TWI559477B - 縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構 - Google Patents

Description

縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構

本發明係有關於凸塊化半導體晶片結構，特別係有關於一種縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，特別可應用於薄化晶片之低成本覆晶接合。

覆晶接合(flip-chip bonding)係在晶片之主動面上製作出凸塊再以倒裝晶片之方式接合至基板。隨著覆晶接合精準度的提高以及降低封裝成本之要求下，將朝向不再晶片之主動面上製作重配置線路層(RDL)，即是將凸塊直接種植在晶片銲墊上。當傳輸電性訊號之凸塊不是矩陣排列時，覆晶接合時晶片便會有晃動或歪斜的可能，故有人提出在缺乏凸塊的區域額外製作出支撐凸塊(supporting bumps)，以改善低成本覆晶接合之作業性與可靠度。

然而，當支撐凸塊直接設置於變厚的晶圓級封裝層(例如PI層)，支撐凸塊與電性傳輸的凸塊兩者會產生凸塊接合之高度差。如第1圖所示，為習知金屬柱銲接晶片連接結構100在覆晶接合至一基板10之局部截面示意圖。該金屬柱銲接晶片連接結構100之主體係為一薄化之晶片110，該晶片110之主動面111上形成有一晶圓級封裝層112以及至少一內凹於該晶圓級封裝層112之銲墊113，該銲墊113與該晶圓級封裝層112之無銲墊區係各設置有一UBM墊121、122。一電性傳導柱130係接合於該UBM 墊121，一無電性傳輸功能之支撐柱140係接合於另一UBM墊122。而該電性傳導柱130與該支撐柱140之頂面係各形成有銲料151、152，用以分別焊黏至該基板10之輸入輸出墊11與固定墊12。在同一電鍍製程中，該電性傳導柱130與該支撐柱140之長度係為相同，但該些UBM墊121、122本身存在設置高度差，當該晶圓級封裝層112越厚時，該電性傳導柱130與該支撐柱140之頂面接合高度則相差越多，使得在覆晶接合時該電性傳導柱130上之銲料151至該輸入輸出墊11之間存在有潛在未接觸風險(potential non-contact risk)，將易造成訊號傳輸的短路。此外，該支撐柱140經由該小尺寸的UBM墊122附著於該晶圓級封裝層112，容易發生有支撐柱之剝離掉落或歪斜斷裂之問題。

為了解決上述之問題，本發明之主要目的係在於提供一種縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，用以修正支撐柱與I/O傳輸柱之高度差，並且防止支撐柱之剝離掉落或歪斜斷裂。並且，晶片本身亦不需要額外設置供接合支撐柱且位在積體電路區上及晶圓級封裝層下之虛置墊。

本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。本發明揭示一種縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其係包含一晶片、一凸塊下金屬圖案層、複數個電性傳導柱以及複數個第一支撐柱。該晶片係具有一主動面，該主動面上設置有一晶圓級封裝層以及複數個顯露於且內凹於該晶圓級封裝層之銲墊。該凸塊下金屬圖案層係包含有複數個UBM墊與至少一第一UBM島塊，該些UBM墊係形成於該些銲墊上，該第一UBM島塊 係形成於該晶圓級封裝層上，該第一UBM島塊在該晶圓級封裝層上之覆蓋面積係至少大於該些UBM墊在對應銲墊上之單位覆蓋面積之四倍以上。該些電性傳導柱係一對一電鍍形成於該些UBM墊上，每一電性傳導柱係具有一第一接合頂面。該些第一支撐柱係多對一電鍍形成於該第一UBM島塊上，每一第一UBM島塊上係配置有兩個或兩個以上的該些第一支撐柱，每一第一支撐柱係具有一第二接合頂面，並且該些第一支撐柱在該第一UBM島塊上之單位表面接合面積係小於該些電性傳導柱在該些UBM墊上之單位表面接合面積，用以修正該些第二接合頂面相對於該些第一接合頂面之高度差。

本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該些第一支撐柱相對於該些電性傳導柱之單位體積比係可介於25%~95%，利用該些第一支撐柱之尺寸縮小，可減少該些第一支撐柱在該晶圓級封裝層上之高度與重量。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該些第二接合頂面與該些第一接合頂面之高度差係可修正至小於該晶圓級封裝層之厚度之二分之一，可達成共平面覆晶接合或是共平面多晶片堆疊之功效。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該些第二接合頂面與該些第一接合頂面之高度差係具體可縮小至小於2微米。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，可另包含有複數個形成於該些第一接合頂面上之第一銲料以及複數個形成於該些第二接合頂面上之第二銲料，以使該些第一支撐柱亦有以金屬柱焊接達成晶片連接之功能。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該凸塊下金屬圖案層係可更包含有至少一第二UBM島塊，該第二UBM島塊在該晶圓級封裝層上之覆蓋面積係至少大於該些UBM墊在對應銲墊上之單位覆蓋面積之四倍以上，該金屬柱銲接晶片連接結構係可另包含有複數個第二支撐柱，其係多對一電鍍形成於該第二UBM島塊上，每一第二UBM島塊上係配置有兩個或兩個以上的該些第二支撐柱，每一第二支撐柱係具有一第三接合頂面，並且每一第二支撐柱在該第二UBM島塊上之單位表面接合面積係小於該些電性傳導柱在該些UBM墊上之單位表面接合面積，用以修正該些第三接合頂面相對於該些第一接合頂面之高度差。故可提供複數類型UBM島塊上之金屬柱。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該第一UBM島塊係可配置於該些銲墊之側邊，該第二UBM島塊係可配置於該主動面之側邊或角隅。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該第一UBM島塊之形狀係可為長條狀，該第二UBM島塊之形狀係可為矩形或方形。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該第一UBM島塊與該第二UBM島塊係可不延伸至該晶片垂直於該主動面之複數個側面，用以避免晶圓單離切割時或是晶片傳輸時的靜電放電破壞。

在前述金屬柱銲接晶片連接結構中，該些第一支撐柱在該第一UBM島塊上之表面接合面積總和係較佳為小於該第一UBM島塊之面積二分之一，使得該第一UBM島塊與該晶圓級封裝層有較大的貼合面積，藉以增進該第一UBM島塊之附著力。

10‧‧‧基板

11‧‧‧輸入輸出墊

12‧‧‧固定墊

20‧‧‧光阻層

21‧‧‧第一開孔

22‧‧‧第二開孔

23‧‧‧第三開孔

24‧‧‧第一開孔擴大

25‧‧‧圖案開槽

26‧‧‧圖案開槽

100‧‧‧金屬柱銲接晶片連接結構

110‧‧‧晶片

111‧‧‧主動面

112‧‧‧晶圓級封裝層

113‧‧‧銲墊

121、122‧‧‧UBM墊

130‧‧‧電性傳導柱

140‧‧‧支撐柱

151‧‧‧銲料

152‧‧‧銲料

200‧‧‧縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構

210‧‧‧晶片

211‧‧‧主動面

212‧‧‧晶圓級封裝層

213‧‧‧銲墊

214‧‧‧側面

215‧‧‧鈍化層

220‧‧‧凸塊下金屬圖案層

220A‧‧‧凸塊下金屬層

221‧‧‧UBM墊

222‧‧‧第一UBM島塊

223‧‧‧第二UBM島塊

230‧‧‧電性傳導柱

231‧‧‧第一接合頂面

240‧‧‧第一支撐柱

241‧‧‧第二接合頂面

251‧‧‧第一銲料

252‧‧‧第二銲料

253‧‧‧第三銲料

260‧‧‧第二支撐柱

261‧‧‧第三接合頂面

第1圖：習知金屬柱銲接晶片連接結構在覆晶接合時之局部截面示意圖。

第2圖：依據本發明之一具體實施例，一種縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構之截面示意圖。

第3圖：依據本發明之一具體實施例，該金屬柱銲接晶片連接結構之晶片主動面之局部上視示意圖。

第4A至4G圖：依據本發明之一具體實施例，該金屬柱銲接晶片連接結構之製程中各步驟之元件局部截面圖。

以下將配合所附圖示詳細說明本發明之實施例，然應注意的是，該些圖示均為簡化之示意圖，僅以示意方法來說明本發明之基本架構或實施方法，故僅顯示與本案有關之元件與組合關係，圖中所顯示之元件並非以實際實施之數目、形狀、尺寸做等比例繪製，某些尺寸比例與其他相關尺寸比例或已誇張或是簡化處理，以提供更清楚的描述。實際實施之數目、形狀及尺寸比例為一種選置性之設計，詳細之元件佈局可能更為複雜。

依據本發明之一具體實施例，一種縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構舉例說明於第2圖之截面示意圖、以及第3圖其晶片主動面之局部上視示意圖。該縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構200係主要包含一晶片210、一凸塊下金屬圖案層220、複數個電性傳導柱230以及複數個第一支撐柱240。

該晶片210係具有一主動面211。該晶片210係可為處理器晶片、特殊應用積體電路晶片、或記憶體晶片，其積體電路元件係製作於該主動面211。該主動面211 上設置有一晶圓級封裝層212以及複數個顯露於且內凹於該晶圓級封裝層212之銲墊213。該銲墊213係可為連接至該晶片210內部積體電路之I/O墊或電源/接地墊。該晶圓級封裝層212之材質係可為聚亞醯胺(PI)或苯環丁烯(BCB)等有機絕緣材料，以發揮該晶片210與導電柱之間的應力緩衝作用。通常該晶片210之該主動面211係已形成有一玻璃或二氧化矽材質之鈍化層215，該晶圓級封裝層212係覆蓋於該鈍化層215上並且遠較厚於該鈍化層215。在本實施例中，該晶圓級封裝層212之厚度約介於5~6微米。

該凸塊下金屬圖案層220係包含有複數個UBM墊221與至少一第一UBM島塊222。該凸塊下金屬圖案層220係具有下列之功能，在金屬柱等凸塊製程中圖案化之前，該凸塊下金屬圖案層220係可作為電鍍種子層，在製程之後，該凸塊下金屬圖案層220係可防止金屬擴散與增進金屬柱等凸塊之接合強度。通常該凸塊下金屬圖案層220係為複數層之組合，其材質係可為鈦化鎢/銅、鈦/銅、或鈦/鎳化釩/銅。該些UBM墊221係形成於該些銲墊213上，該第一UBM島塊222係形成於該晶圓級封裝層212上，該第一UBM島塊222在該晶圓級封裝層212上之覆蓋面積係至少大於該些UBM墊221在對應銲墊213上之單位覆蓋面積之四倍以上，用以增加該第一UBM島塊222在該晶圓級封裝層212上之附著力。例如，該第一UBM島塊222之覆蓋面積係可介於1200μm²~20mm²。該些UBM墊221之單位覆蓋面積係可介於300μm²~6000μm²。

該些電性傳導柱230係一對一電鍍形成於該些UBM墊221上，即每一電性傳導柱230係對應接合於單一個銲墊213上之UBM墊221，該些UBM墊221之尺寸係 可相同於該些電性傳導柱230之單位表面接合面積，即該些電性傳導柱230之單位表面接合面積係與該些UBM墊221之單位覆蓋面積相同。每一電性傳導柱230係具有一第一接合頂面231。在本實施例中，該些電性傳導柱230係為尺寸較大之銅柱，可為圓柱體。該些電性傳導柱230係主要提供訊號輸出/輸入之傳導連接點，故亦可稱為主動凸塊(Active Bump)。並且小於該晶圓級封裝層212用以顯露該些銲墊213之開口。

該些第一支撐柱240係多對一電鍍形成於該第一UBM島塊222上，即兩個或兩個以上的第一支撐柱240係接合於單一個第一UBM島塊222上。每一第一UBM島塊222上係配置有兩個或兩個以上的該些第一支撐柱240。具體地，該第一UBM島塊222不被該些第一支撐柱240覆蓋的面積係在該第一UBM島塊222之面積百分之五十以上。每一第一支撐柱240係具有一第二接合頂面241。在本實施例中，該些第一支撐柱240係為尺寸較小之銅柱。該些第一支撐柱240係為維持該晶片210在覆晶接合時晶片210與下方基板間之間隙一致性，減少在覆晶接合後之晶片210傾斜。並且，該些第一支撐柱240在該第一UBM島塊222上之單位表面接合面積係小於該些電性傳導柱230在該些UBM墊221上之單位表面接合面積，用以修正該些第二接合頂面241相對於該些第一接合頂面231之高度差。例如，該些第一支撐柱240之銅柱尺寸係介於15~80μm；該些電性傳導柱230之銅柱尺寸係介於30~100μm。在一較佳結構中，該些第一支撐柱240相對於該些電性傳導柱230之單位體積比係可介於25%~95%，利用該些第一支撐柱240之尺寸縮小，可減少該些第一支撐柱240在該晶圓級封裝層212上之高度與重量，並能發揮多針點 之支撐效果並且不過度影響底部填充膠之填充能力。而該些第一支撐柱240在該第一UBM島塊222上之表面接合面積總和係較佳為小於該第一UBM島塊222之面積二分之一，換言之，該第一UBM島塊222有一半以上的面積係不被該些第一支撐柱240覆蓋，使得該第一UBM島塊222與該晶圓級封裝層212有較大的貼合面積，藉以增進該第一UBM島塊222之附著力。

在同一道電鍍製程中，當該些第一支撐柱240在該第一UBM島塊222上之單位表面接合面積越小，可分配得到的電鍍製程之電流密度則越少，故該些第一支撐柱240之該些第二接合頂面241之高度則越低。並且，在產品結構型態中，該凸塊下金屬圖案層220係必須圖案化形成該第一UBM島塊222，以較大面積之該第一UBM島塊222供兩個或兩個以上的該些第一支撐柱240接合，以防止該些第一支撐柱240之歪斜斷裂、剝離或位移。較佳地，該些第二接合頂面241與該些第一接合頂面231之高度差係可修正至小於該晶圓級封裝層212之厚度之二分之一，可達成共平面覆晶接合或是共平面多晶片堆疊之功效。具體地，該些第二接合頂面241與該些第一接合頂面231之高度差係具體可縮小至小於2微米。

此外，該金屬柱銲接晶片連接結構200係可另包含有複數個形成於該些第一接合頂面231上之第一銲料251以及複數個形成於該些第二接合頂面241上之第二銲料252，以使該些第一支撐柱240亦有以金屬柱焊接達成晶片210連接之功能。該些第一銲料251與該些第二銲料252係可為無鉛銲料。

再者，該凸塊下金屬圖案層220係可更包含有至少一第二UBM島塊223，該第二UBM島塊223在該晶 圓級封裝層212上之覆蓋面積係至少大於該些UBM墊221在對應銲墊213上之單位覆蓋面積之四倍以上，該金屬柱銲接晶片連接結構200係可另包含有複數個第二支撐柱260，其係多對一電鍍形成於該第二UBM島塊223上，每一第二UBM島塊223上係配置有兩個或兩個以上的該些第二支撐柱260，每一第二支撐柱260係具有一第三接合頂面261，並且每一第二支撐柱260在該第二UBM島塊223上之單位表面接合面積係小於該些電性傳導柱230在該些UBM墊221之單位表面接合面積，用以修正該些第三接合頂面261相對於該些第一接合頂面231之高度差，故可提供複數類型UBM島塊上之金屬柱。通常該些第二支撐柱260之長度與單位表面覆蓋面積係與該些第一支撐柱240相同。較佳地，該第一UBM島塊222與該第二UBM島塊223係可不延伸至該晶片210垂直於該主動面211之複數個側面214，用以避免晶圓單離切割時或是晶片傳輸時的靜電放電破壞。在本實施例中，該第一UBM島塊222係可配置於該些銲墊213之側邊，該第二UBM島塊223係可配置於該主動面211之側邊或角隅。該第一UBM島塊222之形狀係可為長條狀，該第二UBM島塊223之形狀係可為矩形或方形。

因此，本發明提供之一種縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構200係用以修正支撐柱與I/O傳輸柱之高度差，並且防止支撐柱之剝離掉落或歪斜斷裂。而且，該晶片210本身亦不需要額外設置供接合支撐柱且位在積體電路區上及晶圓級封裝層212下之虛置墊。

第4A至4F圖係用以說明該金屬柱銲接晶片連接結構200之製程，並說明如下。

如第4A圖所示，提供一在晶圓型態中之晶片 210，該晶片210係具有一主動面211，該晶片210之周邊係可一體連接其它晶片210。該主動面211上設置有一晶圓級封裝層212以及複數個顯露於且內凹於該晶圓級封裝層212之銲墊213。並且，在晶圓電鍍製程之前，利用已知PVD、CVD沉積技術形成一凸塊下金屬層220A以覆蓋該晶圓級封裝層212上並更覆蓋該些銲墊213，以作為電鍍種子層。

之後，如第4B圖所示，形成一光阻層20在該凸塊下金屬層220A上。在本實施例中，該光阻層20係可為正光阻，以達成一次光阻塗佈與後續兩次曝光顯影製程；或者該光阻層20亦可為負光阻，則需要兩次光阻塗佈與兩次曝光顯影製程。之後，如第4C圖所示，在第一次曝光顯影製程之後，該光阻層20係具有複數個對準該些銲墊213之第一開孔21以及複數個預定形成上述第一支撐柱240之第二開孔22；在本實施例中，該光阻層20係更具有複數個預定形成上述第二支撐柱260之第三開孔23。在該光阻層20之圖案化遮蔽下，以該凸塊下金屬層220A作為電鍍種子層進行晶圓電鍍，可在該些第一開孔21內電鍍形成複數個電性傳導柱230、同時在該些第二開孔22內電鍍形成複數個第一支撐柱240，較佳地，同時在該些第三開孔23內電鍍形成複數個第二支撐柱260，因該些第二開孔22與該些第三開孔23之孔徑小於該些第一開孔21，故該些第一支撐柱240與該些第二支撐柱260之長度係小於該些電性傳導柱230之長度。此外，在沿用同一光阻層20之條件下，該些電性傳導柱230上亦可電鍍形成上述第一銲料251、該些第一支撐柱240上亦可電鍍形成上述第二銲料252、該些第二支撐柱260上亦可電鍍形成上述第三銲料253。

之後，如第4D圖所示，進行第二次曝光顯影製程，該光阻層20係額外形成有複數個第一開孔擴大24以及複數個圖案開槽25、26，以顯露該凸塊下金屬層220A之非圖案區。其中，該第一開孔擴大24顯露該凸塊下金屬層220A在該些電性傳導柱230之周邊之非圖案區部分；該圖案開槽25係顯露該凸塊下金屬層220A在該些第一支撐柱240與該些第二支撐柱260之間並且其寬度較小於該些第一支撐柱240至最鄰近第二支撐柱260之間隙間之非圖案區部分；該圖案開槽26係顯露該凸塊下金屬層220A在該些第二支撐柱260外圍之非圖案區。之後，如第4E圖所示，蝕刻該凸塊下金屬層220A之非圖案區，以使該凸塊下金屬層220A形成為在該些電性傳導柱230下方之複數個UBM墊221、接合有該些第一支撐柱240之一第一UBM島塊222以及接合有該些第二支撐柱260之一第二UBM導塊，以構成上述之凸塊下金屬圖案層220。其中，該第一UBM島塊222在該晶圓級封裝層212上之覆蓋面積係至少大於該些UBM墊221在對應銲墊213上之單位覆蓋面積之四倍以上，而該第一UBM島塊222與該第二UBM島塊223係形成於該晶圓級封裝層212上。之後，如第4F圖所示，進行去光阻製程，以移除該光阻層20。之後，如第4G圖所示，迴焊該些第一銲料251、該些第二銲料252、該些第三銲料253，以使其分別固著於該些電性傳導柱230、該些第一支撐柱240、該些第二支撐柱260之頂面231、241、261。最後，經由晶圓單離切割製程，可形成如第2圖所示之金屬柱銲接晶片連接結構200。上述一次光阻塗佈與兩次曝光顯影製程能夠減少光阻用量和製程步驟。

以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實 施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本項技術者，在不脫離本發明之技術範圍內，所作的任何簡單修改、等效性變化與修飾，均仍屬於本發明的技術範圍內。

200‧‧‧縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構

210‧‧‧晶片

211‧‧‧主動面

212‧‧‧晶圓級封裝層

213‧‧‧銲墊

214‧‧‧側面

215‧‧‧鈍化層

220‧‧‧凸塊下金屬圖案層

221‧‧‧UBM墊

222‧‧‧第一UBM島塊

223‧‧‧第二UBM島塊

230‧‧‧電性傳導柱

231‧‧‧第一接合頂面

240‧‧‧第一支撐柱

241‧‧‧第二接合頂面

251‧‧‧第一銲料

252‧‧‧第二銲料

253‧‧‧第三銲料

260‧‧‧第二支撐柱

261‧‧‧第三接合頂面

Claims (10)

1. 一種縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，包含：一晶片，係具有一主動面，該主動面上設置有一晶圓級封裝層以及複數個顯露於且內凹於該晶圓級封裝層之銲墊；一凸塊下金屬圖案層，係包含有複數個UBM墊與至少一第一UBM島塊，該些UBM墊係形成於該些銲墊上，該第一UBM島塊係形成於該晶圓級封裝層上，該第一UBM島塊在該晶圓級封裝層上之覆蓋面積係至少大於該些UBM墊在對應銲墊上之單位覆蓋面積之四倍以上；複數個電性傳導柱，係一對一電鍍形成於該些UBM墊上，每一電性傳導柱係具有一第一接合頂面；以及複數個第一支撐柱，係多對一電鍍形成於該第一UBM島塊上，每一第一UBM島塊上係配置有兩個或兩個以上的該些第一支撐柱，每一第一支撐柱係具有一第二接合頂面，並且該些第一支撐柱在該第一UBM島塊上之單位表面接合面積係小於該些電性傳導柱在該些UBM墊上之單位表面接合面積，用以修正該些第二接合頂面相對於該些第一接合頂面之高度差。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該些第一支撐柱相對於該些電性傳導柱之單位體積比係介於25%~95%。
3. 依據申請專利範圍第2項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該些第二接合頂面與該些第一接合頂面之高度差係修正至小於該晶圓級封裝層之厚度之二分之一。
4. 依據申請專利範圍第3項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該些第二接合頂面與該些第一接合頂面之高度差係小於2微米。
5. 依據申請專利範圍第1項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，另包含有：複數個第一銲料，係形成於該些第一接合頂面上；以及複數個第二銲料，係形成於該些第二接合頂面上。
6. 依據申請專利範圍第1項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該凸塊下金屬圖案層係更包含有至少一第二UBM島塊，該第二UBM島塊在該晶圓級封裝層上之覆蓋面積係至少大於該些UBM墊在對應銲墊上之單位覆蓋面積之四倍以上，該金屬柱銲接晶片連接結構係另包含有複數個第二支撐柱，其係多對一電鍍形成於該第二UBM島塊上，每一第二UBM島塊上係配置有兩個或兩個以上的該些第二支撐柱，每一第二支撐柱係具有一第三接合頂面，並且每一第二支撐柱在該第二UBM島塊上之單位表面接合面積係小於該些電性傳導柱在該些UBM墊上之單位表面接合面積，用以修正該些第三接合頂面相對於該些第一接合頂面之高度差。
7. 依據申請專利範圍第6項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該第一UBM島塊係配置於該些銲墊之側邊，該第二UBM島塊係配置於該主動面之側邊或角隅。
8. 依據申請專利範圍第7項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該第一UBM島塊之形狀係為長條狀，該第二UBM島塊之形狀係為矩形或方形。
9. 依據申請專利範圍第6項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該第一UBM島塊與該第二UBM島塊係不延伸至該晶片垂直於該主動面之複數個側面。
10. 依據申請專利範圍第1項所述之縮短支撐柱之金屬柱銲接晶片連接結構，其中該些第一支撐柱在該第一UBM島塊上之表面接合面積總和係小於該第一UBM島塊之面積二分之一。