TWI567465B - 顯示面板及其陣列基板製作方法 - Google Patents

顯示面板及其陣列基板製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI567465B
TWI567465B TW105114211A TW105114211A TWI567465B TW I567465 B TWI567465 B TW I567465B TW 105114211 A TW105114211 A TW 105114211A TW 105114211 A TW105114211 A TW 105114211A TW I567465 B TWI567465 B TW I567465B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
common electrode
material portion
conductivity
substrate
layer
Prior art date
Application number
TW105114211A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201740171A (zh
Inventor
陳儒瑾
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW105114211A priority Critical patent/TWI567465B/zh
Priority to CN201610557450.XA priority patent/CN106200040B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI567465B publication Critical patent/TWI567465B/zh
Publication of TW201740171A publication Critical patent/TW201740171A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1323—Arrangements for providing a switchable viewing angle
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

顯示面板及其陣列基板製作方法
本發明係關於一種顯示面板及其陣列基板製作方法，特別關於一種具有可視角度可調的顯示面板及其陣列基板製作方法。
一般而言，顯示器為了使畫面能提供給多個觀看者，通常具有廣視角的顯示效果，但例如在閱讀機密資訊或輸入密碼時等特殊場合下，廣視角的顯示效果卻易使機密資訊被旁人所窺視而造成機密資訊外洩。因此，為了滿足提供給多個觀看者以及在公眾場合處理機密資訊的兩種不同需求，具有廣視角顯示模式與窄視角顯示模式的可調整視角之顯示器逐漸成為顯示器市場的主流商品之一。
習知顯示器的防窺機制大致上可分為下列數種：
一、將防窺片加裝至顯示器：
一般防窺片是藉由抑制大視角的亮度，使側視的觀看者無法清楚的讀取所顯示的資訊，達到隱私保護的效果。但因為顯示器額外被加上防窺片，會影響原本正視時顯示器之光學特性及顯示品質，而且也需要手動切換防窺與否，造成使用者在使用上較不方便。
二、背光源控制：
利用原本出射光具有高度準直性的背光源，搭配一可電壓控制的擴散片，當擴散片將準直光擴散時，造成在側視時有光源出射，以提供廣視角顯示模式；當擴散片不會對原本的準直光造成擴散的作用時，以達成窄視角的顯示模式。此方法主要是藉由控制背光的出射角度，來調整側視的亮度，使側視的觀看者無法讀取顯示資訊。在理想上雖可以完美的避免其他人員窺視資訊，但實際應用上因為光路控制不易，因此在防窺表現上無法得到令人滿意的效果。
三、加上視角控制模組單元：
在原本的顯示模組上，再外加視角控制模組，藉由電壓控制視角控制模組的開關來切換廣視角顯示模式與窄視角顯示模式。此方法在廣視角顯示模式時，不會對原本的影像顯示造成任何干擾或破壞，能保有原本影像的品質。而在窄視角顯示模式下，側視的亮度會被明顯的抑制，而使得側視的人不易判讀影像所顯示的訊息。但視角控制模組會造成整體重量及厚度上增加的缺點。
由上述可知，習知顯示器的防窺技術在達到防窺效果的同時往往需要犧牲原有的部分特性，如顯示品質、光學特性、厚度以及重量等，因此習知防窺技術仍具有改善的空間。
鑒於上述問題，本發明旨在提供一種具有視角範圍可切換的顯示面板與其陣列基板的製作方法。
依據本發明一實施例的陣列基板的製作方法，包含：形成共通電極於基底上。並形成圖案化遮光層於共通電極上，其中共通電極位於基底以及圖案化遮光層之間。
依據本發明另一實施例的陣列基板製作方法，更包含以圖案化遮光層為遮罩，對共通電極進行材質轉換處理，使得該通電極具有第一材質部以及第二材質部，其中第一材質部之導電率不同於第二材質部之導電率。
依據本發明另一實施例的陣列基板製作方法，更包含：形成複數濾光元件於共通電極上。以及以濾光元件為遮罩，對共通電極進行材質轉換處理，使得共通電極具有第一材質部以及第二材質部，其中第一材質部之導電率不同於第二材質部之導電率。
依據本發明另一實施例的陣列基板製作方法，更包含：形成圖案化保護層於共通電極上；以及以圖案化保護層為遮罩，對共通電極進行材質轉換處理，使得共通電極具有第一材質部以及第二材質部，其中第一材質部之導電率不同於第二材質部之導電率。
依據本發明一實施例的顯示面板，包含：主動元件基板與陣列基板。陣列基板相對於主動元件基板設置，且陣列基板包含：基底、共通電極與圖案化遮光層。其中共通電極位於基底上。圖案化遮光層位於共通電極上，且共通電極位於基底以及圖案化遮光層之間。
藉由上述的陣列基板的共通電極的圖案化，液晶層的電場分布可以依據共通電極的電壓大小與否來調整，進而調整顯示面板的可視角度大小。
以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請參照圖1與圖2A至圖2N，其中圖1係依據本發明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖2A至圖2N係對應於圖1的製作流程圖，其對應於圖1中的剖面線AA’。如圖1與圖2N所示，顯示面板中與主動元件基板相對的陣列基板1000具有基底1100、共通電極1200與圖案化遮光層。其中共通電極1200位於基底1100之上，而圖案化遮光層位於共通電極1200之上。舉例來說，共通電極1200位於基底1100與圖案化遮光層之間。於一實施例中，共通電極1200具有第一材質部1210以及第二材質部1220，而第一材質部1210之導電率不同於第二材質部1220之導電率。舉例來說，於一實施例中第一材質部1210之導電率為約10 2西門子/米(S/m)至10 4S/m且第二材質部1220之導電率為約10 -2S/m至10S/m。其中共通電極1200之材質係選自由氧化銦鎵鋅層(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)、二六族化合物半導體與三五族化合物半導體所組成的群組其中至少之一。於本實施例中，第二材質部1220的位置對應並重疊於圖案化遮光層，第一材質部1210舉例係實質上不與圖案化遮光層重疊。
本實施例的製作流程首先請參照圖2A，於基底1100上形成共通電極1200。於此步驟中，共通電極1200係被全面地形成於基底1100上，共通電極1200所用的材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO)。接著如圖2B所示，於共通電極1200上全面性形成遮光層1300A。接著如圖2C所示，設置第一光罩M1於遮光層1300A上方，以第一光罩M1為遮罩對遮光層1300A進行顯影，從而得到如圖2D所示的固化部1300與非固化部1310，固化部1300與非固化部131舉例係為交錯設置或呈陣列排列，但不以此為限。再去除非固化部1310，從而得到如圖2E所示的圖案化遮光層(未標示)，圖案化遮光層舉例僅包含固化部1300而不包含非固化部1310。因為圖案化遮光層係後於共通電極1200形成，故因地形產生的窄視角顯示模式時暗態漏光現象可被減輕或避免。接著如圖2F所示，以圖案化遮光層作為遮罩，對共通電極1200進行材質轉換處理，而得到第一材質部1210與第二材質部1220，第一材質部1210與第二材質部1220舉例係為交錯排列或陣列排列。舉例來說，原先的共通電極1200僅具有第二材質，由於以圖案化遮光層作為光罩，因此未被圖案化遮光層遮蔽的部分被材質轉換為第一材質，在本實施例中，因並非利用蝕刻等移除膜層一部分的方式來形成用以調整顯示面板之可視角度之共通電極，而是對共通電極1200進行處理以形成同時具有第一材質部1210以及第二材質部1220的單一膜層，因此無製程對位控制上的問題。於一實施例中，材質轉換處理例如為電漿處理，而原有的第二材質若是氧化銦鎵鋅，其導電率介於0.01S/m至10S/m之間，經由電漿處理後得到的第一材質的導電率介於100S/m至10 4S/m之間。於圖2F的步驟之後，則如圖2G至圖2L所示，依序形成紅色濾光元件R、綠色濾光元件G與藍色濾光元件B，然而其順序可以任意替換，本發明不加以限制。在圖2G中，形成紅色濾光材料層RL於圖案化遮光層以及共通電極1200上，對紅色濾光材料層RL進行圖案化製程以形成紅色濾光元件R，例如是設置光罩(未標示)於紅色濾光材料層RL上，以光罩為遮罩對紅色濾光材料層RL進行顯影，從而得到紅色濾光元件R，如圖2H所示，紅色濾光元件R對應第一材質部1210設置，而紅色濾光元件R的邊緣可與遮光層1300重疊。接下來請參照圖2I，形成綠色濾光材料層GL於紅色濾光元件R、圖案化遮光層以及共通電極1200上，對綠色濾光材料層GL進行圖案化製程以形成綠色濾光元件G，例如是設置光罩(未標示)於綠色濾光材料層GL上，以光罩為遮罩對綠色濾光材料層GL進行顯影，從而得到綠色濾光元件G，如圖2J所示，綠色濾光元件G對應另外的第一材質部1210設置，而綠色濾光元件G的邊緣可與遮光層1300重疊。之後，形成藍色濾光材料層BL於紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、圖案化遮光層以及共通電極1200上，對藍色濾光材料層BL進行圖案化製程以形成藍色濾光元件B，例如是設置光罩(未標示)於藍色濾光材料層BL上，以光罩為遮罩對藍色濾光材料層BL進行顯影，從而得到藍色濾光元件B，如圖2L所示，藍色濾光元件B對應其他的第一材質部1210設置，而藍色濾光元件B的邊緣可與遮光層1300重疊。之後如圖2M所示，於上述濾光元件上形成保護層1400。此時，與主動元件基板相對的陣列基板1000已大致完成，如圖2N所示，陣列基板1000包含基底1100、共通電極1200、圖案化遮光層、紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、藍色濾光元件B以及保護層1400。共通電極1200包含第一材質部1210與第二材質部1220，第一材質部1210之導電率不同於第二材質部1220之導電率，舉例來說，第一材質部1210之導電率為約10 2S/m至10 4S/m且第二材質部1220之導電率為約10 -2S/m至10S/m。
在本實施例中，紅色濾光元件R、綠色濾光元件G與藍色濾光元件B係分別對應重疊於第一材質部1210。該些第一材質部1210係構成複數個視角控制(viewing angle control；VAC)電極，藉由該些視角控制電極與主動元件基板中之畫素電極與共用電極間之電壓控制上的搭配，而完成廣視角模式和窄視角模式之呈現與切換，其作動原理係詳細說明如后。
於本發明另一實施例中，在前述圖2A步驟，於基底1100上形成共通電極1200的步驟以前，選擇性地於基底上形成對位標記。舉例來說，基底1100為一母板。此一母板為了便於未來切割為顯示面板的尺寸，通常會有切割用的對位標記。於一實施方式中，係在切割用的至少一個對位位置上，於形成共通電極1200前先形成對位標記。如此便可依據對位標記而進行光罩對位或其他儀器的對位作業，從而對共通電極1200以光罩進行材質轉換處理、膜層沉積處理或膜層圖案化處理等等，例如進行材質轉換處理以形成第一材質部1210與第二材質部1220。而後於材質轉換過的共通電極上形成圖案化遮光層，再進行如圖2G至圖2M之步驟流程。因此如本實施例中所形成的顯示面板的陣列基板，其共通電極1200的第一材質部1210與第二材質部1220並不必然與圖案畫遮光層1300有對應關係。此外，於一實施例中，前述的對位標記與圖案化遮光層的材料相同。因此得到的顯示面板的陣列基板的俯視圖與剖面圖如圖2P與圖2Q所示，圖2P係依據本發明另一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖2Q係對應於圖2P的陣列基板沿剖面線AA”之部分剖面示意圖。如圖2Q所示，對位標記M形成於基底1100上。此實施例中的陣列基板1000a的對位標記M與圖案化遮光層的材質可相同。在本實施例中，共通電極1200’之材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO) 、二六族化合物半導體與三五族化合物半導體所組成的群組其中至少之一，共通電極1200’具有第一材質部1210’與第二材質部1220’，第一材質部1210之導電率為約10 2西門子/米(S/m)至10 4S/m且第二材質部1220之導電率為約10 -2S/m至10S/m。然而，在另一變化例中，共通電極之材料例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)，若使用氧化銦錫作為共同電極的材料，就可省略材質轉換處理的步驟，亦不會形成第一材質部以及第二材質部，共通電極係為單一材質之膜層，在此變化例中，共通電極之導電率為約10 2西門子/米(S/m)至10 4S/m。
於另一實施例中，請參照圖3與圖4A至圖4N，其中圖3係依據本發明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖4A至圖4N係對應於圖3的製作流程圖，其對應於圖3中的剖面線BB’。如圖3與圖4N所示，顯示面板中與主動元件基板相對的陣列基板1000’具有基底1100、共通電極1200、圖案化遮光層與濾光元件R、G、B。其中共通電極1200位於基底1100之上，而圖案化遮光層位於共通電極1200之上。舉例來說，共通電極1200位於基底1100與圖案化遮光層之間。於一實施例中，共通電極1200具有第一材質部1210以及第二材質部1220，而第一材質部1210之導電率不同於第二材質部1220之導電率。舉例來說，於一實施例中第一材質部1210之導電率為約10 2(S/m)至10 4S/m且第二材質部1220之導電率為約10 -2S/m至10S/m。其中共通電極1200之材質係選自由氧化銦鎵鋅層(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)、二六族化合物半導體與三五族化合物半導體所組成的群組其中至少之一。於本實施例中，第二材質部1220的位置對應於濾光元件R、G、B，而第一材質部1210對應於不具有濾光元件的部分。換句話說，當顯示面板的主動元件基板具有多個白色子畫素W時，其中第一材質部1210的位置係更分別對應前述多個白色子畫素W。於圖3的實施例中，白色子畫素係為陣列式的排列。此外，於本發明另一實施例中，顯示面板的白色子畫素(未覆蓋有濾光元件的子畫素)並非如圖3所示的陣列式地排列，而是如圖5所示，以行排列。於另一實施例中，白色子畫素亦可以列排列，本發明不加以限制。
關於圖3的實施例的製作流程首先請參照圖4A，於基底1100上形成共通電極1200。於此一步驟中，共通電極1200係被全面地形成於基底1100上，共通電極1200所用的材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO)。接著如圖4B所示，於共通電極1200上形成遮光層1300A。接著如圖4C所示，設置第一光罩M1於遮光層1300A上方，以第一光罩M1為遮罩對遮光層1300A進行顯影，從而得到如圖4D所示的固化部1300與非固化部1310，固化部1300與非固化部131舉例係為交錯設置或呈陣列排列，但不以此為限。再去除非固化部1310，從而得到如圖4D所示的圖案化遮光層，圖案化遮光層舉例僅包含固化部1300而不包含非固化部1310。於圖4E的步驟之後，則如圖4F至圖4K所示依序形成紅色濾光元件R、綠色濾光元件G與藍色濾光元件B，然而其順序可以任意替換，本發明不加以限制。如圖4E所示，形成紅色濾光材料層RL於圖案化遮光層以及共通電極1200上，對紅色濾光材料層RL進行圖案化製程以形成紅色濾光元件R，例如是設置光罩(未標示)於紅色濾光材料層RL上，以光罩為遮罩對紅色濾光材料層RL進行顯影，從而得到紅色濾光元件R，如圖2H所示。接下來請參照圖4G，形成綠色濾光材料層GL於紅色濾光元件R、圖案化遮光層以及共通電極1200上。圖4H所示，對綠色濾光材料層GL進行圖案化製程以形成綠色濾光元件G，例如是設置光罩(未標示)於綠色濾光材料層GL上，以光罩為遮罩對綠色濾光材料層GL進行顯影，從而得到綠色濾光元件G，如圖4I所示。之後，如圖4J所是，形成藍色濾光材料層BL於紅色濾光元件R、綠色濾光元件G、圖案化遮光層以及共通電極1200上，對藍色濾光材料層BL進行圖案化製程以形成藍色濾光元件B，例如是設置光罩(未標示)於藍色濾光材料層BL上，以光罩為遮罩對藍色濾光材料層BL進行顯影，從而得到藍色濾光元件B，如圖4K所示。於形成完濾光元件R、G、B後保留對應於白色子畫素W之未形成濾光元件的區域。接著如圖4L所示，以濾光元件R、G、B作為遮罩，對共通電極1200進行材質轉換處理，而得到第一材質部1210與第二材質部1220。舉例來說，原來形成的共通電極1200都是第二材質，由於以濾光元件R、G、B作為遮罩，因此僅有未被濾光元件R、G、B遮蔽的部分被材質轉換為第一材質，也就是對應於白色子畫素W之區域的部分的共通電極被轉換為第一材質。於一實施例中，材質轉換處理例如為電漿處理，而原有的第二材質若是氧化銦鎵鋅，其導電率介於0.01S/m至10S/m之間，經由電漿處理後得到的第一材質的導電率介於100S/m至10 4S/m之間。之後如圖4M，於上述濾光元件R、G、B上形成保護層1400從而得到如圖3與圖4N的陣列基板。
請參照圖6與圖7A至圖7L，其中圖6係依據本發明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖，而圖7A至圖7L係對應於圖6的製作流程圖，其對應於圖6中的剖面線CC’。如圖6與圖7L所示，顯示面板中與主動元件基板相對的陣列基板1000”具有基底1100、多個濾光元件R、G、B、共通電極1200、圖案化遮光層與圖案化保護層1400’。其中各個濾光元件R、G、B位於基底1100之上，共通電極1200位於各個濾光元件R、G、B之上，圖案化遮光層位於共通電極1200之上，而圖案化保護層1400’位於圖案化遮光層之上。於一實施例中，共通電極1200具有第一材質部1210以及第二材質部1220，而第一材質部1210之導電率不同於第二材質部1220之導電率。更具體來說，於一實施例中第一材質部1210之導電率為約10 2西門子/米(S/m)至10 4S/m且第二材質部1220之導電率為約10 -2S/m至10S/m。其中共通電極1200之材質係選自由氧化銦鎵鋅層(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)、二六族化合物半導體與三五族化合物半導體所組成的群組其中至少之一。於本實施例中，第二材質部1220的位置對應於圖案化保護層1400’，第一材質部1210的位置對應於圖案化保護層1400’的多個開口。
本實施例的製作流程首先請參照圖7A至圖7F，於基底1100上依序形成濾光元件R、G、B。於此本發明並不限定其順序。請參照圖7A，形成紅色濾光材料層RL於基底1100上，對紅色濾光材料層RL進行圖案化製程以形成紅色濾光元件R，例如是設置光罩(未標示)於紅色濾光材料層RL上，以光罩為遮罩對紅色濾光材料層RL進行顯影，從而得到紅色濾光元件R，如圖7B所示。接下來請參照圖7C，形成綠色濾光材料層GL於紅色濾光元件R以及基底1100上，對綠色濾光材料層GL進行圖案化製程以形成綠色濾光元件G，例如是設置光罩(未標示)於綠色濾光材料層GL上，以光罩為遮罩對綠色濾光材料層GL進行顯影，從而得到綠色濾光元件G，如圖7D所示。之後，形成藍色濾光材料層BL於紅色濾光元件R、綠色濾光元件G以及基底1100上，對藍色濾光材料層BL進行圖案化製程以形成藍色濾光元件B，例如是設置光罩(未標示)於藍色濾光材料層BL上，以光罩為遮罩對藍色濾光材料層BL進行顯影，從而得到藍色濾光元件B，如圖7F所示。而後如圖7G所示，共通電極1200係被全面地形成於濾光元件R、G、B上，共通電極1200所用的材料例如為氧化銦鎵鋅(IGZO)。接著如圖7H所示，於共通電極1200上形成遮光層(未標示)，設置第一光罩M1於遮光層上方，並以第一光罩M1為遮罩對遮光層進行顯影，從而得到固化部1300與非固化部1310，固化部1300與非固化部131舉例係為交錯設置或呈陣列排列，但不以此為限。再去除非固化部1310，從而得到如圖7I所示的圖案化遮光層，圖案化遮光層僅包含固化部1300而不包含非固化部1310。接著如圖7J所示，於圖案化遮光層上形成保護層1400，設置第二光罩M於保護層1400上方，以第二光罩M2為遮罩對保護層1400顯影，從而得到如圖7K所示的圖案化保護層1400’。而後如圖7L所示，以圖案化保護層1400’併同圖案化遮光層作為遮罩，對共通電極1200進行材質轉換處理，而得到第一材質部1210與第二材質部1220。舉例來說，原來形成的共通電極1200都是第二材質，由於以圖案化保護層1400’併同圖案化遮光層作為遮罩，因此共通電極1200僅有未被遮蔽的部分被材質轉換為第一材質。於一實施例中，材質轉換處理例如為電漿處理，而原有的第二材質若是氧化銦鎵鋅，其導電率介於0.01S/m至10S/m之間，經由電漿處理後得到的第一材質的導電率介於100S/m至10 4S/m之間。
請參照圖8A與圖8B，其係依據本發明一實施例的顯示面板作動示意圖。如圖8A所示，顯示面板具有陣列基板1000、液晶層LC與主動元件基板2000。其中陣列基板1000係由前述任一實施例所製作，因此具有經圖案化的共通電極1100。當陣列基板1000的共通電極1200未施加任何電壓時，液晶層LC中的電力線如EF1與EF2所示，因此液晶層LC中的液晶分子的長軸均大致平行於陣列基板1000的表面。當陣列基板1000的共通電極1200被施加了定電壓時，請參照圖8B，液晶層LC中多了電力線EF3，從而靠近陣列基板1000的部分液晶分子的長軸不再平行於陣列基板1000的表面。從而圖8B的作動狀態下的顯示面板可視角度小於圖8A的顯示面板可視角度。
綜上所述，依據本發明一實施例所實現的顯示面板，於陣列基板中具有陣列式的共通電極。從而得以藉由選擇性地於陣列基板的共通電極施加電壓，調整顯示面板的可視角度。而用以調整顯示面板之可視角度之共通電極係位於顯示面板內，故可達成減少重量及厚度的優點。共通電極係藉由材質轉換處理而形成視角控制電極，不需要額外的光罩對共通電極進行圖案化，故避免了製程成本增加的問題。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
1000、1000’、1000”、1000a‧‧‧陣列基板
1100‧‧‧基底
1200、1200’‧‧‧共通電極
1210、1210’‧‧‧第一材質部
1220、1220’‧‧‧第二材質部
1300A‧‧‧遮光層
1300‧‧‧固化部
1310‧‧‧非固化部
1400‧‧‧保護層
1400’‧‧‧圖案化保護層
2000‧‧‧主動元件基板
R‧‧‧紅色濾光元件
G‧‧‧綠色濾光元件
B‧‧‧藍色濾光元件
RL‧‧‧紅色濾光材料層
GL‧‧‧綠色濾光材料層
BL‧‧‧藍色濾光材料層
LC‧‧‧液晶層
EF1~EF3‧‧‧電力線
M1‧‧‧第一光罩
M2‧‧‧第二光罩
W‧‧‧白色子畫素
M‧‧‧對位標記
圖1係依據本發明一實施例的顯示面板的的陣列基板俯視示意圖。 圖2A至圖2N係對應於圖1的製作流程圖。 圖2P係依據本發明另一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。 圖2Q係對應於圖2P的陣列基板部分剖面示意圖。 圖3係依據本發明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。 圖4A至圖4N係對應於圖3的製作流程圖。 圖5係依據本發明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。 圖6係依據本發明一實施例的顯示面板的陣列基板俯視示意圖。 圖7A至圖7L係對應於圖6的製作流程圖。 圖8A與圖8B係依據本發明一實施例的顯示面板作動示意圖。
1100‧‧‧基底
1200‧‧‧共通電極
1210‧‧‧第一材質部
1220‧‧‧第二材質部
1300‧‧‧固化部
1400‧‧‧保護層
R、G、B‧‧‧濾光元件

Claims (18)

  1. 一種陣列基板的製作方法，包含：形成一共通電極於一基底上；形成一圖案化遮光層於該共通電極上，其中該共通電極位於該基底以及該圖案化遮光層之間；以及對該共通電極進行一材質轉換處理，使得該共通電極具有至少一第一材質部以及至少一第二材質部，其中該至少一第一材質部之導電率不同於該至少一第二材質部之導電率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中於形成該共通電極之步驟前，更包含形成至少一對位標記於該基底上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中該至少一對位標記的材料與該圖案化遮光層的材料相同。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中對該共通電極進行該材質轉換處理的步驟包含以該圖案化遮光層為遮罩，對該共通電極進行該材質轉換處理。
  5. 】如申請專利範圍第4項所述的方法，其中該共通電極之材質包含氧化銦鎵鋅層、二六族化合物半導體或三五族化合物半導體。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中該至少一第一材質部之導電率為約102西門子每公尺(S/m)至104S/m，該至少一第二材質部之導電率為約10-2S/m至10S/m。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的方法，其中該材質轉換處理包括一電漿處理。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，更包含：形成複數濾光元件於該共通電極上；其中對該共通電極進行該材質轉換處理的步驟包含以該些濾光元件為遮罩，對該共通電極進行該材質轉換處理。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的方法，其中該共通電極之材質包含氧化銦鎵鋅層、二六族化合物半導體或三五族化合物半導體，其中該至少一第一材質部之導電率為約102西門子每公尺(S/m)至104S/m，且該至少一第二材質部之導電率為約10-2S/m至10S/m。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的方法，其中該至少一第一材質部之數量係為複數個，且該些第一材質部係分別對應多個呈矩陣排列的白色子畫素。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的方法，其中該至少一第一材質部之數量係為複數個，且該些第一材質部係分別對應多個白色子畫素行。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的方法，更包含：形成一圖案化保護層於該共通電極上；其中對該共通電極進行該材質轉換處理的步驟包含以該圖案化保護層為遮罩，對該共通電極進行該材質轉換處理。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的方法，其中該至少一第一材質部之數量係為複數個，且該圖案化保護層具有多個開口，該些開口係分別對應該些第一材質部且呈矩陣排列。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的方法，更包含形成複數濾光元件於該基底上，使得該些濾光元件位於該基底以及該共通電極之間，其 中該共通電極之材質包含氧化銦鎵鋅層、二六族化合物半導體或三五族化合物半導體，其中該至少一第一材質部之導電率為約102西門子每公尺(S/m)至104S/m，且該至少一第二材質部之導電率為約10-2S/m至10S/m。
  15. 一種顯示面板，包含：一主動元件基板；以及一陣列基板，相對於該主動元件基板設置，該陣列基板包含：一基底；一共通電極，位於該基底上；以及一圖案化遮光層位於該共通電極上，其中該共通電極位於該基底以及該圖案化遮光層之間；其中該共通電極具有至少一第一材質部以及至少一第二材質部，其中該至少一第一材質部之導電率不同於該至少一第二材質部之導電率。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，其中該共通電極之材質包含氧化銦鎵鋅層、二六族化合物半導體或三五族化合物半導體，其中該至少一第一材質部之導電率為約102西門子每公尺(S/m)至104S/m，且該至少一第二材質部之導電率為約10-2S/m至10S/m。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，更包含複數濾光元件位於該共通電極上，其中該主動元件基板包含複數個白色子畫素，其中該至少一第一材質部之數量係為複數個，且該些第一材質部係分別對應該些白色子畫素。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的顯示面板，更包含一圖案化 保護層位於該共通電極上，其中該至少一第一材質部之數量係為複數個，且該圖案化保護層具有多個開口，該些開口係分別對應該些第一材質部且呈矩陣排列。
TW105114211A 2016-05-06 2016-05-06 顯示面板及其陣列基板製作方法 TWI567465B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105114211A TWI567465B (zh) 2016-05-06 2016-05-06 顯示面板及其陣列基板製作方法
CN201610557450.XA CN106200040B (zh) 2016-05-06 2016-07-15 显示面板及其阵列基板制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105114211A TWI567465B (zh) 2016-05-06 2016-05-06 顯示面板及其陣列基板製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI567465B true TWI567465B (zh) 2017-01-21
TW201740171A TW201740171A (zh) 2017-11-16

Family

ID=57474470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105114211A TWI567465B (zh) 2016-05-06 2016-05-06 顯示面板及其陣列基板製作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN106200040B (zh)
TW (1) TWI567465B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI746017B (zh) 2020-06-18 2021-11-11 宏碁股份有限公司 像素結構與使用其的顯示裝置
CN114187846B (zh) * 2020-08-28 2024-01-09 宏碁股份有限公司 像素结构与使用其的显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050264722A1 (en) * 2004-05-24 2005-12-01 Nak-Cho Choi Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN101097316A (zh) * 2006-06-26 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其驱动方法
TW201305660A (zh) * 2011-06-29 2013-02-01 Toppan Printing Co Ltd 液晶顯示用之對向基板及液晶顯示裝置
TW201432317A (zh) * 2012-12-27 2014-08-16 Toppan Printing Co Ltd 液晶顯示裝置、液晶顯示裝置用基板及液晶顯示裝置用基板的製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101242033B1 (ko) * 2010-05-05 2013-03-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
TWI464491B (zh) * 2011-11-08 2014-12-11 Au Optronics Corp 顯示裝置
CN104617102B (zh) * 2014-12-31 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板制造方法
CN104880852B (zh) * 2015-06-16 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN105633016B (zh) * 2016-03-30 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及制得的tft基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050264722A1 (en) * 2004-05-24 2005-12-01 Nak-Cho Choi Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN101097316A (zh) * 2006-06-26 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其驱动方法
TW201305660A (zh) * 2011-06-29 2013-02-01 Toppan Printing Co Ltd 液晶顯示用之對向基板及液晶顯示裝置
TW201432317A (zh) * 2012-12-27 2014-08-16 Toppan Printing Co Ltd 液晶顯示裝置、液晶顯示裝置用基板及液晶顯示裝置用基板的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106200040B (zh) 2019-04-12
CN106200040A (zh) 2016-12-07
TW201740171A (zh) 2017-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104407475B (zh) 液晶显示面板
JP5437971B2 (ja) 液晶表示装置
TW201604618A (zh) 液晶顯示面板
US10365512B2 (en) Display panel
WO2019119889A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及其制造方法
JP2007133392A (ja) 表示特性が向上した液晶表示パネル及びこれの製造に使用されるマスク
US9857624B2 (en) Liquid crystal display panel and fabrication method thereof
KR20160130045A (ko) 표시 패널
JP2016080797A (ja) 液晶表示装置
WO2018188114A1 (zh) 彩膜基板的制作方法及液晶面板的制作方法
US8466863B2 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
TWI567465B (zh) 顯示面板及其陣列基板製作方法
JP2013235128A (ja) 電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置用基板
US9638971B2 (en) Liquid crystal display device having asymmetrical through hole
US8064022B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2009025639A (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
KR102067961B1 (ko) 컬러필터기판과 그 제조방법 및 이를 포함하는 액정표시장치
US20070211200A1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP5292594B2 (ja) 液晶表示パネル
WO2018133372A1 (zh) 显示面板及其制备方法和显示装置
WO2011080968A1 (ja) 液晶パネルの製造方法
TW201908831A (zh) 面板的製造方法及陣列基板
WO2016084232A1 (ja) 液晶表示パネル、液晶表示装置、液晶表示パネルの製造方法
KR101825608B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20170080215A (ko) 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees