TWI569370B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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Description
本揭露內容是有關於一種顯示裝置及其製造方法，且特別是有關於一種具有良好耐用性及穩定性的顯示裝置及其製造方法。
顯示裝置的量產製造流程中，通常先將多個顯示介質設置於一個母板上，元件組裝完成之後，再對母板進行裁切，而製造出多個顯示裝置。由於以切刀進行裁切之後，可能會在裁切處附近留下裂痕，此裂痕容易造成顯示裝置的結構不穩定。
為了改善這個問題，業界嘗試以化學蝕刻方式進行裁切，然而化學蝕刻方式裁切亦會衍生其他的疑慮，造成顯示裝置的穩定性不佳或壽命減短。
本揭露內容係有關於一種顯示裝置及其製造方法。實施例中，蝕刻阻擋層環繞封膠層並抵接第一基板和第二基板，因而可以有效保護封膠層不受到製程中的化學蝕刻液的損害，使得封膠層可以有效地發揮阻水氧的效果，進而可以延長顯示裝置的壽命。
根據本揭露內容之一實施例，係提出一種顯示裝置。顯示裝置包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質、一封膠層以及一蝕刻阻擋層。顯示介質位於第一基板與第二基板之間。封膠層環繞顯示介質，且抵接第一基板和第二基板。蝕刻阻擋層環繞封膠層，且抵接第一基板和第二基板，其中該蝕刻阻擋層之至少一側壁具有一圓弧狀的凸起表面(arc-shaped protruded surface)。
根據本揭露內容之另一實施例，係提出一種顯示裝置的製造方法。製造方法包括以下步驟：提供一第一基底；設置複數個顯示介質於第一基底上；設置複數個封膠層於第一基底上，各個封膠層對應環繞各個顯示介質；設置複數個蝕刻阻擋層於第一基底上，各個蝕刻阻擋層環繞各個封膠層，且蝕刻阻擋層彼此係以複數個間隙(gaps)分隔開來；提供一第二基底與第一基底對組，其中封膠層和蝕刻阻擋層抵接第一基底和第二基底；以及沿蝕刻阻擋層之間的間隙對第一基板和第二基板進行一化學蝕刻製程，以形成複數個彼此分離的顯示裝置；其中各個顯示裝置包括一個顯示介質、一個封膠層及一個蝕刻阻擋層。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100、200、300‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧第一基板
110A‧‧‧第一基底
110s、120s‧‧‧外緣
120‧‧‧第二基板
120A‧‧‧第二基底
130‧‧‧顯示介質
140‧‧‧封膠層
150‧‧‧蝕刻阻擋層
150s、150s1、150s2‧‧‧側壁
160‧‧‧遮罩層
170‧‧‧抗蝕刻材料層
1B-1B’、2B-2B’‧‧‧剖面線
C‧‧‧位置
G‧‧‧間隙
S1、S2‧‧‧間距
第1A圖繪示根據本揭露內容一實施例之顯示裝置的上視圖。
第1B圖繪示第1A圖沿剖面線1B-1B’之剖面示意圖。
第1C圖繪示根據本揭露內容另一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。
第1D圖繪示根據本揭露內容再一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。
第2A圖~第2D圖繪示依照本發明之一實施例之顯示裝置的製造方法示意圖。
第3A圖~第3D圖繪示依照本發明之另一實施例之顯示裝置的製造方法示意圖。
第4A圖~第4D圖繪示依照本發明之再一實施例之顯示裝置的製造方法示意圖。
第5A圖~第5C圖繪示依照本發明之更一實施例之顯示裝置的製造方法示意圖。
根據本揭露內容之實施例，係提出一種顯示裝置及其製造方法。實施例中，蝕刻阻擋層環繞封膠層並抵接第一基板和第二基板，因而可以有效保護封膠層不受到製程中的化學蝕刻液的損害，使得封膠層可以有效地發揮阻水氧的效果，進而可以延長顯示裝置的壽命。然而，實施例僅用以作為範例說明，並不會限縮本發明欲保護之範圍。此外，實施例中之圖式係省略部份要之元件，以清楚顯示本發明之技術特點。
第1A圖繪示根據本揭露內容一實施例之顯示裝置的上視圖，第1B圖繪示第1A圖沿剖面線1B-1B’之剖面示意圖。如第1A~1B圖所示，顯示裝置100包括一第一基板110、一第二
基板120、一顯示介質130、一封膠層140以及一蝕刻阻擋層150。第二基板120與第一基板110對組。顯示介質130位於第一基板110與第二基板120之間上。封膠層140環繞顯示介質130，並且封膠層140抵接第一基板110和第二基板120。蝕刻阻擋層150環繞封膠層140，並且蝕刻阻擋層150抵接第一基板110和第二基板120。蝕刻阻擋層150之至少一側壁150s具有一圓弧狀的凸起表面(arc-shaped protruded surface)。實施例中，顯示介質130例如可包括液晶層或有機發光二極體層。
實施例中，封膠層140環繞顯示介質130並抵接第一基板110和第二基板120，而將顯示介質130密封於第一基板110和第二基板120之間，可有效阻隔來自環境的水氣與氧氣對顯示介質130的傷害，進而可以延長顯示裝置100的壽命。實施例中，封膠層140例如可包括UV硬化型樹脂或熱硬化型樹脂，然而，封膠層140的選擇亦可視實際情況選擇，並不以上述類型為限。
實施例中，蝕刻阻擋層150環繞封膠層140並抵接第一基板110和第二基板120，而將封膠層140密封於第一基板110和第二基板120之間，如此一來，蝕刻阻擋層150可以有效保護封膠層140不受到製程中的化學蝕刻液的損害，維持封膠層140的結構緻密性及其阻水氧的密封性，使得封膠層140可以有效地發揮阻水氧的效果，進而可以提高顯示裝置100的耐用性及穩定性，並延長顯示裝置100的壽命。
如第1A~1B圖所示，實施例中，蝕刻阻擋層150例如是直接接觸封膠層140。如此一來，可以有助於減小顯示面周
圍的邊框區(border area)的尺寸，進而達到縮小顯示裝置100的面積之效果。
本實施例中，如第1B圖所示，蝕刻阻擋層150的側壁150s的圓弧狀的凸起表面位於第一基板110和第二基板120之間。也就是說，蝕刻阻擋層150完全位於第一基板110的外緣(outer edge)110s和第二基板120的外緣120s之內。
實施例中，蝕刻阻擋層150例如可包括熱塑型樹脂，例如聚氯乙烯樹脂(PVC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS)、聚乙烯樹脂(PE)、聚丙烯樹脂(PP)、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)、聚四氟乙烯樹脂(PTFE)、乙烯-四氟化乙烯樹脂(ETFE)、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚甲基戊烯樹脂(PMP)、或上述之任意組合；以及熱硬化型樹脂，例如三聚甲醛樹脂(PF)、環氧化物樹脂(EP)、或上述之任意組合；以及橡膠類，例如氟橡膠(FPM)。舉例而言，當製程中所採用的化學蝕刻液係為用以蝕刻玻璃材料的氫氟酸系蝕刻液，則蝕刻阻擋層150的材料則選用以不會被氫氟酸系蝕刻液所蝕刻的類型為佳。然而，蝕刻阻擋層150的選擇亦可視實際情況選擇，並不以上述類型為限。
一些實施例中，第一基板110和第二基板120例如是玻璃基板。
一些實施例中，第一基板110和第二基板120之至少其中之一係為可撓式基板。一實施例中，例如第一基板110是玻璃基板，而第二基板120是以有機材料製作的可撓式基板。另一實施例中，例如第二基板120是玻璃基板，而第一基板110是以有機材料製作的可撓式基板。
一些實施例中，第一基板110和第二基板120之至少其中之一包括一抗蝕刻材料，也就是說，第一基板110和第二基板120之至少其中之一者係為抗蝕刻基板。一實施例中，例如第一基板110是玻璃基板，而第二基板120是抗蝕刻基板。另一實施例中，例如第二基板120是玻璃基板，而第一基板110是抗蝕刻基板。
第1C圖繪示根據本揭露內容另一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。本實施例中與前述實施例相同或相似之元件係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第1C圖所示，實施例中，顯示裝置200中，蝕刻阻擋層150的側壁150s的圓弧狀的凸起表面例如是突出於第一基板110之外緣110s。實施例中，第二基板120之外緣120s例如是和第一基板110之外緣110s切齊，蝕刻阻擋層150的側壁150s的圓弧狀的凸起表面亦突出於第二基板120之外緣120s。
第1D圖繪示根據本揭露內容再一實施例之顯示裝置的剖面示意圖。本實施例中與前述實施例相同或相似之元件係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
本實施例中，顯示裝置300中，封膠層140例如可以是一玻璃膠層(frit)。如第1D圖所示，蝕刻阻擋層150和封膠層140之間可相隔一間距(spacing)S1，封膠層140和顯示介質130之間亦可相隔一間距S2。由於玻璃膠層(封膠層140)的製作過程需要高溫加熱，因此蝕刻阻擋層150和封膠層140之間的間距S1
可以防止玻璃膠層(封膠層140)的高溫製程破壞蝕刻阻擋層150。再者，顯示介質130和封膠層140之間的間距S2亦可以防止玻璃膠層(封膠層140)的高溫製程破壞顯示介質130。
本實施例中，如第1D圖所示，蝕刻阻擋層150的兩個相對的側壁150s1和側壁150s2均具有圓弧狀的凸起表面。
第2A圖~第2D圖繪示依照本發明之一實施例之顯示裝置的製造方法示意圖，其中第2A圖係為一上視圖，第2B圖繪示第2A圖沿剖面線2B-2B’之剖面示意圖。本實施例中與前述實施例相同或相似之元件係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第2A~2B圖所示，提供一第一基底110A；設置複數個顯示介質130於第一基底110A上；設置複數個封膠層140於第一基底110A上，各個封膠層140對應環繞各個顯示介質130；設置複數個蝕刻阻擋層150於第一基底110A上，各個蝕刻阻擋層150對應環繞各個封膠層140，且蝕刻阻擋層150彼此係以複數個間隙(gaps)G分隔開來，其中，設置封膠層140與蝕刻阻擋層150於第一基底的方法，可根據材料特性而選擇塗敷、印刷、或黃光任一種；提供一第二基底120A與第一基底110A對組。由於在第一基底110A上的封膠層140和蝕刻阻擋層150受到第二基底120A的擠壓，會使得各個蝕刻阻擋層150之至少一側壁150s具有一圓弧狀的凸起表面；以及用光照或熱烘烤的方式，利用封膠層140和蝕刻阻擋層150將第二基底120A與第一基底110A緊密對組。
接著，如第2C~2D圖所示，進行一化學蝕刻製程，
沿蝕刻阻擋層150之間的間隙G分離第一基底110A和第二基底120B之至少其中之一，以形成複數個彼此分離的顯示裝置100。
相較於以機械方式進行裁切而製作的顯示裝置，其基板表面可能會在裁切的斷面邊緣附近形成微小裂痕；根據本揭露內容之實施例，以化學蝕刻製程沿蝕刻阻擋層150之間的間隙G分離基板以進行裁切而製作而成的顯示裝置，其基板表面不會形成任何微小裂痕，因此可以有效避免在後續的製程或使用中、因為微小裂痕遭受到應力而破壞顯示裝置之結構強度的疑慮；並且，封膠層140更可以受到蝕刻阻擋層150的保護而維持其良好的阻水氧效果，因此可以進而提高顯示裝置的耐用性和穩定性。
本實施例中，第一基底110A和第二基底120A均為玻璃基板，如第2C圖所示，化學蝕刻製程之前，設置複數個遮罩層160於第一基底110A和第二基底120A上並暴露出間隙G。遮罩層160的設置位置與覆蓋面積實質上定義了預定製作的顯示裝置100的位置與面積。
實施例中，化學蝕刻製程例如包括根據此些遮罩層160蝕刻第一基底110A和/或第二基底120A。舉例而言，可採用氫氟酸系蝕刻液作為化學蝕刻液，沿著暴露於遮罩層160之間的間隙G蝕刻具有玻璃材質的第一基底110A和/或第二基底120A。
實施例中，進行化學蝕刻製程之前，可選擇性地進行一機械製程，沿此些間隙G形成複數個切槽於預定分離的第一基底110A和第二基底120A之至少其中之一上。此些切槽僅形成於第一基底110A和/或第二基底120A之預定施加蝕刻液的表面上，並且此些切槽的深度小於第一基底110A和/或第二基底120A
的厚度，因此不會穿過整個第一基底110A和/或第二基底120A。
本實施例中，如第2C圖所示，預定沿間隙G蝕刻第一基底110A和第二基底120A，在蝕刻之前，以機械製程沿間隙G在第一基底110A和第二基底120A的表面上的位置C形成切槽，例如是以鑽石或金屬刀沿間隙G中間的位置C切割而形成切槽。本實施例中，第一基底110A和第二基底120A的厚度例如大約是100~200微米(μm)，切槽的深度依基底的厚度有所不同，例如，大約是10~100微米。接著，對形成切槽的位置C進行化學蝕刻製程。
切槽可以加速蝕刻的速度，因而可以加速化學蝕刻製程進行的裁切步驟。再者，雖然以機械方式切割基板形成切槽之後，有可能會在切槽的周圍附近形成微小裂痕，但化學蝕刻所移除的基板部分同時也包括了該些微小裂痕的區域，因此以化學蝕刻製程裁切後，製作而成的顯示裝置之基板上不會留下此些微小裂痕，因此即使在後續的製程或使用中遭受到彎曲的應力，也不會因為微小裂痕的存在而破壞顯示裝置的結構強度。
本實施例中，化學蝕刻製程中，例如是以氫氟酸系蝕刻液蝕刻玻璃材質的第一基底110A和第二基底120A，將第一基底110A和第二基底120A分離為複數個第一基板110和複數個第二基板120，接著移除遮罩層160後，便形成複數個彼此分離的顯示裝置100。如第2D圖所示，各個顯示裝置包括一個第一基板110、一個第二基板120、一個顯示介質130、一個封膠層140及一個蝕刻阻擋層150。
第3A圖~第3D圖繪示依照本發明之另一實施例之
顯示裝置的製造方法示意圖。本實施例中與前述實施例相同或相似之元件係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第3A圖所示，以類似於前述如第2A~2B圖所示之實施例的方式，提供第一基底110A、設置顯示介質130、封膠層140和蝕刻阻擋層150於第一基底110A上、以及提供第二基底120A與第一基底110A對組。由於在第一基底110A上的封膠層140和蝕刻阻擋層150受到第二基底120A的擠壓，會使得各個蝕刻阻擋層150之至少一側壁150s具有一圓弧狀的凸起表面；以及用光照或熱烘烤的方式，利用封膠層140和蝕刻阻擋層150將第二基底120A與第一基底110A緊密對組。
接著，如第3B~3D圖所示，進行化學蝕刻製程，沿蝕刻阻擋層150之間的間隙G分離第一基底110A和第二基底120A之至少其中之一，以形成複數個顯示裝置200。
本實施例中，第二基底120A包括一抗蝕刻材料。本實施例中，第一基底110A例如是玻璃基板，而第二基底120A例如是抗蝕刻基板。由於第二基底120A具有抗蝕刻的性質，因此不會在後續的化學蝕刻製程中受到蝕刻液的破壞。
如第3B圖所示，化學蝕刻製程之前，設置複數個遮罩層160於第一基底110A上並暴露出間隙G，遮罩層160的設置位置與覆蓋面積實質上定義了預定製作的顯示裝置200的位置與面積。
本實施例中，進行化學蝕刻製程之前，可選擇性地進行一機械製程，沿此些間隙G形成複數個切槽於預定分離的第
一基底110A上，也就是形成於第一基底110A之預定施加蝕刻液的表面上，例如是以鑽石或金屬刀沿間隙G中間的位置C切割而形成切槽，並且此些切槽的深度小於第一基底110A的厚度。接著，對形成切槽的位置C進行化學蝕刻製程。
本實施例中，如第3C圖所示，化學蝕刻製程包括根據此些遮罩層160蝕刻第一基底110A，例如採用氫氟酸系蝕刻液作為化學蝕刻液，沿著暴露於遮罩層160之間的間隙G蝕刻具有玻璃材質的第一基底110A，將第一基底110A分離為複數個第一基板110。
之後，如第3C圖所示，移除遮罩層160。
接著，進行一機械切割製程，沿間隙G分離第二基底120A，例如是以鑽石或金屬刀沿間隙G切割第二基底120A，將第二基底120A分離為複數個第二基板120，至此便形成如第3D圖所示的多個顯示裝置200。
第4A圖~第4D圖繪示依照本發明之再一實施例之有機發光二極體顯示裝置的製造方法示意圖。本實施例中與前述實施例相同或相似之元件係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第4A圖所示，以類似於前述實施例的方式，提供第一基底110A、設置顯示介質130、封膠層140和蝕刻阻擋層150於第一基底110A上、以及提供第二基底120A與第一基底110A對組。由於在第一基底110A上的封膠層140和蝕刻阻擋層150受到第二基底120A的擠壓，會使得各個蝕刻阻擋層150之至少一側壁150s具有一圓弧狀的凸起表面；以及用光照或熱烘烤的
方式，利用封膠層140和蝕刻阻擋層150將第二基底120A與第一基底110A緊密對組。
接著，如第4B~4D圖所示，進行化學蝕刻製程，沿蝕刻阻擋層150之間的間隙G分離第一基底110A和第二基底120B之至少其中之一，以形成複數個顯示裝置200。
本實施例中，第一基底110A係為一可撓式基板。實施例中，可撓式基板可具有有機材質或無機材質。本實施例中，第二基底120A例如是玻璃基板。
如第4B圖所示，設置一抗蝕刻材料層170覆蓋於第一基底110A上，以保護第一基底110A不受到後續化學蝕刻製程的破壞。
如第4B圖所示，化學蝕刻製程之前，設置複數個遮罩層160於第二基底120A上並暴露出間隙G，遮罩層160的設置位置與覆蓋面積實質上定義了預定製作的顯示裝置200的位置與面積。
本實施例中，進行化學蝕刻製程之前，可選擇性地進行一機械製程，沿此些間隙G形成複數個切槽於預定分離的第二基底120A上，也就是形成於第二基底120A之預定施加蝕刻液的表面上，例如是以鑽石或金屬刀沿間隙G中間的位置C切割而形成切槽，並且此些切槽的深度小於第二基底120A的厚度。接著，對形成切槽的位置C進行化學蝕刻製程。
本實施例中，如第4C圖所示，化學蝕刻製程包括根據此些遮罩層160蝕刻第一基底110A，例如採用氫氟酸系蝕刻液作為化學蝕刻液，沿著暴露於遮罩層160之間的間隙G蝕刻具
有玻璃材質的第二基底120A，將第二基底120A分離為複數個第二基板120。
本實施例中，如第4C圖所示，化學蝕刻製程之後，移除抗蝕刻材料層170，並移除遮罩層160。
接著，進行一機械切割製程，沿間隙G分離第一基底110A，例如是以鑽石或金屬刀沿間隙G切割第一基底110A，將第一基底110A分離為複數個第一基板120，至此便形成如第4D圖所示的多個顯示裝置200。
第5A圖~第5C圖繪示依照本發明之更一實施例之顯示裝置的製造方法示意圖。本實施例中與前述實施例相同或相似之元件係沿用同樣或相似的元件標號，且相同或相似元件之相關說明請參考前述，在此不再贅述。
如第5A圖所示，以類似於前述實施例的方式，提供第一基底110A、設置有顯示介質130、封膠層140和蝕刻阻擋層150於第一基底110A上、以及提供第二基底120A與第一基底110A對組。
接著，如第5B~5C圖所示，進行化學蝕刻製程，沿蝕刻阻擋層150之間的間隙G分離第一基底110A和第二基底120A之至少其中之一，以形成複數個顯示裝置300。
本實施例中，封膠層140係為玻璃膠層，且各個蝕刻阻擋層150和對應的各個封膠層140之間相隔一間距S1，各個封膠層140和對應的各個顯示介質130之間亦可相隔一間距S2。
本實施例中，第二基底120A與第一基底110A對組之後，將封膠層140熔融後冷卻，即可黏著第二基底120A與第
一基底110A而緊密對組。
本實施例中，第一基底110A和第二基底120A均為玻璃基板。如第5B圖所示，化學蝕刻製程之前，設置複數個遮罩層160於第一基底110A和第二基底120A上並暴露出間隙G。遮罩層160的設置位置與覆蓋面積實質上定義了預定製作的顯示裝置100的位置與面積。
實施例中，進行化學蝕刻製程之前，可選擇性地進行一機械製程，沿此些間隙G形成複數個切槽於預定分離的第一基底110A和第二基底120A上，例如是以鑽石或金屬刀沿間隙G中間的位置C切割而形成切槽。此些切槽僅形成於第一基底110A和第二基底120A之預定施加蝕刻液的表面上，並且此些切槽的深度小於第一基底110A和第二基底120A的厚度。
本實施例中，化學蝕刻製程中，例如是以氫氟酸系蝕刻液蝕刻玻璃材質的第一基底110A和第二基底120B，將第一基底110A和第二基底120A分離為複數個第一基板110和複數個第二基板120，接著移除遮罩層160後，便形成複數個顯示裝置300。如第5C圖所示，各個顯示裝置包括一個第一基板110、一個第二基板120、一個顯示介質130、一個封膠層140及一個蝕刻阻擋層150。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧第一基板
110s、120s‧‧‧外緣
120‧‧‧第二基板
130‧‧‧顯示介質
140‧‧‧封膠層
150‧‧‧蝕刻阻擋層
150s‧‧‧側壁
Claims (9)
- 一種顯示裝置，包括：一第一基板；一第二基板；一顯示介質，位於該第一基板與該第二基板之間；一封膠層，環繞該顯示介質，且抵接該第一基板和該第二基板；以及一蝕刻阻擋層，環繞該封膠層，且抵接該第一基板和該第二基板，其中該蝕刻阻擋層具有至少一內側壁與至少一外側壁，且該內側壁鄰近該封膠層而該外側壁遠離該封膠層；其中，該蝕刻阻擋層的該外側壁係內縮於該第一基板和該第二基板之外緣。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該蝕刻阻擋層之該外側壁具有一圓弧狀的凸起表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該蝕刻阻擋層係接觸該封膠層。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該蝕刻阻擋層和該封膠層之間相隔一間距(spacing)。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該蝕刻阻 擋層係由一熱塑型樹脂所組成。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該熱塑型樹脂包含聚氯乙烯樹脂(PVC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂(ABS)、聚乙烯樹脂(PE)、聚丙烯樹脂(PP)、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)、聚四氟乙烯樹脂(PTFE)、乙烯-四氟化乙烯樹脂(ETFE)、聚碳酸酯樹脂(PC)、聚甲基戊烯樹脂(PMP)、或上述之任意組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該蝕刻阻擋層係由一熱硬化性樹脂所組成。
- 如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該熱硬化型樹脂包含三聚甲醛樹脂(PF)、環氧化物樹脂(EP)、或上述之任意組合。
- 一種顯示裝置的製造方法，包括：提供一第一基底；設置複數個顯示介質於該第一基底上；設置複數個封膠層於該第一基底上，各該封膠層環繞各該顯示介質；設置複數個蝕刻阻擋層於該第一基底上，各該蝕刻阻擋層環繞各該封膠層，且該些蝕刻阻擋層彼此係以複數個間隙(gaps)分隔開來； 提供一第二基底與該第一基底對組，其中該些封膠層和該些蝕刻阻擋層抵接該第一基底和該第二基底；以及沿該些蝕刻阻擋層之間的該些間隙對該第一基底和該第二基底進行一化學蝕刻製程，以形成複數個彼此分離的顯示裝置；其中各該顯示裝置包括一個該顯示介質、一個該封膠層及一個該蝕刻阻擋層。
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