所有平台118及第一多晶矽層130上；一導電性雜質摻雜的第二多晶矽層140形成於平面閘極氧化層127上；第二多晶矽層140及其下的平面閘極氧化層127然後被圖案化，以形成複數個MOS結構於每一平台118上；複數個n+離子佈植區155佈植於MOS結構兩側的平台118下方，n+離子佈植區155內更包含p+離子佈植區165形成於其中。平台之源極接觸墊SP連接n+ -p+離子佈植區155-165，與溝渠115內第一多晶矽層130上的源極接觸墊SP呈一直線列。而閘極接觸墊GP連接於第二 多晶矽層140，閘極接觸墊GP連線上的第一多晶矽層130則沒有閘極接觸墊GP。
依據本發明的第二實施例，請參考圖2b的平面俯視圖及圖15A至圖15C的橫截面示意圖，如圖所示，溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體元件，包含：複數個溝渠115分別以一平台118距離相距，平行形成於重摻雜的n+半導體基板100上的n-磊晶層105內，溝渠115內具有溝渠氧化層120形成於溝渠115底部及側壁，一導電性雜質摻雜的第一多晶矽層130形成於該些溝渠115內再被另一氧化層137所填滿；一平面閘極氧化層127形成於所有平台118上；一導電性雜質摻雜的第二多晶矽層140形成於平面閘極氧化層127及氧化層137上；第二多晶矽層140及其下的平面閘極氧化層127與再被圖案化，以形成數列垂直於溝渠115走向的MOS結構；複數個p 135/n+155離子佈植區佈植於MOS結構兩側的平台下方，n+155離子佈植區是相較於p 135佈植相對較淺的佈植區，且每個p 135/n+155離子佈植區更包含p+離子佈植區165形成於其中而使得介層188通過內金屬介電層185上連接內金屬導線層191及p佈植區135。複數列第二多晶矽層140與其下的平面閘極氧化層127連續至晶片末端，作為電晶體的閘極結構。源極則是藉由金屬介層188做為接觸SP連接於溝渠115內之第一多晶矽層130、及經由介層188下的p+離子佈植區165與p摻雜區135連接。源極接觸墊SP呈一直線列。
相較於第一實施例，第二較佳實施例中的閘極 是連成一直線的，因此，只需要在連線端部連接出去即可，它可以不需要連接閘極的介層。
以下將詳述製造方法。以下的說明中，跟隨於n或p後的「-」號代表輕摻雜，而「+」表示重摻雜。
請參考圖3所示的橫截面示意圖，圖3示一n型雜質重摻雜的n+半導體基板100具有一n型雜質摻雜的磊晶層105。複數個溝渠115，可以藉由習知的光阻圖案(未圖示)為罩幕或以硬式罩幕(例如，墊氧化層及氮化矽層)(未圖示)，再施以乾式蝕刻法形成溝渠115。
接著，再施以熱氧化製程形成溝渠氧化層120於溝渠115之側壁及底部及相鄰溝渠之平台118上。本步驟同時也可修復蝕刻損傷。
請參考圖4，接著，以沈積且同步摻雜的技術將導電型雜質摻雜之第一多晶矽層130沈積於溝渠115內並填滿至溢出。隨後，再以回蝕技術或化學機械研磨將高於平台118上的第一多晶矽層130去除，直到平台118上的氧化層也去除，並裸露出平台的磊晶層105為止。
接著，仍請參考圖4，施以一熱氧化製程以形成平面閘極氧化層127於平台118及第一多晶矽層130上。緊接著，請參考圖5A、圖5B及圖5C，分別圖示兩個垂直於溝渠115走向，但不同位置及一個平行於溝渠115之橫截面示意圖。
再以同步摻雜導電性雜質的第二多晶矽層140後，接著，形成一光阻圖案142以定義平面閘極位置。沿AA’切割線的橫截面示意圖的光阻圖案142，光阻圖案 142定義平面閘極於平台118的位置。而沿BB’切割線的橫截面示意圖，則無光阻圖案142罩幕。
隨後，請參考圖6A、圖6B及圖6C，以光阻圖案142為罩幕，進行乾式蝕刻。沿AA’切割線的橫截面示意圖形成分立的(discrete)平面閘極於平台118上。而沿BB’切割線的橫截面示意圖的第二多晶矽層140已被完全移除。在第二多晶矽層140圖案化，去除光阻圖案142，再施以第一次離子佈植以植入p型離子，例如，硼離子或BF2 +形成p型本體135。第一次離子佈植的劑量以使p型本體135之濃度高於n-磊晶層105之n型濃度高1~3個數量級即可，例如1E12-1E14/cm2。佈植的能量約為10keV-1000keV.接著，再施以劑量又比第一次離子佈植更高1~2個數量級的劑量進行離子佈植，而能量較低的第二次離子佈植，佈植As+或P+離子而在p型本體135之接近平面閘極氧化層127的上半部形成n+重摻雜區155，離子佈植的劑量約為1F13-9E15/cm2。
緊接著，請參考圖7A、圖7B及圖7C。沈積內金屬介電層185於前述製程結果的表面上。再形成光阻圖案186以定義接觸洞(或稱介層洞)的位置。請同時參考圖2a的俯視圖。為使閘極接觸GP之導線層和源極接觸SP之導線層是分開的，沿AA’切割線的介層洞187連接第二多晶矽層140，而沿BB’切割線的介層洞187連接於第一多晶矽層130及p本體135/n+佈植區155所組成的源極區。
接著，再進行乾式蝕刻，以光阻圖案186為罩 幕，移除裸露的內金屬介電層185及平面閘極氧化層127以n-磊晶層105為蝕刻終止層，接著再以計時終點方式移除n+重摻雜區155後停止蝕刻。去除光阻186，再進行第三次離子佈植，將p型離子藉由介層洞植入，以形成p+重摻雜區165於介層洞187內的p型本體135內。隨後，在800~1000℃進行退火製程。以活化已佈植之離子。
接著，沉積或濺鍍內金屬層於介層洞187內及內金屬介電層185上。內金屬層191的形成可以濺鍍技術，先以濺鍍技術依序沉積Ti/TiN。TiNi/Ag或TiW/Al或Al等等。
接著，再圖案化內金屬導線層成導線191及192藉由介層188分別連接至源極區及第二多晶矽層140所構成的閘極區。結果請參考圖8A、圖8B及圖8C所示的橫截面示意結構圖。
依據本發明的第二實施例，請參考圖9，該圖接續圖3的製程。再沈積第一多晶矽層130層並同步摻雜導電性雜質於溝渠115的溝渠氧化層120上，直至溢出至平台115上方。
接著，進行回蝕，以使得溝渠115內的第一多晶矽層130層明顯凹陷。然後，再沈積一第一氧化層137至溢出，如圖10所示。然後，如圖11所示，以化學機械式研磨(CMP)回蝕第一氧化層137及溝渠氧化層120，以n-磊晶層105為蝕刻終止層。
隨後，請參考圖12A、圖12B及圖12C，再以熱氧化製程以形成平面閘極氧化層127於所有平台上。緊 接著，再全面沉積並同步摻雜導電性雜質第二多晶矽層140於平面閘極氧化層127及第一氧化層137上。
緊接著，形成光阻圖案142，用以定義第二多晶矽層140以形成數列MOS結構。每列MOS結構垂直於溝渠115的走向。請參考圖13A、圖13B及圖13C，再以光阻圖案142為罩幕，進行蝕刻以移除裸露的第二多晶矽層140，以第一氧化層137及平面閘極氧化層127為蝕刻終止層。再施以第一次離子佈植，植入p型離子以形成p型本體135。第一次離子佈植的劑量以使p型本體135之p型離子濃度高於n-磊晶層105之n型濃度高1~3個數量級即可，例如1E12-1E14/cm2。佈植的能量約為10keV-1000keV。接著，再施以劑量又比第一次離子佈植更高1~2個數量級的劑量進行離子佈植，而能量較低的第二次n型導電型離子佈植，而在p型本體135上半部形成n+重摻雜區155。
緊接著，請參考圖14A、圖14B及圖14C。沈積內金屬介電層185於前述製程結果的表面上。再形成光阻圖案186以定義接觸洞(或稱介層洞)的位置。接著，再進行乾式蝕刻，以光阻圖案186為罩幕，移除裸露的內金屬介電層185及平面閘極氧化層127，以n-磊晶層105為蝕刻終止層，接著，再以計時終點方式移除介層洞內的n+重摻雜區155後停止蝕刻。去除光阻186，再進行第三次離子佈植，將p型離子藉由介層洞植入以形成p+重摻雜區於介層洞187內。隨後，在800~1000℃進行退火製程，以活化已佈植之離子。
接著，沉積或濺鍍內金屬層191於介層洞187內及內金屬介電層185上。結果請參考圖15A、圖15B及圖15C。內金屬層191的形成可以濺鍍技術，先以濺鍍技術依序沉積Ti/TiN。TiNi/Ag或TiW/Al或Al等等。
本發明具有如下的優點：本發明VDMOS電晶體元件，在磊晶电阻率相同时相較於習知的VDMOS有更佳的耐高壓能力。
本發明的VDMOS之閘極是平面閘極氧化層127及第二多晶矽層140。平面閘極氧化層127厚度較溝渠氧化層120為薄，且薄很多，因此，整個元件的順向偏壓之開啟電壓相對於習知的VDMOS更低。
以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其他未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。例如，以上的實施例是以N型VDMOS的結構及方法描述，而N型導電雜質摻雜改變為P型導電雜質摻雜，僅是一簡單替換而已，因此，本發明之申請專利範圍有關於N型VDMOS的結構及方法亦適用於P型VDMOS。
137‧‧‧氧化層
130‧‧‧第一多晶矽層
GP‧‧‧閘極接觸墊
140‧‧‧第二多晶矽層
155‧‧‧n+重摻雜區
120‧‧‧溝渠氧化層
SP‧‧‧源極接觸墊
135‧‧‧p型本體
165‧‧‧p+重摻雜區

Claims (10)

  1. 一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，至少包含：複數個溝渠分別相距一平台，平行形成於重摻雜的n+半導體基板上的n-磊晶層內，該複數個溝渠內具有溝渠氧化層形成於該些溝渠底部及側壁，一導電性雜質摻雜之第一多晶矽層填滿該些溝渠；一平面閘極氧化層形成於該些平台及該第一多晶矽層上；一導電性雜質摻雜之第二多晶矽層形成於該平面閘極氧化層上，該第二多晶矽層及其下的平面閘極氧化層被圖案化，以形成複數個MOS結構於該些平台上；複數個p本體-n+離子佈植區佈植於該些MOS結構兩側之平台下方的n-磊晶層內；一內金屬介電層形成於包含第二多晶矽層及平台上，該內金屬介電層更包含複數列分立的源極連接介層洞形成於其中，用以連接第一多晶矽層及p型本體，及複數列閘極連接介層洞，連接該第二多晶矽層；及一內金屬連接導線層形成於該內金屬介電層上並填滿該些介層洞以分別形成源極連接介層及及複數列閘極連接介層，該內金屬連接導線層並且被圖案化為閘極連接內連線及源極連接內連線；一第二金屬層形成於該n+半導體基板的背面做為汲極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，更包含p+離子佈植區佈植於該些介層洞底部以連接p型本體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，其中上述之源極連接介層同時連接n+佈植區及p+佈植區。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，其中上述之源極連接介層和閘極連接介層分屬不同列。
  5. 一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，至少包含：複數個溝渠分別相距一平台平行形成於重摻雜的n+半導體基板上的n-磊晶層內，該複數個溝渠內具有溝渠氧化層形成於該些溝渠底部及側壁，一導電性雜質摻雜之第一多晶矽層形成於該些溝渠內，該些溝渠再被一第一氧化層所填滿；一平面閘極氧化層形成於該些平台上；一導電性雜質摻雜之第二多晶矽層形成於該平面閘極氧化層上，該第二多晶矽層及其下的平面閘極氧化層被圖案化，以形成垂直於該些溝渠走向之複數列MOS結構；一內金屬介電層形成於包含第二多晶矽層及平台上，該內金屬介電層更包含複數列分立的源極連接介層洞形成於其中，用以連接第一多晶矽層及p型本體；及一內金屬連接導線層形成於該內金屬介電層上並填滿該些介層洞以分別形成源極連接介層；及一第二金屬層形成於該n+半導體基板的背面做為汲極。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，更包含p+離子佈植區佈植於該些介層洞底部以連接p型本體。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，其中上述之源極連接介層同時連接n+佈植區及p+佈植區。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體結構，更包含閘極連接於每列第二多晶矽層之一端。
  9. 一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體的製造方法，至少包含以下步驟：形成複數個溝渠分別相距一平台平行於重摻雜的n+半導體基板上的n-磊晶層內；形成溝渠氧化層於該些溝渠的側壁、底部及平台上；形成導電之第一多晶矽層於該些溝渠至溢出；施以回蝕製程，以移除溢出平台的該些第一多晶矽層及溝渠 氧化層；施以熱氧化製程以形成一平面閘極氧化層；形成導電之第二多晶矽層於該平面閘極氧化層上；圖案化該第二多晶矽層，以形成複數個MOS結構於分立的平台上；施以第一次離子佈植技術，以形成p本體於該些MOS結構兩側的平台下；施以第二次離子佈植技術，以形成n+佈植區於該些p本體的上部；全面形成內金屬介電層以覆蓋包含上述的第二多晶矽層、第一多晶矽層之表面上；圖案化該內金屬介電層以形成源極接觸的介層洞、閘極接觸的介層洞；施以第三次離子佈植技術以形成p+佈植區於該些介層洞底部；形成內金屬連接導線層及介層；圖案化該內金屬連接導線層以形成源極連接線及閘極連接線；形成汲極於該重摻雜的n+半導體基板的背面。
  10. 一種溝槽型-垂直式雙擴散金氧半電晶體的製造方法，至少包含以下步驟：形成複數個溝渠分別相距一平台平行於重摻雜的n+半導體基板上的n-磊晶層內；形成溝渠氧化層於該些溝渠的側壁、底部及平台上；形成導電之第一多晶矽層於該些溝渠至溢出；施以回蝕製程，以移除平台上的該些第一多晶矽層，並明顯凹陷於該些溝渠內；形成一氧化層於上述結果的表面；施以回蝕製程以移除平台上的該氧化層及該溝渠氧化層；施以熱氧化製程以形成一平面閘極氧化層； 形成導電之第二多晶矽層於該平面閘極氧化層上；圖案化該第二多晶矽層，以形成複數列MOS結構，該些列MOS結構走向垂直於該些溝渠走向；施以第一次離子佈植技術，以形成p本體於該些列MOS結構兩側的平台下；施以第二次離子佈植技術，以形成n+佈植區於該些p本體的上部；全面形成內金屬介電層以覆蓋包含上述的第二多晶矽層、第一多晶矽層之表面上；圖案化該內金屬介電層以形成源極接觸的介層洞；施以第三次離子佈植技術以形成p+佈植區於該些介層洞底部；形成內金屬連接導線層及介層；圖案化該內金屬連接導線層以形成源極連接線及閘極連接線；形成汲極於該重摻雜的n+半導體基板的背面。
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